JP2002275684A5

JP2002275684A5 -

Info

Publication number: JP2002275684A5
Application number: JP2001325747A
Authority: JP
Filing date: 2001-10-24
Publication date: 2005-06-30

Description

本発明が、電気銅めっき浴に関して記載されてたが、本発明の実質的に連続なシード層は、錫、錫合金、ニッケル及びニッケル‐合金等のような多様なめっき浴を使用して電気めっきされ得ることは当業者に理解されるであろう。
本発明には以下の態様が包含される。
（１）基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、実質的に連続したシード層を形成する工程を含む、基体上に堆積した不連続金属シード層をエンハーンスする方法。
（２）金属シード層が銅シード層である前記（１）に記載の方法。
（３）パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する前記（１）に記載の方法。
（４）銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む前記（１）に記載の方法。
（５）金属シード層が浸漬、噴霧及びスピンコーティングにより銅コロイド組成物と接触される前記（１）に記載の方法。
（６）銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する前記（１）に記載の方法。
（７）基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、実質的に連続したシード層を形成し；その基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液を接触させる工程を含むシード層表面に金属層を電気的に堆積する方法。
（８）金属シード層が銅シード層である前記（７）に記載の方法。
（９）パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する前記（７）に記載の方法。
（１０）銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む前記（７）に記載の方法。
（１１）銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する前記（７）に記載の方法。
（１２）１以上の金属イオンが硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅、グルコン酸銅、蟻酸銅、アルカンスルホン酸銅、アリールスルホン酸銅、スルホン酸銅又は硝酸銅から選択されたものである前記（７）に記載の方法。
（１３）電解質が酸性である前記（７）に記載の方法。
（１４）電気めっき液がハロゲン化物、光沢剤、抑制剤、レベラー、グレインリファイナー、湿潤剤及び界面活性剤等から選択される１以上の添加剤を更に含む前記（７）に記載の方法。
（１５）光沢剤が１．５ｍｇ／Ｌ以上の量で存在する前記（１４）に記載の方法。
（１６）電子デバイス基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、銅コロイド表面を形成し；その基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液を接触させる工程を含む、電子デバイスを製造する方法。
（１７）金属シード層が銅シード層である前記（１６）に記載の方法。
（１８）パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する前記（１６）に記載の方法。
（１９）銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む前記（１６）に記載の方法。
（２０）銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する前記（１６）に記載の方法。
（２１）１以上の金属イオンが硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅、グルコン酸銅、蟻酸銅、アルカンスルホン酸銅、アリールスルホン酸銅、スルホン酸銅又は硝酸銅から選択されたものである前記（１６）に記載の方法。
（２２）電解質が酸性である前記（１６）に記載の方法。
（２３）電気めっき液がハロゲン化物、光沢剤、抑制剤、レベラー、グレインリファイナー、湿潤剤及び界面活性剤等から選択される１以上の添加剤を更に含む前記（１６）に記載の方法。
（２４）光沢剤が１．５ｍｇ／Ｌ以上の量で存在する前記（２３）に記載の方法。
（２５）電子デバイスが集積回路である前記（１６）に記載の方法。

Claims

集積回路基体上に堆積した不連続金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、実質的に連続した金属シード層を形成し；その基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液で金属層を電気的に堆積する工程を含む不連続金属シード層表面に金属層を電気的に堆積する方法、であって前記集積回路基体が１μｍ以下のサイズを有する１以上のアパーチャを有する、方法。
集積回路デバイス基体上に堆積した金属シード層を、半分に満たない量のイオン化可能パラジウム化合物及び過半量の銅コロイド粒子を含む銅コロイド組成物と接触させ、銅コロイド表面を形成し；その集積回路デバイス基体に１以上の金属イオン及び電解質を含む電気めっき液で金属層を電気的に堆積する工程を含む、集積回路デバイスを製造する方法、であって前記集積回路基体が１μｍ以下のサイズを有する１以上のアパーチャを有する、方法。
金属シード層が銅シード層である請求項１または２に記載の方法。
パラジウム化合物が約５から約８０ｐｐｍのパラジウム金属を提供するのに十分な量で存在する請求項１または２に記載の方法。
銅コロイド組成物がコロイド溶液中、１から８ｇ／Ｌの量の銅金属を含む請求項１または２に記載の方法。
銅コロイドが約７から約８のｐＨを有する請求項１または２に記載の方法。