JP2002299840A - 多層回路板 - Google Patents
多層回路板Info
- Publication number
- JP2002299840A JP2002299840A JP2001101233A JP2001101233A JP2002299840A JP 2002299840 A JP2002299840 A JP 2002299840A JP 2001101233 A JP2001101233 A JP 2001101233A JP 2001101233 A JP2001101233 A JP 2001101233A JP 2002299840 A JP2002299840 A JP 2002299840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- thickness
- insulating substrates
- circuit board
- signal wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インピーダンス整合を達成でき、高速シグナ
ル反射及び電磁波障害を軽減できる多層回路板を提供す
る。 【解決手段】 上から下へと順に重畳配置される第１〜
第７の絶縁基板Ｌ１〜Ｌ７、第１〜第４のシグナル配線
層Ｓ１〜Ｓ４、第１〜第３の接地配線層ＧＮＤ１〜ＧＮ
Ｄ３、電源配線層ＰＯＷＥＲを含む。Ｌ１とＬ７が各々
63.5〜190.5μｍ範囲内の厚さを、Ｌ２とＬ６が各々76.
2〜330.2μｍ範囲内の厚さを、Ｌ３とＬ５が各々76.2〜
381μｍ範囲内の厚さを、Ｌ４が50.8〜152.4μｍ範囲内
の厚さを具える。Ｓ１はＧＮＤ１との間に第１の抵抗を
有し、Ｓ２はＧＮＤ１とＧＮＤ２との間に第２の抵抗を
有し、Ｓ３はＧＮＤ３及びＰＯＷＥＲとの間に第３の抵
抗を有し、Ｓ４はＧＮＤ３との間に第４の抵抗を有する
と共に、これらの第１、第２、第３及び第４の抵抗は４
９．５〜６０．５オームの範囲内に規制される。
ル反射及び電磁波障害を軽減できる多層回路板を提供す
る。 【解決手段】 上から下へと順に重畳配置される第１〜
第７の絶縁基板Ｌ１〜Ｌ７、第１〜第４のシグナル配線
層Ｓ１〜Ｓ４、第１〜第３の接地配線層ＧＮＤ１〜ＧＮ
Ｄ３、電源配線層ＰＯＷＥＲを含む。Ｌ１とＬ７が各々
63.5〜190.5μｍ範囲内の厚さを、Ｌ２とＬ６が各々76.
2〜330.2μｍ範囲内の厚さを、Ｌ３とＬ５が各々76.2〜
381μｍ範囲内の厚さを、Ｌ４が50.8〜152.4μｍ範囲内
の厚さを具える。Ｓ１はＧＮＤ１との間に第１の抵抗を
有し、Ｓ２はＧＮＤ１とＧＮＤ２との間に第２の抵抗を
有し、Ｓ３はＧＮＤ３及びＰＯＷＥＲとの間に第３の抵
抗を有し、Ｓ４はＧＮＤ３との間に第４の抵抗を有する
と共に、これらの第１、第２、第３及び第４の抵抗は４
９．５〜６０．５オームの範囲内に規制される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層回路板に関し、
特にインピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反
射及び電磁波障害を軽減できる多層回路板に関する。
特にインピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反
射及び電磁波障害を軽減できる多層回路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の８配線層を具えた多層回路板は、
一般に１．６ｍｍ厚さ及び１．２ｍｍ厚さの二種があ
る。図５に示す１．２ｍｍの多層回路板（以下、１．２
ｍｍ回路板と称す）は、図示の如く、連続的に積重ねて
配置された第１、第２、第３、第４、第５、第６、及び
第７の絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、
Ｆ７含み、第１のシグナル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板
Ｆ１の第２の絶縁基板Ｆ２と相対する向きの反対側の面
に配置されて、第１の接地配線層ＧＮＤ１が第１と第２
の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２の間に設けられ、第２のシグナル
配線層Ｓ２が第２と第３の絶縁基板Ｆ２，Ｆ３の間に配
設され、第２の接地配線層ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁
基板Ｆ３，Ｆ４の間に設けられ、電源配線層ＰＯＷＥＲ
が第４と第５の絶縁基板Ｆ４，Ｆ５の間に配設され、第
３のシグナル配線層Ｓ３が第５と第６の絶縁基板Ｆ５，
Ｆ６の間に設けられ、第３の接地配線層ＧＮＤ３が第６
と第７の絶縁基板Ｆ６，Ｆ７の間に配設され、第４のシ
グナル配線層Ｓ４が第７の絶縁基板Ｆ７の第６の絶縁基
板Ｆ６と相対する向きの反対側の面に設けられる。第
１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５，Ｆ６、Ｆ７と、第１、
第２、第３及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３、Ｓ４と、第１、第２及び第３の接地配線層ＧＮＤ
１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３と、電源配線層ＰＯＷＥＲが互
いに圧着接合されて約１．２ｍｍ厚さの回路板を形成す
る。第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ４は電子素
子（図示せず）に取付けるのに適用される。
一般に１．６ｍｍ厚さ及び１．２ｍｍ厚さの二種があ
る。図５に示す１．２ｍｍの多層回路板（以下、１．２
ｍｍ回路板と称す）は、図示の如く、連続的に積重ねて
配置された第１、第２、第３、第４、第５、第６、及び
第７の絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、
Ｆ７含み、第１のシグナル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板
Ｆ１の第２の絶縁基板Ｆ２と相対する向きの反対側の面
に配置されて、第１の接地配線層ＧＮＤ１が第１と第２
の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２の間に設けられ、第２のシグナル
配線層Ｓ２が第２と第３の絶縁基板Ｆ２，Ｆ３の間に配
設され、第２の接地配線層ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁
基板Ｆ３，Ｆ４の間に設けられ、電源配線層ＰＯＷＥＲ
が第４と第５の絶縁基板Ｆ４，Ｆ５の間に配設され、第
３のシグナル配線層Ｓ３が第５と第６の絶縁基板Ｆ５，
Ｆ６の間に設けられ、第３の接地配線層ＧＮＤ３が第６
と第７の絶縁基板Ｆ６，Ｆ７の間に配設され、第４のシ
グナル配線層Ｓ４が第７の絶縁基板Ｆ７の第６の絶縁基
板Ｆ６と相対する向きの反対側の面に設けられる。第
１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５，Ｆ６、Ｆ７と、第１、
第２、第３及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３、Ｓ４と、第１、第２及び第３の接地配線層ＧＮＤ
１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３と、電源配線層ＰＯＷＥＲが互
いに圧着接合されて約１．２ｍｍ厚さの回路板を形成す
る。第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ４は電子素
子（図示せず）に取付けるのに適用される。
【０００３】第１と第７の絶縁基板Ｆ１，Ｆ７はそれぞ
れ約２．５ｍｉｌの厚さＨ４を呈して、第２、第４及び
第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６はそれぞれ約８ｍｉｌ
の厚さＨ３，Ｈ１を具え、第３及び第５の絶縁基板Ｆ
３，Ｆ５はそれぞれ約５ｍｉｌの厚さＨ２を具える。第
１、第３、第５及び第７の絶縁基板Ｆ１，Ｆ３，Ｆ５，
Ｆ７はそれぞれポリエステルプリプレグによって形成さ
れ、第２、第４及び第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６は
それぞれ紙或いはガラス繊維を含んだ繊維質心材によっ
て作られる。本構造は、第１のシグナル配線層Ｓ１は第
１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１があ
って、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１及び第２の接地
配線層ＧＮＤ１、ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２を
有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地配線層Ｇ
ＮＤ３及び電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒ
ｓ３を具え、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３の接地配
線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４がある。そのう
ち、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４は約４４オーム
で、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３は約５５オーム
である。
れ約２．５ｍｉｌの厚さＨ４を呈して、第２、第４及び
第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６はそれぞれ約８ｍｉｌ
の厚さＨ３，Ｈ１を具え、第３及び第５の絶縁基板Ｆ
３，Ｆ５はそれぞれ約５ｍｉｌの厚さＨ２を具える。第
１、第３、第５及び第７の絶縁基板Ｆ１，Ｆ３，Ｆ５，
Ｆ７はそれぞれポリエステルプリプレグによって形成さ
れ、第２、第４及び第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６は
それぞれ紙或いはガラス繊維を含んだ繊維質心材によっ
て作られる。本構造は、第１のシグナル配線層Ｓ１は第
１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１があ
って、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１及び第２の接地
配線層ＧＮＤ１、ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２を
有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地配線層Ｇ
ＮＤ３及び電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒ
ｓ３を具え、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３の接地配
線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４がある。そのう
ち、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４は約４４オーム
で、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３は約５５オーム
である。
【０００４】図６に示すのは、１．６ｍｍ厚さの多層回
路板（以下、１．６ｍｍ回路板と呼ぶ）であり、上記
１．２ｍｍ回路板と異なるところは第１及び第７の絶縁
基板Ｆ１，Ｆ７の厚さＨ４が約９．５ｍｉｌで、その結
果、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４が約７６．４オ
ーム、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３が約５１オー
ムとなり、これらのような構成ゆえ、図５，６に示す従
来の多層回路板は下記の欠点を有する。甚だしい高速シ
グナル反射がある。Ｉｎｔｅｌ（インテル社）の設定し
た標準理論値によれば、高速シグナル伝送の際における
回路板の両隣接配線層間の抵抗値は５５±１０％オーム
の範囲、例えば４９．５〜６０．５オームが最も好まし
いが、上記従来の１．２ｍｍ回路版の第１及び第４の抵
抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値はＩｎｔｅｌ（インテル社）の勧め
る好ましい範囲外にあって、加えるに第１及び第４の抵
抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ
３値との間に約１１オームに及ぶ差異があり、この差異
がインピーダンスの不整合を形成する。このように、高
速シグナルが従来の１．２ｍｍ回路板において、第１或
いは第４のシグナル配線層Ｓ１、Ｓ４より第２或いは第
４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２に伝送されると、シグナ
ルが反射を生じ、それによって、シグナルの伝送が悪影
響をこうむる。同様に、上記従来の１．６ｍｍ回路板の
第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値も理論範囲外に陥
り、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び第
３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３値の間に２５．４オームにも及
ぶ大きな違いがあって、それによりシグナル反射の問題
が極めて深刻となる。１．２ｍｍ回路板の高速シグナル
の反射指数は下記のように計算することができる。 Ｐ＝（Ｚｌ−Ｚｏ）／（Ｚｌ＋Ｚｏ）＝（Ｒｓ１−Ｒｓ
２）／（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）＝０．１１１ １．６ｍｍ回路板の反射指数も同様な方式で計算して
０．１９９が得られる。磁束の消磁作用力が弱められ
る。高速シグナルの反射が定常波を生ずると、高速シグ
ナルの電磁輻射が増大して、回路板の磁束の消磁作用力
が弱められ、かなりの高電磁波障害が発生する。
路板（以下、１．６ｍｍ回路板と呼ぶ）であり、上記
１．２ｍｍ回路板と異なるところは第１及び第７の絶縁
基板Ｆ１，Ｆ７の厚さＨ４が約９．５ｍｉｌで、その結
果、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４が約７６．４オ
ーム、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３が約５１オー
