JP2002303870A - 垂直配向型液晶配向膜および垂直配向型液晶表示素子 - Google Patents
垂直配向型液晶配向膜および垂直配向型液晶表示素子Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
-
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- G02—OPTICS
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直液晶配向性および電圧保持特性に優れた
垂直液晶配向膜を提供すること。 【解決手段】 表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ以下の薄膜
に、無偏光の紫外線を照射角９０度未満で照射すること
により得られる、垂直配向型液晶配向膜。
垂直液晶配向膜を提供すること。 【解決手段】 表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ以下の薄膜
に、無偏光の紫外線を照射角９０度未満で照射すること
により得られる、垂直配向型液晶配向膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は垂直配向型液晶配向
膜および垂直配向型液晶表示素子に関する。さらに詳し
くは、無偏光の紫外線の斜め照射により垂直液晶配向
性、電圧保持特性に優れた液晶配向膜および垂直型液晶
表示素子に関する。
膜および垂直配向型液晶表示素子に関する。さらに詳し
くは、無偏光の紫外線の斜め照射により垂直液晶配向
性、電圧保持特性に優れた液晶配向膜および垂直型液晶
表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶表示素子としては、透明導電
膜が設けられている基板表面にポリアミック酸、ポリイ
ミドなどからなる液晶配向膜を形成して液晶表示素子用
基板とし、その２枚を対向配置してその間隙内に正の誘
電異方性を有するネマチック型液晶の層を形成してサン
ドイッチ構造のセルとし、液晶分子の長軸が一方の基板
から他方の基板に向かって連続的に９０度捻れるように
した、いわゆるＴＮ型（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）液晶セルを有するＴＮ型液晶表示素子が知られてい
る。また、ＴＮ型液晶表示素子に比してコントラストが
高くて、その視角依存性の少ないＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶表示素子や、
垂直配向型液晶表示素子が開発されている。このＳＴＮ
型液晶表示素子は、ネマチック型液晶に光学活性物質で
あるカイラル剤をブレンドしたものを液晶として用い、
液晶分子の長軸が基板間で１８０度以上にわたって連続
的に捻れる状態となることにより生じる複屈折効果を利
用するものである。以上の液晶表示素子はラビング方に
より配向膜を配向させることによって得られていた。し
かし、ラビング法は配向膜を布で擦るため、埃や静電気
が発生し歩留まりを低下させたり、ラビング後に洗浄工
程が必要であったり生産性が高くなかった。また、広視
野角化の要求が高まり、配向分割する必要が出てきた。
配向分割する方法としてはマスクラビング法が知られて
いるが、プロセスが複雑で生産性が悪いなどのデメリッ
トがある。
膜が設けられている基板表面にポリアミック酸、ポリイ
ミドなどからなる液晶配向膜を形成して液晶表示素子用
基板とし、その２枚を対向配置してその間隙内に正の誘
電異方性を有するネマチック型液晶の層を形成してサン
ドイッチ構造のセルとし、液晶分子の長軸が一方の基板
から他方の基板に向かって連続的に９０度捻れるように
した、いわゆるＴＮ型（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉ
ｃ）液晶セルを有するＴＮ型液晶表示素子が知られてい
る。また、ＴＮ型液晶表示素子に比してコントラストが
高くて、その視角依存性の少ないＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶表示素子や、
垂直配向型液晶表示素子が開発されている。このＳＴＮ
型液晶表示素子は、ネマチック型液晶に光学活性物質で
あるカイラル剤をブレンドしたものを液晶として用い、
液晶分子の長軸が基板間で１８０度以上にわたって連続
的に捻れる状態となることにより生じる複屈折効果を利
用するものである。以上の液晶表示素子はラビング方に
より配向膜を配向させることによって得られていた。し
かし、ラビング法は配向膜を布で擦るため、埃や静電気
が発生し歩留まりを低下させたり、ラビング後に洗浄工
程が必要であったり生産性が高くなかった。また、広視
野角化の要求が高まり、配向分割する必要が出てきた。
配向分割する方法としてはマスクラビング法が知られて
いるが、プロセスが複雑で生産性が悪いなどのデメリッ
トがある。
【０００３】これに対し、光配向はマスクにより配向分
割を容易に行うことができ、生産性に優れ広視野角化し
やすいメリットがある。しかし、ラビングと同程度の液
晶配向性を得るためにはかなりの光を照射する必要があ
り、これにより配向膜の分解反応が進行するため電気特
性に悪影響を与えていた。さらに、従来は偏向した光を
用いていたが偏光板を通過する際にかなりの光が偏光板
に吸収され光の利用効率が悪かった。これらを改善する
ため無偏光の紫外線を斜め照射することによって液晶を
垂直配向させる方法が開発された。
割を容易に行うことができ、生産性に優れ広視野角化し
やすいメリットがある。しかし、ラビングと同程度の液
晶配向性を得るためにはかなりの光を照射する必要があ
り、これにより配向膜の分解反応が進行するため電気特
性に悪影響を与えていた。さらに、従来は偏向した光を
用いていたが偏光板を通過する際にかなりの光が偏光板
に吸収され光の利用効率が悪かった。これらを改善する
ため無偏光の紫外線を斜め照射することによって液晶を
垂直配向させる方法が開発された。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、垂直
配向型液晶配向膜を提供することにある。本発明のさら
に他の目的および利点は、以下の説明から明らかになろ
う。
配向型液晶配向膜を提供することにある。本発明のさら
に他の目的および利点は、以下の説明から明らかになろ
う。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ
以下の薄膜に、無偏光の紫外線を照射角９０度未満で照
射することにより得られる、垂直液晶配向膜により達成
される。
の上記目的および利点は、表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ
以下の薄膜に、無偏光の紫外線を照射角９０度未満で照
射することにより得られる、垂直液晶配向膜により達成
される。
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【０００６】本発明で用いられる表面張力が４０ｄｙｎ
／ｃｍ以下の薄膜を構成する重合体としては、ポリアミ
ック酸、ポリイミド、アルコキシシラン加水分解縮合物
およびポリアクリレートなどを挙げることができる。こ
れらのうち、ポリアミック酸およびポリイミドが好まし
い。中でも、下記式（Ｉ−１）で表される繰返し単位お
よび／または下記式（Ｉ−２）で表される繰返し単位
（以下、これらを併せて「特定繰返し単位」ともいう）
を有する重合体（以下、「特定重合体」ともいう）が好
ましい。特定重合体における特定繰返し単位の割合は、
全繰返し単位中１０モル％以上であることが好ましい。
／ｃｍ以下の薄膜を構成する重合体としては、ポリアミ
ック酸、ポリイミド、アルコキシシラン加水分解縮合物
およびポリアクリレートなどを挙げることができる。こ
れらのうち、ポリアミック酸およびポリイミドが好まし
い。中でも、下記式（Ｉ−１）で表される繰返し単位お
よび／または下記式（Ｉ−２）で表される繰返し単位
（以下、これらを併せて「特定繰返し単位」ともいう）
を有する重合体（以下、「特定重合体」ともいう）が好
ましい。特定重合体における特定繰返し単位の割合は、
全繰返し単位中１０モル％以上であることが好ましい。
【０００７】
【化５】
【０００８】（式中、Ａ1は４価の有機基であり、Ｂ1は
下記式（Ｂ−１）または（Ｂ−２）で表される基であ
る。）
下記式（Ｂ−１）または（Ｂ−２）で表される基であ
る。）
【０００９】
【化６】
【００１０】（式中、Ａ2は４価の有機基であり、Ｂ2は
下記式（Ｂ−１）または（Ｂ−２）で表される基であ
る。）
下記式（Ｂ−１）または（Ｂ−２）で表される基であ
る。）
【００１１】
【化７】
【００１２】（式中、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ
−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−
Ｓ−から選ばれる２価の基であり、Ｒ1は、炭素数１２
〜３０の炭化水素基または炭素数６以上のフッ素含有炭
化水素基である１価の有機基である。）
−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−
Ｓ−から選ばれる２価の基であり、Ｒ1は、炭素数１２
〜３０の炭化水素基または炭素数６以上のフッ素含有炭
化水素基である１価の有機基である。）
【００１３】
【化８】
【００１４】（式中、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ
−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−
Ｓ−から選ばれる２価の基であり、Ｒ2は、炭素数１２
〜３０の炭化水素基または炭素数６以上のフッ素含有炭
化水素基である２価の有機基である。） 上記特定重合体としては、ポリアミック酸および該ポリ
アミック酸を脱水閉環して得られる構造を有するイミド
化重合体が挙げられる。
−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−
Ｓ−から選ばれる２価の基であり、Ｒ2は、炭素数１２
〜３０の炭化水素基または炭素数６以上のフッ素含有炭
化水素基である２価の有機基である。） 上記特定重合体としては、ポリアミック酸および該ポリ
アミック酸を脱水閉環して得られる構造を有するイミド
化重合体が挙げられる。
【００１５】本発明で好適に使用されるポリアミック酸
は、テトラカルボン酸二無水物と下記式（ｂ−１）およ
び（ｂ−２）から選ばれる少なくとも１種のジアミン
（以下、「特定ジアミン」ともいう）とを、開環重付加
させて得られ、本発明で好適に使用されるイミド化重合
体は、上記ポリアミック酸を脱水閉環することにより得
られる。
は、テトラカルボン酸二無水物と下記式（ｂ−１）およ
び（ｂ−２）から選ばれる少なくとも１種のジアミン
（以下、「特定ジアミン」ともいう）とを、開環重付加
させて得られ、本発明で好適に使用されるイミド化重合
体は、上記ポリアミック酸を脱水閉環することにより得
られる。
【００１６】
【化９】
【００１７】
【化１０】
【００１８】本発明で使用されるポリアミック酸および
イミド化重合体は、テトラカルボン酸二無水物の少なく
とも１部に脂環族骨格を有するものを用いることが好ま
しい。
イミド化重合体は、テトラカルボン酸二無水物の少なく
とも１部に脂環族骨格を有するものを用いることが好ま
しい。
【００１９】［ポリアミック酸］ ＜テトラカルボン酸二無水物＞上記ポリアミック酸の合
成に用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、例
えば、ブタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テ
トラカルボン酸二無水物；１,２,３,４−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、１,２−ジメチル−１,２,
３,４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１,３
−ジメチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、１,３−ジクロロ−１,２,３,４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,４−テト
ラメチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボン
酸二無水物、１,２,３,４−シクロペンタンテトラカル
ボン酸二無水物、１,２,４,５−シクロヘキサンテトラ
カルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−ジシクロヘキ
シルテトラカルボン酸二無水物、シス−３,７−ジブチ
ルシクロオクタ−１,５−ジエン−１,２,５,６−テトラ
カルボン酸二無水物、２,３,５−トリカルボキシシクロ
ペンチル酢酸二無水物、３,５,６−トリカルボニル−２
−カルボキシノルボルナン−２：３,５：６−ジ無水
物、２,３,４,５−テトラヒドロフランテトラカルボン
酸二無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−
