JP2002304751A - フォーカス制御装置及びフォーカス制御方法 - Google Patents

フォーカス制御装置及びフォーカス制御方法

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JP2002304751A
JP2002304751A JP2001110509A JP2001110509A JP2002304751A JP 2002304751 A JP2002304751 A JP 2002304751A JP 2001110509 A JP2001110509 A JP 2001110509A JP 2001110509 A JP2001110509 A JP 2001110509A JP 2002304751 A JP2002304751 A JP 2002304751A
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gain
signal
reference voltage
focus
agc
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JP2001110509A
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English (en)
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Yasuhiro Nihei
靖厚 二瓶
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 AGCのゲイン量に比例したオフセットが発
生しても、基準電圧を制御して安定したAGCを持った
光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 基準電圧生成部13のゲイン比較部13
1(ゲイン比較手段)で、ある設定された基準ゲイン信
号とFE信号生成部5のAGCのゲイン量を表すゲイン
調整信号を比較する。基準電圧選択部132(基準電圧
選択手段)で、選択信号が“L”のとき基準電圧1を、
選択信号が“H”のとき基準電圧2を出力する。この基
準電圧とFE信号を比較器10で比較して層信号を得
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォーカス制御装
置及びフォーカス制御方法に関し、さらに詳しくは、A
GC(Automatic Gain Control)を搭載した光ディスク
装置のフォーカス制御装置及びフォーカス制御方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光ディスクを高容量化するため
に、複数の記録層を積層してなる多層構造の光ディスク
が提案されている。この光ディスクは、図示は省略する
が、透明基板とアルミ反射層との間に、複数の記録層を
積層して構成されている。そして、この複数の記録層
は、それぞれ光の透過率が順に小さくなっており、それ
ぞれの記録層の間には、透明樹脂のスペーサが設けられ
ている。このような多層構造の光ディスクに対してフォ
ーカス合わせを行う場合、まず、フォーカスアクチュエ
ータを駆動するのであるが、これにより、対物レンズを
介して照射されたレーザビームの焦点が、各記録層に順
に移動することとなる。
【0003】図6は、従来の光ディスク装置における多
層光ディスクのためのフォーカス制御の構成を示すブロ
ック図である。この構成は、多層光ディスク1と、対物
レンズ3を上下に移動させるアクチュエータ2と、アク
チュエータ2と対物レンズ3を通して、光ディスク1に
光ビームを照射させ、反射光を受光する光学系(図示せ
ず)を搭載しているキャリッジ4と、光ディスク1に照
射されるレーザ焦点のずれ量を示すフォーカスエラー信
号(FE信号)を生成する、フォーカスエラー信号生成部
5と、フォーカスエラー信号に基づいて、レーザのスポ
ット焦点を合わせるようアクチュエータ2を制御するた
めの、フォーカス制御信号を出力する位相補償部6と、
対物レンズ3を下から上または、上から下に移動させる
信号を出力するフォーカスサーチ信号生成部7と、フォ
ーカス制御信号とフォーカスサーチ信号の切替えを行う
フォーカス制御切替えスイッチ8と、フォーカス制御切
替えスイッチ8で選択された信号を、アクチュエータ2
を駆動することができる駆動信号に変換するためのアク
チュエータドライバ9と、FE信号と基準電圧1を比較
し、FE信号が基準電圧1より低いときは“L”レベル
を、FE信号が基準電圧より大きいときは“H”レベル
を出力する比較器10と、比較器10の出力信号の立ち
上がりでカウントするカウンタ11と、FE信号、カウ
ンタ11等の値に基づいて、フォーカス制御切替スイッ
