JP2002310831A - 半導体センサ - Google Patents
半導体センサInfo
- Publication number
- JP2002310831A JP2002310831A JP2001121417A JP2001121417A JP2002310831A JP 2002310831 A JP2002310831 A JP 2002310831A JP 2001121417 A JP2001121417 A JP 2001121417A JP 2001121417 A JP2001121417 A JP 2001121417A JP 2002310831 A JP2002310831 A JP 2002310831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- glass pedestal
- temperature
- soi substrate
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体センサにおいて、その温度特性を改善
した構造を提供すること。 【解決手段】 ガラス台座には、少なくとも半導体式圧
力センサの使用温度範囲において、温度変化に対するそ
の線膨張係数の変化量がＳＯＩ基板の同変化量とほぼ同
等である材質を用いている。それによって、少なくとも
半導体式圧力センサの使用温度範囲において温度が変化
しても、ＳＯＩ基板とガラス台座との変形量がほぼ均一
になるため、温度変化によるオフセット出力の変動を防
止することができる。
した構造を提供すること。 【解決手段】 ガラス台座には、少なくとも半導体式圧
力センサの使用温度範囲において、温度変化に対するそ
の線膨張係数の変化量がＳＯＩ基板の同変化量とほぼ同
等である材質を用いている。それによって、少なくとも
半導体式圧力センサの使用温度範囲において温度が変化
しても、ＳＯＩ基板とガラス台座との変形量がほぼ均一
になるため、温度変化によるオフセット出力の変動を防
止することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体センサに関
するもので、特にその温度特性を改善した構造に関す
る。
するもので、特にその温度特性を改善した構造に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体センサにおいて、シリコンよ
りなる半導体基板の表面に、印加力学量に応じて抵抗値
が変化するピエゾ抵抗素子が複数個形成され、半導体基
板の裏面に、異方性エッチングなどを施すことにより凹
部が形成され、さらに、このような半導体基板を、陽極
接合によりガラス台座と接合したものがある。
りなる半導体基板の表面に、印加力学量に応じて抵抗値
が変化するピエゾ抵抗素子が複数個形成され、半導体基
板の裏面に、異方性エッチングなどを施すことにより凹
部が形成され、さらに、このような半導体基板を、陽極
接合によりガラス台座と接合したものがある。
【０００３】ところが、このような半導体センサの使用
温度が、例えば、高温から低温に変化した場合、半導体
基板及びガラス台座は収縮するが、半導体基板とガラス
台座との線膨張係数差により、半導体基板とガラス台座
との収縮量が異なるため、半導体基板とガラス台座との
接合部に応力が発生してしまう。
温度が、例えば、高温から低温に変化した場合、半導体
基板及びガラス台座は収縮するが、半導体基板とガラス
台座との線膨張係数差により、半導体基板とガラス台座
との収縮量が異なるため、半導体基板とガラス台座との
接合部に応力が発生してしまう。
【０００４】それによって、発生した応力がそれぞれの
ピエゾ抵抗素子へ伝わってしまい、半導体センサに力学
量が印加されていないにも関わらず出力が導出されてし
まうという問題があった。
ピエゾ抵抗素子へ伝わってしまい、半導体センサに力学
量が印加されていないにも関わらず出力が導出されてし
まうという問題があった。
【０００５】そこで、図４に示されるように、ガラス台
座に、半導体基板を形成するシリコンの線膨張係数とほ
ぼ近似した線膨張係数を有する材質を用いることによっ
て、上記問題点を解決していた。
座に、半導体基板を形成するシリコンの線膨張係数とほ
ぼ近似した線膨張係数を有する材質を用いることによっ
て、上記問題点を解決していた。
【０００６】上述のような構造にしたことにより、半導
体基板とガラス台座との収縮量がほぼ同等になるため、
半導体センサの使用温度の変化により発生する応力を低
減することができ、それによって、オフセット出力を低
減していた。
体基板とガラス台座との収縮量がほぼ同等になるため、
半導体センサの使用温度の変化により発生する応力を低
減することができ、それによって、オフセット出力を低
減していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示され
るように、上記従来技術に用いられているガラスの材質
は、その線膨張係数とシリコンの線膨張係数との差が温
度変化によって不均一になっているため、半導体基板と
ガラス台座との変形量が温度変化によって異なり、オフ
セット出力が変動してしまうという問題がある。
るように、上記従来技術に用いられているガラスの材質
は、その線膨張係数とシリコンの線膨張係数との差が温
度変化によって不均一になっているため、半導体基板と
ガラス台座との変形量が温度変化によって異なり、オフ
セット出力が変動してしまうという問題がある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、温度特性を改善した半導体センサの構造を提供する
