JP2002335148A - パワーオンリセット回路 - Google Patents
パワーオンリセット回路Info
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Abstract
C1とトランジスタM1が直列接続され、電源電圧と接
地電圧との間にトランジスタM2とコンデンサC2が直
列接続され、電源電圧と接地電圧との間にインバータI
Vが接続され、前記トランジスタM1のゲートが、前記
コンデンサC1と当該トランジスタM1との接続点と前
記トランジスタM2のゲートに接続され、当該トランジ
スタM2と前記コンデンサC2との接続点が、前記イン
バータIVに接続されて成るパワーオンリセット回路に
おいて、前記トランジスタM1と前記コンデンサC1と
の間にトランジスタM3を直列接続し、当該トランジス
タM3のゲートには電源電圧と接地電圧との間に直列接
続された複数の抵抗R1,R2の比から決まる分圧され
た電圧が印加されるように構成したことを特徴とする。
Description
ト回路に関し、更に詳しく言えば、電源電圧の立ち上が
りが緩やかな場合でも、十分なリセットパルスが出力さ
れるようにする技術に関する。
ついて図面を参照しながら説明する。
電源投入時から一定期間、例えばメモリ内のデータをリ
セットするためのリセット信号を内部回路内に供給する
ためのものである。
SSとの間にコンデンサC1とNチャネル型MOSトラン
ジスタM1が直列接続され、また、電源電圧VDDと接地
電圧VSSとの間にPチャネル型MOSトランジスタM2
とコンデンサC2が直列接続され、更に、電源電圧VDD
と接地電圧VSSとの間にインバータIVが接続され、前
記MOSトランジスタM1のゲートは、前記コンデンサ
C1と前記MOSトランジスタM1との接続点と、前記
MOSトランジスタM2のゲートに接続され、前記MO
SトランジスタM2と前記コンデンサC2との接続点
は、前記インバータIVに接続されて、当該インバータ
IVからの出力が不図示の内部回路(マイコン側)に伝
達される構成となっている。
について説明すると、先ず電源が投入され、電源電圧V
DDが印加されることで、インバータIVからHレベルが
出力され、内部回路にリセット信号が供給される。
下のようになる。即ち、電源電圧VDDが印加された瞬
間、図6に示すように、Aの電圧(コンデンサC1の接
地電圧VSS側の電圧)は前記Nチャネル型MOSトラン
ジスタM1のしきい値電圧以下であり、当該MOSトラ
ンジスタM1はオフしている。やがて、Aの電圧がしき
い値電圧以上になると、前記MOSトランジスタM1が
オンし、コンデンサC1の充電が開始される。
チャネル型MOSトランジスタM2のしきい値電圧)と
なると、当該MOSトランジスタM2がオンし、Bの電
圧(コンデンサC2の電源電圧VDD側の電圧)が徐々に
上昇する。
源電圧VDDの1/2になるように設定されているため、
電源電圧VDDと共に上昇する。そこで、Bの電圧がVt*
以上になるとインバータIVの出力はLレベルとなり、
内部回路へのリセット信号が停止される。
オンリセット回路は、電源電圧VDDが緩やかに立ち上が
るような際に、図4に×印で示すように、マイコンにリ
セットをかけられる電圧(図4に矢印で指し示すRC発
振の発振開始電圧)以上のパルスを発生させることがで
きない場合があった。
記コンデンサC1,C2の容量を大きくし、前記MOS
トランジスタM1,M2のインピーダンスを高くしてお
く必要があった。
の容量を大きくするか、上記MOSトランジスタM1,
M2のインピーダンスを高くする場合、パターン面積が
大きくなってしまうという問題がある。特に、コンデン
サC1、MOSトランジスタM1のRC時定数が問題と
なる。
本発明のパワーオンリセット回路は、電源電圧と接地電
圧との間に第1のコンデンサと第1のMOSトランジス
タが直列接続され、電源電圧と接地電圧との間に第2の
MOSトランジスタと第2のコンデンサが直列接続さ
れ、電源電圧と接地電圧との間にインバータが接続さ
れ、前記第1のMOSトランジスタのゲートが、前記第
1のコンデンサと当該第1のMOSトランジスタとの接
続点と前記第2のMOSトランジスタのゲートに接続さ
れ、当該第2のMOSトランジスタと前記第2のコンデ
ンサとの接続点が、前記インバータに接続されて成るも
のにおいて、前記第1のMOSトランジスタと前記第1
のコンデンサとの間に第3のMOSトランジスタを直列
接続し、当該第3のMOSトランジスタのゲートには電
源電圧と接地電圧との間に直列接続された複数の抵抗の
比から決まる分圧された電圧が印加されるように構成さ
れたことを特徴とする。
電圧もしくは接地電圧との間に接続された抵抗との間に
直列接続された第4のMOSトランジスタのゲートに印
加されるように構成されたことを特徴とする。
ト回路の一実施形態について図面を参照しながら説明す
る。尚、従来構成と同等な構成については、重複した説
明を避けるため、同符号を付して説明を簡略化する。
図1に示すように第1のMOSトランジスタ(Nチャネ
ル型MOSトランジスタ)M1と第1のコンデンサC1
との間に第3のMOSトランジスタ(Nチャネル型MO
Sトランジスタ)M3を直列接続し、当該MOSトラン
ジスタM3のゲートに印加されるゲート電圧を電源電圧
VDDと接地電圧VSSとの間に直列接続された抵抗R1,
R2の分圧で決めるようにしたことである。
電圧VSSとの間に抵抗R1,R2、そして第4のMOS
トランジスタ(Nチャネル型MOSトランジスタ)M4
が直列接続されている。
に第1のコンデンサC1と第1の第1のMOSトランジ
スタM1が直列接続され、かつ当該第1のコンデンサC
1とMOSトランジスタM1との間に第3のMOSトラ
ンジスタ(Nチャネル型MOSトランジスタ)M3が直
列接続されている。尚、前記MOSトランジスタM3の
ゲートには、前記抵抗R1,R2の比により分圧された
電圧が印加されている。
に第2のMOSトランジスタ(Pチャネル型MOSトラ
ンジスタ)M2と第2のコンデンサC2が直列接続され
ている。尚、前記MOSトランジスタM2のゲートに
は、前記第1のコンデンサC1と第3のMOSトランジ
スタM3の接続点が接続されている。
間にインバータIVが接続され、当該インバータIVか
らの出力が不図示の内部回路(マイコン側)に伝達さ