ムとなり、これらのような構成ゆえ、図５，６に示す従
来の多層回路板は下記の欠点を有する。甚だしい高速シ
グナル反射がある。Ｉｎｔｅｌ（インテル社）の設定し
た標準理論値によれば、高速シグナル伝送の際における
回路板の両隣接配線層間の抵抗値は５５±１０％オーム
の範囲、例えば４９．５〜６０．５オームが最も好まし
いが、上記従来の１．２ｍｍ回路版の第１及び第４の抵
抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値はＩｎｔｅｌ（インテル社）の勧め
る好ましい範囲外にあって、加えるに第１及び第４の抵
抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ
３値との間に約１１オームに及ぶ差異があり、この差異
がインピーダンスの不整合を形成する。このように、高
速シグナルが従来の１．２ｍｍ回路板において、第１或
いは第４のシグナル配線層Ｓ１、Ｓ４より第２或いは第
４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２に伝送されると、シグナ
ルが反射を生じ、それによって、シグナルの伝送が悪影
響をこうむる。同様に、上記従来の１．６ｍｍ回路板の
第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値も理論範囲外に陥
り、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び第
３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３値の間に２５．４オームにも及
ぶ大きな違いがあって、それによりシグナル反射の問題
が極めて深刻となる。１．２ｍｍ回路板の高速シグナル
の反射指数は下記のように計算することができる。 Ｐ＝（Ｚｌ−Ｚｏ）／（Ｚｌ＋Ｚｏ）＝（Ｒｓ１−Ｒｓ
２）／（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）＝０．１１１ １．６ｍｍ回路板の反射指数も同様な方式で計算して
０．１９９が得られる。磁束の消磁作用力が弱められ
る。高速シグナルの反射が定常波を生ずると、高速シグ
ナルの電磁輻射が増大して、回路板の磁束の消磁作用力
が弱められ、かなりの高電磁波障害が発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】それ故、本発明は、イ
ンピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反射及び
電磁波障害を軽減できる多層回路板を提供することを目
的とする。
ンピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反射及び
電磁波障害を軽減できる多層回路板を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の多層回路板は、上から下へと順に重畳配置
される第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の
絶縁基板を含んで、第１のシグナル配線層が第１の絶縁
基板の第２の絶縁基板と相対する向きの反対側の面に配
置され、第１の接地配線層が第１と第２の絶縁基板の間
に配設され、第２のシグナル配線層が第２と第３の絶縁
基板の間に配設され、第２の接地配線層が第３と第４の
絶縁基板の間に配設され、電源配線層が第４と第５の絶
縁基板の間に配設され、第３のシグナル配線層が第５と
第６の絶縁基板の間に配設され、第３の接地配線層が第
６と第７の絶縁基板の間に配設され、第４のシグナル配
線層が第７の絶縁基板の第６の絶縁基板と相対する向き
の反対側の面に配設されて、第１と第７の絶縁基板の厚
さがそれぞれ２．５〜７．５ｍｉｌの範囲内にあり、第
２と第６の絶縁基板の厚さが３〜１３ｍｉｌの範囲内に
あって、第３と第５の絶縁基板の厚さが３〜１５ｍｉｌ
の範囲内にあり、第４の絶縁基板の厚さが２〜６ｍｉｌ
の範囲にあって、第１のシグナル配線層は第１の接地配
線層との間に第１の抵抗を具え、第２のシグナル配線層
は第１及び第２の接地配線層との間に第２の抵抗を具
え、第３のシグナル配線層は第３の接地配線層及び電源
配線層との間に第３の抵抗を具え、第４のシグナル配線
層は第３の接地配線層との間に第４の抵抗を具えると共
に、これら、第１、第２、第３及び第４の抵抗は４９．
５〜６０．５オームの範囲内に規制されて構成される。
め、本発明の多層回路板は、上から下へと順に重畳配置
される第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の
絶縁基板を含んで、第１のシグナル配線層が第１の絶縁
基板の第２の絶縁基板と相対する向きの反対側の面に配
置され、第１の接地配線層が第１と第２の絶縁基板の間
に配設され、第２のシグナル配線層が第２と第３の絶縁
基板の間に配設され、第２の接地配線層が第３と第４の
絶縁基板の間に配設され、電源配線層が第４と第５の絶
縁基板の間に配設され、第３のシグナル配線層が第５と
第６の絶縁基板の間に配設され、第３の接地配線層が第
６と第７の絶縁基板の間に配設され、第４のシグナル配
線層が第７の絶縁基板の第６の絶縁基板と相対する向き
の反対側の面に配設されて、第１と第７の絶縁基板の厚
さがそれぞれ２．５〜７．５ｍｉｌの範囲内にあり、第
２と第６の絶縁基板の厚さが３〜１３ｍｉｌの範囲内に
あって、第３と第５の絶縁基板の厚さが３〜１５ｍｉｌ
の範囲内にあり、第４の絶縁基板の厚さが２〜６ｍｉｌ
の範囲にあって、第１のシグナル配線層は第１の接地配
線層との間に第１の抵抗を具え、第２のシグナル配線層
は第１及び第２の接地配線層との間に第２の抵抗を具
え、第３のシグナル配線層は第３の接地配線層及び電源
配線層との間に第３の抵抗を具え、第４のシグナル配線
層は第３の接地配線層との間に第４の抵抗を具えると共
に、これら、第１、第２、第３及び第４の抵抗は４９．
５〜６０．５オームの範囲内に規制されて構成される。
【０００７】上記のように構成された本発明の多層回路
板は、それぞれ抵抗が共にＩｎｔｅｌ（インテル社）が
設定する４９．５〜６０．５オームの範囲内に保持され
て、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分と低くな
り、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しくは除去し
て、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成する。ま
た、高速シグナル反射が低減したことから、定常波の発
生がなくなり、磁束の消磁作用力が高められて、電磁波
障害を低めることができる。上記利点から高速シグナル
レイアウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発
展している傾向に対応でき、且つインピーダンス整合の
ために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要がな
い。
板は、それぞれ抵抗が共にＩｎｔｅｌ（インテル社）が
設定する４９．５〜６０．５オームの範囲内に保持され
て、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分と低くな
り、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しくは除去し
て、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成する。ま
た、高速シグナル反射が低減したことから、定常波の発
生がなくなり、磁束の消磁作用力が高められて、電磁波
障害を低めることができる。上記利点から高速シグナル
レイアウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発
展している傾向に対応でき、且つインピーダンス整合の
ために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要がな
い。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
いて具体的に説明するが、本発明はこの例だけに限定さ
れるものではない。図１〜３に示す如く、本発明に係る
多層回路板６の第１の比較的好ましい第１の実施例は、
順に上から下へと互いに重畳配設される第１、第２、第
３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、
Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７を含んで、第１のシグナ
ル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板Ｌ１の第２の絶縁基板Ｌ
２と相対する向きの反対側の面に配置され、第１の接地
配線層ＧＮＤ１が第１と第２の絶縁基板Ｌ１，Ｌ２の間
に配設され、第２のシグナル配線層Ｓ２が第２と第３の
絶縁基板Ｌ２、Ｌ３の間に配設され、第２の接地配線層
ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁基板Ｌ３、Ｌ４の間に配設
され、電源配線層ＰＯＷＥＲが第４と第５の絶縁基板Ｌ
４、Ｌ５の間に配設され、第３のシグナル配線層Ｓ３が
第５と第６の絶縁基板Ｌ５、Ｌ６の間に配設され、第３
の接地配線層ＧＮＤ３が第６と第７の絶縁基板Ｌ６、Ｌ
７の間に配設され、第４のシグナル配線層Ｓ４が第７の
絶縁基板Ｌ７の第６の絶縁基板Ｌ６と相対する向きの反
対側の面に配設されて、第１、第２、第３及び第４のシ
グナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は通常銅金属薄片
によって作られ、第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１、
Ｓ４により電子部材（図示せず）の上に配設される。
いて具体的に説明するが、本発明はこの例だけに限定さ
れるものではない。図１〜３に示す如く、本発明に係る
多層回路板６の第１の比較的好ましい第１の実施例は、
順に上から下へと互いに重畳配設される第１、第２、第
３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、
Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７を含んで、第１のシグナ
ル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板Ｌ１の第２の絶縁基板Ｌ
２と相対する向きの反対側の面に配置され、第１の接地
配線層ＧＮＤ１が第１と第２の絶縁基板Ｌ１，Ｌ２の間
に配設され、第２のシグナル配線層Ｓ２が第２と第３の
絶縁基板Ｌ２、Ｌ３の間に配設され、第２の接地配線層
ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁基板Ｌ３、Ｌ４の間に配設
され、電源配線層ＰＯＷＥＲが第４と第５の絶縁基板Ｌ
４、Ｌ５の間に配設され、第３のシグナル配線層Ｓ３が
第５と第６の絶縁基板Ｌ５、Ｌ６の間に配設され、第３
の接地配線層ＧＮＤ３が第６と第７の絶縁基板Ｌ６、Ｌ
７の間に配設され、第４のシグナル配線層Ｓ４が第７の
絶縁基板Ｌ７の第６の絶縁基板Ｌ６と相対する向きの反
対側の面に配設されて、第１、第２、第３及び第４のシ
グナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は通常銅金属薄片
によって作られ、第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１、
Ｓ４により電子部材（図示せず）の上に配設される。
【０００９】上記第１、第２、第３、第４、第５、第６
及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ
６、Ｌ７と、上記第１、第２、第３及び第４のシグナル
配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、上記第１、第２及び
第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ３，ＧＮＤ３と、上
記電源配線層ＰＯＷＥＲは、互いにプレス接着して約
１．２ｍｍ厚さの回路板６に形成することができる。
及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ
６、Ｌ７と、上記第１、第２、第３及び第４のシグナル
配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、上記第１、第２及び
第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ３，ＧＮＤ３と、上
記電源配線層ＰＯＷＥＲは、互いにプレス接着して約
１．２ｍｍ厚さの回路板６に形成することができる。
【００１０】多層回路板６をプレス接着する場合は、第
２の接地配線層ＧＮＤ２と電源配線層ＰＯＷＥＲが第４
の絶縁基板Ｌ４を挟み付けるように配設されて、次に、
第２のシグナル配線層Ｓ２と第２の接地配線層ＧＮＤ
２、及び第３のシグナル配線層Ｓ３と電源配線層ＰＯＷ
ＥＲがそれぞれ第３及び第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５を挟
み付けるように配設され、第１の接地配線層ＧＮＤ１と
第２のシグナル配線層Ｓ２、及び第３の接地配線層ＧＮ
Ｄ３と第３のシグナル配線層Ｓ３がそれぞれ第２及び第
６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６を挟み付けるように配設され
て、最後に第１のシグナル配線層Ｓ１と第１の接地配線
層ＧＮＤ１、及び第４のシグナル配線層Ｓ４と第３の接
地配線層ＧＮＤ３がそれぞれ第１及び第７の絶縁基板Ｌ
１、Ｌ７を挟み付けるように配設されて１．２ｍｍ多層
回路板６を形成する。
２の接地配線層ＧＮＤ２と電源配線層ＰＯＷＥＲが第４
の絶縁基板Ｌ４を挟み付けるように配設されて、次に、
第２のシグナル配線層Ｓ２と第２の接地配線層ＧＮＤ
２、及び第３のシグナル配線層Ｓ３と電源配線層ＰＯＷ
ＥＲがそれぞれ第３及び第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５を挟
み付けるように配設され、第１の接地配線層ＧＮＤ１と
第２のシグナル配線層Ｓ２、及び第３の接地配線層ＧＮ
Ｄ３と第３のシグナル配線層Ｓ３がそれぞれ第２及び第
６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６を挟み付けるように配設され
て、最後に第１のシグナル配線層Ｓ１と第１の接地配線
層ＧＮＤ１、及び第４のシグナル配線層Ｓ４と第３の接
地配線層ＧＮＤ３がそれぞれ第１及び第７の絶縁基板Ｌ
１、Ｌ７を挟み付けるように配設されて１．２ｍｍ多層
回路板６を形成する。
【００１１】本発明において、第１と第７の絶縁基板Ｌ
