JP2002305360A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】複数のスルーホール導体が互いにショートせず
且つ基板の表・裏面の配線層間を正確に接続できる配線
基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】表面４および裏面５を有する基板２と、か
かる基板２の表面４と裏面５との間を貫通する複数のス
ルーホール６ａ，６ｂ，６ｃと、これらの内壁に沿って
それぞれ形成されるスルーホール導体８ａ，８ｂ，８ｃ
と、を含み、追って実装されるＩＣチップ２９に対応す
る領域２９ａ内に位置するスルーホール６ａは、基板２
の表・裏面４，５間にて垂直または比較的小さな傾きθ
を有し、上記領域２９ａ外に位置するスルーホール６
ｂ，６ｃは、基板２の表・裏面４，５間において比較的
大きな傾きθを有すると共に、隣接する上記スルーホー
ル６ｂ，６ｃはほぼ同じ向きに傾斜している、配線基板
１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表・裏面に
それぞれ形成した配線層間を接続するスルーホール導体
を有する配線基板およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、配線基板は、絶縁性の基板(コ
ア基板)にその表・裏面間を貫通するスルーホール内に
形成したスルーホール導体を介して、上記基板の表面お
よび裏面にそれぞれ形成した配線層の間を接続してい
る。上記スルーホール導体を形成するには、例えば図５
(Ａ)に示すように、追って配線基板の基板となる複数の
製品単位ｐ１〜ｐ１６を併有するパネルＰに対し、図５
(Ａ)中の破線で示すレーザ照射単位領域Ｌａごとに、レ
ーザＬｓを照射して所定の位置に複数のスルーホールを
順次穿孔している。尚、パネル(基板)Ｐの表裏面には図
示しない銅箔が貼り付けてある。また、レーザ照射単位
領域Ｌａは、図示しないガルバノミラーの傾きを変えつ
つレンズを透過させてレーザ照射が可能な範囲である。

【０００３】ところで、図５(Ａ)，(Ｂ)に示すように、
製品単位ｐｎの領域よりもレーザ照射単位領域Ｌａが広
いと、隣接する製品単位ｐｎ＋１(ｎ：自然数)の領域ま
でレーザＬｓが当てられる。レーザ照射単位領域Ｌａに
おいて、レーザＬｓは、該領域Ｌａの中央部ほど垂直に
照射され、周辺に行くほど傾斜して照射される傾向があ
る。このため、例えば図５(Ｂ)において製品単位ｐｎ＋
１から分離された配線基板７０は、図５(Ｃ)に示すよう
に、基板(コア基板)７２の中央部付近においては、その
表・裏面７４，７５間に表・裏面７４，７５の方向とほ
ぼ垂直なスルーホール７６ａが形成される。しかし、周
辺に行くほど傾斜したスルーホール７６ｂ，７６ｃが形
成される。

【０００４】しかも、図５(Ｃ)中の左側に示すように、
レーザ照射単位領域Ｌａと製品単位ｐｎ＋１とのずれに
より、傾斜方向が逆のスルーホール７６ｃ，７６ｃが形
成される。これらの内壁に沿って銅メッキを施すことに
より、スルーホール導体７８ａ，７８ｂ，７８ｃが形成
される。また、基板７２の表・裏面７４，７５には、公
知のフォトリソグラフィ技術などにより配線層８０，８
１が形成され、これらは上記スルーホール導体７８ａな
どを介して互いに接続される。

【０００５】

【発明が解決すべき課題】しかしながら、図５(Ｃ)中の
左側に示すように、傾斜方向が互いに逆で大きな傾きの
スルーホール７６ｃ，７６ｃが接近していると、これら
に沿って形成されるスルーホール導体７８ｃ，７８ｃが
互いに接触してショートする、という問題があった。ま
た、配線基板に対する小型化および高性能化の要請に伴
って、基板７２に多くのスルーホール導体７８を高密度
にして配置しようとする場合も、上述したショートが生
じ易くなる。本発明は、以上に説明した従来の技術にお
ける問題点を解決し、複数のスルーホール導体が互いに
ショートせず且つ基板の表・裏面の配線層間を正確に接
続できる配線基板およびその製造方法を提供する、こと
を課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、製品単位の配線基板に形成される複数のス
ルーホールのうち、隣接するスルーホール同士を互いに
ほぼ平行に傾斜させる、ことに着想して成されたもので
ある。即ち、本発明の配線基板(請求項１)は、表面およ
び裏面を有する基板と、かかる基板の表面と裏面との間
を貫通する複数のスルーホールと、これらのスルーホー
ルの内壁に沿ってそれぞれ形成されるスルーホール導体
と、を含み、追って実装されるＩＣチップに対応する領
域内に位置するスルーホールは、上記基板の表・裏面間
において垂直または比較的小さな傾きを有し、上記領域
外に位置するスルーホールは、上記基板の表・裏面間に
おいて比較的大きな傾きを有する、ことを特徴とする。

