JP2002284727A - 芳香族アルコール類の製造方法 - Google Patents
芳香族アルコール類の製造方法Info
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Abstract
により芳香族炭化水素類を直接酸化し、芳香族アルコー
ル類を高収率で製造する方法を提供する。 【解決手段】 酸素及び水素を芳香族炭化水素類と反応
させ、一段の反応工程で芳香族アルコール類を製造する
方法において、通過する物質を活性化する隔膜型触媒3
により活性化された水素1を、芳香族炭化水素および酸
素2とを反応せしめる芳香族アルコール類の製造方法
Description
用いる芳香族アルコール類の製造方法に関し、さらに詳
しくは、隔膜型触媒によって活性化した水素及び酸素を
芳香族炭化水素類と反応させ、一段の反応工程で芳香族
アルコール類を製造する方法に関する。
における基礎化学品として重要なものが多く、その中で
も、フェノールやクレゾールは特に重要な化学品であ
る。これらは、例えばホルムアルデヒドと重縮合反応さ
せ、いわゆるフェノール樹脂やクレゾール樹脂の製造の
ために使用されている。そして、これらの樹脂は塗料、
ラッカー、あるいは圧縮成形用や発泡成形用の樹脂原料
として幅広く利用されている。また、フェノールは、エ
ポキシ樹脂の原料として重要なビスフェノールAやビス
フェノールFの原料として用いられており、さらにフェ
ノールを水素化したシクロヘキサノールは、ナイロン原
料であるε−カプロラクタムの製造用に用いられている
ールについては、従来その製造法は大きくわけて2種類
知られている。その一つはベンゼンやアルキルベンゼン
を化学的に酸化し合成する方法であり、もう一つは石炭
の乾溜によって得られるタール分を分溜あるいは抽出に
よって製造する方法である。しかしながら、後者は製造
されるフェノールが多くの不純物を含み、生成物の純度
が低いため、現在アルキルベンゼンを酸化する間接法が
主流となっている。
製造法としては、ベンゼンを直接、部分的に酸化する
「直接酸化法」が最も理想的である。しかし、「直接酸
化法」は反応の制御が難しく、ベンゼンの酸化によって
生成したフェノールがさらに酸化されるため、現在のと
ころ、実用的な製造方法の確立には至っていない。
造法のうち、現在最も盛んに行われているのはクメン法
と呼ばれる方法である。クメン法は、プロピレンとベン
ゼンを反応させクメンを合成し、次いで例えばコバルト
塩触媒で空気酸化しクメンハイドロパーオキサイドと
し、酸触媒によりフェノールとアセトンに分解する方法
である。この方法は、選択率も高く非常に優れた方法で
あるが、フェノールの生成に対し等モルの割合でアセト
ンが併産されるため、フェノールの価格がアセトンの需
要量に左右され、変動する欠点がある。
も、いくつか提案されている。例えば、G.I.Pano
vの論文(Appl,Catal,A.,98,33
(1993)では、亜酸化窒素を酸化剤にしてベンゼン
の直接酸化によりフェノールを得ている。この方法で
は、亜酸化窒素の合成が容易でない点に大きな問題があ
る。また、特開平6−1738号公報や特開平7−69
950号公報では、過酸化水素を酸素源にし、担持型
鉄、貴金属、あるいはゼオライトやヘテロポリ酸等の各
種触媒を用いて酸化する方法が提案されている。この方
法は、副生成物が水のみである点では環境にやさしく、
優れているが、高価な過酸化水素を大量に必要とする点
が問題である。更に、山中、大塚らの論文(Appl,
Catal,A.,171,309(1998)では、
チタニアに担持したユーロピウム触媒を用いて、酸素ガ
スによるベンゼンの酸化を行っているが、この取り扱い
が煩雑なことと、フェノールの収率が2〜4%と低い問
題がある。
は、酸素源として安価な酸素を用い、簡便な方法により
芳香族炭化水素類を直接酸化し、芳香族アルコール類を
高収率で製造する方法を提供することにある。
を解決すべく鋭意研究した結果、触媒自体の形態を膜状
にした隔膜型触媒を用いて水素を活性化し、これを酸素
および芳香族炭化水素と反応させることにより、芳香族
