JP2002317270A - 堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、クリーニング処理用円筒状基体、および機能性堆積膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーニング処理時に発生する残渣の量を低
減させる。 【解決手段】 反応容器１０１内をクリーニングする
際、堆積膜を形成するためのＡｌ製円筒状基体１０２の
直径φｄｘより小さい直径φｄｙのＡｌ製円筒状ダミー
基体２０２を反応容器１０１内に設置してからドライエ
ッチングによるクリーニング処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ法
により基体上に電子写真用受容部材、太陽電池、画像入
力用ラインセンサ、撮像デバイス、ＴＦＴ等の半導体素
子として特に好適な機能性堆積膜（以下、「堆積膜」と称
する）を製造するための堆積膜形成装置のクリーニング
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真用受容部材、太陽電池、
画像入力用ラインセンサ、撮像デバイス、ＴＦＴ等の半
導体素子として使用する堆積膜としては、アモルファス
シリコン、例えば水素または／およびハロゲン（例えば
フッ素、塩素等）で補償されたアモルファスシリコン
（以後、ａ−Ｓｉと称する）膜が提案され、その中のい
くつかは実用に付されている。

【０００３】ａ−Ｓｉ膜等の堆積膜を形成するための装
置についても各種提案されていて、それらは例えば真空
蒸着によるもの、イオンプレーティング法によるもの、
熱ＣＶＤ法によるもの等であり、中でもプラズマＣＶＤ
法等の減圧下での堆積膜形成方法が好適なものとして、
実用に付されている。

【０００４】これらの堆積膜形成方法により、所定の基
体の表面上に堆積膜を形成する場合、堆積膜形成装置の
構成部材等に堆積膜あるいは粉体状の副生成物（以下、
ポリシランと称する）が堆積してしまう。

【０００５】例えば、グロー放電分解によるプラズマＣ
ＶＤ法により成膜する場合には、堆積膜形成装置の内部
に設置した基体以外の部分であるサセプタ、対向電極あ
るいは堆積膜形成装置の内壁に堆積膜あるいはポリシラ
ンが形成される。

【０００６】これらの堆積膜あるいはポリシランが、次
回の成膜時に自然落下したり、ガス流、排気系からの逆
流等により飛散してしまうことで、基板の表面上や形成
される堆積膜中に不純物として取り込まれて、膜特性を
悪化させたりあるいは基体上に付着するとピンホール等
の欠陥を発生させてしまう。

【０００７】その結果、歩留りは大幅に低下してしま
う。

【０００８】こうしたことから、数回の堆積膜の形成サ
イクルあるいは各堆積膜の形成サイクル毎に、堆積膜形
成装置の内部を清掃し、目的とする堆積膜形成個所以外
の部分に堆積した堆積膜あるいはポリシランを除去（以
下、「クリーニング」と称する）することが行われる。

【０００９】その際のクリーニング方法の１つに、ドラ
イエッチング（ＤＥ）処理が挙げられる。このドライエ
ッチング処理は、クリーニング原料ガス（以下、「ドラ
イエッチング原料ガス」と称する）を堆積膜形成装置の
内部に導入し、プラズマ、熱、光等のエネルギにより励
起状態として、堆積膜あるいはポリシランを形成してい
る元素と反応させ、それらの元素を気相分子とし、排気
手段によって排除するものである。

【００１０】ドライエッチング処理に使用するドライエ
ッチング用原料ガスとして、四フッ化炭素（ＣＦ₄）、
フッ化窒素（ＮＦ₃）、六フッ化硫黄(ＳＦ₆)、三フッ化
塩素（ＣｌＦ₃）等を用いても、同様の効果を得ること
ができるが、低エネルギで分解でき、反応性に富み極め
て速いクリーニング速度を有するというメリットを持つ
三フッ化塩素（ＣｌＦ₃）が注目されており、各種提案
されている。

【００１１】特開平６−２１４３号公報では、三フッ化
塩素（ＣｌＦ₃）の濃度を順次低下させながら、ドライ
エッチング処理する方法が記載されている。

【００１２】特開平１０−８１９５０号公報では、５０
〜１００容量％の高濃度のフッ化塩素(ＣｌＦ)、三フッ
化塩素（ＣｌＦ₃）、五フッ化塩素（ＣｌＦ₅）を用い
て、ドライエッチング処理する方法が記載されている。

【００１３】特開平１１−２２２６８０号公報では、三
フッ化塩素（ＣｌＦ₃）をドライエッチング処理で用い
る際に、ガス導入経路に複数の温度センサを設け、その
出力信号によりドライエッチング処理の条件の設定、ま
たは制御する方法が記載されている。

【００１４】これらの技術により、効率良く高速で堆積
膜形成装置の内部をドライエッチング処理する方法が確
立されてきた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置のドライエッチング処理方法に
おいて、機能性堆積膜の形成後に堆積膜形成装置の構成
部品であるカソード電極を兼ねる円筒状反応容器(以
下、「円筒状反応容器」と称する)の内部に存在する堆積
膜あるいはポリシランのドライエッチング処理時におい
て、堆積膜形成用のアノード電極を兼ねる円筒状基体
（以下、「円筒状基体」と称する）の加熱処理をおこなう
加熱手段を保護するために堆積膜形成用の円筒状基体と
同じ直径であるドライエッチング処理用のアノード電極
を兼ねる円筒状基体（以下、「円筒状ダミー基体」あるい
は、「クリーニング処理用円筒状基体」と称する）を用
いている。

【００１６】このドライエッチング処理用の円筒状ダミ
ー基体を用いて、ドライエッチング処理をおこなった後
に円筒状反応容器の内部を確認したところ、堆積膜ある
いはポリシランを形成する物質の元素とドライエッチン
グ用原料ガスの元素とが結びついて発生する微小な粉状
の物質（以下、「残渣」と称する）が残存していた。

【００１７】この残渣が、次回の機能性堆積膜の形成時
に自然落下したり、ガス流、排気系からの逆流等により
飛散し、基板の表面表面上や形成される堆積膜中に不純
物として取り込まれてしまうことで、実用性に問題が無
いレベルの微小な表面欠陥の発生要因となっている場合
があったが、従来の電子写真装置は文字を複写すること
を主たる用途としており、活字原稿（いわゆるラインコ
ピー）が中心であったので、実用性に問題が無いレベル
の微小な表面欠陥が要因となって発生する微小なポチ等
の画像欠陥は実用上大きな問題とならなかった。

