JP2002277642A - 導光体の製造方法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装置および表示装置 - Google Patents
導光体の製造方法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装置および表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射防止処理を行った反射防止層と基材の密
着性をアップさせ、導光体１のマイクロクラック発生を
防止する導光体１の製造方法、その製造方法によって製
造された導光体１、信頼性の高く寿命が長い面照明装置
および表示装置を提供する。 【解決手段】 導光体１の基材としてポリカーボネイト
を使用し、導光体１の一つの面１Ｂに反射防止処理１Ｃ
を行い、基材のポリカーボネイトに残留応力除去処理と
してアニール処理を施す。
着性をアップさせ、導光体１のマイクロクラック発生を
防止する導光体１の製造方法、その製造方法によって製
造された導光体１、信頼性の高く寿命が長い面照明装置
および表示装置を提供する。 【解決手段】 導光体１の基材としてポリカーボネイト
を使用し、導光体１の一つの面１Ｂに反射防止処理１Ｃ
を行い、基材のポリカーボネイトに残留応力除去処理と
してアニール処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導光体の製造方
法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装
置および表示装置に関し、特に反射型液晶表示パネルの
表示側に光源および導光体を配置するフロントライト型
面照明装置および表示装置に好適に適用できる。
法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装
置および表示装置に関し、特に反射型液晶表示パネルの
表示側に光源および導光体を配置するフロントライト型
面照明装置および表示装置に好適に適用できる。
【０００２】
【従来の技術】導光板には、液晶表示パネルの背面に配
置されるバックライト方式と液晶表示パネルの表示側で
ある前面に配置されるフロントライト方式がある。
置されるバックライト方式と液晶表示パネルの表示側で
ある前面に配置されるフロントライト方式がある。
【０００３】特開平１１−３０６８２８号公報には、光
源と、その光源の光を側面より受光して面状に拡散さ
せ、アクリル樹脂、ポリカーボネイトまたはガラスより
なる導光板と、その導光板の被照明体と対向する面に形
成された反射防止層とを具備する照明装置が記載されて
いる。
源と、その光源の光を側面より受光して面状に拡散さ
せ、アクリル樹脂、ポリカーボネイトまたはガラスより
なる導光板と、その導光板の被照明体と対向する面に形
成された反射防止層とを具備する照明装置が記載されて
いる。
【０００４】また、近年、携帯型装置が普及し、その省
電力化が望まれている。そこで携帯型装置のフロントラ
イト方式が注目され実用化されている。
電力化が望まれている。そこで携帯型装置のフロントラ
イト方式が注目され実用化されている。
【０００５】フロントライト方式の場合、パネルの前面
に導光板を配置するため、反射によるゴースト等により
コントラストが低下するため導光板の基材表面に反射防
止処理が施されており、基材材質としては、アクリル
（ＰＭＭＡ）やポリカーボネイト（ＰＣ）が用いられて
いる。
に導光板を配置するため、反射によるゴースト等により
コントラストが低下するため導光板の基材表面に反射防
止処理が施されており、基材材質としては、アクリル
（ＰＭＭＡ）やポリカーボネイト（ＰＣ）が用いられて
いる。
【０００６】反射防止処理には、ＡＲ（反射防止）シー
トを貼りつける方法、また反射防止層としてＡＲコート
を行う方法等がある。近年、薄型軽量化の要望からＡＲ
コートが注目されている。
トを貼りつける方法、また反射防止層としてＡＲコート
を行う方法等がある。近年、薄型軽量化の要望からＡＲ
コートが注目されている。
【０００７】ところで、このような導光板（導光体）を
製造する工程（プロセス）は、図１８に示すように、洗
浄→乾燥→除塵→蒸着という工程の順に行っており、蒸
着工程の蒸着温度は４０℃から５０℃であった。
製造する工程（プロセス）は、図１８に示すように、洗
浄→乾燥→除塵→蒸着という工程の順に行っており、蒸
着工程の蒸着温度は４０℃から５０℃であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクリ
