JP2020136158A - フレキシブルフラットケーブル、回路装置、及び画像処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高速信号伝送を行うフラットケーブルにおいては、伝送線路となる複数の導体線の導体幅やピッチが増大しても、所望の差動インピーダンスを実現し、高いシールド効果を有することが求められる。同時に、厚さが増大して、柔軟性（フレキシビリティ）が損なわれてしまわないことも求められる。【解決手段】導体線とシールドシートの間の絶縁部の厚みを部分的に変えることにより、柔軟性を保持しつつ、差動信号のインピーダンスマッチングを行い、シールド効果が得られる、高速信号伝送可能なフラットケーブルを提供することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、特に、複写機、プリンター、複合機などの画像処理装置に用いられる電気信号伝送用の回路基板間を接続するフレキシブルフラットケーブルに関する。

従来、複写機、プリンター、複合機などの画像形成装置の内部には、回路基板間を接続する内部インターフェースとしてのケーブルハーネス部材が用いられている。このような回路基板間を接続する内部インターフェースでは、信号伝送の高速化が進んでいる。電子機器を構成する複数の回路基板間または電子機器間同士でデジタル信号を高速に伝送するためには、所定の伝送路特性を満たす必要がある。また、回路基板及びケーブルのインピーダンスマッチングや、ＥＭＣ（Electro Magnetic Compatibility）対策のために、シールドも必要となってくる。

一般に、高速信号伝送する方式としては、例えば、ＬＶＤＳやＵＳＢ、ＨＤＭＩ（登録商標）、ＤＶＩなどが知られている。ここで、ＬＶＤＳは、Low Voltage Differential Signalingの略称である。ＵＳＢは、Universal Serial Busの略称である。ＨＤＭＩは、High-Definition Multimedia Interfaceの略称である。ＤＶＩは、Digital Visual Interfaceは、略称である。

このような高速信号伝送方式においては、伝送路として、差動信号線路（差動信号線路対）が使用される。差動信号線路対は、回路基板上で２本の信号線路対とグランドパターンとにより、特定の伝送路インピーダンスとなるように構成されている。また、回路基板間又は電子機器間の伝送においては、２本の信号線路対に接続したリード線をツイスト構造のケーブルハーネス部材としたり、信号線路対の１対毎にシールド構造としたりすることにより、信号伝送を行っている。
これらのケーブルハーネス部材は、高周波伝送用に特化したものであり、反射や減衰の少ない高周波伝送が可能であるが、部材の材料や構造及び製造上の理由で高コストとなってしまう。

上記のようなツイスト構造やシールド構造のケーブルハーネス部材以外にも、廉価な部材として、例えば、絶縁材料で複数の導電線を支持した構造のＦＦＣやＦＰＣケーブルなどのフラットケーブルが知られている。ここで、ＦＦＣはFlexible Flat Cableの略称であり、ＦＰＣはFlexible printed circuitsの略称である。
しかし、これらのＦＦＣやＦＰＣケーブルは、高周波伝送には必ずしも適しているとは言えない。これらのフラットケーブルは、複数の導体線路からなり各導体線路が近接しているため、伝送信号が高周波になるほど、反射や減衰やクロストークにより信号波形品質が低下してしまうためである。さらに、放射ノイズ（Radiation noise）や伝導ノイズ（Conduction noise）などの電磁干渉（ＥＭＩ：Electro Magnetic Interference）の問題も顕著となる。
また、汎用のＦＦＣやＦＰＣでは、導体線路の幅や導体線路間の距離は固定されており自由に調整できるものではないため、精度の良い伝送特性の調整が難しい。また、導体線路の幅や導体線路間の距離を調整する場合は、カスタム仕様となるため、コストアップの要因となってしまう。したがって、ＦＦＣやＦＰＣは、高速差動信号伝送ケーブルとしては使用されることは少ない。

また、上述の差動信号線路対による信号通信においては、実使用においては本来の差動信号成分（ディファレンシャルモード成分）以外に、同相信号成分（コモンモード成分）が生じてしまう。これは、共通グランド電位に対する差動信号Ｄ＋及びＤ−の電圧振幅差、位相差（ジッターなどによる１８０度の位相差に加わる位相誤差）、パルスの立ち上がり立下りの時間差、パルスのＯＮ／ＯＦＦ時間差などがあるためである。
コモンモード成分が発生する場合、フラットケーブルから外界にノイズとして放射したり、電源線路やグランド線路に結合して、接続される回路基板に伝搬してノイズを放射したりする原因となることがある。
このような現象により放射される放射ノイズを低減するために、導体線路を含むフラットケーブル全体をグランド電位の導体で被覆することによりシールドする方法がある。シールドすることにより、外来ノイズやイミュニティーに対する耐性ＥＭＳ（Electro Magnetic Susceptibility）を高めることもできる。

しかしながら、高速データ伝送線路では、使用される基本周波数が数１００ＭＨｚ以上であり、また、各差動信号Ｄ＋及びＤ−の振幅も５００ｍＶ程度以下と小さい。このため、差動信号線路対を覆うようにグランド電位の導体で被覆した場合、差動信号線路対のグランド電位に対する特性インピーダンスが低下する。そして、これにより、各信号の振幅が減衰し、差動信号Ｄ＋及びＤ−の振幅も小さくなる。また、シールド層を介してクロストークが増加する場合もある。そのため、フラットケーブルをシールドすると、信号のＳ／Ｎ比が低下し、伝送するデータのエラーレートが増加してしまう。

また、汎用のＦＦＣやＦＰＣでは、導体パターンとグランド電位での被覆との距離も固定されており自由に調整できるものではないため、精度の良い伝送特性の調整が難しい。したがって、シールド付のフラットケーブルを高速データ伝送に使用するためには、導体線路の静電容量を低下させて、特性インピーダンスを決められた値に合わせる必要がある。
また、フラットケーブルに被覆する構造は、ケーブルを構成する各信号線路とグランド電位の導体との絶縁を確保するために距離をとる必要がある。このため、ケーブルが厚く硬直した構造体となり、フラットケーブルの本来の特長である柔軟性（フレキシビリティー）が損なわれ、基板間接続を行なう上での自由度が失われる。
これらの数々の課題を解決するために、特性インピーダンスの制御を試みた技術として、例えば、以下の特許文献１及び特許文献２の先行技術文献に示さるように、いくつかの提案がなされている。

