JP2002319713A - 熱電モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
熱電モジュールおよびその製造方法Info
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- JP2002319713A JP2002319713A JP2001123217A JP2001123217A JP2002319713A JP 2002319713 A JP2002319713 A JP 2002319713A JP 2001123217 A JP2001123217 A JP 2001123217A JP 2001123217 A JP2001123217 A JP 2001123217A JP 2002319713 A JP2002319713 A JP 2002319713A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱電半導体結晶チップと上下の電極との接合
時の位置合わせを容易にする。 【解決手段】 第１の位置決め部1Cを有するを仕切板1A
と仕切板1Aを貫通した状態で仕切板1Aに固定されたｐ型
熱電半導体結晶チップ1Pおよびｎ型熱電半導体結晶チッ
プ1Nとからなる熱電素子１と、第１の位置決め部1Cと対
応する位置に第２の位置決め部2Cを有し、かつ表面に上
側電極2Aを有する位置決め部付き上側電極板２と、第１
の位置決め部1Cと対応する位置に第３の位置決め部3Cを
有し、かつ表面に下側電極3Aを有する位置決め部付き下
側電極板３とを用い、ｐ型熱電半導体結晶チップ1Pおよ
びｎ型熱電半導体結晶チップ1Nと上側電極2Aと下側電極
3Aとを接合するときに、第１乃至第３の位置決め部1C、
2C、3Cを用いて互いの位置合わせを行う。
時の位置合わせを容易にする。 【解決手段】 第１の位置決め部1Cを有するを仕切板1A
と仕切板1Aを貫通した状態で仕切板1Aに固定されたｐ型
熱電半導体結晶チップ1Pおよびｎ型熱電半導体結晶チッ
プ1Nとからなる熱電素子１と、第１の位置決め部1Cと対
応する位置に第２の位置決め部2Cを有し、かつ表面に上
側電極2Aを有する位置決め部付き上側電極板２と、第１
の位置決め部1Cと対応する位置に第３の位置決め部3Cを
有し、かつ表面に下側電極3Aを有する位置決め部付き下
側電極板３とを用い、ｐ型熱電半導体結晶チップ1Pおよ
びｎ型熱電半導体結晶チップ1Nと上側電極2Aと下側電極
3Aとを接合するときに、第１乃至第３の位置決め部1C、
2C、3Cを用いて互いの位置合わせを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱電モジュールおよ
びその製造方法に関し、詳細には、熱電半導体結晶チッ
プと上下の電極との接合時の位置合わせを容易にする技
術に関する。
びその製造方法に関し、詳細には、熱電半導体結晶チッ
プと上下の電極との接合時の位置合わせを容易にする技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスマス・テルル系等の化合物からなる
熱電半導体結晶チップを利用した熱電モジュールが知ら
れている。熱電モジュールはヒートポンプの一種であ
り、各種半導体装置の冷却や温度の安定化に広く使用さ
れている。
熱電半導体結晶チップを利用した熱電モジュールが知ら
れている。熱電モジュールはヒートポンプの一種であ
り、各種半導体装置の冷却や温度の安定化に広く使用さ
れている。
【０００３】図５および図６にこのような熱電モジュー
ルの１例を示す。ここで、図５は断面図、図６は斜視図
である。この熱電モジュールは、ｐ型とｎ型からなる２
種類の熱電半導体結晶チップ（小片）を金属電極で接合
するとともに、これらの熱電半導体結晶チップおよび金
属電極をセラミック基板で挟んだものである。この金属
電極に電源を接続して所定の方向へ電流を流すと、熱電
半導体結晶チップの一端で吸熱、他端で放熱が起こり、
熱がポンピングされる。
ルの１例を示す。ここで、図５は断面図、図６は斜視図
である。この熱電モジュールは、ｐ型とｎ型からなる２
種類の熱電半導体結晶チップ（小片）を金属電極で接合
するとともに、これらの熱電半導体結晶チップおよび金
属電極をセラミック基板で挟んだものである。この金属
電極に電源を接続して所定の方向へ電流を流すと、熱電
半導体結晶チップの一端で吸熱、他端で放熱が起こり、
熱がポンピングされる。
【０００４】従来、このような熱電モジュールを製造す