５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）
−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,
３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−メチル−５
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,
３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−エチル−５（テ
トラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフ
ト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３
ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−７−メチル−５（テト
ラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト
［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,
４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−７−エチル−５（テトラヒ
ドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,
２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,
９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５（テトラヒドロ−
２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−
ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ
−ヘキサヒドロ−８−エチル−５（テトラヒドロ−２,
５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］
−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘ
キサヒドロ−５,８−ジメチル−５（テトラヒドロ−２,
５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］
−フラン−１,３−ジオン、５−（２,５−ジオキソテト
ラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−
１,２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２.２.２］
−オクト−７−エン−２,３,５,６−テトラカルボン酸
二無水物、下記式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）で表される
化合物などの脂環族テトラカルボン酸二無水物；
成に用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、例
えば、ブタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テ
トラカルボン酸二無水物；１,２,３,４−シクロブタン
テトラカルボン酸二無水物、１,２−ジメチル−１,２,
３,４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１,３
−ジメチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、１,３−ジクロロ−１,２,３,４−シクロ
ブタンテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,４−テト
ラメチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボン
酸二無水物、１,２,３,４−シクロペンタンテトラカル
ボン酸二無水物、１,２,４,５−シクロヘキサンテトラ
カルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−ジシクロヘキ
シルテトラカルボン酸二無水物、シス−３,７−ジブチ
ルシクロオクタ−１,５−ジエン−１,２,５,６−テトラ
カルボン酸二無水物、２,３,５−トリカルボキシシクロ
ペンチル酢酸二無水物、３,５,６−トリカルボニル−２
−カルボキシノルボルナン−２：３,５：６−ジ無水
物、２,３,４,５−テトラヒドロフランテトラカルボン
酸二無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−
５（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）
−ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,
３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−メチル−５
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,
３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−エチル−５（テ
トラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフ
ト［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３
ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−７−メチル−５（テト
ラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト
［１,２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,
４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−７−エチル−５（テトラヒ
ドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,
２−ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,
９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５（テトラヒドロ−
２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−
ｃ］−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ
−ヘキサヒドロ−８−エチル−５（テトラヒドロ−２,
５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］
−フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘ
キサヒドロ−５,８−ジメチル−５（テトラヒドロ−２,
５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］
−フラン−１,３−ジオン、５−（２,５−ジオキソテト
ラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−
１,２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２.２.２］
−オクト−７−エン−２,３,５,６−テトラカルボン酸
二無水物、下記式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）で表される
化合物などの脂環族テトラカルボン酸二無水物；
【００２０】
【化１１】
【００２１】（式中、Ｒ3およびＲ5は、芳香環を有する
２価の有機基を示し、Ｒ4およびＲ6は、水素原子または
アルキル基を示し、複数存在するＲ4およびＲ6は、それ
ぞれ同一でも異なっていてもよい。） ピロメリット酸二無水物、３,３’,４,４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−
ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１,４,
５,８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２,３,
６,７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３,
３’,４,４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二
無水物、３,３’,４,４’−ジメチルジフェニルシラン
テトラカルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,
４−フランテトラカルボン酸二無水物、４,４’−ビス
（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフ
ィド二無水物、４,４’−ビス（３,４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４,４’−ビ
ス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロ
パン二無水物、３,３’,４,４’−パーフルオロイソプ
ロピリデンジフタル酸二無水物、３,３’,４,４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）
フェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレ
ン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェ
ニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス
（トリフェニルフタル酸）−４,４’−ジフェニルエー
テル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,
４’−ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール
−ビス（アンヒドロトリメリテート）、プロピレングリ
コール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、１,４−
ブタンジオール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、
１,６−ヘキサンジオール−ビス（アンヒドロトリメリ
テート）、１,８−オクタンジオール−ビス（アンヒド
ロトリメリテート）、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン−ビス（アンヒドロトリメリテー
ト）、下記式（１）〜（４）で表される化合物などの芳
香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。
これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いら
れる。
２価の有機基を示し、Ｒ4およびＲ6は、水素原子または
アルキル基を示し、複数存在するＲ4およびＲ6は、それ
ぞれ同一でも異なっていてもよい。） ピロメリット酸二無水物、３,３’,４,４’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−
ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１,４,
５,８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２,３,
６,７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３,
３’,４,４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二
無水物、３,３’,４,４’−ジメチルジフェニルシラン
テトラカルボン酸二無水物、３,３’,４,４’−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,
４−フランテトラカルボン酸二無水物、４,４’−ビス
（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフ
ィド二無水物、４,４’−ビス（３,４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４,４’−ビ
ス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロ
パン二無水物、３,３’,４,４’−パーフルオロイソプ
ロピリデンジフタル酸二無水物、３,３’,４,４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）
フェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレ
ン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェ
ニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス
（トリフェニルフタル酸）−４,４’−ジフェニルエー
テル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,
４’−ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール
−ビス（アンヒドロトリメリテート）、プロピレングリ
コール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、１,４−
ブタンジオール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、
１,６−ヘキサンジオール−ビス（アンヒドロトリメリ
テート）、１,８−オクタンジオール−ビス（アンヒド
ロトリメリテート）、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン−ビス（アンヒドロトリメリテー
ト）、下記式（１）〜（４）で表される化合物などの芳
香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。
これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いら
れる。
【００２２】
【化１２】
【００２３】これらのうち、５０モル％以上が脂環式テ
トラカルボン酸二無水物であることが電圧保持率の点で
好ましい。好ましい脂環式テトラカルボン酸二無水物と
しては、１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボン酸
二無水物、１,３−ジメチル−１,２,３,４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,４−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物、２,３,５−トリカル
ボキシシクロペンチル酢酸二無水物、５−（２,５−ジ
オキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロ
ヘキセン−１,２−ジカルボン酸二無水物、シス−３,７
−ジブチルシクロオクタ−１,５−ジエン−１,２,５,６
−テトラカルボン酸二無水物、３,５,６−トリカルボニ
ル−２−カルボキシノルボルナン−２：３,５：６−ジ
無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、１,３,３
ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５−（テ
トラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフ
ト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,
４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５,８−ジメチル−５−
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、ビシクロ
［２.２.２］−オクト−７−エン−２,３,５,６−テト
ラカルボン酸二無水物、上記式（ＩＩ）で表される化合
物のうち下記式（５）〜（７）で表される化合物および
上記式（ＩＩＩ）で表される化合物のうち下記式（８）
で表される化合物が挙げられる。また、脂環族以外の好
ましいテトラカルボン酸二無水物としては、ブタンテト
ラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３,
３’,４,４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、３,３’,４,４’−ビフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物、１,４,５,８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物が良好な液晶配向性を発現させることが
できるので好ましい。特に好ましいものとして、１,２,
３,４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１,３
−ジメチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、２,３,５−トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸二無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒド
ロ−５−（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラ
ニル）−ナフト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、
シス−３,７−ジブチルシクロオクタ−１,５−ジエン−
１,２,５,６−テトラカルボン酸二無水物、３,５,６−
トリカルボニル−２−カルボキシノルボルナン−２：
３,５：６−ジ無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサ
ヒドロ−８−メチル−５−（テトラヒドロ−２,５−ジ
オキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］フラン
−１,３−ジオン、ピロメリット酸二無水物および下記
式（５）で表される化合物を挙げることができる。
トラカルボン酸二無水物であることが電圧保持率の点で
好ましい。好ましい脂環式テトラカルボン酸二無水物と
しては、１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボン酸
二無水物、１,３−ジメチル−１,２,３,４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、１,２,３,４−シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物、２,３,５−トリカル
ボキシシクロペンチル酢酸二無水物、５−（２,５−ジ
オキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロ
ヘキセン−１,２−ジカルボン酸二無水物、シス−３,７
−ジブチルシクロオクタ−１,５−ジエン−１,２,５,６
−テトラカルボン酸二無水物、３,５,６−トリカルボニ
ル−２−カルボキシノルボルナン−２：３,５：６−ジ
無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５−
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、１,３,３
ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５−（テ
トラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフ
ト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、１,３,３ａ,
４,５,９ｂ−ヘキサヒドロ−５,８−ジメチル−５−
（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、ビシクロ
［２.２.２］−オクト−７−エン−２,３,５,６−テト
ラカルボン酸二無水物、上記式（ＩＩ）で表される化合
物のうち下記式（５）〜（７）で表される化合物および
上記式（ＩＩＩ）で表される化合物のうち下記式（８）
で表される化合物が挙げられる。また、脂環族以外の好
ましいテトラカルボン酸二無水物としては、ブタンテト
ラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３,
３’,４,４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、３,３’,４,４’−ビフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物、１,４,５,８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物が良好な液晶配向性を発現させることが
できるので好ましい。特に好ましいものとして、１,２,
３,４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１,３
−ジメチル−１,２,３,４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、２,３,５−トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸二無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサヒド
ロ−５−（テトラヒドロ−２,５−ジオキソ−３−フラ
ニル）−ナフト［１,２−ｃ］フラン−１,３−ジオン、
シス−３,７−ジブチルシクロオクタ−１,５−ジエン−
１,２,５,６−テトラカルボン酸二無水物、３,５,６−
トリカルボニル−２−カルボキシノルボルナン−２：
３,５：６−ジ無水物、１,３,３ａ,４,５,９ｂ−ヘキサ
ヒドロ−８−メチル−５−（テトラヒドロ−２,５−ジ
オキソ−３−フラニル）−ナフト［１,２−ｃ］フラン
−１,３−ジオン、ピロメリット酸二無水物および下記
式（５）で表される化合物を挙げることができる。
【００２４】
【化１３】
【００２５】［ジアミン化合物］上記式（ｂ−１）にお
いて、炭素数１２〜３０の炭化水素基である１価の有機
基としては、例えばｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エ
イコシル基などの直鎖状または分岐状アルキル基；ビシ
クロヘキシル基、シクロドデシル基、アダマンチル基な
どの脂環式炭化水素基；ビフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基などの芳香族炭化水素基；コレステリル基、
コレスタリル基などのステロイド骨格などが挙げられ
る。
いて、炭素数１２〜３０の炭化水素基である１価の有機
基としては、例えばｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エ
イコシル基などの直鎖状または分岐状アルキル基；ビシ
クロヘキシル基、シクロドデシル基、アダマンチル基な
どの脂環式炭化水素基；ビフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基などの芳香族炭化水素基；コレステリル基、
コレスタリル基などのステロイド骨格などが挙げられ
る。
【００２６】また、炭素数６以上のフッ素含有炭化水素
基である１価の有機基としては、例えばｎ−ヘキシル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などの炭素数６〜１
１の直鎖状アルキル基；シクロヘキシル基、シクロペン
チル基、シクロオクチル基などの炭素数６〜１１の脂環
式炭化水素基；フェニル基などの炭素数６〜１１の芳香
族炭化水素基などの有機基における水素原子の一部また
は全部を、フッ素原子またはフルオロアルキル基で置換
した基が挙げられる。
基である１価の有機基としては、例えばｎ−ヘキシル
基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などの炭素数６〜１
１の直鎖状アルキル基；シクロヘキシル基、シクロペン
チル基、シクロオクチル基などの炭素数６〜１１の脂環
式炭化水素基；フェニル基などの炭素数６〜１１の芳香
族炭化水素基などの有機基における水素原子の一部また
は全部を、フッ素原子またはフルオロアルキル基で置換
した基が挙げられる。
【００２７】上記式（ｂ−２）において、炭素数１２〜
３０の炭化水素基である２価の有機基および炭素数６以
上のフッ素含有炭化水素基である２価の有機基として
は、上記炭素数１２〜３０の炭化水素基である上記１価
の有機基から水素原子１つを除いた２価の有機基が挙げ
られる。
３０の炭化水素基である２価の有機基および炭素数６以
上のフッ素含有炭化水素基である２価の有機基として
は、上記炭素数１２〜３０の炭化水素基である上記１価
の有機基から水素原子１つを除いた２価の有機基が挙げ
られる。
【００２８】上記式（ｂ−１）で表される特定ジアミン
の具体例としては、例えば、ドデカノキシ−２,４−ジ
アミノベンゼン、ペンタデカノキシ−２,４−ジアミノ
ベンゼン、ヘキサデカノキシ−２,４−ジアミノベンゼ
ン、オクタデカノキシ−２,４−ジアミノベンゼン、ド
デカノキシ−２,５−ジアミノベンゼン、ペンタデカノ
キシ−２,５−ジアミノベンゼン、ヘキサデカノキシ−
２,５−ジアミノベンゼン、オクタデカノキシ−２,５−
ジアミノベンゼン、下記式（９）〜（１６）で表される
