JP2002302771A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2002302771A JP2002302771A JP2001108868A JP2001108868A JP2002302771A JP 2002302771 A JP2002302771 A JP 2002302771A JP 2001108868 A JP2001108868 A JP 2001108868A JP 2001108868 A JP2001108868 A JP 2001108868A JP 2002302771 A JP2002302771 A JP 2002302771A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来技術で問題となる半導体装置の製造方法に
おける片面加熱方式で発生する処理基板の変形及び温度
の不均一性を抑制し、均一性良く基板を処理することの
できる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】基板処理室５０内に設置された基板保持板
２に処理基板１を載置し、基板保持板２からの伝熱によ
って処理基板１を加熱しつつ、ガス供給口６より導入さ
れガス分散板５で処理基板１の処理面に均等になるよう
に拡散されたガスにより処理基板１を熱ＣＶＤ処理する
半導体装置の製造方法において、処理基板１を、基板処
理室５０内に搬入後、基板保持板２から３〜５ｍｍだけ
離間させた位置で３０〜９０秒間保持して予備加熱した
後に、基板保持板２上に載置し、基板処理位置にまで持
ち上げて熱ＣＶＤ処理することを特徴とする半導体装置
の製造方法を構成する。
おける片面加熱方式で発生する処理基板の変形及び温度
の不均一性を抑制し、均一性良く基板を処理することの
できる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】基板処理室５０内に設置された基板保持板
２に処理基板１を載置し、基板保持板２からの伝熱によ
って処理基板１を加熱しつつ、ガス供給口６より導入さ
れガス分散板５で処理基板１の処理面に均等になるよう
に拡散されたガスにより処理基板１を熱ＣＶＤ処理する
半導体装置の製造方法において、処理基板１を、基板処
理室５０内に搬入後、基板保持板２から３〜５ｍｍだけ
離間させた位置で３０〜９０秒間保持して予備加熱した
後に、基板保持板２上に載置し、基板処理位置にまで持
ち上げて熱ＣＶＤ処理することを特徴とする半導体装置
の製造方法を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応室内に設置さ
れた基板保持板に基板を載置し、前記基板保持板からの
伝熱によって前記基板を加熱しつつ、前記基板を処理す
る半導体装置の製造方法に関するものである。
れた基板保持板に基板を載置し、前記基板保持板からの
伝熱によって前記基板を加熱しつつ、前記基板を処理す
る半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置を製造する
工程においては、基板の酸化処理、窒化処理、不純物拡
散処理、あるいは基板上への薄膜堆積処理等の、基板を
処理する半導体装置の製造方法が多く実施されている。
このような半導体装置の製造方法においては、多くの場
合に、基板処理室内に設置された基板保持板に基板を載
置し、前記基板保持板からの伝熱によって前記基板を加
熱しつつ、前記基板を処理する方法が採用されている。
工程においては、基板の酸化処理、窒化処理、不純物拡
散処理、あるいは基板上への薄膜堆積処理等の、基板を
処理する半導体装置の製造方法が多く実施されている。
このような半導体装置の製造方法においては、多くの場
合に、基板処理室内に設置された基板保持板に基板を載
置し、前記基板保持板からの伝熱によって前記基板を加
熱しつつ、前記基板を処理する方法が採用されている。
【０００３】上記従来の半導体装置の製造方法を、熱Ｃ
ＶＤ（化学気相堆積）薄膜形成装置を用いた場合を例と
して、図２によって説明する。この場合の薄膜形成装置
は、処理基板の加熱を基板保持板からの伝熱によって行
うものであり、コールド・ウォール型と呼ばれているも
のである。
ＶＤ（化学気相堆積）薄膜形成装置を用いた場合を例と
して、図２によって説明する。この場合の薄膜形成装置
は、処理基板の加熱を基板保持板からの伝熱によって行