れ、メモリ内のデータの初期化が行われる構成となって
いる。
相違点は、上記第3のMOSトランジスタM3を準備し
たことである。そして、当該第3のMOSトランジスタ
M3がオンするためには、図2及び図3に示すように、
Cの電圧(第1のMOSトランジスタM1のゲート電
圧)とDの電圧(抵抗R1−抵抗R2間の電圧)との電
圧差が当該第3のMOSトランジスタM3のしきい値電
圧以上にならないとオンしない。
れる時間を遅らせることができる。従って、図4に○印
で示すように本発明回路では、従来回路に比してより高
い電源電圧レベル(VDD1<VDD2)を得ることができ、
十分なリセットパルスを出力できる。
抗比を変えることによって調整でき、それによって、コ
ンデンサC1に充電が開始される時間を遅らせることが
できる。
前記第4のMOSトランジスタ(Nチャネル型MOSト
ランジスタ)M4のゲートにも入力されるように構成さ
れており、インバータIVからのLレベル出力により、
当該第4のMOSトランジスタM4はオフされる。
するにあたって、従来の回路構成に抵抗R1,R2及び
MOSトランジスタM3,M4を追加するだけで可能と
なりいたずらにパターン面積が増大することはない。
ジスタM3のインピーダンスをサイズだけでなく、上記
抵抗R1,R2の比で変更可能にしたことで、電源電圧
VDDの立ち上がりが緩やかな場合でも、十分なリセット
パルスを出力することができる。そして、上記回路構成
を採用することで、容易に高いインピーダンスのトラン
ジスタをつくることができるようになり、いたずらにパ
ターン面積の増大化を招くことがない。
は、前記接地電圧VSSと抵抗R2との間に直列接続さ
れ、インバータからのLレベルの信号がゲート入力され
るMOSトランジスタM4がオフし、電流が流れないよ
うに構成している。
が緩やかな場合でも、十分なリセットパルスを出力する
ことができる。
を説明するための回路図である。
を説明するための特性図である。
を説明するための特性図である。
を説明するための特性図である。
の回路図である。
の特性図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 電源電圧と接地電圧との間に第1のコン
デンサと第1のMOSトランジスタが直列接続され、電
源電圧と接地電圧との間に第2のMOSトランジスタと
第2のコンデンサが直列接続され、電源電圧と接地電圧
との間にインバータが接続され、前記第1のMOSトラ
ンジスタのゲートが、前記第1のコンデンサと当該第1
のMOSトランジスタとの接続点と前記第2のMOSト
ランジスタのゲートに接続され、当該第2のMOSトラ
ンジスタと前記第2のコンデンサとの接続点が、前記イ
ンバータに接続されて成るパワーオンリセット回路にお
いて、 前記第1のMOSトランジスタと前記第1のコンデンサ
との間に第3のMOSトランジスタを直列接続し、当該
第3のMOSトランジスタのゲートには電源電圧と接地
電圧との間に直列接続された複数の抵抗の比から決まる
分圧された電圧が印加されるように構成したことを特徴
とするパワーオンリセット回路。 - 【請求項2】 前記インバータの出力が、前記電源電圧
もしくは接地電圧との間に接続された抵抗との間に直列
接続された第4のMOSトランジスタのゲートに印加さ
れるように構成されたことを特徴とする請求項2に記載
のパワーオンリセット回路。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001139531A JP4646434B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | パワーオンリセット回路 |
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JP2001139531A JP4646434B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | パワーオンリセット回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002335148A true JP2002335148A (ja) | 2002-11-22 |
JP4646434B2 JP4646434B2 (ja) | 2011-03-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001139531A Expired - Fee Related JP4646434B2 (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | パワーオンリセット回路 |
Country Status (1)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6273634A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS6444618A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Toshiba Corp | Reset signal generating circuit |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5169326A (ja) * | 1974-12-13 | 1976-06-15 | Sanyo Electric Co | Shokisetsuteihoho |
JPS6273634U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-12 |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001139531A patent/JP4646434B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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JP4646434B2 (ja) | 2011-03-09 |
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