【００１８】しかしながら、近年、電子写真装置の高画
質化、低コスト化、高速化、高耐久化は急速に進んでお
り、画像特性の向上を図るために電子写真装置内の光学
装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、現
像の解像力が向上し、写真等のハーフトーンを含む原稿
が多くコピーされるようになり、従来では実用性に問題
がなかったレベルである微小な画像欠陥も指摘されるよ
うになってきた。

【００１９】また、電子写真感光体の低コスト化を図る
ためには、ドライエッチング処理時間の短縮を図ること
で、製造コストを低減させる方法を挙げることができる
が、さらなる効果を得るためには、排気系の可動部分を
潤滑させるオイルの交換頻度を低減することで、装置の
メンテナンスの時間や消耗品等についての製造コストの
低減を図る方法も挙げられる。

【００２０】前述したオイル交換は、ドライエッチング
処理時に用いるフッ素系のドライエッチング原料ガス
が、プラズマ放電により分解できなかった未反応のフッ
素系のドライエッチング原料ガス（以下、「未反応ガス」
と称する）が、排気系に流れ込んでしまった場合、排気
系の可動部分の潤滑をおこなっているオイルが、未反応
ガスと触れ合うことにより、オイルを構成する主に炭素
と水素からなる連鎖結合が瞬時に切断され、オイルが低
分子化されてしまう。

【００２１】そして、オイルの粘度が低下し、潤滑剤と
して必要な粘度を保つことが不可能となってしまい排気
系の可動部分への負荷を増大させる。

【００２２】こうして、生産能力の低下を招く要因とな
ってしまう。

【００２３】そのため、数回の堆積膜の形成とドライエ
ッチング処理のサイクル毎に、堆積膜形成装置のメンテ
ナンスを実施し、排気系の可動部分のオイル交換をおこ
ない前述した排気系の可動部分への負荷の低減を図って
いた。

【００２４】よって、低コスト化を図るためには、オイ
ルの劣化の低減を図ることで、交換頻度を低減させ、堆
積膜形成装置のメンテナンス時間や消耗品等の製造コス
トを低減させる必要がある。

【００２５】以上のような理由により、微小な画像欠陥
を低減させた製品を歩留まり良く安値で、作製する技術
が求められるようになった。

【００２６】そこで、本発明は、前述のごときプラズマ
ＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用いた堆積膜形成後の
ドライエッチング処理時における諸問題を克服し、前述
した要求を満たすことを目的とする。

【００２７】すなわち、本発明は、ドライエッチング処
理時に円筒状反応容器の内部に発生する残渣の量を低減
させ、ドライエッチング処理時間の短縮や装置関連のメ
ンテナンスや、消耗品の交換頻度を低減することで、製
造コストを低減しうるプラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置のクリーニング処理方法、クリーニング処理用円
筒状基体、および機能性堆積膜を提供することを目的と
する。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明者は以下のような
知見に基づいて完成に至ったものである。

【００２９】本発明におけるプラズマＣＶＤ法による堆
積膜形成装置のクリーニング処理方法は、減圧下で堆積
膜の形成をおこなう堆積膜形成装置の気相化学法による
ドライエッチング処理方法であり、ドライエッチング処
理時においてのドライエッチング処理効率の向上を図る
ことにより、ドライエッチング処理時に円筒状反応容器
の内部に発生する残渣の量の低減を図る品質面の向上
と、ドライエッチング処理時間の短縮と装置関連のメン
テや消耗品の交換頻度の低減を図る製造コストの低減を
同時に達成するために鋭意検討をおこなった。

【００３０】その結果、堆積膜形成後の円筒状反応容器
内部のドライエッチング処理時に用いる円筒状ダミー基
体の直径φｄｙは、堆積膜形成時に用いる円筒状基体の
直径φｄｘより小さく、さらに好ましくはφｄｘ×０．
５≦φｄｙ＜φｄｘの範囲を満たすことで、ドライエッ
チング処理後に円筒状反応容器の内部に残存する残渣の
量を大幅に低減でき、品質面の向上効果だけでなく、ド
ライエッチング処理時間の短縮や、排気系への負荷を低
減による製造コストの低減効果も同時に得られるという
ことを見出すに至った。

【００３１】前述した本発明の効果は、以下の理由によ
るものと考えられる。

【００３２】ドライエッチング処理時に用いる円筒状ダ
ミー基体の直径φｄｙが、堆積膜形成時に用いる円筒状
基体の直径φｄｘより小さくなることで、反応空間が広
くなり、反応空間内の流速が低下し、円筒状反応容器の
内部に導入されたドライエッチング原料ガスの対流時間
が長くなり、プラズマ強度とのバランスが、最適な状態
となった結果、ドライエッチング処理効率が向上し、円
筒状反応容器の内部に発生する残渣の量を大幅に低減し
うる効果を得られたと考えられる。

【００３３】さらに本発明においては、ドライエッチン
グ処理時に用いる円筒状ダミー基体の直径φｄｙが、堆
積膜形成時に用いる円筒状基体の直径φｄｘに対して、
φｄｘ×０．５＜φｄｙの範囲を満たすことで、ドライ
エッチング処理時間に関しても、良好な効果を示すこと
が分かった。

【００３４】ドライエッチング処理時に用いる円筒状ダ
ミー基体の直径φｄｙが、堆積膜形成時に用いる円筒状
基体の直径φｄｘより、０．５倍未満とした場合には、
反応空間がさらに広くなり、反応空間内の流速がさらに
低下し、円筒状反応容器の内部に導入されたドライエッ
チング原料ガスの対流時間がさらに長くなるが、放電空
間が広くなりすぎるためにプラズマ強度が低下してしま
いドライエッチング原料ガスの対流時間とプラズマ強度
とのバランスが、最適化されなかった結果、ドライエッ
チング処理時間についての効果が得られなかったと推測
される。