ことにある。
み、温度特性を改善した半導体センサの構造を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
センサは、半導体基板と、半導体基板に接合された台座
部とを備えた半導体センサにおいて、台座部には、少な
くとも半導体センサの使用温度範囲において、温度変化
に対するその線膨張係数の変化量が半導体基板の同変化
量と略同等である材質を用いたことを特徴としている。
センサは、半導体基板と、半導体基板に接合された台座
部とを備えた半導体センサにおいて、台座部には、少な
くとも半導体センサの使用温度範囲において、温度変化
に対するその線膨張係数の変化量が半導体基板の同変化
量と略同等である材質を用いたことを特徴としている。
【００１０】請求項１に記載の発明によれば、少なくと
も半導体センサの使用温度範囲において温度が変化して
も、半導体基板と台座部との変形量はほぼ均一になるた
め、温度変化によるオフセット出力の変動を防止するこ
とができる。
も半導体センサの使用温度範囲において温度が変化して
も、半導体基板と台座部との変形量はほぼ均一になるた
め、温度変化によるオフセット出力の変動を防止するこ
とができる。
【００１１】請求項２に記載の半導体センサは、請求項
１に記載の半導体センサの使用温度範囲が、少なくとも
−４０〜＋１５０℃であることを特徴としている。
１に記載の半導体センサの使用温度範囲が、少なくとも
−４０〜＋１５０℃であることを特徴としている。
【００１２】本発明の半導体センサは車載用に多く用い
られるが、車載内部におけるセンサの搭載位置の温度範
囲は、一般的に−４０〜＋１５０℃であるため、請求項
２に記載の発明によれば、センサ搭載位置の温度変化に
よるオフセット出力の変動を防止することができる。
られるが、車載内部におけるセンサの搭載位置の温度範
囲は、一般的に−４０〜＋１５０℃であるため、請求項
２に記載の発明によれば、センサ搭載位置の温度変化に
よるオフセット出力の変動を防止することができる。
【００１３】請求項３に記載の半導体センサは、半導体
基板の厚さに対する台座部の厚さの比は２．５以下とす
ることを特徴としている。
基板の厚さに対する台座部の厚さの比は２．５以下とす
ることを特徴としている。
【００１４】請求項３に記載の発明によれば、台座部の
剛力を小さくすることができるため、オフセット出力を
低減することができる。
剛力を小さくすることができるため、オフセット出力を
低減することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体式圧力セン
サに適用した一実施形態を、図面に従って説明する。
サに適用した一実施形態を、図面に従って説明する。
【００１６】尚、本実施形態の半導体式圧力センサは、
例えば、車輌用のエンジンにおけるインテークマニホー
ルド内の吸入空気の圧力を検出するために用いられる。
例えば、車輌用のエンジンにおけるインテークマニホー
ルド内の吸入空気の圧力を検出するために用いられる。
【００１７】図１には、本実施形態の半導体式圧力セン
サの断面構造を示す。
サの断面構造を示す。
【００１８】まず、図１に示されるように、本実施形態
では、半導体基板として、シリコンにより形成された第
１の半導体層１ａ（ＳＯＩ層）と、同様にシリコンによ
り形成された第２の半導体層１ｂと、第１の半導体層１
ａと第２の半導体層１ｂとの間に形成された埋め込み酸
化膜１ｃとを有するＳＯＩ基板１を用いている。
では、半導体基板として、シリコンにより形成された第
１の半導体層１ａ（ＳＯＩ層）と、同様にシリコンによ
り形成された第２の半導体層１ｂと、第１の半導体層１
ａと第２の半導体層１ｂとの間に形成された埋め込み酸
化膜１ｃとを有するＳＯＩ基板１を用いている。
【００１９】第２の半導体層１ｂの中央部には凹部２が
形成され、それによって、平面形状が四角形の薄肉部３
が形成されるとともに、その周囲の四角枠部が厚肉部４
となっている。
形成され、それによって、平面形状が四角形の薄肉部３
が形成されるとともに、その周囲の四角枠部が厚肉部４
となっている。
【００２０】この薄肉部３がダイアフラムとなり、この
薄肉部３よりなるダイアフラムに圧力が印加されると歪
みが生じる。
薄肉部３よりなるダイアフラムに圧力が印加されると歪
みが生じる。
【００２１】尚、この薄肉部３は、例えば、ＳＯＩ基板
１の裏面（第２の半導体層１ｂ側）に所定のパターンの
マスクを形成し、ＫＯＨ（水酸化カリウム）などのエッ
チング液を用いて異方性エッチングを行い、凹部２を形
成することにより形成される。
１の裏面（第２の半導体層１ｂ側）に所定のパターンの
マスクを形成し、ＫＯＨ（水酸化カリウム）などのエッ
チング液を用いて異方性エッチングを行い、凹部２を形
成することにより形成される。
【００２２】ＳＯＩ基板１の薄肉部３の表面（第１の半
導体層１ａ側）には、薄肉部３の歪みに応じてその抵抗
値が変化する歪みゲージとしてのピエゾ抵抗素子５、６
が、拡散やイオン注入などの半導体プロセスを用いて、
例えば、ボロンなどのＰ型不純物によって形成されてい
る。
導体層１ａ側）には、薄肉部３の歪みに応じてその抵抗
値が変化する歪みゲージとしてのピエゾ抵抗素子５、６
が、拡散やイオン注入などの半導体プロセスを用いて、
例えば、ボロンなどのＰ型不純物によって形成されてい
る。
【００２３】また、第１の半導体層１ａの所定領域には
トレンチ７が形成され、このトレンチ７には、ＳｉＯ2