ルやポリカーボネイトにＡＲコートを行った場合、図４
に示すように、信頼性試験後にＡＲコート層に多数の微
小なひび割れであるマイクロクラック１Ｄが発生し、コ
ントラストが著しく低下するという問題がある。特に、
アクリルの場合は顕著にマイクロクラック１Ｄが顕著に
発生する。
ルやポリカーボネイトにＡＲコートを行った場合、図４
に示すように、信頼性試験後にＡＲコート層に多数の微
小なひび割れであるマイクロクラック１Ｄが発生し、コ
ントラストが著しく低下するという問題がある。特に、
アクリルの場合は顕著にマイクロクラック１Ｄが顕著に
発生する。
【０００９】本発明は、反射防止処理を行った反射防止
層と基材の密着性をアップさせ、導光体のマイクロクラ
ック発生を防止する導光体の製造方法、その製造方法に
よって製造された導光体、信頼性の高く寿命が長い面照
明装置および表示装置を提供することを目的とする。
層と基材の密着性をアップさせ、導光体のマイクロクラ
ック発生を防止する導光体の製造方法、その製造方法に
よって製造された導光体、信頼性の高く寿命が長い面照
明装置および表示装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明
は、導光体の基材としてポリカーボネイトを使用し、前
記導光体の一つの面に反射防止処理を行い、前記基材の
ポリカーボネイトに残留応力除去処理としてアニール処
理を施すことを特徴とする導光体の製造方法である。
は、導光体の基材としてポリカーボネイトを使用し、前
記導光体の一つの面に反射防止処理を行い、前記基材の
ポリカーボネイトに残留応力除去処理としてアニール処
理を施すことを特徴とする導光体の製造方法である。
【００１１】請求項２に係る本発明は、導光体の基材と
してポリカーボネイトを使用し、前記導光体の一つの面
に反射防止処理を行い、前記基材のポリカーボネイトは
複屈折率を５０ｎｍ以下にすることを特徴とする導光体
の製造方法である。
してポリカーボネイトを使用し、前記導光体の一つの面
に反射防止処理を行い、前記基材のポリカーボネイトは
複屈折率を５０ｎｍ以下にすることを特徴とする導光体
の製造方法である。
【００１２】請求項３に係る本発明は、導光体の基材と
してポリカーボネイトを使用し、前記導光体の一つの面
に反射防止処理として雰囲気温度が７０℃から１００℃
の範囲で反射防止膜の蒸着を行うことを特徴とする導光
体の製造方法である。
してポリカーボネイトを使用し、前記導光体の一つの面
に反射防止処理として雰囲気温度が７０℃から１００℃
の範囲で反射防止膜の蒸着を行うことを特徴とする導光
体の製造方法である。
【００１３】請求項４に係る本発明は、導光体の基材と
してポリカーボネイトを使用し、前記基材に対してイオ
ンビーム照射を行い、前記導光体の一つの面に反射防止
処理を行うことを特徴とする導光体の製造方法である。
してポリカーボネイトを使用し、前記基材に対してイオ
ンビーム照射を行い、前記導光体の一つの面に反射防止
処理を行うことを特徴とする導光体の製造方法である。
【００１４】請求項１ないし請求項４の構成によれば、
反射防止処理を行った反射防止層と基材の密着性がアッ
プする結果、マイクロクラックの発生を防止できる導光
体を製造することができる。
反射防止処理を行った反射防止層と基材の密着性がアッ
プする結果、マイクロクラックの発生を防止できる導光
体を製造することができる。
【００１５】請求項３の構成によれば、更に、ポリカー
ボネイトの生地の変色を防止する導光体を製造すること
ができる。
ボネイトの生地の変色を防止する導光体を製造すること
ができる。
【００１６】請求項５に係る本発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載の導光体の製造方法によって
製造された導光体である。
請求項４のいずれかに記載の導光体の製造方法によって
製造された導光体である。
【００１７】請求項５の構成によれば、反射防止処理を
行った反射防止層と基材の密着性がアップする結果、マ
イクロクラックの発生を防止できる導光板を提供するこ
とができる。
行った反射防止層と基材の密着性がアップする結果、マ
イクロクラックの発生を防止できる導光板を提供するこ
とができる。
【００１８】請求項６に係る本発明は、請求項５に記載
の導光体と、光源とを有する面照明装置である。
の導光体と、光源とを有する面照明装置である。
【００１９】請求項６の構成によれば、導光体のマイク
ロクラックの発生を防止できる結果、信頼性が高く寿命
が長い面照明装置を提供することができる。
ロクラックの発生を防止できる結果、信頼性が高く寿命
が長い面照明装置を提供することができる。
