JP2002307607A - 薄膜積層体 - Google Patents
薄膜積層体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定厚さでかつ均一厚さの磁性薄膜と干渉
層、虹彩層やホログラム層等の装飾性薄膜を積層した偽
造防止や包装材や装飾材、表記材料等に使用できるとこ
ろの薄膜積層体を提供する。 【手段】 高分子フイルムからなる基材（Ａ）の少なく
とも片面に、蒸着積層された膜厚さが１２００Å〜１μ
ｍの磁性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄膜（Ｃ）とを積層した
ことを特徴とする薄膜積層体および該フイルムをスリッ
トした糸状体または該フイルムからの箔粉等の細断体。
層、虹彩層やホログラム層等の装飾性薄膜を積層した偽
造防止や包装材や装飾材、表記材料等に使用できるとこ
ろの薄膜積層体を提供する。 【手段】 高分子フイルムからなる基材（Ａ）の少なく
とも片面に、蒸着積層された膜厚さが１２００Å〜１μ
ｍの磁性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄膜（Ｃ）とを積層した
ことを特徴とする薄膜積層体および該フイルムをスリッ
トした糸状体または該フイルムからの箔粉等の細断体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子フイルムか
らなる基材の少なくとも片面に、膜厚さが１２００Å〜
１μｍの磁性薄膜と虹彩層やホログラム層等の装飾性薄
膜を積層した偽造防止等に使用できるセンサーや電磁遮
蔽包装材や装飾材やインキ等の表記材料等に使用できる
ところの薄膜積層体に関するものである。
らなる基材の少なくとも片面に、膜厚さが１２００Å〜
１μｍの磁性薄膜と虹彩層やホログラム層等の装飾性薄
膜を積層した偽造防止等に使用できるセンサーや電磁遮
蔽包装材や装飾材やインキ等の表記材料等に使用できる
ところの薄膜積層体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、透明ポリエステルフイルム等の透
明フイルム基材上に、アルミニウム等の金属薄膜を蒸着
等で積層した薄膜積層体は、包装材、装飾材等としてよ
く知られている。これらの金属薄膜等である薄膜の実質
的な厚さは、高々１０００Åであり、またこれらの技術
を開示した特許公報等には、２０００Å等の厚さも開示
されているが、偽造防止や包装材や装飾材などにおいて
は、１０００Å以上の膜厚さを必要とする場合は殆どな
いものであり、蒸着によってこれらの金属薄膜を１００
０Å以上均一厚さに膜形成することが困難であり、それ
らの２０００Å等の厚さが幅方向において如何なる均一
さを有しているかは開示されていないのものであった。
明フイルム基材上に、アルミニウム等の金属薄膜を蒸着
等で積層した薄膜積層体は、包装材、装飾材等としてよ
く知られている。これらの金属薄膜等である薄膜の実質
的な厚さは、高々１０００Åであり、またこれらの技術
を開示した特許公報等には、２０００Å等の厚さも開示
されているが、偽造防止や包装材や装飾材などにおいて
は、１０００Å以上の膜厚さを必要とする場合は殆どな
いものであり、蒸着によってこれらの金属薄膜を１００
０Å以上均一厚さに膜形成することが困難であり、それ
らの２０００Å等の厚さが幅方向において如何なる均一
さを有しているかは開示されていないのものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属に代表
される薄膜を１２００Å以上１μｍ以下の膜厚さでフイ
ルム上に蒸着形成するときに、一般的に使用される透過
光率制御方式で製造する場合に幅方向は勿論、長さ方向
においても不均一な膜厚さの積層体しか製造することが
できないことを、改良すべき検討を行い、簡便な製造方
法で積層体として膜厚さが均質な、良品質のものでかつ
装飾性にも優れた薄膜積層体となることを見出し、提供
するものである。
される薄膜を１２００Å以上１μｍ以下の膜厚さでフイ
ルム上に蒸着形成するときに、一般的に使用される透過
光率制御方式で製造する場合に幅方向は勿論、長さ方向
においても不均一な膜厚さの積層体しか製造することが
できないことを、改良すべき検討を行い、簡便な製造方
法で積層体として膜厚さが均質な、良品質のものでかつ
装飾性にも優れた薄膜積層体となることを見出し、提供
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、高分子フイル
ムからなる基材（Ａ）に、蒸着によって形成された膜厚
さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄
膜（Ｃ）とを積層したことを特徴とする薄膜積層体であ
り、また前記の薄膜積層体をスリットして得られるスリ
ット糸であり、さらにまた前記の薄膜積層体から得られ
る細断体または箔粉である。
ムからなる基材（Ａ）に、蒸着によって形成された膜厚
さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄
膜（Ｃ）とを積層したことを特徴とする薄膜積層体であ
り、また前記の薄膜積層体をスリットして得られるスリ
ット糸であり、さらにまた前記の薄膜積層体から得られ
る細断体または箔粉である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明における、高分子フイルム
