JP2002332484A - 光応答性材料 - Google Patents
光応答性材料Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 感度が高く、光照射による複屈折の変化が大
きい光応答性材料を提供する。 【解決手段】 一般式Ｉの四環系芳香族化合物を含む光
応答性材料： ［Ｌ１およびＬ３は独立に−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡
Ｃ−であり；Ｌ２は単結合、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；ベンゼン環Ａ、
Ｂ、ＣおよびＤの一つ以上は、置換基を有し、一つ以上
の置換基はスルホ、カルボキシルまたはそれらの塩であ
り、二つの置換基が結合して環を形成してもよい］。
きい光応答性材料を提供する。 【解決手段】 一般式Ｉの四環系芳香族化合物を含む光
応答性材料： ［Ｌ１およびＬ３は独立に−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡
Ｃ−であり；Ｌ２は単結合、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；ベンゼン環Ａ、
Ｂ、ＣおよびＤの一つ以上は、置換基を有し、一つ以上
の置換基はスルホ、カルボキシルまたはそれらの塩であ
り、二つの置換基が結合して環を形成してもよい］。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光に応答して複屈
折に差を生じ、複屈折の差を画像形成に利用できる光応
答性材料に関する。
折に差を生じ、複屈折の差を画像形成に利用できる光応
答性材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】光照射による二重結合の異性化や二量化
のような光に応答する化学反応を利用して、リオトロピ
ック液晶の状態を変化させた例が知られている。例え
ば、Langmuir（1996年）,12(20)、p4960−4965には、光
反応性を有しない化合物からなるリオトロピック液晶に
光反応性化合物を添加し、光照射することによって、リ
オトロピック液晶の相転移温度を変化させられることが
報告されている。また、繊維学会誌（1990年）、46
(4)、p150−154に、側鎖に光反応性の基を導入した高分
子化合物からなるリオトロピック液晶の性質が、ＵＶ光
照射によって変化することが報告されている。
のような光に応答する化学反応を利用して、リオトロピ
ック液晶の状態を変化させた例が知られている。例え
ば、Langmuir（1996年）,12(20)、p4960−4965には、光
反応性を有しない化合物からなるリオトロピック液晶に
光反応性化合物を添加し、光照射することによって、リ
オトロピック液晶の相転移温度を変化させられることが
報告されている。また、繊維学会誌（1990年）、46
(4)、p150−154に、側鎖に光反応性の基を導入した高分
子化合物からなるリオトロピック液晶の性質が、ＵＶ光
照射によって変化することが報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術で提案され
ている光応答性材料は、光に対する感度が低い。また、
光照射による複屈折の変化が小さく、画像形成に利用す
るには不充分であった。本発明の目的は、感度が高く、
光照射による複屈折の変化が大きい光応答性材料を提供
することである。
ている光応答性材料は、光に対する感度が低い。また、
光照射による複屈折の変化が小さく、画像形成に利用す
るには不充分であった。本発明の目的は、感度が高く、
光照射による複屈折の変化が大きい光応答性材料を提供
することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記
（１）〜（６）の光応答性材料により達成された。
（１）式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物を含むこ
とを特徴とする光応答性材料：
（１）〜（６）の光応答性材料により達成された。
（１）式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物を含むこ
とを特徴とする光応答性材料：
【０００５】
【化５】
【０００６】［式中、Ｌ1 およびＬ3 は、それぞれ独立
に、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；Ｌ2 は、
単結合、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−
Ｃ≡Ｃ−であり；そして、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃおよび
Ｄの少なくとも一つは、置換基を有し、少なくとも一つ
の置換基は、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩で
あり、二つの置換基が結合して環を形成していてもよ
い］。（２）式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物が
リオトロピック液晶性を示す（１）に記載の光応答性材
料。（３）式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物に加
えて、リオトロピック液晶を含む（１）に記載の光応答
性材料。（４）四環系芳香族化合物が、式（II）で表さ
れる（１）に記載の光応答性材料：
に、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；Ｌ2 は、
単結合、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−
Ｃ≡Ｃ−であり；そして、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃおよび
Ｄの少なくとも一つは、置換基を有し、少なくとも一つ
の置換基は、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩で
あり、二つの置換基が結合して環を形成していてもよ
い］。（２）式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物が
リオトロピック液晶性を示す（１）に記載の光応答性材
料。（３）式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物に加
えて、リオトロピック液晶を含む（１）に記載の光応答
性材料。（４）四環系芳香族化合物が、式（II）で表さ
れる（１）に記載の光応答性材料：
【０００７】
【化６】
【０００８】［式中、Ｌ2 は、単結合、−ＣＨ2 −ＣＨ
2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；そし
て、ベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つ
は、置換基を有し、少なくとも一つの置換基は、スル
ホ、カルボキシルまたはそれらの塩であり、二つの置換
基が結合して環を形成していてもよい］。（５）四環系
芳香族化合物が、式（III)で表される（４）に記載の光
応答性材料：
2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；そし
て、ベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つ
は、置換基を有し、少なくとも一つの置換基は、スル
ホ、カルボキシルまたはそれらの塩であり、二つの置換
基が結合して環を形成していてもよい］。（５）四環系
芳香族化合物が、式（III)で表される（４）に記載の光
応答性材料：
【０００９】
【化７】
【００１０】［式中、Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立
に、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩であり；そ
して、ベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基
を有してもよく、二つの置換基が結合して環を形成して
いてもよい］。（６）四環系芳香族化合物が、式（IV）
で表される（５）に記載の光応答性材料：
に、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩であり；そ
して、ベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基
を有してもよく、二つの置換基が結合して環を形成して
いてもよい］。（６）四環系芳香族化合物が、式（IV）
で表される（５）に記載の光応答性材料：
【００１１】
【化８】
【００１２】［式中、Ｍは、カチオンであって、Ｍが解
離していてもよく；そして、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃおよ
びＤは、さらに置換基を有していてもよく、二つの置換
基が結合して環を形成していてもよい］。
離していてもよく；そして、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃおよ
びＤは、さらに置換基を有していてもよく、二つの置換
基が結合して環を形成していてもよい］。
【００１３】
【発明の実施の形態】式（Ｉ）の四環系芳香族化合物
は、リオトロピック液晶中で用いることが好ましい。四
環系芳香族化合物自体がリオトロピック液晶性を有する
ことが好ましい。四環系芳香族化合物がリオトロピック
液晶性を有しない場合には、他のリオトロピック液晶性
化合物と併用しても良い。併用するリオトロピック液晶
性化合物としては、例えば、分子の両端にそれぞれ親水
性基と疎水性基を有する「両親媒性化合物」、水溶性が
付与された芳香環を有する「クロモニック化合物」、セ
ルロース誘導体、ポリペプチド、核酸など主鎖が棒状骨
格を有する「高分子化合物」を用いることができる（液
晶便覧頁、特開平１０−３３３１５４号公報、Mol.Crys
t..Liq.Cryst.,1993Vol.225,293-310参照）。四環系芳
香族化合物を用いて形成するリオトロピック液晶は、水
溶液または有機溶媒（例、ＤＭＦ）の溶液の状態で、光
応答性材料の作製に用いることができる。有機溶媒溶液
よりも水溶液の方が好ましい。
は、リオトロピック液晶中で用いることが好ましい。四
環系芳香族化合物自体がリオトロピック液晶性を有する
ことが好ましい。四環系芳香族化合物がリオトロピック
液晶性を有しない場合には、他のリオトロピック液晶性
化合物と併用しても良い。併用するリオトロピック液晶
性化合物としては、例えば、分子の両端にそれぞれ親水
性基と疎水性基を有する「両親媒性化合物」、水溶性が
付与された芳香環を有する「クロモニック化合物」、セ
ルロース誘導体、ポリペプチド、核酸など主鎖が棒状骨
格を有する「高分子化合物」を用いることができる（液
晶便覧頁、特開平１０−３３３１５４号公報、Mol.Crys
t..Liq.Cryst.,1993Vol.225,293-310参照）。四環系芳
香族化合物を用いて形成するリオトロピック液晶は、水
溶液または有機溶媒（例、ＤＭＦ）の溶液の状態で、光
応答性材料の作製に用いることができる。有機溶媒溶液
よりも水溶液の方が好ましい。
【００１４】
【化９】
【００１５】式（Ｉ）において、Ｌ1 およびＬ3 は、そ
れぞれ独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。Ｌ1 およびＬ3 は、それぞれ、−ＣＨ＝ＣＨ−であ
ることが好ましい。−ＣＨ＝ＣＨ−の二重結合は、シス
型よりもトランス型の方が好ましい。
れぞれ独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。Ｌ1 およびＬ3 は、それぞれ、−ＣＨ＝ＣＨ−であ
ることが好ましい。−ＣＨ＝ＣＨ−の二重結合は、シス
型よりもトランス型の方が好ましい。
【００１６】式（Ｉ）において、Ｌ2 は、単結合、−Ｃ
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。Ｌ2 は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−
であることが好ましく、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−で
あることがさらに好ましく、−ＣＨ＝ＣＨ−であること
が最も好ましい。−ＣＨ＝ＣＨ−の二重結合は、シス型
よりもトランス型の方が好ましい。
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。Ｌ2 は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−
であることが好ましく、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−で
あることがさらに好ましく、−ＣＨ＝ＣＨ−であること
が最も好ましい。−ＣＨ＝ＣＨ−の二重結合は、シス型
よりもトランス型の方が好ましい。
【００１７】式（Ｉ）において、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃ
およびＤの少なくとも一つは、置換基を有する。置換基
の例には、ハロゲン原子、アミノ、ヒドロキシル、スル
ホ（およびその塩）、カルボキシル（およびその塩）、
ホスフィニル（およびその塩）、ホスホノ（およびその
塩）、ホスフィニルオキシ（およびその塩）、ホスホノ
オキシ（およびその塩）、カルバモイル、スルファモイ
ル、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−ＣＯ
−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ
−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ2 −Ｒ、
−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ、−ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒ
および−ＮＲ−ＮＨ−Ｒが含まれる。Ｒは、脂肪族基、
芳香族基または複素環基である。
およびＤの少なくとも一つは、置換基を有する。置換基
の例には、ハロゲン原子、アミノ、ヒドロキシル、スル
ホ（およびその塩）、カルボキシル（およびその塩）、
ホスフィニル（およびその塩）、ホスホノ（およびその
塩）、ホスフィニルオキシ（およびその塩）、ホスホノ
オキシ（およびその塩）、カルバモイル、スルファモイ
ル、脂肪族基、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−ＣＯ
−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ
−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ2 −Ｒ、
−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ、−ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒ
および−ＮＲ−ＮＨ−Ｒが含まれる。Ｒは、脂肪族基、
芳香族基または複素環基である。
【００１８】本明細書において、脂肪族基は、アルキル
基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル
基、アルキニル基および置換アルキニル基を含む。脂肪
族基は、環状構造または分岐構造を有していてもよい。
脂肪族基の炭素原子数は、１乃至１５であることが好ま
しく、１乃至１０であることがさらに好ましい。置換ア
ルキル基、置換アルケニル基および置換アルキニル基の
置換基の例には、ハロゲン原子、アミノ、ヒドロキシ
ル、スルホ（およびその塩）、カルボキシル（およびそ
の塩）、ホスフィニル（およびその塩）、ホスホノ（お
よびその塩）、ホスフィニルオキシ（およびその塩）、
ホスホノオキシ（およびその塩）、カルバモイル、スル