チ8の制御を行う、フォーカス制御切替部12により構
成されている。
【0004】図7は、フォーカスエラー信号生成部5の
内部構成を示すブロック図である。ここではフォーカス
エラーを非点収差法で検出し、AGC(Automatic Gain
Control)を搭載した場合について示す。非点収差法
は、光ディスクからの反射光をシリンドリカルレンズの
性質を利用して、4分割PD(Photo Detector)で受光
したビームの形状からフォーカスエラーを検出するもの
であり、公知の技術である。フォーカスエラー信号生成
部5の構成は、4つのPD51a(A)、51b
(B)、51c(C)、51d(D)で構成されている
4分割PD51と、この4分割PD51の出力に対し
(A+B+C+D)の演算を行い、和信号SUM1を生成
する演算器52と、4分割PD51の出力に対し(A+
C−B−D)の演算を行い、フォーカスエラー信号FE
1を生成する演算器53と、ゲイン調整信号の大きさに
よりゲイン量が変わり、それぞれ和信号SUM2、フォ
ーカスエラー信号FE2を出力するVCA(Voltage-Co
ntrolled Amplifier)54、55と、与えられた信号S
UM2のレベルが常にある値(例えば1[V])で一定とな
るように、VCA54のゲインを調整するための、ゲイ
ン調整信号を出力するAGC制御部56により構成さ
れ、このゲイン調整信号はフォーカスエラー信号用のV
CA55にも供給され、FE1はVCA54と同じゲイ
ンで増幅されFE2として出力される。
【0005】図8は、図7のフォーカスエラー信号生成
部5の動作を説明するための各部の波形である。図7、
図8を併せて参照してフォーカスエラー信号生成部5の
動作について説明する。図8は2層ディスクに対して、
対物レンズ3を下から上へ移動させたときのAGC前、
AGC後のFE信号、和信号の変化の様子を示したもの
である。図8(a)はAGC前のFE信号(図7のFE
1)であり、まず対物レンズ3を下から上へ移動させる
と、4つのPD51a(A)、51b(B)、51c
(C)、51d(D)に光ビームが照射され、徐々にゼ
ロ(つまり、A+C−B−Dの演算結果がゼロ)になり
合焦する。その過程で信号FE1がS字カーブとなる。
従って、信号FE1がゼロになったポイントで信号SU
M1が最大となり、図8(b)のようになる。次に、同様
にして2層目のS字波形、和信号SUM1のピークが現
れる。ここに示すように2層目は1層目に比べ反射率が
低いので、2層目のS字波形の振幅、和信号のピークは
1層目と比べ小さくなっている。これにAGCを施して
1層目と2層目で振幅が同じとなるようにするのがAG
Cの役割である。
【0006】次に、AGCの動作について説明する。図
8(b)は前記で説明した和信号(図7のSUM1)であ
り、この和信号が常に一定値になるように、AGC制御
部56は、和信号SUM1が大きいところはゲインを小
さく、小さいところではゲインを大きくなるように、V
CA54のゲインを図8(c)のように和信号SUM1と
対照的に変化させる。同時にVCA55のゲインも変化
させ、1層目ではゲインが小さく2層目ではゲインが大
きくなり、FE2信号は図8(e)に示すように1層目と
2層目のS字の振幅が同じになるようになる。次に、図
6で示した構成のフォーカス制御において、2層光ディ
スクの2層目にフォーカス引き込みを行う動作について
説明する。図9は、従来例のフォーカス引き込み時の波
形を示す。まず、図示を省略したシステムコントローラ
から、フォーカス制御切替え部12に、引きみたい層及
びフォーカス制御切替えスイッチ8をフォーカスサーチ
側8bにする指示を送る。また、システムコントローラ
はフォーカスサーチ信号生成部7に、フォーカスサーチ
信号出力の命令を送る。そして、フォーカスサーチ信号
生成部7では、システムコントローラからの命令により
図9(a)に示すフォーカスサーチ信号を出力し、対物レ
ンズ3を下から上へ移動させて行く。対物レンズ3を下
から上へ移動させることにより、前記で説明した通り、
図9(b)のS字曲線を2つもったFE信号が得られる。
これは前述したようにAGCが施されているので、1層
目と2層目のS字の振幅は同じとなっている。このFE
信号を基準電圧1と比較器10で比較することにより、
図9(c)に示すようなパルス信号が得られる。このパル
ス信号の立ち上がりでカウンタ11はカウントアップさ
れる。フォーカス制御切替え部12では、システムコン
トローラから指示された引き込みたい層(ここでは2層
目)と、カウンタの数が一致したら、FE信号のゼロク
ロスを検出して、フォーカス制御切替えスイッチ8をサ
ーボ側8aに切り替えて、フォーカス制御信号を出力す
る位相補償部6にフォーカス制御切替えスイッチ8の中
点8cを、アクチュエータドライバ9に接続してフォー