からなる基材（Ａ）としては、磁性薄膜（Ｂ）を形成す
ることのできるものであれば特に限定されるものではな
いが、好ましい例としては、ポリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリアミドフイルム、ポリオレフィンフイ
ルム、フッ素含有樹脂フイルム、ポリアクリル系フイル
ム、ポリカーボネートフイルム等が挙げられる、その中
でも透明性、耐熱性、強度や伸度等の機械的性質などか
ら、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリエチレ
ンナフタレートフイルム等のポリエステルフイルム、ナ
イロン６フイルムやナイロン６６フイルムや芳香族基含
有ポリアミドフイルム等のポリアミドフイルム、ポリプ
ロピレンフイルムやポリエチレンフイルム等のポリオレ
フィンフイルム、ポリイミドフイルム、ポリフェニレン
スルフィッドフイルム等から選ばれた一種以上のフイル
ムが特に好ましいものであり、これらが多層押し出し、
積層等の形態をとってもよいものである。また、これら
のフイルムは、その形成に際しフイルムの加工性、耐候
性、滑り性、難燃性、抗菌性や帯電性などの電気的性質
を改良するために、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、
充填剤、帯電防止剤、難燃剤、抗菌剤、染料等の色材等
を添加せしめてもよく、これらの添加剤を他樹脂等に含
有せしめてフイルム表面に塗布せしめてもよいものであ
り、また予め虹彩層やホログラム加工層を設けたもので
もよい。
からなる基材（Ａ）としては、磁性薄膜（Ｂ）を形成す
ることのできるものであれば特に限定されるものではな
いが、好ましい例としては、ポリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリアミドフイルム、ポリオレフィンフイ
ルム、フッ素含有樹脂フイルム、ポリアクリル系フイル
ム、ポリカーボネートフイルム等が挙げられる、その中
でも透明性、耐熱性、強度や伸度等の機械的性質などか
ら、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポリエチレ
ンナフタレートフイルム等のポリエステルフイルム、ナ
イロン６フイルムやナイロン６６フイルムや芳香族基含
有ポリアミドフイルム等のポリアミドフイルム、ポリプ
ロピレンフイルムやポリエチレンフイルム等のポリオレ
フィンフイルム、ポリイミドフイルム、ポリフェニレン
スルフィッドフイルム等から選ばれた一種以上のフイル
ムが特に好ましいものであり、これらが多層押し出し、
積層等の形態をとってもよいものである。また、これら
のフイルムは、その形成に際しフイルムの加工性、耐候
性、滑り性、難燃性、抗菌性や帯電性などの電気的性質
を改良するために、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、
充填剤、帯電防止剤、難燃剤、抗菌剤、染料等の色材等
を添加せしめてもよく、これらの添加剤を他樹脂等に含
有せしめてフイルム表面に塗布せしめてもよいものであ
り、また予め虹彩層やホログラム加工層を設けたもので
もよい。
【０００６】また、前記フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形
成するにあたり、予め低温プラズマ処理、コロナ処理、
グロー放電処理、前洗浄等の表面清浄化処理等の前処理
を施してもよく、磁性薄膜（Ｂ）と基材フイルムとの密
着性などを向上せしめるために、該基材フイルムの表面
に、アンカーコート層、プライマーコート層等を形成せ
しめてもよいものである。これらのフイルムの厚さとし
ては６〜３００μｍ程度であり好ましくは１０〜２００
μｍである。
成するにあたり、予め低温プラズマ処理、コロナ処理、
グロー放電処理、前洗浄等の表面清浄化処理等の前処理
を施してもよく、磁性薄膜（Ｂ）と基材フイルムとの密
着性などを向上せしめるために、該基材フイルムの表面
に、アンカーコート層、プライマーコート層等を形成せ
しめてもよいものである。これらのフイルムの厚さとし
ては６〜３００μｍ程度であり好ましくは１０〜２００
μｍである。
【０００７】本発明における、磁性薄膜（Ｂ）として
は、蒸着やスパッタリング等の蒸着によって形成せしめ
るものであり、その材料は蒸着やスパッタリングで薄膜
として形成可能であって、１０００Åの厚さで光線透過
率が１％以下となる材料、さらに限定的には１０００Å
の厚さで光線（波長５５０ｎｍ）透過率が０．１％以下
となる材料であって、磁性や導電性等の特殊機能を有す
るものであれば限定されるものではない。この磁性薄膜
（Ｂ）材料としては、好ましくは蒸着やスパッタリング
等によって形成可能な金属やその化合物であり、ニッケ
ル等のように１２００Å以上の厚みとその磁性特性の発
現のように、機能特性（磁性、導電性、電磁波遮蔽性、
特定気体遮断性等）が１２００Å以上の厚みで発現する
ような金属やその化合物である。磁性薄膜（Ｂ）として
は、具体例として例えば、ニッケル、鉄、コバルト、ガ
ドリウム、テルビウム、クロム等の金属およびこれらの
合金や混合物等、または前記金属の酸化物、ハロゲン化
物等の化合物、これらの一種以上からなるものの薄膜が
挙げられる。これらの磁性薄膜（Ｂ）の厚さは１２００
Å〜１μｍが好ましく、さらに好ましくは１２００Å〜
４０００Åである。１２００Åに満たない場合は、機能
特性（磁性、導電性、電磁波遮蔽性、特定気体遮断性
等）が発現し難く、特に他フイルムとの積層や貼合、保