化合物などを挙げることができる。これらのジアミン化
合物は、単独でまたは２種以上組み合わせて用いること
ができる。
の具体例としては、例えば、ドデカノキシ−２,４−ジ
アミノベンゼン、ペンタデカノキシ−２,４−ジアミノ
ベンゼン、ヘキサデカノキシ−２,４−ジアミノベンゼ
ン、オクタデカノキシ−２,４−ジアミノベンゼン、ド
デカノキシ−２,５−ジアミノベンゼン、ペンタデカノ
キシ−２,５−ジアミノベンゼン、ヘキサデカノキシ−
２,５−ジアミノベンゼン、オクタデカノキシ−２,５−
ジアミノベンゼン、下記式（９）〜（１６）で表される
化合物などを挙げることができる。これらのジアミン化
合物は、単独でまたは２種以上組み合わせて用いること
ができる。
【００２９】
【化１４】
【００３０】また、上記式（ｂ−２）で表される特定ジ
アミンの具体例としては、例えば、下記式（１７）〜
（２０）で表される化合物を挙げることができる。これ
らのジアミン化合物は、単独でまたは２種以上組み合わ
せて用いることができる。
アミンの具体例としては、例えば、下記式（１７）〜
（２０）で表される化合物を挙げることができる。これ
らのジアミン化合物は、単独でまたは２種以上組み合わ
せて用いることができる。
【００３１】
【化１５】
【００３２】（式中、Ｒは炭素数１２〜３０のアルキレ
ン基であり、ｙは２〜１２の整数である。） 本発明で用いられる特定重合体には、本発明の効果を損
なわない範囲で、他のジアミンが併用されていてもよ
い。他のジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン、１,１−メタキシリ
レンジアミン、４,４’−ジアミノジフェニルメタン、
４,４’−ジアミノジフェニルエタン、４,４’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、４,４’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３,３’−ジメチル−４,４’−ジアミノビ
フェニル、４,４’−ジアミノベンズアニリド、４,４’
−ジアミノジフェニルエーテル、１,５−ジアミノナフ
タレン、３,３−ジメチル−４,４’−ジアミノビフェニ
ル、５−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１,
３,３−トリメチルインダン、６−アミノ−１−（４’
−アミノフェニル）−１,３,３−トリメチルインダン、
３,４’−ジアミノジフェニルエーテル、３,３’−ジア
ミノベンゾフェノン、３,４’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４,４’−ジアミノベンゾフェノン、２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２,２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
１,４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９,９−ビス
（４−アミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、
２,７−ジアミノフルオレン、９,９−ビス（４−アミノ
フェニル）フルオレン、４,４’−メチレン−ビス（２
−クロロアニリン）、２,２’,５,５’−テトラクロロ
−４,４’−ジアミノビフェニル、２,２’−ジクロロ−
４,４’−ジアミノ−５,５’−ジメトキシビフェニル、
３,３’−ジメトキシ−４,４’−ジアミノビフェニル、
１,４,４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビス
アニリン、４,４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデ
ン）ビスアニリン、２,２’−ビス［４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、４,４’−ジアミノ−２,２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４,４’−ビス
［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−オクタフルオロビフェニルなどの芳香族ジアミ
ン；１,３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、４,４−ジアミノヘプタメ
チレンジアミンなどの脂肪族ジアミン；１,４−ジアミ
ノシクロヘキサン、イソホロンジアミン、テトラヒドロ
ジシクロペンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−
４,７−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリ
シクロ［６.２.１.０2,7］−ウンデシレンジメチルジア
ミン、４,４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミ
ン）などの脂環式ジアミン；２,３−ジアミノピリジ
ン、２,６−ジアミノピリジン、３,４−ジアミノピリジ
ン、２,４−ジアミノピリミジン、５,６−ジアミノ−
２,３−ジシアノピラジン、５,６−ジアミノ−２,４−
ジヒドロキシピリミジン、２,４−ジアミノ−６−ジメ
チルアミノ−１,３,５−トリアジン、１,４−ビス（３
−アミノプロピル）ピペラジン、２,４−ジアミノ−６
−イソプロポキシ−１,３,５−トリアジン、２,４−ジ
アミノ−６−メトキシ−１,３,５−トリアジン、２,４
−ジアミノ−６−フェニル−１,３,５−トリアジン、
２,４−ジアミノ−６−メチル−ｓ−トリアジン、２,４
−ジアミノ−１,３,５−トリアジン、４,６−ジアミノ
−２−ビニル−ｓ−トリアジン、２,４−ジアミノ−５
−フェニルチアゾール、２,６−ジアミノプリン、５,６
−ジアミノ−１,３−ジメチルウラシル、３,５−ジアミ
ノ−１,２,４−トリアゾール、６,９−ジアミノ−２−
エトキシアクリジンラクテート、３,８−ジアミノ−６
−フェニルフェナントリジン、１,４−ジアミノピペラ
ジン、３,６−ジアミノアクリジン、ビス（４−アミノ
フェニル）フェニルアミンおよび下記式（ＩＶ）および
（Ｖ）で表される化合物などの、分子内に２つの１級ア
ミノ基および該１級アミノ基以外の窒素原子を有するジ
アミン；
ン基であり、ｙは２〜１２の整数である。） 本発明で用いられる特定重合体には、本発明の効果を損
なわない範囲で、他のジアミンが併用されていてもよ
い。他のジアミンとしては、例えば、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン、１,１−メタキシリ
レンジアミン、４,４’−ジアミノジフェニルメタン、
４,４’−ジアミノジフェニルエタン、４,４’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、４,４’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、３,３’−ジメチル−４,４’−ジアミノビ
フェニル、４,４’−ジアミノベンズアニリド、４,４’
−ジアミノジフェニルエーテル、１,５−ジアミノナフ
タレン、３,３−ジメチル−４,４’−ジアミノビフェニ
ル、５−アミノ−１−（４’−アミノフェニル）−１,
３,３−トリメチルインダン、６−アミノ−１−（４’
−アミノフェニル）−１,３,３−トリメチルインダン、
３,４’−ジアミノジフェニルエーテル、３,３’−ジア
ミノベンゾフェノン、３,４’−ジアミノベンゾフェノ
ン、４,４’−ジアミノベンゾフェノン、２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２,２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス（４−アミ
ノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、
１,４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３
−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１,３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９,９−ビス
（４−アミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、
２,７−ジアミノフルオレン、９,９−ビス（４−アミノ
フェニル）フルオレン、４,４’−メチレン−ビス（２
−クロロアニリン）、２,２’,５,５’−テトラクロロ
−４,４’−ジアミノビフェニル、２,２’−ジクロロ−
４,４’−ジアミノ−５,５’−ジメトキシビフェニル、
３,３’−ジメトキシ−４,４’−ジアミノビフェニル、
１,４,４’−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）ビス
アニリン、４,４’−（ｍ−フェニレンイソプロピリデ
ン）ビスアニリン、２,２’−ビス［４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、４,４’−ジアミノ−２,２’−ビ
ス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４,４’−ビス
［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−オクタフルオロビフェニルなどの芳香族ジアミ
ン；１,３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミ
ン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、４,４−ジアミノヘプタメ
チレンジアミンなどの脂肪族ジアミン；１,４−ジアミ
ノシクロヘキサン、イソホロンジアミン、テトラヒドロ
ジシクロペンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−
４,７−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリ
シクロ［６.２.１.０2,7］−ウンデシレンジメチルジア
ミン、４,４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミ
ン）などの脂環式ジアミン；２,３−ジアミノピリジ
ン、２,６−ジアミノピリジン、３,４−ジアミノピリジ
ン、２,４−ジアミノピリミジン、５,６−ジアミノ−
２,３−ジシアノピラジン、５,６−ジアミノ−２,４−
ジヒドロキシピリミジン、２,４−ジアミノ−６−ジメ
チルアミノ−１,３,５−トリアジン、１,４−ビス（３
−アミノプロピル）ピペラジン、２,４−ジアミノ−６
−イソプロポキシ−１,３,５−トリアジン、２,４−ジ
アミノ−６−メトキシ−１,３,５−トリアジン、２,４
−ジアミノ−６−フェニル−１,３,５−トリアジン、
２,４−ジアミノ−６−メチル−ｓ−トリアジン、２,４
−ジアミノ−１,３,５−トリアジン、４,６−ジアミノ
−２−ビニル−ｓ−トリアジン、２,４−ジアミノ−５
−フェニルチアゾール、２,６−ジアミノプリン、５,６
−ジアミノ−１,３−ジメチルウラシル、３,５−ジアミ
ノ−１,２,４−トリアゾール、６,９−ジアミノ−２−
エトキシアクリジンラクテート、３,８−ジアミノ−６
−フェニルフェナントリジン、１,４−ジアミノピペラ
ジン、３,６−ジアミノアクリジン、ビス（４−アミノ
フェニル）フェニルアミンおよび下記式（ＩＶ）および
（Ｖ）で表される化合物などの、分子内に２つの１級ア
ミノ基および該１級アミノ基以外の窒素原子を有するジ
アミン；
【００３３】
【化１６】
【００３４】（式中、Ｒ7はピリジン、ピリミジン、ト
リアジン、ピペリジンおよびピペラジンから選ばれる窒
素原子を含む環構造を有する１価の有機基を示し、Ｙは
２価の有機基を示す。）
リアジン、ピペリジンおよびピペラジンから選ばれる窒
素原子を含む環構造を有する１価の有機基を示し、Ｙは
２価の有機基を示す。）
【００３５】
【化１７】
【００３６】（式中、Ｒ8は、ピリジン、ピリミジン、
トリアジン、ピペリジンおよびピペラジンから選ばれる
窒素原子を含む環構造を有する２価の有機基を示し、Ｙ
は２価の有機基を示し、複数存在するＹは、同一でも異
なっていてもよい。） 下記式（ＶＩ）で表されるジアミノオルガノシロキサン
などを挙げることができる。
トリアジン、ピペリジンおよびピペラジンから選ばれる
窒素原子を含む環構造を有する２価の有機基を示し、Ｙ
は２価の有機基を示し、複数存在するＹは、同一でも異
なっていてもよい。） 下記式（ＶＩ）で表されるジアミノオルガノシロキサン
などを挙げることができる。
【００３７】
【化１８】
【００３８】（式中、Ｒ9は炭素数１〜１２の炭化水素
基を示し、複数存在するＲ9は、それぞれ同一でも異な
っていてもよく、ｐは１〜３の整数であり、ｑは１〜２
０の整数である。） これらのジアミン化合物は、単独でまたは２種以上組み
合わせて用いることができる。
基を示し、複数存在するＲ9は、それぞれ同一でも異な
っていてもよく、ｐは１〜３の整数であり、ｑは１〜２
０の整数である。） これらのジアミン化合物は、単独でまたは２種以上組み