【００３５】また、ドライエッチング処理時に用いる円
筒状ダミー基体の直径φｄｙが、堆積膜形成時に用いる
円筒状基体の直径φｄｘより大きくなる場合では、反応
空間が狭くなり、プラズマ強度が大幅に増大するが、反
応空間内の流速が上がってしまい円筒状反応容器の内部
に導入されたドライエッチング原料ガスの対流時間、プ
ラズマ強度のバランスが最適化されなかった結果、ドラ
イエッチング処理時に円筒状反応容器の内部に発生する
残渣の量についての効果を得られなかったと推測され
る。

【００３６】さらに本発明においては、ドライエッチン
グ処理時に円筒状反応容器の内部に導入されたドライエ
ッチング原料ガスの対流時間とプラズマ強度とのバラン
スが最適な状態となり、ドライエッチング処理効率が向
上し、排気系に流れるガスは排気系へのダメージが比較
的低い物質となるために排気系の可動部分への負荷を低
減できる効果も得られることが分かった。

【００３７】以上の知見に基づき、堆積膜形成後の円筒
状反応容器内部のドライエッチング処理時に用いる円筒
状ダミー基体の直径φｄｙは、堆積膜形成時に用いる円
筒状基体の直径φｄｘより小さく、さらに好ましくは、
φｄｘ×０．５≦φｄｙの範囲を満たすことで、ドライ
エッチング処理効率を向上させたものである。

【００３８】すなわち、上記目的を達成するため、本発
明の堆積膜形成装置のクリーニング処理方法は、減圧可
能で、電極を兼ねた円筒形状の反応容器と、前記反応容
器内を排気する排気部とを有する、プラズマＣＶＤ法に
より堆積膜を形成する堆積膜形成装置を用い、前記反応
容器内に原料ガスおよび放電電力を導入し、前記放電電
力によって前記原料ガスを分解して、前記反応容器内に
設置された電極を兼ねた堆積膜形成用円筒状基体の表面
上に機能性堆積膜を形成した後の前記反応容器内のクリ
ーニング処理方法において、前記反応容器内をクリーニ
ングする際、前記堆積膜形成用円筒状基体の直径φｄｘ
より小さい直径φｄｙの、電極を兼ねるクリーニング処
理用円筒状基体を前記堆積膜形成用円筒状基体の代わり
に前記反応容器内に設置し、ドライエッチング処理を行
う工程を含むことを特徴とする。

【００３９】上記の通りの本発明の堆積膜形成装置のク
リーニング処理方法は、反応容器内をクリーニングする
際、堆積膜形成用円筒状基体の直径φｄｘより小さい直
径φｄｙのクリーニング処理用円筒状基体を反応容器内
に設置してからドライエッチングによるクリーニング処
理を行う。このため、反応空間が広くなり、反応空間内
の流速が低下し、円筒状反応容器の内部に導入されたド
ライエッチング原料ガスの対流時間が長くなり、プラズ
マ強度とのバランスが最適な状態でクリーニング処理を
行うことができる。

【００４０】本発明のクリーニング処理用円筒状基体
は、減圧可能で、電極を兼ねた円筒形状の反応容器と、
前記反応容器内を排気する排気部とを有する、プラズマ
ＣＶＤ法により堆積膜を形成する堆積膜形成装置を用
い、前記反応容器内に原料ガスおよび放電電力を導入
し、前記放電電力によって前記原料ガスを分解して、前
記反応容器内に設置された電極を兼ねた堆積膜形成用円
筒状基体の表面上に機能性堆積膜を形成した後の前記反
応容器内のクリーニング処理方法に用いられるクリーニ
ング処理用円筒状基体であって、直径φｄｙが、前記堆
積膜形成用円筒状基体の直径φｄｘより小さいことを特
徴とする。

【００４１】上記の通りの本発明のクリーニング処理用
円筒状基体は、堆積膜形成用円筒状基体の直径φｄｘよ
り小さい。このため、クリーニング処理時における反応
空間が広くなり、反応空間内の流速が低下し、円筒状反
応容器の内部に導入されたドライエッチング原料ガスの
対流時間が長くなり、プラズマ強度とのバランスが最適
な状態でクリーニング処理を行うことができる。

【００４２】また、本発明のクリーニング処理用円筒状
基体は直径φｄｙが、φｄｘ×０．５≦φｄｙ＜φｄｘ
の範囲を満たすものであってもよい。

【００４３】本発明の機能性堆積膜は、本発明のクリー
ニング処理方法によりクリーニングされた前記反応容器
内でプラズマＣＶＤ法により形成された機能性堆積膜で
あって、シリコンを母材とする非晶質材料からなる光受
容部材が形成されていることを特徴とする。

【００４４】また、本発明の機能性堆積膜は、本発明の
クリーニング処理用円筒状基体によりクリーニングされ
た前記反応容器内でプラズマＣＶＤ法により形成された
機能性堆積膜であって、シリコンを母材とする非晶質材
料からなる光受容部材が形成されていることを特徴とす
る。

【００４５】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００４６】図１は、堆積膜を形成するための本発明の
堆積膜形成装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用いたプラ
ズマ放電によるＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜の製
造装置の概略縦断面図である。

【００４７】本実施形態の堆積膜形成装置は大別する
と、堆積装置１９１、原料ガス供給装置１９２、堆積装
置１９１の構成部品である円筒状反応容器１０１内を減
圧にするための排気装置１９３から構成されている。

【００４８】円筒状反応容器１０１内には、直径φｄｘ
であるアノード電極を兼ねる堆積膜形成用のＡｌ製円筒
状基体（以下、Ａｌ製円筒状基体と称する）１０２、Ａ
ｌ製円筒状基体を保持するための円筒状基体ホルダ１０
３、加熱用ヒータ１０４、ガス導入管１０５が設置さ
れ、さらにＲＦ電源１０６、ＲＦマッチングボックス１
０７が接続されている。