うものであり、コールド・ウォール型と呼ばれているも
のである。
【０００４】図２の（ａ）に示したように、基板処理装
置３０は、処理の対象となる処理基板１を支持する基板
支持具４、基板保持板２と抵抗加熱ヒータ３とを有する
ヒータユニット２０、処理基板１を装置３０の基板処理
室５０内に搬入するための基板挿入口８、基板挿入口８
を開閉する開閉弁９、ヒータユニット２０を基板処理室
５０内で上昇及び降下させる多段階調整可能な昇降機構
１０（図中、昇降機構自体は図示せず、昇降移動距離範
囲のみを双方向矢印によって示す）、基板処理室５０内
を排気するための排気口７、基板処理室５０内にガスを
供給するガス供給口６、及び、ガスの処理基板１処理面
への供給を均一にするためのガス分散板５を有してい
る。
置３０は、処理の対象となる処理基板１を支持する基板
支持具４、基板保持板２と抵抗加熱ヒータ３とを有する
ヒータユニット２０、処理基板１を装置３０の基板処理
室５０内に搬入するための基板挿入口８、基板挿入口８
を開閉する開閉弁９、ヒータユニット２０を基板処理室
５０内で上昇及び降下させる多段階調整可能な昇降機構
１０（図中、昇降機構自体は図示せず、昇降移動距離範
囲のみを双方向矢印によって示す）、基板処理室５０内
を排気するための排気口７、基板処理室５０内にガスを
供給するガス供給口６、及び、ガスの処理基板１処理面
への供給を均一にするためのガス分散板５を有してい
る。
【０００５】基板支持具４は石英製のピンで構成され、
基板保持板２は、サセプタと総称され、処理基板１を支
持するとともに、抵抗加熱ヒータ３から処理基板１への
伝熱を迅速かつ均一にする役割を果たす。ガス供給口６
は、基板処理室５０内に所望のガス種を所望のガス流
量、ガス比率で供給するためのものであり、そのガスの
処理基板１処理面への供給はガス分散板５によって均一
化されている。排気口７は、未反応ガス及び反応過程で
生成したガスを排気するするためのものである。
基板保持板２は、サセプタと総称され、処理基板１を支
持するとともに、抵抗加熱ヒータ３から処理基板１への
伝熱を迅速かつ均一にする役割を果たす。ガス供給口６
は、基板処理室５０内に所望のガス種を所望のガス流
量、ガス比率で供給するためのものであり、そのガスの
処理基板１処理面への供給はガス分散板５によって均一
化されている。排気口７は、未反応ガス及び反応過程で
生成したガスを排気するするためのものである。
【０００６】この基板処理装置３０は、４００℃以上８
５０℃以下の高温、１０００００Ｐａまでの高圧で、単
一基板毎の処理を可能とする。
５０℃以下の高温、１０００００Ｐａまでの高圧で、単
一基板毎の処理を可能とする。
【０００７】基板処理装置３０による処理に際して、ま
ず、図２の（ａ）に示したように、処理基板１は、基板
処理室５０と基板挿入口８を通じて接続された基板搬送
室４０（図中、その位置のみを示す）に設けられた搬送
機構により、基板挿入口８を経て、基板処理室５０内に
搬入され、基板保持板２と空間を隔てて平行になるよう
に基板支持具４上に置かれる。
ず、図２の（ａ）に示したように、処理基板１は、基板
処理室５０と基板挿入口８を通じて接続された基板搬送
室４０（図中、その位置のみを示す）に設けられた搬送
機構により、基板挿入口８を経て、基板処理室５０内に
搬入され、基板保持板２と空間を隔てて平行になるよう
に基板支持具４上に置かれる。
【０００８】次に、基板搬送室４０と基板処理室５０と
を基板処理中に隔離するため、基板挿入口８が開閉弁９
によって閉じられる。
を基板処理中に隔離するため、基板挿入口８が開閉弁９
によって閉じられる。
【０００９】次に、ヒータユニット２０は、基板搬入位
置（図２の（ａ）における位置）から基板処理位置（図
２の（ｂ）における位置）まで、昇降機構１０によって
上昇する。ヒータユニット２０上昇の際、基板支持具４
上の処理基板１と基板保持板２との間隔は次第に狭くな
り、ヒータユニット２０が基板処理位置に到達する前
に、その間隔が無くなった時点において、基板支持具４
に代わって基板保持板２が処理基板１を保持し、そのま
まさらに上昇して、図２の（ｂ）における位置（基板処
理位置）で停止する。処理基板１は、抵抗加熱ヒータ３
で加熱されて高温となっている基板保持板２からの直接
伝熱によって加熱される。
置（図２の（ａ）における位置）から基板処理位置（図
２の（ｂ）における位置）まで、昇降機構１０によって
上昇する。ヒータユニット２０上昇の際、基板支持具４