１、Ｌ７の厚さＨ４はそれぞれ２．５〜７．５ｍｉｌの
範囲内にあり、第２と第６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６の厚さ
Ｈ３がそれぞれ３〜１３ｍｉｌの範囲内にあって、第３
と第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５の厚さＨ２が３〜１５ｍｉ
ｌの範囲内にあり、第４の絶縁基板Ｌ４の厚さＨ１が２
〜６ｍｉｌの範囲にある。第１のシグナル配線層Ｓ１は
第１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１を
有し、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１及び第２の接地
配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２を
有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地配線層Ｇ
ＮＤ３及び電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒ
ｓ３を有し、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３の接地配
線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４を有する。それ
ら絶縁層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７の
厚さを上記範囲内にコントロールすると、第１、第２、
第３及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３，Ｒｓ４を
高速シグナル伝送の際にＩｎｔｅｌ（インテル社）が勧
める４９．５〜６０．５オームの範囲内に保持できて、
インピーダンス整合の効果を達成する。
１、Ｌ７の厚さＨ４はそれぞれ２．５〜７．５ｍｉｌの
範囲内にあり、第２と第６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６の厚さ
Ｈ３がそれぞれ３〜１３ｍｉｌの範囲内にあって、第３
と第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５の厚さＨ２が３〜１５ｍｉ
ｌの範囲内にあり、第４の絶縁基板Ｌ４の厚さＨ１が２
〜６ｍｉｌの範囲にある。第１のシグナル配線層Ｓ１は
第１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１を
有し、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１及び第２の接地
配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２を
有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地配線層Ｇ
ＮＤ３及び電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒ
ｓ３を有し、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３の接地配
線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４を有する。それ
ら絶縁層Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７の
厚さを上記範囲内にコントロールすると、第１、第２、
第３及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３，Ｒｓ４を
高速シグナル伝送の際にＩｎｔｅｌ（インテル社）が勧
める４９．５〜６０．５オームの範囲内に保持できて、
インピーダンス整合の効果を達成する。
【００１２】第１、第３、第５、第７の絶縁基板Ｌ１，
Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７の少なくとも何れかがポリエステルプ
リプレグによって作られ、第２、第４、第６の絶縁基板
Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６の少なくとも何れかが紙或いはガラス
繊維を含んだ繊維質心材によって作られる。
Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７の少なくとも何れかがポリエステルプ
リプレグによって作られ、第２、第４、第６の絶縁基板
Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６の少なくとも何れかが紙或いはガラス
繊維を含んだ繊維質心材によって作られる。
【００１３】本第１の実施例において、第１と第４のシ
グナル配線層Ｓ１，Ｓ４はそれぞれ約１．４ｍｉｌの厚
さを具え、第２と第３のシグナル配線層Ｓ２，Ｓ３、第
１、第２と第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮ
Ｄ３、及び電源配線層ＰＯＷＥＲはそれぞれ約０．７ｍ
ｉｌの厚さを具える。第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７
はそれぞれ好ましくは４．５±２ｍｉｌ、最も好ましく
は４．５ｍｉｌの厚さＨ４を具えて、第２と第６の絶縁
基板Ｌ２，Ｌ６はそれぞれ好ましくは６±３ｍｉｌ、最
も好ましくは６ｍｉｌの厚さＨ３を具え、第３と第５の
絶縁基板Ｌ３，Ｌ５はそれぞれ好ましくは７±４ｍｉ
ｌ、最も好ましくは７ｍｉｌの厚さＨ２を具え、第４の
絶縁基板Ｌ４は最も好ましい４ｍｉｌの厚さを具える。
更に好ましくは、第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７の厚
さＨ４が等しく、第２と第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６の厚
さＨ３が等しく、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５の厚
さＨ２が等しい。
グナル配線層Ｓ１，Ｓ４はそれぞれ約１．４ｍｉｌの厚
さを具え、第２と第３のシグナル配線層Ｓ２，Ｓ３、第
１、第２と第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮ
Ｄ３、及び電源配線層ＰＯＷＥＲはそれぞれ約０．７ｍ
ｉｌの厚さを具える。第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７
はそれぞれ好ましくは４．５±２ｍｉｌ、最も好ましく
は４．５ｍｉｌの厚さＨ４を具えて、第２と第６の絶縁
基板Ｌ２，Ｌ６はそれぞれ好ましくは６±３ｍｉｌ、最
も好ましくは６ｍｉｌの厚さＨ３を具え、第３と第５の
絶縁基板Ｌ３，Ｌ５はそれぞれ好ましくは７±４ｍｉ
ｌ、最も好ましくは７ｍｉｌの厚さＨ２を具え、第４の
絶縁基板Ｌ４は最も好ましい４ｍｉｌの厚さを具える。
更に好ましくは、第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７の厚
さＨ４が等しく、第２と第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６の厚
さＨ３が等しく、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５の厚
さＨ２が等しい。
【００１４】続いて、各絶縁基板Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ
４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７のそれぞれ厚さの概算を下記の通
りに説明する。先ず、第１と第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４
を次の式（１）で計算する。
４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７のそれぞれ厚さの概算を下記の通
りに説明する。先ず、第１と第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４
を次の式（１）で計算する。
【数１】 ここで、ＥRは誘導係数で４．５、Ｈ４は第１と第７の
絶縁基板Ｌ１，Ｌ７の厚さ、Ｗは第１と第４のシグナル
配線層Ｓ１，Ｓ４のトレース幅、２〜８ｍｉｌの範囲内
にあるが、本実施例では５ｍｉｌ、Ｔ１は第１と第４の
シグナル配線層Ｓ１，Ｓ４の厚さ、１．４ｍｉｌであ
る。次に、第２と第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３値を下記の
式（２）から得る。
絶縁基板Ｌ１，Ｌ７の厚さ、Ｗは第１と第４のシグナル
配線層Ｓ１，Ｓ４のトレース幅、２〜８ｍｉｌの範囲内
にあるが、本実施例では５ｍｉｌ、Ｔ１は第１と第４の
シグナル配線層Ｓ１，Ｓ４の厚さ、１．４ｍｉｌであ
る。次に、第２と第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３値を下記の
式（２）から得る。
【数２】 ここで、ＥRは誘導係数で４．５、Ｈ２は第３と第５の
絶縁基板Ｌ３，Ｌ５の厚さ、Ｈ３は第２と第６の絶縁基
板Ｌ２，Ｌ６の厚さ、Ｔ２は第２と第３のシグナル配線
層Ｓ２，Ｓ３の厚さ０．７ｍｉｌ、Ｗは第２と第３のシ
グナル配線層Ｓ２，Ｓ３のトレース幅、２〜８ｍｉｌの
範囲内にあるが、本実施例では５ｍｉｌである。 ２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２≡１．２ｍｍ…（３） 加えるに、回路板の合計厚さは１．２ｍｍ（約４７ｍｉ
ｌに相当する）、或いはその許容誤差範囲内に規制すべ
きで、上式（３）によって表される。上式（３）に基づ
いて、それぞれ絶縁基板の好ましい厚さ値を得ることが
でき、即ち、第４の絶縁基板Ｌ４の厚さＨ１が２〜６ｍ
ｉｌの範囲内にある場合は４ｍｉｌが好ましく、第３と
第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５のそれぞれ厚さＨ２が３〜１
１ｍｉｌの範囲内にある場合は７ｍｉｌが好ましく、第
２と第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６のそれぞれ厚さＨ３が３
〜９ｍｉｌの範囲内にある場合は６ｍｉｌが好ましく、
第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７のそれぞれ厚さＨ４が
２．５〜６．５ｍｉｌの範囲内にある場合は４．５ｍｉ
ｌが好ましい。この場合、第１のシグナル配線層Ｓ１の
第１の接地配線層ＧＮＤ１に対する第１の抵抗Ｒｓ１が
第４のシグナル配線層Ｓ４の第３の接地配線層ＧＮＤ３
に対する第４の抵抗Ｒｓ４に等しく５８オームで、即
ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５８オームであり、第２のシグナ
ル配線層Ｓ２の第１と第２の接地配線層ＧＮＤ１、ＧＮ
Ｄ２に対する第２の抵抗Ｒｓ２が第３のシグナル配線層
Ｓ３の電源配線層ＰＯＷＥＲと第３の接地配線層ＧＮＤ
３に対する第３の抵抗Ｒｓ３に等しく５２オームで、即
ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５２オームである。注意すべき
は、それら抵抗値はみな５５オーム±１０％の理論範囲
内にあって、差異が僅かに６オームのみであり、反射指
数ρが０．０５に低減して、従来技術の反射指数（ρ＝
０．１１）に比べて随分と低くなる。なお、上式３（２
Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２）によ
って算出した回路板６の厚さ総計は、２×４．５ｍｉｌ
＋２×６ｍｉｌ＋２×７ｍｉｌ＋１×４ｍｉｌ＋２×
１．４ｍｉｌ＋６×０．７ｍｉｌ＝４６ｍｉｌ≒１．２
ｍｍ（許容誤差の範囲内）である。
絶縁基板Ｌ３，Ｌ５の厚さ、Ｈ３は第２と第６の絶縁基
板Ｌ２，Ｌ６の厚さ、Ｔ２は第２と第３のシグナル配線
層Ｓ２，Ｓ３の厚さ０．７ｍｉｌ、Ｗは第２と第３のシ
グナル配線層Ｓ２，Ｓ３のトレース幅、２〜８ｍｉｌの
範囲内にあるが、本実施例では５ｍｉｌである。 ２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２≡１．２ｍｍ…（３） 加えるに、回路板の合計厚さは１．２ｍｍ（約４７ｍｉ
ｌに相当する）、或いはその許容誤差範囲内に規制すべ
きで、上式（３）によって表される。上式（３）に基づ
いて、それぞれ絶縁基板の好ましい厚さ値を得ることが
でき、即ち、第４の絶縁基板Ｌ４の厚さＨ１が２〜６ｍ
ｉｌの範囲内にある場合は４ｍｉｌが好ましく、第３と
第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５のそれぞれ厚さＨ２が３〜１
１ｍｉｌの範囲内にある場合は７ｍｉｌが好ましく、第
２と第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６のそれぞれ厚さＨ３が３
〜９ｍｉｌの範囲内にある場合は６ｍｉｌが好ましく、
第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７のそれぞれ厚さＨ４が
２．５〜６．５ｍｉｌの範囲内にある場合は４．５ｍｉ
ｌが好ましい。この場合、第１のシグナル配線層Ｓ１の
第１の接地配線層ＧＮＤ１に対する第１の抵抗Ｒｓ１が
第４のシグナル配線層Ｓ４の第３の接地配線層ＧＮＤ３
に対する第４の抵抗Ｒｓ４に等しく５８オームで、即
ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５８オームであり、第２のシグナ
ル配線層Ｓ２の第１と第２の接地配線層ＧＮＤ１、ＧＮ
Ｄ２に対する第２の抵抗Ｒｓ２が第３のシグナル配線層
Ｓ３の電源配線層ＰＯＷＥＲと第３の接地配線層ＧＮＤ
３に対する第３の抵抗Ｒｓ３に等しく５２オームで、即
ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５２オームである。注意すべき
は、それら抵抗値はみな５５オーム±１０％の理論範囲
内にあって、差異が僅かに６オームのみであり、反射指
数ρが０．０５に低減して、従来技術の反射指数（ρ＝
０．１１）に比べて随分と低くなる。なお、上式３（２
Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２）によ
って算出した回路板６の厚さ総計は、２×４．５ｍｉｌ
＋２×６ｍｉｌ＋２×７ｍｉｌ＋１×４ｍｉｌ＋２×
１．４ｍｉｌ＋６×０．７ｍｉｌ＝４６ｍｉｌ≒１．２
ｍｍ（許容誤差の範囲内）である。
【００１５】図４に示すのは、本発明に係る多層回路板
６’の比較的好ましい第２の実施例であり、上記第１の
実施例と異なるところは、回路板６’の厚さが約１．６