【０００７】これによれば、平面視において基板の中央
付近に位置するＩＣチップ対応領域内のスルーホール
は、基板の表・裏面間において垂直または比較的小さな
傾きを有し、上記領域外で基板の周辺寄りに位置するス
ルーホールは、比較的大きな傾きを有する。このため、
基板の周辺寄りに位置する各スルーホールに沿って個別
に形成されるスルーホール導体は、互いにほぼ平行で且
つほぼ同じ方向に傾斜した状態となる。この結果、ＩＣ
チップ対応領域内の隣接するスルーホール導体同士の間
はもちろん、基板の周辺寄りに位置し且つ隣接するスル
ーホール導体同士の間でも、互いに接近してショートし
なくなる。従って、上記各スルーホール導体を介して、
基板の表・裏面の配線層間を正確に接続できると共に、
基板に多数のスルーホール導体を高密度に配置可能な配
線基板とすることができる。

【０００８】尚、本明細書において、前記基板とは、単
一の絶縁層あるいは絶縁層と配線層とを交互に積層した
多層基板の何れかを指す。また、上記絶縁層とは、絶縁
性の基板であって、例えばガラス繊維またはガラスクロ
スおよびエポキシ樹脂とからなるガラス−樹脂系の複合
材からシート状に成形されるものである。更に、隣接す
るスルーホールとは、最も近距離にある２つのスルーホ
ールを指す。付言すれば、本発明の配線基板は、表面お
よび裏面を有する基板と、かかる基板の表面および裏面
に形成された配線層と、上記基板の表面と裏面との間を
貫通する複数のスルーホールと、これらのスルーホール
の内壁に沿ってそれぞれ形成されるスルーホール導体
と、を含み、追って実装されるＩＣチップに対応する領
域内に位置するスルーホールは、上記基板の表・裏面間
において垂直または比較的小さな傾きを有し、上記領域
外に位置するスルーホールは、上記基板の表・裏面間に
おいて比較的大きな傾きを有すると共に、隣接する上記
スルーホール同士はほぼ同じ向きに傾斜している、とす
ることも可能である。

【０００９】また、前記スルーホールの比較的小さな傾
きは、前記基板の厚みをＴとすると、かかる基板の表・
裏面間の垂直線に対しａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度未満の
傾斜であり、前記比較的大きな傾きは、上記基板の表・
裏面間の垂直線に対しａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度以上の
傾斜である、配線基板(請求項２)も本発明に含まれる。
これによれば、基板に形成される位置に拘わらず、隣接
するスルーホールが互いに接近しにくくなり、これらに
沿って形成されるスルーホール導体同士がショートする
事態を防ぎ易くなる。尚、比較的小さな傾きがａｒｃｔ
ａｎ(３０／Ｔ)度以上となり、比較的大きな傾きがａｒ
ｃｔａｎ(３０／Ｔ)度未満になると、ＩＣチップ対応領
域またはこの領域外において、隣接するスルーホール導
体が接近してショートするおそれが生じ得るため、これ
らの範囲を除外したものである。尚また、前記基板の厚
みＴは、２００μｍ以上で且つ９００μｍ以下とするこ
ともできる。

【００１０】更に、前記複数のスルーホールのうち、隣
接するスルーホールの中心間距離は３００μｍ以下(０
を含まず)であると共に、隣接するスルーホールの内壁
間距離は５０μｍ以上である、配線基板(請求項３)も本
発明に含まれる。これによれば、前記大小の傾きと相ま
って、隣接するスルーホール導体同士がショートする事
態を防ぎつつ基板に多数のスルーホール導体を高密度に
配置することができる。尚、上記スルーホールの中心間
距離が３００μｍを越えると、特にＩＣチップ対応領域
において所要数のスルーホール導体を高密度に配置しに
くくなるため、この範囲を除いたものである。一方、ス
ルーホールの内壁間距離が５０μｍ未満になると、これ
らに沿って形成され且つ隣接するスルーホール導体間で
ショートが生じ易くなる。これらを防ぐため、上記の範
囲とした。尚また、本明細書において、スルーホールの
中心間距離および内壁間距離は、前記基板の表面付近に
おけるこれらの距離を言う。尚更に、スルーホールの中
心間距離とは、隣接する、即ち最も近いスルーホールの
中心間の距離を指し、スルーホールの内壁間距離とは、
隣接する、即ち最も近いスルーホールの内壁間の距離を
指す。

【００１１】また、前記スルーホールの内壁は、溶融固
着層となっている、配線基板(請求項４)も本発明に含ま
れる。尚、前記スルーホールは、レーザ加工により形成
され且つその内壁が溶融固着層となっている、配線基板
とすることも可能である。これによれば、スルーホール
の内壁は、(レーザにより)基板の素材が一旦溶けた状態
となり、その後で固まった状態、即ち溶融固着層(導体
浸透防止層)である。従って、当該スルーホールの内壁
に沿って形成されるスルーホール導体の導電性成分が上
記内壁から基板中に浸透する事態を防止できるため、高
密度で配置され且つ互いに隣接するスルーホール導体同
士の間におけるショートを一層確実に防止することがで
きる。尚、溶融固着層のスルーホールの径方向における
厚みは、０．５μｍ以上で且つ５．０μｍ以下の範囲が
望ましい。かかる厚みが０．５μｍ未満では、導電性成
分の浸透を防止する効果が小さくなり、５．０μｍより
も厚くなると、かかる溶融固着層と基板との密着力が低
下する不具合を生じるためである。

