JP2020057956A - 回路基板、回路装置及び画像処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】汎用のフラットケーブル用いて高周波の差動信号伝送を行う場合、差動信号にコモンモード成分が発生してしまうため、信号波形品質の確保や、EMI(電磁両立性)、EMS(電磁干渉)の問題が顕著になる。【解決手段】フラットケーブルに接続されるプリント基板上に、一対の差動信号線路の外側に隣接して、一対のガード線路を設け、2本のガード線路同士を抵抗で接続して、差動信号のインピーダンス調整を行う。これにより、汎用のフラットケーブルを用いてコストの増加を抑制しつつ、シールド効果を得るとともに、伝送特性の改善及びEMI、EMSの改善を実現する。【選択図】図1A
Description
本発明は、フラットケーブルに接続される回路基板、回路装置及び画像処理装置に関する。特に、フラットケーブルに接続され、複写機、プリンター、複合機等の画像処理装置に内蔵される回路基板に関する。
複写機、プリンター、複合機等の画像処理装置の内部には、複数の回路基板が備えられ、また、それらの複数の回路基板間を接続するケーブルハーネスが存在する。このような画像処理装置内部の回路基板間を接続する内部インターフェースでは高速化が進んでいる。そのため、電子機器を構成する複数の回路基板または電子機器間同士でデジタル信号を高速に伝送するためには、所定の伝送路特性を満たす必要がある。また、回路基板及びケーブルのインピーダンス整合や、EMC(Electro Magnetic Compatibility:電磁両立性)対策のために、シールドも必要となってくる。
一般に、高速信号伝送する方式としては、例えば、LVDS、USB、HDMI(登録商標)、DVIなどの方式が知られている。なお、LVDSは、Low Voltage Differential Signalingの略称である。USBは、Universal Serial Busの略称である。HDMI(登録商標)は、High-Definition Multimedia Interfaceの略称である。DVIは、Digital Visual Interfaceの略称である。
このような高速信号伝送方式においては、伝送路として一対の差動信号線路(差動信号線路対)が使用される。差動信号線路対では、回路基板上で2本の信号線路対とグランドパターンとにより、特定の伝送路インピーダンスとなるように構成されている。また、回路基板間又は電子機器間の伝送においては、2本の信号線路対に接続したリード線をツイスト構造のケーブルハーネス部材としたり、1対毎にシールド構造としたりすることにより、信号伝送を行っている。
これらのケーブルハーネス部材は、高周波伝送用に特化したものであり、反射や減衰の少ない高周波伝送が可能であるが、部材の材料や構造及び製造上の理由で高コストとなってしまう。
これらのケーブルハーネス部材は、高周波伝送用に特化したものであり、反射や減衰の少ない高周波伝送が可能であるが、部材の材料や構造及び製造上の理由で高コストとなってしまう。
上述のようなツイスト構造やシールド構造のケーブルハーネス部材以外にも、廉価な部材として、例えば、絶縁材料で複数の導電線を支持した構造のFFC(Flexible Flat Cable)やFPC(Flexible Printed Circuits)などのフラットケーブルが知られている。
しかし、FFCやFPCケーブルは、高周波伝送には必ずしも適しているとは言えない。これらのフラットケーブルは、複数の導体線路からなり各導体線路が近接しているため、伝送信号が高周波になればなるほど、反射や減衰やクロストークにより信号波形品質が低下するためである。さらに、放射ノイズ(Radiation noise)や伝導ノイズ(Conduction noise)などの電磁干渉EMI(Electro Magnetic Interference)の問題も顕著となる。
また、汎用のFFCやFPCでは、導体線路の幅や導体線路間の距離が固定されており自由に調整できるものではないため、精度の良い伝送路特性の調整が難しい。また、導体線路の幅や導体線路間の距離を調整する場合は、カスタム仕様となり、コストアップの要因となってしまう。したがって、FFCやFPCは、高速差動信号伝送ケーブルとしては使用されることは少ない。
しかし、FFCやFPCケーブルは、高周波伝送には必ずしも適しているとは言えない。これらのフラットケーブルは、複数の導体線路からなり各導体線路が近接しているため、伝送信号が高周波になればなるほど、反射や減衰やクロストークにより信号波形品質が低下するためである。さらに、放射ノイズ(Radiation noise)や伝導ノイズ(Conduction noise)などの電磁干渉EMI(Electro Magnetic Interference)の問題も顕著となる。
また、汎用のFFCやFPCでは、導体線路の幅や導体線路間の距離が固定されており自由に調整できるものではないため、精度の良い伝送路特性の調整が難しい。また、導体線路の幅や導体線路間の距離を調整する場合は、カスタム仕様となり、コストアップの要因となってしまう。したがって、FFCやFPCは、高速差動信号伝送ケーブルとしては使用されることは少ない。
また、上述の差動信号線路対による信号伝送においては、実使用では本来の差動信号成分(ディファレンシャルモード)以外に、同相信号成分(コモンモード成分)が生じてしまう。これは、共通グランド電位に対する差動信号D+及びD−の差動信号線路間の電圧振幅の差や位相差(ジッター等による180度の位相差に加わる位相誤差)、パルスの立ち上がり立下りの時間差、パルスのON/OFF時間差などがあるためである。
コモンモード成分が生じる場合、フラットケーブルから外界に電磁波がノイズとして放射されたり、電源線路やグランド線路に結合したりして、接続される回路基板に伝搬してノイズを放射する原因となることがある。
このような現象により放射される放射ノイズ(Radiation noise)を低減するために、データ線路を含むフラットケーブル全体をグランド電位の導体で被覆することによりシールドする方法がある。シールドすることにより、外来ノイズやイミュニティーに対する耐性である電磁感受性EMS(Electro Magnetic Susceptibility)も高まる。
コモンモード成分が生じる場合、フラットケーブルから外界に電磁波がノイズとして放射されたり、電源線路やグランド線路に結合したりして、接続される回路基板に伝搬してノイズを放射する原因となることがある。
このような現象により放射される放射ノイズ(Radiation noise)を低減するために、データ線路を含むフラットケーブル全体をグランド電位の導体で被覆することによりシールドする方法がある。シールドすることにより、外来ノイズやイミュニティーに対する耐性である電磁感受性EMS(Electro Magnetic Susceptibility)も高まる。
しかしながら、高速データ伝送線路では、使用される基本周波数が数100MHz以上であり、また、各差動信号D+及びD−の振幅も500mV程度以下と小さい。このため、差動信号線路対を覆うようにグランド電位の導体で被覆した場合、差動信号線路対のグランド電位に対するインピーダンスが低下する。そして、これにより、各信号の振幅が減衰し、差動信号D+及びD−の振幅も小さくなる。また、シールド層を介してクロストークが増加する場合もある。そのため、フラットケーブルをシールドすると、信号のS/N比が低下し、伝送するデータのエラーレートが増加する。