【００２０】請求項７に係る本発明は、請求項６に記載
の面照明装置と、前記導光体の光出射面側に配置された
液晶表示パネルとを備えることを特徴とする表示装置で
ある。
の面照明装置と、前記導光体の光出射面側に配置された
液晶表示パネルとを備えることを特徴とする表示装置で
ある。
【００２１】請求項７の構成によれば、上述の効果を有
する表示装置を提供することができる。
する表示装置を提供することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】＜第１の実施の形態＞本発明の第
１の実施の形態に係る面照明装置を図１および図２に基
づき説明する。
１の実施の形態に係る面照明装置を図１および図２に基
づき説明する。
【００２３】図１は概略構成を示す側面図であり、図２
は概略構成を示す斜視図である。
は概略構成を示す斜視図である。
【００２４】面照明装置は、面状導光板（導光板）１と
冷陰極管２とリフレクタ４からなる。表示装置は、面照
明装置と液晶表示パネル（図示せず）からなり、導光板
１の光出射面１Ｂ側に液晶表示パネルが配置される。
冷陰極管２とリフレクタ４からなる。表示装置は、面照
明装置と液晶表示パネル（図示せず）からなり、導光板
１の光出射面１Ｂ側に液晶表示パネルが配置される。
【００２５】導光板１のエッジ部には、光源としての冷
陰極管２を配置している。また、光を導光板１のエッジ
部である光入射面側に反射させるために、冷陰極管２を
取り囲むようにリフレクタ４を配置している。導光板１
の反射面１Ａにはパターンが形成されており、図１の矢
印に示しているように、冷陰極管２から照射される光
は、導光板１の下方向に反射される。また導光板１の光
出射面１Ｂには、太陽光などの外光および装置内部の光
源により光出射面１Ｂが反射して見づらくなることを防
止するための反射を防止する反射防止層（ＡＲ層）が蒸
着されている。
陰極管２を配置している。また、光を導光板１のエッジ
部である光入射面側に反射させるために、冷陰極管２を
取り囲むようにリフレクタ４を配置している。導光板１
の反射面１Ａにはパターンが形成されており、図１の矢
印に示しているように、冷陰極管２から照射される光
は、導光板１の下方向に反射される。また導光板１の光
出射面１Ｂには、太陽光などの外光および装置内部の光
源により光出射面１Ｂが反射して見づらくなることを防
止するための反射を防止する反射防止層（ＡＲ層）が蒸
着されている。
【００２６】図３は導光板１の断面を拡大した拡大図で
ある。反射面１Ａには鋸歯状の光反射パターンが形成さ
れており、光出射面１Ｂ側にはＡＲ層１Ｃが蒸着されて
いる。また光反射パターンは、鋸歯形状以外にローレッ
ト溝、微細コーン、微細かまぼこ形状でも良い。この実
施の形態では３層のＡＲ層１Ｃ１、１Ｃ２、１Ｃ３を設
けているが、３層以上設けても良い。基材はポリカーボ
ネイト（ＰＣ）が使われており、ＰＣに接している１層
目の第１ＡＲ層１Ｃ１は例えば酸化ケイ素の薄膜が形成
されている。２層目の第２ＡＲ層１Ｃ２は例えば酸化チ
タンの薄膜が形成され、３層目の第３ＡＲ層１Ｃ３は例
えば酸化ケイ素の薄膜が形成されている。ＡＲ層１Ｃを
多層にする場合は、酸化ケイ素→酸化チタン→酸化ケイ
素のように金属系の酸化物を交互に積層すると良い。
ある。反射面１Ａには鋸歯状の光反射パターンが形成さ
れており、光出射面１Ｂ側にはＡＲ層１Ｃが蒸着されて
いる。また光反射パターンは、鋸歯形状以外にローレッ
ト溝、微細コーン、微細かまぼこ形状でも良い。この実
施の形態では３層のＡＲ層１Ｃ１、１Ｃ２、１Ｃ３を設
けているが、３層以上設けても良い。基材はポリカーボ
ネイト（ＰＣ）が使われており、ＰＣに接している１層
目の第１ＡＲ層１Ｃ１は例えば酸化ケイ素の薄膜が形成
されている。２層目の第２ＡＲ層１Ｃ２は例えば酸化チ
タンの薄膜が形成され、３層目の第３ＡＲ層１Ｃ３は例
えば酸化ケイ素の薄膜が形成されている。ＡＲ層１Ｃを
多層にする場合は、酸化ケイ素→酸化チタン→酸化ケイ
素のように金属系の酸化物を交互に積層すると良い。
【００２７】図４は、従来の製造方法におけるＰＭＭＡ
を基材として使った場合の第３ＡＲコート層１Ｃ３の信
頼性試験後の表面拡大図である。ＡＲコート層１Ｃは基
本的に金属系の酸化物で構成されている。一方、基材は
樹脂でできている。いろいろな要因があるが、特に高温
時、膨張係数の違い等により図４に示す様なマイクロク
ラックが発生する。
を基材として使った場合の第３ＡＲコート層１Ｃ３の信
頼性試験後の表面拡大図である。ＡＲコート層１Ｃは基
本的に金属系の酸化物で構成されている。一方、基材は
樹脂でできている。いろいろな要因があるが、特に高温