上の処理基板１と基板保持板２との間隔は次第に狭くな
り、ヒータユニット２０が基板処理位置に到達する前
に、その間隔が無くなった時点において、基板支持具４
に代わって基板保持板２が処理基板１を保持し、そのま
まさらに上昇して、図２の（ｂ）における位置（基板処
理位置）で停止する。処理基板１は、抵抗加熱ヒータ３
で加熱されて高温となっている基板保持板２からの直接
伝熱によって加熱される。
【００１０】次に、このような、図２の（ｂ）に示した
状態において、加熱された処理基板１は、上部のガス供
給口６より導入されガス分散板５で処理基板１の処理面
に均等になるように拡散されたガスにより処理、すなわ
ち熱ＣＶＤ処理される。
状態において、加熱された処理基板１は、上部のガス供
給口６より導入されガス分散板５で処理基板１の処理面
に均等になるように拡散されたガスにより処理、すなわ
ち熱ＣＶＤ処理される。
【００１１】上記の基板処理後、ヒータユニット２０は
基板搬入位置（図２の（ａ）に示した位置）にまで降下
する。降下の際、基板支持具４は基板保持板２上の処理
基板１を突き上げて再び支持し、処理基板１と基板保持
板２との間に処理基板１の搬送のための空間を作る。
基板搬入位置（図２の（ａ）に示した位置）にまで降下
する。降下の際、基板支持具４は基板保持板２上の処理
基板１を突き上げて再び支持し、処理基板１と基板保持
板２との間に処理基板１の搬送のための空間を作る。
【００１２】次に、基板挿入口８が開けられ、処理基板
１は基板挿入口８から基板搬送室４０内の搬送機構によ
り基板搬送室４０へ運び出される。
１は基板挿入口８から基板搬送室４０内の搬送機構によ
り基板搬送室４０へ運び出される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記の基板処理方法に
おいて、基板搬送室４０内の搬送機構によって基板処理
室５０内に搬入された常温程度の処理基板１は、基板保
持板２によって片面から直接接触加熱される。この方法
では、処理基板１の表面と裏面との間に急激に発生する
温度差、及び外周での放熱が大きいことによる基板内の
温度差に起因した変形が生じる。この変形は、処理基板
１と基板保持板２との距離が短いほど大きく、この距離
が無い場合、すなわち処理基板１と加熱された基板保持
板２とが接触した場合に、この変形は最大となる。変形
した処理基板１は基板保持板２から均等に熱を受けるこ
とができず、基板面内に温度ばらつきが生じ、成膜の均
一性を大きく損ねるという問題点があった。
おいて、基板搬送室４０内の搬送機構によって基板処理
室５０内に搬入された常温程度の処理基板１は、基板保
持板２によって片面から直接接触加熱される。この方法
では、処理基板１の表面と裏面との間に急激に発生する
温度差、及び外周での放熱が大きいことによる基板内の
温度差に起因した変形が生じる。この変形は、処理基板
１と基板保持板２との距離が短いほど大きく、この距離
が無い場合、すなわち処理基板１と加熱された基板保持
板２とが接触した場合に、この変形は最大となる。変形
した処理基板１は基板保持板２から均等に熱を受けるこ
とができず、基板面内に温度ばらつきが生じ、成膜の均
一性を大きく損ねるという問題点があった。
【００１４】本発明の目的は、上記の従来技術で問題と
なる半導体装置の製造方法における片面加熱方式で発生
する処理基板の変形及び温度の不均一性を抑制し、均一
性良く基板を処理することのできる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
なる半導体装置の製造方法における片面加熱方式で発生
する処理基板の変形及び温度の不均一性を抑制し、均一
性良く基板を処理することのできる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明においては、請求
項１に記載したように、基板処理室内に設置された基板
保持板に基板を載置し、前記基板保持板からの伝熱によ
って前記基板を加熱しつつ、前記基板を処理する半導体
装置の製造方法において、前記基板を前記基板処理室内
に搬入後、前記基板を前記基板保持板から所定距離だけ
離間させた状態で所定時間保持した後に、前記基板を前
記基板保持板に載置して前記基板を処理することを特徴
とする半導体装置の製造方法を構成する。
項１に記載したように、基板処理室内に設置された基板
保持板に基板を載置し、前記基板保持板からの伝熱によ
