JP2002335175A - テレビジョンチューナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 増幅素子への給電のための部品点数を減らす
と共に、バンド切替による各周波数帯での利得低下の補
正をする。 【解決手段】 複同調回路２は高周波増幅器１に結合さ
れた高域同調用インダクタンス素子２ａと、高域同調用
インダクタンス素子２ａに直列に接続された低域同調用
インダクタンス素子２ｂとを少なくとも有し、チョーク
インダクタ４を高域同調用インダクタンス素子２ａと低
域同調用インダクタンス素子２ｂとの接続点と高周波増
幅器１との間に接続すると共に少なくとも低域同調用イ
ンダクタンス素子２ｂとチョークインダクタ４とを直列
に介して高周波増幅器１に電源電圧を供給し、複同調回
路２を高域の周波数帯に切り替えたときにのみチョーク
インダクタ４と高域同調用インダクタンス素子２ａと低
域同調用インダクタンス素子２ｂとの接続点を高周波的
に接地した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、複同調回路を介
して高周波増幅器の増幅素子に電源電圧を給電するよう
にしたテレビジョンチューナに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のテレビジョンチューナの構成を図
４に示す。高周波増幅器４１の増幅素子であるＦＥＴ４
１ａのドレインには直列に接続された二つのチョークイ
ンダクタ４２、４３を介して電源電圧Ｂが供給される。
二つのチョークインダクタ４２、４３の接続点には第一
のスイッチダイオード４４のアノードが結合される。そ
のアノードは第一の切替端子Ｓ１に接続され、カソード
は直流カットコンデンサ４５によって高周波的に接地さ
れると共に第二の切替端子Ｓ２に接続される。また、Ｆ
ＥＴ４１ａはドレイン端子に現れる出力容量成分を有し
ているが此を４１ｂで示している。

【０００３】高周波増幅器４１の次段に設けられた複同
調回路４６はバンド切替型の複同調回路であり、例えば
ＶＨＦ帯の高い周波数帯域又は低い周波数帯域に同調す
る。そして、一次側には直列に接続された高域同調用イ
ンダクタンス素子４６ａ、低域同調用インダクタンス素
子４６ｂ、二次側には直列接続された高域同調用インダ
クタンス素子４６ｃ、低域同調用インダクタンス素子４
６ｄを有し、一次側の高域同調用インダクタンス素子４
６ａがＦＥＴ４１ａのドレインに結合し、二次側の高域
同調用インダクタンス素子４６ｃが混合器４７に結合さ
れる。そして、各低域同調用インダクタンス素子４６
ｂ、４６ｄが結合用インダクタンス素子４６ｅによって
接地される。

【０００４】さらに、一次側には高域同調用インダクタ
ンス素子４６ａ、低域同調用インダクタンス素子４６
ｂ、結合用インダクタンス素子４６ｅの全体に対して並
列接続される第１のバラクタダイオード４６ｆが設けら
れ、二次側にも高域同調用インダクタンス素子４６ｃ、
低域同調用インダクタンス素子４６ｄ、結合用インダク
タンス素子４６ｅの全体に対して並列接続される第二の
バラクタダイオード４６ｇが設けられ

【０００５】また、一次側の高域同調用インダクタンス
素子４６ａと低域同調用インダクタンス素子４６ｂとの
接続点には第二のスイッチダイオード４８のアノードが
結合され、カソードは直流カットコンデンサ４５に接続
される。同様に、二次側の高域同調用インダクタンス素
子４６ｃと低域同調用インダクタンス素子４６ｄとの接
続点には第三のスイッチダイオード４９のアノードが結
合され、カソードは直流カットコンデンサ４５に接続さ
れる。そして、第二のスイッチダイオード４８と第三の
スイッチダイオード４９との各アノードが第一の切替端
子Ｓ１に接続され、各カソードが第二の切替端子Ｓ２に
接続される。

【０００６】以上の構成において、第二の切替端子Ｓ１
にハイレベルの電圧、第二の切替端子Ｓ２にローレベル
の電圧を印加すると第一乃至第三のスイッチダイオード
４４、４８、４９がオンとなる。すると、二つのチョー
クインダクタ４２と４３との接続点、一次側の高域同調
用インダクタンス素子４６ａと低域同調用インダクタン
ス素子４６ｂとの接続点、二次側の高域同調用インダク
タンス素子４６ｃと低域同調用インダクタンス素子４６
ｄとの接続点がそれぞれ高周波的に接地される。