【００４９】原料ガス供給装置１９２は、シラン(Ｓｉ
Ｈ₄)、ゲルマン(ＧｅＨ₄)、水素(Ｈ₂)、メタン(Ｃ
Ｈ₄)、ジボラン(Ｂ₂Ｈ₆)およびホスフィン(ＰＨ₃)等の
堆積膜形成用原料ガスボンベ１２１〜１２６と、堆積膜
形成用原料ガスボンベバルブ１３１〜１３６、堆積膜形
成用原料ガス流入バルブ１４１〜１４６、堆積膜形成用
原料ガス流出バルブ１５１〜１５６、およびマスフロー
コントローラ１６１〜１６６から構成され、各堆積膜形
成用原料ガスのボンベはバルブ１０９を介して、円筒状
反応容器１０１内に配置したガス導入管１０５に接続さ
れている。

【００５０】また、ドライエッチング原料ガスボンベ１
２７、１２８、ドライエッチング原料ガスボンベバルブ
１３７、１３８、ドライエッチング原料ガス流入バルブ
１４７、１４８、ドライエッチング原料ガス流出バルブ
１５７、１５８、およびマスフローコントローラ１６
７、１６８から構成され、各ドライエッチング原料ガス
のボンベはバルブ１１０を介して、円筒状反応容器１０
１内に配置したガス導入管１０５に接続されている。

【００５１】この装置を使用して、直径φｄｘである堆
積膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の表面上に所定の
シリコンを主成分とする堆積膜の形成と、堆積膜形成後
に円筒状反応容器１０１内に残存する堆積膜あるいはポ
リシランをドライエッチング処理する方法は以下のよう
におこなうことができる。

【００５２】まず、直径φｄｘである堆積膜形成用のＡ
ｌ製円筒状基体１０２をＡｌ製円筒状基体１０２を保持
するための円筒状基体ホルダ１０３にセットした状態
で、円筒状反応容器１０１内の所定の位置に設置した
後、排気装置１９３により、円筒状反応容器１０１内を
排気する。

【００５３】所定の圧力になったところで、加熱用ヒー
タ１０４により、直径φｄｘであるＡｌ製円筒状基体１
０２の表面温度を２００℃ないし４００℃の所定の温度
に制御する。

【００５４】直径φｄｘである堆積膜形成用のＡｌ製円
筒状基体１０２の表面温度が所定の温度になったところ
で、堆積膜形成用原料ガスボンベバルブ１３１〜１３
６、堆積膜形成用原料ガス流入バルブ１４１〜１４６、
堆積膜形成用原料ガス流出バルブ１５１〜１５６のうち
の必要なものを開き、堆積膜形成用原料ガスボンベ１２
１〜１２６から所定の原料ガスをガス導入管１０５を介
して、円筒状反応容器１０１内に導入する。

【００５５】次にマスフローコントローラ１６１〜１６
６によって、各堆積膜形成用原料ガスが所定の流量にな
るように調整する。

【００５６】その際、円筒状反応容器１０１の内圧が１
３３Ｐａ以下の所定の圧力になるように排気装置１９３
を調整する。

【００５７】内圧が安定したところで、ＲＦ電源１０６
からＲＦマッチングボックス１０７を通じて、円筒状反
応容器１０１内にＲＦ電源を導入し、プラズマ放電を生
起させる。

【００５８】このプラズマ放電によって、円筒状反応容
器１０１内に導入された堆積膜形成用原料ガスが分解さ
れ、直径φｄｘである堆積膜形成用のＡｌ製円筒状基体
１０２の表面上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜
が形成される。

【００５９】堆積膜の形成後、直径φｄｘである堆積膜
形成用のＡｌ製円筒状基体１０２を、円筒状反応容器１
０１の内部より取り出し、代わりに直径φｄｘであるＡ
ｌ製円筒状基体１０２に対して、直径φｄｘの０．５倍
以上〜１．０倍未満の範囲を満たす直径φｄｙである、
図２に示すアノード電極を兼ねるＡｌ製円筒状ダミー基
体２０２を円筒状反応容器１０１内の所定の位置に配置
し、排気装置１９３により円筒状反応容器１０１内を排
気する。

【００６０】所定の圧力になったところで、バルブ１０
９を閉じ、バルブ１１０を開け、ドライエッチング原料
ガスボンベ１２７、１２８より、バルブ１１０を介し
て、円筒状反応容器１０１内に配置したガス導入管１０
５からドライエッチング原料ガスを導入する。

【００６１】次にマスフローコントローラ１６７、１６
８によって、各ドライエッチング用原料ガスが所定の流
量になるように調整する。

【００６２】その際、円筒状反応容器１０１の内圧が４
０Ｐａ以下の所定の圧力になるように排気装置１９３を
調整する。

【００６３】内圧が安定したところで、ＲＦ電源１０６
からＲＦマッチングボックス１０７を通じて、円筒状反
応容器１０１内にＲＦ電力を導入し、プラズマ放電を生
起させる。

【００６４】このプラズマ放電によって、円筒状反応容
器１０１内に存在する堆積膜あるいはポリシランが、導
入されたドライエッチング用原料ガスが分解されて生成
されたラジカルと堆積膜、あるいはポリシランを構成し
ている元素と結合させて気相分子とし、排気手段によっ
て排除することで、ドライエッチング処理が進行し、円
筒状反応容器１０１や排気配管１０８内のドライエッチ
ング処理をおこなうところとなる。

【００６５】また、本発明は図１に示すＲＦ電源１０６
とＲＦマッチングボックス１０７をＶＨＦ電源（図示せ
ず）とＶＨＦマッチングボックス（図示せず）に交換す
ることにより、ＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形
成装置を得ることができる。

【００６６】このＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜
形成装置を用いた場合であっても、ＲＦプラズマＣＶＤ
法による堆積膜形成装置と同様の効果を得ることができ
る。

【００６７】本発明において、堆積膜形成時に用いる円
筒状基体の大きさには特に制限はないが、実用的には直
径２０ｍｍ以上のものが好ましい。

【００６８】本発明において、光受容部材のａ−Ｓｉか
らなる光受容部層はシリコン原子と、水素原子またはハ
ロゲン原子以外に、フェルミ準位や禁止帯幅等を調整す
る成分としてホウ素、ガリュウム等のＩＩＩ族原子、窒
素、リン、ヒ素等のＶ族原子、酸素原子、炭素原子、ゲ
ルマニュウム原子等を単独もしくは適宣組み合わせて含
有させてもよい。

