JP2002299816A - 多層回路板 - Google Patents
多層回路板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、高速信号の反射を低減して電磁波妨害
を減らすことが可能な満足の行く多層回路板が提供され
ていなかった。 【解決手段】 第１、第２、第３、第４および第５の絶
縁基板と、第１、第２、第３および第４の信号線層と、
接地線層と、電源線層とが互いに圧接により厚さが約
１．０ｍの回路板が形成され、前記第１の信号線層は前
記接地線層に対して第１の抵抗値を有し、前記第２の信
号線層は前記接地線層と前記電源線層に対して第２の抵
抗値を有し、前記第３信号線層は前記接地線層と前記電
源線層に対して第３の抵抗値を有し、前記第４の信号線
層は前記電源線層に対して第４の抵抗値を有し、前記絶
縁基板は最適の範囲内に納まることによって、前記第
１、第２、第３および第４の抵抗値は４９．５〜６０．
５Ωにするように構成される。
を減らすことが可能な満足の行く多層回路板が提供され
ていなかった。 【解決手段】 第１、第２、第３、第４および第５の絶
縁基板と、第１、第２、第３および第４の信号線層と、
接地線層と、電源線層とが互いに圧接により厚さが約
１．０ｍの回路板が形成され、前記第１の信号線層は前
記接地線層に対して第１の抵抗値を有し、前記第２の信
号線層は前記接地線層と前記電源線層に対して第２の抵
抗値を有し、前記第３信号線層は前記接地線層と前記電
源線層に対して第３の抵抗値を有し、前記第４の信号線
層は前記電源線層に対して第４の抵抗値を有し、前記絶
縁基板は最適の範囲内に納まることによって、前記第
１、第２、第３および第４の抵抗値は４９．５〜６０．
５Ωにするように構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層回路板に関し、
特に、インピーダンス整合により高速信号反射を低減し
て電磁波妨害を減少することができる多層回路板に関す
る。
特に、インピーダンス整合により高速信号反射を低減し
て電磁波妨害を減少することができる多層回路板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図７に従来の厚さ約１．０ｍｍの多層回
路板の例を示す。図７に示されるように、従来例の１．
０ｍｍの多層回路板は、それぞれ相互に積み重ねた第
１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第１の絶縁基板Ａ１
における前記第２の絶縁基板Ａ２と対面する面に設けら
れた第１の信号線層Ｓ１と、前記第１および前記第２の
絶縁基板Ａ１およびＡ２の間に設けられた接地線層（Ｇ
ＮＤ）と、前記第２および前記第３の絶縁基板Ａ２およ
びＡ３の間に設けられた第２の信号線層Ｓ２と、前記第
３および前記第４の絶縁基板Ａ３およびＡ４の間に設け
られた第３の信号線層Ｓ３と、前記第４および前記第５
の絶縁基板Ａ４およびＡ５の間に設けられた電源線層Ｐ
ＷＲと、前記第５の絶縁基板Ａ５における前記第４の絶
縁基板Ａ４と対面する面に設けられた第４の信号線層Ｓ
４とからなる。
路板の例を示す。図７に示されるように、従来例の１．
０ｍｍの多層回路板は、それぞれ相互に積み重ねた第
１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第１の絶縁基板Ａ１
における前記第２の絶縁基板Ａ２と対面する面に設けら
れた第１の信号線層Ｓ１と、前記第１および前記第２の
絶縁基板Ａ１およびＡ２の間に設けられた接地線層（Ｇ
ＮＤ）と、前記第２および前記第３の絶縁基板Ａ２およ
びＡ３の間に設けられた第２の信号線層Ｓ２と、前記第
３および前記第４の絶縁基板Ａ３およびＡ４の間に設け
られた第３の信号線層Ｓ３と、前記第４および前記第５
の絶縁基板Ａ４およびＡ５の間に設けられた電源線層Ｐ
ＷＲと、前記第５の絶縁基板Ａ５における前記第４の絶
縁基板Ａ４と対面する面に設けられた第４の信号線層Ｓ
４とからなる。
【０００３】前記第１、第２、第３、第４および第５の
絶縁基板Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第
１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３
およびＳ４と、接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲと
は互いにプレスボンドにより厚さが約１．０ｍｍの回路
板として構成されている。第１および第４の信号線層Ｓ
１およびＳ４は電気素子（図示しない）が実装される。
第１、第３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ３およびＡ５
はそれぞれ厚さが約２．８ｍｉｌである。第２および第
４の絶縁基板Ａ２およびＡ４はそれぞれ厚さが約１４ｍ
ｉｌである。第１、第３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ
３およびＡ５はそれぞれポリエステルプレプレッグから
作られる。ここで、ｍｉｌは、膜厚等の厚さの単位であ
り、１ｍｉｌ（ミル）は、１０００分の１インチ（２
５．４μｍ）である。
絶縁基板Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第
１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３
およびＳ４と、接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲと
は互いにプレスボンドにより厚さが約１．０ｍｍの回路
板として構成されている。第１および第４の信号線層Ｓ
１およびＳ４は電気素子（図示しない）が実装される。
第１、第３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ３およびＡ５
はそれぞれ厚さが約２．８ｍｉｌである。第２および第
４の絶縁基板Ａ２およびＡ４はそれぞれ厚さが約１４ｍ
ｉｌである。第１、第３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ
３およびＡ５はそれぞれポリエステルプレプレッグから
作られる。ここで、ｍｉｌは、膜厚等の厚さの単位であ
り、１ｍｉｌ（ミル）は、１０００分の１インチ（２
５．４μｍ）である。
【０００４】第２および第４の絶縁基板Ａ２およびＡ４
はそれぞれ紙またはガラス繊維を含む繊維質芯材からな
る。上記構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前記
接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、前
記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層
ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記
第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層Ｐ
ＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第
４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗
値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１
およびＲｓ４は約４２Ωである。第２および第３の抵抗
Ｒｓ２およびＲｓ３は約６４Ωである。
はそれぞれ紙またはガラス繊維を含む繊維質芯材からな
る。上記構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前記
接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、前
記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層
ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記
第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層Ｐ
ＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第
４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗
値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１
およびＲｓ４は約４２Ωである。第２および第３の抵抗
Ｒｓ２およびＲｓ３は約６４Ωである。
【０００５】図８に、他の従来の厚さ約１．２ｍｍの多
層回路板例を示す。この例の１．２ｍｍの多層回路板
は、第１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ｂ
１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４およびＢ５と、第１、第２、第３
および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、
接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプ
レスボンドにより約１．２ｍｍ厚の回路板を構成してい
る。
層回路板例を示す。この例の１．２ｍｍの多層回路板
は、第１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ｂ
１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４およびＢ５と、第１、第２、第３
および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、
接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプ
レスボンドにより約１．２ｍｍ厚の回路板を構成してい
る。
【０００６】第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４
には電気素子１０が実装される。前記した図７の例と違
って、第３の絶縁基板Ｂ３は約８ｍｉｌ厚である。第２
および第４の絶縁基板Ｂ２およびＢ４はそれぞれ厚さが
約６ｍｉｌである。第１および第５の絶縁基板Ｂ１およ
びＢ５はそれぞれ約８ｍｉｌ厚である。上記の構成にお
いて、前記第１の信号線層Ｓ１は前記接地線層ＧＮＤに
対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有している。前記第２の信
号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対
して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記第３の信号
線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対し
て第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第４の信号線
層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４を
有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およびＲｓ
４は約７１Ωであり、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２お
よびＲｓ３は約４６Ωである。
には電気素子１０が実装される。前記した図７の例と違
って、第３の絶縁基板Ｂ３は約８ｍｉｌ厚である。第２
および第４の絶縁基板Ｂ２およびＢ４はそれぞれ厚さが
約６ｍｉｌである。第１および第５の絶縁基板Ｂ１およ
びＢ５はそれぞれ約８ｍｉｌ厚である。上記の構成にお
いて、前記第１の信号線層Ｓ１は前記接地線層ＧＮＤに
対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有している。前記第２の信
号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対
して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記第３の信号
線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対し
て第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第４の信号線
層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４を
有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およびＲｓ
４は約７１Ωであり、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２お
よびＲｓ３は約４６Ωである。
【０００７】図９に、さらに他の従来の厚さ約１．６ｍ
ｍの多層回路板例を示す。この例の１．６ｍｍの多層回
路板は、第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５と、第１、第２、第３と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、接地線層ＧＮ
Ｄと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプレスボンドに
より約１．６ｍｍ厚の回路板を構成している。
ｍの多層回路板例を示す。この例の１．６ｍｍの多層回
路板は、第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５と、第１、第２、第３と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、接地線層ＧＮ
Ｄと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプレスボンドに
より約１．６ｍｍ厚の回路板を構成している。
【０００８】第１および第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４には
電気素子（図示しない）が実装される。前記図７および
図８の例と違って、第３の絶縁基板Ｃ３は約５．７ｍｉ
ｌ厚である。第２および第４の絶縁基板Ｃ２およびＣ４
はそれぞれ厚さが約１６ｍｉｌである。第１および第５
の絶縁基板Ｃ１およびＣ５はそれぞれ約１０ｍｉｌ厚で
ある。上記の構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は
前記接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し
ている。前記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよ
び電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有して
いる。前記第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび
電源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有してい
る。前記第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して
第４の抵抗値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵
抗値Ｒｓ１およびＲｓ４は約７８Ωであり、第２と第３
の抵抗値Ｒｓ２、Ｒｓ３は約６９Ωである。
電気素子（図示しない）が実装される。前記図７および
図８の例と違って、第３の絶縁基板Ｃ３は約５．７ｍｉ
ｌ厚である。第２および第４の絶縁基板Ｃ２およびＣ４
はそれぞれ厚さが約１６ｍｉｌである。第１および第５
の絶縁基板Ｃ１およびＣ５はそれぞれ約１０ｍｉｌ厚で
ある。上記の構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は
前記接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し
ている。前記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよ
び電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有して
いる。前記第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび
電源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有してい
る。前記第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して
第４の抵抗値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵
抗値Ｒｓ１およびＲｓ４は約７８Ωであり、第２と第３
の抵抗値Ｒｓ２、Ｒｓ３は約６９Ωである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の回路板