って前記基板を加熱しつつ、前記基板を処理する半導体
装置の製造方法において、前記基板を前記基板処理室内
に搬入後、前記基板を前記基板保持板から所定距離だけ
離間させた状態で所定時間保持した後に、前記基板を前
記基板保持板に載置して前記基板を処理することを特徴
とする半導体装置の製造方法を構成する。
【００１６】また、本発明においては、請求項２に記載
したように、前記所定距離が０.５ｍｍ以上、１０ｍｍ
以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置の製造方法を構成する。
したように、前記所定距離が０.５ｍｍ以上、１０ｍｍ
以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置の製造方法を構成する。
【００１７】また、本発明においては、請求項３に記載
したように、前記所定時間が１０秒以上、１２０秒以下
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置の製造方法を構成する。
したように、前記所定時間が１０秒以上、１２０秒以下
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置の製造方法を構成する。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明は、処理基板を基板保持板
に載置して加熱する前に、ヒータユニット昇降時の前記
基板保持板が上下する機構を利用して、前記処理基板と
前記基板保持板との距離を所定の距離に調節し、その所
定の距離を所定の時間だけ維持させて、前記処理基板を
前記基板保持板からの熱で間接的に、すなわち放射伝熱
及び気相伝導伝熱によって予備加熱することによって、
前記処理基板を片面から直接接触加熱するときに発生す
る表裏面の温度差、また前記処理基板内部と外周部に生
じる温度差を緩和して前記処理基板の変形及び温度の不
均一性を抑制する。
に載置して加熱する前に、ヒータユニット昇降時の前記
基板保持板が上下する機構を利用して、前記処理基板と
前記基板保持板との距離を所定の距離に調節し、その所
定の距離を所定の時間だけ維持させて、前記処理基板を
前記基板保持板からの熱で間接的に、すなわち放射伝熱
及び気相伝導伝熱によって予備加熱することによって、
前記処理基板を片面から直接接触加熱するときに発生す
る表裏面の温度差、また前記処理基板内部と外周部に生
じる温度差を緩和して前記処理基板の変形及び温度の不
均一性を抑制する。
【００１９】本発明の実施の形態を、従来の熱ＣＶＤ
（化学気相堆積）薄膜形成装置を用いた場合を例とし
て、図１によって説明する。この場合の薄膜形成装置
は、処理基板の加熱を基板保持板からの伝熱によって行
うものであり、コールド・ウォール型と呼ばれているも
のである。
（化学気相堆積）薄膜形成装置を用いた場合を例とし
て、図１によって説明する。この場合の薄膜形成装置
は、処理基板の加熱を基板保持板からの伝熱によって行
うものであり、コールド・ウォール型と呼ばれているも
のである。
【００２０】本発明の特徴は、図１の（ａ）に示した状
態を所定時間保持することにある。
態を所定時間保持することにある。
【００２１】図１の（ａ）において、基板処理装置３０
は、処理の対象となる処理基板１を支持する基板支持具
４、基板保持板２と抵抗加熱ヒータ３とを有するヒータ
ユニット２０、処理基板１を装置３０の基板処理室５０
内に搬入するための基板挿入口８、基板挿入口８を開閉
する開閉弁９、ヒータユニット２０を基板処理室５０内
で上昇及び降下させる多段階調整可能な昇降機構１０
（図中、昇降機構自体は図示せず、昇降移動距離範囲の
みを双方向矢印によって示す）、基板処理室５０内を排
気するための排気口７、基板処理室５０内にガスを供給
するガス供給口６、及び、ガスの処理基板１処理面への
供給を均一にするためのガス分散板５を有している。
は、処理の対象となる処理基板１を支持する基板支持具
４、基板保持板２と抵抗加熱ヒータ３とを有するヒータ
ユニット２０、処理基板１を装置３０の基板処理室５０
内に搬入するための基板挿入口８、基板挿入口８を開閉
する開閉弁９、ヒータユニット２０を基板処理室５０内
で上昇及び降下させる多段階調整可能な昇降機構１０
（図中、昇降機構自体は図示せず、昇降移動距離範囲の
みを双方向矢印によって示す）、基板処理室５０内を排
気するための排気口７、基板処理室５０内にガスを供給