【００６９】また、光受容部層として、基体との密着性
の向上、あるいは電荷受容能の調整等の目的で、電荷注
入阻止層や、表面保護、あるいは表面からの電荷の注入
を防止させるための目的で、表面保護層を設ける等の多
層構成としてもよい。

【００７０】本発明において、堆積膜形成時に用いる堆
積膜形成用の原料ガスとしてはシラン(ＳｉＨ₄)、ジシ
ラン(Ｓｉ₃Ｈ₆)、四フッ化珪素(ＳｉＦ₄)、六フッ化二
珪素(Ｓｉ₂Ｆ₆)等のアモルファスシリコン形成原料ガ
ス、または、それらの混合ガスを用いても有効である。

【００７１】また、希釈ガスとしては水素(Ｈ₂)、アル
ゴン(Ａｒ)、ヘリウム(Ｈｅ)等を用いても有効である。

【００７２】本発明において、堆積膜のバンドギャップ
幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素(Ｎ₂)、
アンモニア(ＮＨ₃)等の窒素原子を含む元素、酸素
(Ｏ₂)、一酸化窒素(ＮＯ)、二酸化窒素(ＮＯ₂)、酸化二
窒素(Ｎ₂Ｏ)、一酸化炭素(ＣＯ)、二酸化炭素(ＣＯ₂)等
の酸素原子を含む元素、メタン(ＣＨ₄)、エタン(Ｃ
₂Ｈ₆)、エチレン(Ｃ₂Ｈ₄)、アセチレン(Ｃ₂Ｈ₂)、プロ
パン(Ｃ₃Ｈ₈)等の炭化水素、四フッ化ゲルマニュウム
(ＧｅＦ₄)、フッ化窒素(ＮＦ₃)等のフッ化化合物、また
は、これらの混合ガスを伴用しても有効である。

【００７３】また、本発明においてはドーピングを目的
として、ジボラン(Ｂ₂Ｈ₆)、フッ化ホウ素(ＢＦ₃)、ホ
スフィン(ＰＨ₃)等のド−パントガスを同時に放電空間
に導入しても本発明は同様に有効である。

【００７４】本発明において、ドライエッチング処理に
使用するドライエッチング用原料ガスとして、四フッ化
炭素（ＣＦ₄）、フッ化窒素（ＮＦ₃）、六フッ化硫黄
（ＳＦ ₆）、三フッ化塩素（ＣｌＦ₃）等を用いても、同
様の効果を得ることができるが、低エネルギで分解で
き、反応性に富み極めて速いクリーニング速度を有する
というメリットを持つ三フッ化塩素（ＣｌＦ₃）が好ま
しい。

【００７５】また、希釈ガスとしては水素(Ｈ₂)、アル
ゴン(Ａｒ)、ヘリウム(Ｈｅ)等を用いても有効である。

【００７６】本発明において、堆積膜形成時に用いる円
筒状基体を加熱する手段としては、真空仕様の発熱体で
あれば良く、より具体的にはシース状ヒータの巻きつけ
ヒータ、板状ヒータ、セラミックスヒータ等の電気抵抗
発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ラン
プ発熱体、液体、気体等を温媒とし、熱交換手段による
発熱体等が挙げられる。

【００７７】また、加熱手段の表面材質は、ステンレ
ス、ニッケル(Ｎｉ)、アルミニウム(Ａｌ)、銅(Ｃｕ)等
の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用す
ることができる。

【００７８】また、前述した以外にも反応容器で加熱を
おこなわずに別に加熱専用の容器を設け、加熱処理した
後、反応容器内に真空状態を保てる搬送機を使用して基
体を搬送する等の方法も有効である。

【００７９】以上の手段を単独にまたは、伴用して用い
ることも本発明では有効である。

【００８０】以下、本発明のクリーニング処理方法につ
いての一例を実施例を用いて説明するが、本発明はこれ
らにより何ら限定されるものではない。 （第１の実施例）図１に示すＲＦプラズマＣＶＤ法によ
る堆積膜形成装置を用いて、堆積膜形成用のＡｌ製円筒
状基体１０２の直径φｄｘ＝９０ｍｍであるものを円筒
状反応容器１０１内部の所定の位置に設置し、表１に示
す条件で図３に示すように基体３０１上に電荷注入阻止
層３０２、光導電層３０３、表面保護層３０４からなる
層構成の電子写真感光体を作製した。

【００８１】その後、作製した電子写真感光体を円筒状
反応容器１０１から取り出し、ドライエッチング処理用
のＡｌ製円筒状ダミー基体２０２（図２参照）の直径φ
ｄｙの値を、堆積膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の
直径φｄｘに対して、表３に示すように変えたものを円
筒状反応容器１０１内部の所定の位置に設置し、表２に
示す条件でドライエッチング処理をおこない、『ドライ
エッチング処理時間』と円筒状反応容器１０１内部の
『残渣の量』を後述する評価方法により評価した。

【００８２】その後、再び表１に示す条件で作製した電
子写真感光体の『表面欠陥』を後述する評価方法により
評価した。

【００８３】なお、以上の結果は表３に示す。 （第１の比較例）ドライエッチング処理用のＡｌ製円筒
状ダミー基体２０２の直径φｄｙ＝９０ｍｍで、堆積膜
形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘと同じで
ある以外は、第１の実施例と同様に表１に示す条件で図
３に示すように基体３０１上に電荷注入阻止層３０２、
光導電層３０３、表面保護層３０４からなる層構成の電
子写真感光体の作製と表２に示す条件でドライエッチン
グ処理をおこない、『ドライエッチング処理時間』と円
筒状反応容器１０１内部の『残渣の量』を後述する評価
方法により評価した。

【００８４】その後、再び表１に示す条件で作製した電
子写真感光体の『表面欠陥』を第１の実施例と同様の評
価方法により評価した。

【００８５】なお、以上の結果は表３に示す。 『残渣の量』ドライエッチング処理をおこなった後に円
筒状反応容器の内部に残存する残渣の量を肉眼で観察
し、以下のように評価をおこなった。

