JP2002307005A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板保持手段と処理液案内部材との位置関係の
切り換えに煩雑さがなく、かつ装置の高さ方向にスペー
スを小さくできる。 【解決手段】ウエハＷを保持するスピンベース１３を回
転させる電動モータ１１と、ウエハＷに薬液を供給し、
純水を供給する処理液供給ノズル２と、スピンベース１
３の周囲に配置され薬液を受け止める第１処理液案内部
材５と、第１処理液案内部材５の外周に配置され純水を
受け止める第２処理液案内部材６と、第１処理液案内部
材５により薬液が受け止められる状態及び第２処理液案
内部材６により純水が受け止められる状態になるよう
に、第１処理液案内部材を上下方向に昇降させる昇降機
構２０と、スピンベース１３がウエハＷを保持している
際のウエハＷの位置する側方位置に、ウエハＷの搬送を
行うための側方開口４１が形成されたチャンバ４とを備
え、第２処理液案内部材６には、ウエハＷの搬送を行う
ための開口６４が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光デ
ィスク用基板等の基板に薬液、純水等の処理液を供給し
て、基板に対して洗浄等の所定の処理を行う基板処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウエ
ハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に薄膜のパ
ターンを形成したり、ウエハの表面を薬液洗浄したり、
純水洗浄したり、あるいは乾燥したりするための各種類
の基板処理装置が用いられる。

【０００３】図４は、この種の従来の基板処理装置の構
成を示す縦断面図である。この従来の基板処理装置は、
ウエハに対して薬液洗浄処理、純水洗浄処理（リンス処
理）、乾燥処理を行う洗浄・乾燥装置である。この基板
処理装置は、回転可能にウエハＷを保持するスピンチャ
ック１００、スピンチャック１００の周囲に配置された
第１回収部材１１０、第１回収部材１１０のさらに外周
に配置された第２回収部材１２０、スピンチャック１０
０に保持させたウエハＷの上面（通常は表面）に処理液
を供給する処理液供給ノズル１３０等がチャンバ１４０
内に設けられている。また、第１回収部材１１０の内周
側であってスピンチャック１００には、円筒部材１５０
が配置されている。

【０００４】スピンチャック１００は、電動モータ１０
１によって鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸１０
２の上端部に円板状のスピンベース１０３が一体回転可
能に設けられている。電動モータ１０１は、回転速度を
適宜に変更することができる。また、スピンベース１０
３は、矢印ａのように、図示しない駆動機構により上下
方向に移動可能である。

【０００５】スピンベース１０３の上面には、３個以上
の保持部材１０４が設けられている。これら保持部材１
０４により、ウエハＷはスピンベース１０３の上面から
隔てて保持される。なお、保持部材１０４は、ウエハＷ
の外周端縁を押圧して保持する状態と、ウエハＷの外周
端縁から離れて保持を解除する状態とで切り換え可能で
ある。

【０００６】処理液供給ノズル１３０は、処理液供給管
１３１、処理液供給管１３２を介して第１処理液供給源
１３４に連通されている。また、処理液供給ノズル１３
０は、処理液供給管１３１、処理液供給管１３３を介し
て第２処理液供給源１３５にも連通されている。処理液
供給管１３２の途中には、処理液供給ノズル１３０から
ウエハＷの表面への純水等の第１処理液の供給と停止を
制御する電磁開閉弁１３６が設けられている。また、処
理液供給管１３３の途中には、処理液供給ノズル１３０
からウエハＷの表面への薬駅等の第２処理液の供給と停
止を制御する電磁開閉弁１３７が設けられている。

【０００７】従来の基板処理装置は、次のようにして、
ウエハＷに対して洗浄・乾燥の処理動作を行う。まず、
図示しない基板搬送機構により、開閉シャッタ１４２を
開放して、チャンバ１４０の側部に形成された開口１４
１から、矢印ｂに示すように、ウエハＷをチャンバ１４
０内に搬入し、スピンチャック１００が、ｈ１の高さで
ウエハＷを受け取る。そして、スピンチャック１００が
ウエハＷを受け取ると、開閉シャッタ１４２を閉塞し
て、ウエハＷの位置が高さｈ３の位置になるように、矢
印ａに示すように、駆動機構によりスピンチャック１０
０を下降させる。