によれば、配線層および絶縁基板を通して電気接続をす
ることから、下記の幾つかの欠点がある。 （１）高速信号伝送による反射が大きい：インテルによ
って定められた標準理論値によれば、回路板における隣
接した配線層間の抵抗は高速信号伝送の際好ましくは５
５±１０％Ωの範囲内、例えば、４９．５Ωと６０．５
Ωとの間である。しかしながら、上記した従来の回路板
の抵抗はインテルが推奨する理想の範囲から外れてい
る。その上、第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およびＲｓ
４と第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およびＲｓ３とは大
きく違っている。このような大きな違いはインピーダン
スの不整合をもたらす。このように、高速信号が従来の
回路板を通じて伝送され、第１の信号線層Ｓ１または第
４の信号線層Ｓ４から第２の信号線層Ｓ２または第３の
信号線層Ｓ３へ送信される際、結果として信号反射が生
じる。高速信号の反射指数は次式で求められる。
によれば、配線層および絶縁基板を通して電気接続をす
ることから、下記の幾つかの欠点がある。 （１）高速信号伝送による反射が大きい：インテルによ
って定められた標準理論値によれば、回路板における隣
接した配線層間の抵抗は高速信号伝送の際好ましくは５
５±１０％Ωの範囲内、例えば、４９．５Ωと６０．５
Ωとの間である。しかしながら、上記した従来の回路板
の抵抗はインテルが推奨する理想の範囲から外れてい
る。その上、第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およびＲｓ
４と第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およびＲｓ３とは大
きく違っている。このような大きな違いはインピーダン
スの不整合をもたらす。このように、高速信号が従来の
回路板を通じて伝送され、第１の信号線層Ｓ１または第
４の信号線層Ｓ４から第２の信号線層Ｓ２または第３の
信号線層Ｓ３へ送信される際、結果として信号反射が生
じる。高速信号の反射指数は次式で求められる。
【００１０】
【数１】
【００１１】図７、図８および図９の回路板における反
射指数はそれぞれ０．２０８、０．２１および０．０６
１である。反射が大きければ、波形も大きく歪み、信号
の質は低下する。前記の観点により、従来の多層回路板
は高速信号伝送に適さない。 （２）磁束の消磁力が弱められる：高速信号の反射によ
り定常波を起こすので、高速信号の電磁波の発生を増
し、回路板の磁束の消磁力が弱くなるため、著しく電磁
波妨害をもたらす。
射指数はそれぞれ０．２０８、０．２１および０．０６
１である。反射が大きければ、波形も大きく歪み、信号
の質は低下する。前記の観点により、従来の多層回路板
は高速信号伝送に適さない。 （２）磁束の消磁力が弱められる：高速信号の反射によ
り定常波を起こすので、高速信号の電磁波の発生を増
し、回路板の磁束の消磁力が弱くなるため、著しく電磁
波妨害をもたらす。
【００１２】従って、本発明の目的は、インピーダンス
整合にすることによって高速信号の反射を低減し、且
つ、電磁波妨害を減らすことができる多層回路板を提供
することにある。
整合にすることによって高速信号の反射を低減し、且
つ、電磁波妨害を減らすことができる多層回路板を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、それぞ
れ順に重ねられた第１、第２、第３、第４および第５の
絶縁基板と、前記第１の絶縁基板における前記第２の絶
縁基板と対面する面に設けられた第１の信号線層と、前
記第１および前記第２の絶縁基板の間に設けられた接地
線層と、前記第２および前記第３の絶縁基板の間に設け
られた第２の信号線層と、前記第３および前記第４の絶
縁基板の間に設けられた第３の信号線層と、前記第４お
よび前記第５の絶縁基板の間に設けられた電源線層と、
前記第５の絶縁基板における前記第４の絶縁基板と対面
する面に設けられた第４の信号線層と、を有する回路板
であって、前記第１、第２、第３、第４および第５の絶
縁基板と、前記第１、第２、第３および第４の信号線層
と、前記接地線層と、前記電源線層とは、互いに圧接に
より厚さが約１．６ｍｍの回路板が形成され、前記第１
および前記第５の絶縁基板はそれぞれ厚さが５．７±
０．２８５ｍｉｌであり、前記第２および前記第４の絶
縁基板は、それぞれ厚さが８±０．４ｍｉｌであり、前
記第３の絶縁基板は厚さが２４．６±１．２３ｍｉｌで
あり、前記第１の信号線層は前記接地線層に対して第１
の抵抗値を有し、前記第２の信号線層は前記接地線層と
前記電源線層に対して第２の抵抗値を有し、前記第３信
号線層は前記接地線層と前記電源線層に対して第３の抵
抗値を有し、前記第４の信号線層は前記電源線層に対し
て第４の抵抗値を有し、前記第１、第２、第３および第
４の抵抗値を４９．５〜６０．５Ωにすることを特徴と
する多層回路板が提供される。
れ順に重ねられた第１、第２、第３、第４および第５の
絶縁基板と、前記第１の絶縁基板における前記第２の絶
縁基板と対面する面に設けられた第１の信号線層と、前
記第１および前記第２の絶縁基板の間に設けられた接地
線層と、前記第２および前記第３の絶縁基板の間に設け
られた第２の信号線層と、前記第３および前記第４の絶
縁基板の間に設けられた第３の信号線層と、前記第４お
よび前記第５の絶縁基板の間に設けられた電源線層と、
前記第５の絶縁基板における前記第４の絶縁基板と対面
する面に設けられた第４の信号線層と、を有する回路板
であって、前記第１、第２、第３、第４および第５の絶
縁基板と、前記第１、第２、第３および第４の信号線層
と、前記接地線層と、前記電源線層とは、互いに圧接に
より厚さが約１．６ｍｍの回路板が形成され、前記第１
および前記第５の絶縁基板はそれぞれ厚さが５．７±
０．２８５ｍｉｌであり、前記第２および前記第４の絶
縁基板は、それぞれ厚さが８±０．４ｍｉｌであり、前
記第３の絶縁基板は厚さが２４．６±１．２３ｍｉｌで
あり、前記第１の信号線層は前記接地線層に対して第１
の抵抗値を有し、前記第２の信号線層は前記接地線層と
前記電源線層に対して第２の抵抗値を有し、前記第３信
号線層は前記接地線層と前記電源線層に対して第３の抵
抗値を有し、前記第４の信号線層は前記電源線層に対し
て第４の抵抗値を有し、前記第１、第２、第３および第
４の抵抗値を４９．５〜６０．５Ωにすることを特徴と
する多層回路板が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の他の特徴や、長所は、次
の好ましい実施例の図示に基づいた詳細な説明により明
らかとなろう。図１は、本発明に係る第１実施例の多層
回路板を示す。該第１実施例の多層回路板はそれぞれ順
に重ねられる第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５と、第１の絶縁基板Ｄ１
における第２の絶縁基板Ｄ２と対面する面に配置される
第１の信号線層Ｓ１と、第１と第２の絶縁基板Ｄ１、Ｄ
２の間に設けられる接地線層ＧＮＤと、第２と第３の絶
縁基板Ｄ２、Ｄ３の間に設けられる第２の信号線層Ｓ２
と、第３と第４の絶縁基板Ｄ３、Ｄ４の間に設けられる
第３の信号線層Ｓ３と、第４と第５の絶縁基板Ｄ４、Ｄ
５の間に配置される電源線層ＰＷＲと、第５の絶縁基板
Ｄ５における第４の絶縁基板Ｄ４と対面する面に設けら
れる第４の信号線層Ｓ４と、をそなえてなる。第１と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は電気素子（図示しない）が実
装される。
の好ましい実施例の図示に基づいた詳細な説明により明
らかとなろう。図１は、本発明に係る第１実施例の多層
回路板を示す。該第１実施例の多層回路板はそれぞれ順
に重ねられる第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５と、第１の絶縁基板Ｄ１
における第２の絶縁基板Ｄ２と対面する面に配置される
第１の信号線層Ｓ１と、第１と第２の絶縁基板Ｄ１、Ｄ
２の間に設けられる接地線層ＧＮＤと、第２と第３の絶
縁基板Ｄ２、Ｄ３の間に設けられる第２の信号線層Ｓ２
と、第３と第４の絶縁基板Ｄ３、Ｄ４の間に設けられる
第３の信号線層Ｓ３と、第４と第５の絶縁基板Ｄ４、Ｄ
５の間に配置される電源線層ＰＷＲと、第５の絶縁基板
Ｄ５における第４の絶縁基板Ｄ４と対面する面に設けら
れる第４の信号線層Ｓ４と、をそなえてなる。第１と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は電気素子（図示しない）が実
装される。
【００１５】この実施例において、第１、第２、第３、
第４と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５
と、第１、第２、第３と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとは、
互いに圧接により厚さ約１．０ｍｍの回路板が形成され
る。回路板は圧接により第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ
３は第３の絶縁基板Ｄ３を挟むことになる。接地線層Ｇ
ＮＤと第２の信号線層Ｓ２および第３信号線層Ｓ３と電
源線層ＰＷＲはそれぞれ第２と第４絶縁基板Ｄ２、Ｄ４
を挟むことになる。また、第１と第４の信号線層Ｓ１、
Ｓ４は上記サンドイッチ構造を両側から挟んでいる。
第４と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５
と、第１、第２、第３と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとは、
互いに圧接により厚さ約１．０ｍｍの回路板が形成され
る。回路板は圧接により第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ
３は第３の絶縁基板Ｄ３を挟むことになる。接地線層Ｇ
ＮＤと第２の信号線層Ｓ２および第３信号線層Ｓ３と電
源線層ＰＷＲはそれぞれ第２と第４絶縁基板Ｄ２、Ｄ４
を挟むことになる。また、第１と第４の信号線層Ｓ１、
Ｓ４は上記サンドイッチ構造を両側から挟んでいる。
【００１６】第１実施例によれば、第１と第５の絶縁基
板Ｄ１、Ｄ５はそれぞれ厚さが５．２２５〜５．７７５
ｍｉｌ間にある。第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４はそ
れぞれ厚さが７．６〜８．４ｍｉｌ間にある。第３の絶
縁基板Ｄ３は厚さが３．８〜４．２ｍｉｌ間にある。第
１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗
値Ｒｓ１を有し、第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤ
と電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２をもつ。
第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源線層ＰＷＲ
に対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有し、第４の信号線層Ｓ
４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４をも
つ。
板Ｄ１、Ｄ５はそれぞれ厚さが５．２２５〜５．７７５
ｍｉｌ間にある。第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４はそ
れぞれ厚さが７．６〜８．４ｍｉｌ間にある。第３の絶
縁基板Ｄ３は厚さが３．８〜４．２ｍｉｌ間にある。第
１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗
値Ｒｓ１を有し、第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤ
と電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２をもつ。
第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源線層ＰＷＲ
に対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有し、第４の信号線層Ｓ
４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４をも
つ。
【００１７】前記絶縁基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４とＤ
５の厚みは前記範囲内に納めることにより、前記第１、
第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒ
ｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にすることができる。第
１、第３と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５は少なくと
も一つがポリエステルプレプレッグからなる。第２およ
び第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は少なくとも一つが紙繊維
またはガラス繊維を含む繊維質心材からなる。第１実施
例において、第１と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さは
等しく、第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は等しい。第
１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は厚さが約０．７ｍｉｌ
であり、第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３、接地線層Ｇ
ＮＤ、電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが１．４ｍｉｌで
ある。また、第１、第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ１、
Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４は等しくするのが望ましい。
５の厚みは前記範囲内に納めることにより、前記第１、
第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒ
ｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にすることができる。第
１、第３と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５は少なくと
も一つがポリエステルプレプレッグからなる。第２およ
び第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は少なくとも一つが紙繊維
またはガラス繊維を含む繊維質心材からなる。第１実施
例において、第１と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さは
等しく、第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は等しい。第
１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は厚さが約０．７ｍｉｌ
であり、第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３、接地線層Ｇ
ＮＤ、電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが１．４ｍｉｌで
ある。また、第１、第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ１、
Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４は等しくするのが望ましい。
【００１８】第１と第４の抵抗値は下記の式（１）から
算出される。
算出される。
【００１９】
【数２】
【００２０】ここで、ＥRは絶縁基板の誘電係数で、
４．５であり、Ｈ３は第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５
の厚さであり、Ｗは第１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の
トレースにおける幅で、６ｍｉｌであり、Ｔ１は第１、
第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の厚さで、０．７ｍｉｌであ
る。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およびＲｓ
３は下記の式（２）〜（４）より得ることができる。
４．５であり、Ｈ３は第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５
の厚さであり、Ｗは第１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の
トレースにおける幅で、６ｍｉｌであり、Ｔ１は第１、
第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の厚さで、０．７ｍｉｌであ