【００８６】◎・・・残存している残渣を肉眼では確認で
きない程、きれいな状態である。

【００８７】○・・・残存している残渣を肉眼で確認でき
るが、実用性には問題が無い状態である。

【００８８】△・・・残存している残渣の量が明らかに多
く、実用性に問題が有る状態である。

【００８９】×・・・再度、ドライエッチング処理をおこ
なう必要がある状態である。 『表面欠陥』ドライエッチング処理後に作製した電子写
真感光体の表面を光学顕微鏡を用いて、１００倍の倍率
で１０ｃｍ²の範囲で表面欠陥（ポチ等）を観察し、１
０ミクロン以上の欠陥個数により以下のように４段階評
価をおこなった。

【００９０】◎・・・１０ミクロン以上の欠陥が１０個未
満である。

【００９１】○・・・１０ミクロン以上の欠陥が２０個未
満である。

【００９２】△・・・１０ミクロン以上の欠陥が３０個未
満である。

【００９３】×・・・１０ミクロン以上の欠陥が３０個以
上である。 『ドライエッチング処理時間』ドライエッチング処理用
のＡｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、堆積
膜形成用のＡｌ製円筒状基体の直径φｄｘと同じである
第１の比較例の結果に対する相対値により、以下のよう
に評価をおこなった。

【００９４】◎・・・２０％以上の時間を短縮できる。

【００９５】○・・・１０％以上の時間を短縮できる。

【００９６】△・・・変化なし。

【００９７】×・・・１０％以上時間が延びてしまう。 『総合評価』『表面欠陥』、『残渣の量』、『ドライエ
ッチング処理時間』のすべての項目について、以下のよ
うに評価をおこなった。

【００９８】○・・・すべての項目について、効果が有
る。

【００９９】△・・・１項目でも、効果が無い。

【０１００】×・・・すべての項目について、効果が無
い。

【０１０１】

【表１】

【０１０２】

【表２】

【０１０３】

【表３】 表３よりあきらかなようにドライエッチング処理用のＡ
ｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、堆積膜形
成用のＡｌ製円筒状基体の直径ｄｘよりも小さくなる場
合において、『表面欠陥』、『残渣の量』が良好な効果
を得られることが分かった。

【０１０４】さらにドライエッチング処理用のＡｌ製円
筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、φｄｘ×０．５
≦φｄｙの範囲を満たす場合において、『表面欠陥』、
『残渣の量』、『ドライエッチング処理時間』のすべて
の項目について、良好な効果を得られることが分かっ
た。 （第２の実施例）本実施例では、堆積膜形成用のＡｌ製
円筒状基体１０２の直径φｄｘ第１の実施例では９０ｍ
ｍであったのに対し、堆積膜形成用のＡｌ製円筒状基体
１０２の直径φｄｘが、３０ｍｍであるものを円筒状反
応容器１０１内部の所定の位置に設置し、表４に示す条
件で図３に示すように基体３０１上に電荷注入阻止層３
０２、光導電層３０３、表面保護層３０４からなる層構
成の電子写真感光体を作製した。なお、堆積膜形成装置
は、第１の実施例と同じ図１に示す堆積膜形成装置を用
いた。

【０１０５】その後、作製した電子写真感光体を円筒状
反応容器１０１から取り出し、ドライエッチング処理用
のＡｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、堆積
膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘ＝３０
ｍｍに対して、０．７倍である直径φｄｙ＝２１ｍｍで
あるものを円筒状反応容器１０１内部の所定の位置に設
置し、表５に示す条件でドライエッチング処理をおこな
い、『ドライエッチング処理時間』と円筒状反応容器１
０１内部の『残渣の量』を第１の実施例と同様の評価方
法により評価した。

【０１０６】その後、再び表４に示す条件で作製した電
子写真感光体の『表面欠陥』を第１の実施例と同様の評
価方法により評価した。

【０１０７】なお、以上の結果は表６に示す。 （第２の比較例）ドライエッチング処理用のＡｌ製円筒
状ダミー基体２０２の直径φｄｙ＝３０ｍｍであり、堆
積膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘと同
じである以外は、第２の実施例と同様に表４に示す条件
で電子写真感光体の作製と表５に示す条件でドライエッ
チング処理をおこない、『ドライエッチング処理時間』
と円筒状反応容器１０１内部の『残渣の量』を第１の実
施例と同様の評価方法により評価した。

【０１０８】その後、再び表４に示す条件で作製した電
子写真感光体の『表面欠陥』を第１の実施例と同様の評
価方法により評価した。

【０１０９】なお、以上の結果は表６に示す。

【０１１０】

【表４】

【０１１１】

【表５】

【０１１２】

【表６】 表６よりあきらかなように堆積膜形成用のＡｌ製円筒状
基体の直径φｄｘを変えた場合であっても、『ドライエ
ッチング処理時間』、『表面欠陥』、『残渣の量』の全
ての項目について、第１の実施例と同様の効果を得られ
ることが分かった。 （第３の実施例）図１に示すＲＦプラズマＣＶＤ法によ
る堆積膜形成装置を用いて、堆積膜形成用のＡｌ製円筒
状基体１０２の直径φｄｘ＝１０８ｍｍであるものを円
筒状反応容器１０１内部の所定の位置に設置し、表７に
示す条件で、図３に示すように基体３０１上に電荷注入
阻止層３０２、光導電層３０３、表面保護層３０４から
なる層構成の電子写真感光体を作製した。

【０１１３】その後、作製した電子写真感光体を円筒状
反応容器１０１から取り出し、ドライエッチング処理用
のＡｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、堆積
膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘに対し
て、０．７４倍である約８０ｍｍであるものを円筒状反
応容器１０１内部の所定の位置に設置し、表８に示す条
件でドライエッチング処理をおこなった。

【０１１４】その後、再び表７に示す条件で、電子写真
感光体の作製と表８に示す条件でドライエッチング処理
をおこなう工程を２０サイクルおこない、２０サイクル
後の円筒状反応容器１０１の内部の『残渣の量』と『オ
イルの劣化状態』とを後述する評価方法により評価し
た。