【０００８】次に、電動モータ１０１を駆動させてウエ
ハＷを回転させた状態で、電磁開閉弁１３７を開放し
て、処理液供給ノズル１３０から薬液等の第２処理液を
ウエハＷの表面に供給して第１の洗浄処理を行う。所定
の時間ウエハＷの第１の洗浄処理（薬液洗浄処理）を行
うと、電磁開閉弁１３７を閉塞して、第１の洗浄処理が
終了する。

【０００９】第１の洗浄処理が終了すると、ウエハＷの
位置が高さｈ２の位置になるように、矢印ａに示すよう
に、図示しない駆動機構によりスピンチャック１００を
上昇させる。そして、ウエハＷを回転させた状態で、電
磁開閉弁１３６を開放して、処理液供給ノズル１３０か
ら純水等の第１処理液をウエハＷの表面に供給して第２
の洗浄処理を行う。所定の時間ウエハＷの第２の洗浄処
理（純水洗浄処理）を行うと、電磁開閉弁１３６を閉塞
して、第２の洗浄処理が終了する。

【００１０】第２の洗浄処理が終了すると、ウエハＷの
位置が高さｈ２の位置において、電動モータ１０１を制
御してウエハＷをさらに高速に回転させ、ウエハＷの表
面の乾燥処理を行う。所定の時間ウエハＷの乾燥処理を
行うと、電動モータ１０１を制御してウエハＷの回転を
停止させる。

【００１１】ウエハＷに対する乾燥処理が終了すると、
ウエハＷの位置が高さｈ１の位置になるように、矢印ａ
に示すように、図示しない駆動機構によりスピンチャッ
ク１００をさらに上昇させる。最後に、開閉シャッタ１
４２を閉塞して、矢印ｂに示すように、基板搬送機構に
より、スピンチャック１００はｈ１の高さの位置で、チ
ャンバ１４０の側部に形成された開口１４１を介して、
矢印ｂに示すように、チャンバ１４０内からウエハＷを
搬出する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】この従来の基板処理装
置では、第１の洗浄処理を行う際には、ウエハＷをｈ３
の高さにして、第２処理液によりウエハＷに対する第１
の洗浄処理を行っているので、第２処理液は第１回収部
材１１０に一旦受け止められ、第１回収部材１１０と円
筒部材１５０との間から回収または排出される。また、
第２の洗浄処理を行う際には、ウエハＷをｈ２の高さに
して、第１処理液によりウエハＷに対する第２の洗浄処
理を行っているので、第１処理液は第２回収部材１２０
に一旦受け止められ、第２回収部材１２０と第１回収部
材１１０との間から回収または排出される。したがっ
て、従来の基板処理装置においては、第１処理液と第２
処理液との分離回収または分離搬出が可能になるという
効果がある。

【００１３】しかしながら、ウエハＷに対して、異なる
処理液による処理を行うごとに、ウエハＷの位置をｈ
１，ｈ２，ｈ３と高さを３段階に切り換えなければなら
ないという煩雑さがある。また、ｈ１，ｈ２，ｈ３と高
さを３段階に切り換えをしなければならないとなると、
基板処理装置の高さ方向にスペースをとってしまうとい
う問題がある。

【００１４】そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてな
されたものであって、基板保持手段と処理液案内部材と
の位置関係の切り換えに煩雑さがなく、かつ装置の高さ
方向にスペースを小さくした基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の基板処理装置は、基板を保持する
基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる第１駆
動手段と、前記基板保持手段に保持された基板に第１処
理液を供給する第１処理液供給手段と、前記基板保持手
段に保持された基板に第２処理液を供給する第２処理液
供給手段と、前記基板保持手段の周囲に配置され、前記
第１駆動手段による基板の回転に伴って基板から飛散さ
れた第１処理液を受け止める第１処理液案内部材と、前
記第１処理液案内部材の周囲に配置され、前記第１駆動
手段による基板の回転に伴って基板から飛散された第２
処理液を受け止める第２処理液案内部材と、前記第１処
理液案内部材により第１処理液が受け止められる第１の
状態及び前記第２処理液案内部材により第２処理液が受
け止められる第２の状態になるように、前記第１処理液
案内部材を前記基板保持手段に対して相対的に移動させ
る第２駆動手段と、前記基板保持手段、前記第１処理液
案内部材、及び前記第２処理液案内部材を収容し、前記
基板保持手段が基板を保持している際の基板の位置する
側方位置に、基板の搬送を行うための第１開口が形成さ
れた処理室とを備え、前記第２処理液案内部材には、前
記処理室の第１開口と前記基板保持手段との間で基板の
搬送を行うための第２開口が形成されたことを特徴とす
るものである。