る方法としては、インゴット状の単結晶または多結晶を
スライスして円板状に形成し、さらにこの円板をダイシ
ングした立方体状結晶チップを１個ずつ配列する方法が
知られていた。また、インゴットを合成した後、粉末化
し、加熱・加圧し、焼結して円板状の焼結体を形成し、
これをダイシングした立方体状の焼結体チップを１個ず
つ配列する方法も知られていた。
る方法としては、インゴット状の単結晶または多結晶を
スライスして円板状に形成し、さらにこの円板をダイシ
ングした立方体状結晶チップを１個ずつ配列する方法が
知られていた。また、インゴットを合成した後、粉末化
し、加熱・加圧し、焼結して円板状の焼結体を形成し、
これをダイシングした立方体状の焼結体チップを１個ず
つ配列する方法も知られていた。
【０００５】しかしながら、前記従来の方法では、加工
後の結晶チップを１個ずつ配列することで熱電モジュー
ルの組み立てを行なっていたため、熱電モジュールの製
造に時間と手間がかかり、コストが高くなってしまう。
後の結晶チップを１個ずつ配列することで熱電モジュー
ルの組み立てを行なっていたため、熱電モジュールの製
造に時間と手間がかかり、コストが高くなってしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本願出願人等
は先に熱電半導体結晶チップが仕切板を貫通した状態で
その仕切板に固定された構造を有する熱電モジュールを
提案した（特開平8-228027号、特開平11-251565号
等）。この熱電モジュールによれば、製造工程の時間と
手間を低減し、製造コストを低減することができる。
は先に熱電半導体結晶チップが仕切板を貫通した状態で
その仕切板に固定された構造を有する熱電モジュールを
提案した（特開平8-228027号、特開平11-251565号
等）。この熱電モジュールによれば、製造工程の時間と
手間を低減し、製造コストを低減することができる。
【０００７】本発明は、このような熱電モジュールの製
造時における熱電半導体結晶チップと上下の電極との接
合時の位置合わせを容易にした熱電モジュールおよびそ
の製方法を提供するものである。
造時における熱電半導体結晶チップと上下の電極との接
合時の位置合わせを容易にした熱電モジュールおよびそ
の製方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る熱電モジュ
ールは、第１の位置決め部を有する仕切板と前記仕切板
を貫通した状態で前記仕切板に固定された熱電半導体結
晶チップとからなる熱電素子と、前記第１の位置決め部
と対応する位置に第２の位置決め部を有し、かつ表面に
上側電極を有する位置決め部付き上側電極板と、前記第
１の位置決め部と対応する位置に第３の位置決め部を有
し、かつ表面に下側電極を有する位置決め部付き下側電
極板とを備えたことを特徴とする。この構成により、製
造時における熱電素子と、上側電極板と、下側電極との
位置合わせが容易になる。
ールは、第１の位置決め部を有する仕切板と前記仕切板
を貫通した状態で前記仕切板に固定された熱電半導体結
晶チップとからなる熱電素子と、前記第１の位置決め部
と対応する位置に第２の位置決め部を有し、かつ表面に
上側電極を有する位置決め部付き上側電極板と、前記第
１の位置決め部と対応する位置に第３の位置決め部を有
し、かつ表面に下側電極を有する位置決め部付き下側電
極板とを備えたことを特徴とする。この構成により、製
造時における熱電素子と、上側電極板と、下側電極との
位置合わせが容易になる。
【０００９】本発明に係る熱電モジュールの製造方法
は、第１の位置決め部を有する仕切板と前記仕切板を貫
通した状態で前記仕切板に固定された熱電半導体結晶チ
ップとからなる熱電素子と、前記第１の位置決め部と対
応する位置に第２の位置決め部を有し、かつ表面に上側
電極を有する位置決め部付き上側電極板と、前記第１の
位置決め部と対応する位置に第３の位置決め部を有し、
かつ表面に下側電極を有する位置決め部付き下側電極板
とを用い、前記熱電半導体結晶チップと前記上側電極と
前記下側電極とを接合するときに、前記第１乃至第３の
位置決め部を用いて互いの位置合わせを行うことを特徴
とする。この構成により、第１の位置決め部と、第２の
位置決め部と、第３の位置決め部とを用いることで、熱
電素子と、上側電極板と、下側電極との位置合わせが容
易になる。
は、第１の位置決め部を有する仕切板と前記仕切板を貫
通した状態で前記仕切板に固定された熱電半導体結晶チ
ップとからなる熱電素子と、前記第１の位置決め部と対