カス引き込みを行い、フォーカスサーボの制御にうつ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上の説明のとおり、
AGCを用いることにより1層目、2層目のS字振幅が
同じとなるので、1つの基準電圧を用意するだけで各層
に引き込みを行うことができる。しかしながら、図8
(f)に示すようにAGCのゲインに比例して、発生する
オフセットの大きさが変わってしまうことがある。この
ようなオフセットが生じた場合、AGC後のフォーカス
エラー信号は、図8(g)のようになり、2層目は基準電
圧1とクロスしなくなってしまう。このようになると、
その層にはフォーカスの引き込みができなくなってしま
う。本発明は、かかる課題に鑑み、AGCのゲイン量に
比例したオフセットが発生しても、基準電圧を制御して
安定したAGCを持った光ディスク装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するために、請求項1の発明は、複数層の光ディスク
のフォーカス制御をAGCを用いて制御するフォーカス
制御装置において、複数の光ビーム検出手段からの信号
を演算処理する演算手段と、該演算手段からの信号ゲイ
ンを制御するゲイン制御手段と、を有するフォーカスエ
ラー信号生成部と、前記ゲイン制御手段からの信号と基
準ゲインを比較するゲイン比較手段と、該ゲイン比較手
段の信号に基づいて複数の異なる基準電圧を選択する基
準電圧選択手段と、を有する基準電圧生成部と、を備え
たことを特徴とする。AGC制御で最も問題となるのが
オフセットである。オフセットは、オペアンプの特性や
周辺回路構成、あるいは周囲温度により変化してしま
う。また、AGCのゲインの変化に対しても変動する要
因をもっている。オフセットをキャンセルする方法は各
種提案されているが、一長一短があり、決定的なものは
ない。本発明では、このオフセットをキャンセルするの
ではなく、オフセットの変動値を検出して、それに合う
ように基準電圧を追従させていく考え方である。そのた
めに、ゲイン制御手段からのゲイン調整信号が、オフセ
ットによりリニアリティが崩れた部分を検出するように
して、基準ゲインから外れた部分と、それ以外の部分で
基準電圧を変化させるものである。これにより、単純な
1種類の基準レベルでの比較ではなく、複数の基準レベ
ルで比較することができる。かかる発明によれば、ゲイ
ン調整信号と基準ゲインを常に比較して基準電圧を選択
するので、オフセットの変動に追従して適正な基準電圧
が選択できる。
【0009】また、請求項2の発明は、複数層の光ディ
スクのフォーカス制御をAGCを用いて制御するフォー
カス制御装置において、複数の光ビーム検出手段からの
信号を演算処理する演算手段と、該演算手段からの信号
ゲインを制御するゲイン制御手段と、を有するフォーカ
スエラー信号生成部と、前記ゲイン制御手段からの信号
と参照基準電圧を減算する減算器で構成されている基準
電圧生成部と、を備えたことを特徴とする。ゲイン調整
信号から基準電圧を選択する方法は、デジタル的に、あ
る基準レベルを超えた部分を検出する方法と、アナログ
的に基準電圧を発生させる方法がある。このアナログ的
な方法の一つに、減算器で参照基準電圧とゲイン調整信
号を減算する方法がある。この方法によると、参照基準
電圧のレベルからゲイン調整信号を減算すると、ゲイン
調整信号と相補的な波形が取り出せる。かかる発明によ
れば、基準電圧の波形がゲイン調整信号と相補的な波形
であるため、オフセットの変動にさらに細かく追従した
適正な基準電圧が生成できる。また、回路構成が比較的
簡単である。また、請求項3の発明は、前記参照基準電
圧は任意に変更可能とすることも本発明の有効な手段で
ある。減算器に入力する参照基準電圧は、その電圧から
ゲイン調整信号を減算する元の電圧レベルである。従っ
て、この電圧レベルにより減算器からの出力電圧は異な
ってくる。つまり、大きすぎると比較すべき信号に対し
て基準電圧が高くなり過ぎて適正な閾値を設定できな
い。また、反対に低すぎると、基準電圧が低くなり過ぎ
て同じく適正な閾値を設定できない。いずれにしても、
参照基準電圧は、可変できるようにして、適正値を設定
するのが好ましい。かかる技術手段によれば、参照基準
電圧が任意に変更可能であるので、比較すべき信号に対
して適正な基準電圧を容易に設定できる。また、請求項
4の発明は、複数層の光ディスクのフォーカス制御をA
GCを用いて制御するフォーカス制御方法において、フ
ォーカスエラー信号と比較する基準電圧の生成方法はA
GCのゲイン量に基づくことを特徴とする。AGCのゲ
イン量は、AGC前の和信号と相補的な関係にある。従
って、AGCのゲイン量から基準電圧を生成することは
最も理にかなっている。かかる発明によれば、フォーカ
スエラー信号と比較する基準電圧は、AGCのゲイン量
に基づいて生成することとしたので、フォーカスエラー