ファモイル、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−ＣＯ−
Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−
Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ2 −Ｒ、−
ＮＨ−ＳＯ2 −Ｒ、−ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒお
よび−ＮＲ−ＮＨ−Ｒが含まれる。Ｒは、脂肪族基、芳
香族基または複素環基である。置換アルキル基には、エ
ポキシアルキル基も含まれる。
基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル
基、アルキニル基および置換アルキニル基を含む。脂肪
族基は、環状構造または分岐構造を有していてもよい。
脂肪族基の炭素原子数は、１乃至１５であることが好ま
しく、１乃至１０であることがさらに好ましい。置換ア
ルキル基、置換アルケニル基および置換アルキニル基の
置換基の例には、ハロゲン原子、アミノ、ヒドロキシ
ル、スルホ（およびその塩）、カルボキシル（およびそ
の塩）、ホスフィニル（およびその塩）、ホスホノ（お
よびその塩）、ホスフィニルオキシ（およびその塩）、
ホスホノオキシ（およびその塩）、カルバモイル、スル
ファモイル、芳香族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−ＣＯ−
Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−
Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ2 −Ｒ、−
ＮＨ−ＳＯ2 −Ｒ、−ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒお
よび−ＮＲ−ＮＨ−Ｒが含まれる。Ｒは、脂肪族基、芳
香族基または複素環基である。置換アルキル基には、エ
ポキシアルキル基も含まれる。
【００１９】本明細書において、芳香族基は、アリール
基と置換アリール基とを含む。アリール基および置換ア
リール基のアリール部分は、フェニルまたはナフチルで
あることが好ましく、フェニルであることがさらに好ま
しい。置換アリール基の置換基の例には、ハロゲン原
子、アミノ、ヒドロキシル、スルホ（およびその塩）、
カルボキシル（およびその塩）、ホスフィニル（および
その塩）、ホスホノ（およびその塩）、ホスフィニルオ
キシ（およびその塩）、ホスホノオキシ（およびその
塩）、カルバモイル、スルファモイル、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−ＣＯ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−
Ｒ、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ
−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ2 −Ｒ、−ＮＨ−ＳＯ2 −
Ｒ、−ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒおよび−ＮＲ−Ｎ
Ｈ−Ｒが含まれる。Ｒは、脂肪族基、芳香族基または複
素環基である。本明細書において、複素環基は、無置換
の複素環基と置換複素環基とを含む。複素環基の複素環
は、芳香族性を有することが好ましい。芳香族性複素環
は不飽和複素環であって、一般に最多二重結合を有す
る。複素環は、５員環または６員環であることが好まし
い。複素環に、他の複素環、芳香族環または脂肪族環が
縮合していてもよい。置換複素環基の置換基の例は、置
換アリール基の置換基の例と同様である。
基と置換アリール基とを含む。アリール基および置換ア
リール基のアリール部分は、フェニルまたはナフチルで
あることが好ましく、フェニルであることがさらに好ま
しい。置換アリール基の置換基の例には、ハロゲン原
子、アミノ、ヒドロキシル、スルホ（およびその塩）、
カルボキシル（およびその塩）、ホスフィニル（および
その塩）、ホスホノ（およびその塩）、ホスフィニルオ
キシ（およびその塩）、ホスホノオキシ（およびその
塩）、カルバモイル、スルファモイル、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、−Ｏ−Ｒ、−ＣＯ−Ｒ、−Ｏ−ＣＯ−
Ｒ、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ、−ＣＯ−ＮＨ
−Ｒ、−ＳＯ−Ｒ、−ＳＯ2 −Ｒ、−ＮＨ−ＳＯ2 −
Ｒ、−ＳＯ2 −ＮＨ−Ｒ、−ＮＨ−Ｒおよび−ＮＲ−Ｎ
Ｈ−Ｒが含まれる。Ｒは、脂肪族基、芳香族基または複
素環基である。本明細書において、複素環基は、無置換
の複素環基と置換複素環基とを含む。複素環基の複素環
は、芳香族性を有することが好ましい。芳香族性複素環
は不飽和複素環であって、一般に最多二重結合を有す
る。複素環は、５員環または６員環であることが好まし
い。複素環に、他の複素環、芳香族環または脂肪族環が
縮合していてもよい。置換複素環基の置換基の例は、置
換アリール基の置換基の例と同様である。
【００２０】式（Ｉ）において、少なくとも一つの置換
基は、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩である。
スルホおよびカルボキシルは、プロトンが解離していて
もよい。スルホまたはカルボキシルと塩を形成するカチ
オンの例には、アルカリ金属イオン（例、ナトリウムイ
オン、カリウムイオン）、アルカリ土類金属イオン
（例、カルシウムイオン）、アンモニウムイオンおよび
有機アンモニウムイオン（１級〜３級アミンのイオンお
よび４級アンモニウムイオン）が含まれる。アルカリ金
属イオンが特に好ましい。スルホ、カルボキシルまたは
それらの塩である置換基の数は、二個、四個または六個
であることが好ましく、二個または四個であることがさ
らに好ましい。
基は、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩である。
スルホおよびカルボキシルは、プロトンが解離していて
もよい。スルホまたはカルボキシルと塩を形成するカチ
オンの例には、アルカリ金属イオン（例、ナトリウムイ
オン、カリウムイオン）、アルカリ土類金属イオン
（例、カルシウムイオン）、アンモニウムイオンおよび
有機アンモニウムイオン（１級〜３級アミンのイオンお
よび４級アンモニウムイオン）が含まれる。アルカリ金
属イオンが特に好ましい。スルホ、カルボキシルまたは
それらの塩である置換基の数は、二個、四個または六個
であることが好ましく、二個または四個であることがさ
らに好ましい。
【００２１】式（Ｉ）において、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃ
およびＤの少なくとも二つが置換基を有することが好ま
しい。また、少なくとも二つの置換基がスルホ、カルボ
キシルまたはそれらの塩であることも好ましい。式
（Ｉ）において、ベンゼン環ＢおよびＣが、それぞれ、
スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩で置換されてい
ることも好ましく、ベンゼン環ＢおよびＣが、それぞ
れ、スルホまたはその塩で置換されていることがさらに
好ましい。ベンゼン環ＢおよびＣの置換位置は、Ｌ2 が
結合している炭素原子の隣の炭素原子（Ｌ2 に対してｏ
−位）であることが特に好ましい。
およびＤの少なくとも二つが置換基を有することが好ま
しい。また、少なくとも二つの置換基がスルホ、カルボ
キシルまたはそれらの塩であることも好ましい。式
（Ｉ）において、ベンゼン環ＢおよびＣが、それぞれ、
スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩で置換されてい
ることも好ましく、ベンゼン環ＢおよびＣが、それぞ
れ、スルホまたはその塩で置換されていることがさらに
好ましい。ベンゼン環ＢおよびＣの置換位置は、Ｌ2 が
結合している炭素原子の隣の炭素原子（Ｌ2 に対してｏ
−位）であることが特に好ましい。
【００２２】芳香族化合物の用途によっては、重合性基
をベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの置換基として導入す
ることが好ましい場合もある。重合性基としては、アル
ケニル基、置換アルケニル基およびエポキシアルキル基
が好ましく、アルケニル基および置換アルケニル基がさ
らに好ましい。重合性基を導入する場合は、少なくとも
二つの重合性基をベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの置換
基とすることが好ましい。
をベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの置換基として導入す
ることが好ましい場合もある。重合性基としては、アル
ケニル基、置換アルケニル基およびエポキシアルキル基
が好ましく、アルケニル基および置換アルケニル基がさ
らに好ましい。重合性基を導入する場合は、少なくとも
二つの重合性基をベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの置換
基とすることが好ましい。
【００２３】式（Ｉ）において、二つの置換基が結合し
て環を形成していてもよい。形成する環は、ベンゼン環
（Ａ、Ｂ、ＣまたはＤ）の縮合環となることが好まし
い。形成する環には、芳香族環、脂肪族環および複素環
が含まれる。形成する環は、芳香族環であることが好ま
しく、ベンゼン環であることがさらに好ましい。ただ
し、二つの置換基は結合しない（環を形成しない）方が
好ましい。
て環を形成していてもよい。形成する環は、ベンゼン環
（Ａ、Ｂ、ＣまたはＤ）の縮合環となることが好まし
い。形成する環には、芳香族環、脂肪族環および複素環
が含まれる。形成する環は、芳香族環であることが好ま
しく、ベンゼン環であることがさらに好ましい。ただ
し、二つの置換基は結合しない（環を形成しない）方が
好ましい。
【００２４】好ましい四環系芳香族化合物を、下記式
（II）で表す。
（II）で表す。
【００２５】
【化１０】
【００２６】式（II）において、Ｌ2 は、単結合、−Ｃ
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。Ｌ2 は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−
であることが好ましく、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−で
あることがさらに好ましく、−ＣＨ＝ＣＨ−であること
が最も好ましい。−ＣＨ＝ＣＨ−の二重結合は、シス型
よりもトランス型の方が好ましい。
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。Ｌ2 は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−
であることが好ましく、単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−で
あることがさらに好ましく、−ＣＨ＝ＣＨ−であること
が最も好ましい。−ＣＨ＝ＣＨ−の二重結合は、シス型
よりもトランス型の方が好ましい。
【００２７】式（II）において、ベンゼン環Ａ、Ｂ、Ｃ
およびＤの少なくとも一つは、置換基を有る。置換基の
定義および例は、式（Ｉ）と同様である。式（II）にお
いて、少なくとも一つの置換基は、スルホ、カルボキシ
ルまたはそれらの塩である。スルホ、カルボキシルおよ
びそれらの塩の定義は、式（Ｉ）と同様である。式（I
I）において、二つの置換基が結合して環を形成してい
てもよい。形成する環の定義は、式（Ｉ）と同様であ
る。
およびＤの少なくとも一つは、置換基を有る。置換基の
定義および例は、式（Ｉ）と同様である。式（II）にお
いて、少なくとも一つの置換基は、スルホ、カルボキシ
ルまたはそれらの塩である。スルホ、カルボキシルおよ
びそれらの塩の定義は、式（Ｉ）と同様である。式（I
I）において、二つの置換基が結合して環を形成してい
てもよい。形成する環の定義は、式（Ｉ）と同様であ
る。
【００２８】より好ましい四環系芳香族化合物を、下記
式（III)で表す。
式（III)で表す。
【００２９】
【化１１】
【００３０】式（III)において、Ｒ1 およびＲ2 は、そ
れぞれ独立に、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩
である。スルホ、カルボキシルおよびそれらの塩の定義
は、式（Ｉ）と同様である。式（III)において、ベンゼ
ン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基を有してもよ
い。置換基の定義および例は、式（Ｉ）と同様である。
式（III)において、二つの置換基が結合して環を形成し
ていてもよい。形成する環の定義は、式（Ｉ）と同様で
ある。
れぞれ独立に、スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩
である。スルホ、カルボキシルおよびそれらの塩の定義
は、式（Ｉ）と同様である。式（III)において、ベンゼ
ン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基を有してもよ
い。置換基の定義および例は、式（Ｉ）と同様である。
式（III)において、二つの置換基が結合して環を形成し
ていてもよい。形成する環の定義は、式（Ｉ）と同様で
ある。
【００３１】さらに好ましい四環系芳香族化合物を、下
記式（IV）で表す。
記式（IV）で表す。
【００３２】
【化１２】
【００３３】式（IV）において、Ｍは、カチオンであっ
て、Ｍが解離していてもよい。カチオンの定義および例
は、式（Ｉ）におけるスルホまたはカルボキシルと塩を
形成するカチオンと同様である。式（IV）において、ベ
ンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基を有して
いてもよい。置換基の定義および例は、式（Ｉ）と同様
である。式（IV）において、二つの置換基が結合して環
を形成していてもよい。形成する環の定義は、式（Ｉ）
と同様である。
て、Ｍが解離していてもよい。カチオンの定義および例
は、式（Ｉ）におけるスルホまたはカルボキシルと塩を
形成するカチオンと同様である。式（IV）において、ベ
ンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基を有して
いてもよい。置換基の定義および例は、式（Ｉ）と同様
である。式（IV）において、二つの置換基が結合して環
を形成していてもよい。形成する環の定義は、式（Ｉ）
と同様である。
【００３４】以下に、式（Ｉ）で表される四環系芳香族
化合物の例を示す。
化合物の例を示す。
【００３５】
【化１３】
【００３６】
【化１４】
【００３７】
【化１５】
【００３８】
【化１６】
【００３９】
【化１７】
【００４０】
【化１８】
【００４１】
【化１９】
【００４２】
【化２０】
【００４３】
【化２１】
【００４４】
【化２２】
【００４５】
【化２３】
【００４６】
【化２４】
【００４７】
【化２５】
【００４８】
【化２６】
【００４９】
【化２７】
【００５０】
【化２８】
【００５１】
【化２９】
【００５２】
【化３０】
【００５３】
【化３１】
【００５４】
【化３２】
【００５５】
【化３３】
【００５６】
【化３４】
【００５７】
【化３５】
【００５８】式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物
は、例えば、下記式（Ｖ）で表されるスチレン、エチニ
ルベンゼンまたはそれらの誘導体と、下記式（VI）で表
される４，４’−ジハロゲノビフェニル、ジ（４−ハロ
ゲノフェニル）エタン、ジ（４−ハロゲノフェニル）エ
チレン、ジ（４−ハロゲノフェニル）アセチレンまたは
それらの誘導体とを反応させることによって合成でき
る。
は、例えば、下記式（Ｖ）で表されるスチレン、エチニ
ルベンゼンまたはそれらの誘導体と、下記式（VI）で表
される４，４’−ジハロゲノビフェニル、ジ（４−ハロ
ゲノフェニル）エタン、ジ（４−ハロゲノフェニル）エ
チレン、ジ（４−ハロゲノフェニル）アセチレンまたは
それらの誘導体とを反応させることによって合成でき