応する位置に第２の位置決め部を有し、かつ表面に上側
電極を有する位置決め部付き上側電極板と、前記第１の
位置決め部と対応する位置に第３の位置決め部を有し、
かつ表面に下側電極を有する位置決め部付き下側電極板
とを用い、前記熱電半導体結晶チップと前記上側電極と
前記下側電極とを接合するときに、前記第１乃至第３の
位置決め部を用いて互いの位置合わせを行うことを特徴
とする。この構成により、第１の位置決め部と、第２の
位置決め部と、第３の位置決め部とを用いることで、熱
電素子と、上側電極板と、下側電極との位置合わせが容
易になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実
施の形態の熱電モジュールの断面図、図２は本発明の実
施の形態の熱電モジュールの分解斜視図である。
図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実
施の形態の熱電モジュールの断面図、図２は本発明の実
施の形態の熱電モジュールの分解斜視図である。
【００１１】この熱電モジュールは、熱電素子１と、位
置決め部付き上側電極板２と、位置決め部付き下側電極
板３とからなる。これらは、いずれも平面形状が略矩形
の板状である。
置決め部付き上側電極板２と、位置決め部付き下側電極
板３とからなる。これらは、いずれも平面形状が略矩形
の板状である。
【００１２】熱電素子１は、絶縁性、低熱伝導率、
結晶材料に不純物として影響しない、結晶材料と反
応しない（濡れない）、高融点という、５つの特性を
有する材料からなる位置決め部付き仕切板1Aを備えてい
る。この材料としては、気孔率が高い（５０％以上）セ
ラミック、石英ガラス、ＳｉＣ、ＢＮ等を使用すること
ができる。
結晶材料に不純物として影響しない、結晶材料と反
応しない（濡れない）、高融点という、５つの特性を
有する材料からなる位置決め部付き仕切板1Aを備えてい
る。この材料としては、気孔率が高い（５０％以上）セ
ラミック、石英ガラス、ＳｉＣ、ＢＮ等を使用すること
ができる。
【００１３】位置決め部付き仕切板1Aには多数（図２
（ｂ）では６×６＝３６個）のｐ型熱電半導体結晶チッ
プ1Pとｎ型熱電半導体結晶チップ1Nとが位置決め部付き
仕切板1Aを貫通した状態でマトリックス状に交互に固定
されている。ここで、ｐ型熱電半導体結晶チップ1Pとｎ
型熱電半導体結晶チップ1Nの上面、下面は、それぞれ位
置決め部付き仕切板1Aの上面、下面と平らな面を形成し
ている。つまり、位置決め部付き仕切板1Aに空けられた
貫通孔にｐ型熱電半導体結晶チップ1Pとｎ型熱電半導体
結晶チップ1Nとが埋め込まれているとも言える。また、
位置決め部付き仕切板1Aの互いに対向する二辺の略中央
には、半円形の断面形状を有する一対の位置決め部1Cが
形成されている。
（ｂ）では６×６＝３６個）のｐ型熱電半導体結晶チッ
プ1Pとｎ型熱電半導体結晶チップ1Nとが位置決め部付き
仕切板1Aを貫通した状態でマトリックス状に交互に固定
されている。ここで、ｐ型熱電半導体結晶チップ1Pとｎ
型熱電半導体結晶チップ1Nの上面、下面は、それぞれ位
置決め部付き仕切板1Aの上面、下面と平らな面を形成し
ている。つまり、位置決め部付き仕切板1Aに空けられた
貫通孔にｐ型熱電半導体結晶チップ1Pとｎ型熱電半導体
結晶チップ1Nとが埋め込まれているとも言える。また、
位置決め部付き仕切板1Aの互いに対向する二辺の略中央
には、半円形の断面形状を有する一対の位置決め部1Cが
形成されている。
【００１４】位置決め部付き上側電極板２には、一対の
リード電極2Bと多数の上側電極2Aとが形成されている。
位置決め部付き上側電極板２は、熱伝導率が高く、熱膨
張係数が小さく、機械的強度の高い素材、例えば厚みが
６００μｍ程度のＳｉ３Ｎ４を使用することが好適であ
る。リード電極2Bと上側電極2Aとは例えば銅製であり、
位置決め部付き上側電極板２の表面（図１、２（ａ）で
は下面）に貼り付けられ、一体化されている。また、位
置決め部付き上側電極板２の互いに対向する二辺の略中
央には、半円形の断面形状を有する一対の位置決め部2C
が形成されている。
リード電極2Bと多数の上側電極2Aとが形成されている。
位置決め部付き上側電極板２は、熱伝導率が高く、熱膨
張係数が小さく、機械的強度の高い素材、例えば厚みが
６００μｍ程度のＳｉ３Ｎ４を使用することが好適であ
る。リード電極2Bと上側電極2Aとは例えば銅製であり、
位置決め部付き上側電極板２の表面（図１、２（ａ）で
は下面）に貼り付けられ、一体化されている。また、位