炭化水素類を酸素により直接酸化することができ、しか
も芳香族炭化水素類および酸素の接触を自由に制御し得
るため目的生成物の過反応が防止でき、その結果高収率
で芳香族アルコール類が製造できることを見い出し、本
発明を完成した。
化水素類と反応させ、一段の反応工程で芳香族アルコー
ル類を製造する方法において、通過する物質を活性化す
る隔膜型触媒により活性化された水素を、芳香族炭化水
素および酸素とを反応せしめることを特徴とする芳香族
アルコールの製造方法である。
複数に区分する隔膜型触媒が設けられており、反応容器
内の区分されてできた複数の室の隣接する一方の室に
は、水素が流通可能とされており、区分されてできた隣
接する他方の室には、芳香族炭化水素類および酸素が流
通可能とされており、隔膜型触媒を通過する際に活性化
された水素が、芳香族炭化水素類および酸素と反応する
よう構成された反応容器を用いて反応を行う上記の芳香
族アルコール類の製造方法である。
は、通過する物質を活性化する隔膜型触媒により活性化
された水素を、酸素および芳香族炭化水素類と反応させ
ることにより、一段の反応工程で製造される。
応容器の一例としては、その基本的な構造として、反応
容器を複数に区分する隔膜型触媒が設けられており、反
応容器内の区分されてできた複数の室の隣接する一方の
室には、上記隔膜型触媒により活性化されるべき物質が
流通可能とされており、区分されてできた隣接する他方
の室には、上記活性化された物質と反応すべき化合物で
ある芳香族炭化水素類が流通可能とされており、活性化
されるべき物質が隔膜型触媒を通過する際に活性化さ
れ、反応すべき化合物と反応するよう構成されている容
器を挙げることができる。
膜型触媒である。この隔膜型触媒は、触媒活性成分であ
る金属や合金自体を膜状とするか、膜状の多孔質支持体
の表面に触媒活性成分を担持したものであり、具体的に
は、下記の隔膜型触媒が挙げられる。 (A)金属膜 (B)合金膜 (C)金属酸化物多孔体膜に担持された貴金属 (D)金属酸化物多孔体膜に担持された遷移金属酸化物
又はランタニド系酸化物
(C)の貴金属、あるいは(D)の遷移金属酸化物又は
ランタニド系酸化物が、それぞれ触媒の活性成分とな
る。
例えばパラジウム、ニオブ、タンタル及びバナジウムよ
りなる群から選ばれた金属で構成された金属膜が挙げら
れる。さらに、ニオブ、タンタル及びバナジウムよりな
る群から選ばれた金属で構成された金属膜上にパラジウ
ムをコーティングした金属膜も使用できる。
ば第一遷移金属元素、第二遷移金属元素、第三遷移金属
元素、ランタニド系元素及びアクチニド系元素よりなる
群から選ばれた元素の1種以上の元素と、パラジウム、
ニオブ、タンタル及びバナジウムよりなる群から選ばれ
た金属との合金で構成された合金膜が挙げられる。ま
た、イットリウム、セリウム、銀、ニッケル及びチタン
よりなる群から選ばれた元素の1種以上と、パラジウ
ム、ニオブ、タンタル及びパナジウムよりなる群から選
ばれた金属との合金で構成された合金膜も使用できる。
4周期の第4A族から第8A族の元素を、第二遷移金属
元素は、周期律表第5周期の第4A族から第8A族の元
素を、第三遷移金属元素は、周期律表第6周期の第4A
族から第8A族の元素をそれぞれ意味する。また、ラン
タニド系元素は、周期律表ランタニド系列の元素を、ア
クチニド系元素は、周期律表アクチニド系列の元素をそ
れぞれ意味する。
れ自体で膜状に形成したものでも良いし、後述の金属酸
化物多孔体等の膜に担持されているものでも良い。
貴金属としては、銀、金、白金及びパラジウムよりなる
群から選ばれた貴金属が挙げられる。
持された遷移金属酸化物としては、クロム、マンガン、
鉄、コバルト、ニッケル、オスミウム、ルテニウム、パ
ナジウム、モリブデン、タングステン及びビスマスより
なる群から選ばれた遷移金属酸化物が挙げられ、また
(D)の金属酸化物多孔体膜に担持されたランタニド系
酸化物としては、セリウム、ランタン及びサマリウムよ
りなる群から選ばれた元素の酸化物が挙げられる。
化物多孔体としては、触媒の活性成分を均一に分散・担