【０００７】その結果、複同調回路４６は図５に示すよ
うな等価回路となって、一次側の第一のバラクタダイオ
ード４６ｆ、高域同調用インダクタンス素子４６ａと、
二次側の第二のバラクタダイオード４６ｇ、高域同調用
インダクタンス素子４６ｃとから構成される。そして、
高い周波数帯域に同調する。また、給電用の一方のチョ
ークインダクタ４２と出力容量成分４１ｂとによって並
列共振回路が構成される。この並列共振回路は高い周波
数帯域における最低周波数近傍に共振し、この周波数近
傍での利得の低下を補うようにしている。

【０００８】一方、第二の切替端子Ｓ１にローレベルの
電圧、第二の切替端子Ｓ２にハイレベルの電圧を印加す
ると第一乃至第三のスイッチダイオード４４、４８、４
９がオフとなる。すると、二つのチョークインダクタ４
２と４３との接続点、一次側の高域同調用インダクタン
ス素子４６ａと低域同調用インダクタンス素子４６ｂと
の接続点、二次側の高域同調用インダクタンス素子４６
ｃと低域同調用インダクタンス素子４６ｄとの接続点は
それぞれ高周波的に接地されることはないので、複同調
回路４６は図６に示すような等価回路となる。

【０００９】すなわち、一次側は第一のバラクタダイオ
ード４６ｆ、高域同調用インダクタンス素子４６ａ、低
域同調用インダクタンス素子４６ｂで構成され、二次側
は第二のバラクタダイオード４６ｇ、高域同調用インダ
クタンス素子４６ｃ、低域同調用インダクタンス素子４
６ｄで構成される。そして、低い周波数帯域に同調す
る。結合用インダクタンス素子４６ｅは同調周波数には
ほとんど寄与しない。また、給電用の二つのチョークイ
ンダクタ４２、４３と出力容量成分４１ｂとによって並
列共振回路が構成される。この並列共振回路は低い周波
数帯域における最低周波数近傍に共振し、この周波数近
傍での利得の低下を補っている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記の構成では、各周
波数帯における最低周波数近傍での利得の低下を補うた
めに、給電用のチョークインダクタを利用してＦＥＴの
出力成分と並列共振させている。しかし、各周波数帯で
共振させるために二つのチョークインダクタを使用し、
さらに、各周波数帯で共振周波数が異ならせるためにス
イッチダイオードを使用している。この結果、部品点数
を増やし、部品取付のスペースも必要とする。これによ
ってコスト低減と小型化が図れなかった。

【００１１】そこで、本発明は増幅素子への給電のため
の部品点数を減らすと共に、バンド切替による各周波数
帯での利得低下の補正をすることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、高周波増幅器と、前記高周波増幅器の次段に設けら
れ、同調周波数が高域の周波数帯又は低域の周波数帯に
切り替えられるバンド切替型の複同調回路と、前記高周
波増幅器に電源電圧を供給するチョークインダクタとを
備え、前記複同調回路は前記高周波増幅器に結合された
高域同調用インダクタンス素子と、前記高域同調用イン
ダクタンス素子に直列に接続された低域同調用インダク
タンス素子とを少なくとも有し、前記チョークインダク
タを前記高域同調用インダクタンス素子と前記低域同調
用インダクタンス素子との接続点と前記高周波増幅器と
の間に接続すると共に少なくとも前記低域同調用インダ
クタンス素子と前記チョークインダクタとを直列に介し
て前記高周波増幅器に電源電圧を供給し、前記複同調回
路を前記高域の周波数帯に切り替えたときにのみ前記チ
ョークインダクタと前記高域同調用インダクタンス素子
と前記低域同調用インダクタンス素子との接続点を高周
波的に接地した。

【００１３】また、前記複同調回路を前記高域の周波数
帯に切り替えたときは前記高周波増幅器における増幅素
子の出力容量成分と前記チョークインダクタとによって
前記高域の周波数帯における最低周波数近傍に並列共振
させ、前記低域の周波数帯に切り替えたときには前記出
力容量成分と少なくとも前記チョークインダクタと前記
低域同調用インダクタンス素子とによって前記低域の周
波数帯における最低周波数近傍に並列共振させた。