特許文献１には、複数の導体が平行に配列された導体列と、導体列を両側から挟んだ後にラミネート加工された接着層付き発泡絶縁体と、発泡絶縁体をさらに両側から挟んだ導電性接着層付き金属層と、を備えたフレキシブルフラットケーブルが開示されている。
このように、特許文献１のフレキシブルフラットケーブルは、導体列を発泡絶縁体によって両側から挟んだ後にラミネート加工する。これにより、発泡絶縁体の誘電率を空気の誘電率と複合させ、複合誘電率を発泡していない従来の絶縁体の誘電率よりも低くすることができる。そのため、特性インピーダンスのファクタである静電容量を制御し、特性インピーダンスを５０Ωとすることができるとされている。

しかしながら、特許文献１のフレキシブルフラットケーブルは、発泡絶縁体の厚みが１５０μｍ乃至２５０μｍと比較的大きく、また、導電性接着層付き金属層として、アルミニウム箔と基材フィルムとを積層したものを用いている。そのため、フレキシブルフラットケーブルは、全体として厚くなり、柔軟性が損なわれてしまう。

特許文献２には、グラウンド線や信号線を含む複数の導体と、複数の導体を挟装する絶縁材と、グラウンド線と接着されたシールド材と、複数の導体と反対側の面に貼着された補強板と、を備えるフレキシブルフラットケーブルが開示されている。
特許文献２のフレキシブルフラットケーブルでは、複数の導体は、それぞれ、０．３±０．０３ｍｍの導体幅で、０．５±０．０５ｍｍのピッチで平行に配列される。絶縁材は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、厚みが３４μｍである空孔含有層、及び絶縁性接着層が積層した空孔含有ポリエチレンテレフタレートで構成される。また、シールド材は、導電性接着剤からなる導電性接着層、空気を含んだ状態に形成された所定の樹脂に導電性粒子が均一に分散された厚みが２０μｍ以下であるポリマ系導電層からなるシールド層、及び基材フィルムが積層されたものである。

そして、絶縁材は、絶縁材と空孔含有層に含まれる空気とが複合されることにより、空孔含有層を含まない絶縁材に比べて誘電率が低くなる。誘電率が低くなることにより、差動インピーダンスを決定する静電容量を制御することが可能となるとされる。
また、シールド材も、同様に、空気を含んだ状態に形成された所定の樹脂に導電性粒子が均一に分散された厚みが２０μｍ以下であるポリマ系導電層を有するものが用いられている。これにより、導体とシールド層との間に生じる静電容量を制御することができ、差動インピーダンスを制御することができるとされる。

しかしながら、このフレキシブルフラットケーブルにおいては、伝送線路となる複数の導体は、それぞれ、０．３±０．０３ｍｍの導体幅、０．５±０．０５ｍｍのピッチで平行に配列されており、これより太い導体幅やピッチに適用できるものではない。例えば、０．５ｍｍの導体幅からなり、１．０ｍｍのピッチで平行に配列されたフレキシブルフラットケーブルに適用することできない。

特開２００３−３１０３３公報 特開２００５−３３９８３３公報

上述のように、複数の回路基板間などを接続して高速信号伝送を行うフラットケーブルにおいては、伝送線路となる複数の導体線の導体幅やピッチが増大しても、所望の差動インピーダンスを実現し、高いシールド効果を有することが求められる。同時に、厚さが増大して、柔軟性（フレキシビリティ）が損なわれてしまわないことも求められる。

本発明は、第１の方向に延伸する複数の導体線からなり、各導体線が前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って離れて配置される導体線群と、前記導体線群を両側から挟み込む絶縁シートと、前記絶縁シートの表面に貼着される導電性のシールドシートと、前記絶縁シートと前記シールドシートとの間に挿入されるスペーサと、を有するフラットケーブルであって、前記スペーサは、前記第１の方向に延伸し、それぞれが前記第２の方向に沿って離れて配置される複数の絶縁テープからなることを特徴とする。

本発明によれば、導体線とシールドシートの間の絶縁部の厚みを部分的に変えることにより、柔軟性を保持しつつ、差動信号のインピーダンスマッチングを行い、シールド効果が得られる、高速信号伝送可能なフラットケーブルを提供することができる。

実施例１のフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の断面図である。 フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）と回路基板とを接続した回路装置を説明する図である。 特性インピーダンスを説明するためのフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の断面図である。 特性インピーダンスを説明するためのフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の断面図である。 フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）が内蔵される画像処理装置の電気的構成を表すブロック図である。 実施例２のフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の断面図である。 実施例３のフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。
＜実施例１＞
図１は、本実施例のシールド付きフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の構造を説明する断面図である。
図１（ａ）は、本実施例のＦＦＣの基本的構造である。図１（ａ）において、複数本の導体線１１１〜１１６は、延伸する方向に垂直な方向に沿って、ほぼ平行に並列して配置される。各導体線１１１〜１１６（以下、これらをまとめて「導体線群１１」ともいう）は、それぞれ、平角導体から構成される。
導体線群１１は、両側から、複数の絶縁シート１２１，１２２，１２３（以下、これらをまとめて「絶縁シート１２」ともいう）により挟み込まれ、ラミネートされている。ラミネートされた各導体線１１１〜１１６の両端部には、絶縁シート１２を剥離して各平角導体を露出させた端子部（図２の導体露出部２０８，２０９を参照）が形成されている。

絶縁シート１２３の表面には、金属箔のシートからなるシールドシート１４が貼着されている。また、絶縁シート１２２とシールドシート１４の間には、絶縁シート１２とは異なる絶縁部材からなるテープ状の複数の絶縁テープ１３１，１３２，１３３（以下、これらをまとめて「絶縁テープ１３」ともいう）がスペーサとして挿入されている。
各絶縁テープ１３１，１３２，１３３は、各導体線１１１〜１１６と平行に並列して配置され、両面から絶縁シート１２２とシールドシート１４により挟み込まれ、ラミネートされている。絶縁テープ１３は、絶縁シート１２とシールドシート１４との間の距離を任意の距離に調整するためにスペーサとして挿入されるものである。シールドシート１４の外側は、さらに絶縁シート１２３でラミネートされている。

図１（ｂ）は、図１（ａ）のシールド付きフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）に対して、シールドシート１４の一部を導体線１１１及び１１６と接続した例である。図１（ｂ）では、両端に配置された導体線１１１及び１１６上の絶縁シート１２２を部分的に除去し、導電性接着剤を用いてシールドシート１４と導体線１１１，１１６を電気的に接続している。