る。
【００５９】
【化３６】
【００６０】式（Ｖ）において、Ｌ1 は、−ＣＨ＝ＣＨ
−または−Ｃ≡Ｃ−である。式（Ｖ）において、ベンゼ
ン環Ａは、置換基を有していてもよい。ベンゼン環Ａの
置換基については、式（Ｉ）におけるベンゼン環Ａおよ
びＤの置換基と同様である。式（VI）において、Ｌ
2 は、単結合、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−ま
たは−Ｃ≡Ｃ−である。式（VI）において、ベンゼン環
ＢおよびＣは、置換基を有していてもよい。ベンゼン環
ＢおよびＣの置換基については、式（Ｉ）におけるベン
ゼン環ＢおよびＣの置換基と同様である。式（VI）にお
いて、Ｘは、ハロゲン原子である。
−または−Ｃ≡Ｃ−である。式（Ｖ）において、ベンゼ
ン環Ａは、置換基を有していてもよい。ベンゼン環Ａの
置換基については、式（Ｉ）におけるベンゼン環Ａおよ
びＤの置換基と同様である。式（VI）において、Ｌ
2 は、単結合、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−ま
たは−Ｃ≡Ｃ−である。式（VI）において、ベンゼン環
ＢおよびＣは、置換基を有していてもよい。ベンゼン環
ＢおよびＣの置換基については、式（Ｉ）におけるベン
ゼン環ＢおよびＣの置換基と同様である。式（VI）にお
いて、Ｘは、ハロゲン原子である。
【００６１】式（VI）の化合物に対して、式（Ｖ）の化
合物を２倍モル量用いることで、同一の置換基を二つ導
入することができる。また、式（VI）の化合物の一つの
ハロゲン原子だけを式（Ｖ）の化合物で置換し、得られ
た化合物を単離し、別の式（Ｖ）の化合物で残ったハロ
ゲン原子を置換してもよい。
合物を２倍モル量用いることで、同一の置換基を二つ導
入することができる。また、式（VI）の化合物の一つの
ハロゲン原子だけを式（Ｖ）の化合物で置換し、得られ
た化合物を単離し、別の式（Ｖ）の化合物で残ったハロ
ゲン原子を置換してもよい。
【００６２】芳香環に結合したハロゲン原子をｓｐ２炭
素またはｓｐ結合炭素で置換する反応は、広く知られて
いる。上記の反応もその応用である。パラジウム化合物
を触媒として用い、塩基存在下で反応を進行させること
が好ましい。反応溶媒としては、有機溶媒（例、酢酸エ
チル、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、メタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、スルホラン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチレングリコール、エチレングリコールジメチ
ルエーテル）または無機溶媒（例、水）が用いられる。
反応溶媒の使用量は、質量比で、式（VI）の化合物の１
倍から５０倍が好ましい。
素またはｓｐ結合炭素で置換する反応は、広く知られて
いる。上記の反応もその応用である。パラジウム化合物
を触媒として用い、塩基存在下で反応を進行させること
が好ましい。反応溶媒としては、有機溶媒（例、酢酸エ
チル、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、メタ
ノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、スルホラン、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、ジエチレングリコール、エチレングリコールジメチ
ルエーテル）または無機溶媒（例、水）が用いられる。
反応溶媒の使用量は、質量比で、式（VI）の化合物の１
倍から５０倍が好ましい。
【００６３】塩基の例には、炭酸カリウム、水酸化ナト
リウム、ピペリジン、ピリジン、トリエチルアミンが含
まれる。塩基が液体の場合は、液体塩基が反応溶媒とし
て機能することもできる。塩基の使用量は、モル比で式
（VI）の化合物の１倍から１０倍が好ましい。ただし、
液体塩基を反応溶媒として機能させる場合には、さらに
多くの量を使用することができる。触媒として用いるパ
ラジウム化合物の例には、（Ｐｈ3 Ｐ）2 ＰｄＣｌ2 、
Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）4 、Ｐｄ−ＣおよびＰｄ（ＯＡｃ）2
が含まれる。上記Ｐｈはフェニル、Ａｃはアセチルであ
る。一価の銅化合物（例、ＣｕＩ、ＣｕＢｒ）や有機リ
ン化合物（例、トリフェニルホスフィン）を添加する
と、反応が良好に進行する場合もある。触媒や他の添加
剤の使用量は、式（VI）の化合物の０．１乃至１００モ
ル％であることが好ましい。反応温度は、２０乃至１２
０℃であることが好ましい。反応時間は、６分乃至１０
０時間であることが好ましい。
リウム、ピペリジン、ピリジン、トリエチルアミンが含
まれる。塩基が液体の場合は、液体塩基が反応溶媒とし
て機能することもできる。塩基の使用量は、モル比で式
（VI）の化合物の１倍から１０倍が好ましい。ただし、
液体塩基を反応溶媒として機能させる場合には、さらに
多くの量を使用することができる。触媒として用いるパ
ラジウム化合物の例には、（Ｐｈ3 Ｐ）2 ＰｄＣｌ2 、
Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）4 、Ｐｄ−ＣおよびＰｄ（ＯＡｃ）2
が含まれる。上記Ｐｈはフェニル、Ａｃはアセチルであ
る。一価の銅化合物（例、ＣｕＩ、ＣｕＢｒ）や有機リ
ン化合物（例、トリフェニルホスフィン）を添加する
と、反応が良好に進行する場合もある。触媒や他の添加
剤の使用量は、式（VI）の化合物の０．１乃至１００モ
ル％であることが好ましい。反応温度は、２０乃至１２
０℃であることが好ましい。反応時間は、６分乃至１０
０時間であることが好ましい。
【００６４】上記の反応で合成した化合物に対して、さ
らに反応（例えば、置換基の付加反応）を実施してもよ
い。また、対イオンを加えて塩を形成することもでき
る。
らに反応（例えば、置換基の付加反応）を実施してもよ
い。また、対イオンを加えて塩を形成することもでき
る。
【００６５】前記式（Ｖ）で表されるスチレン、エチニ
ルベンゼンまたはそれらの誘導体は、ハロゲノベンゼン
またはその誘導体と、エチレン、アセチレンまたはそれ
らの誘導体とを反応させ、必要に応じて脱保護すること
により、合成することができる。
ルベンゼンまたはそれらの誘導体は、ハロゲノベンゼン
またはその誘導体と、エチレン、アセチレンまたはそれ
らの誘導体とを反応させ、必要に応じて脱保護すること
により、合成することができる。
【００６６】前記式（VI）で表される４，４’−ジハロ
ゲノビフェニル、ジ（４−ハロゲノフェニル）エタン、
ジ（４−ハロゲノフェニル）エチレン、ジ（４−ハロゲ
ノフェニル）アセチレンまたはそれらの誘導体は、下記
式（VII)で表される４，４’−ジアミノビフェニル、ジ
（４−アミノフェニル）エタン、ジ（４−アミノフェニ
ル）エチレン、ジ（４−アミノフェニル）アセチレンま
たはそれらの誘導体に対して、ザンドマイヤー反応を行
うことによって合成することができる。
ゲノビフェニル、ジ（４−ハロゲノフェニル）エタン、
ジ（４−ハロゲノフェニル）エチレン、ジ（４−ハロゲ
ノフェニル）アセチレンまたはそれらの誘導体は、下記
式（VII)で表される４，４’−ジアミノビフェニル、ジ
（４−アミノフェニル）エタン、ジ（４−アミノフェニ
ル）エチレン、ジ（４−アミノフェニル）アセチレンま
たはそれらの誘導体に対して、ザンドマイヤー反応を行
うことによって合成することができる。
【００６７】
【化３７】
【００６８】式（VII)において、Ｌ2 は、単結合、−Ｃ
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。式（VII)において、ベンゼン環ＢおよびＣは、置換
基を有していてもよい。ベンゼン環ＢおよびＣの置換基
については、式（Ｉ）におけるベンゼン環ＢおよびＣの
置換基と同様である。
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
る。式（VII)において、ベンゼン環ＢおよびＣは、置換
基を有していてもよい。ベンゼン環ＢおよびＣの置換基
については、式（Ｉ）におけるベンゼン環ＢおよびＣの