ｍｍで、その第１と第７の絶縁基板Ｌ１’，Ｌ７’がそ
れぞれ好ましい５．５±２ｍｉｌ、特に好ましい５．５
ｍｉｌの厚さを具え、その第２と第６の絶縁基板Ｌ
２’，Ｌ６’がそれぞれ好ましい１０±３ｍｉｌ、特に
好ましい１０ｍｉｌの厚さを具えて、その第３と第５の
絶縁基板Ｌ３’，Ｌ５’がそれぞれ好ましい１１±４ｍ
ｉｌ、特に好ましい１１ｍｉｌの厚さを具える点であ
る。第１のシグナル配線層Ｓ１は第１の接地配線層ＧＮ
Ｄ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１’を有し、第２のシグナ
ル配線層Ｓ２は第１と第２の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮ
Ｄ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２’を有し、第３のシグナ
ル配線層Ｓ３は第３の接地配線層ＧＮＤ３と電源配線層
ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒｓ３’を有し、第４の
シグナル配線層Ｓ４は第３の接地配線層ＧＮＤ３との間
に第４の抵抗Ｒｓ４’を有する。
６’の比較的好ましい第２の実施例であり、上記第１の
実施例と異なるところは、回路板６’の厚さが約１．６
ｍｍで、その第１と第７の絶縁基板Ｌ１’，Ｌ７’がそ
れぞれ好ましい５．５±２ｍｉｌ、特に好ましい５．５
ｍｉｌの厚さを具え、その第２と第６の絶縁基板Ｌ
２’，Ｌ６’がそれぞれ好ましい１０±３ｍｉｌ、特に
好ましい１０ｍｉｌの厚さを具えて、その第３と第５の
絶縁基板Ｌ３’，Ｌ５’がそれぞれ好ましい１１±４ｍ
ｉｌ、特に好ましい１１ｍｉｌの厚さを具える点であ
る。第１のシグナル配線層Ｓ１は第１の接地配線層ＧＮ
Ｄ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１’を有し、第２のシグナ
ル配線層Ｓ２は第１と第２の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮ
Ｄ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２’を有し、第３のシグナ
ル配線層Ｓ３は第３の接地配線層ＧＮＤ３と電源配線層
ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒｓ３’を有し、第４の
シグナル配線層Ｓ４は第３の接地配線層ＧＮＤ３との間
に第４の抵抗Ｒｓ４’を有する。
【００１６】上式（３）の合計が実質上１．６ｍｍ（略
６４ｍｉｌ）であること、及び抵抗値がＩｎｔｅｌ（イ
ンテル社）の勧める理論範囲内にあることの条件の下
で、式（１）と（２）を使って先ずＲｓ１’、Ｒｓ４’
の値及びＲｓ２’、Ｒｓ３’の値を計算し、各絶縁基板
の好ましい厚さを求めたのであり、これらパラメーター
のうち、シグナル配線層のトレース幅が２〜８ｍｉｌ範
囲内にあって、特に好ましいのは主として１．６ｍｍ回
路板が採用している６ｍｉｌである。したがって、Ｈ１
が２〜６ｍｉｌの範囲内にいる場合、好ましいＨ１は４
ｍｉｌで、Ｈ２が７〜１５ｍｉｌの範囲内にいる場合、
好ましいＨ２は１１ｍｉｌで、Ｈ３が７〜１３ｍｉｌの
範囲内にいる場合、好ましいＨ３は１０ｍｉｌで、Ｈ４
が３．５〜７．５ｍｉｌの範囲内にいる場合、好ましい
Ｈ４は５．５ｍｉｌである、ことが成立する。また、第
１の抵抗Ｒｓ１’は第４の抵抗Ｒｓ４’と等しく６０オ
ームで、即ちＲｓ１’＝Ｒｓ４’＝６０Ωであり、第２
の抵抗Ｒｓ２’は第３の抵抗Ｒｓ３’と等しく６０オー
ムで、即ちＲｓ２’＝Ｒｓ３’＝６０Ωである。これら
抵抗値は両方ともＩｎｔｅｌ（インテル社）が設定した
４９．５〜６０．５オームの範囲内にあって、尚、反射
指数がゼロに低下し、更に上式（３）による回路板６’
の厚さは実質上１．６ｍｍに等しい。即ち、２Ｈ４＋２
Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２＝２×５．５ｍ
ｉｌ＋２×１０ｍｉｌ＋２×１１ｍｉｌ＋１×４ｍｉｌ
＋２×１．４ｍｉｌ＋６×０．７ｍｉｌ＝６４ｍｉｌ≒
１．６ｍｍ（許容誤差の範囲内）。
６４ｍｉｌ）であること、及び抵抗値がＩｎｔｅｌ（イ
ンテル社）の勧める理論範囲内にあることの条件の下
で、式（１）と（２）を使って先ずＲｓ１’、Ｒｓ４’
の値及びＲｓ２’、Ｒｓ３’の値を計算し、各絶縁基板
の好ましい厚さを求めたのであり、これらパラメーター
のうち、シグナル配線層のトレース幅が２〜８ｍｉｌ範
囲内にあって、特に好ましいのは主として１．６ｍｍ回
路板が採用している６ｍｉｌである。したがって、Ｈ１
が２〜６ｍｉｌの範囲内にいる場合、好ましいＨ１は４
ｍｉｌで、Ｈ２が７〜１５ｍｉｌの範囲内にいる場合、
好ましいＨ２は１１ｍｉｌで、Ｈ３が７〜１３ｍｉｌの
範囲内にいる場合、好ましいＨ３は１０ｍｉｌで、Ｈ４
が３．５〜７．５ｍｉｌの範囲内にいる場合、好ましい
Ｈ４は５．５ｍｉｌである、ことが成立する。また、第
１の抵抗Ｒｓ１’は第４の抵抗Ｒｓ４’と等しく６０オ
ームで、即ちＲｓ１’＝Ｒｓ４’＝６０Ωであり、第２
の抵抗Ｒｓ２’は第３の抵抗Ｒｓ３’と等しく６０オー
ムで、即ちＲｓ２’＝Ｒｓ３’＝６０Ωである。これら
抵抗値は両方ともＩｎｔｅｌ（インテル社）が設定した
４９．５〜６０．５オームの範囲内にあって、尚、反射
指数がゼロに低下し、更に上式（３）による回路板６’
の厚さは実質上１．６ｍｍに等しい。即ち、２Ｈ４＋２
Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２＝２×５．５ｍ
ｉｌ＋２×１０ｍｉｌ＋２×１１ｍｉｌ＋１×４ｍｉｌ
＋２×１．４ｍｉｌ＋６×０．７ｍｉｌ＝６４ｍｉｌ≒
１．６ｍｍ（許容誤差の範囲内）。
【００１７】
【発明の効果】それ故、本発明の多層回路板は下記の利
点と効果を有する。 １．高速シグナル反射が低減する。第１及び第２の実施
例のそれぞれ抵抗が共に５５オーム±１０％の設定範囲
内にあって、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分
と低くなり、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しく
は除去して、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成
できる。 ２．電磁波障害が軽減する。高速シグナル反射が低減し
たため、定常波の発生がなくなり、磁束の反作用が高め
られて、電磁波障害を低め、現在のＥＭＩ標準に符合で
きる。 ３．高速シグナルのレイアウトへの適応性が優れてい
る。上記利点から本発明の回路板は高速シグナルレイア
ウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発展して
いる傾向に対応し、製品の市場価格や競争力を高める。 ４．レイアウトの時効性が向上する。インピーダンス整
合のために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要
がなく、レイアウトの時間的効率が向上する。
点と効果を有する。 １．高速シグナル反射が低減する。第１及び第２の実施
例のそれぞれ抵抗が共に５５オーム±１０％の設定範囲
内にあって、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分
と低くなり、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しく
は除去して、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成
できる。 ２．電磁波障害が軽減する。高速シグナル反射が低減し
たため、定常波の発生がなくなり、磁束の反作用が高め
られて、電磁波障害を低め、現在のＥＭＩ標準に符合で
きる。 ３．高速シグナルのレイアウトへの適応性が優れてい
る。上記利点から本発明の回路板は高速シグナルレイア
ウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発展して
いる傾向に対応し、製品の市場価格や競争力を高める。 ４．レイアウトの時効性が向上する。インピーダンス整
合のために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要
がなく、レイアウトの時間的効率が向上する。
【図１】本発明に係る比較的好ましい第１の実施例にお
ける１．２ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
ける１．２ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
【図２】第１の実施例の部分断面図である。
【図３】第１の実施例の他の部分断面図である。
【図４】本発明に係る比較的好ましい第２の実施例にお
ける１．６ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
ける１．６ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
【図５】従来技術による１．２ｍｍ厚さの多層回路板の
概略図である。
概略図である。
【図６】従来技術による１．６ｍｍ厚さの多層回路板の
概略図である。
概略図である。
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７…第１、第
２、第３、第４、第５、第６、第７の絶縁基板 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…第１、第２、第３、第４のシ
グナル配線層 ＧＮＤ１、ＧＮＤ２、ＧＮＤ３…第１、第２、第３の接
地配線層 Ｈ４…第１と第７の絶縁基板の厚さ Ｈ３…第２と第６の絶縁基板の厚さ Ｈ２…第３と第５の絶縁基板の厚さ Ｈ１…第４の絶縁基板の厚さ Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４…第１、第２、第３、
第４の抵抗
２、第３、第４、第５、第６、第７の絶縁基板 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…第１、第２、第３、第４のシ
グナル配線層 ＧＮＤ１、ＧＮＤ２、ＧＮＤ３…第１、第２、第３の接
地配線層 Ｈ４…第１と第７の絶縁基板の厚さ Ｈ３…第２と第６の絶縁基板の厚さ Ｈ２…第３と第５の絶縁基板の厚さ Ｈ１…第４の絶縁基板の厚さ Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４…第１、第２、第３、
第４の抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年４月１８日（２００１．４．１
８）
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 多層回路板
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層回路板に関し、
特にインピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反
射及び電磁波障害を軽減できる多層回路板に関する。
特にインピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反
射及び電磁波障害を軽減できる多層回路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の８配線層を具えた多層回路板は、
一般に１．６ｍｍ厚さ及び１．２ｍｍ厚さの二種があ
る。図５に示す１．２ｍｍの多層回路板（以下、１．２
ｍｍ回路板と称す）は、図示の如く、連続的に積重ねて
配置された第１、第２、第３、第４、第５、第６、及び
第７の絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、
Ｆ７含み、第１のシグナル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板
Ｆ１の第２の絶縁基板Ｆ２と相対する向きの反対側の面
に配置されて、第１の接地配線層ＧＮＤ１が第１と第２
の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２の間に設けられ、第２のシグナル
配線層Ｓ２が第２と第３の絶縁基板Ｆ２，Ｆ３の間に配
設され、第２の接地配線層ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁
基板Ｆ３，Ｆ４の間に設けられ、電源配線層ＰＯＷＥＲ
が第４と第５の絶縁基板Ｆ４，Ｆ５の間に配設され、第
３のシグナル配線層Ｓ３が第５と第６の絶縁基板Ｆ５，
Ｆ６の間に設けられ、第３の接地配線層ＧＮＤ３が第６
と第７の絶縁基板Ｆ６，Ｆ７の間に配設され、第４のシ
グナル配線層Ｓ４が第７の絶縁基板Ｆ７の第６の絶縁基
板Ｆ６と相対する向きの反対側の面に設けられる。第
１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５，Ｆ６、Ｆ７と、第１、
第２、第３及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３、Ｓ４と、第１、第２及び第３の接地配線層ＧＮＤ
１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３と、電源配線層ＰＯＷＥＲが互
いに圧着接合されて約１．２ｍｍ厚さの回路板を形成す
る。第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ４は電子素
子（図示せず）に取付けるのに適用される。
一般に１．６ｍｍ厚さ及び１．２ｍｍ厚さの二種があ
る。図５に示す１．２ｍｍの多層回路板（以下、１．２
ｍｍ回路板と称す）は、図示の如く、連続的に積重ねて
配置された第１、第２、第３、第４、第５、第６、及び
第７の絶縁基板Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、
Ｆ７含み、第１のシグナル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板
Ｆ１の第２の絶縁基板Ｆ２と相対する向きの反対側の面
に配置されて、第１の接地配線層ＧＮＤ１が第１と第２
の絶縁基板Ｆ１，Ｆ２の間に設けられ、第２のシグナル
配線層Ｓ２が第２と第３の絶縁基板Ｆ２，Ｆ３の間に配
設され、第２の接地配線層ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁
基板Ｆ３，Ｆ４の間に設けられ、電源配線層ＰＯＷＥＲ
が第４と第５の絶縁基板Ｆ４，Ｆ５の間に配設され、第
３のシグナル配線層Ｓ３が第５と第６の絶縁基板Ｆ５，
Ｆ６の間に設けられ、第３の接地配線層ＧＮＤ３が第６
と第７の絶縁基板Ｆ６，Ｆ７の間に配設され、第４のシ
グナル配線層Ｓ４が第７の絶縁基板Ｆ７の第６の絶縁基
板Ｆ６と相対する向きの反対側の面に設けられる。第