８が充填されており、ＳＯＩ基板１の表面（第１の半導
体層１ａ側）には、順に、絶縁酸化膜９、アルミ配線１
０、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜よりなる保護膜１
１が形成されている。
トレンチ７が形成され、このトレンチ７には、ＳｉＯ2
８が充填されており、ＳＯＩ基板１の表面（第１の半導
体層１ａ側）には、順に、絶縁酸化膜９、アルミ配線１
０、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜よりなる保護膜１
１が形成されている。
【００２４】さらに、ＳＯＩ基板１の下部には、陽極接
合によってガラス台座１２が接合され、それによって、
ＳＯＩ基板１はガラス台座１２に支持された状態となっ
ている。
合によってガラス台座１２が接合され、それによって、
ＳＯＩ基板１はガラス台座１２に支持された状態となっ
ている。
【００２５】この際に、図２に示されるように、従来技
術では、ガラス台座１２に用いられている材質は、その
線膨張係数とシリコンの線膨張係数との差が温度変化に
よって不均一になっている。
術では、ガラス台座１２に用いられている材質は、その
線膨張係数とシリコンの線膨張係数との差が温度変化に
よって不均一になっている。
【００２６】そのため、ＳＯＩ基板１とガラス台座１２
との変形量が温度変化によって異なり、オフセット出力
が変動してしまうという問題がある。
との変形量が温度変化によって異なり、オフセット出力
が変動してしまうという問題がある。
【００２７】そこで、本実施形態では、図２に示される
ように、ガラス台座１２には、少なくとも半導体式圧力
センサの使用温度範囲において、温度変化に対するその
線膨張係数の変化量がＳＯＩ基板１の同変化量とほぼ同
等である材質を用いている。
ように、ガラス台座１２には、少なくとも半導体式圧力
センサの使用温度範囲において、温度変化に対するその
線膨張係数の変化量がＳＯＩ基板１の同変化量とほぼ同
等である材質を用いている。
【００２８】それによって、少なくとも半導体式圧力セ
ンサの使用温度範囲において温度が変化しても、ＳＯＩ
基板１とガラス台座１２との変形量がほぼ均一になるた
め、温度変化によるオフセット出力の変動を防止するこ
とができる。
ンサの使用温度範囲において温度が変化しても、ＳＯＩ
基板１とガラス台座１２との変形量がほぼ均一になるた
め、温度変化によるオフセット出力の変動を防止するこ
とができる。
【００２９】さらに、本実施形態では、半導体基板とし
てＳＯＩ基板１を用いているため、図２に示される従来
技術に用いられているような、シリコンの線膨張係数と
ほぼ近似した線膨張係数を有する材質をガラス台座１２
に用いると、センサの温度特性が悪化するという問題が
ある。
てＳＯＩ基板１を用いているため、図２に示される従来
技術に用いられているような、シリコンの線膨張係数と
ほぼ近似した線膨張係数を有する材質をガラス台座１２
に用いると、センサの温度特性が悪化するという問題が
ある。
【００３０】具体的に説明すると、ＳＯＩ基板１は、第
１の半導体層１ａと埋め込み酸化膜１ｃ及び第２の半導
体層１ｂとを接合する工程において、湾曲形状（図１中
において上側に凸）に反ってしまう。
１の半導体層１ａと埋め込み酸化膜１ｃ及び第２の半導
体層１ｂとを接合する工程において、湾曲形状（図１中
において上側に凸）に反ってしまう。
【００３１】その原因として、この接合工程は、１１０
０℃程度の高温状態で行われるため、接合工程を施した
後に室温状態に戻すと、シリコンよりなる半導体層１
ａ、１ｂと埋め込み酸化膜１ｃとの線膨張係数の差によ
って、ＳＯＩ基板１は湾曲形状に反ってしまうからであ
る。
０℃程度の高温状態で行われるため、接合工程を施した
後に室温状態に戻すと、シリコンよりなる半導体層１
ａ、１ｂと埋め込み酸化膜１ｃとの線膨張係数の差によ
って、ＳＯＩ基板１は湾曲形状に反ってしまうからであ
る。
【００３２】そして、このように湾曲形状に反ったＳＯ
Ｉ基板１を、陽極接合によってガラス台座１２と接合す
ると、ＳＯＩ基板１の反りは低減するが、これと同時
に、ＳＯＩ基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗素子５
〜８も変形するため、誤差が発生してしまう。
Ｉ基板１を、陽極接合によってガラス台座１２と接合す
ると、ＳＯＩ基板１の反りは低減するが、これと同時
に、ＳＯＩ基板１の表面に形成されたピエゾ抵抗素子５
〜８も変形するため、誤差が発生してしまう。
【００３３】その後、３５０℃程度の高温状態から室温
状態に戻すと、従来技術では、ガラス台座１２に、シリ
コンの線膨張係数とほぼ近似した線膨張係数を有する材
質を用いているので、それによって、ＳＯＩ基板１とガ
ラス台座１２との収縮量がほぼ同等になるため、ＳＯＩ
基板１及びガラス台座１２は変形せず、ピエゾ抵抗素子
５〜８も変形しない。
状態に戻すと、従来技術では、ガラス台座１２に、シリ
コンの線膨張係数とほぼ近似した線膨張係数を有する材
質を用いているので、それによって、ＳＯＩ基板１とガ
ラス台座１２との収縮量がほぼ同等になるため、ＳＯＩ
基板１及びガラス台座１２は変形せず、ピエゾ抵抗素子
５〜８も変形しない。
【００３４】即ち、陽極接合前には、ピエゾ抵抗素子５
〜８は湾曲形状に反っているが、陽極接合後に高温状態
から室温状態に戻すと、ピエゾ抵抗素子５〜８の形状は
平坦になっている。
〜８は湾曲形状に反っているが、陽極接合後に高温状態
から室温状態に戻すと、ピエゾ抵抗素子５〜８の形状は