持でき、酸化反応触媒等の担体として有効なものであれ
ば、特に制限はない。具体的には、シリカ、アルミナ、
チタニア及びジルコニアよりなる群から選ばれた金属で
構成される酸化物の多孔体、これら4種の金属酸化物の
2種以上の複合体から選ばれた多孔体、あるいはゼオラ
イトの多孔体が挙げられる。また、ガス透過性を適度に
抑制し、小さくするため、シリカ、アルミナ、チタニ
ア、ジルコニア、ゼオライト等をディップコーティン
グ、スプレーコーティング、スピンコーティング、水熱
合成等の方法により多孔質なセラミックス膜上に担持し
たものを多孔体として用いることもできる。
的に膜状であるが、原料とするガス状反応成分を一方か
ら他方に透過できるものであれば特に制限されるもので
はなく、各種の多孔質な物質が使用できる。多孔体の細
孔径は、目的とする反応の種類や条件に応じて選択され
るが、一般に0.5nm〜10μmのものが適当であ
り、0.5nm〜1μmのものが好ましい。多孔体の比
表面積は、一般に2〜1,000m2 /gのものが適用
可能である。また、膜の厚みは50μm〜5mmのもの
が使用可能であるが、機械的強度及び透過抵抗の面から
100〜500μmのものが好ましい。
酸化物多孔体の製造、あるいは触媒調製時の条件によっ
て制御することが可能であり、反応の種類によって適宜
選択される。
に膜がチューブ状、あるいはプレート状の形状をなすも
のが好適である。こうした形状の多孔体は、例えば特公
平5−66343号(特許1850556号)に記載の
方法を用いることにより得ることができる。
に担持する方法としては、通常の酸化反応触媒の調製に
用いられる方法、例えば含浸法、沈殿法、イオン交換
法、蒸着法、水熱合成法等が採用できる。また、これら
に加えてCVD法(化学蒸着法)、PVD法(物理蒸着
法)、ディップコーティング、スプレーコーティング、
スピンコーティングなども適用できる。この金属酸化物
多孔体膜上に担持された触媒活性成分の含有量は、芳香
族炭化水素類の種類及び反応条件によって適宜設定され
る。
(A)〜(D)のような隔膜型触媒膜を水素が通過する
ことによって活性化され、これが反応に関与する酸素を
さらに活性化し、それが炭化水素類と反応し酸化反応が
進む構造をとる限り、その形式はいかなるものでも良
い。
しては、一般に炭化水素類と酸素及び水素が使用され
る。また、反応の希釈剤として窒素、水蒸気、ヘリウ
ム、二酸化炭素、メタン等を上記原料の他に添加しても
良い。
用される隔膜型触媒を備えた反応容器(以下、隔膜型反
応器と略称する場合がある)の例をいくつか挙げ、これ
らを用いて本発明の実施方法を更に詳しく説明する。
面図を示す図面である。図中、1は水素流通部、2は酸
素および芳香族炭化水素の滞留部、3は隔膜型触媒、4
は芳香族炭化水素の導入口、5は反応生成物の出口、6
は水素の導入口、7は水素の排出口、8は外側筒、9は
内側筒をそれぞれ示している。
管式反応器であり、外側筒8と内側筒9の間の空間が水
素流通部1を形成し、その一部または大部分が隔膜型触
媒3で構成されている内側筒9が酸素および芳香族炭化
水素の滞留部2を形成する。水素は、水素の導入口6か
ら水素流通部1に導入され、水素の排出口7から排出さ
れる。一方、酸素および芳香族炭化水素は、芳香族炭化
水素の導入口4から酸素および芳香族炭化水素滞留部2
に導入される。
媒3で活性され、当該触媒を通過して芳香族炭化水素滞
留部2中で酸素および芳香族炭化水素と反応し、芳香族
アルコール類を生成する。この生成した芳香族アルコー
ル類と残存した酸素および芳香族炭化水素は、反応生成
物の出口5から取り出される。
の縦断面図を示す図面である。図中、11は水素流通
部、12は酸素および芳香族炭化水素の滞留部、13は
隔膜型触媒、14は芳香族炭化水素の導入口、15は反
応生成物の出口、16は酸素導入管、17は酸素ガス揮
散装置(バブラー)、18は液面計である。
4から芳香族炭化水素を、酸素および芳香族炭化水素の
滞留部12に導入する。一方、酸素を、酸素導入管16
および酸素ガス揮散装置17を介して酸素および芳香族