る。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およびＲｓ
３は下記の式（２）〜（４）より得ることができる。
【００２１】
【数３】
【００２２】ここで、ＥRは誘電係数で、４．５であ
り、Ｈ２は第２、第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４の厚さであ
り、Ｈ１は第３の絶縁基板Ｄ３の厚さであり、Ｔ２は第
２、第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３の厚さで、１．４ｍｉｌ
であり、Ｗは第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３のトレー
スにおける幅で、６ｍｉｌである。
り、Ｈ２は第２、第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４の厚さであ
り、Ｈ１は第３の絶縁基板Ｄ３の厚さであり、Ｔ２は第
２、第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３の厚さで、１．４ｍｉｌ
であり、Ｗは第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３のトレー
スにおける幅で、６ｍｉｌである。
【００２３】
【数４】
【００２４】なお、回路板の厚さは全部で約１．０ｍｍ
（約３９ｍｉｌ）またはその誤差範囲にする必要があ
る。式（５）により手探り計算を続けてＨ１、Ｈ２およ
びＨ３の最適の値が得られる。第３の絶縁基板Ｄ３の厚
さのＨ１は前記好ましい範囲の３．８〜４．２ｍｉｌ内
にあり、好ましくは４ｍｉｌである。第２、第４の絶縁
基板Ｄ２、Ｄ４の厚さのＨ２は前記好ましい範囲の７．
６〜８．４ｍｉｌ内にあり、好ましくは８ｍｉｌであ
る。第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さのＨ３は前
記好ましい範囲の５．２２５〜５．７７５ｍｉｌ内にあ
り、好ましくは５．５ｍｉｌである。このようにして、
第１の抵抗値Ｒｓ１は第４の抵抗値Ｒｓ４と等しく、４
８Ωである。第２の抵抗値Ｒｓ２は第３の抵抗値Ｒｓ３
に等しく、４８Ωである。この実施例の回路板の全体の
厚さは、
（約３９ｍｉｌ）またはその誤差範囲にする必要があ
る。式（５）により手探り計算を続けてＨ１、Ｈ２およ
びＨ３の最適の値が得られる。第３の絶縁基板Ｄ３の厚
さのＨ１は前記好ましい範囲の３．８〜４．２ｍｉｌ内
にあり、好ましくは４ｍｉｌである。第２、第４の絶縁
基板Ｄ２、Ｄ４の厚さのＨ２は前記好ましい範囲の７．
６〜８．４ｍｉｌ内にあり、好ましくは８ｍｉｌであ
る。第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さのＨ３は前
記好ましい範囲の５．２２５〜５．７７５ｍｉｌ内にあ
り、好ましくは５．５ｍｉｌである。このようにして、
第１の抵抗値Ｒｓ１は第４の抵抗値Ｒｓ４と等しく、４
８Ωである。第２の抵抗値Ｒｓ２は第３の抵抗値Ｒｓ３
に等しく、４８Ωである。この実施例の回路板の全体の
厚さは、
【００２５】
【数５】
【００２６】図２〜図４において、本発明の第２実施例
における多層回路板は、第１、第２、第３、第４および
第５の絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４およびＥ５と、
第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲは
同様に圧接して厚さ約１．２ｍｍの回路板が形成され
る。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気素
子３０が実装される。
における多層回路板は、第１、第２、第３、第４および
第５の絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４およびＥ５と、
第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲは
同様に圧接して厚さ約１．２ｍｍの回路板が形成され
る。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気素
子３０が実装される。
【００２７】第２実施例において、第１および第５の絶
縁基板Ｅ１およびＥ５はそれぞれ厚さが４．１７５〜
４．７２５ｍｉｌ間にある。第２および第４の絶縁基板
Ｅ２およびＥ４はそれぞれ厚さが５．７〜６．３ｍｉｌ
間にある。第３の絶縁基板Ｅ３は厚さが１５．２〜１
６．８ｍｉｌ間にある。第１の信号線層Ｓ１は接地線層
ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、第２の信号
線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対し
て第２の抵抗値Ｒｓ２を有し、第３の信号線層Ｓ３は接
地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗
値Ｒｓ３を有し、第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲ
に対して第４の抵抗値Ｒｓ４を有する。前記絶縁基板Ｅ
１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４およびＥ５の厚みは前記範囲内に
納めることにより、前記第１、第２、第３および第４の
抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は４９．５
〜６０．５Ω内にすることができる。第２実施例におい
て、第１および第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さは
等しく、４．５ｍｉｌであり、第２および第４の絶縁基
板Ｅ２およびＥ４は等しく、６ｍｉｌであり、第３の絶
縁基板Ｅ３は１６ｍｉｌである。第１および第４の信号
線層Ｓ１およびＳ４は厚さが約０．７ｍｉｌであり、第
２および第３の信号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮ
Ｄおよび電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが１．４ｍｉｌ
である。また、第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒ
ｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望
ましい。
縁基板Ｅ１およびＥ５はそれぞれ厚さが４．１７５〜
４．７２５ｍｉｌ間にある。第２および第４の絶縁基板
Ｅ２およびＥ４はそれぞれ厚さが５．７〜６．３ｍｉｌ
間にある。第３の絶縁基板Ｅ３は厚さが１５．２〜１
６．８ｍｉｌ間にある。第１の信号線層Ｓ１は接地線層
ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、第２の信号
線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対し
て第２の抵抗値Ｒｓ２を有し、第３の信号線層Ｓ３は接
地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗
値Ｒｓ３を有し、第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲ
に対して第４の抵抗値Ｒｓ４を有する。前記絶縁基板Ｅ
１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４およびＥ５の厚みは前記範囲内に
納めることにより、前記第１、第２、第３および第４の
抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は４９．５
〜６０．５Ω内にすることができる。第２実施例におい
て、第１および第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さは
等しく、４．５ｍｉｌであり、第２および第４の絶縁基
板Ｅ２およびＥ４は等しく、６ｍｉｌであり、第３の絶
縁基板Ｅ３は１６ｍｉｌである。第１および第４の信号
線層Ｓ１およびＳ４は厚さが約０．７ｍｉｌであり、第
２および第３の信号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮ
Ｄおよび電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが１．４ｍｉｌ
である。また、第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒ
ｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望
ましい。
【００２８】隣接の厚さを有する第１〜第５の絶縁基板
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５のＲｓ１およびＲｓ４の
値は下記の式（Ｉ）から算出される。
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５のＲｓ１およびＲｓ４の
値は下記の式（Ｉ）から算出される。
【００２９】
【数６】
【００３０】ここで、図３に示すように、ＥRは絶縁基
板の誘電係数で、４．５であり、Ｈは誘電厚みで、例え
ば、第１および第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さで
あり、Ｗは信号線層のトレースにおける幅で、６ｍｉｌ
であり、そして、Ｔは信号線層の厚さで、１．４ｍｉｌ
である。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２および
Ｒｓ３は下記の式（ＩＩ）より得ることができる。
板の誘電係数で、４．５であり、Ｈは誘電厚みで、例え
ば、第１および第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さで
あり、Ｗは信号線層のトレースにおける幅で、６ｍｉｌ
であり、そして、Ｔは信号線層の厚さで、１．４ｍｉｌ
である。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２および
Ｒｓ３は下記の式（ＩＩ）より得ることができる。
【００３１】
【数７】
【００３２】ここで、図４に示されているように、ＥR
は絶縁基板の誘電係数で、４．５であり、Ａは第２およ
び第４の絶縁基板Ｅ２およびＥ４の厚さであり、Ｄは第
３の絶縁基板Ｅ３の厚さであり、Ｗは信号線層のトレー
スにおける幅で、６ｍｉｌであり、そして、Ｔは信号線
層の厚さで、１．４ｍｉｌである。ＺｏｌとＺｏ２との
値は設計のため必ず４９．５〜６０．５Ωに入っていな
ければならず、Ｚｏ１＝４９．５ΩおよびＺｏ１＝６
０．５Ωをそれぞれ上式Ｉに代入して確実な範囲のＨ値
が得られる。図２を参照すると、配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４、ＧＮＤ、ＰＷＲの厚さはそれぞれ０．７ｍｉ
ｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．
４ｍｉｌおよび０．７ｍｉｌである。従って、配線層の
全体の厚さは７ｍｉｌと求められる。この回路板の厚さ
は１．２ｍｍであって約４７ｍｉｌと換算することがで
き、絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５の全体の厚
さは次のようになる。
は絶縁基板の誘電係数で、４．５であり、Ａは第２およ
び第４の絶縁基板Ｅ２およびＥ４の厚さであり、Ｄは第
３の絶縁基板Ｅ３の厚さであり、Ｗは信号線層のトレー
スにおける幅で、６ｍｉｌであり、そして、Ｔは信号線
層の厚さで、１．４ｍｉｌである。ＺｏｌとＺｏ２との
値は設計のため必ず４９．５〜６０．５Ωに入っていな
ければならず、Ｚｏ１＝４９．５ΩおよびＺｏ１＝６
０．５Ωをそれぞれ上式Ｉに代入して確実な範囲のＨ値
が得られる。図２を参照すると、配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４、ＧＮＤ、ＰＷＲの厚さはそれぞれ０．７ｍｉ
ｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．
４ｍｉｌおよび０．７ｍｉｌである。従って、配線層の
全体の厚さは７ｍｉｌと求められる。この回路板の厚さ
は１．２ｍｍであって約４７ｍｉｌと換算することがで
き、絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５の全体の厚
さは次のようになる。
【００３３】
【数８】
【００３４】そして，ＡおよびＤの値を式（ＩＩ）およ
び式（ＩＩＩ）に代入しＺｏ１とＺｏ２を計算すること
ができる。さらに、Ｚｏ１値とＺｏ２値との差およびＺ
ｏ１値とＺｏ２値とは、共に５５±１０％Ωの範囲内に
入るようにしてＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、式
（Ｉ）と式（ＩＩ）に代入しもう一つのＺｏ１とＺｏ２
を算出する。このように手探り（try & error）して最
適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｚｏ１とＺｏ２との間
の最小の差が見つかり、Ｚｏ１はＺｏ２と共に５５±１
０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）Ωの範囲内に納
めることが分る。それで、最適のＨ、ＡおよびＤが求め
られ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋７ｍｉｌ（配線層の全体の厚
さ）は１．２ｍｍ（回路板）である。
び式（ＩＩＩ）に代入しＺｏ１とＺｏ２を計算すること
ができる。さらに、Ｚｏ１値とＺｏ２値との差およびＺ
ｏ１値とＺｏ２値とは、共に５５±１０％Ωの範囲内に
入るようにしてＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、式
（Ｉ）と式（ＩＩ）に代入しもう一つのＺｏ１とＺｏ２
を算出する。このように手探り（try & error）して最
適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｚｏ１とＺｏ２との間
の最小の差が見つかり、Ｚｏ１はＺｏ２と共に５５±１
０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）Ωの範囲内に納
めることが分る。それで、最適のＨ、ＡおよびＤが求め
られ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋７ｍｉｌ（配線層の全体の厚
さ）は１．２ｍｍ（回路板）である。
【００３５】図５および図６を参照すると、本発明に係
る第３実施例の多層回路板５は、第１、第２、第３、第
４および第５の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４および
Ｆ５と、第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層
ＰＷＲは同様に圧接して厚さが約１．６ｍｍの回路板に
なる。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気
素子（図示しない）が実装される。
る第３実施例の多層回路板５は、第１、第２、第３、第
４および第５の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４および
Ｆ５と、第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層
ＰＷＲは同様に圧接して厚さが約１．６ｍｍの回路板に
なる。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気
素子（図示しない）が実装される。
【００３６】第３実施例において、第１および第５の絶
縁基板Ｆ１およびＦ５はそれぞれ厚さが５．７±０．２
８５ｍｉｌであり、第２および第４の絶縁基板Ｆ２およ
びＦ４はそれぞれ厚さが８±０．４ｍｉｌであり、第３
の絶縁基板Ｆ３は厚さが２４．６±１．２３ｍｉｌであ
る。第１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１
の抵抗値Ｒｓ１を有する。第２の信号線層Ｓ２は接地線
層ＧＮＤと電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２
を有する。第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源
線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有する。第４
の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値
Ｒｓ４を有する。前記絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４
およびＦ５の厚みは前記範囲内に納まることにより、前
記第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ
２，Ｒｓ３およびＲｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にす