【００１２】一方、本発明の配線基板の製造方法(請求
項５)は、表面および裏面を有する基板からなり複数の
配線基板の製品単位領域を含むパネルに対し、かかる製
品単位領域とレーザ照射単位領域とを共通させて製品単
位領域ごとに複数のスルーホールを穿孔する工程を、含
む、ことを特徴とする。これによれば、追って個別の配
線基板となる基板に対し、平面視において当該基板の中
央部付近に位置するＩＣチップ対応領域内に、基板の表
・裏面間において垂直または比較的小さな傾きを有する
スルーホールを形成できる。同時に、上記領域外で基板
の周辺寄りに比較的大きな傾きを有し且つ隣接するスル
ーホール同士はほぼ同じ向きに傾斜するスルーホールを
形成することができる。このため、ＩＣチップ対応領域
内の隣接するスルーホール導体同士の間はもちろん、基
板の周辺寄りに位置するスルーホール導体同士の間で
も、互いに接近せずショートしなくなる。従って、上記
各スルーホール導体を介して、基板の表・裏面の配線層
間を正確に接続できると共に、基板に多数のスルーホー
ル導体を高密度に配置可能な配線基板を確実に提供する
ことができる。付言すれば、前記レーザ照射単位領域
(ガルバノエリア)は、一辺が３０ｍｍ以下(０を含まず)
に正方形の範囲である、配線基板の製造方法とすること
も可能である。これによる場合、隣接するスルーホール
導体同士のショートを防止しつつ穿孔されるスルーホー
ルの微細化および高密度化が可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１は、本発明による１
形態の配線基板１の主要部を示す断面図である。配線基
板１は、図１に示すように、絶縁性の基板(コア基板)２
と、当該基板２の表面４上に形成した銅製の配線層１
０，１６，２２およびエポキシ系の樹脂絶縁層１２，１
８，２４と、基板２の裏面５下に形成した配線層１１，
１７，２３および樹脂絶縁層１３，１９，２５とを有す
る。基板２は、平面視が略正方形で厚みＴが５００μｍ
未満、例えば４００μｍであり、線径が５〜１５μｍ、
例えば７μｍのガラスクロスまたはガラス繊維入りのエ
ポキシ樹脂からなるシート状の絶縁材(絶縁層)である。
また、基板２の表面４上方の配線層１６，２２と絶縁層
１２，１８，２４とは、ビルドアップ層ＢＵ１を構成
し、裏面５下方の配線層１７，２３と絶縁層１３，１
９，２５とは、ビルドアップ層ＢＵ２を構成する。配線
層１６などの厚みは約１５μｍ程度であり、絶縁層１２
などの厚みは約３０μｍ程度である。

【００１４】図１に示すように、基板２には、その表面
４と裏面５との間を貫通する複数のスルーホール６ａ，
６ｂ，６ｃが形成され、それらの内壁はレーザ加工によ
り一旦溶けた後で凝固した溶融固着層となっている。図
１において右側に位置し、配線基板１の表面(第１主面)
２６上に追って搭載されるＩＣチップ２９に対応し且つ
平面視で中央部付近に位置する領域２９ａ内のスルーホ
ール６ａ，６ａは、表・裏面４，５間において、表・裏
面４，５の方向に垂直(直角)または比較的小さな傾きθ
(ａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度未満)で形成されている。
尚、上記傾きθは、図１中に示すように、基板２の表・
裏面４，５間の垂直線に対するスルーホール６の軸心線
の傾斜角度を言う。一方、図１において左側に位置し且
つ上記領域２９ａの外側に位置するスルーホール６ｂ，
６ｃは、基板２における周辺(図示で左端寄り)に行くほ
ど大きな傾きθ(ａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度以上)を有し
且つ互いにほぼ同じ向きに傾斜している。かかるスルー
ホール６ａ，６ｂ，６ｃには、図１に示すように、それ
らの内壁に沿って、断面がほぼ円形で内側に充填樹脂９
を充填した全体がほぼ円筒形のスルーホール導体８ａ，
８ｂ，８ｃが個別に形成されている。

【００１５】尚、スルーホール６ａ，６ｂ，６ｃの傾き
は、後述する基板２に対するレーザ照射に起因して付与
される。また、スルーホール６ａ，６ｂ，６ｃの直径Ｄ
は、５０μｍ以上で且つ１５０μｍ未満、例えば９５μ
ｍであり、隣接するスルーホール６ａ，６ａおよびスル
ーホール６ｂ，６ｃの内壁間距離Ｌは、５０μｍ以上、
例えば１００μｍと設定されている。更に、隣接するス
ルーホール６ａ，６ａおよびスルーホール６ｂ，６ｃの
中心間距離Ｓは、１５０μｍ以上で且つ５００μｍ以下
(より好ましくは３００μｍ以下)、例えば２００μｍと
されている。尚、傾きが異なるスルーホール６ｂ，６ｃ
の内壁間距離Ｌや中心間距離Ｓは、基板２の表面４付近
における最小値を基に設定される。スルーホール６ａ，
６ｂ，６ｃの内壁に沿って形成されるスルーホール導体
８ａ，８ｂ，８ｃは、厚さ約１０〜数１０μｍの銅メッ
キ層からなり、それらの上下端で基板２の表・裏面４，
５に位置する配線層１０，１１と接続される。