信号にAGCのゲインに比例したオフセット量が生じて
も、多層光ディスクの全ての層にフォーカス引き込みを
行うことができる。
【0010】また、請求項5の発明は、複数層の光ディ
スクのフォーカス制御をAGCを用いて制御するフォー
カス制御方法において、フォーカスエラー信号と比較す
る基準電圧の生成方法はAGCのゲイン量と基準ゲイン
量を比較し、その結果に基づき複数の基準電圧のいずれ
かを選択するようにしたことを特徴とする。AGCのゲ
イン量と基準ゲイン量を比較することは、デジタル的に
基準電圧を変更するタイミングを設定することである。
この方法はデジタル処理では一般的な手法である。かか
る発明によれば、フォーカスエラー信号と比較する基準
電圧の生成方法は、AGCのゲイン量と基準ゲイン量を
比較し、その結果に基づき基準電圧1、基準電圧2のい
ずれかを選択するようにしので、2層光ディスクの各層
に応じた基準電圧を用意することができ、フォーカスエ
ラー信号にAGCのゲインに比例したオフセット量が生
じても、より確実に2層光ディスクの各層にフォーカス
引き込みを行うことができる。また、請求項6の発明
は、複数層の光ディスクのフォーカス制御をAGCを用
いて制御するフォーカス制御方法において、フォーカス
エラー信号と比較する基準電圧の生成方法は、参照基準
電圧とゲイン量を表すゲイン調整信号を減算することに
より得ることを特徴とする。かかる発明によれば、フォ
ーカスエラー信号と比較する基準電圧の生成方法は、参
照基準電圧とゲイン量を表すゲイン調整信号を減算する
ことにより得るようにしたので、簡単な方法でフォーカ
スエラー信号にAGCのゲインに比例したオフセット量
が生じても、多層光ディスクの全ての層にフォーカス引
き込みを行うことができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示した実施形
態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載
される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配
置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそ
れのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎな
い。図1は、本発明の実施形態のフォーカス制御装置の
構成を示すブロック図である。図6の従来例と同じ構成
要素には同じ参照番号が付されているので、重複する説
明は省略する。図1と図6の異なる点は、基準電圧生成
部13が付加されている点である。基準電圧生成部13
は、FE信号生成部5から出力されるゲイン調整信号に
基づいてFE信号と比較する基準電圧を出力する。図2
は、本発明の第1の実施形態の基準電圧生成部の構成を
示すブロック図である。図1のFE信号生成部を含めて
示したものである。図2のFE信号生成部5は、図7と
同じ構成である。図2の基準電圧生成部13のゲイン比
較部131(ゲイン比較手段)で、ある設定された基準
ゲイン信号とFE信号生成部5のAGC(Automatic Ga
in Control)のゲイン量を表すゲイン調整信号を比較す
る。基準電圧選択部132(基準電圧選択手段)で、選
択信号が“L”のとき基準電圧1を、選択信号が“H”
のとき基準電圧2を出力する。
【0012】次に、以上の構成における2層光ディスク
の2層目にフォーカスを引き込む動作について図2と図
3を併せて参照して説明する。図3は、本実施形態のフ
ォーカス引き込み時の各部の波形を示す。図示しないシ
ステムコントローラからの命令により図3(a)に示すフ
ォーカスサーチ信号を出力し、対物レンズを下から上へ
移動させて行く。このときのFE信号生成の様子につい
て説明する。図2の4分割PD51(ビーム検出手段)
の出力を演算器52、演算器53で演算することにより
(演算手段)、AGC前のFE信号(図3(b))、AGC
前の和信号(図3(c))が得られる。そしてSUM1が
一定となるようにAGC制御部56(ゲイン制御手段)
により、VCA54のゲインが制御される。そしてVC
A55も同じゲインに制御される。図3(d)がこのとき
のゲイン調整信号の波形である。このときVCA55に
おいて、ゲイン量に比例したオフセットが生じると、得
られるAGC後のFE信号は図3(f)のように、1層目
と2層目のS字レベルが異なってしまう。次に基準電圧
生成の様子について説明する。まず、図2のゲイン比較
部131でゲイン調整信号図3(d)と基準ゲインとを比
較する。ゲイン調整信号が基準ゲインより低いレベルで
選択信号図がLレベルとなり、これにより図3(e)に示
す選択信号が得られる。基準電圧選択部132では、あ
らかじめ基準電圧1、基準電圧2を設定しておき、選択