平坦になっている。
【００３５】それによって、温度変化によるピエゾ抵抗
素子５、６の特性が悪化してしまい、センサの温度特性
も悪化してしまう。
素子５、６の特性が悪化してしまい、センサの温度特性
も悪化してしまう。
【００３６】そこで、本実施形態では、図２に示される
ように、少なくとも半導体式圧力センサの使用温度範囲
において、ガラス台座１２の線膨張係数が、ＳＯＩ基板
１の線膨張係数よりも上側の領域にかい離がある材質を
用いている。
ように、少なくとも半導体式圧力センサの使用温度範囲
において、ガラス台座１２の線膨張係数が、ＳＯＩ基板
１の線膨張係数よりも上側の領域にかい離がある材質を
用いている。
【００３７】それにより、陽極接合後に高温状態から室
温状態に戻すと、ＳＯＩ基板１とガラス台座１２との線
膨張係数には差分が生じるため、ＳＯＩ基板１及びガラ
ス台座１２は変形し、これと同時にピエゾ抵抗素子５〜
８も変形する。
温状態に戻すと、ＳＯＩ基板１とガラス台座１２との線
膨張係数には差分が生じるため、ＳＯＩ基板１及びガラ
ス台座１２は変形し、これと同時にピエゾ抵抗素子５〜
８も変形する。
【００３８】よって、陽極接合後に高温状態から室温状
態に戻すことにより、ＳＯＩ基板１及びガラス台座１２
が変形しても、ガラス台座１２の線膨張係数がＳＯＩ基
板１の線膨張係数よりも大きいので、ピエゾ抵抗素子５
〜８は陽極接合前の形状に戻ったと考えることができる
ため、センサの温度特性を向上させることができる。
態に戻すことにより、ＳＯＩ基板１及びガラス台座１２
が変形しても、ガラス台座１２の線膨張係数がＳＯＩ基
板１の線膨張係数よりも大きいので、ピエゾ抵抗素子５
〜８は陽極接合前の形状に戻ったと考えることができる
ため、センサの温度特性を向上させることができる。
【００３９】尚、本実施形態の半導体センサは車載用に
多く用いられるが、車載内部におけるセンサ搭載位置の
温度範囲は、一般的に−４０〜＋１５０℃である。
多く用いられるが、車載内部におけるセンサ搭載位置の
温度範囲は、一般的に−４０〜＋１５０℃である。
【００４０】そこで、少なくとも−４０〜＋１５０℃に
おいて、上述のような特性を満たすようにすれば、セン
サ搭載位置の温度変化によるオフセット出力の変動を防
止することができる。
おいて、上述のような特性を満たすようにすれば、セン
サ搭載位置の温度変化によるオフセット出力の変動を防
止することができる。
【００４１】さらに、本実施形態の半導体式圧力センサ
は、ＳＯＩ基板１の厚さに対するガラス台座１２の厚さ
の比を２．５以下にしており、以下その効果を説明す
る。
は、ＳＯＩ基板１の厚さに対するガラス台座１２の厚さ
の比を２．５以下にしており、以下その効果を説明す
る。
【００４２】具体的には、本実施形態では、ＳＯＩ基板
１の厚さを４００μｍとしており、ガラス台座の厚さを
１ｍｍ以下にしている。
１の厚さを４００μｍとしており、ガラス台座の厚さを
１ｍｍ以下にしている。
【００４３】ガラス台座１２を厚くすると、ガラス台座
１２の剛力が大きくなってしまうので、上記陽極接合工
程を施した後に室温状態に戻しても、ＳＯＩ基板１及び
ガラス台座１２は変形しないため、ガラス台座１２の厚
さに応じてオフセット出力は増加してしまう。
１２の剛力が大きくなってしまうので、上記陽極接合工
程を施した後に室温状態に戻しても、ＳＯＩ基板１及び
ガラス台座１２は変形しないため、ガラス台座１２の厚
さに応じてオフセット出力は増加してしまう。
【００４４】そこで、ＳＯＩ基板１の厚さに対するガラ
ス台座１２の厚さの比を２．５以下にしたことにより、
オフセット出力を低減することができ、図３に示される
ように、電子制御装置（ＥＣＵ）におけるＴＮＯの許容
範囲を満たすことができる。
ス台座１２の厚さの比を２．５以下にしたことにより、
オフセット出力を低減することができ、図３に示される
ように、電子制御装置（ＥＣＵ）におけるＴＮＯの許容
範囲を満たすことができる。
【００４５】尚、ＴＮＯとは、測定温度おけるオフセッ
ト出力から室温状態におけるオフセット出力を引いた値
を示すものであり、このＴＮＯの値により、温度変化に
よるオフセット出力の変化量が分かる。
ト出力から室温状態におけるオフセット出力を引いた値
を示すものであり、このＴＮＯの値により、温度変化に
よるオフセット出力の変化量が分かる。
【００４６】尚、本発明は、上記実施形態に限られるも
のではなく、様々な態様に適用可能である。
のではなく、様々な態様に適用可能である。
【００４７】例えば、本発明は、本実施形態のような半
導体式圧力センサに限らず、加速度センサなどのような
他の力学量センサにも応用可能である。
導体式圧力センサに限らず、加速度センサなどのような
他の力学量センサにも応用可能である。
【００４８】また、本実施形態では、半導体基板として
ＳＯＩ基板を用いたが、他の半導体基板を用いても同様
の効果を得ることができる。
ＳＯＩ基板を用いたが、他の半導体基板を用いても同様
の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の半導体式圧力センサの断面構造を
示す図である。
示す図である。
【図２】本実施形態及び従来技術に用いられているガラ
ス台座の材質とシリコンとの温度変化のよる線膨張係数
の変化を示すグラフである。
ス台座の材質とシリコンとの温度変化のよる線膨張係数
の変化を示すグラフである。
【図３】本実施形態のガラス台座の厚さ及びＳＯＩ基板
に対するガラス台座の厚さの比とＴＮＯとの関係を表す
グラフである。