【００１６】また、図１に示すように、ビルドアップ層
ＢＵ１の樹脂絶縁層１２，１８には、配線層１０，１
６，２２間を接続するビア導体(フィルドビア)１４，２
０が形成されている。最上層の絶縁層(ソルダーレジス
ト層)２４には、これを貫通し且つ配線層２２(パッド)
上に位置する、例えばＳｎ−Ａｇ合金からなる複数のハ
ンダバンプ２８が第１主面２６、即ち配線基板１の表面
よりも高く突出して形成されている。かかるハンダバン
プ２８は、第１主面２６上に搭載されるＩＣチップ(電
子部品)２９の端子と個別に接続される。ビルドアップ
層ＢＵ１における最上層の配線層２２において、第１主
面２６側に露出する部分をパッドと称し、その上にソル
ダーレジスト層２４がある場合には、当該レジスト層２
４に設けた開口部から露出する部分をパッドと称する。
かかるパッドの直径は１００μｍ以下、例えば８５μｍ
とされ、且つ隣接するパッド間の中心間距離は１５０μ
ｍ以下、例えば１００μｍに設定される。

【００１７】図１に示すように、ビルドアップ層ＢＵ２
には、配線層１１，１７，２３間を接続するビア導体
(フィルドビア)１５，２１が樹脂絶縁層１３，１９に形
成され、且つ最下層の絶縁層(ソルダーレジスト層)２５
には、第２主面２７側に開口する凹部２５ａが形成され
ている。配線層２３から凹部２５ａ内に延びて露出する
配線２３ａは、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆
され、当該配線基板１自体を搭載する図示しないマザー
ボードなどとの接続端子として活用される。

【００１８】以上のように、配線基板１は、基板２を貫
通する複数のスルーホール６ａ，６ｂ，６ｃのうち、Ｉ
Ｃチップ２９に対応し且つ平面視で中央部付近に位置す
る領域２９ａ内のスルーホール６ａ，６ａは、表・裏面
４，５間で垂直または比較的小さな傾きθ(ａｒｃｔａ
ｎ(３０／Ｔ)度未満)で形成される。また、上記領域２
９ａ外に位置するスルーホール６ｂ，６ｃは、基板２の
周辺寄りほど大きな傾きθ(ａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度
以上)を有し且つ互いにほぼ同じ向きに傾斜している。
しかも、隣接するスルーホール６ａ，６ａや、スルーホ
ール６ｂ，６ｃの中心間距離Ｓを１５０μｍ以下とし且
つ内壁間距離Ｌを１００μｍ以上としているので、これ
らに沿って形成され且つ隣接するスルーホール導体８
ａ，８ａ，８ｂ，８ｃ間のショートを確実に防止でき
る。

【００１９】このため、配線基板１によれば、スルーホ
ール導体８ａ，８ｂ，８ｃを介して、基板２の表・裏面
４，５の上／下の配線層１０，１１間やビルドアップ層
ＢＵ１，ＢＵ２の配線層１６，１７間などの導通を確実
に取ることができる。しかも、複数のスルーホール導体
８ａ，８ａ，８ｂ，８ｃを基板２に対し高密度で配置す
ることもでき、特にかかる基板(コア基板)２を薄肉化し
た場合にも高密度による配置が可能となる。

【００２０】図２〜図３は、前記配線基板１の製造方法
における主要な工程に関する。図２(Ａ)は、追って配線
基板１の基板２となる製品単位ｐ１〜ｐ３６を併有する
パネルＰの平面図を示し、かかるパネルＰに対し、図２
(Ａ)中の破線で示すレーザ照射単位領域(ガルバノエリ
ア)Ｌａは、製品単位ｐ１(ｐｎ)ごとに共通して設定さ
れている。即ち、上記領域Ｌａは、製品単位ｐ１(ｐｎ)
における基板２の縦・横寸法と共通しているので、例え
ば一辺が３０ｍｍ以下の正方形とされる。図２(Ｂ)に示
すように、表・裏面に銅箔３ａ，３ｂを有するパネルＰ
の基板２における製品単位ｐ１(ｐｎ)に対して、炭酸ガ
ス(ＣＯ_２)レーザ発信器Ｌｈから発射されたレーザＬｓ
をガルバノ光スキャナＧｓを介して照射する。

【００２１】上記スキャナＧｓは、専用のモータの回転
軸に固定した２つのガルバノミラーを内蔵し、各ミラー
の傾きをＸ方向またはＹ方向に変えつつレーザＬｓをス
キャンして、これらミラーの下方に内蔵したｆ−θレン
ズを透過させる。かかるレンズを透過したレーザＬｓ
は、上記領域Ｌａの範囲内の基板２(製品単位ｐ１)に順
次照射される。この間に製品単位ｐ１を含むパネルＰ
は、図示しないテーブル上に載置され且つ水平方向に沿
って移動される。この結果、図２(Ｃ)に示すように、上
記製品単位ｐ１内の基板２における所定の位置にスルー
ホール６ａ，６ｂ，６ｃが穿孔される。