ることができる。第３実施例において、第１および第５
の絶縁基板Ｆ１およびＦ５の厚さは等しく、５．７ｍｉ
ｌである。第２および第４の絶縁基板Ｆ２およびＦ４は
等しく、８ｍｉｌであり、第３の絶縁基板Ｆ３は２４．
６ｍｉｌである。第１および第４の信号線層Ｓ１および
Ｓ４は厚さが約０．７ｍｉｌであり、第２および第３の
信号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮＤおよび電源線
層ＰＷＲはそれぞれ厚さが１．４ｍｉｌである。また、
第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，
Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望ましい。
縁基板Ｆ１およびＦ５はそれぞれ厚さが５．７±０．２
８５ｍｉｌであり、第２および第４の絶縁基板Ｆ２およ
びＦ４はそれぞれ厚さが８±０．４ｍｉｌであり、第３
の絶縁基板Ｆ３は厚さが２４．６±１．２３ｍｉｌであ
る。第１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１
の抵抗値Ｒｓ１を有する。第２の信号線層Ｓ２は接地線
層ＧＮＤと電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２
を有する。第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源
線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有する。第４
の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値
Ｒｓ４を有する。前記絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４
およびＦ５の厚みは前記範囲内に納まることにより、前
記第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ
２，Ｒｓ３およびＲｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にす
ることができる。第３実施例において、第１および第５
の絶縁基板Ｆ１およびＦ５の厚さは等しく、５．７ｍｉ
ｌである。第２および第４の絶縁基板Ｆ２およびＦ４は
等しく、８ｍｉｌであり、第３の絶縁基板Ｆ３は２４．
６ｍｉｌである。第１および第４の信号線層Ｓ１および
Ｓ４は厚さが約０．７ｍｉｌであり、第２および第３の
信号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮＤおよび電源線
層ＰＷＲはそれぞれ厚さが１．４ｍｉｌである。また、
第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，
Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望ましい。
【００３７】Ｒｓ１およびＲｓ４の値は下記の式（ｉ）
から算出される。
から算出される。
【００３８】
【数９】
【００３９】ここで、ＥRは誘電係数で、４．５であ
る。図６に示すように、Ｈは誘電厚みで、例えば第１、
第５の絶縁基板Ｆ１、Ｆ５の厚さであり、Ｗは信号線層
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４のトレースにおける幅で、６ｍ
ｉｌであり、Ｔは信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚
さである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およ
びＲｓ３は下記の式（ｉｉ）から求められる。
る。図６に示すように、Ｈは誘電厚みで、例えば第１、
第５の絶縁基板Ｆ１、Ｆ５の厚さであり、Ｗは信号線層
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４のトレースにおける幅で、６ｍ
ｉｌであり、Ｔは信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚
さである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およ
びＲｓ３は下記の式（ｉｉ）から求められる。
【００４０】
【数１０】
【００４１】ここで、ＥRは絶縁基板の誘電係数で、
４．５である。図６に示すように、Ａは第２および第４
の絶縁基板Ｆ２およびＦ４の厚さであり、Ｄは誘電厚み
で、第３の絶縁基板Ｆ３の厚さであり、そして、Ｔは信
号線層の厚さで、１．４ｍｉｌである。設計のため、第
１、第２、第３および第４の抵抗値は必ず４９．５〜６
０．５Ωに入っていなければならないので、始めに、４
９．５Ωおよび６０．５Ωをそれぞれ上式（ｉ）に代入
して第１の抵抗値Ｒｓ１または第４の抵抗値Ｒｓ４から
確実な範囲に納まるＨ値が得られる。
４．５である。図６に示すように、Ａは第２および第４
の絶縁基板Ｆ２およびＦ４の厚さであり、Ｄは誘電厚み
で、第３の絶縁基板Ｆ３の厚さであり、そして、Ｔは信
号線層の厚さで、１．４ｍｉｌである。設計のため、第
１、第２、第３および第４の抵抗値は必ず４９．５〜６
０．５Ωに入っていなければならないので、始めに、４
９．５Ωおよび６０．５Ωをそれぞれ上式（ｉ）に代入
して第１の抵抗値Ｒｓ１または第４の抵抗値Ｒｓ４から
確実な範囲に納まるＨ値が得られる。
【００４２】図６を参照すると、配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４、ＧＮＤおよびＰＷＲの厚さはそれぞれ０．７
ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、
１．４ｍｉｌおよび０．７ｍｉｌである。従って、配線
層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、ＧＮＤおよびＰＷＲの全体
の厚さは７ｍｉｌと求められる。この回路板５の厚さは
１．６ｍｍであって約６３ｍｉｌと換算することがで
き、絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４およびＦ５の全体
の厚さは次のようになる。
３、Ｓ４、ＧＮＤおよびＰＷＲの厚さはそれぞれ０．７
ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、１．４ｍｉｌ、
１．４ｍｉｌおよび０．７ｍｉｌである。従って、配線
層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、ＧＮＤおよびＰＷＲの全体
の厚さは７ｍｉｌと求められる。この回路板５の厚さは
１．６ｍｍであって約６３ｍｉｌと換算することがで
き、絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４およびＦ５の全体
の厚さは次のようになる。
【００４３】
【数１１】
【００４４】そして、ＡおよびＤの値を式（ｉｉ）およ
び式（ｉｉｉ）に代入し、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出す
ることができる。さらに、Ｒｓ１値とＲｓ４値との差お
よびＲｓ２値とＲｓ３値とは共に５５±１０％Ωの範囲
内に納まるようＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、Ｈ、
ＡおよびＤから手探りしてもう一つのＲｓ１またはＲｓ
４、および、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出する。このよう
にして、最適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｒｓ１また
はＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３の間の差が見つか
り、Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３はそ
れぞれ５５±１０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）
Ωの範囲内に納まることが分る。それで、最適のＨ、Ａ
およびＤが求められ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋７ｍｉｌ（配線
層の全体の厚さ）は約１．６ｍｍ（回路板５）である。
び式（ｉｉｉ）に代入し、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出す
ることができる。さらに、Ｒｓ１値とＲｓ４値との差お
よびＲｓ２値とＲｓ３値とは共に５５±１０％Ωの範囲
内に納まるようＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、Ｈ、
ＡおよびＤから手探りしてもう一つのＲｓ１またはＲｓ
４、および、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出する。このよう
にして、最適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｒｓ１また
はＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３の間の差が見つか
り、Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３はそ
れぞれ５５±１０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）
Ωの範囲内に納まることが分る。それで、最適のＨ、Ａ
およびＤが求められ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋７ｍｉｌ（配線
層の全体の厚さ）は約１．６ｍｍ（回路板５）である。
【００４５】上式（ｉ）および（ｉｉ）に基づき、最適
値のＲｓ１またはＲｓ４、およびＲｓ２またはＲｓ３が
得られる。すなわち、Ｈ＝５．７ｍｉｌ、Ａ＝８ｍｉ
ｌ、Ｄ＝２４．６ｍｉｌ、Ｒｓ１またはＲｓ４＝６１．
４Ω、Ｒｓ２またはＲｓ３＝５９Ωであり、推奨範囲の
５５±１０％Ω（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）に大
体納まる。Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ
３の差は約２．４Ωであり、非常に小さいので、インピ
ーダンスを整合させることができる。
値のＲｓ１またはＲｓ４、およびＲｓ２またはＲｓ３が
得られる。すなわち、Ｈ＝５．７ｍｉｌ、Ａ＝８ｍｉ
ｌ、Ｄ＝２４．６ｍｉｌ、Ｒｓ１またはＲｓ４＝６１．
４Ω、Ｒｓ２またはＲｓ３＝５９Ωであり、推奨範囲の
５５±１０％Ω（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）に大
体納まる。Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ
３の差は約２．４Ωであり、非常に小さいので、インピ
ーダンスを整合させることができる。
【００４６】上述した本発明の回路板の各構造によれ
ば、下記の効果が達成される。すなわち、 （１）高速信号伝送の反射を低く抑制することができ
る：第１、第２、第３と第４の抵抗値は相互にほぼ等し
いので、反射係数はかなり低くすることができる。反射
は極端に低減させることができるので、本発明の回路板
は高速信号伝送に適するようになる。
ば、下記の効果が達成される。すなわち、 （１）高速信号伝送の反射を低く抑制することができ
る：第１、第２、第３と第４の抵抗値は相互にほぼ等し
いので、反射係数はかなり低くすることができる。反射
は極端に低減させることができるので、本発明の回路板
は高速信号伝送に適するようになる。
【００４７】（２）電磁波妨害を少なくさせることがで
きる：反射の量がかなり抑制されることができるため、
定常波を引き起こすことはない。従って、電磁フラック
スの消磁率を向上させることによってＥＭＩの条件を満
たすことができる。 （３）レイアウトの過程において、抵抗をほぼ均一にな
らすことができるので、インピーダンス整合をすること
ができる。従って、配線層のトレース幅を変える必要が
なく抵抗制御することができる。
きる：反射の量がかなり抑制されることができるため、
定常波を引き起こすことはない。従って、電磁フラック
スの消磁率を向上させることによってＥＭＩの条件を満
たすことができる。 （３）レイアウトの過程において、抵抗をほぼ均一にな
らすことができるので、インピーダンス整合をすること
ができる。従って、配線層のトレース幅を変える必要が
なく抵抗制御することができる。
【００４８】以上、本発明の思想を良く理解できるよ
う、好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、本発
明は上記の例に限定されず、本発明の精神から逸脱しな
い範囲で修飾および変化も含まれることが明らかであろ
う。
う、好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、本発
明は上記の例に限定されず、本発明の精神から逸脱しな
い範囲で修飾および変化も含まれることが明らかであろ
う。
【００４９】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の多層回
路板によれば、インピーダンス整合にすることによって
高速信号の反射を低減し、且つ、電磁波妨害を減らすこ
とができる。
路板によれば、インピーダンス整合にすることによって
高速信号の反射を低減し、且つ、電磁波妨害を減らすこ
とができる。
【図１】本発明に係る約１．０ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第１実施例の概略を示す図である。
ける第１実施例の概略を示す図である。
【図２】本発明に係る約１．２ｍｍ厚の多層回路板にお
ける実施例の概略を示す図である。
ける実施例の概略を示す図である。
【図３】本発明に係る約１．０ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第２実施例の部分拡大概略を示す図である。
ける第２実施例の部分拡大概略を示す図である。
【図４】本発明に係る約１．０ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第２実施例の他の部分拡大概略を示す図である。
ける第２実施例の他の部分拡大概略を示す図である。
【図５】本発明に係る約１．６ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第３実施例の概略を示す図である。
ける第３実施例の概略を示す図である。
【図６】本発明に係る約１．６ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第３実施例の部分断面図である。
ける第３実施例の部分断面図である。
【図７】従来の約１．０ｍｍ厚の多層回路板の概略を示
す図である。
す図である。
【図８】従来の約１．２ｍｍ厚の多層回路板の概略を示
す図である。
す図である。
【図９】従来の約１．６ｍｍ厚の多層回路板の概略を示
す図である。
す図である。
Ｄ１，Ｅ１，Ｆ１…第１の絶縁基板 Ｄ２，Ｅ２，Ｆ２…第２の絶縁基板 Ｄ３，Ｅ３，Ｆ３…第３の絶縁基板 Ｄ４，Ｅ４，Ｆ４…第４の絶縁基板 Ｄ５，Ｅ５，Ｆ５…第５の絶縁基板 Ｓ１…第１の信号線層 Ｓ２…第２の信号線層 Ｓ３…第３の信号線層 Ｓ４…第４の信号線層 ＧＮＤ…接地線層 ＰＷＲ…電源線層 ５…多層回路板 １０，２０…電気素子
【手続補正書】
【提出日】平成１３年４月５日（２００１．４．５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 多層回路板
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層回路板に関し、
特に、インピーダンス整合により高速信号反射を低減し
て電磁波妨害を減少することができる多層回路板に関す
る。
特に、インピーダンス整合により高速信号反射を低減し
て電磁波妨害を減少することができる多層回路板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図７に従来の厚さ約１．０ｍｍの多層回
路板の例を示す。図７に示されるように、従来例の１．
０ｍｍの多層回路板は、それぞれ相互に積み重ねた第
１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第１の絶縁基板Ａ１
における前記第２の絶縁基板Ａ２と対面する面に設けら
れた第１の信号線層Ｓ１と、前記第１および前記第２の
絶縁基板Ａ１およびＡ２の間に設けられた接地線層（Ｇ
ＮＤ）と、前記第２および前記第３の絶縁基板Ａ２およ
びＡ３の間に設けられた第２の信号線層Ｓ２と、前記第
３および前記第４の絶縁基板Ａ３およびＡ４の間に設け
られた第３の信号線層Ｓ３と、前記第４および前記第５
の絶縁基板Ａ４およびＡ５の間に設けられた電源線層Ｐ
ＷＲと、前記第５の絶縁基板Ａ５における前記第４の絶
縁基板Ａ４と対面する面に設けられた第４の信号線層Ｓ
４とからなる。
路板の例を示す。図７に示されるように、従来例の１．
０ｍｍの多層回路板は、それぞれ相互に積み重ねた第
１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ
２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第１の絶縁基板Ａ１
における前記第２の絶縁基板Ａ２と対面する面に設けら
れた第１の信号線層Ｓ１と、前記第１および前記第２の
絶縁基板Ａ１およびＡ２の間に設けられた接地線層（Ｇ
ＮＤ）と、前記第２および前記第３の絶縁基板Ａ２およ
びＡ３の間に設けられた第２の信号線層Ｓ２と、前記第
３および前記第４の絶縁基板Ａ３およびＡ４の間に設け
られた第３の信号線層Ｓ３と、前記第４および前記第５
の絶縁基板Ａ４およびＡ５の間に設けられた電源線層Ｐ
ＷＲと、前記第５の絶縁基板Ａ５における前記第４の絶
縁基板Ａ４と対面する面に設けられた第４の信号線層Ｓ
４とからなる。
【０００３】前記第１、第２、第３、第４および第５の
絶縁基板Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第
１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３
およびＳ４と、接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲと
は互いにプレスボンドにより厚さが約１．０ｍｍの回路
板として構成されている。第１および第４の信号線層Ｓ
１およびＳ４は電気素子（図示しない）が実装される。
第１、第３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ３およびＡ５
はそれぞれ厚さが約７１．１μｍ（２．８ｍｉｌ）であ
る。第２および第４の絶縁基板Ａ２およびＡ４はそれぞ
れ厚さが約３５６μｍ（１４ｍｉｌ）である。第１、第
３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ３およびＡ５はそれぞ
れポリエステルプレプレッグから作られる。ここで、ｍ
ｉｌは、膜厚等の厚さの単位であり、１ｍｉｌ（ミル）
は、１０００分の１インチ（２５．４μｍ）である。
絶縁基板Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４およびＡ５と、前記第
１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３
およびＳ４と、接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲと
は互いにプレスボンドにより厚さが約１．０ｍｍの回路
板として構成されている。第１および第４の信号線層Ｓ
１およびＳ４は電気素子（図示しない）が実装される。
第１、第３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ３およびＡ５
はそれぞれ厚さが約７１．１μｍ（２．８ｍｉｌ）であ
る。第２および第４の絶縁基板Ａ２およびＡ４はそれぞ
れ厚さが約３５６μｍ（１４ｍｉｌ）である。第１、第
３および第５の絶縁基板Ａ１，Ａ３およびＡ５はそれぞ
れポリエステルプレプレッグから作られる。ここで、ｍ
ｉｌは、膜厚等の厚さの単位であり、１ｍｉｌ（ミル）
は、１０００分の１インチ（２５．４μｍ）である。
【０００４】第２および第４の絶縁基板Ａ２およびＡ４
はそれぞれ紙またはガラス繊維を含む繊維質芯材からな
る。上記構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前記
接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、前
記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層
ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記
第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層Ｐ
ＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第
４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗
値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１
およびＲｓ４は約４２Ωである。第２および第３の抵抗
Ｒｓ２およびＲｓ３は約６４Ωである。
はそれぞれ紙またはガラス繊維を含む繊維質芯材からな
る。上記構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前記
接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、前
記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層
ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記
第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層Ｐ
ＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第
４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗
値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１
およびＲｓ４は約４２Ωである。第２および第３の抵抗
Ｒｓ２およびＲｓ３は約６４Ωである。
【０００５】図８に、他の従来の厚さ約１．２ｍｍの多
層回路板例を示す。この例の１．２ｍｍの多層回路板
は、第１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ｂ
１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４およびＢ５と、第１、第２、第３
および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、
接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプ
レスボンドにより約１．２ｍｍ厚の回路板を構成してい
る。
層回路板例を示す。この例の１．２ｍｍの多層回路板
は、第１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板Ｂ
１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４およびＢ５と、第１、第２、第３
および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、
接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプ
レスボンドにより約１．２ｍｍ厚の回路板を構成してい
る。
【０００６】第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４
には電気素子１０が実装される。前記した図７の例と違
って、第３の絶縁基板Ｂ３は約２０３μｍ厚である。第
２および第４の絶縁基板Ｂ２およびＢ４はそれぞれ厚さ
が約１５２μｍである。第１および第５の絶縁基板Ｂ１
およびＢ５はそれぞれ約２０３μｍ厚である。上記の構
成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前記接地線層Ｇ
ＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有している。前記第
２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷ
Ｒに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記第３
の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲ
に対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第４の
信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒ
ｓ４を有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およ
びＲｓ４は約７１Ωであり、第２および第３の抵抗値Ｒ
ｓ２およびＲｓ３は約４６Ωである。
には電気素子１０が実装される。前記した図７の例と違
って、第３の絶縁基板Ｂ３は約２０３μｍ厚である。第
２および第４の絶縁基板Ｂ２およびＢ４はそれぞれ厚さ
が約１５２μｍである。第１および第５の絶縁基板Ｂ１
およびＢ５はそれぞれ約２０３μｍ厚である。上記の構
成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前記接地線層Ｇ
ＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有している。前記第
２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷ
Ｒに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有している。前記第３
の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲ
に対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有している。前記第４の
信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒ
ｓ４を有している。第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およ
びＲｓ４は約７１Ωであり、第２および第３の抵抗値Ｒ
ｓ２およびＲｓ３は約４６Ωである。
【０００７】図９に、さらに他の従来の厚さ約１．６ｍ
ｍの多層回路板例を示す。この例の１．６ｍｍの多層回
路板は、第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５と、第１、第２、第３と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、接地線層ＧＮ
Ｄと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプレスボンドに
より約１．６ｍｍ厚の回路板を構成している。
ｍの多層回路板例を示す。この例の１．６ｍｍの多層回
路板は、第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板Ｃ
１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５と、第１、第２、第３と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、接地線層ＧＮ
Ｄと、電源線層ＰＷＲとを含み、互いにプレスボンドに
より約１．６ｍｍ厚の回路板を構成している。
【０００８】第１および第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４には
電気素子（図示しない）が実装される。前記図７および
図８の例と違って、第３の絶縁基板Ｃ３は約１４５μｍ
厚である。第２および第４の絶縁基板Ｃ２およびＣ４は
それぞれ厚さが約４０６μｍである。第１および第５の
絶縁基板Ｃ１およびＣ５はそれぞれ約２５４μｍ厚であ
る。上記の構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前
記接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有して
いる。前記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび
電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有してい
る。前記第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電
源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有してい
る。前記第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して
第４の抵抗値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵
抗値Ｒｓ１およびＲｓ４は約７８Ωであり、第２と第３
の抵抗値Ｒｓ２、Ｒｓ３は約６９Ωである。
電気素子（図示しない）が実装される。前記図７および
図８の例と違って、第３の絶縁基板Ｃ３は約１４５μｍ
厚である。第２および第４の絶縁基板Ｃ２およびＣ４は
それぞれ厚さが約４０６μｍである。第１および第５の
絶縁基板Ｃ１およびＣ５はそれぞれ約２５４μｍ厚であ
る。上記の構成において、前記第１の信号線層Ｓ１は前
記接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒｓ１を有して
いる。前記第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤおよび
電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有してい
る。前記第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤおよび電
源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有してい
る。前記第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して
第４の抵抗値Ｒｓ４を有している。第１および第４の抵
抗値Ｒｓ１およびＲｓ４は約７８Ωであり、第２と第３
の抵抗値Ｒｓ２、Ｒｓ３は約６９Ωである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の回路板
によれば、配線層および絶縁基板を通して電気接続をす
ることから、下記の幾つかの欠点がある。 （１）高速信号伝送による反射が大きい：インテルによ
って定められた標準理論値によれば、回路板における隣
接した配線層間の抵抗は高速信号伝送の際好ましくは５
５±１０％Ωの範囲内、例えば、４９．５Ωと６０．５
Ωとの間である。しかしながら、上記した従来の回路板
の抵抗はインテルが推奨する理想の範囲から外れてい
る。その上、第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およびＲｓ
４と第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およびＲｓ３とは大
きく違っている。このような大きな違いはインピーダン
スの不整合をもたらす。このように、高速信号が従来の
回路板を通じて伝送され、第１の信号線層Ｓ１または第
４の信号線層Ｓ４から第２の信号線層Ｓ２または第３の
信号線層Ｓ３へ送信される際、結果として信号反射が生
じる。高速信号の反射指数は次式で求められる。
によれば、配線層および絶縁基板を通して電気接続をす
ることから、下記の幾つかの欠点がある。 （１）高速信号伝送による反射が大きい：インテルによ
って定められた標準理論値によれば、回路板における隣
接した配線層間の抵抗は高速信号伝送の際好ましくは５
５±１０％Ωの範囲内、例えば、４９．５Ωと６０．５
Ωとの間である。しかしながら、上記した従来の回路板
の抵抗はインテルが推奨する理想の範囲から外れてい
る。その上、第１および第４の抵抗値Ｒｓ１およびＲｓ
４と第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およびＲｓ３とは大
きく違っている。このような大きな違いはインピーダン
スの不整合をもたらす。このように、高速信号が従来の
回路板を通じて伝送され、第１の信号線層Ｓ１または第
４の信号線層Ｓ４から第２の信号線層Ｓ２または第３の
信号線層Ｓ３へ送信される際、結果として信号反射が生
じる。高速信号の反射指数は次式で求められる。
【００１０】
【数１】
【００１１】図７、図８および図９の回路板における反
射指数はそれぞれ０．２０８、０．２１および０．０６
１である。反射が大きければ、波形も大きく歪み、信号
の質は低下する。前記の観点により、従来の多層回路板
は高速信号伝送に適さない。 （２）磁束の消磁力が弱められる：高速信号の反射によ
り定常波を起こすので、高速信号の電磁波の発生を増
し、回路板の磁束の消磁力が弱くなるため、著しく電磁
波妨害をもたらす。
射指数はそれぞれ０．２０８、０．２１および０．０６
１である。反射が大きければ、波形も大きく歪み、信号
の質は低下する。前記の観点により、従来の多層回路板
は高速信号伝送に適さない。 （２）磁束の消磁力が弱められる：高速信号の反射によ
り定常波を起こすので、高速信号の電磁波の発生を増
し、回路板の磁束の消磁力が弱くなるため、著しく電磁
波妨害をもたらす。
【００１２】従って、本発明の目的は、インピーダンス
整合にすることによって高速信号の反射を低減し、且
つ、電磁波妨害を減らすことができる多層回路板を提供
することにある。
整合にすることによって高速信号の反射を低減し、且
つ、電磁波妨害を減らすことができる多層回路板を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、それぞ