護層の形成等から実際使用時の性能発現が困難であり、
１μｍを超える場合は高分子フイルムからなる基材フイ
ルム（Ａ）が皺やたるみを生じるなど生産上も問題が発
生し易く、経済的にも不利となり、蒸着に依らない方法
で作成可能な場合が多い。
は、蒸着やスパッタリング等の蒸着によって形成せしめ
るものであり、その材料は蒸着やスパッタリングで薄膜
として形成可能であって、１０００Åの厚さで光線透過
率が１％以下となる材料、さらに限定的には１０００Å
の厚さで光線（波長５５０ｎｍ）透過率が０．１％以下
となる材料であって、磁性や導電性等の特殊機能を有す
るものであれば限定されるものではない。この磁性薄膜
（Ｂ）材料としては、好ましくは蒸着やスパッタリング
等によって形成可能な金属やその化合物であり、ニッケ
ル等のように１２００Å以上の厚みとその磁性特性の発
現のように、機能特性（磁性、導電性、電磁波遮蔽性、
特定気体遮断性等）が１２００Å以上の厚みで発現する
ような金属やその化合物である。磁性薄膜（Ｂ）として
は、具体例として例えば、ニッケル、鉄、コバルト、ガ
ドリウム、テルビウム、クロム等の金属およびこれらの
合金や混合物等、または前記金属の酸化物、ハロゲン化
物等の化合物、これらの一種以上からなるものの薄膜が
挙げられる。これらの磁性薄膜（Ｂ）の厚さは１２００
Å〜１μｍが好ましく、さらに好ましくは１２００Å〜
４０００Åである。１２００Åに満たない場合は、機能
特性（磁性、導電性、電磁波遮蔽性、特定気体遮断性
等）が発現し難く、特に他フイルムとの積層や貼合、保
護層の形成等から実際使用時の性能発現が困難であり、
１μｍを超える場合は高分子フイルムからなる基材フイ
ルム（Ａ）が皺やたるみを生じるなど生産上も問題が発
生し易く、経済的にも不利となり、蒸着に依らない方法
で作成可能な場合が多い。
【０００８】本発明においては磁性薄膜（Ｂ）を高分子
フイルムからなる基材フイルム（Ａ）に形成し、さらに
該磁性薄膜（Ｂ）上に別の透明なプラスチック薄膜を積
層することで磁性薄膜（Ｂ）の保護が達成できる。この
別の透明なプラスチック薄膜を積層するには、透明プラ
スチックフイルムを積層するか、透明プラスチック材料
を塗布乾燥するなどの方法が採用できる。この別の透明
なプラスチック薄膜としては、特に限定されないが、例
えばポリエチレンやエチレン系共重合体、ポリプロピレ
ンやポリプロピレン系共重合体、ポリ塩化ビニルやポリ
塩化ビニル系共重合体、ポリ塩化ビニリデンやポリ塩化
ビニリデン系共重合体、ポリビニルアルコールやポリビ
ニルアルコール系共重合体、ポリエチレンテレフタレー
トやポリエチレンテレフタレート系共重合体、ポリテト
ラフルオロエチレン等のフッ素含有樹脂、シリコン樹脂
等のフイルムやこれら樹脂を主成分とするコーテイング
剤からなるものが挙げられ、またこれらフイルムにホロ
グラム加工したり虹彩層を設けたり公知の低屈折率層や
高屈折率層を設けたりしたものが好ましい例として挙げ
られる。
フイルムからなる基材フイルム（Ａ）に形成し、さらに
該磁性薄膜（Ｂ）上に別の透明なプラスチック薄膜を積
層することで磁性薄膜（Ｂ）の保護が達成できる。この
別の透明なプラスチック薄膜を積層するには、透明プラ
スチックフイルムを積層するか、透明プラスチック材料
を塗布乾燥するなどの方法が採用できる。この別の透明
なプラスチック薄膜としては、特に限定されないが、例
えばポリエチレンやエチレン系共重合体、ポリプロピレ
ンやポリプロピレン系共重合体、ポリ塩化ビニルやポリ
塩化ビニル系共重合体、ポリ塩化ビニリデンやポリ塩化
ビニリデン系共重合体、ポリビニルアルコールやポリビ
ニルアルコール系共重合体、ポリエチレンテレフタレー
トやポリエチレンテレフタレート系共重合体、ポリテト
ラフルオロエチレン等のフッ素含有樹脂、シリコン樹脂
等のフイルムやこれら樹脂を主成分とするコーテイング
剤からなるものが挙げられ、またこれらフイルムにホロ
グラム加工したり虹彩層を設けたり公知の低屈折率層や
高屈折率層を設けたりしたものが好ましい例として挙げ
られる。
【０００９】本発明の、高分子フイルムからなる基材
（Ａ）の少なくとも片面に、膜厚さが１２００Å〜１μ
ｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体におい
て、該積層体の幅（横方向）、長さ（縦方向）が共に２
０ｃｍ以上の寸法を有し、幅方向における膜厚さ分布
が、所定幅位置での所定等間隔における測定値をｄｊ
（ｊ＝１，２，３，４…ｎ、８≦ｎ≦２０）とし、その
単純平均値をｄavとし、標準偏差をσとしたとき、（σ
／ｄav）≦０．１を満足することがより好ましいもので
あり、該薄膜積層体を製造するには、例えば、幅が２０
ｃｍ以上の長さが３０ｍ以上の長尺高分子フイルムから
なる基材（Ａ）を用い、該フイルムを真空蒸着装置内に
装填し、薄膜材料を蒸着源として下記する方法で蒸着す
ることで形成し得ることが判った。
（Ａ）の少なくとも片面に、膜厚さが１２００Å〜１μ
ｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体におい
て、該積層体の幅（横方向）、長さ（縦方向）が共に２
０ｃｍ以上の寸法を有し、幅方向における膜厚さ分布
が、所定幅位置での所定等間隔における測定値をｄｊ
（ｊ＝１，２，３，４…ｎ、８≦ｎ≦２０）とし、その
単純平均値をｄavとし、標準偏差をσとしたとき、（σ
／ｄav）≦０．１を満足することがより好ましいもので
あり、該薄膜積層体を製造するには、例えば、幅が２０