炭化水素の滞留部12に導入すると共に、水素流通部1
1から、隔膜型触媒13を通して活性化された水素も酸
素および芳香族炭化水素の滞留部12に導入され、酸素
および芳香族炭化水素と反応し、芳香族アルコール類を
生成する。この生成した芳香族アルコール類と残存した
酸素は、反応生成物の出口15から取り出される。
には、一般に反応容器を覆う加熱装置や冷却装置、ある
いは内部の温度や圧力を測定するための計器等が付加さ
れるが、ここでは省略している。
造する場合の反応条件は、対象となる芳香族炭化水素類
や触媒の種類によっても変わるが、一般に反応温度は−
200〜900℃の範囲、好ましくは−10〜600℃
の範囲であり、反応圧力は0.1〜150kg/cm2の
範囲、好ましくは0.5〜50kg/cm2の範囲であ
る。
炭化水素類であり、少なくとも1個の芳香族環を有する
炭素環化合物または複素環化合物から選ばれる。これら
の内、少なくとも1個の芳香族環を有する炭素環化合物
としては、単環、2環または3環の芳香族環を有する化
合物、あるいはこれら各化合物の核置換化合物が用いら
れる。
は、ベンゼンまたは下記一般式で表されるベンゼンの核
置換化合物である。 Ar−Xn(I) (式中、Arはベンゼン環、Xは炭素数1〜24のアル
キル基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基、エステル
基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子および酸素から
選ばれた芳香族環上の基であり、複数の場合は同種でも
異種でもよい。nは1〜5整数を示す)
ばナフタレン、テトラリン、ビフェニール、シクロヘキ
シルベンゼンまたはインダン、あるいはこれら化合物の
上記一般式(I)においてXで示された置換基により置
換された核置換化合物である。
ばアンスラセン、フェナントレン、フルオレンまたはア
ズレン、あるいはこれらの化合物の上記一般式(I)に
おいてXで示された置換基により置換された核置換化合
物である。
複素環化合物は、例えばピラン、フラン、チオフェン、
テーチオフェン、ピロール、ピリジン、ターピリジン、
ピリジンオキシド、ピラジン、インドール、キノリン、
プリン、キナゾリン、ビピリビンまたはフェナントロリ
ン、あるいはこれら化合物の上記一般式(I)において
Xで示された置換基により置換された核置換化合物であ
る。
を直接酸化することにより、対応する芳香族アルコール
類を簡単に、かつ高収率で製造することが可能となる。
説明するが、本発明はこれら実施例になんら制約される
ものではない。
った原料(芳香族炭化水素)の分析はガスクロマトグラ
フ法で行った。また、収率は原料の転化率と生成物の選
択率の積により算出した。また、%はモル濃度を表す。
例1記載の方法に従い、多孔体膜として用いるチューブ
を製造した。即ち、粒径0.3μmのα−アルミナ粉末
を用いて、外径約2.0mm、内径約1.6mm、細孔径
0.2μmのα−アルミナ製の多孔質のチューブを製造
した。水銀圧入法で測定したその比表面積は6m2/g
で、気孔率は43vol%であった。
載の実施例に従い、上記で製造した多孔体膜にCVD法
によりパラジウム金属を担持した。得られたパラジウム
を担持した多孔体膜は、そのパラジウ金属層の膜厚が1
μmであり、担持されたパラジウム金属含量は、2.0
wt%であった。
媒として組み込んだ図1の反応容器を用い、ベンゼンの
酸化反応を行った。即ち、図1の水素流通部1に、水素
導入口6よりヘリウムで希釈した12.5%濃度の水素
ガスを導入した。一方、酸素および芳香族炭化水素の滞
留部2には5.2%濃度の酸素および1.6%のベンゼン
を、それぞれ流速25ml/hで導入した。反応器を加
熱し、反応温度150℃で連続的に反応させ、3時間反
応後、混合ガスの一部を採取し分析した。主生成物とし
てフェノールが得られ、ベンゼンの転化率13.25%
で、フェノールの収率11.3%の結果が得られた。
変えて行った。即ち、水素流通部1に、水素導入口6よ
りヘリウムで希釈した25.0%濃度の水素ガスを導入