れ順に重ねられた第１、第２、第３、第４および第５の
絶縁基板と、前記第１の絶縁基板における前記第２の絶
縁基板と対面する面に設けられた第１の信号線層と、前
記第１および前記第２の絶縁基板の間に設けられた接地
線層と、前記第２および前記第３の絶縁基板の間に設け
られた第２の信号線層と、前記第３および前記第４の絶
縁基板の間に設けられた第３の信号線層と、前記第４お
よび前記第５の絶縁基板の間に設けられた電源線層と、
前記第５の絶縁基板における前記第４の絶縁基板と対面
する面に設けられた第４の信号線層と、を有する回路板
であって、前記第１、第２、第３、第４および第５の絶
縁基板と、前記第１、第２、第３および第４の信号線層
と、前記接地線層と、前記電源線層とは、互いに圧接に
より厚さが約１．６ｍｍの回路板が形成され、前記第１
および前記第５の絶縁基板はそれぞれ厚さが１４５±
７．２μｍであり、前記第２および前記第４の絶縁基板
は、それぞれ厚さが２０３±１０．２μｍであり、前記
第３の絶縁基板は厚さが６２５±３１．２μｍであり、
前記第１の信号線層は前記接地線層に対して第１の抵抗
値を有し、前記第２の信号線層は前記接地線層と前記電
源線層に対して第２の抵抗値を有し、前記第３信号線層
は前記接地線層と前記電源線層に対して第３の抵抗値を
有し、前記第４の信号線層は前記電源線層に対して第４
の抵抗値を有し、前記第１、第２、第３および第４の抵
抗値を４９．５〜６０．５Ωにすることを特徴とする多
層回路板が提供される。
れ順に重ねられた第１、第２、第３、第４および第５の
絶縁基板と、前記第１の絶縁基板における前記第２の絶
縁基板と対面する面に設けられた第１の信号線層と、前
記第１および前記第２の絶縁基板の間に設けられた接地
線層と、前記第２および前記第３の絶縁基板の間に設け
られた第２の信号線層と、前記第３および前記第４の絶
縁基板の間に設けられた第３の信号線層と、前記第４お
よび前記第５の絶縁基板の間に設けられた電源線層と、
前記第５の絶縁基板における前記第４の絶縁基板と対面
する面に設けられた第４の信号線層と、を有する回路板
であって、前記第１、第２、第３、第４および第５の絶
縁基板と、前記第１、第２、第３および第４の信号線層
と、前記接地線層と、前記電源線層とは、互いに圧接に
より厚さが約１．６ｍｍの回路板が形成され、前記第１
および前記第５の絶縁基板はそれぞれ厚さが１４５±
７．２μｍであり、前記第２および前記第４の絶縁基板
は、それぞれ厚さが２０３±１０．２μｍであり、前記
第３の絶縁基板は厚さが６２５±３１．２μｍであり、
前記第１の信号線層は前記接地線層に対して第１の抵抗
値を有し、前記第２の信号線層は前記接地線層と前記電
源線層に対して第２の抵抗値を有し、前記第３信号線層
は前記接地線層と前記電源線層に対して第３の抵抗値を
有し、前記第４の信号線層は前記電源線層に対して第４
の抵抗値を有し、前記第１、第２、第３および第４の抵
抗値を４９．５〜６０．５Ωにすることを特徴とする多
層回路板が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の他の特徴や、長所は、次
の好ましい実施例の図示に基づいた詳細な説明により明
らかとなろう。図１は、本発明に係る第１実施例の多層
回路板を示す。該第１実施例の多層回路板はそれぞれ順
に重ねられる第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５と、第１の絶縁基板Ｄ１
における第２の絶縁基板Ｄ２と対面する面に配置される
第１の信号線層Ｓ１と、第１と第２の絶縁基板Ｄ１、Ｄ
２の間に設けられる接地線層ＧＮＤと、第２と第３の絶
縁基板Ｄ２、Ｄ３の間に設けられる第２の信号線層Ｓ２
と、第３と第４の絶縁基板Ｄ３、Ｄ４の間に設けられる
第３の信号線層Ｓ３と、第４と第５の絶縁基板Ｄ４、Ｄ
５の間に配置される電源線層ＰＷＲと、第５の絶縁基板
Ｄ５における第４の絶縁基板Ｄ４と対面する面に設けら
れる第４の信号線層Ｓ４と、をそなえてなる。第１と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は電気素子（図示しない）が実
装される。
の好ましい実施例の図示に基づいた詳細な説明により明
らかとなろう。図１は、本発明に係る第１実施例の多層
回路板を示す。該第１実施例の多層回路板はそれぞれ順
に重ねられる第１、第２、第３、第４と第５の絶縁基板
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５と、第１の絶縁基板Ｄ１
における第２の絶縁基板Ｄ２と対面する面に配置される
第１の信号線層Ｓ１と、第１と第２の絶縁基板Ｄ１、Ｄ
２の間に設けられる接地線層ＧＮＤと、第２と第３の絶
縁基板Ｄ２、Ｄ３の間に設けられる第２の信号線層Ｓ２
と、第３と第４の絶縁基板Ｄ３、Ｄ４の間に設けられる
第３の信号線層Ｓ３と、第４と第５の絶縁基板Ｄ４、Ｄ
５の間に配置される電源線層ＰＷＲと、第５の絶縁基板
Ｄ５における第４の絶縁基板Ｄ４と対面する面に設けら
れる第４の信号線層Ｓ４と、をそなえてなる。第１と第
４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は電気素子（図示しない）が実
装される。
【００１５】この実施例において、第１、第２、第３、
第４と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５
と、第１、第２、第３と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとは、
互いに圧接により厚さ約１．０ｍｍの回路板が形成され
る。回路板は圧接により第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ
３は第３の絶縁基板Ｄ３を挟むことになる。接地線層Ｇ
ＮＤと第２の信号線層Ｓ２および第３信号線層Ｓ３と電
源線層ＰＷＲはそれぞれ第２と第４絶縁基板Ｄ２、Ｄ４
を挟むことになる。また、第１と第４の信号線層Ｓ１、
Ｓ４は上記サンドイッチ構造を両側から挟んでいる。
第４と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５
と、第１、第２、第３と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲとは、
互いに圧接により厚さ約１．０ｍｍの回路板が形成され
る。回路板は圧接により第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ
３は第３の絶縁基板Ｄ３を挟むことになる。接地線層Ｇ
ＮＤと第２の信号線層Ｓ２および第３信号線層Ｓ３と電
源線層ＰＷＲはそれぞれ第２と第４絶縁基板Ｄ２、Ｄ４
を挟むことになる。また、第１と第４の信号線層Ｓ１、
Ｓ４は上記サンドイッチ構造を両側から挟んでいる。
【００１６】第１実施例によれば、第１と第５の絶縁基
板Ｄ１、Ｄ５はそれぞれ厚さが１３２．７〜１４６．７
μｍ間にある。第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４はそれ
ぞれ厚さが１９３〜２１３μｍ間にある。第３の絶縁基
板Ｄ３は厚さが９６．５〜１０７μｍ間にある。第１の
信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒ
ｓ１を有し、第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤと電
源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２をもつ。第３
の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源線層ＰＷＲに対
して第３の抵抗値Ｒｓ３を有し、第４の信号線層Ｓ４は
電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４をもつ。
板Ｄ１、Ｄ５はそれぞれ厚さが１３２．７〜１４６．７
μｍ間にある。第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４はそれ
ぞれ厚さが１９３〜２１３μｍ間にある。第３の絶縁基
板Ｄ３は厚さが９６．５〜１０７μｍ間にある。第１の
信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗値Ｒ
ｓ１を有し、第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮＤと電
源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２をもつ。第３
の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源線層ＰＷＲに対
して第３の抵抗値Ｒｓ３を有し、第４の信号線層Ｓ４は
電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４をもつ。
【００１７】前記絶縁基板Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４とＤ
５の厚みは前記範囲内に納めることにより、前記第１、
第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒ
ｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にすることができる。第
１、第３と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５は少なくと
も一つがポリエステルプレプレッグからなる。第２およ
び第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は少なくとも一つが紙繊維
またはガラス繊維を含む繊維質心材からなる。第１実施
例において、第１と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さは
等しく、第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は等しい。第
１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は厚さが約１７．８μｍ
であり、第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３、接地線層Ｇ
ＮＤ、電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが約３５．６μｍ
である。また、第１、第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ
１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４は等しくするのが望まし
い。
５の厚みは前記範囲内に納めることにより、前記第１、
第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒ
ｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にすることができる。第
１、第３と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５は少なくと
も一つがポリエステルプレプレッグからなる。第２およ
び第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は少なくとも一つが紙繊維
またはガラス繊維を含む繊維質心材からなる。第１実施
例において、第１と第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さは
等しく、第２と第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４は等しい。第
１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４は厚さが約１７．８μｍ
であり、第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３、接地線層Ｇ
ＮＤ、電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが約３５．６μｍ
である。また、第１、第２、第３と第４の抵抗値Ｒｓ
１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４は等しくするのが望まし
い。
【００１８】第１と第４の抵抗値は下記の式（１）から
算出される。
算出される。
【００１９】
【数２】
【００２０】ここで、ＥRは絶縁基板の誘電係数で、
４．５であり、Ｈ３は第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５
の厚さであり、Ｗは第１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の
トレースにおける幅で、約１５２μｍであり、Ｔ１は第
１、第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の厚さで、約１７．８μ
ｍである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およ
びＲｓ３は下記の式（２）〜（４）より得ることができ
る。
４．５であり、Ｈ３は第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５
の厚さであり、Ｗは第１と第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の
トレースにおける幅で、約１５２μｍであり、Ｔ１は第
１、第４の信号線層Ｓ１、Ｓ４の厚さで、約１７．８μ
ｍである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２およ
びＲｓ３は下記の式（２）〜（４）より得ることができ
る。
【００２１】
【数３】
【００２２】ここで、ＥRは誘電係数で、４．５であ
り、Ｈ２は第２、第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４の厚さであ
り、Ｈ１は第３の絶縁基板Ｄ３の厚さであり、Ｔ２は第
２、第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３の厚さで、約３５．６μ
ｍであり、Ｗは第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３のトレ
ースにおける幅で、約１５２μｍである。
り、Ｈ２は第２、第４の絶縁基板Ｄ２、Ｄ４の厚さであ
り、Ｈ１は第３の絶縁基板Ｄ３の厚さであり、Ｔ２は第
２、第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３の厚さで、約３５．６μ
ｍであり、Ｗは第２と第３の信号線層Ｓ２、Ｓ３のトレ
ースにおける幅で、約１５２μｍである。
【００２３】
【数４】
【００２４】なお、回路板の厚さは全部で約１．０ｍｍ
（約３９ｍｉｌ）またはその誤差範囲にする必要があ
る。式（５）により手探り計算を続けてＨ１、Ｈ２およ
びＨ３の最適の値が得られる。第３の絶縁基板Ｄ３の厚
さのＨ１は前記好ましい範囲の９７〜１０７μｍ内にあ
り、好ましくは約１０２μｍである。第２、第４の絶縁
基板Ｄ２、Ｄ４の厚さのＨ２は前記好ましい範囲の１９
３〜２１３μｍ内にあり、好ましくは約２０３μｍであ
る。第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さのＨ３は前
記好ましい範囲の１３２．７〜１４６．７μｍ内にあ
り、好ましくは約１４０μｍである。このようにして、
第１の抵抗値Ｒｓ１は第４の抵抗値Ｒｓ４と等しく、４
８Ωである。第２の抵抗値Ｒｓ２は第３の抵抗値Ｒｓ３
に等しく、４８Ωである。この実施例の回路板の全体の
厚さは、
（約３９ｍｉｌ）またはその誤差範囲にする必要があ
る。式（５）により手探り計算を続けてＨ１、Ｈ２およ
びＨ３の最適の値が得られる。第３の絶縁基板Ｄ３の厚
さのＨ１は前記好ましい範囲の９７〜１０７μｍ内にあ
り、好ましくは約１０２μｍである。第２、第４の絶縁
基板Ｄ２、Ｄ４の厚さのＨ２は前記好ましい範囲の１９
３〜２１３μｍ内にあり、好ましくは約２０３μｍであ
る。第１、第５の絶縁基板Ｄ１、Ｄ５の厚さのＨ３は前
記好ましい範囲の１３２．７〜１４６．７μｍ内にあ
り、好ましくは約１４０μｍである。このようにして、
第１の抵抗値Ｒｓ１は第４の抵抗値Ｒｓ４と等しく、４
８Ωである。第２の抵抗値Ｒｓ２は第３の抵抗値Ｒｓ３
に等しく、４８Ωである。この実施例の回路板の全体の
厚さは、
【００２５】
【数５】
【００２６】図２〜図４において、本発明の第２実施例
における多層回路板は、第１、第２、第３、第４および
第５の絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４およびＥ５と、
第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲは
同様に圧接して厚さ約１．２ｍｍの回路板が形成され
る。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気素
子３０が実装される。
における多層回路板は、第１、第２、第３、第４および
第５の絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４およびＥ５と、