【００１４】また、前記高域同調用インダクタンス素子
と前記低域同調用インダクタンス素子と前記チョークイ
ンダクタとの接続点とグランドとの間にスイッチダイオ
ードを設け、前記複同調回路を前記高域の周波数帯に切
り替えるときに前記スイッチダイオードをオンとし、前
記低域の周波数帯に切り替えらるときにオフとした。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明のテレビジョンチューナを
図１乃至図３によって説明する。図１は本発明のテレビ
ジョンチューナの構成を示し、図２は複同調回路を高域
の周波数帯に同調した場合の等価回路図、図３は低域の
周波数帯に同調したときの等価回路図である。

【００１６】図１において、高周波増幅器１には前段の
入力同調回路で選択されたＶＨＦ帯のテレビジョン信号
が入力される。高周波増幅器１には増幅素子であるＦＥ
Ｔ１ａが使用される。ＦＥＴ１ａは出力容量成分１ｂを
有しており、それをドレインと接地間に接続された容量
素子として示す。

【００１７】高周波増幅器１の次段にはバンド切替型の
複同調回路２が設けられる。複同調回路２はＶＨＦ帯の
高域の周波数帯又は低域の周波数帯に同調するように切
り替えられる。そして、一次側には直列に接続された高
域同調用インダクタンス素子２ａ及び低域同調用インダ
クタンス素子２ｂを有し、高域同調用インダクタンス素
子２ａがＦＥＴ１ａのドレインに結合される。また、二
次側には直列接続された高域同調用インダクタンス素子
２ｃ及び低域同調用インダクタンス素子２ｄを有し、高
域同調用インダクタンス素子２ｃが混合器３に結合され
る。また、各低域同調用インダクタンス素子２ｂ及び２
ｄが結合用インダクタンス素子２ｅに接続され、結合用
インダクタンス素子２ｅは直流カットコンデンサ２ｆに
よって接地される。そして、結合用インダクタンス素子
２ｅと直流カットコンデンサ２ｆとの接続点には電源電
圧Ｂが印加される。

【００１８】さらに、一次側には高域同調用インダクタ
ンス素子２ａ、低域同調用インダクタンス素子２ｂ、結
合用インダクタンス素子２ｅの全体に対して並列接続さ
れる第１のバラクタダイオード２ｇが設けられ、二次側
にも高域同調用インダクタンス素子２ｃ、低域同調用イ
ンダクタンス素子２ｄ、結合用インダクタンス素子２ｅ
の全体に対して並列接続される第二のバラクタダイオー
ド２ｈが設けられる。各バラクタダイオード２ｇ、２ｈ
のカソードには同調電圧が印加され、同調電圧を変える
ことで同調周波数が変わる。

【００１９】また、ＦＥＴ１ａのドレインには給電用の
チョークインダクタ４の一端が接続され、その他端は一
次側の高域同調用インダクタンス素子２ａと低域同調用
インダクタンス素子２ｂとの接続点に接続される。チョ
ークインダクタ４と低域同調用インダクタンス素子２ｂ
との接続点には第一のスイッチダイオード５のアノード
が接続され、そのカソードは直流カットコンデンサ６に
よって高周波的に接地される。

【００２０】また、二次側の高域同調用インダクタンス
素子２ｃと低域同調用インダクタンス素子２ｄとの接続
点には第二のスイッチダイオード７のアノードが接続さ
れ、カソードは直流カットコンデンサ６に接続される。
そして、第一のスイッチダイオード５と第二のスイッチ
ダイオード７との各カソードがスイッチトランジスタ８
のコレクタに接続される。コレクタには抵抗９を介して
電源電圧Ｂが印加される。

【００２１】以上の構成において、スイッチトランジス
タ８のベースにハイレベルの電圧を印加すると、スイッ
チトランジスタ８がオンとなり、これによって第一のス
イッチダイオード５と第二のスイッチダイオード７もオ
ンとなる。すると、一次側の高域同調用インダクタンス
素子２ａと低域同調用インダクタンス素子２ｂとチョー
クインダクタ４との接続点が高周波的に接地される。同
様に、二次側の高域同調用インダクタンス素子２ｃと低
域同調用インダクタンス素子２ｄとの接続点も高周波的
に接地される。