時、膨張係数の違い等により図４に示す様なマイクロク
ラックが発生する。
【００２８】ＡＲ層１Ｃと基材の密着強度を上げる方法
としては、基材にイオンビームを照射する方法がある。
その原理は、Ａｒ（アルゴン）等のイオンを高速で基材
表面に照射すると、そのイオンにより基材表面に不純物
（埃を含む）が弾き飛ばされるというものである。また
基材表面を均一に微細に粗面にすることで、アンカー効
果を持たせ密着性をアップさせる。このようにして、基
材にイオンビームを照射することで、基材の表面の不純
物を除去し、ＡＲ層１Ｃとの密着強度をアップできる。
としては、基材にイオンビームを照射する方法がある。
その原理は、Ａｒ（アルゴン）等のイオンを高速で基材
表面に照射すると、そのイオンにより基材表面に不純物
（埃を含む）が弾き飛ばされるというものである。また
基材表面を均一に微細に粗面にすることで、アンカー効
果を持たせ密着性をアップさせる。このようにして、基
材にイオンビームを照射することで、基材の表面の不純
物を除去し、ＡＲ層１Ｃとの密着強度をアップできる。
【００２９】また、導光板１の内部に存在する残留応力
は、基材とＡＲ層１Ｃの密着性を低下させる。そこで残
留応力除去を目的として基材にアニール処理を施すこと
で基材とＡＲ層１Ｃの密着性をアップさせることができ
る。アニール処理は、基材のガラス転位温度近傍まで温
度を上げ内部残留応力を除去する処理である。
は、基材とＡＲ層１Ｃの密着性を低下させる。そこで残
留応力除去を目的として基材にアニール処理を施すこと
で基材とＡＲ層１Ｃの密着性をアップさせることができ
る。アニール処理は、基材のガラス転位温度近傍まで温
度を上げ内部残留応力を除去する処理である。
【００３０】図５は、アニール処理に関するマイクロク
ラックの防止状況を示す効果説明図である。アニール処
理を施さないと、マイクロクラックを防止できず、マイ
クロクラックが多く発生する（アニールなし：×）。ア
ニール処理を少し施すと、マイクロクラックの発生を抑
制できるが十分ではない（アニール小：△）。アニール
処理を適度に施すと、マイクロクラックの発生を防止で
きる（アニール中：○）。アニール処理を十分に施す
と、マイクロクラックの発生をほとんど防止できる（ア
ニール大：◎）。
ラックの防止状況を示す効果説明図である。アニール処
理を施さないと、マイクロクラックを防止できず、マイ
クロクラックが多く発生する（アニールなし：×）。ア
ニール処理を少し施すと、マイクロクラックの発生を抑
制できるが十分ではない（アニール小：△）。アニール
処理を適度に施すと、マイクロクラックの発生を防止で
きる（アニール中：○）。アニール処理を十分に施す
と、マイクロクラックの発生をほとんど防止できる（ア
ニール大：◎）。
【００３１】上記アニール処理の条件は、例えば、アニ
ール小が１１５度の状態で１時間、アニール中が１２０
℃の状態で２時間、アニール大が１２５℃の状態で３時
間である。ポリカーボネイトの場合のアニール処理の条
件は、１２０℃〜１２５℃で２時間〜３時間が適してい
る。
ール小が１１５度の状態で１時間、アニール中が１２０
℃の状態で２時間、アニール大が１２５℃の状態で３時
間である。ポリカーボネイトの場合のアニール処理の条
件は、１２０℃〜１２５℃で２時間〜３時間が適してい
る。
【００３２】残留応力の１つの指標として基材の複屈折
率がある。図６は、複屈折率とマイクロクラックの関係
を表すグラフであり、複屈折率を５０ｎｍ以下にすると
マイクロクラックの発生が少なくなり、導光板の表面処
理状態が良好になる。ＰＣの場合、複屈折率を５０ｎｍ
以下にすることでマイクロクラックの発生を格段に防止
できる。
率がある。図６は、複屈折率とマイクロクラックの関係
を表すグラフであり、複屈折率を５０ｎｍ以下にすると
マイクロクラックの発生が少なくなり、導光板の表面処
理状態が良好になる。ＰＣの場合、複屈折率を５０ｎｍ
以下にすることでマイクロクラックの発生を格段に防止
できる。
【００３３】＜第２の実施の形態＞次に、本発明の第２
の実施の形態に係る面照明装置を図７に示す。
の実施の形態に係る面照明装置を図７に示す。
【００３４】光源として、線状導光体７とそのエッジ部
にＬＥＤ３を配置した構成となっている。この実施の形
態では、片側に１個のＬＥＤチップ３を実装している
が、両サイドに実装しても良い。また、線状導光体７を
取り囲むようにリフレクタ４を配置している。
にＬＥＤ３を配置した構成となっている。この実施の形
態では、片側に１個のＬＥＤチップ３を実装している
が、両サイドに実装しても良い。また、線状導光体７を
取り囲むようにリフレクタ４を配置している。
【００３５】＜第３の実施の形態＞次に、本発明の第３