【００２２】この際、平面視で製品単位ｐ１の中央部付
近に位置するスルーホール６ａ，６ａは、表・裏面４，
５間において垂直(直角)または比較的小さな傾き(ａｒ
ｃｔａｎ(３０／Ｔ)度未満)で形成される。これは、製
品単位ｐ１とレーザ照射単位領域Ｌａとが共通し且つレ
ーザＬｓが上記ｆ−θレンズの中央付近を透過したた
め、透過後のレーザＬｓが製品単位ｐ１内の基板２に対
して、垂直または僅かの傾きで照射されたためである。
一方、図２(Ｃ)にて左右で且つ製品単位ｐ１の周辺寄り
に位置するスルーホール６ｂ，６ｃは、基板２における
周辺に行くほど大きな傾き(ａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度
以上)を有し且つ互いにほぼ同じ向きで傾斜している。
これは、製品単位ｐ１とレーザ照射単位領域Ｌａとが共
通し、且つレーザＬｓが前記ｆ−θレンズの周辺寄りを
透過したことにより、透過後のレーザＬｓが製品単位ｐ
１内の基板本体２に対して、ある程度の大きさの傾きを
もって照射されたためである。

【００２３】以上のように、スルーホール６ａ，６ｂ，
６ｃの傾きは、前記ミラーとレンズとの位置関係および
ｆ−θレンズにおけるレーザＬｓの透過位置により定ま
る。尚、スルーホール６ａ，６ｂ，６ｃの内壁は、上記
レーザＬｓにより一旦溶けた後で凝固した状態となるた
め、基板２の当初のマトリックス部分に比べて緻密な組
織である溶融固着層が形成される。このため、基板２に
予め含まれているガラスクロスやガラス繊維がスルーホ
ール６ａ，６ｂ，６ｃの内壁に露出しにくくなる。この
結果、かかる内壁に施す次述する銅メッキ時において、
銅メッキ液中の銅成分の基板２中へのしみ出しを防ぐこ
とができる。

【００２４】次に、製品単位ｐ１の基板２に対し、スル
ーホール６ａ，６ｂ，６ｃの内壁を含めて、予めＰｄな
どを含むメッキ用触媒を付着して無電解銅メッキを施し
た後、基板２の銅箔３ａ，３ｂを含めて電解銅メッキを
施す。この結果、図２(Ｄ)に示すように、スルーホール
６ａ，６ｂ，６ｃ内にほぼ円筒形で且つ基板２の表・裏
面４，５間に延びるスルーホール導体８ａ，８ｂ，８ｃ
が形成される。スルーホール導体８ａ，８ｂ，８ｃは、
スルーホール６ａ，６ｂ，６ｃに倣った傾きをもって形
成される。次いで、スルーホール導体８ａ，８ｂ，８ｃ
内側の各中空部に対し、図示しないスキージおよびメタ
ルマスクを用い、無機フィラ入りのエポキシ樹脂からな
る樹脂ペーストが印刷・充填され、図３(Ａ)に示すよう
に、充填樹脂９がそれぞれ穴埋め・充填される。

【００２５】更に、所定パターンの図示しないエッチン
グレジストを表・裏面４，５の銅箔３ａ，３ｂを含む銅
メッキ層上における所定の位置に形成した後、エッチン
グ液(亜硫酸ナトリウム、濃硫酸、塩化第２鉄、塩化第
２銅など)によりエッチングを施す。このエッチング後
に前記レジストを剥離すると、図３(Ｂ)に拡大して示す
ように、基板２の表面４上と裏面５下には、前記レジス
トに倣った所定パターンの配線層１０，１１が形成され
る。同時に、配線層１０，１１は、スルーホール導体８
ａ，８ｂ，８ｃの上・下端と接続されるため、これらを
介して互いに導通可能となる。次いで、図３(Ｃ)に示す
ように、配線層１０，１１の上／下に、エポキシ樹脂の
フィルムを熱圧着により貼り付けて樹脂絶縁層１２，１
３を形成する。かかる樹脂絶縁層１２，１３における所
定の位置には、フォトリソグラフィ技術などにより底面
に配線層１０，１１が露出するビアホール１２ａ，１３
ａが形成され、且つこれらに前記ビア導体１４，１５が
充填・形成される。

【００２６】これ以降は、配線層１６，２２，１７，２
３、樹脂絶縁層１８，２４，１９，２５、および、ビア
導体２０，２１からなるビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２
を、公知のビルドアップ工程(セミアディティブ法、フ
ルアディティブ法、サブトラクティブ法、フィルム状樹
脂材料のラミネートによる樹脂絶縁層の形成、フォトリ
ソグラフィ技術、レーザ加工によるビアホールの穿孔な
ど)により形成する。これにより、前記図１に示した配
線基板１を得ることができる。

【００２７】以上の配線基板１の製造方法によれば、レ
ーザ照射単位領域Ｌａと製品単位ｐｎとを共通としたの
で、追って個別の配線基板１となる基板２に対し、平面
視でその中央部付近に位置する前記ＩＣチップ対応領域
２９ａ内において、表・裏面４，５間に垂直または比較
的小さな傾きθのスルーホール６ａ，６ａを穿孔でき
る。同時に、上記領域２９ａ外で基板２の周辺寄りに、
比較的大きな傾きθを有し且つ隣接するものがほぼ同じ
向きに傾斜するスルーホール６ｂ，６ｃを形成すること
ができる。この結果、ＩＣチップ対応領域２９ａ内に形
成される隣接するスルーホール導体８ａ，８ａ間はもち
ろん、基板２の周辺寄りに形成されるスルーホール導体
８ｂ，８ｃ間でも、互いに接近せずショートを防ぐこと
ができる。