ｃｍ以上の長さが３０ｍ以上の長尺高分子フイルムから
なる基材（Ａ）を用い、該フイルムを真空蒸着装置内に
装填し、薄膜材料を蒸着源として下記する方法で蒸着す
ることで形成し得ることが判った。
【００１０】この蒸着による形成は、先ず６００Å〜１
０００Åの第一層薄膜を幅Ｄ1で長尺方向に連続的に、
光線透過率による幅方向、長さ方向の膜厚管理制御し
て、成膜し積層体１を製造する。次いで、該積層体１の
第一層薄膜上に、６００Å〜１０００Åの第二層薄膜を
幅Ｄ2で長尺方向に連続的に成膜し積層体２を同様にし
て製造する。このときＤ1＜Ｄ2でその差（Ｄ2−Ｄ1）Δ
Ｄ21の幅を、長尺高分子フイルムからなる透明基材
（Ａ）の幅方向の両末端もしくは中央部等に少なくとも
２箇所の第一層薄膜と第二層薄膜との積層がされない非
積層部（Ｓｍ；最終薄膜厚の非所要部で、蒸着用マスキ
ング材を使用することや溶解性樹脂等を塗布し該溶解性
樹脂等を塗布した部分の第一層不透明薄膜を蒸着後溶解
し蒸着薄膜を除去する等で形成される不透明薄膜非積層
部）を設け、その非積層部の個所数（ｐ）に配分して、
一定幅（例えばΔＤ21／ｐである）で縦方向に連続また
は非連続に、非積層部として設けながら、第二層薄膜を
幅Ｄ2で積層蒸着部（Ｖ；最終薄膜厚の所要部）として
形成し積層体２を製造する。この積層体２の製造時には
幅Ｄ1で積層蒸着部（Ｖ）が形成されるが同時に非積層
蒸着部（Ｓｍ）にも薄膜が蒸着一定膜厚さで蒸着される
ことに着目して、非積層蒸着部（Ｓｍ）にも薄膜が蒸着
一定膜厚さで蒸着される薄膜の光線透過率を測定し制御
することで、本来１０００Åを超える薄膜の積層蒸着部
（Ｖ）膜厚を間接的に測定し制御し得、結果的にこの方
法を繰り返すことで均一膜厚さで、膜厚が１２００Å〜
１μｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体を製
造する。
０００Åの第一層薄膜を幅Ｄ1で長尺方向に連続的に、
光線透過率による幅方向、長さ方向の膜厚管理制御し
て、成膜し積層体１を製造する。次いで、該積層体１の
第一層薄膜上に、６００Å〜１０００Åの第二層薄膜を
幅Ｄ2で長尺方向に連続的に成膜し積層体２を同様にし
て製造する。このときＤ1＜Ｄ2でその差（Ｄ2−Ｄ1）Δ
Ｄ21の幅を、長尺高分子フイルムからなる透明基材
（Ａ）の幅方向の両末端もしくは中央部等に少なくとも
２箇所の第一層薄膜と第二層薄膜との積層がされない非
積層部（Ｓｍ；最終薄膜厚の非所要部で、蒸着用マスキ
ング材を使用することや溶解性樹脂等を塗布し該溶解性
樹脂等を塗布した部分の第一層不透明薄膜を蒸着後溶解
し蒸着薄膜を除去する等で形成される不透明薄膜非積層
部）を設け、その非積層部の個所数（ｐ）に配分して、
一定幅（例えばΔＤ21／ｐである）で縦方向に連続また
は非連続に、非積層部として設けながら、第二層薄膜を
幅Ｄ2で積層蒸着部（Ｖ；最終薄膜厚の所要部）として
形成し積層体２を製造する。この積層体２の製造時には
幅Ｄ1で積層蒸着部（Ｖ）が形成されるが同時に非積層
蒸着部（Ｓｍ）にも薄膜が蒸着一定膜厚さで蒸着される
ことに着目して、非積層蒸着部（Ｓｍ）にも薄膜が蒸着
一定膜厚さで蒸着される薄膜の光線透過率を測定し制御
することで、本来１０００Åを超える薄膜の積層蒸着部
（Ｖ）膜厚を間接的に測定し制御し得、結果的にこの方
法を繰り返すことで均一膜厚さで、膜厚が１２００Å〜
１μｍの磁性薄膜（Ｂ）を蒸着積層した薄膜積層体を製
造する。
【００１１】本発明における、（σ／ｄav）≦０．１は
より好ましくは（σ／ｄav）≦０．０８でありさらに好
ましくは（σ／ｄav）≦０．０５である。この値（σ／
ｄav）が０．１を超える場合は、薄膜積層体は、断裁し
て所定面積の平面体、細断体または基材フイルムを剥が
すか剥がさずして粉砕した箔粉やスリットして糸状体と
して使用する場合が多くその際、個々の平面体、糸状体
間の性能のばらつきが大きすぎて、多数のそれらの中で
の性能として合格するものの割合が極端に落ちこむこと
や、平面体や基材フイルムを剥がすか剥がさずして粉砕
した箔粉や糸状体の切断部の外観むらの発生多発、断
裁、スリットの工程で切断むらや糸状体自体の切断が発
生し易く、生産効率においても大きな問題を生じること
が極端に急増大する。
より好ましくは（σ／ｄav）≦０．０８でありさらに好
ましくは（σ／ｄav）≦０．０５である。この値（σ／
ｄav）が０．１を超える場合は、薄膜積層体は、断裁し
て所定面積の平面体、細断体または基材フイルムを剥が
すか剥がさずして粉砕した箔粉やスリットして糸状体と
して使用する場合が多くその際、個々の平面体、糸状体
間の性能のばらつきが大きすぎて、多数のそれらの中で
の性能として合格するものの割合が極端に落ちこむこと
や、平面体や基材フイルムを剥がすか剥がさずして粉砕
した箔粉や糸状体の切断部の外観むらの発生多発、断
裁、スリットの工程で切断むらや糸状体自体の切断が発
生し易く、生産効率においても大きな問題を生じること
が極端に急増大する。
【００１２】本発明の薄膜積層体における、薄膜の膜厚
さの測定は、段差法、蛍光Ｘ線測定法、膜厚さと機能導
電性や磁性との検量線法等公知のいずれの方法でもよ
い。得られた不透明薄膜積層体はそのままの長尺体で、
また断裁して所定面積の平面体、またはスリットして糸
状体等の形で、または、他の基材の上に貼り合せたり、
他材で挟持したりして使用してもよい。本発明における
装飾性薄膜（Ｃ）としては単独でまたは磁性薄膜（Ｂ）
との光学的相互作用で光干渉効果等により虹彩色等を呈