するガス供給口６、及び、ガスの処理基板１処理面への
供給を均一にするためのガス分散板５を有している。
【００２２】基板支持具４は石英製のピンで構成され、
基板保持板２はサセプタと総称され、処理基板１を支持
するとともに、抵抗加熱ヒータ３から処理基板１への伝
熱を迅速かつ均一にする役割を果たす。ガス供給口６
は、基板処理室５０内に所望のガス種を所望のガス流
量、ガス比率で供給するためのものであり、そのガスの
処理基板１処理面への供給はガス分散板によって均一化
されている。排気口７は、未反応ガス及び反応過程で生
成したガスを排気するするためのものである。
基板保持板２はサセプタと総称され、処理基板１を支持
するとともに、抵抗加熱ヒータ３から処理基板１への伝
熱を迅速かつ均一にする役割を果たす。ガス供給口６
は、基板処理室５０内に所望のガス種を所望のガス流
量、ガス比率で供給するためのものであり、そのガスの
処理基板１処理面への供給はガス分散板によって均一化
されている。排気口７は、未反応ガス及び反応過程で生
成したガスを排気するするためのものである。
【００２３】この基板処理装置３０は、４００℃以上８
５０℃以下の高温、１０００００Ｐａまでの高圧で、単
一基板毎の処理を可能とする。
５０℃以下の高温、１０００００Ｐａまでの高圧で、単
一基板毎の処理を可能とする。
【００２４】本実施の形態において、図１の（ａ）に示
した状態を実現させるまでの操作は次の通りである。す
なわち、まず、処理基板１は、基板処理室５０と基板挿
入口８を通じて接続された基板搬送室４０（図中、その
位置のみを示す）に設けられた搬送機構により、基板挿
入口８を経て、基板処理室５０内に搬入され、基板保持
板２と空間を隔てて平行になるように基板支持具４上に
置かれる。但し、処理基板１搬入時には、ヒータユニッ
ト２０が図２の（ａ）に示した位置にまで下方向に移動
し、開閉弁９が図２の（ａ）に示した位置にまで下方向
に移動して基板挿入口８が開かれ、処理基板１が基板挿
入口８を通じて基板処理室５０内に搬入される。
した状態を実現させるまでの操作は次の通りである。す
なわち、まず、処理基板１は、基板処理室５０と基板挿
入口８を通じて接続された基板搬送室４０（図中、その
位置のみを示す）に設けられた搬送機構により、基板挿
入口８を経て、基板処理室５０内に搬入され、基板保持
板２と空間を隔てて平行になるように基板支持具４上に
置かれる。但し、処理基板１搬入時には、ヒータユニッ
ト２０が図２の（ａ）に示した位置にまで下方向に移動
し、開閉弁９が図２の（ａ）に示した位置にまで下方向
に移動して基板挿入口８が開かれ、処理基板１が基板挿
入口８を通じて基板処理室５０内に搬入される。
【００２５】次に、基板搬送室４０と基板処理室５０と
を基板処理中に隔離するため、基板挿入口８が開閉弁９
によって閉じられる。
を基板処理中に隔離するため、基板挿入口８が開閉弁９
によって閉じられる。
【００２６】次に、ヒータユニット２０は、処理基板１
と基板保持板２との距離が所定距離となるまで、昇降機
構１０によって上昇した後停止する。これによって、処
理基板１を基板保持板２から所定距離だけ離間させた状
態、すなわち図１の（ａ）に示した状態が実現する。本
発明の特徴は、この状態を所定時間保持することにあ
り、これによって、処理基板１は基板保持板２からの放
射伝熱及び気相伝導伝熱によって予備加熱される。
と基板保持板２との距離が所定距離となるまで、昇降機
構１０によって上昇した後停止する。これによって、処
理基板１を基板保持板２から所定距離だけ離間させた状
態、すなわち図１の（ａ）に示した状態が実現する。本
発明の特徴は、この状態を所定時間保持することにあ
り、これによって、処理基板１は基板保持板２からの放
射伝熱及び気相伝導伝熱によって予備加熱される。
【００２７】この場合の所定距離とは、上記予備加熱終
了時に、基板保持板２からの伝熱により処理基板１に反
りが生じていない程度の距離であり、所定時間とは、処
理基板１の平均温度が、この所定時間経過後、処理基板
１が基板保持板２上に載置されたときに、処理基板１と
基板保持板２との温度差により処理基板１に反りが生じ
ない程度の温度になるまでに要する時間である。上記の
所定距離が短く、例えば１ｍｍであって、予備加熱開始
直後には、処理基板１に反りが生じたとしても、予備加
熱中に処理基板１中の温度不均一性が低下して反りが無
くなり、しかも、処理基板１の平均温度も高くなって、