した。一方、酸素および芳香族炭化水素の滞留部2には
1.6%濃度の酸素と10%のベンゼンを、それぞれ流
速35ml/hで導入した。反応温度160℃で反応
し、実施例1と同様に生成物を採取し分析したところ、
主生成物はフェノールであり、ベンゼンの転化率1.6
%で、フェノールの収率1.54%であった。
変えて行った。水素流通部1に、水素導入口6よりヘリ
ウムで希釈した30.0%濃度の水素ガスを導入した。
一方、酸素および芳香族炭化水素の滞留部2には25%
濃度の酸素と1.8%のベンゼンを、それぞれ流速35
ml/hで導入した。反応温度250℃で反応し、生成
物を分析したところ、主生成物はフェノールであり、ベ
ンゼンの転化率2.05%で、フェノールの収率1.9%
であった。
気管を逆にして試験を行った。すなわち、図1の酸素お
よび芳香族炭化水素の滞留部2にヘリウムで希釈した1
0.0%濃度の水素ガスを導入し、逆に図1の水素流通
部1には5%濃度の酸素と0.8%濃度のベンゼンを、
それぞれ流速25ml/hで導入した。反応温度150
℃で反応したところ、主生成物はフェノールであり、ベ
ンゼンの転化率2.11%で、フェノールの収率2.00
%であった。
させ分析したところ、主生成物はフェノールであり、ベ
ンゼンの転化率12.30%で、フェノールの収率11.
0%であった。
したところ、主生成物はフェノールであり、ベンゼンの
転化率3.00%で、フェノールの収率2.8%であっ
た。
たところ、主生成物はフェノールであり、ベンゼンの転
化率13.5%で、フェノールの収率11.5%であっ
た。
取し分析した。主生成物はフェノールであり、ベンゼン
の転化率は11.30%で、フェノールの収率10.0%
であった。
取し分析した。主生成物はフェノールであり、ベンゼン
の転化率14.0%で、フェノールの収率12.5%であ
った。
ウム担持多孔体膜を隔膜型触媒として液相反応を行っ
た。即ち、酸素および芳香族炭化水素の滞留部12中に
25mlのベンゼンを入れた。次に、酸素導入管16よ
り、上記滞留部12中に酸素を導入するとともに、水素
流通部11より水素を導入した。酸素は適宜バプラー1
7を通じて気泡として隔膜型触媒壁13に到達せしめ
た。酸素流速5L/h、水素圧3kg/cm2として2
0℃で反応させ、24時間後に分析したところ、主生成
物はフェノールであり、ベンゼンの転化率10.0%
で、フェノールの収率8.8%であった。
し実験を行った。即ち、24時間反応後、再び反応器中
の25mlのベンゼン中に酸素導入管16より酸素を導
入し、水素流通部11より水素を導入した。実施例10
と同一条件で反応させ、24時間後に分析したところ、
主生成物はフェノールであり、ベンゼンの転化率9.5
%で、フェノールの収率8.4%であった。
応を行った。分析の結果、主生成物は芳香族アルコール
(クレゾール類)であり、トルエンの転化率42%、芳
香族アルコールの収率37%であった。
同様に反応を行った。分析の結果、主生成物は芳香族ア
ルコール(メチルナフトール類)であり、メチルナフタ
レンの転化率12%で、芳香族アルコールの収率11%
であった。
反応を行った。分析の結果、主生成物はヒドロキシピリ
ジンであり、ピリジンの転化率11.2%で、ヒドロキ
シピリジンの収率9.8%であった。
担持(銀およびパラジウムの重量比は、20:80)の
隔膜を用いた以外は、実施例1と同様に反応を行った。
主生成物はフェノールであり、ベンゼンの転化率11%
で、フェノールの収率9.9%であった。
ム合金担持(ニッケル−バナジウムの重量比は、1:1
5)の隔膜を用いた以外は、実施例1と同様に反応を行
った。主生成物はフェノールであり、ベンゼンの転化率
10.5%で、フェノールの収率9.6%であった。
な酸素を用い、簡便な方法により芳香族炭化水素類を直
接酸化することができる。しかも、本発明方法によれ
ば、芳香族炭化水素類および酸素の接触を自由に制御し
得るため、目的生成物の過反応が防止でき、高収率で芳
香族アルコール類を製造することができる。
コール類の製造方法として、経済的に極めて有利なもの
である。
を示す図面である。