するものであり、例えば染料や顔料で着色された着色
層、ホログラム加工層、虹彩層、または磁性薄膜に対し
て低屈折率である低屈折率層、磁性薄膜に対して高屈折
率である高屈折率層が挙げられ、これらの層の単独また
は組み合わせによる使用が可能である。本発明の薄膜積
層体は、ホログラム加工等予め装飾性薄膜（Ｃ）を施し
たフイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成してもよく、未加工
フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成し、ホログラム加工等
装飾性薄膜（Ｃ）を設けたフイルムを貼り合わせてもよ
く、また未加工フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成した後
ホログラム加工等装飾性薄膜（Ｃ）を形成してもよく、
その形成過程に限定されるものではなく、高分子フイル
ムからなる基材（Ａ）の少なくとも片面に、蒸着積層さ
れた膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）と、
装飾性薄膜（Ｃ）とを積層した薄膜積層体であればよ
い。上記形成方法によって形成される本発明の層構成
は、高分子フイルムからなる基材（Ａ）、磁性薄膜
（Ｂ）、装飾性薄膜（Ｃ）とこれらの層以外に必要に応
じて公知の離型層や保護層、印刷層等を適宜組み合わせ
ることや挿入することも何ら本発明の主旨を損なわない
ものであれば差しつかえないものであり、層構成として
は、例えばＡ／Ｂ／Ｃ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ、Ａ／Ｃ／Ｂ／
Ｃ、Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ等が挙げられ、これらに前記の
離型層や保護層、印刷層等を適宜組み合わせることや挿
入をしてもよいものである。以下に実施例を挙げて説明
するが本発明はこれに限定されるものではない。
さの測定は、段差法、蛍光Ｘ線測定法、膜厚さと機能導
電性や磁性との検量線法等公知のいずれの方法でもよ
い。得られた不透明薄膜積層体はそのままの長尺体で、
また断裁して所定面積の平面体、またはスリットして糸
状体等の形で、または、他の基材の上に貼り合せたり、
他材で挟持したりして使用してもよい。本発明における
装飾性薄膜（Ｃ）としては単独でまたは磁性薄膜（Ｂ）
との光学的相互作用で光干渉効果等により虹彩色等を呈
するものであり、例えば染料や顔料で着色された着色
層、ホログラム加工層、虹彩層、または磁性薄膜に対し
て低屈折率である低屈折率層、磁性薄膜に対して高屈折
率である高屈折率層が挙げられ、これらの層の単独また
は組み合わせによる使用が可能である。本発明の薄膜積
層体は、ホログラム加工等予め装飾性薄膜（Ｃ）を施し
たフイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成してもよく、未加工
フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成し、ホログラム加工等
装飾性薄膜（Ｃ）を設けたフイルムを貼り合わせてもよ
く、また未加工フイルムに磁性薄膜（Ｂ）を形成した後
ホログラム加工等装飾性薄膜（Ｃ）を形成してもよく、
その形成過程に限定されるものではなく、高分子フイル
ムからなる基材（Ａ）の少なくとも片面に、蒸着積層さ
れた膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁性薄膜（Ｂ）と、
装飾性薄膜（Ｃ）とを積層した薄膜積層体であればよ
い。上記形成方法によって形成される本発明の層構成
は、高分子フイルムからなる基材（Ａ）、磁性薄膜
（Ｂ）、装飾性薄膜（Ｃ）とこれらの層以外に必要に応
じて公知の離型層や保護層、印刷層等を適宜組み合わせ
ることや挿入することも何ら本発明の主旨を損なわない
ものであれば差しつかえないものであり、層構成として
は、例えばＡ／Ｂ／Ｃ、Ａ／Ｂ／Ｃ／Ｂ、Ａ／Ｃ／Ｂ／
Ｃ、Ｃ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ｃ等が挙げられ、これらに前記の
離型層や保護層、印刷層等を適宜組み合わせることや挿
入をしてもよいものである。以下に実施例を挙げて説明
するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００１３】
【実施例】＊実施例１ 厚さ１６μｍ、幅７４０ｍｍ、長さ１０００ｍの透明ポ
リエチレンナフタレート長尺フイルムを磁性薄膜（Ｂ）
形成用フイルム（Ａ−１）として採用した。この基材フ
イルムとしての（Ａ−１）フイルム上に、フイルムを真
空蒸着装置内に装填し、電子ビーム蒸着方式で、ニッケ
ル金属の薄膜を幅６００ｍｍ（Ｄ1）になるようにマス
キングして、厚さ９００Åで形成し積層体１を得た。得
られた積層体を前記と同様にして、ニッケル金属の薄膜
を、幅７００ｍｍ（Ｄ2；中心部位は同一にして）で積
層体１のニッケル薄膜上に厚さ１１００Åで形成し積層
体２を得た。この積層体１を得る時すなわち１回目の蒸
着時には幅方向の中心部で光線透過率を測定して、光線
透過率とニッケル薄膜厚さの関係から予め得られた検量
線を使用してニッケル薄膜を測定し一定厚さとなるよう
に制御して、ニッケル不透明薄膜を長さ方向に連続的に
形成した。ついで積層体２すなわち２回目の蒸着時に
は、両端の１回目非積層蒸着部の両方で光線透過率を測