【００２８】図４は、本発明の異なる形態の配線基板３
０における主要部を示す。配線基板３０は、図４に示す
ように、多層基板の基板３１と、該基板３１の表面４４
の上方に形成した銅製の配線層４６，５４およびガラス
フィラを含むエポキシ系の樹脂絶縁層４８，５２と、基
板３１の裏面４５の下方に形成した銅製の配線層４７，
５３およびガラスフィラを含む樹脂絶縁層４９，５５と
を有する。基板３１は、コア基板(絶縁層)３２と、その
表・裏面３４，３５上に形成した配線層４０，４１と、
これらの上に形成した絶縁層４２，４３とからなる。コ
ア基板３２は、平面視がほぼ正方形で且つ厚みが５００
μｍ未満のガラスクロスまたはガラス繊維入りのエポキ
シ樹脂からなる絶縁板(絶縁層)である。また、配線層４
０，４１は厚さ１０数μｍの銅メッキ層であり、絶縁層
４２，４３はガラスフィラなどの無機フィラを含む厚さ
数１０μｍのエポキシ系樹脂からなる。尚、上記基板３
１における全体の厚みＴは、約６００〜８００μｍであ
る。

【００２９】以上のような基板３１は、コア基板３２の
表・裏面３４，３５にベタ状の配線層４０，４１を形成
した後、その上にエポキシ樹脂のフィルムを熱圧着によ
り貼り付けて絶縁層４２，４３を形成して多層基板とし
たもので、絶縁層４２，４３の上／下に所定パターンの
配線層４６，４７が更に形成される。尚、基板３１の表
面４４上方の配線層５４および樹脂絶縁層４８，５２
は、ビルドアップ層ＢＵ３を構成すると共に、基板３１
の裏面４５下方の配線層５３および樹脂絶縁層４９，５
５は、ビルドアップ層ＢＵ４を構成する。

【００３０】図４に示すように、コア基板３２と、絶縁
層４２，４３と、配線層４０，４１とを含む多層基板の
基板３１には、その表・裏面４４，４５の間を貫通する
複数のスルーホール３６ａ，３６ｂ，３６ｃが前記図２
(Ａ)，(Ｂ)に示した方法と同じ方法に基づくレーザＬｓ
の照射により形成されている。この場合、レーザＬｓ
は、照射される対象物に応じてその出力を調整されてい
る。図４にて右側に位置し、配線基板３０の表面(第１
主面)５６上に追って搭載されるＩＣチップ(図示せず)
に対応し且つ平面視で中央部付近に位置する領域６２内
のスルーホール３６ａ，３６ａは、基板３１の表・裏面
４４，４５間にて垂直または比較的小さな傾き(ａｒｃ
ｔａｎ(３０／Ｔ)度未満)で形成されている。

【００３１】一方、図４において左側に位置し且つ上記
領域６２の外側に位置するスルーホール３６ｂ，３６ｃ
は、基板３１における周辺(図示で左端寄り)に行くほど
大きな傾き(ａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度以上)を有し且つ
互いにほぼ同じ向きに傾斜している。かかるスルーホー
ル３６ａ，３６ｂ，３６ｃには、次述するスルーホール
導体３８ａ，３８ｂ，３８ｃが個別に形成される。各ス
ルーホール３６ａ，３６ｂ，３６ｃの内壁は、前記レー
ザＬｓにより一旦溶けた後で凝固した溶融固着層(導電
性成分浸透抑止層)となっている。

【００３２】図４に示すように、スルーホール３６ａ，
３６ｂ，３６ｃに沿って、断面がほぼ円形で且つ内側に
充填樹脂３９をそれぞれ充填した全体がほぼ円筒形の厚
さ約１０〜数１０μｍの銅メッキ層からなるスルーホー
ル導体３８ａ，３８ｂ，３８ｃが個別に形成されてい
る。尚、スルーホール３６ａ，３６ｂ，３６ｃの直径Ｄ
は、例えば１００μｍであり、隣接するスルーホール３
６ａ，３６ａ、３６ｂ，３６ｃの内壁間距離Ｌは、５０
μｍ以上(例えば１００μｍ)であると共に、これらの中
心間距離Ｓは、３００μｍ以下(例えば２００μｍ)に設
定されている。スルーホール導体３８ａ，３８ｂ，３８
ｃは、それらの上下の中間で基板３１のコア基板３２の
表・裏面３４，３５上に位置する配線層４０，４１と接
続されると共に、その上下端で絶縁層４２，４３(表・
裏面４４，４５)上の配線層４６，４７と接続されてい
る。尚、配線層４０,４１は、コア基板３２の表・裏面
３４,３５上にほぼベタ状に形成された電源用またはグ
ランド用パターンである。