を示す図面である。
Claims (18)
- 【請求項1】 酸素及び水素を芳香族炭化水素類と反応
させ、一段の反応工程で芳香族アルコール類を製造する
方法において、通過する物質を活性化する隔膜型触媒に
より活性化された水素を、芳香族炭化水素および酸素と
を反応せしめることを特徴とする芳香族アルコール類の
製造方法。 - 【請求項2】 反応を、反応容器中に、当該容器を複数
に区分する隔膜型触媒が設けられており、反応容器内の
区分されてできた複数の室の隣接する一方の室には、水
素が流通可能とされており、区分されてできた隣接する
他方の室には、芳香族炭化水素類および酸素が流通可能
とされており、隔膜型触媒を通過する際に活性化された
水素が、芳香族炭化水素類および酸素と反応するよう構
成された反応容器を用いて行うことを特徴とする請求項
1記載の芳香族アルコール類の製造方法。 - 【請求項3】 反応容器が一つの隔膜型触媒により、二
つの室に区分された反応容器を用いるものである請求項
第2項記載の芳香族アルコール類の製造方法。 - 【請求項4】 隔膜型触媒が、下記(A)〜(D)のい
ずれかの群に属する請求項1〜3のいずれかに記載の製
造方法。 (A)金属膜 (B)合金膜 (C)金属酸化物多孔体質膜に担持された貴金属 (D)金属酸化物多孔体質膜に担持された遷移金属酸化
物又はランタニド系酸化物 - 【請求項5】 (A)の金属膜が、パラジウム、ニオ
ブ、タンタル及びパナジウムよりなる群から選ばれた金
属で構成された金属膜であるか、ニオブ、タンタル及び
パナジウムよりなる群から選ばれた金属で構成された金
属膜上にパラジウムをコーティングした金属膜である請
求項4記載の製造方法。 - 【請求項6】 (B)の合金膜が、第一遷移金属元素、
第二遷移金属元素、第三遷移金属元素、ランタニド系元
素及びアクチニド系元素よりなる群から選ばれた元素の
1種以上の元素と、パラジウム、ニオブ、タンタル及び
パナジウムよりなる群から選ばれた金属との合金で構成
された合金膜である請求項4記載の製造方法。 - 【請求項7】 (B)の合金膜が、イットリウム、セリ
ウム、銀、ニッケル及びチタンよりなる群から選ばれた
元素の1種以上と、パラジウム、ニオブ、タンタル及び
バナジウムよりなる群から選ばれた金属との合金で構成
された合金膜である請求項4記載の製造方法。 - 【請求項8】 (C)の金属酸化物多孔体膜に担持され
た貴金属が、銀、金、白金及びパラジウムよりなる群か
ら選ばれた貴金属である請求項4記載の製造方法。 - 【請求項9】 (D)の金属酸化物多孔体膜に担持され
た遷移金属酸化物が、クロム、マンガン、鉄、コバル
ト、ニッケル、オスミウム、ルテニウム、バナジウム、
モリブデン、タングステン及びビスマスよりなる群から
選ばれた遷移金属酸化物である請求項4記載の製造方
法。 - 【請求項10】 (D)の金属酸化物多孔体膜に担持さ
れたランタニド系酸化物が、セリウム、ランタン及びサ
マリウムよりなる群から選ばれた元素の酸化物である請
求項4記載の製造方法。 - 【請求項11】 金属酸化物多孔体膜が、シリカ、アル
ミナ、チタニア及びジルコニアよりなる群から選ばれた
金属で構成される酸化物多孔体膜、これら4種の金属酸
化物の2種以上の複合体で構成される酸化物多孔体膜、
またはゼオライトで構成される酸化物多孔体膜のいずれ
かである請求項4、8、9又は10のいずれかに記載の
製造方法。 - 【請求項12】 酸素が純酸素ガス、オゾンガスまたは
両者の混合ガス、あるいはこれらガスを溶解した溶液で
ある請求項3記載の製造方法。 - 【請求項13】 芳香族炭化水素類が、少なくとも1個
の芳香族環を有する炭素環化合物または複素環化合物で
ある請求項1〜12のいずれかに記載の製造方法。 - 【請求項14】 少なくとも1個の芳香族環を有する炭
素環化合物が、単環、2環または3環の芳香族環を有す
る化合物、あるいはこれら各化合物の核置換化合物であ
る請求項13記載の製造方法。 - 【請求項15】 単環の芳香族炭素環化合物が、ベンゼ
ンまたは下記一般式で表されるベンゼンの核置換化合物
