JP2002311594A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 （ａ）フェノール系ポリマー、
（ｂ）１００℃以上の温度でスルホン酸を発生する化合物、
（ｃ）２個以上のベンゼン環を有し、酸の作用により上記ポリマーと架橋しうるフェノール系酸架橋剤及び
（ｄ）溶剤
を含むことを特徴とするシリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物。
【請求項２】 フェノール系ポリマーがノボラック樹脂、又はポリビニルフェノール部位を有する単独ポリマー又は共重合ポリマーから選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のシリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物。
【請求項３】 スルホン酸を発生する化合物が、スルホン酸の２級又は３級アルコールエステル及びスルホン酸のヨードニウム塩から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物。
【請求項４】 さらに含窒素化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物。
【請求項５】 さらに界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物。
【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載のシリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、更にその上に上層レジスト膜を形成し、露光、現像、エッチングすることを特徴とするパターン形成方法。
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