定して、光線透過率とニッケル薄膜厚さの関係から予め
得られた検量線を使用してニッケル薄膜を測定し一定厚
さとなるように制御して、ニッケル不透明薄膜を幅７０
０ｍｍで長さ方向に連続的に形成した。得られた積層体
２を幅方向の両端７０ｍｍずつ切り取り長さ方向の両端
５ｍずつ切り取り、幅６００ｍｍの、長さ９９０ｍの長
尺薄膜積層体（積層体３）を得た。この得られた長尺薄
膜積層体（積層体３）の一定位置での幅方向のニッケル
膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分された
位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav1は
１８２０Åであり、標準偏差をσは５８Åであり、（σ
／ｄav）は０．０３２であった。また、前記一定位置か
ら長さ方向に１００ｍはなれた位置での幅方向のニッケ
ル膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分され
た位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav2
は１８３０Åであり、ｄav1／ｄav2は０．９９５であっ
た。この積層体３のニッケル不透明薄膜上に低屈折率層
としてのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層を１５００Å厚さで
形成し、次いでクロム金属を３０Å厚さで形成して積層
体４を得た。積層体４は見る方向で緑、青、紫の色合い
が変化する美麗で、磁性に優れたものであった。この本
発明の薄膜積層体４をスリットして幅２ｍｍの糸状体を
得て、その導電性を測定したがいずれの糸状体において
も、導電性は所定範囲内に入り、薄膜積層体および糸状
体は共に均質性に優れた導電性を示すものであった。
リエチレンナフタレート長尺フイルムを磁性薄膜（Ｂ）
形成用フイルム（Ａ−１）として採用した。この基材フ
イルムとしての（Ａ−１）フイルム上に、フイルムを真
空蒸着装置内に装填し、電子ビーム蒸着方式で、ニッケ
ル金属の薄膜を幅６００ｍｍ（Ｄ1）になるようにマス
キングして、厚さ９００Åで形成し積層体１を得た。得
られた積層体を前記と同様にして、ニッケル金属の薄膜
を、幅７００ｍｍ（Ｄ2；中心部位は同一にして）で積
層体１のニッケル薄膜上に厚さ１１００Åで形成し積層
体２を得た。この積層体１を得る時すなわち１回目の蒸
着時には幅方向の中心部で光線透過率を測定して、光線
透過率とニッケル薄膜厚さの関係から予め得られた検量
線を使用してニッケル薄膜を測定し一定厚さとなるよう
に制御して、ニッケル不透明薄膜を長さ方向に連続的に
形成した。ついで積層体２すなわち２回目の蒸着時に
は、両端の１回目非積層蒸着部の両方で光線透過率を測
定して、光線透過率とニッケル薄膜厚さの関係から予め
得られた検量線を使用してニッケル薄膜を測定し一定厚
さとなるように制御して、ニッケル不透明薄膜を幅７０
０ｍｍで長さ方向に連続的に形成した。得られた積層体
２を幅方向の両端７０ｍｍずつ切り取り長さ方向の両端
５ｍずつ切り取り、幅６００ｍｍの、長さ９９０ｍの長
尺薄膜積層体（積層体３）を得た。この得られた長尺薄
膜積層体（積層体３）の一定位置での幅方向のニッケル
膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分された
位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav1は
１８２０Åであり、標準偏差をσは５８Åであり、（σ
／ｄav）は０．０３２であった。また、前記一定位置か
ら長さ方向に１００ｍはなれた位置での幅方向のニッケ
ル膜厚さをN＝１０（中心部から端部まで１０等分され
た位置での）で測定したところ、単純膜厚平均値ｄav2
は１８３０Åであり、ｄav1／ｄav2は０．９９５であっ
た。この積層体３のニッケル不透明薄膜上に低屈折率層
としてのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層を１５００Å厚さで
形成し、次いでクロム金属を３０Å厚さで形成して積層
体４を得た。積層体４は見る方向で緑、青、紫の色合い
が変化する美麗で、磁性に優れたものであった。この本
発明の薄膜積層体４をスリットして幅２ｍｍの糸状体を
得て、その導電性を測定したがいずれの糸状体において
も、導電性は所定範囲内に入り、薄膜積層体および糸状
体は共に均質性に優れた導電性を示すものであった。
【００１４】＊比較例１ 厚さ２５μｍ、幅７４０ｍｍ、長さ１０００ｍの透明ポ
リポリエチレンナフタレート長尺フイルムを磁性薄膜
（Ｂ）形成用フイルムとして採用した（Ａ’−１）。こ
の基材フイルムとしての（Ａ’−１）フイルム上に、フ
イルムを真空蒸着装置内に装填し、電子ビーム蒸着方式
で、ニッケル金属の薄膜を、厚さ９００Åで形成し積層
体１’を得た。この得られた長尺薄膜積層体（積層体
１’）の一定位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝１
０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で測
定したところ、単純膜厚平均値ｄav1は８９０Åであ
り、標準偏差をσは２０Åであり、（σ／ｄav）は０．
０２２であった。また、前記一定位置から長さ方向に１
００ｍはなれた位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝
１０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で
測定したところ、単純膜厚平均値ｄav2は８９０Åであ
り、ｄav1／ｄav2は１．０であった。後この長尺薄膜積
層体（積層体１’）のニッケル不透明薄膜上に低屈折率
層としてのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層を１５００Å厚さ
で形成し、次いでクロム金属を３０Å厚さで形成して積
層体２’を得た。積層体２’は見る方向で緑、青、紫の
色合いが変化する美麗であったが、磁性、導電性におい
て不充分であり、この積層体２’をスリットして幅２ｍ
ｍの糸状体を得て、その導電性を測定したが個々の糸状
体において、磁性、導電性均一性において優れたもので
あったが、その絶対値が劣る糸状体であった。
リポリエチレンナフタレート長尺フイルムを磁性薄膜
（Ｂ）形成用フイルムとして採用した（Ａ’−１）。こ
の基材フイルムとしての（Ａ’−１）フイルム上に、フ
イルムを真空蒸着装置内に装填し、電子ビーム蒸着方式
で、ニッケル金属の薄膜を、厚さ９００Åで形成し積層
体１’を得た。この得られた長尺薄膜積層体（積層体
１’）の一定位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝１
０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で測
定したところ、単純膜厚平均値ｄav1は８９０Åであ
り、標準偏差をσは２０Åであり、（σ／ｄav）は０．
０２２であった。また、前記一定位置から長さ方向に１
００ｍはなれた位置での幅方向のニッケル膜厚さをN＝
１０（中心部から端部まで１０等分された位置での）で
測定したところ、単純膜厚平均値ｄav2は８９０Åであ
り、ｄav1／ｄav2は１．０であった。後この長尺薄膜積
層体（積層体１’）のニッケル不透明薄膜上に低屈折率
層としてのＳｉＯｘ（ｘ＝１．８）層を１５００Å厚さ
で形成し、次いでクロム金属を３０Å厚さで形成して積
層体２’を得た。積層体２’は見る方向で緑、青、紫の
色合いが変化する美麗であったが、磁性、導電性におい
て不充分であり、この積層体２’をスリットして幅２ｍ
ｍの糸状体を得て、その導電性を測定したが個々の糸状
体において、磁性、導電性均一性において優れたもので
あったが、その絶対値が劣る糸状体であった。
【００１５】
【発明の効果】工業的に製造し得る、長尺であって磁性
薄膜が所定膜厚さである薄膜積層体において、特定製造
法を採用することで、均質な膜厚さの不透明薄膜積層体
を得られることを見出した。該均質な所定膜厚さの磁性
薄膜を有し、かつ装飾性薄膜をも有する薄膜積層体は、
スリットしたり、裁断して使用するとき個々の糸状体内
や平面体内は勿論、各糸状体間や平面体間での膜厚さが
均質でありそのため得られる機能性例えば導電性や磁性
特性が均質なものでかつ美麗なものとなり工業的に極め
て有意である。
薄膜が所定膜厚さである薄膜積層体において、特定製造
法を採用することで、均質な膜厚さの不透明薄膜積層体
を得られることを見出した。該均質な所定膜厚さの磁性
薄膜を有し、かつ装飾性薄膜をも有する薄膜積層体は、
スリットしたり、裁断して使用するとき個々の糸状体内
や平面体内は勿論、各糸状体間や平面体間での膜厚さが
均質でありそのため得られる機能性例えば導電性や磁性
特性が均質なものでかつ美麗なものとなり工業的に極め
て有意である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01B AB16B AB16C AK01A AK42A BA03 BA07 BA10A BA10C EH66B JG01 JG06 JG06B JM02B JM02C 4K029 AA11 BA07 BA12 BA46 BB02 BC03 BC06 BC08 BD00 CA01 EA01
Claims (3)
- 【請求項１】高分子フイルムからなる基材（Ａ）に、蒸
着によって形成された膜厚さが１２００Å〜１μｍの磁
性薄膜（Ｂ）と、装飾性薄膜（Ｃ）とを積層したことを
特徴とする薄膜積層体。 - 【請求項２】請求項１記載の薄膜積層体をスリットして
得られるスリット糸。 - 【請求項３】請求項１記載の薄膜積層体から得られる細
断体または箔粉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001114700A JP4868328B2 (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 特定厚みの蒸着膜を得る方法及び該方法を用いて得られる積層体 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001114700A JP4868328B2 (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 特定厚みの蒸着膜を得る方法及び該方法を用いて得られる積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002307607A true JP2002307607A (ja) | 2002-10-23 |