また、一般的なフラットケーブルに対してグランド電位と接続して被覆する構造とする場合、付加的な処理を施す必要があるため、製造コストが上昇する。また、フラットケーブルに被覆する構造は、フラットケーブルを構成する各導体線路とグランド電位の導体との絶縁を確保するために距離を設ける必要がある。このため、ケーブルが厚く硬直した構造体となり、フラットケーブルの本来の特長である柔軟性(フレキシビリティー)が損なわれ、それにより、基板間接続を行なう上での自由度が失われる。
このため、上述のような数々の課題を解決するために、例えば、以下の先行技術文献に示されるように、いくつかの提案がなされている。
特許文献1には、接続される第1及び第2差動配線の、ディファレンシャルモードインピーダンス及びコモンモードインピーダンスを、共に整合させるように抵抗体が配置された接続部を設けることにより、インピーダンス整合を行う方法が開示されている。
しかしながら、特許文献1は、回路基板上で差動信号に抵抗を接続してインピーダンスコントロールを行うものであり、FFC自体のインピーダンスを制御するものではないため、接続部で反射が発生し抵抗による減衰が大きくなる。また、EMIを低減する効果も少なく、EMS耐性を高める効果もない。
特許文献1には、接続される第1及び第2差動配線の、ディファレンシャルモードインピーダンス及びコモンモードインピーダンスを、共に整合させるように抵抗体が配置された接続部を設けることにより、インピーダンス整合を行う方法が開示されている。
しかしながら、特許文献1は、回路基板上で差動信号に抵抗を接続してインピーダンスコントロールを行うものであり、FFC自体のインピーダンスを制御するものではないため、接続部で反射が発生し抵抗による減衰が大きくなる。また、EMIを低減する効果も少なく、EMS耐性を高める効果もない。
また、特許文献2には、差動信号線の両側のうちの少なくとも片側に電源線が隣接する配列順で配列されたフラットケーブルが、グランド線または電源線と信号線とで電流を往復させる回路形式の回路素子に接続される、信号伝送路が開示されている。
しかしながら、特許文献2は、FFC部の差動信号のインピーダンスコントロールを行うものではなく伝送特性を高めるものではないため、接続部での電気信号の反射や減衰を低減するものではない。また、EMIを低減する効果も少なくEMS耐性を高める効果もない。
しかしながら、特許文献2は、FFC部の差動信号のインピーダンスコントロールを行うものではなく伝送特性を高めるものではないため、接続部での電気信号の反射や減衰を低減するものではない。また、EMIを低減する効果も少なくEMS耐性を高める効果もない。
また、特許文献3には、第1及び第2の回路基板上の各差動信号線路対を第1及び第2の抵抗体で接続し、これらの抵抗体を並列接続した合成抵抗値を、第1の回路基板上で差動信号線路対の差動信号出力インピーダンス値と整合させる方法が提案されている。
しかしながら、特許文献3は、差動信号間に抵抗を接続してインピーダンスコントロールを行うものであり、FFC自体のインピーダンスを制御するものではなく、減衰が大きくなる。また、電源線路やグランド線路に結合して、接続される回路基板に伝搬することにより発生するEMIを低減する効果も少ない。また、EMS耐性を高める効果もない。
しかしながら、特許文献3は、差動信号間に抵抗を接続してインピーダンスコントロールを行うものであり、FFC自体のインピーダンスを制御するものではなく、減衰が大きくなる。また、電源線路やグランド線路に結合して、接続される回路基板に伝搬することにより発生するEMIを低減する効果も少ない。また、EMS耐性を高める効果もない。
本発明は、複数の回路基板間をフラットケーブルで接続して高周波信号に伝送する方法に関し、コスト増加の抑制、柔軟性を確保しつつ、電磁干渉ノイズ(EMI)の低減やイミュニティー耐性(EMS)の向上を図るものである。
本発明は、第1の線路と第2の線路とから構成される第1の一対の線路と、前記第1の一対の線路に隣接した一方の外側に形成された、第2の一対の線路の一方を構成する第3の線路と、前記第1の一対の線路に隣接した他方の外側に形成された、前記第2の一対の線路の他方を構成する第4の線路と、を有し、フラットケーブルに接続される回路基板であって、前記第3の線路と前記第4の線路には、それぞれ、第1のインピーダンス素子及び第2のインピーダンス素子が設けられ、前記第1の線路と前記第2の線路とが接続されたノードが第3のインピーダンス素子を介して接地され、前記第1の線路には、差動信号を出力する出力手段の一方の端子に接続され、前記第2の線路には、前記出力手段の他方の端子に接続されることを特徴とする。
本発明によれば、回路基板とフラットケーブルとの間の伝送特性を高めることができ、フラットケーブルの低コスト性や柔軟性を確保しつつ、電磁干渉ノイズ(EMI)の低減やイミュニティー耐性(EMS)の向上を実現することができる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。
図1Aは、本発明の実施例に係る回路装置100を構成する、差動信号送信回路基板10と差動信号受信回路基板20とFFC30のそれぞれの構成、及び、それらの接続関係を説明する図である。差動信号送信回路基板10と差動信号受信回路基板20とは、FFC30を介して接続されている。
図1Aは、本発明の実施例に係る回路装置100を構成する、差動信号送信回路基板10と差動信号受信回路基板20とFFC30のそれぞれの構成、及び、それらの接続関係を説明する図である。差動信号送信回路基板10と差動信号受信回路基板20とは、FFC30を介して接続されている。
FFC(Flexible Flat Cable)30は、フラットケーブルの一種である。FFC30は、導体露出部38を接点にして、接続部17を介して差動信号送信回路基板10に接続される。図1Aの例では、FFC30の導体線路数は16ピンである。
導体線路の第3ピン33には、差動信号D0+が流れる線路(差動信号線路)15が接続される。また、導体線路の第4ピン34には、差動信号D0−が流れる線路(差動信号線路)16が接続される。そして、差動信号線路15と差動信号線路16とから、一対の差動信号線路対が構成される。
導体線路の第2ピン32には、第3ピンの33の差動信号線路15をガードする線路(ガード線路)12が接続される。また、導体線路の第5ピン35には、第4ピンの34の差動信号線路をガードする線路(ガード線路)13が接続される。そして、ガード線路12とガード線路13とから、一対のガード線路対が構成される。
導体線路の第1ピン31及び第6ピン36には、それぞれ、接地される線路(GND線路)18及び19が接続される。そして、GND線路18及び19から一対のGND線路対が構成される。
導体線路の第3ピン33には、差動信号D0+が流れる線路(差動信号線路)15が接続される。また、導体線路の第4ピン34には、差動信号D0−が流れる線路(差動信号線路)16が接続される。そして、差動信号線路15と差動信号線路16とから、一対の差動信号線路対が構成される。
導体線路の第2ピン32には、第3ピンの33の差動信号線路15をガードする線路(ガード線路)12が接続される。また、導体線路の第5ピン35には、第4ピンの34の差動信号線路をガードする線路(ガード線路)13が接続される。そして、ガード線路12とガード線路13とから、一対のガード線路対が構成される。
導体線路の第1ピン31及び第6ピン36には、それぞれ、接地される線路(GND線路)18及び19が接続される。そして、GND線路18及び19から一対のGND線路対が構成される。
各導体線路間は、絶縁部によって絶縁されている。例えば、導体線路間37は、導体線路の第1ピン31と第2ピン32との間の絶縁部を示す。