の実施の形態に係る面照明装置を図８に示す。
の実施の形態に係る面照明装置を図８に示す。
【００３６】導光板１と線状導光体７の間に、拡散シー
ト５およびレンズシート６を配置したものであり、より
高輝度化が図れる。シートは１枚構成でも２枚構成で
も、またそれ以上でも良い。更に重ね合わせの順番は用
途によって変化させることができる。
ト５およびレンズシート６を配置したものであり、より
高輝度化が図れる。シートは１枚構成でも２枚構成で
も、またそれ以上でも良い。更に重ね合わせの順番は用
途によって変化させることができる。
【００３７】＜導光板の表面処理方法（製造方法）＞こ
こで、本発明の導光体の表面処理工程を図９および図１
０に基づき説明する。
こで、本発明の導光体の表面処理工程を図９および図１
０に基づき説明する。
【００３８】図９は、表面処理工程の第１の実施の形態
であり、初めに、洗浄工程で導光体の洗浄を行う。次に
乾燥工程で導光体の乾燥（除湿）を行う。次に、アニー
ル工程で、導光体の基材であるポリカーボネイトに残留
応力除去処理としてアニール処理を施す。次に、除塵工
程で、導光体表面の塵や埃を取り除く。最後に、蒸着工
程で、導光体に反射防止剤を層状に蒸着する。
であり、初めに、洗浄工程で導光体の洗浄を行う。次に
乾燥工程で導光体の乾燥（除湿）を行う。次に、アニー
ル工程で、導光体の基材であるポリカーボネイトに残留
応力除去処理としてアニール処理を施す。次に、除塵工
程で、導光体表面の塵や埃を取り除く。最後に、蒸着工
程で、導光体に反射防止剤を層状に蒸着する。
【００３９】第１工程：洗浄→第２工程：乾燥→第３工
程：アニール→第４工程：除塵→第５工程：蒸着の順で
ある。
程：アニール→第４工程：除塵→第５工程：蒸着の順で
ある。
【００４０】図１０は、表面処理工程の第２の実施の形
態であり、上記洗浄工程と乾燥工程を省略することがで
きる。導光体に汚れがない場合は洗浄工程が省略でき、
導光体が乾燥していれば、乾燥工程が省略できる。導光
体に汚れがなく、乾燥していれば、洗浄工程と乾燥工程
とを省略できる。特に、クリーンルームで導光体の射出
成形を行い、その場所で引き続き表面処理を行う場合に
は、導光体の品質が向上すると共に、洗浄工程と乾燥工
程が省略できるので、製造コストが安くなる。
態であり、上記洗浄工程と乾燥工程を省略することがで
きる。導光体に汚れがない場合は洗浄工程が省略でき、
導光体が乾燥していれば、乾燥工程が省略できる。導光
体に汚れがなく、乾燥していれば、洗浄工程と乾燥工程
とを省略できる。特に、クリーンルームで導光体の射出
成形を行い、その場所で引き続き表面処理を行う場合に
は、導光体の品質が向上すると共に、洗浄工程と乾燥工
程が省略できるので、製造コストが安くなる。
【００４１】第１工程：アニール→第２工程：除塵→第
３工程：蒸着の順である。
３工程：蒸着の順である。
【００４２】次に蒸着工程の詳細について図１１ないし
図１５を用いて説明する。
図１５を用いて説明する。
【００４３】蒸着工程パターン１：蒸着温度設定→各層
蒸着（図１１参照） まず、雰囲気温度を７０℃から１００℃の範囲に設定す
る。次に、各層の蒸着を行う。
蒸着（図１１参照） まず、雰囲気温度を７０℃から１００℃の範囲に設定す
る。次に、各層の蒸着を行う。
【００４４】蒸着工程パターン２：イオンビーム照射→
各層蒸着（図１２参照） まず、導光体の基材である初期のポリカーボネイト表面
に対してイオンビームを照射する。次に、各層の蒸着を
行う。
各層蒸着（図１２参照） まず、導光体の基材である初期のポリカーボネイト表面
に対してイオンビームを照射する。次に、各層の蒸着を
行う。
【００４５】蒸着工程パターン３：ポリカーボネイト表
面にイオンビーム照射→第１層蒸着→第１層蒸着表面に
イオンビーム照射→第２層蒸着→第２層蒸着表面にイオ
ンビーム照射→第３層蒸着（図１３参照） 上記蒸着工程パターン２では、イオンビームを１回しか
照射していないが、蒸着の１層ごとにイオンビームを照
射すると更に良い。
面にイオンビーム照射→第１層蒸着→第１層蒸着表面に
イオンビーム照射→第２層蒸着→第２層蒸着表面にイオ
ンビーム照射→第３層蒸着（図１３参照） 上記蒸着工程パターン２では、イオンビームを１回しか
照射していないが、蒸着の１層ごとにイオンビームを照
射すると更に良い。
【００４６】蒸着工程パターン４：蒸着温度設定→イオ
ンビーム照射→各層蒸着（図１４参照） 初めに、蒸着温度を設定する。次に、導光体の基材表面
に対してイオンビームを照射する。最後に、各層の蒸着
を行う。
ンビーム照射→各層蒸着（図１４参照） 初めに、蒸着温度を設定する。次に、導光体の基材表面