に対するガラス台座の厚さの比とＴＮＯとの関係を表す
グラフである。
【図４】従来技術に用いられているガラス台座の材料と
シリコンとの温度変化のよる線膨張係数の変化を示すグ
ラフである。
シリコンとの温度変化のよる線膨張係数の変化を示すグ
ラフである。
１…ＳＯＩ基板、 １ａ…第１の半導体層、 １ｂ…第２の半導体層、 １ｃ…埋め込み酸化膜、 ２…凹部、 ３…薄肉部、 ４…厚肉部、 ５、６…ピエゾ抵抗素子、 ７…トレンチ、 ８…ＳｉＯ2、 ９…絶縁酸化膜、 １０…アルミ配線、 １１…保護膜、 １２…ガラス台座、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2F055 AA22 BB03 CC02 DD05 EE14 FF01 FF13 GG49 4M112 AA01 AA02 BA01 CA03 CA08 CA14 CA15 DA04 EA03 EA06 EA11 EA13 FA03 FA08
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と、前記半導体基板に接合さ
れた台座部とを備えた半導体センサにおいて、 前記台座部には、少なくとも前記半導体センサの使用温
度範囲において、温度変化に対するその線膨張係数の変
化量が前記半導体基板の同変化量と略同等である材質を
用いたことを特徴とする半導体センサ。 - 【請求項２】 前記半導体センサの使用温度範囲が、少
なくとも−４０〜＋１５０℃であることを特徴とする請
求項１に記載の半導体センサ。 - 【請求項３】 前記半導体基板の厚さに対する前記台座
部の厚さの比は２．５以下とすることを特徴とする請求
項１または２に記載の半導体センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001121417A JP2002310831A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 半導体センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001121417A JP2002310831A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 半導体センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002310831A true JP2002310831A (ja) | 2002-10-23 |
| JP2002310831A5 JP2002310831A5 (ja) | 2007-08-23 |
Family
ID=18971298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001121417A Pending JP2002310831A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | 半導体センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002310831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5220866B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-06-26 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサ |
| US9546918B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Sensor element, force detection device, robot, electronic component transport device, electronic component inspection device, and component processing device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269630A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH04114478A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH08293616A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nagano Keiki Seisakusho Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH1022511A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JP2000162068A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの構造 |
-
2001