導体線路の第3ピン33及び第4ピン34は、それぞれ、導体露出部38を接点にして、接続部17を介して差動信号送信回路基板10の差動信号線路15及び16に接続される。また、導体線路の第3ピン33及び第4ピン34は、それぞれ、導体露出部38と反対側の導体露出部39を接点にして、接続部27を介して差動信号送信回路基板20の差動信号線路25及び26に接続される。
補強板40及び41は、それぞれ、差動信号送信回路基板10の接続部17及び差動信号受信回路基板20の接続部27に、FFC30を挿入する際の強度を保つための部材である。
導体線路の第3ピン33及び第4ピン34は、それぞれ、導体露出部38を接点にして、接続部17を介して差動信号送信回路基板10の差動信号線路15及び16に接続される。また、導体線路の第3ピン33及び第4ピン34は、それぞれ、導体露出部38と反対側の導体露出部39を接点にして、接続部27を介して差動信号送信回路基板20の差動信号線路25及び26に接続される。
補強板40及び41は、それぞれ、差動信号送信回路基板10の接続部17及び差動信号受信回路基板20の接続部27に、FFC30を挿入する際の強度を保つための部材である。
本実施例のFFC30において、各導体線路は、0.5mmピッチで導体幅0.3mm、導体間絶縁距離0.2mm、導体厚35μmで、信号面のみでシールド導体面を持たない1層構造となっている。そして、差動インピーダンスは、設計ターゲットである100Ωに対して、30〜50%高くなっている。
差動信号送信回路基板10は、一般的なプリント基板により構成される回路基板であり、4層で構成されている。第1層と第4層の表層には信号回路が、第2層にはGNDプレーンが、第3層には電源配線が、それぞれ、配置されている。
差動信号送信回路基板10の第1層に配置された差動信号出力デバイス11の一方の端子から出力された一方の差動信号D0+は、第1層に設けられた差動信号線路15を介して、接続部17からFFC30の第3ピン33に入力される。
また、差動信号出力デバイス11の他方の端子から出力された他方の差動信号D0−は、差動信号線路16を介して、接続部17からFFC30の第4ピン34に入力される。
差動信号送信回路基板10の第1層に配置された差動信号出力デバイス11の一方の端子から出力された一方の差動信号D0+は、第1層に設けられた差動信号線路15を介して、接続部17からFFC30の第3ピン33に入力される。
また、差動信号出力デバイス11の他方の端子から出力された他方の差動信号D0−は、差動信号線路16を介して、接続部17からFFC30の第4ピン34に入力される。
差動信号送信回路基板10の差動信号線路15及び16は、並行して配置され、第1差動信号パターンを形成する。第1差動信号パターンは、図1Aでは示されない第1層に設けられたGND配線で挟まれたコプレーナ線路、又は、隣接内層の第2層をGNDプレーンとしたマイクロストリップ線路で構成されている。
差動信号線路15及び16から構成される第1差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1が100Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。また、第1差動信号パターンは、コモンモードのインピーダンスZc1が50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。
差動信号線路15及び16の両隣を挟み込み、導体線路の第2ピン32と第5ピン35に接続されるガード線路12及び13は、それぞれ、抵抗素子である第1抵抗R1と第2抵抗R2に接続される。第1抵抗R1と第2抵抗R2は、接続部17側の反対端同士が接続される。第1抵抗R1と第2抵抗R2が接続されたノードは、抵抗素子である第3抵抗R3を介してGNDに接続される。導体線路の第2ピン32と第5ピン35に接続されるガード線路12及び13の両隣を挟み込む、導体線路の第1ピン31と第6ピン36に接続されるGND線路18及び19は、接地される。
差動信号線路15及び16から構成される第1差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1が100Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。また、第1差動信号パターンは、コモンモードのインピーダンスZc1が50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。
差動信号線路15及び16の両隣を挟み込み、導体線路の第2ピン32と第5ピン35に接続されるガード線路12及び13は、それぞれ、抵抗素子である第1抵抗R1と第2抵抗R2に接続される。第1抵抗R1と第2抵抗R2は、接続部17側の反対端同士が接続される。第1抵抗R1と第2抵抗R2が接続されたノードは、抵抗素子である第3抵抗R3を介してGNDに接続される。導体線路の第2ピン32と第5ピン35に接続されるガード線路12及び13の両隣を挟み込む、導体線路の第1ピン31と第6ピン36に接続されるGND線路18及び19は、接地される。
差動信号受信回路基板20も、差動信号送信回路基板10と同様に、一般的なプリント基板により構成される回路基板である。
差動信号受信回路基板20は、接続部27を介して、FFC30と接続される。そして、差動信号送信回路基板10の差動信号出力デバイス11から出力された差動信号D0+及びD0−は、FFC30を介して、差動信号入力デバイス21の差動入力端子に入力される。
差動信号入力デバイス21の内部において、差動入力端子間は100Ωで終端されている。
差動信号受信回路基板20は、接続部27を介して、FFC30と接続される。そして、差動信号送信回路基板10の差動信号出力デバイス11から出力された差動信号D0+及びD0−は、FFC30を介して、差動信号入力デバイス21の差動入力端子に入力される。
差動信号入力デバイス21の内部において、差動入力端子間は100Ωで終端されている。
差動信号受信回路基板20の差動信号線路25及び26は、並行して配置されて一対の差動信号線路対を構成し、第2差動信号パターンを形成する。第2差動信号パターンは、図1Aでは示されない第1層に設けられたGND配線で挟まれたコプレーナ線路、又は、隣接内層の第2層をGNDプレーンとしたマイクロストリップ線路で構成されている。第2差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1は100Ωになるように、また、コモンモードのインピーダンスZc1は50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。
差動信号パターンの両隣を挟み込み、導体線路の第2ピン32と第5ピン35に接続されるガード線路22及び23は、一対のガード線路対を構成する。そして、ガード線路22及び23には、それぞれ、差動信号受信回路基板20上の抵抗素子としての第4抵抗R4と第5抵抗R5が接続される。第4抵抗R4と第5抵抗R5は、接続部27側の反対端同士が接続される。第4抵抗R4と第5抵抗R5が接続されたノードは、抵抗素子である第6抵抗R6を介してGNDに接続される。
導体線路の第2ピン32と第5ピン35に接続されるガード線路22及び23の両隣を挟み込み、導体線路の第1ピン31と第6ピン36に接続されるGND線路28及び29は、一対のGND線路対を構成する。そして、GND線路28及び29は、それぞれ、接地される。
なお、差動信号送信回路基板10や差動信号受信回路基板20は、それぞれ、単なる回路基板ではなく、回路基板が備えられた電子機器として構成されてもよい。
なお、差動信号送信回路基板10や差動信号受信回路基板20は、それぞれ、単なる回路基板ではなく、回路基板が備えられた電子機器として構成されてもよい。