置決め部付き上側電極板２の互いに対向する二辺の略中
央には、半円形の断面形状を有する一対の位置決め部2C
が形成されている。
【００１５】位置決め部付き下側電極板３には、多数
（図２（ｃ）では６×３＝１８個）の下側電極3Aが形成
されている。位置決め部付き下側電極板3 は、位置決め
部付き上側電極板２と同じ素材を使用することが好適で
ある。下側電極3Aは例えば銅製であり、位置決め部付き
下側電極板３の表面（図１、２（ｃ）では上面）に貼り
付けられ、一体化されている。また、位置決め部付き下
側側電極板３の互いに対向する二辺の略中央には、半円
形の断面形状を有する一対の位置決め部3Cが形成されて
いる。
（図２（ｃ）では６×３＝１８個）の下側電極3Aが形成
されている。位置決め部付き下側電極板3 は、位置決め
部付き上側電極板２と同じ素材を使用することが好適で
ある。下側電極3Aは例えば銅製であり、位置決め部付き
下側電極板３の表面（図１、２（ｃ）では上面）に貼り
付けられ、一体化されている。また、位置決め部付き下
側側電極板３の互いに対向する二辺の略中央には、半円
形の断面形状を有する一対の位置決め部3Cが形成されて
いる。
【００１６】なお、ここでは位置決め部1C、2C、3Cを溝
としたが、円形の断面形状を有する貫通孔としても良
い。また、位置決め部付き仕切板1A、位置決め部付き上
側電極板２、および位置決め部付き下側電極板３のそれ
ぞれの平面形状も矩形に限らず、多角形や円形であって
もよい。
としたが、円形の断面形状を有する貫通孔としても良
い。また、位置決め部付き仕切板1A、位置決め部付き上
側電極板２、および位置決め部付き下側電極板３のそれ
ぞれの平面形状も矩形に限らず、多角形や円形であって
もよい。
【００１７】以上説明した構造を有する熱電モジュール
を製造する際には、まず図２（ａ）に示されている位置
決め部付き上側電極板２の上側電極2Aの表面、および図
２（ｃ）に示されている位置決め部付き下側電極板３の
下側電極3Aの表面にハンダを塗布する。次に、位置決め
部付き下側電極板３、図２（ｂ）に示されている熱電素
子１、および位置決め部付き上側電極板２をこの順序で
ハンダ付装置（図示せず）にセットする。ここで、ハン
ダ付装置には位置決め部1C、2C、3Cに当接するピンを備
えており、位置決め部1C、2C、3Cをピンに当接させるこ
とで、位置決め部付き下側電極板３、位置決め部付き仕
切板1A、および位置決め部付き上側電極板２の水平面内
の位置を合わせることができる。なお、このようなハン
ダ付装置については特開2000-58930号公報に記載されて
いる。位置合わせを行った後、位置決め部付き上側電極
板２の上側、および位置決め部付き下側電極板３の下側
から加圧しながら加熱し、ｐ型熱電半導体結晶チップ1P
とｎ型熱電半導体結晶チップ1Nの上下の端面に上側電極
2Aと下側電極3Aを接合する。
を製造する際には、まず図２（ａ）に示されている位置
決め部付き上側電極板２の上側電極2Aの表面、および図
２（ｃ）に示されている位置決め部付き下側電極板３の
下側電極3Aの表面にハンダを塗布する。次に、位置決め
部付き下側電極板３、図２（ｂ）に示されている熱電素
子１、および位置決め部付き上側電極板２をこの順序で
ハンダ付装置（図示せず）にセットする。ここで、ハン
ダ付装置には位置決め部1C、2C、3Cに当接するピンを備
えており、位置決め部1C、2C、3Cをピンに当接させるこ
とで、位置決め部付き下側電極板３、位置決め部付き仕
切板1A、および位置決め部付き上側電極板２の水平面内
の位置を合わせることができる。なお、このようなハン
ダ付装置については特開2000-58930号公報に記載されて
いる。位置合わせを行った後、位置決め部付き上側電極
板２の上側、および位置決め部付き下側電極板３の下側
から加圧しながら加熱し、ｐ型熱電半導体結晶チップ1P
とｎ型熱電半導体結晶チップ1Nの上下の端面に上側電極
2Aと下側電極3Aを接合する。
【００１８】ここで、図３および図４を用いて熱電素子
１の製造方法を説明する。図３は熱電素子１を製造する
ための結晶成長用型であり、図４は熱電素子１の製造プ
ロセスを説明するための図である。
１の製造方法を説明する。図３は熱電素子１を製造する
ための結晶成長用型であり、図４は熱電素子１の製造プ
ロセスを説明するための図である。
【００１９】結晶成長用型11は気孔率が高い（５０％以
上）セラミック、石英ガラス、ＳｉＣ、ＢＮ等により略
直方体状あるいは角柱状に形成されている。結晶成長用
型11の上下方向には多数（図では６×６＝３６個）の貫