【００２２】その結果、複同調回路２は図２に示すよう
な等価回路となって、一次側は第一のバラクタダイオー
ド２ｇ、高域同調用インダクタンス素子２ａによって構
成され、二次側は第二のバラクタダイオード２ｈ、高域
同調用インダクタンス素子２ｃによって構成される。そ
して、高い周波数帯域に同調する。また、ＦＥＴ１ａの
ドレインには結合用インダクタンス素子２ｆ、一次側の
低域同調用インダクタンス素子２ｂ、給電用チョークイ
ンダクタ４を介して電源電圧Ｂが給電されるが、給電用
のチョークインダクタ４と出力容量成分１ｂとによって
並列共振回路が構成される。この並列共振回路を高い周
波数帯域のうちの例えば最低周波数近傍に共振させるこ
とでこの周波数近傍での利得の低下を補うようになって
いる。

【００２３】一方、スイッチトランジスタ８のベースに
ローレベルの電圧を印加すると（ベースを開放してもよ
い）、スイッチトランジスタ８はオフとなる。従って、
第一のスイッチダイオード４、第二のスイッチダイオー
ド７もオフとなる。この結果、一次側の高域同調用イン
ダクタンス素子２ａと低域同調用インダクタンス素子２
ｂとの接続点、二次側の高域同調用インダクタンス素子
２ｃと低域同調用インダクタンス素子２ｄとの接続点は
それぞれ高周波的に接地されることはないので、複同調
回路２は図３に示すような等価回路となる。

【００２４】すなわち、一次側は第一のバラクタダイオ
ード２ｇ、高域同調用インダクタンス素子２ａ、低域同
調用インダクタンス素子２ｂで構成され、二次側は第二
のバラクタダイオード２ｈ、高域同調用インダクタンス
素子２ｃ、低域同調用インダクタンス素子２ｄで構成さ
れる。そして、低い周波数帯域に同調する。結合用イン
ダクタンス素子２ｅは同調周波数にはほとんど寄与しな
い。

【００２５】また、ＦＥＴ１ａのドレインには結合用イ
ンダクタンス素子２ｅ、一次側の低域同調用インダクタ
ンス素子２ｂ、給電用チョークインダクタ４を介して電
源電圧が給電されるが、この三個のインダクタンス素子
がＦＥＴ１の出力容量成分１ｂと並列共振回路を構成す
る。つまり、一次側の低域同調用インダクタンス素子２
ｂと結合用インダクタンス素子２ｅとが給電用のインダ
クタとしても機能する。そして、この並列共振回路は共
振周波数が低くなり、低い周波数帯域における最低周波
数近傍に共振させることが可能となる。これによって最
低周波数近傍での利得の低下を補える。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、複同
調回路は高周波増幅器に結合された高域同調用インダク
タンス素子と、高域同調用インダクタンス素子に直列に
接続された低域同調用インダクタンス素子とを少なくと
も有し、チョークインダクタを高域同調用インダクタン
ス素子と低域同調用インダクタンス素子との接続点と高
周波増幅器との間に接続すると共に少なくとも低域同調
用インダクタンス素子とチョークインダクタとを直列に
介して高周波増幅器に電源電圧を供給し、複同調回路を
高域の周波数帯に切り替えたときにのみチョークインダ
クタと高域同調用インダクタンス素子と低域同調用イン
ダクタンス素子との接続点を高周波的に接地したので、
増幅素子の出力容量成分と並列共振回路を構成するチョ
ークインダクタの数とスイッチダイオードとの数を減ら
すことができる。しかも、複同調回路を高域の周波数帯
に切り替えたときにはチョークインダクタと出力容量成
分とによって周波数が高い並列共振回路を構成でき、複
同調回路を低域の周波数帯に切り替えたときにはチョー
クインダクタと出力容量成分と低域同調用インダクタン
ス素子によって周波数が低い並列共振回路を構成でき
る。

【００２７】また、複同調回路を高域の周波数帯に切り
替えたときは高周波増幅器における増幅素子の出力容量
成分とチョークインダクタとによって高域の周波数帯に
おける最低周波数近傍に並列共振させ、低域の周波数帯
に切り替えたときには出力容量成分と少なくともチョー
クインダクタと低域同調用インダクタンス素子とによっ
て低域の周波数帯における最低周波数近傍に並列共振さ
せたので、各周波数帯の最低周波数近傍において低下す
る利得を補正できる。