図1B(1)は、導体線路の第3ピン33及び第4ピン34において、差動信号送信回路基板10とFFC30間の差動信号線路対15及び16に流れる差動電流D0+及びD0−を説明する図である。また、図1B(2)は、差動信号線路対15及び16における信号電圧波形を説明する図である。
ここで、差動電流D0+及びD0−の信号電流及び誘導電流は交流であるが、図1B(1)には、図1B(2)に示す電圧波形において、差動電流D0+がLからHへ、D0−がHからLへ遷移する時の電流の方向を示している。
ここで、差動電流D0+及びD0−の信号電流及び誘導電流は交流であるが、図1B(1)には、図1B(2)に示す電圧波形において、差動電流D0+がLからHへ、D0−がHからLへ遷移する時の電流の方向を示している。
FFC30の第3ピン33において差動電流D0+が流れる電流の方向と、第4ピン34において差動電流D0−が流れる電流の方向とは逆になる。例えば、D0+の電圧がLからHに遷移した時、差動電流D0+が流れる方向は、図1B(1)に示されるように、差動信号送信回路基板10からFFC30の方向(→)になる。一方、その時、差動電流D0−が流れる方向は、FFC30から差動信号送信回路基板10の方向(←)になる。
第3ピン33に接続する差動信号線路15に流れる電流D0+と第4ピン34に接続するの差動信号線路16に流れる電流D0−とにより生じる電磁界が相殺されるためには、差動信号線路対15及び16の電磁界結合が密である必要がある。
第3ピン33に接続する差動信号線路15に流れる電流D0+と第4ピン34に接続するの差動信号線路16に流れる電流D0−とにより生じる電磁界が相殺されるためには、差動信号線路対15及び16の電磁界結合が密である必要がある。
一方、第2ピン32に接続するガード線路12には、第3ピン33に接続する差動信号線路15に流れる差動電流D0+の方向(→)と逆方向(←)に誘導電流が発生する。同様に、第5ピン35に接続するガード線路13には、第4ピン34に接続する差動信号線路16に流れる差動電流D0−の方向(←)と逆方向(→)に誘導電流が発生する。
本実施例においては、第3ピン33及び第4ピン34に接続する差動信号線路15及び16に流れる差動電流D0+及びD0−に対して−20dB程度の誘導電流が、第2ピン32及び第5ピン35に接続するガード線路12及び13に生じる。そして、図1B(1)に示すように、FFC30の第2ピン32に接続するガード線路12に発生する電流は、第1の抵抗12と第2抵抗R2を介して、第5ピン35に接続するガード線路13に発生する電流に合流する。
本実施例においては、第3ピン33及び第4ピン34に接続する差動信号線路15及び16に流れる差動電流D0+及びD0−に対して−20dB程度の誘導電流が、第2ピン32及び第5ピン35に接続するガード線路12及び13に生じる。そして、図1B(1)に示すように、FFC30の第2ピン32に接続するガード線路12に発生する電流は、第1の抵抗12と第2抵抗R2を介して、第5ピン35に接続するガード線路13に発生する電流に合流する。
図1Aにおいては、FFC30の第2ピン32に接続するガード線路12及び第5ピン35に接続するガード線路13に発生する電流は、第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5を介してループ状に流れる。そして、第2ピン32に接続するガード線路12に流れる電流の方向と第5ピン35に接続するガード線路13に流れる電流の方向とは逆になり、電磁界が相殺されるため、シールドとしての効果が保たれる。
また、第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5の抵抗値が低い場合、第2ピン32に接続するガード線路12と第5ピン35に接続するガード線路13のインピーダンスは低くなる。さらに、第3ピン33に接続する差動信号線路15と第4ピン34に接続する差動信号線路16のインピーダンスも低くなる。
一方、第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5が高い場合、第2ピン32に接続するガード線路12と第5ピン35に接続するガード線路13のインピーダンスは高くなる。さらに、第3ピン33に差動信号線路15と第4ピン34に接続する差動信号線路16のインピーダンスも高くなる。
一方、第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5が高い場合、第2ピン32に接続するガード線路12と第5ピン35に接続するガード線路13のインピーダンスは高くなる。さらに、第3ピン33に差動信号線路15と第4ピン34に接続する差動信号線路16のインピーダンスも高くなる。
また、第2ピン32及び第5ピン35に接続するガード線路12及び13に生じる誘導電流を低減してガード線路から差動信号送信回路基板10に伝搬するノイズを軽減するためには、差動信号線路15とガード線路12との電磁界結合は粗である必要がある。同様に、差動信号線路16とガード線路13との電磁界結合も粗である必要がある。
本実施例では、第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5の抵抗値を調整することにより、ガード線路12及び13に生じる誘導電流を低減して、ガード線路12及び13から放射するEMIを低減することができる。
本実施例では、第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5の抵抗値を調整することにより、ガード線路12及び13に生じる誘導電流を低減して、ガード線路12及び13から放射するEMIを低減することができる。
第1抵抗R1と第2抵抗R2の抵抗値(インピーダンス)は、同一に設定する。また、第4抵抗R4と第5抵抗R5の抵抗値も、同一に設定する。第1抵抗R1と第2抵抗R2、及び、第4抵抗R4と第5抵抗R5は、それぞれ、0Ω〜100Ω程度で、電子装置の構成に応じて最適となるように定める。なお、ここで、抵抗値が「同一」であるとは、実質的に同一として評価できるものであればよい。
ところで、第3ピン33に接続する差動信号線路15に流れる差動電流D0+と第4ピン34に接続する差動信号線路16に流れる差動電流D0−が完全に対称でない場合、その差分がコモンモード電流となり、電磁干渉ノイズ(EMI)が発生してしまう。その場合、第2ピン32に接続するガード線路12と第5ピン35に接続するガード線路13に流れる電流による電磁界も完全には相殺されずに、コモンモード電流が発生し、その電流が第3抵抗R3と第6抵抗R6に流れる。それに対して、差動信号D0+及びD0−のコモンモード電流がゼロである場合、第3抵抗R3と第6抵抗R6に流れる電流もゼロとなる。
第3ピン33に接続する差動信号線路15及び第4ピン34に接続する差動信号線路16にそれぞれ流れる差動電流D0+及びD0−のコモンモード電流は、理想的には相殺されるものである。同様に、第2ピン32に接続するガード線路12及び第5ピン35に接続するガード線路13にそれぞれ流れる誘導電流のコモンモード電流も、理想的には相殺されるものである。しかし、実際には、これらの電流が完全に相殺されることはない。
したがって、第3抵抗R3と第6抵抗R6によりガード線路12及び13に流れるコモンモード電流を減衰させることにより、差動信号送信回路基板10及び差動信号受信回路基板20のGNDへ伝搬する電磁干渉ノイズの発生源を低減する必要がある。