【００３３】更に、図４に示すように、ビルドアップ層
ＢＵ３の樹脂絶縁層４８には、配線層４６，５４間を接
続するビア導体５０が形成されている。また、最上層の
絶縁層(ソルダーレジスト層)５２には、これを貫通し且
つビア導体(パッド)５０の上に連通する孔内に位置する
例えばＳｎ−Ａｇ合金からなるハンダバンプ５８が、第
１主面５６よりも高く突出している。各バンプ５８は、
第１主面５６の上方に搭載される図示しないＩＣチップ
の端子と個別に接続される。尚、図４に示すように、第
１主面５６上には、上記各ハンダバンプ５８を避けるよ
うな開口部を内設した銅製の補強板６０が接着剤(エポ
キシ系、熱硬化性)により取付けられている。かかる補
強板６０の表面には、ＮｉおよびＡｕメッキが被覆され
ている。

【００３４】また、図４に示すように、ビルドアップ層
ＢＵ４の樹脂絶縁層４９には、配線層４７，５３間を接
続するビア導体５１が形成され、最下層に位置する樹脂
絶縁層(ソルダーレジスト層)５５には、第２主面５５ａ
側に開口する凹部５７，５９が形成されている。凹部５
７内で露出するビア導体５１と、凹部５９内で露出する
ビア導体５１および配線層５３の表面には、Ｎｉおよび
Ａｕメッキがそれぞれ被覆されている。図４に示すよう
に、第２主面５５ａ側に開口する凹部５９内のビア導体
５１には、Ｓｎ−Ａｇ合金からなるハンダ６１を介し
て、電極６３を有するチップキャパシタ６２が実装され
る。また、凹部５７内のビア導体５１には、上記ハンダ
６１を介してコバール製のピン６４が接続され、図示し
ないマザーボードなどとの接続に用いられる。尚、上記
ピン６４がない場合、凹部５７内の配線層５３は、当該
配線基板３０自体を搭載する図示しないマザーボードな
どとのハンダ接続に用いることもできる。

【００３５】以上のように、配線基板３０も、基板３１
を貫通する複数のスルーホール３６ａ，３６ｂ，３６ｃ
のうち、ＩＣチップに対応し且つ平面視で中央付近に位
置する領域６２内のスルーホール３６ａ，３６ａは、表
・裏面４４，４５間で垂直または比較的小さな傾き(ａ
ｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度未満)で形成される。また、上
記領域６２外に位置するスルーホール３６ｂ，３６ｃ
は、基板３１の周辺寄りほど大きな傾き(ａｒｃｔａｎ
(３０／Ｔ)度以上)を有し且つ互いにほぼ同じ向きに傾
斜している。しかも、隣接するスルーホール３６ａ，３
６ａや、スルーホール３６ｂ，３６ｃの中心間距離Ｓを
２００μｍ以下とし且つ内壁間距離Ｌを１００μｍ以上
としているので、これらに沿って形成され且つ隣接する
スルーホール導体３８ａ,３８ａ,３８ｂ,３８ｃ間のシ
ョートを確実に防止できる。

【００３６】本発明は以上において説明した各形態に限
定されるものではない。前記基板２やコア基板(絶縁層)
３２の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材料
の他、ビスマレイミド・トリアジン(ＢＴ)樹脂、エポキ
シ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性
などを有するガラスクロスや、ガラスクロスなどのガラ
ス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはＢＴ樹
脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系の
複合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維な
どの有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有する
ＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ
樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料な
どを用いることも可能である。更に、前記スルーホール
導体８,３８、配線層１０,１１などの材質は、前記銅
(Ｃｕ)の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕなどにしても良
く、あるいは、これら金属のメッキ層を用いず、導電性
樹脂を塗布するなどの方法により形成しても良い。

【００３７】また、前記スルーホールの長手方向に沿っ
た断面形状は、直線形に限らず、例えば複数の凹凸を有
する曲線形も含まれる。かかる曲線のスルーホールにお
ける前記傾きθは、基板における当該スルーホールの入
口(表面側)と出口(裏面側)との軸心を通る中心線と、基
板の表・裏面間の垂直線との間の傾斜角度となる。更
に、樹脂絶縁層１２，１３などの材質は、前記エポキシ
樹脂を主成分とするもののほか、同様の耐熱性、パター
ン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ
樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元
網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含
浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもで
きる。尚、樹脂絶縁層の形成には、絶縁性の樹脂フィル
ムを熱圧着する方法のほか、液状の樹脂をロールコータ
により塗布する方法を用いることもできる。尚また、樹
脂絶縁層に混入するガラスクロスまたはガラスフィラの
組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑガラス、Ｓガラスの何
れか、またはこれらのうちの２種類以上を併用したもの
としても良い。

【００３８】また、スルーホール６およびスルーホール
導体８などの基板２，３１への配置は、前記中心間距離
Ｓや内壁間距離Ｌを保つことを前提として、平面視で格
子状、千鳥状、矩形状、または、矩形枠状などの任意の
配置パターンとしても良い。更に、レーザＬｓには、前
記炭酸ガスレーザに限らず、ＹＡＧレーザ、エキシマレ
ーザ、または半導体レーザなどを用いることもできる。
また、ビア導体は、当該ビアが完全にメッキで充填され
るフィルドビア導体に限らず、ビア内がメッキで充填さ
れないコンフォーマルビア導体としても良い。更に、前
記ハンダバンプには、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合
金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金などの低融
点合金を用いても良い。また、前記補強板６０には、銅
の他、ステンレス鋼、Ｆｅ−４２wt％Ｎｉ合金(いわゆ
る４２アロイ)、コバール(Ｆｅ−２９wt％Ｎｉ−１７wt
％Ｃｏ合金)、アルミニウム、チタンなどの金属または
これらの合金を適用することもできる。