合わせて用いることができる。
【００３９】これらのうち、ｐ−フェニレンジアミン、
４,４’−ジアミノジフェニルメタン、４,４’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、１,５−ジアミノナフタレ
ン、２,７−ジアミノフルオレン、４,４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、２,２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、９,９−ビス（４−ア
ミノフェニル）フルオレン、２,２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピ
リデン）ビスアニリン、４,４’−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ビスアニリン、１,４−シクロヘキ
サンジアミン、４,４’−メチレンビス（シクロヘキシ
ルアミン）、１,４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン、４,４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、２,６−ジアミノピリジン、３,４−ジアミノピ
リジン、２,４−ジアミノピリミジン、３,６−ジアミノ
アクリジン、上記式（ＩＶ）で表される化合物のうち下
記式（２２）で表される化合物および上記式（Ｖ）で表
される化合物のうち下記式（２３）で表される化合物が
好ましい。
４,４’−ジアミノジフェニルメタン、４,４’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、１,５−ジアミノナフタレ
ン、２,７−ジアミノフルオレン、４,４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、２,２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、９,９−ビス（４−ア
ミノフェニル）フルオレン、２,２−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、２,２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピ
リデン）ビスアニリン、４,４’−（ｍ−フェニレンジ
イソプロピリデン）ビスアニリン、１,４−シクロヘキ
サンジアミン、４,４’−メチレンビス（シクロヘキシ
ルアミン）、１,４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン、４,４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフ
ェニル、２,６−ジアミノピリジン、３,４−ジアミノピ
リジン、２,４−ジアミノピリミジン、３,６−ジアミノ
アクリジン、上記式（ＩＶ）で表される化合物のうち下
記式（２２）で表される化合物および上記式（Ｖ）で表
される化合物のうち下記式（２３）で表される化合物が
好ましい。
【００４０】
【化１９】
【００４１】特定ジアミンの使用量は、全ジアミンのう
ち、通常１０モル％以上、好ましくは、１０〜５０モル
％である。特定ジアミンの使用量が１０モル％未満で
は、十分な垂直配向性が得られない場合がある。
ち、通常１０モル％以上、好ましくは、１０〜５０モル
％である。特定ジアミンの使用量が１０モル％未満で
は、十分な垂直配向性が得られない場合がある。
【００４２】＜ポリアミック酸の合成＞ポリアミック酸
の合成反応に供されるテトラカルボン酸二無水物とジア
ミンの使用割合は、ジアミンのアミノ基１当量に対し
て、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物基が０.２〜
２当量となる割合が好ましく、さらに好ましくは０.３
〜１.２当量となる割合である。
の合成反応に供されるテトラカルボン酸二無水物とジア
ミンの使用割合は、ジアミンのアミノ基１当量に対し
て、テトラカルボン酸二無水物の酸無水物基が０.２〜
２当量となる割合が好ましく、さらに好ましくは０.３
〜１.２当量となる割合である。
【００４３】本発明で用いられるポリアミック酸は、脂
環族骨格を有することが好ましく、テトラカルボン酸二
無水物および／またはジアミンに脂環族骨格を有するも
のを用いて得られたものが好ましい。中でも、脂環族骨
格を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることが好
ましい。
環族骨格を有することが好ましく、テトラカルボン酸二
無水物および／またはジアミンに脂環族骨格を有するも
のを用いて得られたものが好ましい。中でも、脂環族骨
格を有するテトラカルボン酸二無水物を用いることが好
ましい。
【００４４】ポリアミック酸の合成反応は、有機溶媒中
において、好ましくは−２０℃〜１５０℃、好ましくは
０〜１００℃の温度条件下で行われる。ここで、有機溶
媒としては、合成されるポリアミック酸を溶解できるも
のであれば特に制限はなく、例えばＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロ
ラクトン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルト
リアミドなどの非プロトン系極性溶媒；ｍ−クレゾー
ル、キシレノール、フェノール、ハロゲン化フェノール
などのフェノール系溶媒を例示することができる。ま
た、有機溶媒の使用量（α）は、テトラカルボン酸二無
水物およびジアミン化合物の合計量（β）が、反応溶液
の全量（α＋β）に対して０.１〜３０重量％になるよ
うな量であることが好ましい。
において、好ましくは−２０℃〜１５０℃、好ましくは
０〜１００℃の温度条件下で行われる。ここで、有機溶
媒としては、合成されるポリアミック酸を溶解できるも
のであれば特に制限はなく、例えばＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ,Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロ
ラクトン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルト
リアミドなどの非プロトン系極性溶媒；ｍ−クレゾー
ル、キシレノール、フェノール、ハロゲン化フェノール
などのフェノール系溶媒を例示することができる。ま
た、有機溶媒の使用量（α）は、テトラカルボン酸二無
水物およびジアミン化合物の合計量（β）が、反応溶液
の全量（α＋β）に対して０.１〜３０重量％になるよ
うな量であることが好ましい。
【００４５】上記有機溶媒には、ポリアミック酸の貧溶
媒であるアルコール類、ケトン類、エステル類、エーテ
ル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類などを、生成
するポリアミック酸が析出しない範囲で併用することが
できる。かかる貧溶媒の具体例としては、例えばメチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、シクロヘキサノール、４−ヒドロキシ−４−メチル
−２−ペンタノン、エチレングリコール、プロピレング
リコール、１,４−ブタンジオール、トリエチレングリ
コール、エチレングリコールモノメチルエーテル、乳酸
エチル、乳酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルメトキシプロピオ
ネ−ト、エチルエトキシプロピオネ−ト、シュウ酸ジエ
チル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、エチレン
グリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチル
エーテル、エチレングリコール−ｎ−プロピルエーテ
ル、エチレングリコール−ｉ−プロピルエーテル、エチ
レングリコール−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエー
テルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、ジクロロ
メタン、１,２−ジクロロエタン、１,４−ジクロロブタ
ン、トリクロロエタン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロル
ベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、
トルエン、キシレンなどを挙げることができる。
媒であるアルコール類、ケトン類、エステル類、エーテ
ル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類などを、生成
するポリアミック酸が析出しない範囲で併用することが
できる。かかる貧溶媒の具体例としては、例えばメチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、シクロヘキサノール、４−ヒドロキシ−４−メチル
−２−ペンタノン、エチレングリコール、プロピレング
リコール、１,４−ブタンジオール、トリエチレングリ
コール、エチレングリコールモノメチルエーテル、乳酸
エチル、乳酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルメトキシプロピオ
ネ−ト、エチルエトキシプロピオネ−ト、シュウ酸ジエ
チル、マロン酸ジエチル、ジエチルエーテル、エチレン
グリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチル
エーテル、エチレングリコール−ｎ−プロピルエーテ
ル、エチレングリコール−ｉ−プロピルエーテル、エチ
レングリコール−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエー
テルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、ジクロロ
メタン、１,２−ジクロロエタン、１,４−ジクロロブタ
ン、トリクロロエタン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロル
ベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、
トルエン、キシレンなどを挙げることができる。
【００４６】以上のようにして、ポリアミック酸を溶解
してなる反応溶液が得られる。そして、この反応溶液を
大量の貧溶媒中に注いで析出物を得、この析出物を減圧
下乾燥することによりポリアミック酸を得ることができ
る。また、このポリアミック酸を再び有機溶媒に溶解さ
せ、次いで貧溶媒で析出させる工程を１回または数回行
うことにより、ポリアミック酸を精製することができ
る。
してなる反応溶液が得られる。そして、この反応溶液を
大量の貧溶媒中に注いで析出物を得、この析出物を減圧
下乾燥することによりポリアミック酸を得ることができ
る。また、このポリアミック酸を再び有機溶媒に溶解さ
せ、次いで貧溶媒で析出させる工程を１回または数回行
うことにより、ポリアミック酸を精製することができ
る。
【００４７】＜イミド化重合体の合成＞本発明の液晶配
向剤を構成するイミド化重合体は、上記ポリアミック酸
を脱水閉環することにより合成することができる。ポリ
アミック酸の脱水閉環は、（ｉ）ポリアミック酸を加熱
する方法により、または（ｉｉ）ポリアミック酸を有機
溶媒に溶解し、この溶液中に脱水剤および脱水閉環触媒
を添加し必要に応じて加熱する方法により行われる。ま
た、本発明で使用されるイミド化重合体には、部分的に
脱水閉環された、イミド化率（重合体中のアミック酸繰
り返し単位とイミド環繰り返し単位の合計数に対するイ
ミド環繰り返し単位の割合を％で表したもの）が１００
％未満のイミド化重合体が含まれていてもよい。
向剤を構成するイミド化重合体は、上記ポリアミック酸
を脱水閉環することにより合成することができる。ポリ
アミック酸の脱水閉環は、（ｉ）ポリアミック酸を加熱
する方法により、または（ｉｉ）ポリアミック酸を有機
溶媒に溶解し、この溶液中に脱水剤および脱水閉環触媒
を添加し必要に応じて加熱する方法により行われる。ま
た、本発明で使用されるイミド化重合体には、部分的に
脱水閉環された、イミド化率（重合体中のアミック酸繰
り返し単位とイミド環繰り返し単位の合計数に対するイ
ミド環繰り返し単位の割合を％で表したもの）が１００
％未満のイミド化重合体が含まれていてもよい。
【００４８】上記（ｉ）のポリアミック酸を加熱する方
法における反応温度は、好ましくは５０〜２００℃であ
り、より好ましくは６０〜１７０℃である。反応温度が
５０℃未満では脱水閉環反応が十分に進行せず、反応温
度が２００℃を超えると得られるイミド化重合体の分子
量が低下することがある。
法における反応温度は、好ましくは５０〜２００℃であ
り、より好ましくは６０〜１７０℃である。反応温度が
５０℃未満では脱水閉環反応が十分に進行せず、反応温
度が２００℃を超えると得られるイミド化重合体の分子
量が低下することがある。
【００４９】一方、上記（ｉｉ）のポリアミック酸の溶
液中に脱水剤および脱水閉環触媒を添加する方法におい
て、脱水剤としては、例えば無水酢酸、無水プロピオン
酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いること
ができる。脱水剤の使用量は、所望するイミド化率によ
るが、ポリアミック酸の繰り返し単位１モルに対して
０.０１〜２０モルとするのが好ましい。また、脱水閉
環触媒としては、例えばピリジン、コリジン、ルチジ
ン、トリエチルアミンなどの３級アミンを用いることが
できる。しかし、これらに限定されるものではない。脱
水閉環触媒の使用量は、使用する脱水剤１モルに対して
０.０１〜１０モルとするのが好ましい。イミド化率は
上記の脱水剤、脱水閉環剤の使用量が多いほど高くする
ことができる。イミド化率は保存安定性の観点から２０
％以上が好ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有
機溶媒としては、ポリアミック酸の合成に用いられるも
のとして例示した有機溶媒を挙げることができる。そし
て、脱水閉環反応の反応温度は、好ましくは０〜１８０
℃であり、より好ましくは１０〜１５０℃である。ま
た、このようにして得られる反応溶液に対し、ポリアミ
ック酸の精製方法におけると同様の操作を行うことによ
り、イミド化重合体を精製することができる。
液中に脱水剤および脱水閉環触媒を添加する方法におい
て、脱水剤としては、例えば無水酢酸、無水プロピオン
酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いること
ができる。脱水剤の使用量は、所望するイミド化率によ
るが、ポリアミック酸の繰り返し単位１モルに対して
０.０１〜２０モルとするのが好ましい。また、脱水閉
環触媒としては、例えばピリジン、コリジン、ルチジ
ン、トリエチルアミンなどの３級アミンを用いることが
できる。しかし、これらに限定されるものではない。脱
水閉環触媒の使用量は、使用する脱水剤１モルに対して
０.０１〜１０モルとするのが好ましい。イミド化率は
上記の脱水剤、脱水閉環剤の使用量が多いほど高くする
ことができる。イミド化率は保存安定性の観点から２０
％以上が好ましい。なお、脱水閉環反応に用いられる有
機溶媒としては、ポリアミック酸の合成に用いられるも
のとして例示した有機溶媒を挙げることができる。そし
て、脱水閉環反応の反応温度は、好ましくは０〜１８０
℃であり、より好ましくは１０〜１５０℃である。ま
た、このようにして得られる反応溶液に対し、ポリアミ
ック酸の精製方法におけると同様の操作を行うことによ
り、イミド化重合体を精製することができる。
【００５０】＜末端修飾型の重合体＞ポリアミック酸お
よびイミド化重合体は、分子量が調節された末端修飾型
のものであってもよい。この末端修飾型の重合体を用い
ることにより、本発明の効果が損われることなく液晶配
向剤の塗布特性などを改善することができる。このよう
な末端修飾型の重合体は、ポリアミック酸を合成する際
に、酸一無水物、モノアミン化合物、モノイソシアネー
ト化合物などを反応系に添加することにより合成するこ
とができる。ここで、酸一無水物としては、例えば無水
マレイン酸、無水フタル酸、無水イタコン酸、ｎ−デシ
ルサクシニック酸無水物、ｎ−ドデシルサクシニック酸
無水物、ｎ−テトラデシルサクシニック酸無水物、ｎ−
ヘキサデシルサクシニック酸無水物などを挙げることが
できる。また、モノアミン化合物としては、例えばアニ
リン、シクロヘキシルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−
ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルア
ミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デ
シルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ドデシルアミ
ン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシルアミン、
ｎ−ペンタデシルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミン、ｎ
−ヘプタデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｎ−
エイコシルアミンなどを挙げることができる。また、モ
ノイソシアネート化合物としては、例えばフェニルイソ
シアネート、ナフチルイソシアネートなどを挙げること
ができる。
よびイミド化重合体は、分子量が調節された末端修飾型
のものであってもよい。この末端修飾型の重合体を用い
ることにより、本発明の効果が損われることなく液晶配
向剤の塗布特性などを改善することができる。このよう
な末端修飾型の重合体は、ポリアミック酸を合成する際
に、酸一無水物、モノアミン化合物、モノイソシアネー
ト化合物などを反応系に添加することにより合成するこ
とができる。ここで、酸一無水物としては、例えば無水
マレイン酸、無水フタル酸、無水イタコン酸、ｎ−デシ
ルサクシニック酸無水物、ｎ−ドデシルサクシニック酸
無水物、ｎ−テトラデシルサクシニック酸無水物、ｎ−
ヘキサデシルサクシニック酸無水物などを挙げることが
できる。また、モノアミン化合物としては、例えばアニ
リン、シクロヘキシルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−
ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルア
ミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デ
シルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ドデシルアミ
ン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシルアミン、
ｎ−ペンタデシルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミン、ｎ
−ヘプタデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｎ−
エイコシルアミンなどを挙げることができる。また、モ
ノイソシアネート化合物としては、例えばフェニルイソ
シアネート、ナフチルイソシアネートなどを挙げること
ができる。
【００５１】＜重合体の対数粘度＞以上のようにして得
られるポリアミック酸および／またはイミド化重合体
は、その対数粘度（ηln）の値が好ましくは０.０５〜
１０ｄｌ／ｇ、より好ましくは０.０５〜５ｄｌ／ｇで
ある。
られるポリアミック酸および／またはイミド化重合体
は、その対数粘度（ηln）の値が好ましくは０.０５〜
１０ｄｌ／ｇ、より好ましくは０.０５〜５ｄｌ／ｇで
ある。
【００５２】本発明における対数粘度（ηln）の値は、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンを溶媒として用い、濃度が
０.５ｇ／１００ミリリットルである溶液について３０
℃で粘度の測定を行い、下記式（１）によって求められ
るものである。
Ｎ−メチル−２−ピロリドンを溶媒として用い、濃度が
０.５ｇ／１００ミリリットルである溶液について３０
℃で粘度の測定を行い、下記式（１）によって求められ
るものである。
【００５３】
【数１】
【００５４】＜液晶配向剤＞本発明の垂直配向型液晶配
向膜は、好ましくは、上記ポリアミック酸および／また
はイミド化重合体が、有機溶媒中に溶解されて構成され
る液晶配向剤から形成された薄膜に無偏光の紫外線を斜
め照射することにより得られる。本発明で用いられる液
晶配向剤を調製する際の温度は、好ましくは０℃〜２０
０℃であり、より好ましくは２０℃〜６０℃である。
向膜は、好ましくは、上記ポリアミック酸および／また
はイミド化重合体が、有機溶媒中に溶解されて構成され
る液晶配向剤から形成された薄膜に無偏光の紫外線を斜
め照射することにより得られる。本発明で用いられる液
晶配向剤を調製する際の温度は、好ましくは０℃〜２０
０℃であり、より好ましくは２０℃〜６０℃である。
【００５５】液晶配向剤を構成する有機溶媒としては、
例えば、１−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラク
トン、γ−ブチロラクタム、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、４−ヒドロキシ
−４−メチル−２−ペンタノン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸ブチル、酢酸ブチル、メチルメ
トキシプロピオネ−ト、エチルエトキシプロピオネ−
ト、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリ
コールエチルエーテル、エチレングリコール−ｎ−プロ
ピルエーテル、エチレングリコール−ｉ−プロピルエー
テル、エチレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（ブチ
ルセロソルブ）、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トなどを挙げることができる。
例えば、１−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラク
トン、γ−ブチロラクタム、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、４−ヒドロキシ
−４−メチル−２−ペンタノン、エチレングリコールモ
ノメチルエーテル、乳酸ブチル、酢酸ブチル、メチルメ
トキシプロピオネ−ト、エチルエトキシプロピオネ−
ト、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリ
コールエチルエーテル、エチレングリコール−ｎ−プロ
ピルエーテル、エチレングリコール−ｉ−プロピルエー
テル、エチレングリコール−ｎ−ブチルエーテル（ブチ
ルセロソルブ）、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリ
コールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トなどを挙げることができる。
【００５６】液晶配向剤における固形分濃度は、粘性、
揮発性などを考慮して選択されるが、好ましくは１〜１
０重量％の範囲にある。すなわち、液晶配向剤は、基板
表面に塗布され、本発明の液晶配向膜となる薄膜が形成
されるが、固形分濃度が１重量％未満である場合には、
この薄膜の膜厚が過小となって良好な液晶配向膜を得る
ことができず、固形分濃度が１０重量％を超える場合に
は、薄膜の膜厚が過大となって良好な液晶配向膜を得る
ことができず、また、液晶配向剤の粘性が増大して塗布
特性が劣るものとなる。
揮発性などを考慮して選択されるが、好ましくは１〜１
０重量％の範囲にある。すなわち、液晶配向剤は、基板
表面に塗布され、本発明の液晶配向膜となる薄膜が形成
されるが、固形分濃度が１重量％未満である場合には、
この薄膜の膜厚が過小となって良好な液晶配向膜を得る
ことができず、固形分濃度が１０重量％を超える場合に
は、薄膜の膜厚が過大となって良好な液晶配向膜を得る
ことができず、また、液晶配向剤の粘性が増大して塗布
特性が劣るものとなる。
【００５７】本発明で用いられる液晶配向剤には、目的
の物性を損なわない範囲内で、基板表面に対する接着性
を向上させる観点から、官能性シラン含有化合物、エポ
キシ化合物が含有されていてもよい。かかる官能性シラ
ン含有化合物としては、例えば３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラ
ン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エ
トキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルト
リエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピ
ルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル
−１,４,７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリ
ル−１,４,７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリ
ル−３,６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキ
シシリル−３,６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベン
ジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベ
ンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−ア
ミノプロピルトリエトキシシランなどを挙げることがで
きる。かかるエポキシ化合物としては、例えばエチレン
グリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコ
ールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグ
リシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシ
ジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジル
エーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテ
ル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、
グリセリンジグリシジルエーテル、２,２−ジブロモネ
オペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１,３,
５,６−テトラグリシジル−２,４−ヘキサンジオール、
Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジ
アミン、１,３−ビス（Ｎ,Ｎ−ジグリシジルアミノメチ
ル）シクロヘキサン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシ
ジル−４,４’−ジアミノジフェニルメタン、３−（Ｎ
−アリルーＮーグリシジル）アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−（Ｎ,Ｎ−ジグリシジル）アミノプロピ
ルトリメトキシシランなどを挙げることができる。
の物性を損なわない範囲内で、基板表面に対する接着性
を向上させる観点から、官能性シラン含有化合物、エポ
キシ化合物が含有されていてもよい。かかる官能性シラ
ン含有化合物としては、例えば３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−
（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラ
ン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エ
トキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルト
リエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピ
ルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル
−１,４,７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリ
ル−１,４,７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリ
ル−３,６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキ
シシリル−３,６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベン
ジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベ
ンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ
−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−ア
ミノプロピルトリエトキシシランなどを挙げることがで
きる。かかるエポキシ化合物としては、例えばエチレン
グリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコ
ールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグ
リシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシ
ジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジル
エーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテ
ル、１,６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、
グリセリンジグリシジルエーテル、２,２−ジブロモネ
オペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１,３,
５,６−テトラグリシジル−２,４−ヘキサンジオール、
Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジ
アミン、１,３−ビス（Ｎ,Ｎ−ジグリシジルアミノメチ
ル）シクロヘキサン、Ｎ,Ｎ,Ｎ’,Ｎ’,−テトラグリシ
ジル−４,４’−ジアミノジフェニルメタン、３−（Ｎ
−アリルーＮーグリシジル）アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−（Ｎ,Ｎ−ジグリシジル）アミノプロピ
ルトリメトキシシランなどを挙げることができる。
【００５８】＜液晶配向膜＞本発明の液晶配向膜は、上
記液晶配向剤を、通常、基板に塗布、焼成後、無偏光の
紫外線を照射角度９０度未満で斜め照射することにより
得ることができる。液晶配向剤の塗布方法としては、例
えばスピンコート法、印刷法などを挙げることができる
が、印刷法が好ましい。焼成は５０〜３００℃で０.５
〜３００分間行うことができる。紫外線の照射装置とし
ては高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノン水銀ラ
ンプ、エキシマーレーザーなどを用いることができる。
また、照射角度は２０〜７０°が好ましい。また、照射
強度は０.２〜３０Ｊ／ｃｍ2が好ましい。
記液晶配向剤を、通常、基板に塗布、焼成後、無偏光の
紫外線を照射角度９０度未満で斜め照射することにより
得ることができる。液晶配向剤の塗布方法としては、例
えばスピンコート法、印刷法などを挙げることができる
が、印刷法が好ましい。焼成は５０〜３００℃で０.５
〜３００分間行うことができる。紫外線の照射装置とし
ては高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノン水銀ラ
ンプ、エキシマーレーザーなどを用いることができる。
また、照射角度は２０〜７０°が好ましい。また、照射
強度は０.２〜３０Ｊ／ｃｍ2が好ましい。
【００５９】
【実施例】以下、本発明を実施例により、さらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるも
のではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるも
のではない。
【００６０】［液晶表示素子作成方法］ 液晶表示素子の作製：厚さ１ｍｍのガラス基板の一面に
設けられたＩＴＯ膜からなる透明導電膜上に、液晶配向
剤をスピンナーを用いて塗布し、１８０℃のホットプレ
ート上で１０分間乾燥することにより乾燥膜厚６００オ
ングストロームの塗膜を形成し、液晶配向膜とした。こ
の基板にキセノン水銀ランプにより２Ｊ／ｃｍ2の紫外
線を４５°の角度で斜め照射した。上記のようにして液
晶配向膜が形成された基板を２枚作製し、それぞれの基
板の外縁部に、酸化アルミニウム球を含有するエポキシ
樹脂系接着剤をスクリーン印刷法により塗布した後、２
枚の基板を間隙を介して対向配置し、外縁部同士を当接
させて圧着して接着剤を硬化させた。基板の表面および
外縁部の接着剤により区画されたセルギャップ内に、ネ
ガ型ネマティック型液晶を注入充填し、次いで、注入孔
をアクリル系光硬化接着剤で封止して垂直配向型液晶表
示素子を作製した。
設けられたＩＴＯ膜からなる透明導電膜上に、液晶配向
剤をスピンナーを用いて塗布し、１８０℃のホットプレ
ート上で１０分間乾燥することにより乾燥膜厚６００オ
ングストロームの塗膜を形成し、液晶配向膜とした。こ
の基板にキセノン水銀ランプにより２Ｊ／ｃｍ2の紫外
線を４５°の角度で斜め照射した。上記のようにして液
晶配向膜が形成された基板を２枚作製し、それぞれの基
板の外縁部に、酸化アルミニウム球を含有するエポキシ
樹脂系接着剤をスクリーン印刷法により塗布した後、２
枚の基板を間隙を介して対向配置し、外縁部同士を当接
させて圧着して接着剤を硬化させた。基板の表面および
外縁部の接着剤により区画されたセルギャップ内に、ネ
ガ型ネマティック型液晶を注入充填し、次いで、注入孔
をアクリル系光硬化接着剤で封止して垂直配向型液晶表
示素子を作製した。
【００６１】［配向性］垂直配向型液晶表示素子の電圧
ＯＦＦ時、４Ｖ交流印加時を目視にて観察した。 ［電圧保持率］液晶表示素子に５Ｖの電圧を６０マイク
ロ秒の印加時間、１６７ミリ秒のスパンで印加した後、
印加解除から１６７ミリ秒後の電圧保持率を測定した。
測定装置は（株）東陽テクニカ製ＶＨＲ−１を使用し
た。
ＯＦＦ時、４Ｖ交流印加時を目視にて観察した。 ［電圧保持率］液晶表示素子に５Ｖの電圧を６０マイク
ロ秒の印加時間、１６７ミリ秒のスパンで印加した後、
印加解除から１６７ミリ秒後の電圧保持率を測定した。
測定装置は（株）東陽テクニカ製ＶＨＲ−１を使用し
た。
【００６２】［薄膜の表面張力］文献「ＪＯＵＲＮＡＬ
ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＯＬＹＭＥＲ ＳＣＩＥＮ
ＣＥ ＶＯＬ.１３,ＰＰ.１７４１−１７４７（１９６
９）」に記載されている、Ｄ.Ｋ.ＯＷＥＮＳらの方法に
従い、薄膜上における純水の接触角およびヨウ化メチレ
ンの接触角から、次のようにして求めた。固体の表面に
液体が接触している系において、当該液体の表面自由エ
ネルギー（表面張力ともいわれる。）と、固体の表面自
由エネルギーと、接触角との関係は、下記式（２）で表
わされる。 （１＋ｃｏｓθ）×γL ＝２（γSd×γLd）1/2 ＋２（γSp×γLp）1/2・・・ （２） ここで、γL ：液体の表面自由エネルギー γLd：液体の表面自由エネルギーの分散成分 γLp：液体の表面自由エネルギーの極性成分 γSd：固体の表面自由エネルギーの分散成分 γSp：固体の表面自由エネルギーの極性成分 θ ：接触角
ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＯＬＹＭＥＲ ＳＣＩＥＮ
ＣＥ ＶＯＬ.１３,ＰＰ.１７４１−１７４７（１９６
９）」に記載されている、Ｄ.Ｋ.ＯＷＥＮＳらの方法に
従い、薄膜上における純水の接触角およびヨウ化メチレ
ンの接触角から、次のようにして求めた。固体の表面に
液体が接触している系において、当該液体の表面自由エ
ネルギー（表面張力ともいわれる。）と、固体の表面自
由エネルギーと、接触角との関係は、下記式（２）で表
わされる。 （１＋ｃｏｓθ）×γL ＝２（γSd×γLd）1/2 ＋２（γSp×γLp）1/2・・・ （２） ここで、γL ：液体の表面自由エネルギー γLd：液体の表面自由エネルギーの分散成分 γLp：液体の表面自由エネルギーの極性成分 γSd：固体の表面自由エネルギーの分散成分 γSp：固体の表面自由エネルギーの極性成分 θ ：接触角
【００６３】而して、２０℃において、純水について
は、γL＝７２.８、γLd＝２１.８およびγLp＝５１.０
（単位はｄｙｎ／ｃｍ）であり、ヨウ化メチレンについ
ては、γL＝５０.８、γLd＝４９.５およびγLp＝１.３
である。これらの値を数式（２）に代入すると、純水の
場合には下記式（３）が、ヨウ化メチレンの場合には下
記式（４）が得られる。ここで、θ1およびθ2は、それ
ぞれ純水およびヨウ化メチレンの接触角である。 （１＋ｃｏｓθ1）×７２.８＝２（γSd×２１.８）1/2 ＋２（γSp×５１.０ ）1/2・・・（３） （１＋ｃｏｓθ2）×５０.８＝２（γSd×４９.５）1/2 ＋２（γSp×１.３）1 /2 ・・・（４） 従って、式（３）および式（４）に、接触角の測定値を
代入し、この連立方程式からγSdおよびγSpを求め、さ
らに下記式（５）により薄膜の表面自由エネルギーγS
を求めた。 γS＝γSd＋γSp ・・・（５） なお、接触角は、接触角測定装置「ＣＡ−Ａ型」（協和
界面化学（株）製）を用いて、水またはヨウ化メチレン
を薄膜上に４μｌ滴下し、１分間経過後の接触角を測定
することにより求めた。
は、γL＝７２.８、γLd＝２１.８およびγLp＝５１.０
（単位はｄｙｎ／ｃｍ）であり、ヨウ化メチレンについ
ては、γL＝５０.８、γLd＝４９.５およびγLp＝１.３
である。これらの値を数式（２）に代入すると、純水の
場合には下記式（３）が、ヨウ化メチレンの場合には下
記式（４）が得られる。ここで、θ1およびθ2は、それ
ぞれ純水およびヨウ化メチレンの接触角である。 （１＋ｃｏｓθ1）×７２.８＝２（γSd×２１.８）1/2 ＋２（γSp×５１.０ ）1/2・・・（３） （１＋ｃｏｓθ2）×５０.８＝２（γSd×４９.５）1/2 ＋２（γSp×１.３）1 /2 ・・・（４） 従って、式（３）および式（４）に、接触角の測定値を
代入し、この連立方程式からγSdおよびγSpを求め、さ
らに下記式（５）により薄膜の表面自由エネルギーγS
を求めた。 γS＝γSd＋γSp ・・・（５） なお、接触角は、接触角測定装置「ＣＡ−Ａ型」（協和
界面化学（株）製）を用いて、水またはヨウ化メチレン
を薄膜上に４μｌ滴下し、１分間経過後の接触角を測定
することにより求めた。