【００１６】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第２駆動
手段が、前記基板保持手段に対して前記第１処理液案内
部材を上下方向に移動させることを特徴とするものであ
る。

【００１７】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であっ
て、前記第２処理液案内部材により第２処理液が受け止
められる第２の状態おいて、前記第２処理液供給手段に
よる基板への第２処理液の供給を停止した状態で、前記
第１駆動手段が、前記基板保持手段を回転させることを
特徴とするものである。

【００１８】さらに、請求項４に記載の基板処理装置
は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理
装置であって、前記第１処理液供給手段が、前記基板保
持手段に保持された基板に第１処理液としての薬液を供
給し、前記第２処理液供給手段が、前記基板保持手段に
保持された基板に第２処理液としての純水を供給するこ
とを特徴とするものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施の形態に係る基板処理装置を説明する。図１
は、本発明に係る実施の形態に係る基板処理装置の構成
を示す縦断面図である。

【００２０】この基板処理装置は、基板に対する薬液洗
浄処理、純水洗浄処理（リンス処理）、乾燥処理を行っ
て、処理に使用された後の薬液等の第１処理液と純水等
の第２処理液とを高精度に分離回収できるように構成さ
れた洗浄・乾燥装置である。そして、この基板処理装置
は、基板の一種であるウエハＷを回転可能に保持するス
ピンチャック１、スピンチャック１に保持されたウエハ
Ｗの表面に処理液を供給する処理液供給ノズル２、スピ
ンチャック１に保持されたウエハＷの表面に窒素ガス等
の気体を供給するガス供給ノズル３等が、処理室に相当
するチャンバ４内に設けられている。

【００２１】スピンチャック１は、固定された状態であ
り、チャンバ４の外に設けられた電動モータ１１によっ
て鉛直方向のＪ軸芯周りで回転される回転軸１２の上端
部に円板状のスピンベース１３が一体回転可能に連結さ
れている。電動モータ１１は、回転速度を適宜に変更す
ることが可能である。このスピンベース１３の上面に
は、３個以上の保持部材１４が設けられている。

【００２２】各保持部材１４は、スピンベース１３の上
面から隔ててウエハＷの外周部を支持する１４ａと、支
持部１４ａに支持されたウエハＷの外周端縁を押圧して
保持する保持部１４ｂとを備えている。これら保持部材
１４によりウエハＷはスピンベース１３の上面から所定
の距離を隔てて保持されている。なお、各保持部１４ｂ
は、ウエハＷの外周端縁を押圧して保持する状態と、ウ
エハＷの外周端縁から離れて保持を解除する状態とで切
り換え可能である。

【００２３】処理液供給ノズル２は、処理液供給管２
１、処理液供給管２２を介して第１処理液供給源（薬液
供給源）２４に連通されている。また、処理液供給ノズ
ル２は、処理液供給管２１、処理液供給管２３を介して
第２処理液供給源（純水供給源）２５にも連通されてい
る。処理液供給管２２の途中には、処理液供給ノズル２
からウエハＷの表面への純水等の第１処理液の供給開始
と供給停止を制御する電磁開閉弁２６が設けられてい
る。また、処理液供給管２３の途中には、処理液供給ノ
ズル２からウエハＷの表面への薬液等の第２処理液の供
給開始と供給停止を制御する電磁開閉弁２７が設けられ
ている。

【００２４】処理液供給ノズル２は、第１処理液供給手
段と第２処理液供給手段とを兼用しており、薬液による
液処理（薬液洗浄処理）と純水による液処理（純水洗浄
処理）とをこの基板処理装置で行う場合には、電磁開閉
弁２６及び電磁開閉弁２７を選択的に切り換えて行う。

