JP2002302467A - cis‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチルの分離法 - Google Patents
cis‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチルの分離法Info
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Abstract
ラカルボン酸テトラメチルの異性体混合物から特定の異
性体の分離法を提供する。 【解決手段】 ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐
テトラカルボン酸テトラメチルの三種の異性体−(1
R,1’S,3R,3’S,4S,4’R)体、(1
R,1’R,3R,3’R,4S,4’S)体及び(1
S,1’S,3S,3’S,4R,4’R)体‐の混合
物を分離するに際して、組成比と結晶の溶解開始温度
(Td)および結晶の生長開始温度(Tc)との関係を
示すグラフに基いて、a)Tdと、Tcの範囲内の温度
で種晶を添加すること、b)結晶を析出させる温度(T
m)を、次式、10℃≦(Tc−Tm)≦25℃、の範
囲にて操作すること、およびc)析出時間を30時間以
下とすることを特徴とする異性体の効率的分離法。
Description
S,3R,3’S,4S,4’R)‐ジシクロヘキシル
‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチル
(以下、cis‐DCTM‐xと略記することもあ
る)、(1R,1’R,3R,3’R,4S,4’S)
‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボ
ン酸テトラメチル(以下、cis‐DCTM‐yと略記
することもある)と(1S,1’S,3S,3’S,4
R,4’R)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐
テトラカルボン酸テトラメチル(以下、cis‐DCT
M‐zと略記することもある)との異性体の効率的な分
離法に関する。
熱性に優れたポリイミド樹脂の原料であるテトラカルボ
ン酸ジ無水物の前駆体として有用な化合物である。ベン
ゼン環を水素還元して対応のシクロヘキサン環へ変換す
ることはよく知られており、例えば、syntheti
c communication,25,2079(1
995)、特開平10‐36320号公報、特開平11
‐189568号公報、特開平11‐349535号公
報、特開平10‐204002号公報、特公平8‐30
045号公報などに報告されている。
ルボン酸テトラメチル(BPTMと略記)を水素還元す
ると、生成物には6個の不斉炭素が存在し、従って、2
6個の異性体が可能である。BPTMの水素還元につい
ても、特開平7‐215912号公報、特開平8‐32
5196号公報、特開平8‐325201号公報などに
報告されている。
れておらず、混合物のみについて言及している。この発
明は、多数の異性体混合物から特定の異性体を効率良く
分離することを目的とするものである。
1’S,3R,3’S,4S,4’R)‐ジシクロヘキ
シル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチ
ルおよび(1R,1’R,3R,3’R,4S,4’
S)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカ
ルボン酸テトラメチルと(1S,1’S,3S,3’
S,4R,4’R)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,
4’‐テトラカルボン酸テトラメチルとのラセミ体三種
の混合物を分離するに際して、純品の異性体を用いて予
め作成しておいた組成比と結晶の溶解開始温度(Td)
および結晶の生長開始温度(Tc)との関係を示すグラ
フに基いて、a)異性体混合物のそれぞれの組成比に対
応する結晶の溶解開始温度(Td)と生長開始温度(T
c)の範囲内の温度で種晶を添加すること、b)結晶を
析出させる温度(Tm)を下記式の範囲にて操作するこ
と、式 10℃≦(Tc−Tm)≦25℃ およびc)析出時間を30時間以下とすることを特徴と
する異性体の効率的分離法に関する。
3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチルの各
異性体は、好適にはビフェニル‐3,3’4,4’‐テ
トラカルボン酸テトラメチル(以下、BPTMと略記す
ることもある)を水素還元して得た生成物(DCTM)
を再結晶して、優先的にcis構造の異性体を分離し、
これをさらに優先晶出法により、各異性体を単離するこ
とによって得ることができる。前記のBPTMを水素還
元してDCTMとして、異性体が生成する反応式を次に
示す。
例えば特公昭60‐33379号公報に記載のフタル酸
ジメチルを酸素、パラジウム塩および1,10−フェナ
ントロリンまたはビピリジルの存在下にカップリングさ
せてビフェニル化合物を製造する方法によって容易に合
成することができる。
て、溶媒としてはメタノ−ル、エタノ−ル、ブタノ−
ル、酢酸エチル、テトラヒドロフランなどの通常の有機
溶媒が使用できる。溶媒の使用量はBPTMが十分溶解
する量であれば特定されないが、通常、10gのBPT
Mに対して25〜100mLである。
0重量%担持のRu/C(カ−ボン)、Rh/C、Pd
/C、あるいは、これらのアルミナ担持体、シリカ担持
体などを使用できる。触媒量は10gのBPTMに対し
て0.1〜0.5gで十分である。反応条件としては、