である請求項13または14記載の製造方法。 Ar−Xn(I) (式中、Arはベンゼン環、Xは炭素数1〜24のアル
キル基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基、エステル
基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子および酸素から
選ばれた基であり、複数の場合は同種でも異種でもよ
い。nは1〜5の整数を示す) - 【請求項16】 2環の芳香族炭素環化合物が、ナフタ
レン、テトラリン、ビフェニール、シクロヘキシルベン
ゼンまたはインダン、あるいはこれら化合物の上記一般
式(I)においてXで示された置換基で置換された核置
換化合物である請求項13または14記載の製造方法。 - 【請求項17】 3環の芳香族炭素環化合物が、アンス
ラセン、フェナントレン、フルオレンまたはアズレン、
あるいはこれら化合物の上記一般式(I)においてXで
示された置換基で置換された核置換化合物である請求項
13または14記載の製造方法。 - 【請求項18】 少なくとも1個の芳香族環を有する複
素環化合物が、ピラン、フラン、チオフェン、テーチオ
フェン、ピロール、ピリジン、ターピリジン、ピリジン
オキシド、ピラジン、インドール、キノリン、プリン、
キナゾリン、ビピリビンまたはフェナントロリン、ある
いはこれら化合物の上記一般式(I)においてXで示さ
れた置換基で置換された核置換化合物である請求項13
記載の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001088282A JP2002284727A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 芳香族アルコール類の製造方法 |
CA002434162A CA2434162C (en) | 2001-01-05 | 2001-12-27 | Reaction method utilizing diaphram type catalyst and apparatus therefor |
PCT/JP2001/011542 WO2002055465A1 (fr) | 2001-01-05 | 2001-12-27 | Methode et appareil de reaction chimique faisant appel a un catalyseur a membrane |
EP01273197A EP1357103B1 (en) | 2001-01-05 | 2001-12-27 | Reaction apparatus and method for producing an oxygen-containing organic compound |
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JP2001088282A JP2002284727A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 芳香族アルコール類の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008173596A (ja) * | 2007-01-21 | 2008-07-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超臨界二酸化炭素反応方法及び装置 |
JP2014076433A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 触媒反応管の製造方法および触媒反応管 |
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2001
- 2001-03-26 JP JP2001088282A patent/JP2002284727A/ja active Pending
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