しかし、第3抵抗R3と第6抵抗R6の抵抗値が大き過ぎると、シールドとしての効果が低減してしまうという逆効果もある。したがって、第3抵抗R3と第6抵抗R6の抵抗値は、小さ過ぎず、かつ、大き過ぎず、最適な値に調整する必要がある。第3抵抗R3と第6抵抗R6は、それぞれ、0Ω〜1KΩ程度で、電子装置の構成に応じて最適となるように定める必要がある。
したがって、第3抵抗R3と第6抵抗R6によりガード線路12及び13に流れるコモンモード電流を減衰させることにより、差動信号送信回路基板10及び差動信号受信回路基板20のGNDへ伝搬する電磁干渉ノイズの発生源を低減する必要がある。
しかし、第3抵抗R3と第6抵抗R6の抵抗値が大き過ぎると、シールドとしての効果が低減してしまうという逆効果もある。したがって、第3抵抗R3と第6抵抗R6の抵抗値は、小さ過ぎず、かつ、大き過ぎず、最適な値に調整する必要がある。第3抵抗R3と第6抵抗R6は、それぞれ、0Ω〜1KΩ程度で、電子装置の構成に応じて最適となるように定める必要がある。
第1ピン31及び第6ピン36は、それぞれ、GND線路18及び19に接続される。第1ピン31に接続するGND線路18には、第2ピン32に接続するガード線路12に流れる電流と逆方向に誘導電流が発生する。また、第6ピン36に接続するGND線路19には、第5ピン35に接続するガード線路13に流れる電流と逆方向に誘導電流が発生する。
しかし、第2ピン32及び第5ピン35に接続するガード線路12及び13に流れる誘導電流は、第3ピン33及び第4ピン34に接続する差動信号線路15及び16に流れる差動電流D0+及びD0−よりも少ない。したがって、第1ピン31に接続するGND線路18と第6ピン36に接続するGND線路19に流れる電流が、差動信号送信回路基板10及び差動信号受信回路基板20のGNDへ伝搬してEMIの発生源となることは少ない。
しかし、第2ピン32及び第5ピン35に接続するガード線路12及び13に流れる誘導電流は、第3ピン33及び第4ピン34に接続する差動信号線路15及び16に流れる差動電流D0+及びD0−よりも少ない。したがって、第1ピン31に接続するGND線路18と第6ピン36に接続するGND線路19に流れる電流が、差動信号送信回路基板10及び差動信号受信回路基板20のGNDへ伝搬してEMIの発生源となることは少ない。
なお、図1Aを用いて説明した構成において、第1抵抗R1、第2抵抗R2、第3抵抗R3、及び、第4抵抗R4、第5抵抗R5、第6抵抗R6は、それぞれ、抵抗の代わりに、フェライトビーズ等のその他のインピーダンス素子を用いても同等の効果がある。抵抗の代わりにインピーダンス素子を用いた場合は、差動信号に対するガードの効果を低下させることなく、FFC30のガード線路から基板10又は20へ伝搬するコモンモードノイズを抑制する効果が高くすることができる。
次に、図2を用いて、本発明の比較例について説明する。
図2(a)は、比較例に係る回路装置101を構成する差動信号送信回路基板60と差動信号受信回路基板70とFFC50のそれぞれの構成、及び、それらの接続関係を説明する図である。差動信号送信回路基板60と差動信号受信回路基板70とは、FFC50を介して接続されている。
図2(a)は、比較例に係る回路装置101を構成する差動信号送信回路基板60と差動信号受信回路基板70とFFC50のそれぞれの構成、及び、それらの接続関係を説明する図である。差動信号送信回路基板60と差動信号受信回路基板70とは、FFC50を介して接続されている。
FFC50は、導体露出部58を介して、差動信号送信回路基板60に接続されている。同様に、FFC50は、導体露出部59を介して、差動信号送信回路基板70に接続されている。
導体線路の第3ピン53には、差動信号D0+が流れる線路(差動信号線路)15が接続される。導体線路の第4ピン54には、差動信号D0−が流れる線路(差動信号線路)16が接続される。
また、導体線路の第2ピン52と第5ピン55には、それぞれ、第3ピン53に接続する差動信号線路62及び第4ピンに接続する差動信号線路63を挟む線路(GNDガード線路)64及び65が接続される。
なお、図1Aと同様に、各導体線路間は絶縁部によって絶縁されている。
導体線路の第3ピン53には、差動信号D0+が流れる線路(差動信号線路)15が接続される。導体線路の第4ピン54には、差動信号D0−が流れる線路(差動信号線路)16が接続される。
また、導体線路の第2ピン52と第5ピン55には、それぞれ、第3ピン53に接続する差動信号線路62及び第4ピンに接続する差動信号線路63を挟む線路(GNDガード線路)64及び65が接続される。
なお、図1Aと同様に、各導体線路間は絶縁部によって絶縁されている。
差動信号送信回路基板60は、一般的なプリント基板であり、4層で構成されている。第1層と第4層の表層には信号回路が、第2層にはGNDプレーンが、第3層には電源配線が、それぞれ、配置されている。
差動信号送信回路基板60の差動信号出力デバイス61から出力された差動信号D0+及びD0−は、差動信号線路62及び63を介して、抵抗R1、R2及びR11によりFFC50のインピーダンスと整合するように調整されて、FFC50に入力される。
差動信号送信回路基板60の差動信号出力デバイス61から出力された差動信号D0+及びD0−は、差動信号線路62及び63を介して、抵抗R1、R2及びR11によりFFC50のインピーダンスと整合するように調整されて、FFC50に入力される。
差動信号送信回路基板60の差動信号線路62及び63は、並行して第1層に配置され、第1差動信号パターンを形成する。第1差動信号パターンは、図2では示されないGND配線で挟まれたコプレーナ線路、又は、隣接内層の第2層をGNDプレーンとしたマイクロストリップ線路で構成されている。
差動信号線路62及び63から構成される第1差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1が100Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層第1層と隣接GND層第2層間の距離が設計されている。また、コモンモードのインピーダンスZc1は50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層第1層と隣接GND層第2層間の距離が設計されている。
差動信号線路62及び63の両隣を挟み込む導体線路の第2ピン52と第5ピン55に接続されるGNDガード線路64及び65は、接地される。
差動信号線路62及び63から構成される第1差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1が100Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層第1層と隣接GND層第2層間の距離が設計されている。また、コモンモードのインピーダンスZc1は50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層第1層と隣接GND層第2層間の距離が設計されている。
差動信号線路62及び63の両隣を挟み込む導体線路の第2ピン52と第5ピン55に接続されるGNDガード線路64及び65は、接地される。
差動信号受信回路基板70は、FFC50を介して、差動信号送信回路基板60に接続される。そして、差動信号送信回路基板60から出力された差動信号D0+及びD0−は、それぞれ、FFC50の第3ピン53と第4ピン54を介して、差動信号線路72及び73から、差動信号入力デバイス71の差動入力端子に入力される。
差動信号入力デバイス71の内部において、差動入力端子間は100Ωで終端されている。
差動信号入力デバイス71の内部において、差動入力端子間は100Ωで終端されている。