図１（ｂ）の構造のＦＦＣの動作原理について、図１（ｃ）及び図１（ｄ）を用いて説明する。ここでは、実際の使用例として、２ペアの差動信号線路対を、グランド電位に接続される２本の導体線で挟んだ例を示す。
図１（ｃ）において、導体線１１１及び１１６は、ＦＦＣに接続される２つの基板のグランド電位に接続される（図２を参照）。
導体線１１２には差動信号Ｄ０＋が入力され、導体線１１３には差動信号Ｄ０−が入力される。Ｄ０＋とＤ０−とは、１ペアの差動信号対を構成する。
また、導体線１１４には差動信号Ｄ１＋が入力され、導体線１１５には差動信号Ｄ１−が入力される。Ｄ１＋とＤ１−とは、他の１ペアの差動信号対を構成する。

ここで、例えば、導体線１１２の差動信号Ｄ０＋の信号電流が図の手前から奥方向に流れている瞬間においては、導体線１１３の差動信号Ｄ０−の信号電流は図の奥から手前方向に流れている。この瞬間において、導体線１１２には右回りの磁界が発生し、導体線１１３には左回りの磁界が発生して、相互に磁界を打ち消し合う。
同様に、差動信号Ｄ１＋により導体線１１４に発生する磁界と、差動信号Ｄ１−により導体線１１５に発生する磁界も、相互に打ち消し合う。

この動作原理のため、差動信号対を構成するＤ０＋とＤ０−は、密結合する必要がある。同様に、差動信号対を構成するＤ１＋とＤ１−も、密結合する必要がある。
一方、差動信号対Ｄ０（＋，−）と差動信号対Ｄ１（＋，−）とは、電磁界結合しないようにする必要がある。これは、Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）の結合度が高いと、クロストークが増加してしまうためである。
しかし、導体線１１２と導体線１１３との間隔と、導体線１１３と導体線１１４との間隔は同じであるため、そのままでは各導体線間の電磁界結合度もそれぞれ同じになってしまう。そこで、各導体線１１２〜１１５とシールドシート１４との距離を幅方向の位置に応じて異ならしめることによって、各導体線の電磁界結合度を制御する。

図１（ｄ）を用いて、図１（ｂ）のＦＦＣの内部構造について説明する。
図１（ｄ）に示すように、導体線１１２の幅方向において左側の一部（例えば、約半分）が重なる位置に、絶縁テープ１３１が挿入される。同様に、導体線１１３の幅方向において右側の一部（例えば、約半分）が重なる位置に、絶縁テープ１３２が挿入される。また、導体線１１４及び導体線１１５についても同様である。

絶縁テープ１３１が挿入されることにより、導体線１１２は、幅方向の左側においてシールドシート１４との間隔が拡がる。これにより、導体線１１２の幅方向の左側において、導体線１１２とシールドシート１４との電磁界結合度が低下し、静電容量も低下する。
一方、導体線１１２は、幅方向に右側においてはシールドシート１４との間隔は拡がらない。このため、導体線１１２の幅方向の右側において、導体線１１２とシールドシート１４との電磁界結合度は低下せず、静電容量も低下しない。

同様に、絶縁テープ１３２が挿入されることにより、導体線１１３は、幅方向の右側において、シールドシート１４との間隔が拡がり、導体線１１３とシールドシート１４との電磁界結合度が低下し、静電容量も低下する。一方、導体線１１３は、幅方向の左側においては、シールドシート１４との間隔は拡がらず、導体線１１３とシールドシート１４との電磁界結合度は低下せず、静電容量も低下しない。
また、導体線１１４については導体線１１２と同様であり、導体線１１５については導体線１１３と同様である。

上述した効果の結果として、導体線１１２と導体線１１３とは、差動信号対として結合度が増し、導体線１１４と導体線１１５とは、差動信号対として結合度が増す。そして、導体線１１３と導体線１１４の結合度を、相対的に低くすることができる。
これにより、導体線１１２と導体線１１３とを流れる差動信号対Ｄ０と、導体線１１４と導体線１１５とを流れる差動信号対Ｄ１とによって発生するクロストークを、低減させることができる。
また、各導体線１１２〜１１５の静電容量を低下させることにより、各差動信号対Ｄ０及びＤ１の差動インピーダンスを一般的に要求される例えば１００Ωに調整することが可能となる。

仮に、絶縁テープ１３を挿入することなく、後述の図３（ａ）で示すように、全面にシールドシート４４を挿入してしまうと、静電容量が大きくなり過ぎて、特性インピーダンスが低くなり過ぎてしまう。また、導体線１１２と導体線１１３とを流れる差動信号対Ｄ０と、導体線１１４と導体線１１５とを流れる差動信号対Ｄ１により発生するクロストークが大きくなってしまう。
また、仮に、絶縁テープ１３を一部分ではなく全面に挿入してしまうと、フラットケーブルの厚さが増してしまい、フレキシブル性能が低下してしまう。また、導体線１１２と導体線１１３とを流れる差動信号対Ｄ０と、導体線１１４と導体線１１５とを流れる差動信号対Ｄ１により発生するクロストークを低減する効果が期待ほど得られずない。このため、差動信号の並行度が低下して、ＲＦＩ（Radio Frequency Interference）が増加する可能性が高まってしまう。

図２は、本実施例のシールド付きフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）を、差動信号送信回路基板と差動信号受信回路基板とに接続して、回路装置を構成した例を説明する図である。なお、図２（ａ）及び（ｂ）においては、説明を簡略化するために、差動信号対は１ペアのみを示している。ただし、図１（及び、後述の図６、図７）のようなＦＦＣを用いる場合は、差動信号対は２ペアとなる。

図２（ａ）において、差動信号送信回路基板２１と、差動信号受信回路基板２２とは、フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）２０を介して接続されている。ＦＦＣ２０は、幅Ｓ１の導体露出部２０８を接点として差動信号送信回路基板２１に接続され、また、幅Ｓ２の導体露出部２０９を接点として差動信号送信回路基板２２に接続される。
補強板２０６及び２０７は、それぞれ、差動信号送信回路基板２１及び差動信号受信回路基板２２の接続部に、ＦＦＣ２０を挿入する際の強度を保つための部材である。

図２に示すＦＦＣ２０では、導体線は７つの平角導体（ピン）から構成される。導体線の第３ピン２０３及び第４ピン２０４には、それぞれ、差動信号送信回路基板２１の差動信号線路２１２及び２１３に接続され、差動信号のＤ０＋及びＤ０−が入力される。また、導体線の第２ピン２０２及び第５ピン２０５は、それぞれ、差動信号線路２１２及び２１３から構成される差動信号線路対を挟む、ＧＮＤガード線路２１４及び２１５に接続される。各ピン２０１〜２０７の間は、絶縁部材によって絶縁されている。