【００２５】ガス供給ノズル３は、ガス供給管３１を介
してガス供給源３２に連通されている。ガス供給管３１
の途中には、ガス供給ノズル３からウエハＷの表面へ窒
素ガスなどの不活性ガスやドライエアー等の気体の供給
と停止を制御する電磁開閉弁３３が設けられている。

【００２６】スピンチャック１の下方及び外周には、第
１処理液回収部材５が設けられており、この第１処理液
回収部材５は、必要に応じて矢印Ａに示すように、上下
方向に昇降される。この第１処理液回収部材５は、回転
軸１２の中心を通る軸線Ｊに対して略回転対称な形状を
有している略有底円筒形状の容器であり、底面に薬液を
回収するための薬液回収槽５０が形成されている。

【００２７】薬液回収槽５０は、薬液処理に使用された
後の薬液を回収するための槽であって、その底面には薬
液回収管５１に連通接続された薬液回収口５２が形成さ
れている。

【００２８】薬液回収槽５０に回収された薬液と気体と
は、薬液回収口５２及び薬液回収管５１を介してチャン
バ４外へ排出され、図示しない気液分離装置によって気
液分離される。この第１処理液回収部材５は、ボールネ
ジなどの周知の１軸方向駆動機構で構成される昇降機構
２０によって、矢印Ａに示すように、上下方向に昇降可
能である。

【００２９】また、第１処理液回収部材５の外側には、
第２処理液回収部材６が設けられており、この第２処理
液回収部材６は、その下端部がチャンバ４内の底部に固
定されている。この第２処理液回収部材６は、回転軸１
２の中心を通る軸線Ｊに対して略回転対称な形状を有し
ている略有底円筒形状の容器である。そして、第１処理
液回収部材５の外面と第２処理液回収部材６の内面との
間に、純水を回収するための純水回収槽６０が形成され
る。

【００３０】純水回収槽６０は、純水処理に使用された
後の純水を回収するための槽であって、その底面には純
水回収管６１に連通接続された純水回収口６２が形成さ
れている。純水回収槽６０に回収された純水と気体と
は、純水回収口６２及び純水回収管６２を介してチャン
バ４外へ排出され、図示しない気液分離装置によって気
液分離される。

【００３１】また、第２処理液回収部材６の上端部に
は、第２処理液回収部材６内の空間に、チャンバ４に導
入されたダウンフローの清浄な気体を導入するために、
スピンベース１３より若干大きい上側開口６３が形成さ
れている。さらに、第２処理液回収部材６の側部には、
ウエハＷの搬出入を行うための側方開口６４が形成され
ている。なお、側方開口６４は、本発明に係る第２開口
に相当する。

【００３２】この実施の形態では、スピンチャック１及
び第２処理液回収部材６は固定されている一方で、第２
処理液回収部材５が必要に応じて、上下方向に昇降され
るようになっている。なお、チャンバ４の側方には、側
方開口６４に対応する位置に、本発明に係る第１開口に
相当する開口４１が形成されており、矢印ｂに示すよう
に、この開口４１を上下方向に開閉する開閉シャッタ６
２が設けられている。

【００３３】次に、図２及び図３に基づいて、本発明に
係る実施の形態に係る基板処理装置のウエハＷの搬入、
薬液洗浄処理、純水洗浄処理、乾燥処理、ウエハＷの搬
出処理といった一連の処理動作と、スピンベース１３及
び第２処理液回収部材５の位置関係を説明する。

【００３４】まず、ウエハＷを搬入する際には、開閉シ
ャッタ４２を開放にして（ステップＳ１）、図２（ａ）
に示すように、昇降機構２０を駆動させて第１処理液回
収部材５を下降させた状態にし（ＲＨの位置）、チャン
バ４の開口４１、第２処理液回収部材６の側方開口６４
及びスピンベース１３を略同一高さにして、開口４１及
び側方開口６４を介してウエハＷが、矢印Ｃに示すよう
に、図示しない基板搬送機構によりチャンバ４内に搬入
され、スピンチャック１にウエハＷが保持される（ステ
ップＳ２）。このとき、第１処理液回収部材５の高さ
は、図に示すように第１の高さＲＨである。スピンチャ
ック１へのウエハＷの保持が完了すると、開閉シャッタ
４２が開口４１を閉塞する（ステップＳ３）。