置換基と同様である。
【００６９】四環系芳香族化合物（２３）は、公知の方
法（例えば、Z. Electrocchem. Angew. Phys. Chem.;
9; 1903年,p416-419, Helv. Chim. Acta.; 9; 1926年;p
949記載）に従い、環外に単結合を有するアミンを合成
し、その後、後述する実施例１と同様の反応を行うこと
により合成できる。四環系芳香族化合物（３７）は、公
知の方法（例えば、J. Chem. Soc.; 93;1908年;p1724記
載）に従い、環外に二重結合を有するニトロ体を合成し
て還元し、その後、後述する実施例１と同様の反応を行
うことにより四環系芳香族化合物（３７）を合成でき
る。四環系芳香族化合物（３８）は、公知の方法（例え
ば、J. Amer. Chem. Soc.;46;1924年;p1921記載）に従
い、環外に単結合を有するニトロ体を合成して還元し、
その後、後述する実施例１と同様の反応を行うことによ
り合成できる。四環系芳香族化合物（３９）は、公知の
方法（例えば、J. Chem. Soc.; 93;1908年;p1724記載）
に従い、環外に二重結合を有するニトロ体を合成して還
元し、その後、後述する実施例１と同様の反応を行うこ
とにより四環系芳香族化合物（３９）を合成した。
法（例えば、Z. Electrocchem. Angew. Phys. Chem.;
9; 1903年,p416-419, Helv. Chim. Acta.; 9; 1926年;p
949記載）に従い、環外に単結合を有するアミンを合成
し、その後、後述する実施例１と同様の反応を行うこと
により合成できる。四環系芳香族化合物（３７）は、公
知の方法（例えば、J. Chem. Soc.; 93;1908年;p1724記
載）に従い、環外に二重結合を有するニトロ体を合成し
て還元し、その後、後述する実施例１と同様の反応を行
うことにより四環系芳香族化合物（３７）を合成でき
る。四環系芳香族化合物（３８）は、公知の方法（例え
ば、J. Amer. Chem. Soc.;46;1924年;p1921記載）に従
い、環外に単結合を有するニトロ体を合成して還元し、
その後、後述する実施例１と同様の反応を行うことによ
り合成できる。四環系芳香族化合物（３９）は、公知の
方法（例えば、J. Chem. Soc.; 93;1908年;p1724記載）
に従い、環外に二重結合を有するニトロ体を合成して還
元し、その後、後述する実施例１と同様の反応を行うこ
とにより四環系芳香族化合物（３９）を合成した。
【００７０】
【実施例】［実施例１］ 四環系芳香族化合物（１）の合成 水６４ｍｌに水酸化ナトリウム２．１６ｇ（５４ミリモ
ル）を溶解させ、さらに下記の化合物（ａ）１０ｇ（２
７ミリモル）を加えて溶解させた。なお、化合物（ａ）
は、アニリン誘導体として市販の試薬である。４０質量
％臭化水素酸２０ｍｌを加え氷冷した。３０分後、亜硝
酸ナトリウム３．７２ｇ（５４ミリモル）を水１６ｍｌ
溶解させたものを加えて、氷冷しながら２時間攪拌し
た。臭化銅１０．１４ｇ（７０．２ミリモル）を４０質
量％臭化水素酸５６ｍｌに加えて７０℃で攪拌している
ところへ、上の反応液を滴下した。発泡がおさまったら
放冷し、結晶を慮取して、水洗いして、下記の化合物
（ｂ）６．８ｇ（１３．６ミリモル）を得た。
ル）を溶解させ、さらに下記の化合物（ａ）１０ｇ（２
７ミリモル）を加えて溶解させた。なお、化合物（ａ）
は、アニリン誘導体として市販の試薬である。４０質量
％臭化水素酸２０ｍｌを加え氷冷した。３０分後、亜硝
酸ナトリウム３．７２ｇ（５４ミリモル）を水１６ｍｌ
溶解させたものを加えて、氷冷しながら２時間攪拌し
た。臭化銅１０．１４ｇ（７０．２ミリモル）を４０質
量％臭化水素酸５６ｍｌに加えて７０℃で攪拌している
ところへ、上の反応液を滴下した。発泡がおさまったら
放冷し、結晶を慮取して、水洗いして、下記の化合物
（ｂ）６．８ｇ（１３．６ミリモル）を得た。
【００７１】
【化３８】
【００７２】化合物（ｂ）３ｇ（６ミリモル）とエチニ
ルベンゼン１．９８マイクロリットル（１８ミリモル）
をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１８ｍｌに加え、窒
素気流下で攪拌した。（Ｐｈ3 Ｐ）2 ＰｄＣｌ2 ２１０
ｍｇ（０．３０ミリモル）とヨウ化銅（Ｉ）１１４ｍｇ
（０．６ミリモル）およびトリエチルアミン７ｍｌを加
え、窒素気流の代わりに窒素風船を接続して９０℃のオ
イルバス中で、１０時間攪拌した。放冷後、反応液に１
Ｎ塩酸水を加えて、酸性にし、セファデックスカラムで
生成して、水２分子を含む四環系芳香族化合物 （１）
１．４ｇ（２．４ミリモル）を得た。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２２（ｓ、２
Ｈ）、７．９７（ｓ、２Ｈ）、７．７１（ｄ、２Ｈ）、
７．６９〜７．５３（ｍ、６Ｈ）、７．５３〜７．３９
（ｍ、６Ｈ） 元素分析：Ｈ４．５９％（理論値４．２０％）、Ｃ６
１．７２％（理論値６２．４９％）、Ｎ０．３％以下
（理論値０％）
ルベンゼン１．９８マイクロリットル（１８ミリモル）
をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１８ｍｌに加え、窒
素気流下で攪拌した。（Ｐｈ3 Ｐ）2 ＰｄＣｌ2 ２１０
ｍｇ（０．３０ミリモル）とヨウ化銅（Ｉ）１１４ｍｇ
（０．６ミリモル）およびトリエチルアミン７ｍｌを加
え、窒素気流の代わりに窒素風船を接続して９０℃のオ
イルバス中で、１０時間攪拌した。放冷後、反応液に１
Ｎ塩酸水を加えて、酸性にし、セファデックスカラムで
生成して、水２分子を含む四環系芳香族化合物 （１）
１．４ｇ（２．４ミリモル）を得た。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２２（ｓ、２
Ｈ）、７．９７（ｓ、２Ｈ）、７．７１（ｄ、２Ｈ）、
７．６９〜７．５３（ｍ、６Ｈ）、７．５３〜７．３９
（ｍ、６Ｈ） 元素分析：Ｈ４．５９％（理論値４．２０％）、Ｃ６
１．７２％（理論値６２．４９％）、Ｎ０．３％以下
（理論値０％）
【００７３】［実施例２］ 四環系芳香族化合物（９）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（９）を
合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．１９（ｓ、２
Ｈ）、７．９７（ｓ、２Ｈ）、７．６５（ｄ、２Ｈ）、
７．６０〜７．４０（ｂｒ、６Ｈ）、６．９０〜７．０
０（ｍ、４Ｈ）、４．０９（ｑ、４Ｈ）、１．３７
（ｔ、６Ｈ）
合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．１９（ｓ、２
Ｈ）、７．９７（ｓ、２Ｈ）、７．６５（ｄ、２Ｈ）、
７．６０〜７．４０（ｂｒ、６Ｈ）、６．９０〜７．０
０（ｍ、４Ｈ）、４．０９（ｑ、４Ｈ）、１．３７
（ｔ、６Ｈ）
【００７４】［実施例３］ 四環系芳香族化合物（１０）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１０）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．１９（ｓ、２
Ｈ）、７．９０（ｓ、２Ｈ）、７．６１（ｄ、２Ｈ）、
７．５０（ｍ、３Ｈ）、７．４０（ｔ、２Ｈ）、７．１
１（ｄ、２Ｈ）、６．９９（ｔ、２Ｈ）、３．９０
（ｓ、６Ｈ）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．１９（ｓ、２
Ｈ）、７．９０（ｓ、２Ｈ）、７．６１（ｄ、２Ｈ）、
７．５０（ｍ、３Ｈ）、７．４０（ｔ、２Ｈ）、７．１
１（ｄ、２Ｈ）、６．９９（ｔ、２Ｈ）、３．９０
（ｓ、６Ｈ）
【００７５】［実施例４］ 四環系芳香族化合物（１１）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１１）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２０（ｓ、２
Ｈ）、７．９５（ｓ、２Ｈ）、７．６６（ｄ、２Ｈ）、
７．５１（ｍ、６Ｈ）、６．９６（ｄ、４Ｈ）、３．８