【００３９】

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板(請求
項１，２)によれば、ＩＣチップ対応領域内の隣接する
スルーホール導体同士の間はもちろん、基板の周辺寄り
に位置し且つ隣接するスルーホール導体同士の間でも、
互いに接近してショートしなくなる。従って、各スルー
ホール導体を介して、基板の表・裏面の配線層間を正確
に接続できると共に、基板に多数のスルーホール導体を
高密度にして配置可能な配線基板とすることができる。
また、請求項３の配線基板によれば、スルーホールの傾
きの大小と相まって、隣接するスルーホール導体同士の
ショートを一層防止することができる。

【００４０】更に、請求項４の配線基板によれば、スル
ーホールの内壁は、基板の素材が一旦溶けた状態とな
り、その後で固まって溶融固着層であるため、当該スル
ーホールの内壁に沿って形成されるスルーホール導体の
導電性成分が上記内壁から基板中に浸透する事態を防止
できる。この結果、高密度で配置され且つ互いに隣接す
るスルーホール導体同士の間におけるショートを一層確
実に防止できる配線基板とすることができる。一方、本
発明の配線基板の製造方法によれば、ＩＣチップ対応領
域内の隣接するスルーホール導体同士の間はもちろん、
基板の周辺寄りに位置するスルーホール導体同士の間で
も、互いに接近せずショートしなくなる。従って、各ス
ルーホール導体を介して、基板の表・裏面の配線層間を
正確に接続できると共に、基板に多数のスルーホール導
体を高密度に配置可能な配線基板を確実に提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１形態の配線基板における主要部を示
す断面図。

【図２】(Ａ)〜(Ｄ)は図１の配線基板の製造方法におけ
る主要な工程を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｃ)は図２(Ｄ)に続く前記製造方法にお
ける主要な工程を示す概略図。

【図４】本発明の異なる形態の配線基板における主要部
を示す断面図。

【図５】(Ａ)および(Ｂ)は従来の配線基板の製造方法に
おける主要な工程を示す概略図、(Ｃ)は従来の配線基板
における主要部を示す断面図。

【符号の説明】

１，３０………………………………配線基板 ２………………………………………基板(コア基板) ４，４４………………………………表面 ５，４５………………………………裏面 ６ａ〜６ｃ，３６ａ〜３６ｃ………スルーホール ８ａ〜８ｃ，３８ａ〜３８ｃ………スルーホール導体 ２９……………………………………ＩＣチップ ２９ａ，６２…………………………ＩＣチップ対応領域 ３１……………………………………基板 ３２，４０，４２……………………絶縁層 ４０，４１……………………………配線層 Ｔ………………………………………基板の厚み Ｌ………………………………………スルーホールの中心
間距離 Ｓ………………………………………スルーホールの内壁
間距離 θ………………………………………スルーホールの傾き Ｌａ……………………………………レーザ照射単位領域 Ｐ………………………………………パネル ｐ１〜ｐｎ……………………………製品単位領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC17 CC31 CD32 GG14 5E346 AA06 AA41 BB16 CC02 CC08 CC31 DD02 DD31 EE31 FF04 GG15 GG17 GG25 GG28 HH08 HH25

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】表面および裏面を有する基板と、かかる基
   板の表面と裏面との間を貫通する複数のスルーホール
   と、これらのスルーホールの内壁に沿ってそれぞれ形成
   されるスルーホール導体と、を含み、 追って実装されるＩＣチップに対応する領域内に位置す
   るスルーホールは、上記基板の表・裏面間において垂直
   または比較的小さな傾きを有し、 上記領域外に位置するスルーホールは、上記基板の表・
   裏面間において比較的大きな傾きを有する、ことを特徴
   とする配線基板。
2. 【請求項２】前記スルーホールの比較的小さな傾きは、
   前記基板の厚みをＴとすると、かかる基板の表・裏面間
   の垂直線に対しａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度未満の傾斜で
   あり、前記比較的大きな傾きは、上記基板の表・裏面間
   の垂直線に対しａｒｃｔａｎ(３０／Ｔ)度以上の傾斜で
   ある、 ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 【請求項３】前記複数のスルーホールのうち、隣接する
   スルーホールの中心間距離は３００μｍ以下であると共
   に、隣接するスルーホールの内壁間距離は５０μｍ以上
   である、ことを特徴とする請求項１または２に記載の配
   線基板。
4. 【請求項４】前記スルーホールの内壁は、溶融固着層と
   なっている、 ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の
   配線基板。
5. 【請求項５】表面および裏面を有する基板からなり複数
   の配線基板の製品単位領域を含むパネルに対し、かかる
   製品単位領域とレーザ照射単位領域とを共通させて製品
   単位領域ごとに所要数のスルーホールを穿孔する工程
   を、含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。