通孔11Aがマトリックス状に設けられている。また、結
晶成長用型11の垂直な４つの側面の内、互いに対向する
２つの面の垂直方向には一対の位置決め部11Cが設けら
れている。ここでは位置決め部11Cを溝としたが、円形
の断面形状を有する貫通孔としても良い。
上）セラミック、石英ガラス、ＳｉＣ、ＢＮ等により略
直方体状あるいは角柱状に形成されている。結晶成長用
型11の上下方向には多数（図では６×６＝３６個）の貫
通孔11Aがマトリックス状に設けられている。また、結
晶成長用型11の垂直な４つの側面の内、互いに対向する
２つの面の垂直方向には一対の位置決め部11Cが設けら
れている。ここでは位置決め部11Cを溝としたが、円形
の断面形状を有する貫通孔としても良い。
【００２０】以上のように構成された結晶成長用型11か
ら熱電素子１を製造する際には、結晶成長用型11を図示
されていない容器内に収納した後、図４（ａ）に示すよ
うに、多数の貫通孔11A内にｐ型熱電半導体結晶の原料1
2Pおよびｎ型熱電半導体結晶の原料12Nを所定のパター
ンで充填する。ここで、原料12Pおよび12Nは針状多結晶
もしくはその粉末状材料またはそれらの融液である。こ
の時、縦方向、横方向に隣り合う貫通孔11Aには異なる
タイプの熱電半導体結晶の原料を充填し、ｐ型とｎ型と
がマトリックス状に交互に配列されるようにする。図４
（ａ）のＸ−Ｘ断面図を図４（ｂ）に示す。
ら熱電素子１を製造する際には、結晶成長用型11を図示
されていない容器内に収納した後、図４（ａ）に示すよ
うに、多数の貫通孔11A内にｐ型熱電半導体結晶の原料1
2Pおよびｎ型熱電半導体結晶の原料12Nを所定のパター
ンで充填する。ここで、原料12Pおよび12Nは針状多結晶
もしくはその粉末状材料またはそれらの融液である。こ
の時、縦方向、横方向に隣り合う貫通孔11Aには異なる
タイプの熱電半導体結晶の原料を充填し、ｐ型とｎ型と
がマトリックス状に交互に配列されるようにする。図４
（ａ）のＸ−Ｘ断面図を図４（ｂ）に示す。
【００２１】次に、結晶成長用型11に蓋を被せるなどの
処置を行った後、所定の温度条件などのもとで結晶化を
行う。図４（ｃ）はｐ型熱電半導体結晶の原料12Pおよ
びｎ型熱電半導体結晶の原料12Nが結晶化し、ｐ型熱電
半導体結晶13Pおよびｎ型熱電半導体結晶13Nとなった状
態を示している。
処置を行った後、所定の温度条件などのもとで結晶化を
行う。図４（ｃ）はｐ型熱電半導体結晶の原料12Pおよ
びｎ型熱電半導体結晶の原料12Nが結晶化し、ｐ型熱電
半導体結晶13Pおよびｎ型熱電半導体結晶13Nとなった状
態を示している。
【００２２】次に、図４（ｄ）に示すように、結晶成長
用型11を水平方向にスライスすることによって、複数枚
の熱電素子１を製造することができる。
用型11を水平方向にスライスすることによって、複数枚
の熱電素子１を製造することができる。
【００２３】なお、このプロセスにおける原料12Pおよ
び12Nの充填方法、および結晶化方法の一例の詳細につ
いては特開平11-251565号公報の図６〜図１０に開示さ
れている。
び12Nの充填方法、および結晶化方法の一例の詳細につ
いては特開平11-251565号公報の図６〜図１０に開示さ
れている。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、第１の位置決め部を有する仕切板と前記仕切板を
貫通した状態で前記仕切板に固定された熱電半導体結晶
チップとからなる熱電素子と、第２の位置決め部を有す
る上側電極と、第３の位置決め部を有する下側電極とを
用いることで、製造時の位置合わせが容易な熱電モジュ
ールおよびその製造方法を提供することができる。
れば、第１の位置決め部を有する仕切板と前記仕切板を
貫通した状態で前記仕切板に固定された熱電半導体結晶
チップとからなる熱電素子と、第２の位置決め部を有す
る上側電極と、第３の位置決め部を有する下側電極とを
用いることで、製造時の位置合わせが容易な熱電モジュ
ールおよびその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態の熱電モジュールの断面
図、
図、
【図２】本発明の実施の形態の熱電モジュールの分解斜
視図、
視図、
【図３】本発明の実施の形態における熱電素子を製造す
るための結晶成長用型を示す図、
るための結晶成長用型を示す図、
【図４】本発明の実施の形態における熱電素子の製造プ
ロセスを説明するための図、
ロセスを説明するための図、