第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層ＰＷＲは
同様に圧接して厚さ約１．２ｍｍの回路板が形成され
る。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気素
子３０が実装される。
【００２７】第２実施例において、第１および第５の絶
縁基板Ｅ１およびＥ５はそれぞれ厚さが１０６．０〜１
２０．０μｍ間にある。第２および第４の絶縁基板Ｅ２
およびＥ４はそれぞれ厚さが１４５〜１６０μｍ間にあ
る。第３の絶縁基板Ｅ３は厚さが３８６〜４２７μｍ間
にある。第１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して
第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、第２の信号線層Ｓ２は接地
線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値
Ｒｓ２を有し、第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤお
よび電源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有
し、第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４
の抵抗値Ｒｓ４を有する。前記絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ
３，Ｅ４およびＥ５の厚みは前記範囲内に納めることに
より、前記第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ
１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は４９．５〜６０．５
Ω内にすることができる。第２実施例において、第１お
よび第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さは等しく、約
１１４μｍであり、第２および第４の絶縁基板Ｅ２およ
びＥ４は等しく、約１５２μｍであり、第３の絶縁基板
Ｅ３は約４０６μｍである。第１および第４の信号線層
Ｓ１およびＳ４は厚さが約１７．８μｍであり、第２お
よび第３の信号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮＤお
よび電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが約３５．６μｍで
ある。また、第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ
１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望ま
しい。
縁基板Ｅ１およびＥ５はそれぞれ厚さが１０６．０〜１
２０．０μｍ間にある。第２および第４の絶縁基板Ｅ２
およびＥ４はそれぞれ厚さが１４５〜１６０μｍ間にあ
る。第３の絶縁基板Ｅ３は厚さが３８６〜４２７μｍ間
にある。第１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して
第１の抵抗値Ｒｓ１を有し、第２の信号線層Ｓ２は接地
線層ＧＮＤおよび電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値
Ｒｓ２を有し、第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤお
よび電源線層ＰＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有
し、第４の信号線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４
の抵抗値Ｒｓ４を有する。前記絶縁基板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ
３，Ｅ４およびＥ５の厚みは前記範囲内に納めることに
より、前記第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ
１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は４９．５〜６０．５
Ω内にすることができる。第２実施例において、第１お
よび第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さは等しく、約
１１４μｍであり、第２および第４の絶縁基板Ｅ２およ
びＥ４は等しく、約１５２μｍであり、第３の絶縁基板
Ｅ３は約４０６μｍである。第１および第４の信号線層
Ｓ１およびＳ４は厚さが約１７．８μｍであり、第２お
よび第３の信号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮＤお
よび電源線層ＰＷＲはそれぞれ厚さが約３５．６μｍで
ある。また、第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ
１，Ｒｓ２，Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望ま
しい。
【００２８】隣接の厚さを有する第１〜第５の絶縁基板
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５のＲｓ１およびＲｓ４の
値は下記の式（Ｉ）から算出される。
Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５のＲｓ１およびＲｓ４の
値は下記の式（Ｉ）から算出される。
【００２９】
【数６】
【００３０】ここで、図３に示すように、ＥRは絶縁基
板の誘電係数で、４．５であり、Ｈは誘電厚みで、例え
ば、第１および第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さで
あり、Ｗは信号線層のトレースにおける幅で、約１５２
μｍであり、そして、Ｔは信号線層の厚さで、約３５．
６μｍである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２
およびＲｓ３は下記の式（ＩＩ）より得ることができ
る。
板の誘電係数で、４．５であり、Ｈは誘電厚みで、例え
ば、第１および第５の絶縁基板Ｅ１およびＥ５の厚さで
あり、Ｗは信号線層のトレースにおける幅で、約１５２
μｍであり、そして、Ｔは信号線層の厚さで、約３５．
６μｍである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２
およびＲｓ３は下記の式（ＩＩ）より得ることができ
る。
【００３１】
【数７】
【００３２】ここで、図４に示されているように、ＥR
は絶縁基板の誘電係数で、４．５であり、Ａは第２およ
び第４の絶縁基板Ｅ２およびＥ４の厚さであり、Ｄは第
３の絶縁基板Ｅ３の厚さであり、Ｗは信号線層のトレー
スにおける幅で、約１５２μｍであり、そして、Ｔは信
号線層の厚さで、約３５．６μｍである。ＺｏｌとＺｏ
２との値は設計のため必ず４９．５〜６０．５Ωに入っ
ていなければならず、Ｚｏ１＝４９．５ΩおよびＺｏ１
＝６０．５Ωをそれぞれ上式Ｉに代入して確実な範囲の
Ｈ値が得られる。図２を参照すると、配線層Ｓ１、Ｓ
２、Ｓ３、Ｓ４、ＧＮＤ、ＰＷＲの厚さはそれぞれ約１
７．８μｍ、約３５．６μｍ 、約３５．６μｍ、約３
５．６μｍ、約３５．６μｍおよび約１７．８μｍであ
る。従って、配線層の全体の厚さは約１７８μｍと求め
られる。この回路板の厚さは１．２ｍｍであって約１１
９０μｍ（４７ｍｉｌ）と換算することができ、絶縁基
板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５の全体の厚さは次のよ
うになる。
は絶縁基板の誘電係数で、４．５であり、Ａは第２およ
び第４の絶縁基板Ｅ２およびＥ４の厚さであり、Ｄは第
３の絶縁基板Ｅ３の厚さであり、Ｗは信号線層のトレー
スにおける幅で、約１５２μｍであり、そして、Ｔは信
号線層の厚さで、約３５．６μｍである。ＺｏｌとＺｏ
２との値は設計のため必ず４９．５〜６０．５Ωに入っ
ていなければならず、Ｚｏ１＝４９．５ΩおよびＺｏ１
＝６０．５Ωをそれぞれ上式Ｉに代入して確実な範囲の
Ｈ値が得られる。図２を参照すると、配線層Ｓ１、Ｓ
２、Ｓ３、Ｓ４、ＧＮＤ、ＰＷＲの厚さはそれぞれ約１
７．８μｍ、約３５．６μｍ 、約３５．６μｍ、約３
５．６μｍ、約３５．６μｍおよび約１７．８μｍであ
る。従って、配線層の全体の厚さは約１７８μｍと求め
られる。この回路板の厚さは１．２ｍｍであって約１１
９０μｍ（４７ｍｉｌ）と換算することができ、絶縁基
板Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５の全体の厚さは次のよ
うになる。
【００３３】
【数８】
【００３４】そして，ＡおよびＤの値を式（ＩＩ）およ
び式（ＩＩＩ）に代入しＺｏ１とＺｏ２を計算すること
ができる。さらに、Ｚｏ１値とＺｏ２値との差およびＺ
ｏ１値とＺｏ２値とは、共に５５±１０％Ωの範囲内に
入るようにしてＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、式
（Ｉ）と式（ＩＩ）に代入しもう一つのＺｏ１とＺｏ２
を算出する。このように手探り（try & error）して最
適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｚｏ１とＺｏ２との間
の最小の差が見つかり、Ｚｏ１はＺｏ２と共に５５±１
０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）Ωの範囲内に納
めることが分る。それで、最適のＨ、ＡおよびＤが求め
られ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋１７７．８μｍ（配線層の全体
の厚さ）は１．２ｍｍ（回路板）である。
び式（ＩＩＩ）に代入しＺｏ１とＺｏ２を計算すること
ができる。さらに、Ｚｏ１値とＺｏ２値との差およびＺ
ｏ１値とＺｏ２値とは、共に５５±１０％Ωの範囲内に
入るようにしてＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、式
（Ｉ）と式（ＩＩ）に代入しもう一つのＺｏ１とＺｏ２
を算出する。このように手探り（try & error）して最
適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｚｏ１とＺｏ２との間
の最小の差が見つかり、Ｚｏ１はＺｏ２と共に５５±１
０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）Ωの範囲内に納
めることが分る。それで、最適のＨ、ＡおよびＤが求め
られ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋１７７．８μｍ（配線層の全体
の厚さ）は１．２ｍｍ（回路板）である。
【００３５】図５および図６を参照すると、本発明に係
る第３実施例の多層回路板５は、第１、第２、第３、第
４および第５の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４および
Ｆ５と、第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層
ＰＷＲは同様に圧接して厚さが約１．６ｍｍの回路板に
なる。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気
素子（図示しない）が実装される。
る第３実施例の多層回路板５は、第１、第２、第３、第
４および第５の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４および
Ｆ５と、第１、第２、第３および第４の信号線層Ｓ１，
Ｓ２，Ｓ３およびＳ４と、接地線層ＧＮＤと、電源線層
ＰＷＲは同様に圧接して厚さが約１．６ｍｍの回路板に
なる。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ４は電気
素子（図示しない）が実装される。
【００３６】第３実施例において、第１および第５の絶
縁基板Ｆ１およびＦ５はそれぞれ厚さが１４５±７．２
μｍであり、第２および第４の絶縁基板Ｆ２およびＦ４
はそれぞれ厚さが２０３±１０．２μｍであり、第３の
絶縁基板Ｆ３は厚さが６２５±３１．２μｍである。第
１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗
値Ｒｓ１を有する。第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮ
Ｄと電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有す
る。第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源線層Ｐ
ＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有する。第４の信号
線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４
を有する。前記絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４および
Ｆ５の厚みは前記範囲内に納まることにより、前記第
１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒ
ｓ３およびＲｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にすること
ができる。第３実施例において、第１および第５の絶縁
基板Ｆ１およびＦ５の厚さは等しく、約１４５μｍであ
る。第２および第４の絶縁基板Ｆ２およびＦ４は等し
く、約２０３μｍであり、第３の絶縁基板Ｆ３は約６２
５μｍである。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ
４は厚さが約１７．８μｍであり、第２および第３の信
号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮＤおよび電源線層
ＰＷＲはそれぞれ厚さが約３５．６μｍである。また、
第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，
Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望ましい。
縁基板Ｆ１およびＦ５はそれぞれ厚さが１４５±７．２
μｍであり、第２および第４の絶縁基板Ｆ２およびＦ４
はそれぞれ厚さが２０３±１０．２μｍであり、第３の
絶縁基板Ｆ３は厚さが６２５±３１．２μｍである。第
１の信号線層Ｓ１は接地線層ＧＮＤに対して第１の抵抗
値Ｒｓ１を有する。第２の信号線層Ｓ２は接地線層ＧＮ
Ｄと電源線層ＰＷＲに対して第２の抵抗値Ｒｓ２を有す
る。第３の信号線層Ｓ３は接地線層ＧＮＤと電源線層Ｐ
ＷＲに対して第３の抵抗値Ｒｓ３を有する。第４の信号
線層Ｓ４は電源線層ＰＷＲに対して第４の抵抗値Ｒｓ４
を有する。前記絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４および
Ｆ５の厚みは前記範囲内に納まることにより、前記第
１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒ
ｓ３およびＲｓ４は４９．５〜６０．５Ω内にすること
ができる。第３実施例において、第１および第５の絶縁
基板Ｆ１およびＦ５の厚さは等しく、約１４５μｍであ
る。第２および第４の絶縁基板Ｆ２およびＦ４は等し
く、約２０３μｍであり、第３の絶縁基板Ｆ３は約６２
５μｍである。第１および第４の信号線層Ｓ１およびＳ
４は厚さが約１７．８μｍであり、第２および第３の信
号線層Ｓ２およびＳ３、接地線層ＧＮＤおよび電源線層
ＰＷＲはそれぞれ厚さが約３５．６μｍである。また、
第１、第２、第３および第４の抵抗値Ｒｓ１，Ｒｓ２，
Ｒｓ３およびＲｓ４は等しくするのが望ましい。
【００３７】Ｒｓ１およびＲｓ４の値は下記の式（ｉ）
から算出される。
から算出される。
【００３８】
【数９】
【００３９】ここで、ＥRは誘電係数で、４．５であ
る。図６に示すように、Ｈは誘電厚みで、例えば第１、
第５の絶縁基板Ｆ１、Ｆ５の厚さであり、Ｗは信号線層
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４のトレースにおける幅で、約１
５２μｍであり、Ｔは信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４
の厚さである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２
およびＲｓ３は下記の式（ｉｉ）から求められる。
る。図６に示すように、Ｈは誘電厚みで、例えば第１、
第５の絶縁基板Ｆ１、Ｆ５の厚さであり、Ｗは信号線層
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４のトレースにおける幅で、約１
５２μｍであり、Ｔは信号線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４
の厚さである。同様に、第２および第３の抵抗値Ｒｓ２