１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板
Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，Ｆ５，Ｆ６、Ｆ７と、第１、
第２、第３及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ
３、Ｓ４と、第１、第２及び第３の接地配線層ＧＮＤ
１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３と、電源配線層ＰＯＷＥＲが互
いに圧着接合されて約１．２ｍｍ厚さの回路板を形成す
る。第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ４は電子素
子（図示せず）に取付けるのに適用される。
【０００３】第１と第７の絶縁基板Ｆ１，Ｆ７はそれぞ
れ約６３．５μｍの厚さＨ４を呈して、第２、第４及び
第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６はそれぞれ約２０３．
２μｍの厚さＨ３，Ｈ１を具え、第３及び第５の絶縁基
板Ｆ３，Ｆ５はそれぞれ約１２７μｍの厚さＨ２を具え
る。第１、第３、第５及び第７の絶縁基板Ｆ１，Ｆ３，
Ｆ５，Ｆ７はそれぞれポリエステルプリプレグによって
形成され、第２、第４及び第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，
Ｆ６はそれぞれ紙或いはガラス繊維を含んだ繊維質心材
によって作られる。本構造は、第１のシグナル配線層Ｓ
１は第１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ
１があって、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１及び第２
の接地配線層ＧＮＤ１、ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒ
ｓ２を有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地配
線層ＧＮＤ３及び電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の
抵抗Ｒｓ３を具え、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３の
接地配線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４がある。
そのうち、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４は約４４
オームで、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３は約５５
オームである。
れ約６３．５μｍの厚さＨ４を呈して、第２、第４及び
第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，Ｆ６はそれぞれ約２０３．
２μｍの厚さＨ３，Ｈ１を具え、第３及び第５の絶縁基
板Ｆ３，Ｆ５はそれぞれ約１２７μｍの厚さＨ２を具え
る。第１、第３、第５及び第７の絶縁基板Ｆ１，Ｆ３，
Ｆ５，Ｆ７はそれぞれポリエステルプリプレグによって
形成され、第２、第４及び第６の絶縁基板Ｆ２，Ｆ４，
Ｆ６はそれぞれ紙或いはガラス繊維を含んだ繊維質心材
によって作られる。本構造は、第１のシグナル配線層Ｓ
１は第１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ
１があって、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１及び第２
の接地配線層ＧＮＤ１、ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒ
ｓ２を有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地配
線層ＧＮＤ３及び電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の
抵抗Ｒｓ３を具え、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３の
接地配線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４がある。
そのうち、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４は約４４
オームで、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３は約５５
オームである。
【０００４】図６に示すのは、１．６ｍｍ厚さの多層回
路板（以下、１．６ｍｍ回路板と呼ぶ）であり、上記
１．２ｍｍ回路板と異なるところは第１及び第７の絶縁
基板Ｆ１，Ｆ７の厚さＨ４が約２４１．３μｍで、その
結果、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４が約７６．４
オーム、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３が約５１オ
ームとなり、これらのような構成ゆえ、図５，６に示す
従来の多層回路板は下記の欠点を有する。甚だしい高速
シグナル反射がある。Ｉｎｔｅｌ（インテル社）の設定
した標準理論値によれば、高速シグナル伝送の際におけ
る回路板の両隣接配線層間の抵抗値は５５±１０％オー
ムの範囲、例えば４９．５〜６０．５オームが最も好ま
しいが、上記従来の１．２ｍｍ回路版の第１及び第４の
抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値はＩｎｔｅｌ（インテル社）の勧
める好ましい範囲外にあって、加えるに第１及び第４の
抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒ
ｓ３値との間に約１１オームに及ぶ差異があり、この差
異がインピーダンスの不整合を形成する。このように、
高速シグナルが従来の１．２ｍｍ回路板において、第１
或いは第４のシグナル配線層Ｓ１、Ｓ４より第２或いは
第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２に伝送されると、シグ
ナルが反射を生じ、それによって、シグナルの伝送が悪
影響をこうむる。同様に、上記従来の１．６ｍｍ回路板
の第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値も理論範囲外に
陥り、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び
第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３値の間に２５．４オームにも
及ぶ大きな違いがあって、それによりシグナル反射の問
題が極めて深刻となる。１．２ｍｍ回路板の高速シグナ
ルの反射指数は下記のように計算することができる。 Ｐ＝（Ｚｌ−Ｚｏ）／（Ｚｌ＋Ｚｏ）＝（Ｒｓ１−Ｒｓ
２）／（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）＝０．１１１ １．６ｍｍ回路板の反射指数も同様な方式で計算して
０．１９９が得られる。磁束の消磁作用力が弱められ
る。高速シグナルの反射が定常波を生ずると、高速シグ
ナルの電磁輻射が増大して、回路板の磁束の消磁作用力
が弱められ、かなりの高電磁波障害が発生する。
路板（以下、１．６ｍｍ回路板と呼ぶ）であり、上記
１．２ｍｍ回路板と異なるところは第１及び第７の絶縁
基板Ｆ１，Ｆ７の厚さＨ４が約２４１．３μｍで、その
結果、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４が約７６．４
オーム、第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３が約５１オ
ームとなり、これらのような構成ゆえ、図５，６に示す
従来の多層回路板は下記の欠点を有する。甚だしい高速
シグナル反射がある。Ｉｎｔｅｌ（インテル社）の設定
した標準理論値によれば、高速シグナル伝送の際におけ
る回路板の両隣接配線層間の抵抗値は５５±１０％オー
ムの範囲、例えば４９．５〜６０．５オームが最も好ま
しいが、上記従来の１．２ｍｍ回路版の第１及び第４の
抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値はＩｎｔｅｌ（インテル社）の勧
める好ましい範囲外にあって、加えるに第１及び第４の
抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒ
ｓ３値との間に約１１オームに及ぶ差異があり、この差
異がインピーダンスの不整合を形成する。このように、
高速シグナルが従来の１．２ｍｍ回路板において、第１
或いは第４のシグナル配線層Ｓ１、Ｓ４より第２或いは
第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ２に伝送されると、シグ
ナルが反射を生じ、それによって、シグナルの伝送が悪
影響をこうむる。同様に、上記従来の１．６ｍｍ回路板
の第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値も理論範囲外に
陥り、第１及び第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４値と第２及び
第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒｓ３値の間に２５．４オームにも
及ぶ大きな違いがあって、それによりシグナル反射の問
題が極めて深刻となる。１．２ｍｍ回路板の高速シグナ
ルの反射指数は下記のように計算することができる。 Ｐ＝（Ｚｌ−Ｚｏ）／（Ｚｌ＋Ｚｏ）＝（Ｒｓ１−Ｒｓ
２）／（Ｒｓ１＋Ｒｓ２）＝０．１１１ １．６ｍｍ回路板の反射指数も同様な方式で計算して
０．１９９が得られる。磁束の消磁作用力が弱められ
る。高速シグナルの反射が定常波を生ずると、高速シグ
ナルの電磁輻射が増大して、回路板の磁束の消磁作用力
が弱められ、かなりの高電磁波障害が発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】それ故、本発明は、イ
ンピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反射及び
電磁波障害を軽減できる多層回路板を提供することを目
的とする。
ンピーダンス整合を達成できて、高速シグナル反射及び
電磁波障害を軽減できる多層回路板を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の多層回路板は、上から下へと順に重畳配置
される第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の
絶縁基板を含んで、第１のシグナル配線層が第１の絶縁
基板の第２の絶縁基板と相対する向きの反対側の面に配
置され、第１の接地配線層が第１と第２の絶縁基板の間
に配設され、第２のシグナル配線層が第２と第３の絶縁
基板の間に配設され、第２の接地配線層が第３と第４の
絶縁基板の間に配設され、電源配線層が第４と第５の絶
縁基板の間に配設され、第３のシグナル配線層が第５と
第６の絶縁基板の間に配設され、第３の接地配線層が第
６と第７の絶縁基板の間に配設され、第４のシグナル配
線層が第７の絶縁基板の第６の絶縁基板と相対する向き
の反対側の面に配設されて、第１と第７の絶縁基板の厚
さがそれぞれ６３．５〜１９０．５μｍの範囲内にあ
り、第２と第６の絶縁基板の厚さが７６．２〜３３０．
２μｍの範囲内にあって、第３と第５の絶縁基板の厚さ
が７６．２〜３８１μｍの範囲内にあり、第４の絶縁基
板の厚さが５０．８〜１５２．４μｍの範囲にあって、
第１のシグナル配線層は第１の接地配線層との間に第１
の抵抗を具え、第２のシグナル配線層は第１及び第２の
接地配線層との間に第２の抵抗を具え、第３のシグナル
配線層は第３の接地配線層及び電源配線層との間に第３
の抵抗を具え、第４のシグナル配線層は第３の接地配線
層との間に第４の抵抗を具えると共に、これら、第１、
第２、第３及び第４の抵抗は４９．５〜６０．５オーム
の範囲内に規制されて構成される。
め、本発明の多層回路板は、上から下へと順に重畳配置
される第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の
絶縁基板を含んで、第１のシグナル配線層が第１の絶縁
基板の第２の絶縁基板と相対する向きの反対側の面に配
置され、第１の接地配線層が第１と第２の絶縁基板の間
に配設され、第２のシグナル配線層が第２と第３の絶縁
基板の間に配設され、第２の接地配線層が第３と第４の
絶縁基板の間に配設され、電源配線層が第４と第５の絶
縁基板の間に配設され、第３のシグナル配線層が第５と
第６の絶縁基板の間に配設され、第３の接地配線層が第
６と第７の絶縁基板の間に配設され、第４のシグナル配
線層が第７の絶縁基板の第６の絶縁基板と相対する向き
の反対側の面に配設されて、第１と第７の絶縁基板の厚
さがそれぞれ６３．５〜１９０．５μｍの範囲内にあ
り、第２と第６の絶縁基板の厚さが７６．２〜３３０．
２μｍの範囲内にあって、第３と第５の絶縁基板の厚さ
が７６．２〜３８１μｍの範囲内にあり、第４の絶縁基
板の厚さが５０．８〜１５２．４μｍの範囲にあって、
第１のシグナル配線層は第１の接地配線層との間に第１
の抵抗を具え、第２のシグナル配線層は第１及び第２の
接地配線層との間に第２の抵抗を具え、第３のシグナル
配線層は第３の接地配線層及び電源配線層との間に第３
の抵抗を具え、第４のシグナル配線層は第３の接地配線
層との間に第４の抵抗を具えると共に、これら、第１、
第２、第３及び第４の抵抗は４９．５〜６０．５オーム
の範囲内に規制されて構成される。
【０００７】上記のように構成された本発明の多層回路
板は、それぞれ抵抗が共にＩｎｔｅｌ（インテル社）が
設定する４９．５〜６０．５オームの範囲内に保持され
て、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分と低くな
り、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しくは除去し
て、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成する。ま
た、高速シグナル反射が低減したことから、定常波の発
生がなくなり、磁束の消磁作用力が高められて、電磁波
障害を低めることができる。上記利点から高速シグナル
レイアウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発
展している傾向に対応でき、且つインピーダンス整合の
ために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要がな