差動信号送信回路基板２１は、一般的なプリント基板であり、４層で構成されている。第１層及び第４層の表層には差動信号出力デバイス２１１などの信号回路が配置され、第２層にはＧＮＤプレーンが配置され、第３層には電源配線が配置されている。差動信号送信回路基板２１の第１層に配置された差動信号出力デバイス２１１から出力された差動信号は、第１層に設けられた差動信号線路２１２，２１３に入力される。そして、抵抗２１６，２１７及び抵抗２１８によりＦＦＣ２０のインピーダンスと整合するように調整されて、ＦＦＣ２０に入力される。

差動信号線路２１２及び２１３は、並行して配置され、差動信号線路対を形成する。差動信号線路２１２及び２１３は、図２では示されないＧＮＤ配線で挟まれたコプレーナ線路、又は、隣接内層の第２層をＧＮＤプレーンとしたマイクロストリップ線路になっている。
差動信号線路２１２及び２１３は、ディファレンシャルモードのインピーダンスＺｄ１が１００Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層である第１層と隣接するＧＮＤ層である第２層間の距離が設計されている。また、差動信号線路２１２及び２１３は、コモンモードのインピーダンスＺｃ１が５０Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層である第１層と隣接するＧＮＤ層である第２層間の距離が設計されている。
差動信号線路２１２及び２１３からなる差動信号線路対を挟み込み、ＦＦＣ２０の第２ピン２０２と第５ピン２０５に接続されるＧＮＤガード線路２１４及び２１５は、それぞれ、ＧＮＤに接続される。

差動信号受信回路基板２０も、差動信号送信回路基板１０と同様に、一般的なプリント基板により構成される回路基板である。差動信号受信回路基板２２において、差動信号送信回路基板２１の差動信号出力デバイス２１１から出力された差動信号Ｄ０＋とＤ０−は、ＦＦＣ２０の第３ピン２０３及び第４ピン２０４を介して、それぞれ、差動信号線路２２２及び２２３に入力される。そして、差動信号線路２２２及び２２３は、差動信号入力デバイス２２１の差動入力端子に接続される。

差動信号入力デバイス２２１の内部では、差動入力端子間は１００Ωで終端されている。差動信号線路２２２及び２２３から構成される差動信号線路対は、図２では示されないＧＮＤ配線で挟まれたコプレーナ線路、又は、隣接内層の第２層をＧＮＤプレーンとしたでマイクロストリップ線路になっている。
差動信号線路２２２及び２２３は、ディファレンシャルモードのインピーダンスＺｄ１が１００Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接するＧＮＤ層間の距離が設計されている。また、差動信号線路２２２及び２２３は、コモンモードのインピーダンスＺｃ１は５０Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接するＧＮＤ層間の距離が設計されている。
ＦＦＣ２０の第３ピン２０３と第４ピン２０４の両側に隣接する、第２ピン２０２及び第５ピン２０５に接続されるＧＮＤガード線路２２４及び２２５は、ＧＮＤに接続される。

ＦＦＣ２０の第３ピン２０３に流れる差動信号Ｄ０＋の電流の方向と、第４ピン２０４に流れる差動信号Ｄ０−の電流の方向は逆であり、電磁界が相殺されるためには、第３ピン２０３と第４ピンの電磁界結合は密である必要がある。

一方、ＧＮＤガード線路２２４に接続される、ＦＦＣ２０の第２ピン２０２には、第３ピン２０３に流れる差動信号Ｄ０＋の電流とは逆方向に誘導電流が発生する。また、ＧＮＤガード線路２２５に接続される、ＦＦＣ２０の第５ピン２０５には、第４ピン２０４に流れる差動信号Ｄ−の電流とは逆方向に誘導電流が発生する。
ＦＦＣ２０の第２ピン２０２と第５ピン２０５に流れる誘導電流の方向は逆であるが、第２ピン２０２と第５ピン２０５とは距離が離れているため、電磁結合度が低く電磁界が相殺され難い。

ＦＦＣ２０の第２ピン２０２のＧＮＤガード線及び第５ピン２０５のＧＮＤガード線は、シールドとしての効果はある。しかし、ＦＦＣ２０の第２ピン２０２からＧＮＤガード線２１４及び２２４を介して差動信号送信回路基板２１又は差動信号受信回路基板２２のＧＮＤへ流れる電流は、各基板にコモンモードノイズを伝搬することになり、電磁干渉の発生源となる場合がある。また、ＦＦＣ２０の第５ピン２０５からＧＮＤガード線２１５及び２２５を介して差動信号送信回路基板２１又は差動信号受信回路基板２２のＧＮＤへ流れる電流についても、同様である。

ＧＮＤガード線路２１４に接続される、ＦＦＣ２０の第２ピン２０２に発生する誘導電流を少なくするためには、第２ピン２０２と、差動信号Ｄ０＋が流れる第３ピン２０３との距離を離して、電磁結合度を低くすればよい。同様に、第５ピン２０５に発生する誘導電流を少なくするためには、第５ピン２０５と、差動信号Ｄ０−が流れる第４ピン２０４との距離を離して、電磁結合度を低くすればよい。
しかし、ＦＦＣ２０の配線間ピッチは、一律で固定されているため、距離を離すことはできない。

そこで、図２（ｂ）に示すように、差動電流Ｄ０＋が流れる第３ピン２３３と、差動電流Ｄ０−が流れる第４ピン２３４の両側に隣接する、第２ピン２３２と第５ピン２３５には何も接続しないようにすることが考えられる。そして、第１ピン２３１及びと第６ピン２３６に、それぞれ、ＧＮＤガード線路２１４及び２１５を接続すれば、第１ピン２３１と第６ピン２３６に発生する誘導電流を低減させることができる。
しかし、ＧＮＤガード線路２１４に接続される第２ピン２０２と、差動信号線路２１２に接続される第３ピン２０３との距離を離すと、第２ピン２０２のシールドとしての効果も下がることになるため、トレードオフの関係にある。

また、第３ピン２０３に流れる差動電流Ｄ０＋と第４ピン２０４に流れる差動電流Ｄ０−が完全に対称でない場合は、その差分がコモンモード電流となり、電磁干渉を発生させてしまう。このため、本来であれば、ＧＮＤガード線路２１４に接続される第２ピン２０２とＧＮＤガード線路２１５に接続される第５ピン２０５に流れる電流によって、電磁界が相殺されるが、実際には、対称性が保たれないために、完全には相殺されない場合がある。