およびＲｓ３は下記の式（ｉｉ）から求められる。
【００４０】
【数１０】
【００４１】ここで、ＥRは絶縁基板の誘電係数で、
４．５である。図６に示すように、Ａは第２および第４
の絶縁基板Ｆ２およびＦ４の厚さであり、Ｄは誘電厚み
で、第３の絶縁基板Ｆ３の厚さであり、そして、Ｔは信
号線層の厚さで、約３５．６μｍである。設計のため、
第１、第２、第３および第４の抵抗値は必ず４９．５〜
６０．５Ωに入っていなければならないので、始めに、
４９．５Ωおよび６０．５Ωをそれぞれ上式（ｉ）に代
入して第１の抵抗値Ｒｓ１または第４の抵抗値Ｒｓ４か
ら確実な範囲に納まるＨ値が得られる。
４．５である。図６に示すように、Ａは第２および第４
の絶縁基板Ｆ２およびＦ４の厚さであり、Ｄは誘電厚み
で、第３の絶縁基板Ｆ３の厚さであり、そして、Ｔは信
号線層の厚さで、約３５．６μｍである。設計のため、
第１、第２、第３および第４の抵抗値は必ず４９．５〜
６０．５Ωに入っていなければならないので、始めに、
４９．５Ωおよび６０．５Ωをそれぞれ上式（ｉ）に代
入して第１の抵抗値Ｒｓ１または第４の抵抗値Ｒｓ４か
ら確実な範囲に納まるＨ値が得られる。
【００４２】図６を参照すると、配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４、ＧＮＤおよびＰＷＲの厚さはそれぞれ約１
７．８μｍ、約３５．６μｍ、約３５．６μｍ、約３
５．６μｍ、約３５．６μｍおよび約１７．８μｍであ
る。従って、配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、ＧＮＤお
よびＰＷＲの全体の厚さは約１７８μｍと求められる。
この回路板５の厚さは１．６ｍｍであって約１６００μ
ｍ（６３ｍｉｌ）と換算することができ、絶縁基板Ｆ
１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４およびＦ５の全体の厚さは次のよ
うになる。
３、Ｓ４、ＧＮＤおよびＰＷＲの厚さはそれぞれ約１
７．８μｍ、約３５．６μｍ、約３５．６μｍ、約３
５．６μｍ、約３５．６μｍおよび約１７．８μｍであ
る。従って、配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、ＧＮＤお
よびＰＷＲの全体の厚さは約１７８μｍと求められる。
この回路板５の厚さは１．６ｍｍであって約１６００μ
ｍ（６３ｍｉｌ）と換算することができ、絶縁基板Ｆ
１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４およびＦ５の全体の厚さは次のよ
うになる。
【００４３】
【数１１】
【００４４】そして、ＡおよびＤの値を式（ｉｉ）およ
び式（ｉｉｉ）に代入し、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出す
ることができる。さらに、Ｒｓ１値とＲｓ４値との差お
よびＲｓ２値とＲｓ３値とは共に５５±１０％Ωの範囲
内に納まるようＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、Ｈ、
ＡおよびＤから手探りしてもう一つのＲｓ１またはＲｓ
４、および、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出する。このよう
にして、最適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｒｓ１また
はＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３の間の差が見つか
り、Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３はそ
れぞれ５５±１０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）
Ωの範囲内に納まることが分る。それで、最適のＨ、Ａ
およびＤが求められ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋１７７．８μｍ
（配線層の全体の厚さ）は約１．６ｍｍ（回路板５）で
ある。
び式（ｉｉｉ）に代入し、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出す
ることができる。さらに、Ｒｓ１値とＲｓ４値との差お
よびＲｓ２値とＲｓ３値とは共に５５±１０％Ωの範囲
内に納まるようＨ、ＡおよびＤを調整する。次に、Ｈ、
ＡおよびＤから手探りしてもう一つのＲｓ１またはＲｓ
４、および、Ｒｓ２またはＲｓ３を算出する。このよう
にして、最適のＨ、ＡおよびＤが求められ、Ｒｓ１また
はＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３の間の差が見つか
り、Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２またはＲｓ３はそ
れぞれ５５±１０％（４９．５Ω以上６０．５Ω以下）
Ωの範囲内に納まることが分る。それで、最適のＨ、Ａ
およびＤが求められ、２Ｈ＋２Ａ＋Ｄ＋１７７．８μｍ
（配線層の全体の厚さ）は約１．６ｍｍ（回路板５）で
ある。
【００４５】上式（ｉ）および（ｉｉ）に基づき、最適
値のＲｓ１またはＲｓ４、およびＲｓ２またはＲｓ３が
得られる。すなわち、Ｈ＝１４４．７８μｍ、Ａ＝２０
３．２μｍ、Ｄ＝６２４．８２μｍ、Ｒｓ１またはＲｓ
４＝６１．４Ω、Ｒｓ２またはＲｓ３＝５９Ωであり、
推奨範囲の５５±１０％Ω（４９．５Ω以上６０．５Ω
以下）に大体納まる。Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２
またはＲｓ３の差は約２．４Ωであり、非常に小さいの
で、インピーダンスを整合させることができる。
値のＲｓ１またはＲｓ４、およびＲｓ２またはＲｓ３が
得られる。すなわち、Ｈ＝１４４．７８μｍ、Ａ＝２０
３．２μｍ、Ｄ＝６２４．８２μｍ、Ｒｓ１またはＲｓ
４＝６１．４Ω、Ｒｓ２またはＲｓ３＝５９Ωであり、
推奨範囲の５５±１０％Ω（４９．５Ω以上６０．５Ω
以下）に大体納まる。Ｒｓ１またはＲｓ４およびＲｓ２
またはＲｓ３の差は約２．４Ωであり、非常に小さいの
で、インピーダンスを整合させることができる。
【００４６】上述した本発明の回路板の各構造によれ
ば、下記の効果が達成される。すなわち、 （１）高速信号伝送の反射を低く抑制することができ
る：第１、第２、第３と第４の抵抗値は相互にほぼ等し
いので、反射係数はかなり低くすることができる。反射
は極端に低減させることができるので、本発明の回路板
は高速信号伝送に適するようになる。
ば、下記の効果が達成される。すなわち、 （１）高速信号伝送の反射を低く抑制することができ
る：第１、第２、第３と第４の抵抗値は相互にほぼ等し
いので、反射係数はかなり低くすることができる。反射
は極端に低減させることができるので、本発明の回路板
は高速信号伝送に適するようになる。
【００４７】（２）電磁波妨害を少なくさせることがで
きる：反射の量がかなり抑制されることができるため、
定常波を引き起こすことはない。従って、電磁フラック
スの消磁率を向上させることによってＥＭＩの条件を満
たすことができる。 （３）レイアウトの過程において、抵抗をほぼ均一にな
らすことができるので、インピーダンス整合をすること
ができる。従って、配線層のトレース幅を変える必要が
なく抵抗制御することができる。
きる：反射の量がかなり抑制されることができるため、
定常波を引き起こすことはない。従って、電磁フラック
スの消磁率を向上させることによってＥＭＩの条件を満
たすことができる。 （３）レイアウトの過程において、抵抗をほぼ均一にな
らすことができるので、インピーダンス整合をすること
ができる。従って、配線層のトレース幅を変える必要が
なく抵抗制御することができる。
【００４８】以上、本発明の思想を良く理解できるよ
う、好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、本発
明は上記の例に限定されず、本発明の精神から逸脱しな
い範囲で修飾および変化も含まれることが明らかであろ
う。
う、好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、本発
明は上記の例に限定されず、本発明の精神から逸脱しな
い範囲で修飾および変化も含まれることが明らかであろ
う。
【００４９】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の多層回
路板によれば、インピーダンス整合にすることによって
高速信号の反射を低減し、且つ、電磁波妨害を減らすこ
とができる。
路板によれば、インピーダンス整合にすることによって
高速信号の反射を低減し、且つ、電磁波妨害を減らすこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る約１．０ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第１実施例の概略を示す図である。
ける第１実施例の概略を示す図である。
【図２】本発明に係る約１．２ｍｍ厚の多層回路板にお
ける実施例の概略を示す図である。
ける実施例の概略を示す図である。
【図３】本発明に係る約１．０ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第２実施例の部分拡大概略を示す図である。
ける第２実施例の部分拡大概略を示す図である。
【図４】本発明に係る約１．０ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第２実施例の他の部分拡大概略を示す図である。
ける第２実施例の他の部分拡大概略を示す図である。
【図５】本発明に係る約１．６ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第３実施例の概略を示す図である。
ける第３実施例の概略を示す図である。
【図６】本発明に係る約１．６ｍｍ厚の多層回路板にお
ける第３実施例の部分断面図である。
ける第３実施例の部分断面図である。
【図７】従来の約１．０ｍｍ厚の多層回路板の概略を示
す図である。
す図である。
【図８】従来の約１．２ｍｍ厚の多層回路板の概略を示
す図である。
す図である。
【図９】従来の約１．６ｍｍ厚の多層回路板の概略を示
す図である。
す図である。
【符号の説明】 Ｄ１，Ｅ１，Ｆ１…第１の絶縁基板 Ｄ２，Ｅ２，Ｆ２…第２の絶縁基板 Ｄ３，Ｅ３，Ｆ３…第３の絶縁基板 Ｄ４，Ｅ４，Ｆ４…第４の絶縁基板 Ｄ５，Ｅ５，Ｆ５…第５の絶縁基板 Ｓ１…第１の信号線層 Ｓ２…第２の信号線層 Ｓ３…第３の信号線層 Ｓ４…第４の信号線層 ＧＮＤ…接地線層 ＰＷＲ…電源線層 ５…多層回路板 １０，２０…電気素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA23 BB07 BB15 CC03 CC04 CC12 EE01 EE09 HH03
Claims (8)
- 【請求項１】 それぞれ順に重ねられた第１、第２、第
３、第４および第５の絶縁基板と、 前記第１の絶縁基板における前記第２の絶縁基板と対面
する面に設けられた第１の信号線層と、 前記第１および前記第２の絶縁基板の間に設けられた接
地線層と、 前記第２および前記第３の絶縁基板の間に設けられた第
２の信号線層と、 前記第３および前記第４の絶縁基板の間に設けられた第
３の信号線層と、 前記第４および前記第５の絶縁基板の間に設けられた電
源線層と、 前記第５の絶縁基板における前記第４の絶縁基板と対面
する面に設けられた第４の信号線層と、を有する回路板
であって、 前記第１、第２、第３、第４および第５の絶縁基板と、
前記第１、第２、第３および第４の信号線層と、前記接
地線層と、前記電源線層とは、互いに圧接により厚さが
約１．０ｍｍの回路板が形成され、 前記第１および前記第５の絶縁基板はそれぞれ厚さが
５．２２５〜５．７７５ｍｉｌであり、 前記第２および前記第４の絶縁基板はそれぞれ厚さが
７．６〜８．４ｍｉｌであり、 前記第３の絶縁基板は厚さが３．８〜４．２ｍｉｌであ
り、 前記第１の信号線層は前記接地線層に対して第１の抵抗
値を有し、前記第２の信号線層は前記接地線層と前記電
源線層に対して第２の抵抗値を有し、前記第３信号線層
は前記接地線層と前記電源線層に対して第３の抵抗値を
有し、前記第４の信号線層は前記電源線層に対して第４
の抵抗値を有し、 前記第１、第２、第３および第４の抵抗値を４９．５〜
６０．５Ωにすることを特徴とする多層回路板。 - 【請求項２】 前記第１、第３および第５の絶縁基板
は、少なくとも一つがポリエステルプレプレッグからな
ることを特徴とする請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項３】 前記第２および前記第４の絶縁基板は、
少なくとも一つが繊維質心材からなることを特徴とする
請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項４】 前記繊維質心材は、紙繊維を含むことを
特徴とする請求項３に記載の多層回路板。 - 【請求項５】 前記繊維質心材は、ガラス繊維を含むこ
とを特徴とする請求項３に記載の多層回路板。 - 【請求項６】 前記第１および前記第５の絶縁基板は厚
さが等しいことを特徴とする請求項１に記載の多層回路
板。 - 【請求項７】 前記第２および前記第４の絶縁基板は厚
さが等しいことを特徴とする請求項１に記載の多層回路
板。 - 【請求項８】 前記第１および前記第４の信号線層はそ
れぞれ厚さが約０．７ｍｉｌであり、 前記第２および前記第３の信号線層、並びに、前記接地
線層および前記電源線層は、それぞれ厚さが約１．４ｍ
ｉｌであることを特徴とする請求項１に記載の多層回路
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090241A JP2002299816A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 多層回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090241A JP2002299816A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 多層回路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299816A true JP2002299816A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18945052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001090241A Pending JP2002299816A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 多層回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299816A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212116A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Oki Printed Circuits Co Ltd | 多層プリント配線板 |
| WO2021102740A1 (zh) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 | 高频传输电路板及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233881A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | 株式会社日立製作所 | 印刷回路基板 |
| JPH0637515A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Nec Corp | 印刷配線板 |
| JPH06216501A (ja) * | 1993-01-19 | 1994-08-05 | Canon Inc | プリント配線板及びプリント配線板用部材 |
| JP2001044636A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Toshiba Corp | 印刷配線基板及び印刷配線基板を内蔵した電子機器 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001090241A patent/JP2002299816A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233881A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | 株式会社日立製作所 | 印刷回路基板 |
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| WO2021102740A1 (zh) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 庆鼎精密电子（淮安）有限公司 | 高频传输电路板及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100202 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100629 |