い。
板は、それぞれ抵抗が共にＩｎｔｅｌ（インテル社）が
設定する４９．５〜６０．５オームの範囲内に保持され
て、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分と低くな
り、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しくは除去し
て、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成する。ま
た、高速シグナル反射が低減したことから、定常波の発
生がなくなり、磁束の消磁作用力が高められて、電磁波
障害を低めることができる。上記利点から高速シグナル
レイアウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発
展している傾向に対応でき、且つインピーダンス整合の
ために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要がな
い。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
いて具体的に説明するが、本発明はこの例だけに限定さ
れるものではない。図１〜３に示す如く、本発明に係る
多層回路板６の第１の比較的好ましい第１の実施例は、
順に上から下へと互いに重畳配設される第１、第２、第
３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、
Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７を含んで、第１のシグナ
ル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板Ｌ１の第２の絶縁基板Ｌ
２と相対する向きの反対側の面に配置され、第１の接地
配線層ＧＮＤ１が第１と第２の絶縁基板Ｌ１，Ｌ２の間
に配設され、第２のシグナル配線層Ｓ２が第２と第３の
絶縁基板Ｌ２、Ｌ３の間に配設され、第２の接地配線層
ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁基板Ｌ３、Ｌ４の間に配設
され、電源配線層ＰＯＷＥＲが第４と第５の絶縁基板Ｌ
４、Ｌ５の間に配設され、第３のシグナル配線層Ｓ３が
第５と第６の絶縁基板Ｌ５、Ｌ６の間に配設され、第３
の接地配線層ＧＮＤ３が第６と第７の絶縁基板Ｌ６、Ｌ
７の間に配設され、第４のシグナル配線層Ｓ４が第７の
絶縁基板Ｌ７の第６の絶縁基板Ｌ６と相対する向きの反
対側の面に配設されて、第１、第２、第３及び第４のシ
グナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は通常銅金属薄片
によって作られ、第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１、
Ｓ４により電子部材（図示せず）の上に配設される。
いて具体的に説明するが、本発明はこの例だけに限定さ
れるものではない。図１〜３に示す如く、本発明に係る
多層回路板６の第１の比較的好ましい第１の実施例は、
順に上から下へと互いに重畳配設される第１、第２、第
３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、
Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７を含んで、第１のシグナ
ル配線層Ｓ１が第１の絶縁基板Ｌ１の第２の絶縁基板Ｌ
２と相対する向きの反対側の面に配置され、第１の接地
配線層ＧＮＤ１が第１と第２の絶縁基板Ｌ１，Ｌ２の間
に配設され、第２のシグナル配線層Ｓ２が第２と第３の
絶縁基板Ｌ２、Ｌ３の間に配設され、第２の接地配線層
ＧＮＤ２が第３と第４の絶縁基板Ｌ３、Ｌ４の間に配設
され、電源配線層ＰＯＷＥＲが第４と第５の絶縁基板Ｌ
４、Ｌ５の間に配設され、第３のシグナル配線層Ｓ３が
第５と第６の絶縁基板Ｌ５、Ｌ６の間に配設され、第３
の接地配線層ＧＮＤ３が第６と第７の絶縁基板Ｌ６、Ｌ
７の間に配設され、第４のシグナル配線層Ｓ４が第７の
絶縁基板Ｌ７の第６の絶縁基板Ｌ６と相対する向きの反
対側の面に配設されて、第１、第２、第３及び第４のシ
グナル配線層Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は通常銅金属薄片
によって作られ、第１及び第４のシグナル配線層Ｓ１、
Ｓ４により電子部材（図示せず）の上に配設される。
【０００９】上記第１、第２、第３、第４、第５、第６
及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ
６、Ｌ７と、上記第１、第２、第３及び第４のシグナル
配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、上記第１、第２及び
第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ３，ＧＮＤ３と、上
記電源配線層ＰＯＷＥＲは、互いにプレス接着して約
１．２ｍｍ厚さの回路板６に形成することができる。
及び第７の絶縁基板Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ
６、Ｌ７と、上記第１、第２、第３及び第４のシグナル
配線層Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４と、上記第１、第２及び
第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ３，ＧＮＤ３と、上
記電源配線層ＰＯＷＥＲは、互いにプレス接着して約
１．２ｍｍ厚さの回路板６に形成することができる。
【００１０】多層回路板６をプレス接着する場合は、第
２の接地配線層ＧＮＤ２と電源配線層ＰＯＷＥＲが第４
の絶縁基板Ｌ４を挟み付けるように配設されて、次に、
第２のシグナル配線層Ｓ２と第２の接地配線層ＧＮＤ
２、及び第３のシグナル配線層Ｓ３と電源配線層ＰＯＷ
ＥＲがそれぞれ第３及び第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５を挟
み付けるように配設され、第１の接地配線層ＧＮＤ１と
第２のシグナル配線層Ｓ２、及び第３の接地配線層ＧＮ
Ｄ３と第３のシグナル配線層Ｓ３がそれぞれ第２及び第
６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６を挟み付けるように配設され
て、最後に第１のシグナル配線層Ｓ１と第１の接地配線
層ＧＮＤ１、及び第４のシグナル配線層Ｓ４と第３の接
地配線層ＧＮＤ３がそれぞれ第１及び第７の絶縁基板Ｌ
１、Ｌ７を挟み付けるように配設されて１．２ｍｍ多層
回路板６を形成する。
２の接地配線層ＧＮＤ２と電源配線層ＰＯＷＥＲが第４
の絶縁基板Ｌ４を挟み付けるように配設されて、次に、
第２のシグナル配線層Ｓ２と第２の接地配線層ＧＮＤ
２、及び第３のシグナル配線層Ｓ３と電源配線層ＰＯＷ
ＥＲがそれぞれ第３及び第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５を挟
み付けるように配設され、第１の接地配線層ＧＮＤ１と
第２のシグナル配線層Ｓ２、及び第３の接地配線層ＧＮ
Ｄ３と第３のシグナル配線層Ｓ３がそれぞれ第２及び第
６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６を挟み付けるように配設され
て、最後に第１のシグナル配線層Ｓ１と第１の接地配線
層ＧＮＤ１、及び第４のシグナル配線層Ｓ４と第３の接
地配線層ＧＮＤ３がそれぞれ第１及び第７の絶縁基板Ｌ
１、Ｌ７を挟み付けるように配設されて１．２ｍｍ多層
回路板６を形成する。
【００１１】本発明において、第１と第７の絶縁基板Ｌ
１、Ｌ７の厚さＨ４はそれぞれ６３．５〜１９０．５μ
ｍの範囲内にあり、第２と第６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６の
厚さＨ３がそれぞれ７６．２〜３３０．２μｍの範囲内
にあって、第３と第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５の厚さＨ２
が７６．２〜３８１μｍの範囲内にあり、第４の絶縁基
板Ｌ４の厚さＨ１が５０．８〜１５２．４μｍの範囲に
ある。第１のシグナル配線層Ｓ１は第１の接地配線層Ｇ
ＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１を有し、第２のシグナ
ル配線層Ｓ２は第１及び第２の接地配線層ＧＮＤ１，Ｇ
ＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２を有し、第３のシグナ
ル配線層Ｓ３は第３の接地配線層ＧＮＤ３及び電源配線
層ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒｓ３を有し、第４の
シグナル配線層Ｓ４は第３の接地配線層ＧＮＤ３との間
に第４の抵抗Ｒｓ４を有する。それら絶縁層Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７の厚さを上記範囲内
にコントロールすると、第１、第２、第３及び第４の抵
抗Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３，Ｒｓ４を高速シグナル伝送
の際にＩｎｔｅｌ（インテル社）が勧める４９．５〜６
０．５オームの範囲内に保持できて、インピーダンス整
合の効果を達成する。
１、Ｌ７の厚さＨ４はそれぞれ６３．５〜１９０．５μ
ｍの範囲内にあり、第２と第６の絶縁基板Ｌ２、Ｌ６の
厚さＨ３がそれぞれ７６．２〜３３０．２μｍの範囲内
にあって、第３と第５の絶縁基板Ｌ３、Ｌ５の厚さＨ２
が７６．２〜３８１μｍの範囲内にあり、第４の絶縁基
板Ｌ４の厚さＨ１が５０．８〜１５２．４μｍの範囲に
ある。第１のシグナル配線層Ｓ１は第１の接地配線層Ｇ
ＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒｓ１を有し、第２のシグナ
ル配線層Ｓ２は第１及び第２の接地配線層ＧＮＤ１，Ｇ
ＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒｓ２を有し、第３のシグナ
ル配線層Ｓ３は第３の接地配線層ＧＮＤ３及び電源配線
層ＰＯＷＥＲとの間に第３の抵抗Ｒｓ３を有し、第４の
シグナル配線層Ｓ４は第３の接地配線層ＧＮＤ３との間
に第４の抵抗Ｒｓ４を有する。それら絶縁層Ｌ１，Ｌ
２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７の厚さを上記範囲内
にコントロールすると、第１、第２、第３及び第４の抵
抗Ｒｓ１，Ｒｓ２，Ｒｓ３，Ｒｓ４を高速シグナル伝送
の際にＩｎｔｅｌ（インテル社）が勧める４９．５〜６
０．５オームの範囲内に保持できて、インピーダンス整
合の効果を達成する。
【００１２】第１、第３、第５、第７の絶縁基板Ｌ１，
Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７の少なくとも何れかがポリエステルプ
リプレグによって作られ、第２、第４、第６の絶縁基板
Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６の少なくとも何れかが紙或いはガラス
繊維を含んだ繊維質心材によって作られる。
Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７の少なくとも何れかがポリエステルプ
リプレグによって作られ、第２、第４、第６の絶縁基板
Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６の少なくとも何れかが紙或いはガラス
繊維を含んだ繊維質心材によって作られる。
【００１３】本第１の実施例において、第１と第４のシ
グナル配線層Ｓ１，Ｓ４はそれぞれ約１．４μｍの厚さ
を具え、第２と第３のシグナル配線層Ｓ２，Ｓ３、第
１、第２と第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮ
Ｄ３、及び電源配線層ＰＯＷＥＲはそれぞれ約１７．８
μｍの厚さを具える。第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７
はそれぞれ好ましくは１１４．３±５０．８μｍ、最も
好ましくは１１４．３μｍの厚さＨ４を具えて、第２と
第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６はそれぞれ好ましくは１５
２．４±７６．２μｍ、最も好ましくは１５２．４μｍ
の厚さＨ３を具え、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５は
それぞれ好ましくは１７７．８±１０１．６μｍ、最も
好ましくは１７７．８μｍの厚さＨ２を具え、第４の絶
縁基板Ｌ４は最も好ましい１０１．６μｍの厚さを具え
る。更に好ましくは、第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７
の厚さＨ４が等しく、第２と第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６
の厚さＨ３が等しく、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５
の厚さＨ２が等しい。
グナル配線層Ｓ１，Ｓ４はそれぞれ約１．４μｍの厚さ
を具え、第２と第３のシグナル配線層Ｓ２，Ｓ３、第
１、第２と第３の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮ
Ｄ３、及び電源配線層ＰＯＷＥＲはそれぞれ約１７．８
μｍの厚さを具える。第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７
はそれぞれ好ましくは１１４．３±５０．８μｍ、最も
好ましくは１１４．３μｍの厚さＨ４を具えて、第２と
第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６はそれぞれ好ましくは１５
２．４±７６．２μｍ、最も好ましくは１５２．４μｍ
の厚さＨ３を具え、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５は
それぞれ好ましくは１７７．８±１０１．６μｍ、最も
好ましくは１７７．８μｍの厚さＨ２を具え、第４の絶
縁基板Ｌ４は最も好ましい１０１．６μｍの厚さを具え
る。更に好ましくは、第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７
の厚さＨ４が等しく、第２と第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６
の厚さＨ３が等しく、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，Ｌ５
の厚さＨ２が等しい。