信号が“L”のとき基準電圧1を、“H”のとき基準電
圧2を出力する。これにより、図3(f)に示す基準電圧
が得えられる。そして、1層目と2層目のS字のレベル
が異なっても基準電圧の違いにより、図1の比較器10
でFE信号と基準電圧の比較を行うと、図3(g)のパル
ス信号が得られる。このパルス信号の立ち上がりでカウ
ンタ11はカウントアップされる。フォーカス制御切替
え部12では、システムコントローラから指示された引
き込みたい層(ここでは2層目)とカウンタの数が一致し
たら、FE信号のゼロクロスを検出しフォーカス制御切
替えスイッチ8を、サーボ側8aに切り替えて、フォー
カス制御信号を出力する位相補償部6にフォーカス制御
切替えスイッチ8の中点8cを、アクチュエータドライ
バ9に接続してフォーカス引き込みを行い、フォーカス
サーボの制御にうつる。以上のように基準電圧を生成す
ることにより、フォーカスエラー信号にAGCゲインに
比例したオフセットが生じても、目的の層にフォーカス
を引き込むことができる。図4は、本発明の第2の実施
形態の基準電圧生成部の構成を示すブロック図である。
図1のFE信号生成部5を含めて示したものである。図
2のFE信号生成部5は、図7と同じ構成である。
【0013】次に、本発明の第2の実施形態について図
1、図4、図5を用いて説明する。第2の実施形態は図
1の基準電圧生成部13を図4のように構成したもので
ある。参照基準電圧からゲイン調整信号のレベルを減算
する、減算器133で構成されている。次に、以上の構
成における2層光ディスクの2層目にフォーカスを引き
込む動作について図4と図5を併せて参照して説明す
る。図5は、本実施形態のフォーカス引き込み時の各部
の波形を示す。フォーカスサーチ信号生成部7ではシス
テムコントローラからの命令により、図5(a)に示すフ
ォーカスサーチ信号を出力して、対物レンズを下から上
へ移動させて行く。このときのFE信号生成の様子につ
いて説明する。図4の4分割PD51の出力を演算器5
2、演算器53で演算することによりAGC前のFE信
号図5(b)、AGC前の和信号図5(c)が得られる。そし
てSUM1が一定となるようにAGC制御部56によ
り、VCA54のゲインが制御される。そしてVCA5
5も同じゲインに制御される。図5(d)がこのときのゲ
イン調整信号の波形である。このときVCA55におい
て、ゲイン量に比例したオフセットが生じると、AGC
後のFE信号は、図5(e)のように1層目と2層目のS
字のレベルが異なってしまう。次に、基準電圧生成の様
子について説明する。基準電圧は図5(d)に示してある
ような参照基準電圧から、ゲイン調整信号を減算するこ
とによって得ることができる。得られた基準電圧は、図
5(e)のようになり1層目、2層目両方のS字と交叉す
ることができる。そしてこれにより、図1の比較器10
でFE信号と基準電圧の比較を行うことにより、図5
(f)のパルス信号が得られる。このパルス信号の立ち上
がりでカウンタ11はカウントアップされる。フォーカ
ス制御切替え部12では、システムコントローラから指
示された引き込みたい層(ここでは2層目)とカウンタの
数が一致したら、FE信号のゼロクロスを検出しフォー
カス制御切替えスイッチ8をサーボ側8aに切り替え
て、フォーカス制御信号を出力する位相補償部6にフォ
ーカス制御切替えスイッチ8の中点8cを、アクチュエ
ータドライバ9に接続してフォーカス引き込みを行い、
フォーカスサーボの制御にうつる。
【0014】以上のように基準電圧を生成することによ
り、フォーカスエラー信号にAGCゲインに比例したオ
フセットが生じても、目的の層にフォーカスを引き込む
ことができる。また、図4の参照基準電圧を可変にする
ことにより、生成される基準電圧のレベルを変えること
ができ、光ディスクの反射率のバラツキなどにより1層
目、2層目のS字のずれかたが変わっても対処すること
ができる。
【0015】
【発明の効果】以上記載のごとく本発明によれば、請求
項1は、ゲイン調整信号と基準ゲインを常に比較して基
準電圧を選択するので、オフセットの変動に追従して適
正な基準電圧が選択できる。請求項2は、基準電圧の波
形がゲイン調整信号と相補的な波形であるため、オフセ
ットの変動にさらに細かく追従した適正な基準電圧が生
成できる。また、回路構成が比較的簡単である。請求項
3は、参照基準電圧が任意に変更可能であるので、比較
すべき信号に対して適正な基準電圧を容易に設定でき
る。請求項4は、フォーカスエラー信号と比較する基準
電圧は、AGCのゲイン量に基づいて生成することとし
たので、フォーカスエラー信号にAGCのゲインに比例
したオフセット量が生じても、多層光ディスクの全ての
層にフォーカス引き込みを行うことができる。請求項5
は、フォーカスエラー信号と比較する基準電圧の生成方
法は、AGCのゲイン量と基準ゲイン量を比較し、その