差動信号線路72及び73から構成される第2差動信号パターンは、図2では示されないGND配線で挟まれたコプレーナ線路、又は、隣接内層の第2層をGNDプレーンとしたマイクロストリップ線路で構成されている。
第2差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1は100Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層第1層と隣接GND層第2層間の距離が設計されている。また、コモンモードのインピーダンスZc1は50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。
FFCの第3ピン53と第4ピン54の両隣を挟み込み、第2ピン52と第5ピン55に接続されるGNDガード線路74及び75は、それぞれ、接地される。
第2差動信号パターンは、ディファレンシャルモードのインピーダンスZd1は100Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層第1層と隣接GND層第2層間の距離が設計されている。また、コモンモードのインピーダンスZc1は50Ωになるように、パターン幅、パターン間距離、信号回路層と隣接GND層間距離が設計されている。
FFCの第3ピン53と第4ピン54の両隣を挟み込み、第2ピン52と第5ピン55に接続されるGNDガード線路74及び75は、それぞれ、接地される。
FFC50の第3ピン53に流れる差動信号D0+の方向と、第4ピン54に流れる差動信号D0−の方向は逆になる。差動信号D0+及びD0−による電磁界が相殺されるためには、第3ピン53に接続する差動信号線路62と第4ピン54に接続する差動信号線路63との電磁界結合は密である必要がある。
一方、第2ピン52に接続するGNDガード線路64には、第3ピン53に接続する差動信号線路62に流れる差動電流D0+と逆方向に誘導電流が発生する。同様に、第5ピン55に接続するGNDガード線路65には、第4ピン54に接続する差動信号線路63に流れる差動電流D0−の逆方向に誘導電流が発生する。
第2ピン52に接続するGNDガード線64と第5ピン55に接続するGNDガード線65に流れる電流の方向は逆になるが、距離が離れているため、電磁結合度が低く、電磁界が相殺されにくい。
第2ピン52に接続するGNDガード線64と第5ピン55に接続するGNDガード線65に流れる電流の方向は逆になるが、距離が離れているため、電磁結合度が低く、電磁界が相殺されにくい。
また、FFC50の第2ピン52に接続するGNDガード線路64及び第5ピン55に接続するGNDガード線路65は、シールドとしての効果はある。しかし、GNDガード線路64及び65から差動信号送信回路基板60や差動信号受信回路基板70のGNDへ流れる電流は、各基板60及び70にコモンモードノイズを伝搬して、EMIの発生源となる場合がある。
第2ピン52に接続するGNDガード線路64に発生する誘導電流を少なくするためには、GNDガード線路64と第3ピン53に接続する差動信号線路62との距離を離して、電磁結合度を低くすればよい。第5ピン55に接続するGNDガード線路65と第4ピン54に接続する差動信号線路63についても同様である。
しかし、FFC50の配線間ピッチは一律で固定されているため、距離を離すことはできない。そこで、例えば図2(b)に示すように、第1ピン81と差動信号線路62に接続する第3ピン83との間の第2ピン82に何も接続せず、第1ピン81をGNDガード線路64に接続することはできる。同様に、差動信号線路63に接続する第4ピン84と第6ピン86との間の第5ピン85に何も接続せず、第6ピン86にGNDガード線路65を接続することもできる。
こうすれば、第1ピン81と第6ピン86に接続するGNDガード線路64及び65に発生する誘導電流を下げることはできる。しかし、第1ピン81に接続するGNDガード線路64と第3ピン83に接続する差動信号線路62との距離を離すと、シールドとしての効果も下がることになるため、トレードオフの関係にある。第6ピン86に接続するGNDガード線路65と第4ピン84に接続する差動信号線路63との関係についても同様である。
しかし、FFC50の配線間ピッチは一律で固定されているため、距離を離すことはできない。そこで、例えば図2(b)に示すように、第1ピン81と差動信号線路62に接続する第3ピン83との間の第2ピン82に何も接続せず、第1ピン81をGNDガード線路64に接続することはできる。同様に、差動信号線路63に接続する第4ピン84と第6ピン86との間の第5ピン85に何も接続せず、第6ピン86にGNDガード線路65を接続することもできる。
こうすれば、第1ピン81と第6ピン86に接続するGNDガード線路64及び65に発生する誘導電流を下げることはできる。しかし、第1ピン81に接続するGNDガード線路64と第3ピン83に接続する差動信号線路62との距離を離すと、シールドとしての効果も下がることになるため、トレードオフの関係にある。第6ピン86に接続するGNDガード線路65と第4ピン84に接続する差動信号線路63との関係についても同様である。
また、第3ピン53に接続する差動信号線路62に流れる電流D0+と第4ピン54に接続する差動信号線路63に流れる電流D0−とが完全に対称でない場合、その差分がコモンモード電流となり、EMIが発生してしまう。この場合、第2ピン52に接続するGNDガード線路64と第5ピン55に接続するGNDガード線路65に流れる電流によって電磁界が相殺されることが望まれるが、実際には、対称性は保たれないため、完全には相殺されない場合がある。
また、差動信号送信回路基板60のGNDに接続されるGNDガード線路64及び65のインピーダンスは低く、FFC30の導体の材質や幅、導体間の距離、絶縁体の材質と厚さや幅で決まってしまう。そのため、FFC50の第3ピン53や第4ピン54のインピーダンスを調整することはできない。すなわち、差動信号送信回路基板60上の差動信号線路62及び63に挿入した各抵抗R1、R2、R11により、基板上の伝送路のインピーダンスを調整して、FFCのインピーダンスに合わせることしかできない。
次に、図3を用いて、フラットケーブルであるFFC30の構造について説明する。
図3(a)は、シールド導体面のあるタイプのFFCの断面図であり、シールド導体面をGNDに接続した場合はマイクロストリップ線路に相当する。図中、32から35は導体線路に対応する信号線、42はシールドとしての導体、43は絶縁体である。
図3(b)は、シールド導体面のないタイプのFFCの断念図であり、信号線に隣接する線路をGNDに接続した場合はコプレーナ線路に相当する。
図3(a)は、シールド導体面のあるタイプのFFCの断面図であり、シールド導体面をGNDに接続した場合はマイクロストリップ線路に相当する。図中、32から35は導体線路に対応する信号線、42はシールドとしての導体、43は絶縁体である。
図3(b)は、シールド導体面のないタイプのFFCの断念図であり、信号線に隣接する線路をGNDに接続した場合はコプレーナ線路に相当する。
図3(a)のシールド導体面のあるタイプのFFCにおいて、シールド42をGNDに接続した場合(マイクロストリップ線路)、差動インピーダンスは100Ω程度である。マイクロストリップ線路は、反射や挿入損失は少なく、クロストークも少ない。近端クロストークは1GHzで−10dB程、遠端クロストークは1GHzで−35dB程である。コモンモードノイズの発生を抑制することができれば、放射ノイズ(Radiation noise)は伝送信号1GHz程ではCISPR−ClassBを満たせるポテンシャルがあることが確認されている。