【００１４】続いて、各絶縁基板Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ
４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７のそれぞれ厚さの概算を下記の通
りに説明する。先ず、第１と第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４
を次の式（１）で計算する。
４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７のそれぞれ厚さの概算を下記の通
りに説明する。先ず、第１と第４の抵抗Ｒｓ１，Ｒｓ４
を次の式（１）で計算する。
【数１】 ここで、ＥRは誘導係数で４．５、Ｈ４は第１と第７の
絶縁基板Ｌ１，Ｌ７の厚さ、Ｗは第１と第４のシグナル
配線層Ｓ１，Ｓ４のトレース幅、５０．８〜２ ０３．２
μｍの範囲内にあるが、本実施例では１２７μｍ、Ｔ１
は第１と第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ４の厚さ、３
５．６μｍである。次に、第２と第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒ
ｓ３値を下記の式（２）から得る。
絶縁基板Ｌ１，Ｌ７の厚さ、Ｗは第１と第４のシグナル
配線層Ｓ１，Ｓ４のトレース幅、５０．８〜２ ０３．２
μｍの範囲内にあるが、本実施例では１２７μｍ、Ｔ１
は第１と第４のシグナル配線層Ｓ１，Ｓ４の厚さ、３
５．６μｍである。次に、第２と第３の抵抗Ｒｓ２，Ｒ
ｓ３値を下記の式（２）から得る。
【数２】 ここで、ＥRは誘導係数で４．５、Ｈ２は第３と第５の
絶縁基板Ｌ３，Ｌ５の厚さ、Ｈ３は第２と第６の絶縁基
板Ｌ２，Ｌ６の厚さ、Ｔ２は第２と第３のシグナル配線
層Ｓ２，Ｓ３の厚さ１７．８μｍ、Ｗは第２と第３のシ
グナル配線層Ｓ２，Ｓ３のトレース幅、５０．８〜２０
３．２μｍの範囲内にあるが、本実施例では１２７μｍ
である。 ２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２≡１．２ｍｍ…（３） 加えるに、回路板の合計厚さは１．２ｍｍ（約１１９
３．８μｍに相当する）、或いはその許容誤差範囲内に
規制すべきで、上式（３）によって表される。上式
（３）に基づいて、それぞれ絶縁基板の好ましい厚さ値
を得ることができ、即ち、第４の絶縁基板Ｌ４の厚さＨ
１が５０．８〜１５２．４μｍの範囲内にある場合は１
０１．６μｍが好ましく、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，
Ｌ５のそれぞれ厚さＨ２が７６．２〜２７９．４μｍの
範囲内にある場合は１７７．８μｍが好ましく、第２と
第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６のそれぞれ厚さＨ３が７６．
２〜２２８．６μｍの範囲内にある場合は１５２．４μ
ｍが好ましく、第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７のそれ
ぞれ厚さＨ４が６３．５〜１６５．１μｍの範囲内にあ
る場合は１１４．３μｍが好ましい。この場合、第１の
シグナル配線層Ｓ１の第１の接地配線層ＧＮＤ１に対す
る第１の抵抗Ｒｓ１が第４のシグナル配線層Ｓ４の第３
の接地配線層ＧＮＤ３に対する第４の抵抗Ｒｓ４に等し
く５８オームで、即ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５８オームで
あり、第２のシグナル配線層Ｓ２の第１と第２の接地配
線層ＧＮＤ１、ＧＮＤ２に対する第２の抵抗Ｒｓ２が第
３のシグナル配線層Ｓ３の電源配線層ＰＯＷＥＲと第３
の接地配線層ＧＮＤ３に対する第３の抵抗Ｒｓ３に等し
く５２オームで、即ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５２オームで
ある。注意すべきは、それら抵抗値はみな５５オーム±
１０％の理論範囲内にあって、差異が僅かに６オームの
みであり、反射指数ρが０．０５に低減して、従来技術
の反射指数（ρ＝０．１１）に比べて随分と低くなる。
なお、上式３（２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ
１＋６Ｔ２）によって算出した回路板６の厚さ総計は、
２×１１４．３μｍ＋２×１５２．４μｍ＋２×１７
７．８μｍ＋１×１０１．６μｍ＋２×３５．６μｍ＋
６×１７．８μｍ＝１１６８．６μｍ≒１．２ｍｍ（許
容誤差の範囲内）である。
絶縁基板Ｌ３，Ｌ５の厚さ、Ｈ３は第２と第６の絶縁基
板Ｌ２，Ｌ６の厚さ、Ｔ２は第２と第３のシグナル配線
層Ｓ２，Ｓ３の厚さ１７．８μｍ、Ｗは第２と第３のシ
グナル配線層Ｓ２，Ｓ３のトレース幅、５０．８〜２０
３．２μｍの範囲内にあるが、本実施例では１２７μｍ
である。 ２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１＋６Ｔ２≡１．２ｍｍ…（３） 加えるに、回路板の合計厚さは１．２ｍｍ（約１１９
３．８μｍに相当する）、或いはその許容誤差範囲内に
規制すべきで、上式（３）によって表される。上式
（３）に基づいて、それぞれ絶縁基板の好ましい厚さ値
を得ることができ、即ち、第４の絶縁基板Ｌ４の厚さＨ
１が５０．８〜１５２．４μｍの範囲内にある場合は１
０１．６μｍが好ましく、第３と第５の絶縁基板Ｌ３，
Ｌ５のそれぞれ厚さＨ２が７６．２〜２７９．４μｍの
範囲内にある場合は１７７．８μｍが好ましく、第２と
第６の絶縁基板Ｌ２，Ｌ６のそれぞれ厚さＨ３が７６．
２〜２２８．６μｍの範囲内にある場合は１５２．４μ
ｍが好ましく、第１と第７の絶縁基板Ｌ１，Ｌ７のそれ
ぞれ厚さＨ４が６３．５〜１６５．１μｍの範囲内にあ
る場合は１１４．３μｍが好ましい。この場合、第１の
シグナル配線層Ｓ１の第１の接地配線層ＧＮＤ１に対す
る第１の抵抗Ｒｓ１が第４のシグナル配線層Ｓ４の第３
の接地配線層ＧＮＤ３に対する第４の抵抗Ｒｓ４に等し
く５８オームで、即ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５８オームで
あり、第２のシグナル配線層Ｓ２の第１と第２の接地配
線層ＧＮＤ１、ＧＮＤ２に対する第２の抵抗Ｒｓ２が第
３のシグナル配線層Ｓ３の電源配線層ＰＯＷＥＲと第３
の接地配線層ＧＮＤ３に対する第３の抵抗Ｒｓ３に等し
く５２オームで、即ち、Ｒｓ１＝Ｒｓ４＝５２オームで
ある。注意すべきは、それら抵抗値はみな５５オーム±
１０％の理論範囲内にあって、差異が僅かに６オームの
みであり、反射指数ρが０．０５に低減して、従来技術
の反射指数（ρ＝０．１１）に比べて随分と低くなる。
なお、上式３（２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ
１＋６Ｔ２）によって算出した回路板６の厚さ総計は、
２×１１４．３μｍ＋２×１５２．４μｍ＋２×１７
７．８μｍ＋１×１０１．６μｍ＋２×３５．６μｍ＋
６×１７．８μｍ＝１１６８．６μｍ≒１．２ｍｍ（許
容誤差の範囲内）である。
【００１５】図４に示すのは、本発明に係る多層回路板
６’の比較的好ましい第２の実施例であり、上記第１の
実施例と異なるところは、回路板６’の厚さが約１．６
ｍｍで、その第１と第７の絶縁基板Ｌ１’，Ｌ７’がそ
れぞれ好ましい１３９．７±５０．８μｍ、特に好まし
い１３９．７μｍの厚さを具え、その第２と第６の絶縁
基板Ｌ２’，Ｌ６’がそれぞれ好ましい２５４±７６．
２μｍ、特に好ましい２５４μｍの厚さを具えて、その
第３と第５の絶縁基板Ｌ３’，Ｌ５’がそれぞれ好まし
い２７９．４±１０１．６μｍ、特に好ましい２７９．
４μｍの厚さを具える点である。第１のシグナル配線層
Ｓ１は第１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒ
ｓ１’を有し、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１と第２
の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒ
ｓ２’を有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地
配線層ＧＮＤ３と電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の
抵抗Ｒｓ３’を有し、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３
の接地配線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４’を有
する。
６’の比較的好ましい第２の実施例であり、上記第１の
実施例と異なるところは、回路板６’の厚さが約１．６
ｍｍで、その第１と第７の絶縁基板Ｌ１’，Ｌ７’がそ
れぞれ好ましい１３９．７±５０．８μｍ、特に好まし
い１３９．７μｍの厚さを具え、その第２と第６の絶縁
基板Ｌ２’，Ｌ６’がそれぞれ好ましい２５４±７６．
２μｍ、特に好ましい２５４μｍの厚さを具えて、その
第３と第５の絶縁基板Ｌ３’，Ｌ５’がそれぞれ好まし
い２７９．４±１０１．６μｍ、特に好ましい２７９．
４μｍの厚さを具える点である。第１のシグナル配線層
Ｓ１は第１の接地配線層ＧＮＤ１との間に第１の抵抗Ｒ
ｓ１’を有し、第２のシグナル配線層Ｓ２は第１と第２
の接地配線層ＧＮＤ１，ＧＮＤ２との間に第２の抵抗Ｒ
ｓ２’を有し、第３のシグナル配線層Ｓ３は第３の接地
配線層ＧＮＤ３と電源配線層ＰＯＷＥＲとの間に第３の
抵抗Ｒｓ３’を有し、第４のシグナル配線層Ｓ４は第３
の接地配線層ＧＮＤ３との間に第４の抵抗Ｒｓ４’を有
する。
【００１６】上式（３）の合計が実質上１．６ｍｍ（約
１６２５．６μｍ）であること、及び抵抗値がＩｎｔｅ
ｌ（インテル社）の勧める理論範囲内にあることの条件
の下で、式（１）と（２）を使って先ずＲｓ１’、Ｒｓ
４’の値及びＲｓ２’、Ｒｓ３’の値を計算し、各絶縁
基板の好ましい厚さを求めたのであり、これらパラメー
ターのうち、シグナル配線層のトレース幅が５０．８〜
２０３．２μｍ範囲内にあって、特に好ましいのは主と
して１．６ｍｍ回路板が採用している１５２．４μｍで
ある。したがって、Ｈ１が５０．８〜１５２．４μｍの
範囲内にいる場合、好ましいＨ１は１０１．６μｍで、
Ｈ２が１７７．８〜３８１μｍの範囲内にいる場合、好
ましいＨ２は２７９．４μｍで、Ｈ３が１７７．８〜３
３０．２μｍの範囲内にいる場合、好ましいＨ３は２５
４μｍで、Ｈ４が８８．９〜１９０．５μｍの範囲内に
いる場合、好ましいＨ４は１３９．７μｍである、こと
が成立する。また、第１の抵抗Ｒｓ１’は第４の抵抗Ｒ
ｓ４’と等しく６０オームで、即ちＲｓ１’＝Ｒｓ４’
＝６０Ωであり、第２の抵抗Ｒｓ２’は第３の抵抗Ｒｓ
３’と等しく６０オームで、即ちＲｓ２’＝Ｒｓ３’＝
６０Ωである。これら抵抗値は両方ともＩｎｔｅｌ（イ
ンテル社）が設定した４９．５〜６０．５オームの範囲
内にあって、尚、反射指数がゼロに低下し、更に上式
（３）による回路板６’の厚さは実質上１．６ｍｍに等
しい。即ち、２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１
＋６Ｔ２＝２×１３９．７μｍ＋２×２５４μｍ＋２×
２７９．４μｍ＋１×１０１．６μｍ＋２×３５．６μ
ｍ＋６×１７．８μｍ＝１６２５．８μｍ≒１．６ｍｍ
（許容誤差の範囲内）。
１６２５．６μｍ）であること、及び抵抗値がＩｎｔｅ
ｌ（インテル社）の勧める理論範囲内にあることの条件
の下で、式（１）と（２）を使って先ずＲｓ１’、Ｒｓ
４’の値及びＲｓ２’、Ｒｓ３’の値を計算し、各絶縁
基板の好ましい厚さを求めたのであり、これらパラメー
ターのうち、シグナル配線層のトレース幅が５０．８〜
２０３．２μｍ範囲内にあって、特に好ましいのは主と
して１．６ｍｍ回路板が採用している１５２．４μｍで
ある。したがって、Ｈ１が５０．８〜１５２．４μｍの
範囲内にいる場合、好ましいＨ１は１０１．６μｍで、
Ｈ２が１７７．８〜３８１μｍの範囲内にいる場合、好
ましいＨ２は２７９．４μｍで、Ｈ３が１７７．８〜３
３０．２μｍの範囲内にいる場合、好ましいＨ３は２５
４μｍで、Ｈ４が８８．９〜１９０．５μｍの範囲内に
いる場合、好ましいＨ４は１３９．７μｍである、こと
が成立する。また、第１の抵抗Ｒｓ１’は第４の抵抗Ｒ
ｓ４’と等しく６０オームで、即ちＲｓ１’＝Ｒｓ４’
＝６０Ωであり、第２の抵抗Ｒｓ２’は第３の抵抗Ｒｓ
３’と等しく６０オームで、即ちＲｓ２’＝Ｒｓ３’＝
６０Ωである。これら抵抗値は両方ともＩｎｔｅｌ（イ
ンテル社）が設定した４９．５〜６０．５オームの範囲
内にあって、尚、反射指数がゼロに低下し、更に上式
（３）による回路板６’の厚さは実質上１．６ｍｍに等
しい。即ち、２Ｈ４＋２Ｈ３＋２Ｈ２＋１Ｈ１＋２Ｔ１
＋６Ｔ２＝２×１３９．７μｍ＋２×２５４μｍ＋２×
２７９．４μｍ＋１×１０１．６μｍ＋２×３５．６μ
ｍ＋６×１７．８μｍ＝１６２５．８μｍ≒１．６ｍｍ
（許容誤差の範囲内）。
【００１７】
【発明の効果】それ故、本発明の多層回路板は下記の利
点と効果を有する。 １．高速シグナル反射が低減する。第１及び第２の実施
例のそれぞれ抵抗が共に５５オーム±１０％の設定範囲
内にあって、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分
と低くなり、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しく
は除去して、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成
できる。 ２．電磁波障害が軽減する。高速シグナル反射が低減し
たため、定常波の発生がなくなり、磁束の反作用が高め
られて、電磁波障害を低め、現在のＥＭＩ標準に符合で
きる。 ３．高速シグナルのレイアウトへの適応性が優れてい
る。上記利点から本発明の回路板は高速シグナルレイア
ウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発展して
いる傾向に対応し、製品の市場価格や競争力を高める。 ４．レイアウトの時効性が向上する。インピーダンス整
合のために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要
がなく、レイアウトの時間的効率が向上する。
点と効果を有する。 １．高速シグナル反射が低減する。第１及び第２の実施
例のそれぞれ抵抗が共に５５オーム±１０％の設定範囲
内にあって、実質上、反射指数は従来技術と比べて随分
と低くなり、高速シグナルの反射をかなり軽減、若しく
は除去して、高速シグナルの伝送に適する回路板を形成
できる。 ２．電磁波障害が軽減する。高速シグナル反射が低減し
たため、定常波の発生がなくなり、磁束の反作用が高め
られて、電磁波障害を低め、現在のＥＭＩ標準に符合で
きる。 ３．高速シグナルのレイアウトへの適応性が優れてい
る。上記利点から本発明の回路板は高速シグナルレイア
ウトに適して、現在の工業が高速シグナルへと発展して