に対してイオンビームを照射する。最後に、各層の蒸着
を行う。
【００４７】蒸着工程パターン５：蒸着温度設定→ポリ
カーボネイト表面にイオンビーム照射→第１層蒸着→第
１層蒸着表面にイオンビーム照射→第２層蒸着→第２層
蒸着表面にイオンビーム照射→第３層蒸着（図１５参
照） 蒸着温度設定（蒸着温度管理）とイオンビーム照射はそ
れぞれマイクロクラック改善に効果がある。
カーボネイト表面にイオンビーム照射→第１層蒸着→第
１層蒸着表面にイオンビーム照射→第２層蒸着→第２層
蒸着表面にイオンビーム照射→第３層蒸着（図１５参
照） 蒸着温度設定（蒸着温度管理）とイオンビーム照射はそ
れぞれマイクロクラック改善に効果がある。
【００４８】図１６は、蒸着温度とマイクロクラックの
関係を表すグラフであり、７０℃以上にするとマイクロ
クラックの発生が少なくなり、導光板の表面処理状態が
良好になる。ＰＣの場合、蒸着温度を７０℃以上にする
ことでマイクロクラックの発生を格段に防止できる。蒸
着温度設定は、１００℃を超えると、ポリカーボネイト
の生地が変色するので１００℃以下が良い。
関係を表すグラフであり、７０℃以上にするとマイクロ
クラックの発生が少なくなり、導光板の表面処理状態が
良好になる。ＰＣの場合、蒸着温度を７０℃以上にする
ことでマイクロクラックの発生を格段に防止できる。蒸
着温度設定は、１００℃を超えると、ポリカーボネイト
の生地が変色するので１００℃以下が良い。
【００４９】図１７は、イオンビーム照射に関するマイ
クロクラックの防止状況を示す効果説明図である。イオ
ンビーム照射を行わないと、マイクロクラックを防止で
きず、マイクロクラックが多く発生する（イオンビーム
なし：×）。イオンビーム照射を少し行うと、マイクロ
クラックの発生を抑制できるが十分ではない（イオンビ
ーム小：△）。イオンビーム照射を適度に行うと、マイ
クロクラックの発生を防止できる（イオンビーム中：
○）。イオンビーム照射を十分に施すと、マイクロクラ
ックの発生は防止できるが、ポリカーボネイトの生地が
変色する（イオンビーム大：△）。
クロクラックの防止状況を示す効果説明図である。イオ
ンビーム照射を行わないと、マイクロクラックを防止で
きず、マイクロクラックが多く発生する（イオンビーム
なし：×）。イオンビーム照射を少し行うと、マイクロ
クラックの発生を抑制できるが十分ではない（イオンビ
ーム小：△）。イオンビーム照射を適度に行うと、マイ
クロクラックの発生を防止できる（イオンビーム中：
○）。イオンビーム照射を十分に施すと、マイクロクラ
ックの発生は防止できるが、ポリカーボネイトの生地が
変色する（イオンビーム大：△）。
【００５０】イオンビーム照射の条件は、ビームパワー
と照射時間により決まる。一般的にビームパワーを固定
にし、照射時間を調整している。イオンビーム小は照射
時間が短く、イオンビーム中は照射時間が普通、イオン
ビーム大は照射時間が長い。
と照射時間により決まる。一般的にビームパワーを固定
にし、照射時間を調整している。イオンビーム小は照射
時間が短く、イオンビーム中は照射時間が普通、イオン
ビーム大は照射時間が長い。
【００５１】
【発明の効果】請求項１ないし請求項４に係る本発明で
は、反射防止処理を行った反射防止層と基材の密着性が
アップする結果、マイクロクラックの発生を防止できる
導光体を製造することができる。
は、反射防止処理を行った反射防止層と基材の密着性が
アップする結果、マイクロクラックの発生を防止できる
導光体を製造することができる。
【００５２】請求項３に係る本発明では、更に、ポリカ
ーボネイトの生地の変色を防止する導光体を製造するこ
とができる。
ーボネイトの生地の変色を防止する導光体を製造するこ
とができる。
【００５３】請求項５に係る本発明では、マイクロクラ
ックの発生を防止できる導光板を提供することができ
る。
ックの発生を防止できる導光板を提供することができ
る。
【００５４】請求項６に係る本発明では、導光体のマイ
クロクラックの発生を防止できる結果、信頼性が高く寿
命が長い面照明装置を提供することができる。
クロクラックの発生を防止できる結果、信頼性が高く寿
命が長い面照明装置を提供することができる。
【００５５】請求項７に係る本発明では、上述の効果を
有する表示装置を提供することができる。
有する表示装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る面照明装置の
概略構成を示す側面図である。
概略構成を示す側面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る面照明装置の
概略構成を示す斜視図である。