- 2001-04-19 JP JP2001121417A patent/JP2002310831A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269630A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH04114478A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH08293616A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nagano Keiki Seisakusho Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH1022511A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JP2000162068A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの構造 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5220866B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-06-26 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサ |
| US9546918B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-01-17 | Seiko Epson Corporation | Sensor element, force detection device, robot, electronic component transport device, electronic component inspection device, and component processing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4916449B2 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| KR20080035943A (ko) | 반도체 감왜 센서 | |
| JP2000340805A (ja) | 電子部品および製造方法 | |
| JP2002310831A (ja) | 半導体センサ | |
| WO2017002306A1 (ja) | 圧力センサ | |
| JPS63308390A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP2002286567A (ja) | ダイアフラムセンサ | |
| TWI646597B (zh) | Method for manufacturing piezoresistive pressure sensor and piezoresistive pressure sensor | |
| JP3427462B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP2001208628A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2007033304A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JPH10160606A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP5949573B2 (ja) | 物理量センサの製造方法 | |
| JPH11108783A (ja) | 静電容量型圧力センサ及びその固定構造 | |
| JP4178585B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP5139759B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3493885B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JPH1074957A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH05343705A (ja) | Ｓｏｉ基板を用いた圧力センサ | |
| JP2004069596A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP6908355B2 (ja) | 応力センサ | |
| JP2022153957A (ja) | 半導体圧力センサ及び圧力センサ装置 | |
| JP2006145462A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH1074956A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP2001174352A (ja) | 圧力／温度センサ及び圧力／温度複合検出素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070608 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070608 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100119 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100120 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100420 |