いる傾向に対応し、製品の市場価格や競争力を高める。 ４．レイアウトの時効性が向上する。インピーダンス整
合のために、シグナル配線層のトレース幅を変える必要
がなく、レイアウトの時間的効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る比較的好ましい第１の実施例にお
ける１．２ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
ける１．２ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
【図２】第１の実施例の部分断面図である。
【図３】第１の実施例の他の部分断面図である。
【図４】本発明に係る比較的好ましい第２の実施例にお
ける１．６ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
ける１．６ｍｍ厚さの多層回路板の概略図である。
【図５】従来技術による１．２ｍｍ厚さの多層回路板の
概略図である。
概略図である。
【図６】従来技術による１．６ｍｍ厚さの多層回路板の
概略図である。
概略図である。
【符号の説明】 Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７…第１、第
２、第３、第４、第５、第６、第７の絶縁基板 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…第１、第２、第３、第４のシ
グナル配線層 ＧＮＤ１、ＧＮＤ２、ＧＮＤ３…第１、第２、第３の接
地配線層 Ｈ４…第１と第７の絶縁基板の厚さ Ｈ３…第２と第６の絶縁基板の厚さ Ｈ２…第３と第５の絶縁基板の厚さ Ｈ１…第４の絶縁基板の厚さ Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４…第１、第２、第３、
第４の抵抗
２、第３、第４、第５、第６、第７の絶縁基板 Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４…第１、第２、第３、第４のシ
グナル配線層 ＧＮＤ１、ＧＮＤ２、ＧＮＤ３…第１、第２、第３の接
地配線層 Ｈ４…第１と第７の絶縁基板の厚さ Ｈ３…第２と第６の絶縁基板の厚さ Ｈ２…第３と第５の絶縁基板の厚さ Ｈ１…第４の絶縁基板の厚さ Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３、Ｒｓ４…第１、第２、第３、
第４の抵抗
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E338 AA03 AA15 BB13 CC01 CC02 CC04 CC06 EE13 5E346 AA12 AA15 AA22 AA32 AA34 AA43 AA51 BB02 BB03 BB04 BB07 BB11 BB15 BB16 CC02 CC08 CC12 DD02 EE06 EE07 EE09 FF27 FF45 GG28 HH03 HH06
Claims (13)
- 【請求項１】 上から下へと順に重畳配置される第１、
第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶縁基板と、 第１の絶縁基板の第２の絶縁基板と相対する向きの反対
側の面に配置される第１のシグナル配線層と、 第１と第２の絶縁基板の間に配設される第１の接地配線
層と、 第２と第３の絶縁基板の間に配設される第２のシグナル
配線層と、 第３と第４の絶縁基板の間に配設される第２の接地配線
層と、 第４と第５の絶縁基板の間に配設される電源配線層と、 第５と第６の絶縁基板の間に配設される第３のシグナル
配線層と、 第６と第７の絶縁基板の間に配設される第３の接地配線
層と、 第７の絶縁基板の第６の絶縁基板と相対する向きの反対
側の面に配設される第４のシグナル配線層と、を含み、 第１と第７の絶縁基板がそれぞれ２．５〜７．５ｍｉｌ
範囲内の厚さを具え、 第２と第６の絶縁基板がそれぞれ３〜１３ｍｉｌ範囲内
の厚さを具え、 第３と第５の絶縁基板がそれぞれ３〜１５ｍｉｌ範囲内
の厚さを具え、 第４の絶縁基板が２〜６ｍｉｌ範囲内の厚さを具えて、 上記第１のシグナル配線層は上記第１の接地配線層との
間に第１の抵抗を具え、上記第２のシグナル配線層は上
記第１及び第２の接地配線層との間に第２の抵抗を具
え、上記第３のシグナル配線層は第３の接地配線層及び
電源配線層との間に第３の抵抗を具え、第４のシグナル
配線層は第３の接地配線層との間に第４の抵抗を具える
と共に、 これら、第１、第２、第３及び第４の抵抗は４９．５〜
６０．５オームの範囲内に規制されてなることを特徴と
する多層回路板。 - 【請求項２】 上記第１、第３、第５及び第７の絶縁基
板の少なくとも何れかがポリエステルプリプレグによっ
て形成されてなる請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項３】 上記第２、第４及び第６の絶縁基板の少
なくとも何れかが繊維質心材によって形成されてなる請
求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項４】 上記心材が紙繊維を含んでなる請求項３
に記載の多層回路板。 - 【請求項５】 上記心材がガラス繊維を含んでなる請求
項３に記載の多層回路板。 - 【請求項６】 上記第１と第７の絶縁基板のそれぞれの
厚さが等しい請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項７】 上記第２と第６の絶縁基板のそれぞれの
厚さが等しい請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項８】 上記第３と第５の絶縁基板のそれぞれの
厚さが等しい請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項９】 上記第１と第４のシグナル配線層のそれ
ぞれ厚さが約１．４ｍｉｌで、上記第２と第３のシグナ
ル配線層、上記第１、第２及び第３の接地配線層、並び
に電源配線層のそれぞれの厚さが約０．７ｍｉｌである
請求項１に記載の多層回路板。 - 【請求項１０】 上記第１と第７の絶縁基板がそれぞれ
４．５±２ｍｉｌの厚さを具え、 上記第２と第６の絶縁基板がそれぞれ６±３ｍｉｌの厚
さを具え、 上記第３と第５の絶縁基板がそれぞれ７±４ｍｉｌの厚
さを具え、 上記第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶
縁基板と、上記第１、第２、第３及び第４のシグナル配
線層と、上記第１、第２及び第３の接地配線層と、上記
電源配線層とを、互いにプレス接着して約１．２ｍｍ厚
さの回路板に形成してなる請求項１に記載の多層回路
板。 - 【請求項１１】 上記第１と第７の絶縁基板のそれぞれ
の厚さが４．５ｍｉｌで、 上記第２と第６の絶縁基板のそれぞれの厚さが６ｍｉｌ
で、 上記第３と第５の絶縁基板のそれぞれの厚さが７ｍｉｌ
で、 且つ、上記第４の絶縁基板の厚さが４ｍｉｌである請求
項１０に記載の多層回路板。 - 【請求項１２】 上記第１と第７の絶縁基板がそれぞれ
５．５±２ｍｉｌの厚さを具え、 上記第２と第６の絶縁基板がそれぞれ１０±３ｍｉｌの
厚さを具え、 上記第３と第５の絶縁基板がそれぞれ１１±４ｍｉｌの
厚さを具え、 上記第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７の絶
縁基板と、上記第１、第２、第３及び第４のシグナル配
線層と、上記第１、第２及び第３の接地配線層と、上記
電源配線層とを、互いにプレス接着して約１．６ｍｍ厚
さの回路板に形成してなる請求項１に記載の多層回路
板。 - 【請求項１３】 上記第１と第７の絶縁基板のそれぞれ
の厚さが５．５ｍｉｌで、 上記第２と第６の絶縁基板のそれぞれの厚さが１０ｍｉ
ｌで、 上記第３と第５の絶縁基板のそれぞれの厚さが１１ｍｉ
ｌで、 且つ、上記第４の絶縁基板の厚さが４ｍｉｌである請求
項１２に記載の多層回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101233A JP2002299840A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 多層回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001101233A JP2002299840A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 多層回路板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299840A true JP2002299840A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18954586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001101233A Pending JP2002299840A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 多層回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299840A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7733665B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-06-08 | Denso Corporation | Multi-layer substrate having conductive pattern and resin film and method for manufacturing the same |
| US8284564B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-09 | Sony Corporation | Circuit board |
| JP2012227553A (ja) * | 2010-04-28 | 2012-11-15 | Denso Corp | 多層基板の製造方法 |
| US9060423B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-06-16 | Sony Corporation | Laminated wiring board |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001101233A patent/JP2002299840A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7733665B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-06-08 | Denso Corporation | Multi-layer substrate having conductive pattern and resin film and method for manufacturing the same |
| US8284564B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-09 | Sony Corporation | Circuit board |
| JP2012227553A (ja) * | 2010-04-28 | 2012-11-15 | Denso Corp | 多層基板の製造方法 |
| US9060423B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-06-16 | Sony Corporation | Laminated wiring board |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5571608A (en) | Apparatus and method of making laminate an embedded conductive layer | |
| KR100604463B1 (ko) | 다층 회로기판 제조방법 | |
| EP1601053A1 (en) | Wired circuit board and connection structure of wired circuit board | |
| US9860978B1 (en) | Rigid-flex board structure | |
| US4884170A (en) | Multilayer printed circuit board and method of producing the same | |
| US6489570B2 (en) | Multi-layer circuit board | |
| JP2007096159A (ja) | 多層プリント配線板 | |
| JP2009277692A (ja) | 多層プリント配線板，電子装置，及び電子装置の製造方法 | |
| JP2002299840A (ja) | 多層回路板 | |
| US6417460B1 (en) | Multi-layer circuit board having signal, ground and power layers | |
| US6326557B1 (en) | Multi-layer circuit board | |
| JPH0794835A (ja) | フレキシブル・リジッド・プリント配線板 | |
| US6548858B2 (en) | Multi-layer circuit board | |
| US6384340B1 (en) | Multi-layer circuit board | |
| JP2006059962A (ja) | リジッドフレックス回路基板およびその製造方法 | |
| CN112911792B (zh) | 一种fpc组件及贴片方法 | |
| JP4398626B2 (ja) | 積層回路 | |
| JP2002299839A (ja) | 多層回路板 | |
| JP2002299815A (ja) | 多層回路板 | |
| JPH06314862A (ja) | フレキシブル回路基板 | |
| JP2002299816A (ja) | 多層回路板 | |
| JP2002299817A (ja) | 多層回路板 | |
| JPH07111371A (ja) | フレキシブルプリント基板 | |
| CN116321696B (zh) | 一种pcb板 | |
| CN212259433U (zh) | 一种高频高速电路板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041207 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070807 |