そこで、本実施例においては、シールドシート１４にコモンモード電流のリターン電流が流れることにより、電磁界を相殺させて、電磁干渉が発生することを防止する。
ＦＦＣ２０のインピーダンスは、導体線の材質と幅、導体線間の距離、絶縁体の材質と厚さや幅で決まる。そのため、本実施例のようなスペーサ１３を挿入することにより、ＦＦＣ２０を流れる差動信号に対する特性インピーダンスを調整することができる。

次に、図３に示すフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）のモデルを用いて、特性インピーダンスについて説明する。
図３（ａ）は、シールド導体面のあるタイプのＦＦＣであり、シールド導体面をＧＮＤに接続した場合はマイクロストリップ線路に相当する。図中、３２〜３５は導体線に対応する信号線、４３は絶縁体、４４はシールドシートに対応するシールドである。
図３（ｂ）は、シールド導体面のないタイプのＦＦＣであり、両端の信号線３２及び３５をＧＮＤに接続した場合はコプレーナ線路に相当する。

図３（ａ）に示される、シールド導体面のあるタイプのＦＦＣについて、シールド導体面をＧＮＤに接続した場合、差動インピーダンスは１００Ω程度である。反射や挿入損失や
クロストークは少なく、近端クロストークは、１ＧＨｚで−１０ｄＢ程度、遠端クロストークは、１ＧＨｚで−３５ｄＢ程度である。
また、シールドシート１４によりリターンパスが確保でき、コモンモードノイズの発生を抑制することができる。放射ノイズは、伝送信号１ＧＨｚ近傍ではＣＩＳＰＲ−ＣｌａｓｓＢを満たせるポテンシャルがあることが確認されている。
信号波形に関しては、一般的に、実際の伝送波形に与える影響は、挿入損失が最も大きく、次いで、クロストーク、反射損失である。しかし、反射損失が−１０ｄＢ以上になると、挿入損失も急激に劣化するので考慮する必要がある。

図３（ａ）に示されるＦＦＣの特性インピーダンス（Ｚ_０）は、式（１）のとおり、インダクタンス（Ｌ）と静電容量（Ｃ）から求められる。また、静電容量（Ｃ）は、式（２）のとおり、ＦＦＣの導体線幅（ｗ），絶縁層厚（ｄ），絶縁層の誘電率（ε）に依存する。
したがって、特性インピーダンス（Ｚ_０）は、式（３）のとおり、導体幅（ｗ）と絶縁層の誘電率（ε）の平方根に反比例し、絶縁層厚（ｄ）の平方根に比例することになる。

Ｚ_０＝ √（Ｌ／Ｃ） ・・・（１）
Ｌ（Ｈ／ｍ）：単位長さあたりのインダクタンス
Ｃ（Ｆ／ｍ）：単位長さあたりの静電容量
Ｃ 〜 ε（ｗ／ｄ） ・・・（２）
Ｚ_０ ∝ √（ｄ／εｗ） ・・・（３）

特性インピーダンスの制御がしやすい材料としては、低誘電率で、絶縁層厚が均一であることが要求される。導体線幅（ｗ）の設計自由度を大きくするためには、式（３）から、厚さ（ｄ）が厚く、誘電率（ε）が低い絶縁材料が求められる。なお、一般的なＰＩフィルムの誘電率は、１ＭＨｚで約３．５である。
なお、上記の式を本実施例のＦＦＣに適用する場合には、導体線幅（ｗ）と絶縁層厚（ｄ）が複数の値を持つことになるため、簡易的にそれらの複数の値を１つの値に近似して特性インピーダンスを算出する。

図４は、特性インピーダンスの説明のために簡略化したフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）のモデルの断面図である。図４に示したＦＦＣのモデルを用いて、隣接する線路が特性インピーダンスに与える影響について説明する。
図４（ａ）は、単一の導体線を有するＦＦＣ３０の断面図であり、その特性インピーダンスＺ_０の計算式を式（Ａ）として示している。
図４（ｂ）は、隣接する複数の導体線を有するＦＦＣ３０の断面図であり、その特性インピーダンスＺ_０の計算式を式（Ｂ）として示している。

式（Ａ）及び式（Ｂ）において、各記号は以下のとおりである。
Ｚ_０：特性インピーダンス
Ｚｄｉｆｆ：差動インピーダンス
ｗ：導体線幅
ｔ：導体線の厚さ
ｈ：絶縁層の厚さ
ε_ｒ：絶縁層の誘電率
ｓ：ＦＦＣの導体線間幅

式（Ａ）及び式（Ｂ）に示されるように、導体線幅（ｗ）及び導体線間隔（ｓ）は、隣接する導体線の各インピーダンスに影響を与える。そして、隣接する導体線で一方の導体線のインピーダンスが他方の導体線のインピーダンスに影響することが理解される。そして、隣接する導体線で一方の導体線が例えば１００Ωで終端されているかＧＮＤに短絡されているかによって、他方の導体線のインピーダンスが影響されることになる。したがって、信号線路に隣接するガード線路に接続する抵抗の値を調整することにより、信号線路のインピーダンスを調整することができる。

次に、図５を用いて、フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）が内蔵される画像処理装置３００について説明する。本実施例において、画像処理装置３００は、プリント機能やスキャン機能などを有する画像形成装置（複合機）である。

図５は、実施例において用いられる画像処理装置３００の電気的構成を表すブロック図である。
図５において、コントローラ基板３１０は、画像処理装置３００を制御するシステムコントローラであり、１つのＰＣＢ基板で構成されている。
制御部３１１は、システムコントローラ３１０の動作全体を制御するＣＰＵである。ＲＯＭ３１２は、制御部３１１が実行するプログラムや各種のデータ等を格納している。ＲＡＭ３１３は、制御部３１１が実行するプログラムを制御部３１１の制御の下に展開する。さらに、ＲＡＭ３１３は、制御部３１１のワークエリア、及び、複写機能で使用する画像用メモリ領域としても利用される。画像処理部３１４は、画像読取部３２３で読み取られた画像データや画像形成部へ出力する画像データの変換処理を行う。

ＵＳＢ通信部３１５は、画像形成部３２４へ画像データを出力するために、コンピュータ（ＰＣ）３００１からローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）３００４を介して画像データを受信する。また、ＵＳＢ通信部３１５は、画像読取部３２３で読み取られた画像データをＰＣ３００１に転送する。