予備加熱後に処理基板１が基板保持板２上に載置されて
も処理基板１に反りが生じなければ、支障は生じない。
了時に、基板保持板２からの伝熱により処理基板１に反
りが生じていない程度の距離であり、所定時間とは、処
理基板１の平均温度が、この所定時間経過後、処理基板
１が基板保持板２上に載置されたときに、処理基板１と
基板保持板２との温度差により処理基板１に反りが生じ
ない程度の温度になるまでに要する時間である。上記の
所定距離が短く、例えば１ｍｍであって、予備加熱開始
直後には、処理基板１に反りが生じたとしても、予備加
熱中に処理基板１中の温度不均一性が低下して反りが無
くなり、しかも、処理基板１の平均温度も高くなって、
予備加熱後に処理基板１が基板保持板２上に載置されて
も処理基板１に反りが生じなければ、支障は生じない。
【００２８】上記の所定距離と所定時間とは一義的に決
められるものではなく、任意に調節されることは当然で
ある。上記の所定距離を０.５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下
とし、所定時間を１０秒以上、１２０秒以下とすれば、
本発明の効果が著しく現れる。なお、本実施の形態にお
いては、上記の所定距離を３ｍｍ以上、５ｍｍ以下と
し、所定時間を３０秒以上、９０秒以下としている。
められるものではなく、任意に調節されることは当然で
ある。上記の所定距離を０.５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下
とし、所定時間を１０秒以上、１２０秒以下とすれば、
本発明の効果が著しく現れる。なお、本実施の形態にお
いては、上記の所定距離を３ｍｍ以上、５ｍｍ以下と
し、所定時間を３０秒以上、９０秒以下としている。
【００２９】従来技術の場合には、図１の（ａ）に示し
た状態は、ヒータユニット２０上昇の過程において、一
瞬間実現するのみであり、この瞬間においてヒータユニ
ット２０は上昇運動中であり、この状態が短時間といえ
ども保持されることはない。
た状態は、ヒータユニット２０上昇の過程において、一
瞬間実現するのみであり、この瞬間においてヒータユニ
ット２０は上昇運動中であり、この状態が短時間といえ
ども保持されることはない。
【００３０】図１の（ａ）に示した状態を所定時間維持
した後の工程は、従来技術におけるものと変わらない。
すなわち、まず、ヒータユニット２０は、図１の（ａ）
に示した位置から基板処理位置（図１の（ｂ）に示した
位置）にまで、昇降機構１０によって上昇する。ヒータ
ユニット２０上昇の際、基板支持具４上の処理基板１と
基板保持板２との間隔は次第に狭くなり、ヒータユニッ
ト２０が基板処理位置に到達する前に、その間隔が無く
なった時点において、基板支持具４に代わって基板保持
板２が処理基板１を保持し、そのままさらに上昇して、
図１の（ｂ）における位置（基板処理位置）で停止す
る。処理基板１は、抵抗加熱ヒータ３で加熱されて高温
となっている基板保持板２からの直接伝熱によって加熱
される。この際、本実施の形態においては、従来技術の
場合と異なり、処理基板１が十分に予備加熱されている
ので、従来技術において見られた処理基板１の温度不均
一性による変形は見られず、処理基板１は基板保持板２
によって均等に加熱される。
した後の工程は、従来技術におけるものと変わらない。
すなわち、まず、ヒータユニット２０は、図１の（ａ）
に示した位置から基板処理位置（図１の（ｂ）に示した
位置）にまで、昇降機構１０によって上昇する。ヒータ
ユニット２０上昇の際、基板支持具４上の処理基板１と
基板保持板２との間隔は次第に狭くなり、ヒータユニッ
ト２０が基板処理位置に到達する前に、その間隔が無く
なった時点において、基板支持具４に代わって基板保持
板２が処理基板１を保持し、そのままさらに上昇して、
図１の（ｂ）における位置（基板処理位置）で停止す
る。処理基板１は、抵抗加熱ヒータ３で加熱されて高温
となっている基板保持板２からの直接伝熱によって加熱
される。この際、本実施の形態においては、従来技術の
場合と異なり、処理基板１が十分に予備加熱されている
ので、従来技術において見られた処理基板１の温度不均
一性による変形は見られず、処理基板１は基板保持板２
によって均等に加熱される。
【００３１】次に、このような、図１の（ｂ）に示した
状態において、加熱された処理基板１は、上部のガス供
給口６より導入され、ガス分散板５で処理基板１の処理