【００３５】次に、昇降機構２０により第１処理液回収
部材５を上昇させる（ステップＳ４）。そのときの状態
が、図２（ｂ）に示すような状態で、第１処理液回収部
材５の高さは、第２の高さＱＨである（第１の状態）。
そして、第１処理液回収部材５の高さを第２の高さＱＨ
にした状態で、モータ１１を駆動させてウエハＷを回転
させつつ電磁開閉弁２６を閉塞状態から開放して、処理
液供給ノズル２から薬液をウエハＷの表面に供給して所
定の時間ウエハＷの表面の薬液洗浄処理を行う（ステッ
プＳ５）。所定の時間薬液洗浄処理を行うと、電磁開閉
弁２６を開放状態から閉塞状態にして、薬液のウエハＷ
への供給を停止する。

【００３６】薬液処理が終了すると、昇降機構２０によ
り第１処理液回収部材５を下降させて（ステップＳ
６）、図２（ｃ）に示すような状態にする（第２の状
態）。但し、このときは開閉シャッタ４２は、閉塞状態
である。そして、第１処理液回収部材５の高さを図２
（ｃ）に示すように第１の高さＲＨにした状態で、モー
タ１１を駆動させてウエハＷを回転させつつ、電磁開閉
弁２７を閉塞状態から開放状態に切り換えて、処理液供
給ノズル３から純水をウエハＷの表面に供給して所定の
時間ウエハＷの純水洗浄処理（リンス処理）を行う（ス
テップＳ７）。所定の時間純水洗浄処理を行うと、電磁
開閉弁２７を開放状態から閉塞状態に切り換えて、純水
のウエハＷへの供給を停止する。

【００３７】純水洗浄処理が終了すると、純水洗浄処理
の際と同様に、第１処理液回収部材５の位置を第１の高
さＲＨにした状態で、モータ１１を駆動させてウエハＷ
を回転させつつ、電磁開閉弁３３を閉塞状態から開放状
態に切り換えて、ガス供給ノズル３から不活性ガスであ
る窒素ガスをウエハＷの表面に供給して所定の時間ウエ
ハＷの表面の乾燥処理を行う（ステップＳ８）。窒素ガ
スの供給及びウエハＷの回転に伴って、ウエハＷの表面
が乾燥される。所定の時間乾燥処理を行うと、電磁開閉
弁３３を開放状態から閉塞状態に切り換えて、窒素ガス
のウエハＷへの供給を停止する。

【００３８】乾燥処理が終了すると、モータ１１を駆動
を停止させ、ウエハＷの回転を停止させる。このとき、
図２（ｃ）に示すように、開口４１、側方開口６４及び
スピンベース１３は略同一高さの状態なので、開閉シャ
ッタ４２を開放させて（ステップＳ９）、開口４１及び
側方開口６４を介して、搬送機構によりウエハＷをチャ
ンバ４内から搬出する（ステップＳ１０）。以上によ
り、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一連の処
理動作が終了する。

【００３９】なお、本発明に係る基板処理装置は、以下
のような変形の実施も可能である。例えば、上述した実
施の形態では、ウエハＷの表面に処理液を供給するもの
であったが、ウエハＷの裏面に処理液を供給する基板処
理装置に対しても本発明を適用することができる。

【００４０】また、ウエハＷの表面に対向する位置に遮
蔽板を設け、その遮蔽板の中央部から処理液及び処理ガ
スを保持部材に保持されたウエハＷの表面に供給するよ
うにしてもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１に
記載の基板処理装置によれば、基板保持手段、第１処理
液案内部材、及び第２処理液案内部材を収容し、基板保
持手段に基板を保持している際の基板の位置する側方位
置に、基板の搬送を行うための第１開口が形成された処
理室を備え、第２処理液案内部材には、処理室の第１開
口と基板保持手段との間で基板の搬送を行うための第２
開口が形成されているので、基板保持手段と処理液案内
部材との位置関係の切り換えに煩雑さがなく、かつ基板
処理装置の高さ方向にスペースを小さくできるという効
果がある。