ネットワーク通信部３１６は、画像形成部３２４へ画像データを出力するためにＰＣ３００１からＬＡＮ３００４を介して画像データを受信する。また、ネットワーク通信部３１６は、画像読取り部で読み取られた画像データをＰＣ３００１に転送する。

ネットワーク通信部３１６とＬＡＮ３００４とのインターフェースは、ＬＡＮケーブル３００３を用いて差動伝送が行われる。ＵＳＢ通信部３１５とＰＣ３００１とのインターフェースは、ＵＳＢケーブル３００２を用いて差動伝送が行われる。

操作部３２２は、画像処理装置３００をユーザーが操作するための各種キーからなる。表示部３２１は、画像処理装置を操作するための各種情報を表示する。
画像読取部３２３は、原稿を読み取る原稿読取手段である。
画像形成部３２４は、画像データを記録紙に出力する画像形成手段である。画像形成部３２４は、複写動作の場合、画像読み取り部３２３で読み取られた画像データを出力する。また、プリント動作の場合、ＰＣ３００１から転送された画像データを出力する。

画像処理装置３００において、コントローラ基板３１０のインターフェース部３１７と表示部３２１との間は、ＦＦＣを用いて、ＬＶＤＳやＴＭＤＳ伝送が行われる。なお、ＴＭＤＳはTransition Minimized Differential Signalingの略称である。
また、インターフェース部３１７と操作部３２２との間、インターフェース部３１７と画像読取部３２３との間、インターフェース部３１７と画像形成部３２４との間も、それぞれ、ＦＦＣを用いた差動伝送が行われる。

以上のように、実施例１のＦＦＣによれば、柔軟性を確保しつつ、回路基板とのインピーダンス整合とクロストークの低減により伝送特性を高め、シールド効果によりＥＭＩやＥＭＳを向上させた、基板間の高速信号伝送が可能となる。
また、実施例１のＦＦＣを製造するにあたっては、ＦＦＣの標準的な製造工程をそのまま使用できるため、大きなコストアップを伴うこともない。

＜実施例２＞
図６は、実施例２のシールド付きフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の構造を説明する断面図である。実施例１との相違は、図６に示すように、両端の２本の導体線６１１及び６１７に加えて、中央の導体線６１４をＧＮＤガード線に接続し、２ペアの差動信号対Ｄ０（＋，−）及びＤ１（＋，−）を、３本の導体線６１１，６１４，６１７で挟んでいることである。
このように、Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）の間に導体線６１４を配置することにより、Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）が電磁界結合しなくなり、クロストークが低減される。これにより、差動信号の対称性が向上し、実施例１よりも更に伝送特性を向上させることができる。

図６において、実施例１と同様に、複数本の導体線６１１〜６１７は、延伸する方向に垂直な方向に沿って、ほぼ平行に並列して配置される。各導体線６１１〜６１７（以下、これらをまとめて「導体線群６１」ともいう）は、それぞれ、平角導体から構成される。
導体線群６１は、両側から、複数の絶縁シート６２１，６２２，６２３（以下、これらをまとめて「絶縁シート６２」ともいう）により挟み込まれ、ラミネートされている。ラミネートされた各導体線６１１〜６１７の両端部には、絶縁シート６２を剥離して各平角導体を露出させた端子部が形成されている。

絶縁シート６２３の表面には、金属箔のシートからなるシールドシート６４が貼着されている。また、絶縁シート６２２とシールドシート６４の間には、絶縁シート６２とは異なる絶縁部材からなるテープ状の複数の絶縁テープ６３１，６３２，６３３，６２４（以下、これらをまとめて「絶縁テープ６３」ともいう）がスペーサとして挿入されている。
各絶縁テープ６３１，６３２，６３３，６３４は、各導体線６１１〜６１７と平行に並列して配置され、両面から絶縁シート６２２とシールドシート６４により挟み込まれ、ラミネートされている。シールドシート６４の外側は、さらに絶縁シート６２３でラミネートされている。

両端に配置された導体線６１１及び６１７上の絶縁シート６２２は部分的に除去され、導電性接着剤を用いてシールドシート６４と導体線６１１，６１７が電気的に接続されている。

両端に配置された導体線６１１及び６１７と、中央に配置された導体線６１４は、ＦＦＣに接続される２つの基板のグランド電位に接続される（図２を参照）。
導体線６１２には差動信号Ｄ０＋が入力され、導体６１３には差動信号Ｄ０−が入力される。Ｄ０＋とＤ０−とは、１ペアの差動信号対を構成する。また、導体６１５には差動信号Ｄ１＋が入力され、導体線６１６には差動信号Ｄ１−が入力される。Ｄ１＋とＤ１−とは、他の１ペアの差動信号対を構成する。

ここで、例えば、導体線６１２の差動信号Ｄ０＋の信号電流が図の手前から奥方向に流れている瞬間においては、導体線６１３の差動信号Ｄ０−の信号電流は図の奥から手前方向に流れている。この瞬間において、導体線６１２には右回りの磁界が発生し、導体線６１３には左回りの磁界が発生して、相互に磁界を打ち消し合う。
同様に、差動信号Ｄ１＋により導体線６１５に発生する磁界と、差動信号Ｄ１−により導体線６１６に発生する磁界も、相互に打ち消し合う。

この動作原理のため、差動信号対を構成するＤ０＋とＤ０−は、密結合する必要がある。同様に、差動信号対を構成するＤ１＋とＤ１−も、密結合する必要がある。一方、差動信号対Ｄ０（＋，−）と差動信号対Ｄ１（＋，−）とは、電磁界結合しないようにする必要がある。
そこで、実施例２では、導体線６１３と導体線６１５との間隔を離すために、導体線６１３と導体線６１５との間にグランド電位に接続する導体線６１４を配置する。

また、実施例１と同様に、導体線６１２の幅方向において左側の一部（例えば、約半分）が重なる位置に、絶縁テープ６３１が挿入される。同様に、導体線６１３の幅方向において右側の一部（例えば、約半分）が重なる位置に、絶縁テープ６３２が挿入される。また、導体線６１５及び導体線６１６についても同様である。

絶縁テープ６３１が挿入されることにより、導体線６１２は、幅方向の左側においてシールドシート６４との間隔が拡がる。これにより、導体線６１２の幅方向の左側において、導体線６１２とシールドシート６４との電磁界結合度が低下し、静電容量も低下する。
一方、導体線６１２は、幅方向に右側においてはシールドシート６４との間隔は拡がらない。このため、導体線６１２の幅方向の右側においては、導体線６１２とシールドシート６４との電磁界結合度は低下せず、静電容量も低下しない。