常圧でも進行するが、速度をあげるためには、加圧下に
行う方がよく、2〜100気圧、好ましくは10〜50
気圧で十分である。反応温度は50〜250℃、好まし
くは100〜200℃で行う。反応を完結するために1
〜10時間の反応を行う。反応は水素の吸収が終了する
まで行い、通常、100℃では5時間程度で終了する。
反応方法に限定されないが、水素を連続的に追加供給す
るとよい。
後、溶媒を除去すると粘凋な固体が生成物として残る。
この生成混合物から,cis‐ジシクロヘキシル‐3,
3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチル(cis
‐DCTM)は適当な溶媒中にて再結晶、または、減圧
下に蒸留して、特定留分を集めることで得られる。
ル、エタノ−ル、ブタノ−ル、酢酸エチル、テトラヒド
ロフランなどの通常の有機溶媒が使用できる。その使用
量は、この生成物100g当たり200〜1000mL
である。この際、cis異性体が優先的に析出する。キ
ャピラリ−クロマトグラフィ−(CGC)では、単一ピ
−クを示すが、高速液体クロマトグラフィ−(HPL
C)ではChiralcelODまたはChiralp
ak ASカラムを用いて分析すると3本のピ−クを示
した。そこで、このcis異性体を通常の優先晶出法に
より分割した。
タノ−ル、ブタノ−ル、酢酸エチル、テトラヒドロフラ
ンなどを使用できる。使用量に限定はないが、100g
当たり200〜500mL程度で繰り返し晶析して、純
品の異性体を得ることができる。構造は単結晶を生長さ
せることにより、最終的にはX線解析から決定すること
ができる。
4S,4’R)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’
‐テトラカルボン酸テトラメチル(cis‐DCTM‐
x)の化学式を次に示す。
3’R,4S,4’S)‐ジシクロヘキシル‐3,3’
4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチル(cis‐D
CTM‐y)は、次の化学式で表わすことができる。
3’S,4R,4’R)‐ジシクロヘキシル‐3,3’
4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチル(cis‐D
CTM‐z)は、次の化学式で表わすことができる。
して、予め液体クロマトグラフィ−(組成比は面積比か
ら求める。)によって求めたcis‐DCTM‐xの組
成比とx結晶の溶解開始温度(Td)およびx結晶の生
長開始温度(Tc)との関係を示すグラフを作成してお
き、別途に液クロマトグラフィ−によって求めた異性体
混合物のそれぞれの組成比に対応するx結晶の溶解開始
温度(Td)とx結晶の生長開始温度(Tc)の範囲内
の温度でx種晶を添加する。Tdより高温で種晶を添加
すると種晶が溶液中に拡散してしまい、結晶化させるの
に不利である。Tcより低温で種晶を添加すると、結晶
化した製品の純度が低下する。
m)を下記式の範囲にて操作する。 式:10℃≦(Tc−Tm)≦25℃。 この温度差が10℃より小さいと結晶の析出が遅くな
る。この温度差が25℃より大きいと結晶の純度が低下
する。この際に、c)析出時間を30時間以下、好適に
は10〜30時間とする。10時間より短くても結晶は
析出するが、収量が少ない。30時間より長いと結晶の
純度が低下する。
zの組成比とyz結晶の溶解開始温度(Td)およびy
z結晶の生長開始温度(Tc)との関係を示すグラフを
作成しておき、別途に液クロマトグラフィ−によって求
めた異性体混合物のそれぞれの組成比に対応するyz結
晶の溶解開始温度(Td)とyz結晶の生長開始温度
(Tc)の範囲内の温度で種晶を添加する。次いで、
b)結晶を析出させる温度(Tm)を下記式の範囲にて
操作する。 式:10℃≦(Tc−Tm)≦25℃。 この際に、c)析出時間を30時間以下、好適には10
〜30時間とする。
TM−xおよびcis‐DCTM−yz(ラセミ体)の
それぞれを高純度で、高効率で得ることができる。
明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。以下の実施例において、 高速液体クロマト
グラフィ−は島津SCL−10A、カラム:Chira
pak AS(ダイセル化学工業)0.46cmφ、2
5cm、20℃、EtOH/n−hexane(10/
90)、0.5mL/minにて測定した。
温度の測定 100mLの試験管に純品のx成分およびyz成分を特
定の重量比に調製し(総量6g)、これにTHF12m
Lを添加、一旦均一溶液にして密栓した。温度調節器付
きバス中に、この試験管を装入して、種晶xを加えて、
その種晶xの溶解開始温度および種晶xの生長開始温度
を目視にて測定した。この結果から求めたcis‐DC
TM‐xの割合(重量%)と溶解開始温度(Td)およ
び結晶の生長開始温度(Tc)との関係を示すグラフを
図1(x成分基準)に示した。同様にして、種晶yzを
加えて、その種晶yzの溶解開始温度および種晶yzの
生長開始温度を目視にてを測定した。この結果から求め
たcis‐DCTM‐yzの割合(重量%)と溶解開始
温度(Td)および結晶の生長開始温度(Tc)との関
係を示すグラフをを図2(yz成分基準)に示した。
M、2.5gの5%Rh/C、およびテトラヒドロフラ
ン200mLを仕込み、水素30kg/cm2の定圧下
に100℃で、300rpmにて5.5時間、加熱した
(約5時間で水素の吸収が終了)。反応液をNo5cの
ろ紙を用いて濾過した後、テトラヒドロフランを留去し
て101.8g(収率99%)の粘凋な生成物を得た。
これを400mLのメタノ−ルに溶解させて晶析させ