信号波形に関しては、一般的に、実際の伝送波形に与える影響は、挿入損失が最も大きく、次いで、クロストーク、反射損失の順である。しかし、反射損失が−10dB以上になると、挿入損失も急激に劣化するため、反射損失も考慮する必要がある。
信号波形に関しては、一般的に、実際の伝送波形に与える影響は、挿入損失が最も大きく、次いで、クロストーク、反射損失の順である。しかし、反射損失が−10dB以上になると、挿入損失も急激に劣化するため、反射損失も考慮する必要がある。
FFCのインピーダンス(Z0)は、下記の式(1)式のとおり、インダクタンス(L)と静電容量(C)とから求められる。また、静電容量(C)は、式(2)のとおり、FFCの導体幅(w),絶縁層厚(d),絶縁層の誘電率(ε)に依存する。
式(1)と式(2)とから、インピーダンス(Z0)は、式(3)のとおり、回路幅(w)と絶縁層の誘電率(ε)の平方根に反比例し、絶縁層厚(d)の平方根に比例する。
式(1)と式(2)とから、インピーダンス(Z0)は、式(3)のとおり、回路幅(w)と絶縁層の誘電率(ε)の平方根に反比例し、絶縁層厚(d)の平方根に比例する。
Z0 = √(L/C) ・・・(1)
L(H/m):単位長さあたりのインダクタンス
C(F/m):単位長さあたりの静電容量
C 〜 ε(w/d) ・・・(2)
Z0 ∝ √(d/εw) ・・・(3)
L(H/m):単位長さあたりのインダクタンス
C(F/m):単位長さあたりの静電容量
C 〜 ε(w/d) ・・・(2)
Z0 ∝ √(d/εw) ・・・(3)
インピーダンスの制御がしやすい材料は、低誘電率で絶縁層厚が均一であることである。回路幅の設計自由度を大きくするためには、式(3)から、材料厚(d)が厚く、誘電率(ε)が低い絶縁材料が求められる。なお、一般的なPIフィルムの誘電率は1MHzで約3.5である。
図4は、実施例において実際に用いられるFFC30の断面図である。図4(a)は、単一の導体線路を有するFFC30の断面図であり、また、そのインピーダンス計算式を式(A)として示している。図4(b)は、隣接する複数の導体線路を有するFFC30の断面図であり、また、そのインピーダンス計算式を式(B)として示している。
以下に、図4を用いて、隣接する線路がインピーダンスに与える影響を説明する。
以下に、図4を用いて、隣接する線路がインピーダンスに与える影響を説明する。
式(A)及び式(B)において、各記号は以下のとおりである。
Z0:特性インピーダンス
Zdiff:差動インピーダンス
w:FFCの導体線路幅
h:絶縁層の厚さ
εr:絶縁層の誘電率
s:FFCの導体線路間の幅
Z0:特性インピーダンス
Zdiff:差動インピーダンス
w:FFCの導体線路幅
h:絶縁層の厚さ
εr:絶縁層の誘電率
s:FFCの導体線路間の幅
式(A)及び式(B)に示されるように、導体線路幅(w)及び導体線路間の幅(s)は、隣接する導体線路の各インピーダンスに影響を与える。そして、隣接する導体線路で一方の導体線路のインピーダンスが他方の導体線路のインピーダンスに影響することが理解される。そして、隣接する導体線路で一方の導体線路が例えば100Ωで終端されているかGNDに短絡されているかによって、他方の導体線路のインピーダンスが影響されることになる。したがって、信号線路に隣接するガード線路に接続する抵抗の値を調整することにより、信号線路のインピーダンスを調整することができる。
最後に、図5を用いて、上述のFFC30を内蔵した画像処理装置30について説明する。図5は、実施例において用いられる画像処理装置300の電気的構成を表すブロック図である。
図5において、コントローラ基板310は、画像処理装置300を制御するシステムコントローラであり、1つのPCB基板で構成されている。
制御部311は、システムコントローラ310の動作全体を制御するCPUである。ROM312は、制御部311が実行するプログラムや各種のデータ等を格納している。RAM313は、制御部311が実行するプログラムを制御部311の制御の下に展開する。さらに、RAM313は、制御部311のワークエリア、及び、複写機能で使用する画像用メモリ領域としても利用される。画像処理部314は、画像読取部323で読み取られた画像データや画像形成部へ出力する画像データの変換処理を行う。
図5において、コントローラ基板310は、画像処理装置300を制御するシステムコントローラであり、1つのPCB基板で構成されている。
制御部311は、システムコントローラ310の動作全体を制御するCPUである。ROM312は、制御部311が実行するプログラムや各種のデータ等を格納している。RAM313は、制御部311が実行するプログラムを制御部311の制御の下に展開する。さらに、RAM313は、制御部311のワークエリア、及び、複写機能で使用する画像用メモリ領域としても利用される。画像処理部314は、画像読取部323で読み取られた画像データや画像形成部へ出力する画像データの変換処理を行う。
USB通信部315は、画像形成部324へ画像データを出力するために、コンピュータ(PC)3001からローカルエリアネットワーク(LAN)3004を介して画像データを受信する。また、USB通信部315は、画像読取部323で読み取られた画像データをPC3001に転送する。
ネットワーク通信部316は、画像形成部324へ画像データを出力するためにPC3001からLAN3004を介して画像データを受信する。また、ネットワーク通信部316は、画像読取り部で読み取られた画像データをPC3001に転送する。
ネットワーク通信部316とLAN3004とのインターフェースは、LANケーブル3003を用いて差動伝送が行われる。USB通信部315とPC3001とのインターフェースは、USBケーブル3002を用いて差動伝送が行われる。
操作部322は、画像処理装置300をユーザーが操作するための各種キーからなる。表示部321は、画像処理装置を操作するための各種情報を表示する。
画像読取部323は、原稿を読み取る原稿読取手段である。
画像形成部324は、画像データを記録紙に出力する画像形成手段である。画像形成部324は、複写動作の場合、画像読み取り部323で読み取られた画像データを出力する。また、プリント動作の場合、PC3001から転送された画像データを出力する。
画像読取部323は、原稿を読み取る原稿読取手段である。
画像形成部324は、画像データを記録紙に出力する画像形成手段である。画像形成部324は、複写動作の場合、画像読み取り部323で読み取られた画像データを出力する。また、プリント動作の場合、PC3001から転送された画像データを出力する。
画像処理装置300において、コントローラ基板310のインターフェース部317と表示部321との間は、FFCを用いて、LVDSやTMDS(Transition Minimized Differential Signaling)伝送が行われる。また、インターフェース部317と操作部322との間、インターフェース部317と画像読取部323との間、インターフェース部317と画像形成部324との間も、それぞれ、FFCを用いた差動伝送が行われる。
以上のとおり、本実施例の回路装置100は、差動信号送信回路基板10と差動信号受信回路基板20とフラットケーブル(FFC)30を有し、差動信号送信回路基板10及び差動信号受信回路基板20が、それぞれ、FFC30を介して接続される。
差動信号送信回路基板10には、差動信号線路15及び16が形成され、それぞれ、FFC30の第3ピン53及び第4ピン54に接続される。また、差動信号送信回路基板10には、差動信号線路15及び16に隣接した外側にガード線路12及び13が形成され、それぞれ、FFC30の第2ピン52及び第5ピン55に接続される。