同様に、絶縁テープ６３２が挿入されることにより、導体線６１３は、幅方向の右側において、シールドシート６４との間隔が拡がり、導体線６１３とシールドシート６４との電磁界結合度が低下し、静電容量も低下する。一方、導体線６１３は、幅方向の左側においては、シールドシート６４との間隔は拡がらず、導体線６１３とシールドシート６４との電磁界結合度は低下せず、静電容量も低下しない。
また、導体線６１５については導体線６１２と同様であり、導体線６１６については導体線６１３と同様である。

上述した効果の結果として、導体線６１２と導体線６１３とは、差動信号対として結合度が増し、導体線６１５と導体線６１６とは、差動信号対として結合度が増す。そして、導体線６１３と導体線６１５の間にグランド電位に接続する導体線６１４を設けたため、導体線６１３と導体線６１４の結合度を低減することができる。
これにより、導体線６１２と導体線６１３とを流れる差動信号対Ｄ０と、導体線６１５と導体線６１６とを流れる差動信号対Ｄ１とによって発生するクロストークを、低減させることができる。
また、各導体線６１２，６１３，６１５，６１６の静電容量を低下させることにより、各差動信号対Ｄ０及びＤ１の差動インピーダンスを一般的に要求される例えば１００Ωに調整することが可能となる。

仮に、絶縁テープ６３を挿入することなく、図３（ａ）で示すように、全面にシールドシート４４を挿入してしまうと、静電容量が大きくなり過ぎて、特性インピーダンスが低くなり過ぎてしまう。また、仮に、絶縁テープ６３を一部分ではなく全面に挿入してしまうと、フラットケーブルの厚さが増してしまい、フレキシブル性能が低下してしまう。

以上のように、実施例２のＦＦＣによれば、柔軟性を確保しつつ、回路基板とのインピーダンス整合とクロストークの低減により伝送特性を高め、シールド効果によりＥＭＩやＥＭＳを向上させた、基板間の高速信号伝送が可能となる。
また、実施例２のＦＦＣを製造するにあたっては、ＦＦＣの標準的な製造工程をそのまま使用できるため、大きなコストアップを伴うこともない。

＜実施例３＞
図７は、実施例３のシールド付きフレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）の構造を説明する断面図である。実施例２との相違は、図７に示すように、ＧＮＤガード線に接続していた中央の導体線（図６の６１４）が削除されていることである。
このように、差動信号対Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）の間の導体線を削除して、Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）の間の距離を拡げることにより、Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）が電磁界結合しなくなり、クロストークが低減される。それにより、差動信号の対称性が向上し、実施例１よりも更に伝送特性を向上させることができる。

また、実施例２のように差動信号対Ｄ０（＋，−）とＤ１（＋，−）の間に導体線があると、Ｄ０−に接続される導体線６１３から、導体線６１４に対して生じるクロストークが、基板２１や２２にコモンモードノイズを発生させる場合がある。また、Ｄ１＋に接続される導体線６１５から、導体線６１４に対して生じるクロストークが、基板２１や２２にコモンモードノイズを発生させる場合がある。
特に、基板２１や２２のＧＮＤが弱い場合や、基板２１，２２内の導体線が差動信号に対するＧＮＤへのリターンパスとして不十分な場合に、このような状態になると考えられる。このような場合は、実施例２の構造よりも、実施例３の構造の方が電気的特性が良くなる場合がある。

図７において、中央部（図中の７１４）を除いて、実施例２と同様に、複数本の導体線７１１〜７１３．７１５〜７１７は、延伸する方向に垂直な方向に沿って、ほぼ平行に並列して配置される。各導体線７１１〜７１３．７１５〜７１７（以下、これらをまとめて「導体線群７１」ともいう）は、それぞれ、平角導体から構成される。
導体線群７１は、両側から、複数の絶縁シート７２１，７２２，７２３（以下、これらをまとめて「絶縁シート７２」ともいう）により挟み込まれ、ラミネートされている。ラミネートされた各導体線７１１〜７１３．７１５〜７１７の両端部には、絶縁シート７２を剥離して各平角導体を露出させた端子部が形成されている。

絶縁シート７２３の表面には、金属箔のシートからなるシールドシート７４が貼着されている。また、絶縁シート７２２とシールドシート７４の間には、絶縁シート７２とは異なる絶縁部材からなるテープ状の複数の絶縁テープ７３１，７３２，７３３（以下、これらをまとめて「絶縁テープ７３」ともいう）がスペーサとして挿入されている。
各絶縁テープ７３１，７３２，７３３は、各導体線７１１〜７１３．７１５〜７１７と平行に並列して配置され、両面から絶縁シート７２２とシールドシート７４により挟み込まれ、ラミネートされている。シールドシート７４の外側は、さらに絶縁シート７２３でラミネートされている。

両端に配置された導体線７１１及び７１７上の絶縁シート７２２は部分的に除去され、導電性接着剤を用いてシールドシート７４と導体線７１１，７１７が電気的に接続されている。

両端に配置された導体線７１１及び７１７は、ＦＦＣに接続される２つの基板のグランド電位に接続される（図２を参照）。
導体線７１２には差動信号Ｄ０＋が入力され、導体７１３には差動信号Ｄ０−が入力される。Ｄ０＋とＤ０−とは、１ペアの差動信号対を構成する。また、導体７１５には差動信号Ｄ１＋が入力され、導体線７１６には差動信号Ｄ１−が入力される。Ｄ１＋とＤ１−とは、他の１ペアの差動信号対を構成する。

ここで、例えば、導体線７１２の差動信号Ｄ０＋の信号電流が図の手前から奥方向に流れている瞬間においては、導体線７１３の差動信号Ｄ０−の信号電流は図の奥から手前方向に流れている。この瞬間において、導体線７１２には右回りの磁界が発生し、導体線７１３には左回りの磁界が発生して、相互に磁界を打ち消し合う。
同様に、差動信号Ｄ１＋により導体線７１５に発生する磁界と、差動信号Ｄ１−により導体線７１６に発生する磁界も、相互に打ち消し合う。

この動作原理のため、差動信号対を構成するＤ０＋とＤ０−は、密結合する必要がある。同様に、差動信号対を構成するＤ１＋とＤ１−も、密結合する必要がある。一方、差動信号ついＤ０（＋，−）と差動信号対Ｄ１（＋，−）とは、電磁界結合しないようにする必要がある。
そこで、実施例３では、導体線７１３と導体線７１５との間隔を離すために、導体線７１３と導体線７１５との間の導体線（図６の導体線６１４）を削除する。