【００２８】また、高域同調用インダクタンス素子と低
域同調用インダクタンス素子とチョークインダクタとの
接続点とグランドとの間にスイッチダイオードを設け、
複同調回路を高域の周波数帯に切り替えるときにスイッ
チダイオードをオンとし、低域の周波数帯に切り替えら
るときにオフとしたので、複同調回路の周波数帯の切替
に対応して共振回路の共振周波数を切り替えられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテレビジョンチューナの構成を示す回
路図である。

【図２】本発明のテレビジョンチューナの高域の周波数
帯に同調したときの等価回路図である。

【図３】本発明のテレビジョンチューナの低域の周波数
帯に同調したときの等価回路図である。

【図４】従来のテレビジョンチューナの構成を示す回路
図である

【図５】従来のテレビジョンチューナの高域の周波数帯
に同調したときの等価回路図である。

【図６】従来のテレビジョンチューナの低域の周波数帯
に同調したときの等価回路図である。

【符号の説明】

１ 高周波増幅器 １ａ ＦＥＴ（増幅素子） ２ 複同調回路 ２ａ、２ｃ 高域同調用インダクタンス素子 ２ｂ、２ｄ 低域同調用インダクタンス素子 ２ｅ 結合用インダクタンス素子 ２ｆ 直流カットコンデンサ ２ｇ 第一のバラクタダイオード ２ｈ 第二のバラクタダイオード ３ 混合器 ４ 給電用インダクタ ５ 第一のスイッチダイオード ６ 直流カットコンデンサ ７ 第二のスイッチダイオード ８ スイッチトランジスタ ９ 抵抗

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C025 AA25 5J103 AA04 AA24 BA02 BA03 CA08 CB05 DA01 DA12 EA01 EA03 EA05 EA06 EA08 EA10 EA11 FA08 5K062 AA07 AA08 AB04 AB10 AC04 AD04 BA03 BB01 BB06 BB10 BB13 BB15 BB16 BC08

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波増幅器と、前記高周波増幅器の次
   段に設けられ、同調周波数が高域の周波数帯又は低域の
   周波数帯に切り替えられるバンド切替型の複同調回路
   と、前記高周波増幅器に電源電圧を供給するチョークイ
   ンダクタとを備え、前記複同調回路は前記高周波増幅器
   に結合された高域同調用インダクタンス素子と、前記高
   域同調用インダクタンス素子に直列に接続された低域同
   調用インダクタンス素子とを少なくとも有し、前記チョ
   ークインダクタを前記高域同調用インダクタンス素子と
   前記低域同調用インダクタンス素子との接続点と前記高
   周波増幅器との間に接続すると共に少なくとも前記低域
   同調用インダクタンス素子と前記チョークインダクタと
   を直列に介して前記高周波増幅器に電源電圧を供給し、
   前記複同調回路を前記高域の周波数帯に切り替えたとき
   にのみ前記チョークインダクタと前記高域同調用インダ
   クタンス素子と前記低域同調用インダクタンス素子との
   接続点を高周波的に接地したことを特徴とするテレビジ
   ョンチューナ。
2. 【請求項２】 前記複同調回路を前記高域の周波数帯に
   切り替えたときは前記高周波増幅器における増幅素子の
   出力容量成分と前記チョークインダクタとによって前記
   高域の周波数帯における最低周波数近傍に並列共振さ
   せ、前記低域の周波数帯に切り替えたときには前記出力
   容量成分と少なくとも前記チョークインダクタと前記低
   域同調用インダクタンス素子とによって前記低域の周波
   数帯における最低周波数近傍に並列共振させたことを特
   徴とする請求項１に記載のテレビジョンチューナ。
3. 【請求項３】 前記高域同調用インダクタンス素子と前
   記低域同調用インダクタンス素子と前記チョークインダ
   クタとの接続点とグランドとの間にスイッチダイオード
   を設け、前記複同調回路を前記高域の周波数帯に切り替
   えるときに前記スイッチダイオードをオンとし、前記低
   域の周波数帯に切り替えらるときにオフとしたことを特
   徴とする請求項１又は２に記載のテレビジョンチュー
   ナ。