ガード線路12及び13には、それぞれ、第1抵抗R1及び第2抵抗R2が設けられ、第1抵抗R1と第2抵抗R2が接続されたノードは、第3抵抗R3を介して接地される。
差動信号送信回路基板10には、差動信号線路15及び16が形成され、それぞれ、FFC30の第3ピン53及び第4ピン54に接続される。また、差動信号送信回路基板10には、差動信号線路15及び16に隣接した外側にガード線路12及び13が形成され、それぞれ、FFC30の第2ピン52及び第5ピン55に接続される。
ガード線路12及び13には、それぞれ、第1抵抗R1及び第2抵抗R2が設けられ、第1抵抗R1と第2抵抗R2が接続されたノードは、第3抵抗R3を介して接地される。
そして、第1抵抗R1及び第2抵抗R2の抵抗値を調整し、また、第3抵抗R3の抵抗値を調整することにより、差動信号送信回路基板10とFFC30との間のインピーダンス整合を行う。
これにより、差動信号線路15及び16に、それぞれ、差動信号D0+及びD0−が流れる際に、ガード線路12及び13にループ電流が発生し、シールド効果が得られる。
そして、高周波信号伝送を行う際にも、FFC30の低コスト化や柔軟性(フレキシビリティー)を確保しつつ、電磁干渉ノイズ(EMI)の低減やイミュニティー耐性(EMS)の向上を実現することができる。
これにより、差動信号線路15及び16に、それぞれ、差動信号D0+及びD0−が流れる際に、ガード線路12及び13にループ電流が発生し、シールド効果が得られる。
そして、高周波信号伝送を行う際にも、FFC30の低コスト化や柔軟性(フレキシビリティー)を確保しつつ、電磁干渉ノイズ(EMI)の低減やイミュニティー耐性(EMS)の向上を実現することができる。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。すなわち、上述の実施例及びその変形例を組み合わせた構成も全て本発明に含まれるものである。
10 差動信号送信回路基板
12、13 ガード線路
15、16 差動信号線路
20 差動信号受信回路基板
30 フラットケーブル(FFC)
100 回路装置
R1、R2、R3 抵抗
12、13 ガード線路
15、16 差動信号線路
20 差動信号受信回路基板
30 フラットケーブル(FFC)
100 回路装置
R1、R2、R3 抵抗
Claims (12)
- 第1の線路と第2の線路とから構成される第1の一対の線路と、
前記第1の一対の線路に隣接した一方の外側に形成された、第2の一対の線路の一方を構成する第3の線路と、
前記第1の一対の線路に隣接した他方の外側に形成された、前記第2の一対の線路の他方を構成する第4の線路と、を有し、
フラットケーブルに接続される回路基板であって、
前記第3の線路と前記第4の線路には、それぞれ、第1のインピーダンス素子及び第2のインピーダンス素子が設けられ、
前記第1の線路と前記第2の線路とが接続されたノードが第3のインピーダンス素子を介して接地され、
前記第1の線路には、差動信号を出力する出力手段の一方の端子に接続され、
前記第2の線路には、前記出力手段の他方の端子に接続される
ことを特徴とする回路基板。 - 前記第2の一対の線路に隣接した一方の外側に形成された、第3の一対の線路の一方を構成する第5の線路と、
前記第2の一対の線路に隣接した他方の外側に形成された、前記第3の一対の線路の他方を構成する第6の線路と、を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の回路基板。 - 前記第1のインピーダンス素子のインピーダンスと前記第2のインピーダンス素子のインピーダンスが同一である
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の回路基板。 - 前記第1から第3のインピーダンス素子が、それぞれ、抵抗素子から構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の回路基板。 - 請求項1の回路基板にフラットケーブルが接続された
ことを特徴とする回路装置。 - 第2の回路基板が前記フラットケーブルを介して前記回路基板に接続された
ことを特徴とする請求項5に記載の回路装置。 - 前記第2の回路基板は、
第7の線路と第8の線路とから構成される第4の一対の線路と、
前記第4の一対の線路に隣接した一方の外側に形成された、第5の一対の線路の一方を構成する第9の線路と、
前記第4の一対の線路に隣接した他方の外側に形成された、前記第5の一対の線路の他方を構成する第10の線路と、を有する
ことを特徴とする請求項6に記載の回路装置。 - 前記第9の線路と前記第10の線路には、それぞれ、第4のインピーダンス素子及び第5のインピーダンス素子が設けられ、
前記第7の線路と前記第8の線路とが接続された第2のノードが第6のインピーダンス素子を介して接地される
ことを特徴とする請求項7に記載の回路装置。 - 前記第5の一対の線路に隣接した一方の外側に形成された、第6の一対の線路の一方を構成する第11の線路と、
前記第5の一対の線路に隣接した他方の外側に形成された、前記第6の一対の線路の他方を構成する第12の線路と、を有する
ことを特徴とする請求項8に記載の回路基板。 - 前記第3の線路、前記第1の線路、前記第2の線路、前記第4の線路が、この順に、前記フラットケーブルに設けられた隣接する複数の導体に接続される
ことを特徴とする請求項5乃至9のいずれか1項に記載の回路装置。 - 前記第9の線路、前記第7の線路、前記第8の線路、前記第10の線路が、この順に、前記フラットケーブルに設けられた隣接する前記複数のピンに接続される
ことを特徴とする請求項10に記載の回路装置。 - 請求項1の回路基板が内蔵された
ことを特徴とする画像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018188027A JP2020057956A (ja) | 2018-10-03 | 2018-10-03 | 回路基板、回路装置及び画像処理装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018188027A JP2020057956A (ja) | 2018-10-03 | 2018-10-03 | 回路基板、回路装置及び画像処理装置 |
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JP2020057956A true JP2020057956A (ja) | 2020-04-09 |
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ID=70107800
Family Applications (1)
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JP2018188027A Pending JP2020057956A (ja) | 2018-10-03 | 2018-10-03 | 回路基板、回路装置及び画像処理装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7494178B2 (ja) | 2018-12-11 | 2024-06-03 | センテック・リミテッド | 干渉を低減させつつ、信号を送信するための電気接続 |
-
2018
- 2018-10-03 JP JP2018188027A patent/JP2020057956A/ja active Pending
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