１（ｓ、６Ｈ）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２０（ｓ、２
Ｈ）、７．９５（ｓ、２Ｈ）、７．６６（ｄ、２Ｈ）、
７．５１（ｍ、６Ｈ）、６．９６（ｄ、４Ｈ）、３．８
１（ｓ、６Ｈ）
【００７６】［実施例５］ 四環系芳香族化合物（１２）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１２）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２０（ｓ、２
Ｈ）、７．９１（ｓ、２Ｈ）、７．６８（ｄ、２Ｈ）、
７．５５（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｔ、２Ｈ）、７．１
４（ｍ、４Ｈ）、６．９８（ｄ、２Ｈ）、３．８１
（ｓ、６Ｈ）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２０（ｓ、２
Ｈ）、７．９１（ｓ、２Ｈ）、７．６８（ｄ、２Ｈ）、
７．５５（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｔ、２Ｈ）、７．１
４（ｍ、４Ｈ）、６．９８（ｄ、２Ｈ）、３．８１
（ｓ、６Ｈ）
【００７７】［実施例６］ 四環系芳香族化合物（１３）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１３）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２０（ｓ、２
Ｈ）、７．９１（ｓ、２Ｈ）、７．６７（ｄ、２Ｈ）、
７．５１（ｍ、６Ｈ）、７．２５（ｄ、４Ｈ）、２．６
０（ｔ、４Ｈ）、１．５９（ｍ、４Ｈ）、１．４０〜
１．２０（ｍ、８Ｈ）、０．８９（ｔ、６Ｈ）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２０（ｓ、２
Ｈ）、７．９１（ｓ、２Ｈ）、７．６７（ｄ、２Ｈ）、
７．５１（ｍ、６Ｈ）、７．２５（ｄ、４Ｈ）、２．６
０（ｔ、４Ｈ）、１．５９（ｍ、４Ｈ）、１．４０〜
１．２０（ｍ、８Ｈ）、０．８９（ｔ、６Ｈ）
【００７８】［実施例７］ 四環系芳香族化合物（１４）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１４）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２２（ｓ、２
Ｈ）、７．９９（ｓ、２Ｈ）、７．８３（ｄ、４Ｈ）、
７．７７（ｄ、４Ｈ）、７．７０（ｄ、２Ｈ）、７．５
９（ｄ、２Ｈ）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２２（ｓ、２
Ｈ）、７．９９（ｓ、２Ｈ）、７．８３（ｄ、４Ｈ）、
７．７７（ｄ、４Ｈ）、７．７０（ｄ、２Ｈ）、７．５
９（ｄ、２Ｈ）
【００７９】［実施例８］ 四環系芳香族化合物（１５）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１５）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２５（ｓ、２
Ｈ）、８．２３（ｓ、２Ｈ）、８．１５〜７．８２
（ｍ、８Ｈ）、７．８２〜７．４０（ｍ、１０）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．２５（ｓ、２
Ｈ）、８．２３（ｓ、２Ｈ）、８．１５〜７．８２
（ｍ、８Ｈ）、７．８２〜７．４０（ｍ、１０）
【００８０】［実施例９］ 四環系芳香族化合物（１６）の合成 実施例１と同様の方法で、四環系芳香族化合物（１６）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重水）：δ＝８．０４（ｓ、２Ｈ）、７．
９４（ｓ、２Ｈ）、７．８６（ｄ、２Ｈ）、７．８０〜
７．５５（ｍ、１０Ｈ）
を合成した。1 ＨＮＭＲ（重水）：δ＝８．０４（ｓ、２Ｈ）、７．
９４（ｓ、２Ｈ）、７．８６（ｄ、２Ｈ）、７．８０〜
７．５５（ｍ、１０Ｈ）
【００８１】［実施例１０］ 四環系芳香族化合物（２１）の合成 公知の方法（例えば、Z. Electrocchem. Angew. Phys.
Chem.; 9; 1903, 416-419, Helv. Chim. Acta.; 9; 192
6,949 記載）に従い、環外に三重結合を有するアミンを
合成し、その後、実施例１と同様の反応を行うことによ
り四環系芳香族化合物（２１）を合成した。
Chem.; 9; 1903, 416-419, Helv. Chim. Acta.; 9; 192
6,949 記載）に従い、環外に三重結合を有するアミンを
合成し、その後、実施例１と同様の反応を行うことによ
り四環系芳香族化合物（２１）を合成した。
【００８２】［実施例１１］ 四環系芳香族化合物（４）の合成 酢酸カリウム２００ｍｇ（２．０ミリモル）をメタノー
ル５ｍｌに溶解し、攪拌しながら四環系芳香族化合物
（１）２００ｍｇ（０．３７ミリモル）を加えた。５分
間加熱攪拌した後、放冷した。結晶を濾取して、メタノ
ールで洗い、水３分子を含む四環系芳香族化合物
（４）１５０ｍｇ（０．２４ミリモル）を得た。 元素分析：Ｈ３．９８％（理論値３．６１％）、Ｃ５
３．４３％（理論値５３．７１％）、Ｎ０．３％以下
（理論値０％）、Ｋ１２．２％（理論値１１．６６％）
ル５ｍｌに溶解し、攪拌しながら四環系芳香族化合物
（１）２００ｍｇ（０．３７ミリモル）を加えた。５分
間加熱攪拌した後、放冷した。結晶を濾取して、メタノ
ールで洗い、水３分子を含む四環系芳香族化合物
（４）１５０ｍｇ（０．２４ミリモル）を得た。 元素分析：Ｈ３．９８％（理論値３．６１％）、Ｃ５
３．４３％（理論値５３．７１％）、Ｎ０．３％以下
（理論値０％）、Ｋ１２．２％（理論値１１．６６％）
【００８３】［実施例１２］ 四環系芳香族化合物（２９）の合成 公知の方法（例えば、Bull. Soc. Chim. Fr. 4, 49(193
1)1047-1049）により合成した下記化合物（ｃ）１．３
ｇ（２．７５ミリモル）に対して、実施例１と同様の反
応を行うことにより、四環系芳香族化合物（２９）１０
０ｍｇ（０.１９４ミリモル）を得た。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝７．９９（ｓ、２
Ｈ）、７．５７（ｍ、４Ｈ）、７．５０〜７．０（ｍ、
１０Ｈ）
1)1047-1049）により合成した下記化合物（ｃ）１．３
ｇ（２．７５ミリモル）に対して、実施例１と同様の反
応を行うことにより、四環系芳香族化合物（２９）１０
０ｍｇ（０.１９４ミリモル）を得た。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝７．９９（ｓ、２
Ｈ）、７．５７（ｍ、４Ｈ）、７．５０〜７．０（ｍ、
１０Ｈ）
【００８４】
【化３９】
【００８５】［実施例１３］ 四環系芳香族化合物（３３）の合成 実施例１で合成した化合物（ｂ）１ｇ（２ミリモル）と
スチレン６８７マイクロリットル（６ミリモル）とをジ
メチルホルムアミド（ＤＭＦ）８ｍｌに加え、窒素気流
下で攪拌した。Ｐｄ（ＯＡｃ）2 ９ｍｇ（０．０４ミリ
モル）、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン４
８．７ｍｇ（０．１６ミリモル）およびトリエチルアミ
ン１．３９ｍｌ（１０ミリモル）を加え、窒素気流の代
わりに窒素風船を接続して９０℃のオイルバス中で、７
時間攪拌した。放冷した後、反応液に１Ｎ塩酸水を加え
て、酸性にし、セファデックスカラムで生成して、四環
系芳香族化合物（３３）０．６ｇ（１．０８ミリモル）
を得た。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．１９（ｓ、２
Ｈ）、８．０２（ｓ、２Ｈ）、７．７０〜７．５２
（ｍ、８Ｈ）、７．４５〜７．１０（ｍ、１０Ｈ）
スチレン６８７マイクロリットル（６ミリモル）とをジ
メチルホルムアミド（ＤＭＦ）８ｍｌに加え、窒素気流
下で攪拌した。Ｐｄ（ＯＡｃ）2 ９ｍｇ（０．０４ミリ
モル）、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン４