【００６４】合成例１〜９および比較合成例１ Ｎ−メチル−２−ピロリドンに、表１に示す組成で、ジ
アミン、テトラカルボン酸二無水物の順で加え、６時間
反応させて、表１に示す対数粘度を有するポリアミック
酸を得た。
アミン、テトラカルボン酸二無水物の順で加え、６時間
反応させて、表１に示す対数粘度を有するポリアミック
酸を得た。
【００６５】
【表１】
【００６６】合成例１０ 合成例３で得られたポリアミック酸をＮ−メチル−２−
ピロリドンにより固形分濃度５％に希釈し、ピリジンお
よび無水酢酸を、ポリアミック酸の繰り返し単位に対し
て、それぞれ、５倍モル量および３倍モル量添加して１
１０℃で４時間イミド化反応を行った。反応終了後、メ
タノールで再沈殿し、沈殿を回収、乾固することによっ
て白色のポリイミド粉末を得た。 合成例１１ 合成例６で得られたポリアミック酸をＮ−メチル−２−
ピロリドンにより固形分濃度５％に希釈し、ピリジンお
よび無水酢酸を、ポリアミック酸の繰り返し単位に対し
て、それぞれ、５倍モル量および３倍モル量添加して１
１０℃で４時間イミド化反応を行った。反応終了後、メ
タノールで再沈殿し、沈殿を回収、乾固することによっ
て白色のポリイミド粉末を得た。 実施例１〜１７および比較例１ 合成例で得たポリアミック酸、ポリイミド、表２に記載
した溶媒および添加剤を用い、表２のような組成で固形
分濃度３．０重量％の液晶配向剤を調製した。この液晶
配向剤を用いて液晶配向膜を形成し、液晶表示素子を作
製して評価を行った。結果を表２に示す。
ピロリドンにより固形分濃度５％に希釈し、ピリジンお
よび無水酢酸を、ポリアミック酸の繰り返し単位に対し
て、それぞれ、５倍モル量および３倍モル量添加して１
１０℃で４時間イミド化反応を行った。反応終了後、メ
タノールで再沈殿し、沈殿を回収、乾固することによっ
て白色のポリイミド粉末を得た。 合成例１１ 合成例６で得られたポリアミック酸をＮ−メチル−２−
ピロリドンにより固形分濃度５％に希釈し、ピリジンお
よび無水酢酸を、ポリアミック酸の繰り返し単位に対し
て、それぞれ、５倍モル量および３倍モル量添加して１
１０℃で４時間イミド化反応を行った。反応終了後、メ
タノールで再沈殿し、沈殿を回収、乾固することによっ
て白色のポリイミド粉末を得た。 実施例１〜１７および比較例１ 合成例で得たポリアミック酸、ポリイミド、表２に記載
した溶媒および添加剤を用い、表２のような組成で固形
分濃度３．０重量％の液晶配向剤を調製した。この液晶
配向剤を用いて液晶配向膜を形成し、液晶表示素子を作
製して評価を行った。結果を表２に示す。
【００６７】
【表２】
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、無偏光の紫外線の斜め
照射により垂直液晶配向性、電圧保持特性に優れた液晶
配向膜が提供できる。
照射により垂直液晶配向性、電圧保持特性に優れた液晶
配向膜が提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 圭一 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HB08Y HB13Y HC01 MA01 4J043 PA02 PA15 PC075 PC095 PC115 PC145 PC165 PC185 QB26 RA06 RA35 SA06 SA63 SA72 SA81 TA22 TA43 UA022 UA032 UA061 UA062 UA121 UA122 UA131 UA132 UA151 UA152 UB022 UB121 UB122 UB151 UB161 UB191 UB221 UB302 UB351 XA03 XA16 XA17 XA18 YA06 YA08 ZA55 ZB23
Claims (3)
- 【請求項１】 表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ以下の薄膜
に、無偏光の紫外線を照射角９０度未満で照射すること
により得られる、垂直配向型液晶配向膜。 - 【請求項２】 薄膜が下記式（Ｉ−１）で表される繰返
し単位および下記式（Ｉ−２）で表される繰返し単位か
ら選ばれる少なくとも一種の繰返し単位を有する重合体
を含有してなることを特徴とする、請求項１記載の垂直
配向型液晶配向膜。 【化１】 （式中、Ａ1は４価の有機基であり、Ｂ1は下記式（Ｂ−
１）または（Ｂ−２）で表される基である。） 【化２】 （式中、Ａ2は４価の有機基であり、Ｂ2は下記式（Ｂ−
１）または（Ｂ−２）で表される基である。） 【化３】 （式中、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−Ｓ−から選ば
れる２価の基であり、Ｒ1は、炭素数１２〜３０の炭化
水素基または炭素数６以上のフッ素含有炭化水素基であ
る１価の有機基である。） 【化４】 （式中、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−および−Ｓ−から選ば
れる２価の基であり、Ｒ2は、炭素数１２〜３０の炭化
水素基または炭素数６以上のフッ素含有炭化水素基であ
る２価の有機基である。） - 【請求項３】 請求項１記載の液晶配向膜を具備してな
る垂直配向型液晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001228108A JP2002303870A (ja) | 2001-01-30 | 2001-07-27 | 垂直配向型液晶配向膜および垂直配向型液晶表示素子 |
| TW091101401A TWI309733B (ja) | 2001-01-30 | 2002-01-28 | |
| KR1020020005185A KR100817703B1 (ko) | 2001-01-30 | 2002-01-29 | 수직배향형 액정 배향막, 액정 배향제 및 수직배향형 액정표시 소자 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001021742 | 2001-01-30 | ||
| JP2001-21742 | 2001-01-30 | ||
| JP2001228108A JP2002303870A (ja) | 2001-01-30 | 2001-07-27 | 垂直配向型液晶配向膜および垂直配向型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002303870A true JP2002303870A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=26608528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001228108A Pending JP2002303870A (ja) | 2001-01-30 | 2001-07-27 | 垂直配向型液晶配向膜および垂直配向型液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002303870A (ja) |
| KR (1) | KR100817703B1 (ja) |
| TW (1) | TWI309733B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003073471A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Jsr Corp | 垂直配向型液晶配向剤およびそれを用いた液晶表示素子 |
| JP2006309181A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶配向膜の製造方法、及び液晶配向膜のチルト角を減じる方法 |
| US7782430B2 (en) | 2001-08-01 | 2010-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device treated by UV irradiation |
| US9405152B2 (en) | 2002-12-09 | 2016-08-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing same |
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|---|---|---|---|---|
| JP4900571B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-03-21 | Ｊｓｒ株式会社 | 垂直液晶配向剤および垂直液晶表示素子 |
| JP5321781B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2013-10-23 | Ｊｓｒ株式会社 | 液晶配向剤および液晶表示素子 |
Citations (3)
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| JPH09297313A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-11-18 | Nissan Chem Ind Ltd | 液晶配向処理方法 |
| JPH11133429A (ja) * | 1997-02-27 | 1999-05-21 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH095753A (ja) * | 1995-06-26 | 1997-01-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶配向剤 |
| TW584774B (en) * | 1998-07-07 | 2004-04-21 | Fujitsu Display Tech | Method of fabricating liquid crystal display device |
-
2001
- 2001-07-27 JP JP2001228108A patent/JP2002303870A/ja active Pending
-
2002
- 2002-01-28 TW TW091101401A patent/TWI309733B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-01-29 KR KR1020020005185A patent/KR100817703B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH09297313A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-11-18 | Nissan Chem Ind Ltd | 液晶配向処理方法 |
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| US7944532B2 (en) | 2001-08-01 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device treated by UV irradiation |
| US8085373B2 (en) | 2001-08-01 | 2011-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device treated by UV irradiation |
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| US8681300B2 (en) | 2001-08-01 | 2014-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device treated by UV irradiation |
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| US9405152B2 (en) | 2002-12-09 | 2016-08-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing same |
| US11520186B2 (en) | 2002-12-09 | 2022-12-06 | Nissan Chemical Corporation | Liquid crystal display and method for manufacturing same |
| JP2006309181A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Dainippon Ink & Chem Inc | 液晶配向膜の製造方法、及び液晶配向膜のチルト角を減じる方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI309733B (ja) | 2009-05-11 |
| KR20020063829A (ko) | 2002-08-05 |
| KR100817703B1 (ko) | 2008-03-27 |
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