て、72gのcis‐DCTMを得た。高速液体クロマ
トグラフィ−の分析より、cis‐DCTM(x/y/
z)=(50/25/25)であった。4バッチ同様な
操作を行い、cis‐DCTM結晶を単離した。
晶(cis‐DCTM−x/yz=50/50)を採取
し、テトラヒドロフラン400mLに溶解させた。溶液
を28℃にした後、微量の種晶xを上記溶液に添加し、
これを10℃にて20時間静置、保持した。29.2g
の結晶(A)を分離し、そのx成分の比率は97.3%
であった。濾液(L)の異性体組成はx/yz=45/
55であった。Aをさらにテトラヒドロフラン58mL
に溶解させて、48℃にて種晶xを添加して25℃にて
20時間静置、保持した。18.8gの結晶(B)を分
離し、そのx成分の比率は100%であった。
g/362mL)まで蒸発して、溶液を25℃にした
後、微量の種晶yzを上記溶液に添加し、これを5℃に
て20時間静置、保持した。22.8gの結晶(M)を
分離し、そのyz成分の比率は96.0%であった。M
をさらに、テトラヒドロフラン46mLに溶解させて、
40℃にて種晶yzを添加して18℃にて20時間静
置、保持した。14.0gの結晶(N)を分離し、その
yz成分の比率は100%であった。
M結晶(cis‐DCTM−x/yz=50/50)を
200g採取し、テトラヒドロフラン400mLに溶解
させた。溶液を28℃にした後、微量の種晶xを上記溶
液に添加し、これを5℃にて20時間静置、保持した。
37.3gの結晶(A)を分離し、そのx成分の比率は
96.3%であった。濾液(L)の異性体組成はx/y
z=39/61であった。Aをさらにテトラヒドロフラ
ン75mLに溶解させて、47℃にて種晶xを添加して
27℃にて20時間静置、保持した。23.3gの結晶
(B)を分離し、そのx成分の比率は100%であっ
た。
g/324mL)まで蒸発して、溶液を30℃にした
後、微量の種晶yzを上記溶液に添加し、これを3℃に
て20時間静置、保持した。31.6gの結晶(M)を
分離し、そのyz成分の比率は97.5%であった。M
をさらに、テトラヒドロフラン63mLに溶解させて、
40℃にて種晶yzを添加して17℃にて20時間静
置、保持した。20.4gの結晶(N)を分離し、その
yz成分の比率は100%であった。
の原料であるテトラカルボン酸ジ無水物の前駆体として
有用な(1R,1’S,3R,3’S,4S,4’R)
‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボ
ン酸テトラメチル(cis‐DCTM‐x)の高純度品
および、(1R,1’R,3R,3’R,4S,4’
S)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカ
ルボン酸テトラメチル(cis‐DCTM‐y)と(1
S,1’S,3S,3’S,4R,4’R)‐ジシクロ
ヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラ
メチル(cis‐DCTM‐z)とのラセミ体の高純度
品を分離取得することができる。
%)と溶解開始温度(Td)および結晶の生長開始温度
(Tc)との関係を示すグラフである。
DCTM‐zの割合(重量%)と溶解開始温度(Td)
および結晶の生長開始温度(Tc)との関係を示すグラ
フである。
Claims (1)
- 【請求項1】(1R,1’S,3R,3’S,4S,
4’R)‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テト
ラカルボン酸テトラメチルおよび(1R,1’R,3
R,3’R,4S,4’S)‐ジシクロヘキシル‐3,
3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチルと(1
S,1’S,3S,3’S,4R,4’R)‐ジシクロ
ヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラ
メチルとのラセミ体三種の混合物を分離するに際して、
純品の異性体を用いて予め作成しておいた組成比と結晶
の溶解開始温度(Td)および結晶の生長開始温度(T
c)との関係を示すグラフに基いて、a)異性体混合物
のそれぞれの組成比に対応する結晶の溶解開始温度(T
d)と生長開始温度(Tc)の範囲内の温度で種晶を添
加すること、b)結晶を析出させる温度(Tm)を下記
式の範囲にて操作すること、式 10℃≦(Tc−Tm)≦25℃ およびc)析出時間を30時間以下とすることを特徴と
する異性体の効率的分離法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001104643A JP4604380B2 (ja) | 2001-04-03 | 2001-04-03 | cis‐ジシクロヘキシル‐3,3’4,4’‐テトラカルボン酸テトラメチルの分離法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106279085A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-01-04 | 万华化学集团股份有限公司 | 一种混合异构双醚四甲酸二酐的制备方法 |
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-
2001
- 2001-04-03 JP JP2001104643A patent/JP4604380B2/ja not_active Expired - Fee Related
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