【００４２】また、請求項２に記載の基板処理装置によ
れば、第２駆動手段が、基板保持手段に対して第１処理
液案内部材を上下方向に移動させているので、確実に基
板保持手段と処理液案内部材との位置関係の切り換える
ことができるという効果がある。

【００４３】また、請求項３に記載の基板処理装置によ
れば、前記第２処理液案内部材により第２処理液が受け
止められる第２の状態おいて、第２処理液供給手段によ
る基板への第２処理液の供給を停止した状態で、第１駆
動手段が、基板保持手段を回転させるているので、基板
の処理液による処理後に乾燥処理が行えるという効果が
ある。

【００４４】さらに、請求項４に記載の基板処理装置に
よれば、第１処理液供給手段は、基板保持手段に保持さ
れた基板に第１処理液としての薬液を供給し、第２処理
液供給手段は、基板保持手段に保持された基板に第２処
理液としての純水を供給しているので、基板の洗浄等の
処理を効率的に行えるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成
を示す縦断面図である。

【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一連
の処理動作を説明する図である。

【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一連
の処理動作を示すフローチャートである。

【図４】従来の基板処理装置の構成を示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１ スピンチャック ２ 処理液供給ノズル ４ チャンバ（処理室） ５ 第１処理液案内部材 ６ 第２処理液案内部材 １１ 電動モータ １２ 回転軸 １３ スピンベース １４ 保持部材 ２１ 処理液供給管 ２２ 処理液供給管 ２３ 処理液供給管 ２４ 第１処理液供給源 ２５ 第２処理液供給源 ２０ 昇降機構 ４１ 側方開口 ４２ 開閉シャッタ ６４ 開口 Ｗ ウエハ ＲＨ 第１の高さ ＱＨ 第２の高さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ａ 21/306 ６５１Ｂ // Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ ６５１Ｌ ６５１ 21/30 ５６４Ｃ ５６９Ｃ 21/306 Ｊ Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB20 EA01 EA05 4F042 AA02 AA07 AA08 CC01 CC04 CC09 CC28 EB04 EB05 EB07 EB09 EB17 EB21 EB23 ED05 ED12 5F043 BB27 EE07 EE08 EE09 EE27 EE36 5F046 JA02 JA05 JA07 JA08 LA04 LA06 LA07

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項1】基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段を回転させる第１駆動手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に第１処理液を供給
   する第１処理液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に第２処理液を供給
   する第２処理液供給手段と、 前記基板保持手段の周囲に配置され、前記第１駆動手段
   による基板の回転に伴って基板から飛散された第１処理
   液を受け止める第１処理液案内部材と、 前記第１処理液案内部材の周囲に配置され、前記第１駆
   動手段による基板の回転に伴って基板から飛散された第
   ２処理液を受け止める第２処理液案内部材と、 前記第１処理液案内部材により第１処理液が受け止めら
   れる第１の状態及び前記第２処理液案内部材により第２
   処理液が受け止められる第２の状態になるように、前記
   第１処理液案内部材を前記基板保持手段に対して相対的
   に移動させる第２駆動手段と、 前記基板保持手段、前記第１処理液案内部材、及び前記
   第２処理液案内部材を収容し、前記基板保持手段が基板
   を保持している際の基板の位置する側方位置に、基板の
   搬送を行うための第１開口が形成された処理室とを備
   え、 前記第２処理液案内部材には、前記処理室の第１開口と
   前記基板保持手段との間で基板の搬送を行うための第２
   開口が形成されたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置であって、 前記第２駆動手段は、前記基板保持手段に対して前記第
   １処理液案内部材を上下方向に移動させることを特徴と
   する基板処理装置。
3. 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処理
   装置であって、 前記第２処理液案内部材により第２処理液が受け止めら
   れる第２の状態おいて、前記第２処理液供給手段による
   基板への第２処理液の供給を停止した状態で、前記第１
   駆動手段は、前記基板保持手段を回転させることを特徴
   とする基板処理装置。
4. 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の
   基板処理装置であって、 前記第１処理液供給手段は、前記基板保持手段に保持さ
   れた基板に第１処理液としての薬液を供給し、前記第２
   処理液供給手段は、前記基板保持手段に保持された基板
   に第２処理液としての純水を供給することを特徴とする
   基板処理装置。