８．７ｍｇ（０．１６ミリモル）およびトリエチルアミ
ン１．３９ｍｌ（１０ミリモル）を加え、窒素気流の代
わりに窒素風船を接続して９０℃のオイルバス中で、７
時間攪拌した。放冷した後、反応液に１Ｎ塩酸水を加え
て、酸性にし、セファデックスカラムで生成して、四環
系芳香族化合物（３３）０．６ｇ（１．０８ミリモル）
を得た。1 ＨＮＭＲ（重ＤＭＳＯ）：δ＝８．１９（ｓ、２
Ｈ）、８．０２（ｓ、２Ｈ）、７．７０〜７．５２
（ｍ、８Ｈ）、７．４５〜７．１０（ｍ、１０Ｈ）
【００８６】［実施例１４］ 光応答性材料の製作 化合物（３３）２００ｍｇを１Ｎ水酸化ナトリウム７５
０μｌに溶解させた。そのうち１０μｌをスライドガラ
ス上に取り、カバーガラスを載せた。ＵＶランプ（ＵＶ
Ｐ社製ＵＶＧＬ−２５）を用いて波長３６６ｎｍのＵＶ
光を５分間照射し、クロスニコル下で観察すると、光を
照射した部分が複屈折を失って暗部となった像が形成さ
れた。前述のLangmuir（1996年）,12（20）ｐ4960−496
5や繊維学会誌（1990年）、46（4）ｐ150−154に記載の
リオトロピック液晶では、上記の露光条件では、像を形
成できなかった。
０μｌに溶解させた。そのうち１０μｌをスライドガラ
ス上に取り、カバーガラスを載せた。ＵＶランプ（ＵＶ
Ｐ社製ＵＶＧＬ−２５）を用いて波長３６６ｎｍのＵＶ
光を５分間照射し、クロスニコル下で観察すると、光を
照射した部分が複屈折を失って暗部となった像が形成さ
れた。前述のLangmuir（1996年）,12（20）ｐ4960−496
5や繊維学会誌（1990年）、46（4）ｐ150−154に記載の
リオトロピック液晶では、上記の露光条件では、像を形
成できなかった。
【００８７】
【発明の効果】本発明によって、光に対する感度が高
く、露光部と非露光部の複屈折の差の大きい光応答性材
料が得られた。
く、露光部と非露光部の複屈折の差の大きい光応答性材
料が得られた。
Claims (6)
- 【請求項１】 式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物
を含むことを特徴とする光応答性材料： 【化１】 ［式中、Ｌ1 およびＬ3 は、それぞれ独立に、−ＣＨ＝
ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；Ｌ2 は、単結合、−Ｃ
Ｈ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であ
り；そして、ベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくと
も一つは、置換基を有し、少なくとも一つの置換基は、
スルホ、カルボキシルまたはそれらの塩であり、二つの
置換基が結合して環を形成していてもよい］。 - 【請求項２】 式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物
がリオトロピック液晶性を示す請求項１に記載の光応答
性材料。 - 【請求項３】 式（Ｉ）で表される四環系芳香族化合物
に加えて、リオトロピック液晶を含む請求項１に記載の
光応答性材料。 - 【請求項４】 四環系芳香族化合物が、式（II）で表さ
れる請求項１に記載の光応答性材料： 【化２】 ［式中、Ｌ2 は、単結合、−ＣＨ2 −ＣＨ2 −、−ＣＨ
＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；そして、ベンゼン環
Ａ、Ｂ、ＣおよびＤの少なくとも一つは、置換基を有
し、少なくとも一つの置換基は、スルホ、カルボキシル
またはそれらの塩であり、二つの置換基が結合して環を
形成していてもよい］。 - 【請求項５】 四環系芳香族化合物が、式（III)で表さ
れる請求項４に記載の光応答性材料： 【化３】 ［式中、Ｒ1 およびＲ2 は、それぞれ独立に、スルホ、
カルボキシルまたはそれらの塩であり；そして、ベンゼ
ン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さらに置換基を有してもよ
く、二つの置換基が結合して環を形成していてもよ
い］。 - 【請求項６】 四環系芳香族化合物が、式（IV）で表さ
れる請求項５に記載の光応答性材料： 【化４】 ［式中、Ｍは、カチオンであって、Ｍが解離していても
よく；そして、ベンゼン環Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、さら
に置換基を有していてもよく、二つの置換基が結合して
環を形成していてもよい］。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001138757A JP2002332484A (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 光応答性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001138757A JP2002332484A (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 光応答性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002332484A true JP2002332484A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18985644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001138757A Withdrawn JP2002332484A (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | 光応答性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002332484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7070838B2 (en) | 2003-06-23 | 2006-07-04 | Chisso Petrochemical Corporation | Liquid crystalline compound, liquid crystal composition and their polymers |
| US20100187514A1 (en) * | 2007-06-21 | 2010-07-29 | Yuki Nakano | Organic thin film transistor and organic thin film light- emitting transistor |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001138757A patent/JP2002332484A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7070838B2 (en) | 2003-06-23 | 2006-07-04 | Chisso Petrochemical Corporation | Liquid crystalline compound, liquid crystal composition and their polymers |
| US20100187514A1 (en) * | 2007-06-21 | 2010-07-29 | Yuki Nakano | Organic thin film transistor and organic thin film light- emitting transistor |
| JP5329404B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2013-10-30 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
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|---|---|---|---|
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