【０１１５】その後、再び表７に示す条件で、作製した
電子写真感光体の『表面欠陥』を第１の実施例と同様の
評価方法により評価した。

【０１１６】なお、以上の結果は表９に示す。 （第３の比較例）ドライエッチング処理用のＡｌ製円筒
状ダミー基体２０２の直径φｄｙ＝１０８ｍｍで、堆積
膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘと同じ
である以外は、第３の実施例と同様に表７に示す条件
で、電子写真感光体の作製と表８に示す条件でドライエ
ッチング処理をおこなった。

【０１１７】その後、再び表７に示す条件で、電子写真
感光体の作製と表８に示すドライエッチング処理をおこ
なう工程までを２０サイクルおこない、２０サイクル後
の円筒状反応容器１０１の内部の『残渣の量』と『オイ
ルの劣化状態』とを後述する評価方法により評価した。

【０１１８】その後、再び表７に示す条件で、作製した
電子写真感光体の『表面欠陥』を第１の実施例と同様の
評価方法により評価した。

【０１１９】なお、以上の結果は表９に示す。

【０１２０】

【表７】

【０１２１】

【表８】 『残渣の量』ドライエッチング処理をおこなった後に円
筒状反応容器の内部に残存する残渣の量を目視で観察
し、第３の比較例の結果と比較し、以下のような評価を
おこなった。

【０１２２】◎・・・残渣の量は、大幅に低減している。

【０１２３】○・・・残渣の量は、やや低減している。

【０１２４】△・・・残渣の量は、第３の比較例と同等で
ある。

【０１２５】×・・・残渣の量は、大幅に増加している。
『オイルの劣化状態』ドライエッチング処理後に排気ポ
ンプ内部のオイルの状態を目視で確認し、オイルの汚れ
と、オイルの粘度を粘度測定器で測定した結果を第３の
比較例を基準とし、以下のような評価をおこなった。

【０１２６】◎・・・第３の比較例よりは、オイルの汚れ
も無く、粘度の低下も無い。

【０１２７】○・・・第３の比較例よりは、オイルの汚れ
も少なく、粘度の低下も少ない。

【０１２８】△・・・オイルの汚れ、粘度についても、第
３の比較例と同等である。

【０１２９】×・・・第３の比較例よりも、明らかにオイ
ルが汚れており、粘度低下が著しい。 『総合評価』『表面欠陥』、『残渣の量』、『オイルの
劣化』のすべての項目について、以下のように評価をお
こなった。

【０１３０】○・・・すべての項目について、効果が有
る。

【０１３１】△・・・１項目でも、効果が無い。

【０１３２】×・・・すべての項目について、効果が無
い。

【０１３３】

【表９】 表９よりあきらかなようにドライエッチング処理用のＡ
ｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、変わった
場合であっても、『残渣の量』、『表面欠陥』、『オイ
ルの劣化』の全ての項目について、良好な効果を得られ
ることが分かった。 （第４の実施例）図１に示すＲＦプラズマＣＶＤ法によ
る堆積膜形成装置を用いて、堆積膜形成用のＡｌ製円筒
状基体１０２の直径φｄｘ＝４０ｍｍであるものを円筒
状反応容器１０１内部の所定の位置に設置し、表１０に
示す条件で、図４に示すように基体４０１上に電荷注入
阻止層４０２、電荷発生層４０３ａと電荷輸送層４０３
ｂとで構成される光導電層４０３、表面保護層４０４か
らなる層構成の電子写真感光体を作製した。

【０１３４】その後、作製した電子写真感光体を円筒状
反応容器１０１から取り出し、ドライエッチング処理用
のＡｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、堆積
膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘに対し
て、０．６倍である２４ｍｍであるものを円筒状反応容
器１０１内部の所定の位置に設置し、表１１に示す条件
でドライエッチング処理をおこなった。

【０１３５】その後、再び表１０に示す条件で電子写真
感光体を作製と表１１に示す条件でドライエッチング処
理をおこなう工程を２０サイクルおこない、２０サイク
ル後の円筒状反応容器１０１の内部の『残渣の量』と
『オイルの劣化状態』とを第３の実施例と同様の評価方
法により評価した。

【０１３６】その後、再び表１０に示す条件で、作製し
た電子写真感光体の『表面欠陥』を第１の実施例と同様
の評価方法により評価した。

【０１３７】また、第３の比較例の結果を比較例とし
た。

【０１３８】

【表１０】

【０１３９】

【表１１】 作製する電子写真感光体の層構成を変えた場合であって
も、『ドライエッチング処理時間』、『表面欠陥』、
『残渣の量』の全ての項目について、第３の実施例と同
様の効果を示すことが分かった。 （第５の実施例）図１に示すＲＦ電源１０６とＲＦマッ
チングボックス１０７をＶＨＦ電源とＶＨＦマッチング
ボックスに交換することで得られるＶＨＦプラズマＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成装置を用いて、堆積膜形成用のＡ
ｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘ＝８０ｍｍであるも
のを円筒状反応容器１０１内部の所定の位置に設置し、
表１２に示す条件で、図３に示すように基体３０１上に
電荷注入阻止層３０２、光導電層３０３、表面保護層３
０４からなる層構成の電子写真感光体を作製した。

【０１４０】その後、作製した電子写真感光体を円筒状
反応容器１０１から取り出し、ドライエッチング処理用
のＡｌ製円筒状ダミー基体２０２の直径φｄｙが、堆積
膜形成用のＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘに対し
て、０．５倍である４０ｍｍであるものを円筒状反応容
器１０１内部の所定の位置に設置し、表１３に示す条件
でドライエッチング処理をおこなった。

【０１４１】その後、再び表１２に示す条件で、電子写
真感光体の作製と表１３に示す条件でドライエッチング
処理をおこなう工程を２０サイクルおこない、２０サイ
クル後の円筒状反応容器１０１の内部の『残渣の量』と
『オイルの劣化状態』を第３の実施例と同様の評価方法
により評価した。

【０１４２】その後、再び表１２に示す条件で、作製し
た電子写真感光体の『表面欠陥』を後述する評価方法に
より評価した。

【０１４３】また、第３の比較例の結果を比較例とし
た。

【０１４４】

【表１２】

【０１４５】

【表１３】 高周波電力が異なる場合であっても、『残渣の量』、
『表面欠陥』、『オイルの劣化』の全ての項目につい
て、第３の実施例と同様の良好な結果を示すことが分か
った。