面に均等になるように拡散されたガスにより処理、すな
わち熱ＣＶＤ処理される。
状態において、加熱された処理基板１は、上部のガス供
給口６より導入され、ガス分散板５で処理基板１の処理
面に均等になるように拡散されたガスにより処理、すな
わち熱ＣＶＤ処理される。
【００３２】上記の基板処理後、ヒータユニット２０
は、従来技術の場合と同様に、搬入位置（図２の（ａ）
に示した位置）にまで降下する。降下の際、基板支持具
４は基板保持板２上の処理基板１を突き上げて再び支持
し、処理基板１と基板保持板２との間に処理基板１の搬
送のための空間を作る。
は、従来技術の場合と同様に、搬入位置（図２の（ａ）
に示した位置）にまで降下する。降下の際、基板支持具
４は基板保持板２上の処理基板１を突き上げて再び支持
し、処理基板１と基板保持板２との間に処理基板１の搬
送のための空間を作る。
【００３３】次に、基板挿入口８が開けられ、処理基板
１は基板挿入口８から基板搬送室４０内の搬送機構によ
り基板搬送室４０へ運び出される。
１は基板挿入口８から基板搬送室４０内の搬送機構によ
り基板搬送室４０へ運び出される。
【００３４】以上に説明したように、本発明の実施によ
り、コールド・ウォール型半導体製造装置の片面加熱方
式で発生する処理基板の変形を抑制し、基板を均一に加
熱することで均一性良く処理することができ、基板処理
の歩留りが向上する効果が得られる。
り、コールド・ウォール型半導体製造装置の片面加熱方
式で発生する処理基板の変形を抑制し、基板を均一に加
熱することで均一性良く処理することができ、基板処理
の歩留りが向上する効果が得られる。
【００３５】以上の説明においては、本発明の実施の形
態を、コールド・ウォール型熱ＣＶＤ薄膜形成装置を用
いた場合を例として説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、基板の酸化処理、窒化処理、不純物
拡散処理、あるいは基板上への薄膜堆積処理等の、基板
を処理する半導体装置の製造方法に適用されることはい
うまでもない。
態を、コールド・ウォール型熱ＣＶＤ薄膜形成装置を用
いた場合を例として説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、基板の酸化処理、窒化処理、不純物
拡散処理、あるいは基板上への薄膜堆積処理等の、基板
を処理する半導体装置の製造方法に適用されることはい
うまでもない。
【００３６】
【発明の効果】本発明を用いることにより、従来技術で
問題となる半導体装置の製造方法における片面加熱方式
で発生する処理基板の変形及び温度の不均一性を抑制
し、均一性良く基板を処理することのできる半導体装置
の製造方法を提供することができる。
問題となる半導体装置の製造方法における片面加熱方式
で発生する処理基板の変形及び温度の不均一性を抑制
し、均一性良く基板を処理することのできる半導体装置
の製造方法を提供することができる。
【００３７】また、装置へ新たに予備加熱機構を設ける
必要がないため、コスト削減及び省スペース化を計るこ
とができる。
必要がないため、コスト削減及び省スペース化を計るこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態を説明する図である。
【図２】従来技術による基板の処理方法を説明する図で
ある。
ある。
１…処理基板、２…基板保持板、３…抵抗加熱ヒータ、
４…基板支持具、５…ガス分散板、６…ガス供給口、７
…排気口、８…基板挿入口、９…開閉弁、１０…昇降機
構、２０…ヒータユニット、３０…基板処理装置、４０
…基板搬送室、５０…基板処理室。
４…基板支持具、５…ガス分散板、６…ガス供給口、７
…排気口、８…基板挿入口、９…開閉弁、１０…昇降機
構、２０…ヒータユニット、３０…基板処理装置、４０
…基板搬送室、５０…基板処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 FA10 GA02 KA23 KA24 LA15 5F045 AA03 AD08 AD09 AD10 AD11 AD12 AE25 BB02 BB11 DP03 EB02 EB13 EF05 EK07 EK23 EK28 EM06 EM10
Claims (3)
- 【請求項１】基板処理室内に設置された基板保持板に基
板を載置し、前記基板保持板からの伝熱によって前記基
板を加熱しつつ、前記基板を処理する半導体装置の製造