また、実施例１や実施例２と同様に、導体線７１２の幅方向において左側の一部（例えば、約半分）が重なる位置に、絶縁テープ７３１が挿入される。同様に、導体線７１３の幅方向において右側の一部（例えば、約半分）が重なる位置に、絶縁テープ７３２が挿入される。また、導体線７１５及び導体線７１６についても同様である。

絶縁テープ７３１が挿入されることにより、導体線７１２は、幅方向の左側においてシールドシート７４との間隔が拡がる。これにより、導体線７１２の幅方向の左側において、導体線７１２とシールドシート７４との電磁界結合度が低下し、静電容量も低下する。
一方、導体線７１２は、幅方向に右側においてはシールドシート７４との間隔は拡がらない。このため、導体線７１２の幅方向の右側においては、導体線７１２とシールドシート７４との電磁界結合度は低下せず、静電容量も低下しない。

同様に、絶縁テープ７３２が挿入されることにより、導体線７１３は、幅方向の右側において、シールドシート７４との間隔が拡がり、導体線７１３とシールドシート７４との電磁界結合度が低下し、静電容量も低下する。一方、導体線７１３は、幅方向の左側においては、シールドシート７４との間隔は拡がらず、導体線７１３とシールドシート７４との電磁界結合度は低下せず、静電容量も低下しない。
また、導体線７１５については導体線７１２と同様であり、導体線７１６については導体線７１３と同様である。

上述した効果の結果として、導体線７１２と導体線７１３とは、差動信号対として結合度が増し、導体線７１５と導体線７１６とは、差動信号対として結合度が増す。そして、導体線７１３と導体線７１５の間の間隔を拡げたため、導体線７１３と導体線７１５の結合度を低減することができる。
これにより、導体線７１２と導体線７１３とを流れる差動信号対Ｄ０と、導体線７１５と導体線７１６とを流れる差動信号対Ｄ１とによって発生するクロストークを、低減させることができる。
また、各導体線７１２，７１３，７１５，７１６の静電容量を低下させることにより、各差動信号対Ｄ０及びＤ１の差動インピーダンスを一般的に要求される例えば１００Ωに調整することが可能となる。

仮に、絶縁テープ７３を挿入することなく、図３（ａ）で示すように、全面にシールドシート４４を挿入してしまうと、静電容量が大きくなり過ぎて、特性インピーダンスが低くなり過ぎてしまう。また、仮に、絶縁テープ７３を一部分ではなく全面に挿入してしまうと、フラットケーブルの厚さが増してしまい、フレキシブル性能が低下してしまう。

以上のように、実施例３のＦＦＣによれば、柔軟性を確保しつつ、回路基板とのインピーダンス整合とクロストークの低減により伝送特性を高め、シールド効果によりＥＭＩやＥＭＳを向上させた、基板間の高速信号伝送が可能となる。
また、実施例３のＦＦＣを製造するにあたっては、ＦＦＣの標準的な製造工程をそのまま使用できるため、大きなコストアップを伴うこともない。

なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。すなわち、上述の実施例及びその変形例を組み合わせた構成もすべて本発明に含まれるものである。

１１，６１，７１ 導体線群
１２，６２，７２ 絶縁シート
１３，６３，７３ 絶縁テープ
１４，６４，７４ シールドシート
２０ フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）
２１，２２ プリント基板

Claims (15)

1. 第１の方向に延伸する複数の導体線からなり、各導体線が前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿って離れて配置される導体線群と、
   前記導体線群を両側から挟み込む絶縁シートと、
   前記絶縁シートの表面に貼着される導電性のシールドシートと、
   前記絶縁シートと前記シールドシートとの間に挿入されるスペーサと、
   を有するフラットケーブルであって、
   前記スペーサは、前記第１の方向に延伸し、それぞれが前記第２の方向に沿って離れて配置される複数のテープ状の絶縁部材からなる
   ことを特徴とするフラットケーブル。
2. 前記各導体線は、平角導体からなる
   ことを特徴とする請求項１に記載のフラットケーブル、
3. 前記絶縁部材は、前記導体線と前記第２の方向において重なる位置に挿入される
   ことを特徴とする請求項２に記載のフラットケーブル。
4. 前記絶縁部材は、前記導体線と前記第２の方向において一部が重なる位置に挿入される
   ことを特徴とする請求項３に記載のフラットケーブル。
5. 前記絶縁部材は、前記導体線の一部と前記第２の方向において一部が重なる位置に挿入される
   ことを特徴とする請求項４に記載のフラットケーブル。
6. 前記絶縁部材は、それぞれ、前記導体線の一部と前記第２の方向において一部が重なる位置に挿入される
   ことを特徴とする請求項５に記載のフラットケーブル。
7. 前記シールドシートは、少なくとも１つの前記導体線と導電性接着剤を介して電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のフラットケーブル。
8. 前記シールドシートの外側に第３の絶縁シートが貼着される
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のフラットケーブル。
9. 前記絶縁シートは、複数の前記導体線を挟んで第１の絶縁シートと第２の絶縁シートとからなる
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のフラットケーブル。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の前記フラットケーブルと、
    前記フラットケーブルに接続され、差動信号を入力又は出力するデバイスと、グランド電位と、が備えられたプリント基板と、を有する
    ことを特徴とする回路装置。
11. 前記デバイスに、前記複数の導体線のうち、少なくとも、対をなす２つの導体線が接続され、
    前記グランド電位に、前記複数の導体線のうち、前記対の両側に隣接する他の２つの導体線が接続される
    ことを特徴とする請求項１０に記載の回路装置。
12. 前記対をなす２つの導体線は２ペアあり、
    前記グランド電位に、前記複数の導体線のうち、前記２ペアの導体線の両側に隣接する他の２つの導体線が接続される
    ことを特徴とする請求項１１に記載の回路装置。
13. 前記対をなす２つの導体線は２ペアあり、
    前記グランド電位に、前記複数の導体線のうち、前記２ペアの導体線の両側に隣接する他の２つの導体線と、前記２ペアの対に挟まれる他の１つの導体線と、が接続される
    ことを特徴とする請求項１１に記載の回路装置。
14. 前記対をなす２つの導体線は２ペアあり、
    前記グランド電位に、前記複数の導体線のうち、前記２ペアの導体線の両側に隣接する他の２との導体線が接続され、
    前記２ペアの対の間の間隔は、前記対をなす２つの導体線の間隔より広い
    ことを特徴とする請求項１１に記載の回路装置。
15. 請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の前記回路装置を内蔵した
    ことを特徴とする画像処理装置。

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