結果に基づき基準電圧1、基準電圧2のいずれかを選択
するようにしので、2層光ディスクの各層に応じた基準
電圧を用意することができ、フォーカスエラー信号にA
GCのゲインに比例したオフセット量が生じても、より
確実に2層光ディスクの各層にフォーカス引き込みを行
うことができる。請求項6は、フォーカスエラー信号と
比較する基準電圧の生成方法は、参照基準電圧とゲイン
量を表すゲイン調整信号を減算することにより、簡単な
方法でフォーカスエラー信号にAGCのゲインに比例し
たオフセット量が生じても、多層光ディスクの全ての層
にフォーカス引き込みを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態のフォーカス制御装置の構成
を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施形態の基準電圧生成部の構
成を示すブロック図である。
【図3】本発明の第1の実施形態のフォーカス引き込み
時の各部の波形を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施形態の基準電圧生成部の構
成を示すブロック図である。
【図5】本発明の第2の実施形態のフォーカス引き込み
時の各部の波形を示す図である。
【図6】従来例のフォーカス制御装置の構成を示すブロ
ック図である。
【図7】従来例のフォーカスエラー信号生成部の構成を
示すブロック図である。
【図8】従来例のフォーカスエラー信号生成部の動作を
説明するための各部の波形を示す図である。
【図9】従来例のフォーカス引き込み時の波形を示す図
である。
【符号の説明】
1 光ディスク 2 アクチュエータ 3 対物レンズ 4 キャリッジ 5 フォーカスエラー信号生成部 6 位相補償部 7 フォーカスサーチ信号生成部 8 フォーカス制御切替スイッチ 9 アクチュエータドライバ 10 比較器 11 カウンタ 12 フォーカス制御切替部 13 基準電圧生成部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数層から成る光ディスクのフォーカス
    制御をAGCを用いて制御するフォーカス制御装置にお
    いて、 複数の光ビーム検出手段からの信号を演算処理する演算
    手段と、該演算手段からの信号ゲインを制御するゲイン
    制御手段と、を有するフォーカスエラー信号生成部と、 前記ゲイン制御手段からの信号と基準ゲインを比較する
    ゲイン比較手段と、該ゲイン比較手段の信号に基づいて
    複数の異なる基準電圧を選択する基準電圧選択手段と、
    を有する基準電圧生成部と、 を備えたことを特徴とするフォーカス制御装置。
  2. 【請求項2】 複数層から成る光ディスクのフォーカス
    制御をAGCを用いて制御するフォーカス制御装置にお
    いて、 複数の光ビーム検出手段からの信号を演算処理する演算
    手段と、該演算手段からの信号ゲインを制御するゲイン
    制御手段と、を有するフォーカスエラー信号生成部と、 前記ゲイン制御手段からの信号と参照基準電圧を減算す
    る減算器で構成されている基準電圧生成部と、 を備えたことを特徴とするフォーカス制御装置。
  3. 【請求項3】 前記参照基準電圧は任意に変更可能とす
    ることを特徴とする請求項2記載のフォーカス制御装
    置。
  4. 【請求項4】 複数層の光ディスクのフォーカス制御を
    AGCを用いて制御するフォーカス制御方法において、 フォーカスエラー信号と比較する基準電圧の生成方法は
    AGCのゲイン量に基づくことを特徴とするフォーカス
    制御方法。
  5. 【請求項5】 複数層の光ディスクのフォーカス制御を
    AGCを用いて制御するフォーカス制御方法において、 フォーカスエラー信号と比較する基準電圧の生成方法は
    AGCのゲイン量と基準ゲイン量を比較し、その結果に
    基づき複数の基準電圧のいずれかを選択するようにした
    ことを特徴とするフォーカス制御方法。
  6. 【請求項6】 複数層の光ディスクのフォーカス制御を
    AGCを用いて制御するフォーカス制御方法において、 フォーカスエラー信号と比較する基準電圧の生成方法
    は、参照基準電圧とゲイン量を表すゲイン調整信号を減
    算することにより得ることを特徴とするフォーカス制御
    方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010108530A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd 光ディスク装置

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