概略構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る導光板の断面を拡大
した拡大図である。
した拡大図である。
【図４】従来の製造方法における導光板の光出射面にマ
イクロクラックが発生した状態を示す光出射面の拡大図
である。
イクロクラックが発生した状態を示す光出射面の拡大図
である。
【図５】アニール処理に関するマイクロクラックの防止
状況を示す効果説明図である。
状況を示す効果説明図である。
【図６】複屈折率とマイクロクラックの関係を表すグラ
フである。
フである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る面照明装置の
概略構成を示す斜視図である。
概略構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る面照明装置の
概略構成を示す斜視図である。
概略構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の製造方法における第１の実施の形態を
示す表面処理工程図である。
示す表面処理工程図である。
【図１０】本発明の製造方法における第２の実施の形態
を示す表面処理工程図である。
を示す表面処理工程図である。
【図１１】本発明の製造方法における蒸着工程パターン
１を示す詳細図である。
１を示す詳細図である。
【図１２】本発明の製造方法における蒸着工程パターン
２を示す詳細図である。
２を示す詳細図である。
【図１３】本発明の製造方法における蒸着工程パターン
３を示す詳細図である。
３を示す詳細図である。
【図１４】本発明の製造方法における蒸着工程パターン
４を示す詳細図である。
４を示す詳細図である。
【図１５】本発明の製造方法における蒸着工程パターン
５を示す詳細図である。
５を示す詳細図である。
【図１６】蒸着温度とマイクロクラックの関係を表すグ
ラフである。
ラフである。
【図１７】イオンビーム照射に関するマイクロクラック
の防止状況を示す効果説明図である。
の防止状況を示す効果説明図である。
【図１８】従来の製造方法における表面処理工程図であ
る。
る。
１ 面状導光板（導光体） １Ａ 反射面 １Ｂ 光出射面 １Ｃ ＡＲコート層（反射防止層） １Ｄ マイクロクラック ２ 冷陰極管（光源） ３ ＬＥＤチップ（点光源） ４ リフレクタ ５ 拡散シート ６ レンズシート ７ 線状導光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２９Ｋ 69:00 Ｂ２９Ｋ 69:00 Ｆ２１Ｙ 101:02 Ｆ２１Ｙ 101:02 103:00 103:00 Ｆターム(参考） 2H038 AA55 BA06 2H091 FA14X FA14Z FA23X FA23Z FA37X FA37Z FA41X FA41Z FA42X FA42Z FB02 FB08 FC02 KA10 LA01 MA10 4F201 AA28 AG01 AH33 BA07 BC01 BC12 BC21 BR08
Claims (7)
- 【請求項１】導光体の基材としてポリカーボネイトを使
用し、前記導光体の一つの面に反射防止処理を行い、 前記基材のポリカーボネイトに残留応力除去処理として
アニール処理を施すことを特徴とする導光体の製造方
法。 - 【請求項２】導光体の基材としてポリカーボネイトを使
用し、前記導光体の一つの面に反射防止処理を行い、 前記基材のポリカーボネイトは複屈折率を５０ｎｍ以下
にすることを特徴とする導光体の製造方法。 - 【請求項３】導光体の基材としてポリカーボネイトを使
用し、前記導光体の一つの面に反射防止処理として雰囲
気温度が７０℃から１００℃の範囲で反射防止膜の蒸着
を行うことを特徴とする導光体の製造方法。 - 【請求項４】導光体の基材としてポリカーボネイトを使
用し、前記基材に対してイオンビーム照射を行い、前記
導光体の一つの面に反射防止処理を行うことを特徴とす
る導光体の製造方法。 - 【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の導光体の製造方法によって製造された導光体。 - 【請求項６】請求項５に記載の導光体と、光源とを有す
る面照明装置。 - 【請求項７】請求項６に記載の面照明装置と、前記導光
体の光出射面側に配置された液晶表示パネルとを備える
ことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076580A JP2002277642A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 導光体の製造方法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装置および表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076580A JP2002277642A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 導光体の製造方法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装置および表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277642A true JP2002277642A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18933488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001076580A Pending JP2002277642A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 導光体の製造方法、その製造方法によって製造された導光体、面照明装置および表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002277642A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005161600A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂積層体 |
| WO2007023894A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Ccs Inc. | 光照射装置及び光学部材 |
| WO2011092747A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 株式会社フジクラ | 面状発光装置およびその製造方法 |
| WO2012105518A1 (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-09 | 住友化学株式会社 | 導光板を製造する方法、導光板、これを備えた面光源装置および透過型画像表示装置 |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001076580A patent/JP2002277642A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPWO2007023894A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-26 | シーシーエス株式会社 | 光照射装置及び光学部材 |
| JP4584312B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-17 | シーシーエス株式会社 | 光照射装置及び光学部材 |
| US8049152B2 (en) | 2005-08-26 | 2011-11-01 | Ccs, Inc. | Light irradiation apparatus and optical member having multiple reflecting sections and an antireflection film |
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| JPWO2011092747A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2013-05-23 | 株式会社フジクラ | 面状発光装置およびその製造方法 |
| WO2012105518A1 (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-09 | 住友化学株式会社 | 導光板を製造する方法、導光板、これを備えた面光源装置および透過型画像表示装置 |
| JP2012160374A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 導光板の製造方法、導光板、これを備えた面光源装置および透過型画像表示装置 |
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