【０１４６】よって、本発明は品質面の向上だけでな
く、製造コストの低減を図るためにも有効な手段である
ことを確認できた。

【０１４７】

【発明の効果】本発明によれば、堆積膜形成用円筒状基
体の直径φｄｘより小さい、さらに好ましくはφｄｘ×
０．５≦φｄｙ＜φｄｘの範囲の直径φｄｙのクリーニ
ング処理用円筒状基体を反応容器内に設置してからドラ
イエッチングにより反応容器内をクリーニング処理を行
う。このため、反応空間が広くなるので、反応空間内に
導入されたドライエッチング原料ガスの流速が低下し、
ドライエッチング原料ガスの対流時間が長くなる。これ
により、プラズマ強度とのバランスが最適な状態でクリ
ーニング処理を行うことができ、よって、ドライエッチ
ング処理後に円筒状反応容器の内部に残存する残渣の量
を大幅に低減できる品質面の向上効果だけでなく、ドラ
イエッチング処理時間の短縮や、排気系への負荷を低減
による製造コストの低減効果も同時に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の堆積膜形成装置の一例の概略縦断面図
である。

【図２】本発明の堆積膜形成装置のＤＥ処理に用いられ
るＡｌ製円筒状ダミー基体の概略側断面図である。

【図３】電子写真感光体の層構成を示す概略図である。

【図４】光導電層が電荷発生層および電荷輸送層からな
る電子写真感光体の層構成を示す概略図である。

【符号の説明】

１０１ 円筒状反応容器 １０２ Ａｌ製円筒状基体 １０３ 円筒状基体ホルダ １０４ 加熱用ヒータ １０５ ガス導入管 １０６ ＲＦ電源 １０７ ＲＦマッチングボックス １０８ 排気配管 １０９、１１０ バルブ １１１ Ａｌ製円筒状ダミー基体 １２１〜１２６ 堆積膜形成用原料ガスボンベ １２７〜１２８ ドライエッチング用原料ガスボンベ １３１〜１３６ 堆積膜形成用原料ガスボンベバルブ １３７〜１３８ ドライエッチング用原料ガスボンベ
バルブ １４１〜１４６ 堆積膜形成用原料ガス流入バルブ １４７〜１４８ ドライエッチング用原料ガス流入バ
ルブ １５１〜１５６ 堆積膜形成用原料ガス流出バルブ １５７〜１５８ ドライエッチング用原料ガス流出バ
ルブ １６１〜１６８ マスフローコントローラ １９１ 堆積装置 １９２ 原料ガス供給装置 １９３ 排気装置 ２０２ Ａｌ製円筒状ダミー基体 ３０１、４０１ 基体 ３０２、４０２ 電荷注入阻止層 ３０３、４０３ 光導電層 ３０４、４０４ 表面保護層 ４０３ａ 電荷発生層 ４０３ｂ 電荷輸送層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片桐 宏之 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 唐木 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 櫃石 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H068 DA23 EA24 EA30 4G075 AA24 AA30 AA45 AA61 BA01 BA05 BB10 BC04 BC06 CA02 CA15 CA47 CA57 CA62 CA65 DA02 DA18 EA01 EA05 EB01 EB41 EC01 EC06 EC13 EC21 EE02 EE36 FB02 FC07 FC09 FC11 4K030 BA30 CA02 DA06 FA01 JA01 KA05 LA17 5F004 AA15 BA04 BB16 BD04 CA02 CA03 FA01 FA08

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧可能で、電極を兼ねた円筒形状の反
   応容器と、前記反応容器内を排気する排気部とを有す
   る、プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する堆積膜形
   成装置を用い、前記反応容器内に原料ガスおよび放電電
   力を導入し、前記放電電力によって前記原料ガスを分解
   して、前記反応容器内に設置された電極を兼ねた堆積膜
   形成用円筒状基体の表面上に機能性堆積膜を形成した後
   の前記反応容器内のクリーニング処理方法において、 前記反応容器内をクリーニングする際、前記堆積膜形成
   用円筒状基体の直径φｄｘより小さい直径φｄｙの、電
   極を兼ねるクリーニング処理用円筒状基体を前記堆積膜
   形成用円筒状基体の代わりに前記反応容器内に設置し、
   ドライエッチング処理を行う工程を含むことを特徴とす
   る堆積膜形成装置のクリーニング処理方法。
2. 【請求項２】 減圧可能で、電極を兼ねた円筒形状の反
   応容器と、前記反応容器内を排気する排気部とを有す
   る、プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成する堆積膜形
   成装置を用い、前記反応容器内に原料ガスおよび放電電
   力を導入し、前記放電電力によって前記原料ガスを分解
   して、前記反応容器内に設置された電極を兼ねた堆積膜
   形成用円筒状基体の表面上に機能性堆積膜を形成した後
   の前記反応容器内のクリーニング処理方法に用いられる
   クリーニング処理用円筒状基体であって、 直径φｄｙが、前記堆積膜形成用円筒状基体の直径φｄ
   ｘより小さいことを特徴とするクリーニング処理用円筒
   状基体。
3. 【請求項３】 前記直径φｄｙが、φｄｘ×０．５≦φ
   ｄｙ＜φｄｘの範囲を満たす請求項２に記載のクリーニ
   ング処理用円筒状基体。
4. 【請求項４】 請求項１に記載のクリーニング処理方法
   によりクリーニングされた前記反応容器内でプラズマＣ
   ＶＤ法により形成された機能性堆積膜であって、 シリコンを母材とする非晶質材料からなる光受容部材が
   形成されていることを特徴とする機能性堆積膜。
5. 【請求項５】 請求項２または３に記載のクリーニング
   処理用円筒状基体によりクリーニングされた前記反応容
   器内でプラズマＣＶＤ法により形成された機能性堆積膜
   であって、 シリコンを母材とする非晶質材料からなる光受容部材が
   形成されていることを特徴とする機能性堆積膜。