【図５】従来の熱電モジュールの断面図、
【図６】従来の熱電モジュールの斜視図である。
１ 熱電素子」 1A 位置決め部付き仕切板 1C 第１の位置決め部 1N ｎ型熱電半導体結晶チップ 1P ｐ型熱電半導体結晶チップ ２ 上側電極板 2A 上側電極 2B リード電極 2C 第２の位置決め部 ３ 下側電極板 3A 下側電極 3C 第３の位置決め部
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の位置決め部を有する仕切板と前記
仕切板を貫通した状態で前記仕切板に固定された熱電半
導体結晶チップとからなる熱電素子と、 前記第１の位置決め部と対応する位置に第２の位置決め
部を有し、かつ表面に上側電極を有する位置決め部付き
上側電極板と、 前記第１の位置決め部と対応する位置に第３の位置決め
部を有し、かつ表面に下側電極を有する位置決め部付き
下側電極板とを備えたことを特徴とする熱電モジュー
ル。 - 【請求項２】 第１乃至第３の位置決め部は、それぞれ
の板の縁に形成され た切欠であることを特徴とする請求項１記載の熱電モジ
ュール。 - 【請求項３】 熱電半導体結晶チップは、仕切板に空け
られた貫通孔に埋め込まれた構造を有することを特徴と
する請求項１または２記載の熱電モジュール。 - 【請求項４】 第１の位置決め部を有する仕切板と前記
仕切板を貫通した状態で前記仕切板に固定された熱電半
導体結晶チップとからなる熱電素子と、前記第１の位置
決め部と対応する位置に第２の位置決め部を有し、かつ
表面に上側電極を有する位置決め部付き上側電極板と、
前記第１の位置決め部と対応する位置に第３の位置決め
部を有し、かつ表面に下側電極を有する位置決め部付き
下側電極板とを用い、前記熱電半導体結晶チップと前記
上側電極と前記下側電極とを接合するときに、前記第１
乃至第３の位置決め部を用いて互いの位置合わせを行う
ことを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001123217A JP2002319713A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001123217A JP2002319713A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002319713A true JP2002319713A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18972809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001123217A Pending JP2002319713A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002319713A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010157643A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 熱電発電モジュールおよびその製造方法 |
| EP2538463A3 (en) * | 2011-06-22 | 2013-07-24 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Thermoelectric conversion module and method of manufacturing the same |
| WO2014115803A1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 株式会社デンソー | 熱電変換装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-20 JP JP2001123217A patent/JP2002319713A/ja active Pending
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| KR101743437B1 (ko) | 2013-01-24 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 덴소 | 열전 변환 장치의 제조 방법 |
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