方法において、前記基板を前記基板処理室内に搬入後、
前記基板を前記基板保持板から所定距離だけ離間させた
状態で所定時間保持した後に、前記基板を前記基板保持
板に載置して前記基板を処理することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記所定距離が０.５ｍｍ以上、１０ｍｍ
以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】前記所定時間が１０秒以上、１２０秒以下
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001108868A JP2002302771A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001108868A JP2002302771A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002302771A true JP2002302771A (ja) | 2002-10-18 |
Family
ID=18960925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001108868A Pending JP2002302771A (ja) | 2001-04-06 | 2001-04-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002302771A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077863A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ成膜方法 |
| JP2011023522A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| CN109872962A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-06-11 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置 |
-
2001
- 2001-04-06 JP JP2001108868A patent/JP2002302771A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077863A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ成膜方法 |
| JP2011023522A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| CN109872962A (zh) * | 2018-03-26 | 2019-06-11 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置 |
| JP2019169662A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
| KR20190112637A (ko) * | 2018-03-26 | 2019-10-07 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
| KR102206183B1 (ko) * | 2018-03-26 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
| US10978310B2 (en) | 2018-03-26 | 2021-04-13 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium capable of adjusting substrate temperature |
| TWI822734B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-11-21 | 日商國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、程式及基板處理裝置 |
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