| JP4868328B2 JP4868328B2 (ja) | 2012-02-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001114700A Expired - Fee Related JP4868328B2 (ja) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | 特定厚みの蒸着膜を得る方法及び該方法を用いて得られる積層体 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4868328B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009041239A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | National University Corporation Hokkaido University | ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法 |
| JP2012167316A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Hitachi Cable Ltd | 圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724040U (ja) * | 1980-07-16 | 1982-02-08 | ||
| JPH07197342A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-08-01 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 金銀糸製造用シート、金銀糸および金銀装飾を有する織布 |
| JPH07243139A (ja) * | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Oike Ind Co Ltd | 偽造防止用スリット糸 |
| JPH07246692A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Toyo Metaraijingu Kk | 虹彩模様を呈する積層体 |
| JPH08337951A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Reiko Co Ltd | 紐状物 |
| JPH10226996A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-08-25 | Tokushu Paper Mfg Co Ltd | 偽造防止用紙 |
| JPH10250268A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | カード |
| JPH11320748A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 虹彩箔粉 |
-
2001
- 2001-04-13 JP JP2001114700A patent/JP4868328B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
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| WO2009041239A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | National University Corporation Hokkaido University | ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法 |
| JPWO2009041239A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2011-01-20 | 国立大学法人北海道大学 | ニッケル薄膜およびその形成方法ならびに強磁性ナノ接合素子およびその製造方法ならびに金属細線およびその形成方法 |
| US8795856B2 (en) | 2007-09-26 | 2014-08-05 | National University Corporation | Nickel thin film, method for formation of the nickel thin film, ferromagnetic nano-junction element, method for producing the ferromagnetic nano-junction element, thin metallic wire, and method for formation of the thin metallic wire |
| JP2012167316A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Hitachi Cable Ltd | 圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置 |
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|---|---|
| JP4868328B2 (ja) | 2012-02-01 |
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