JP2002269851A - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライブ開発及び欠陥検査用に好適な光情報
記録媒体及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 円盤状の基板上に、第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化性樹
脂層をその順に積層してなる相変化型光情報記録媒体に
おいて、該光情報記録媒体面内に、反射率の高い部分を
設けたことを特徴とする光情報記録媒体及び円盤状の基
板上に、反射率の高い部分を設けた後、第１誘電体層、
記録層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化
性樹脂層をその順に積層することを特徴とする光情報記
録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体及
びその製造方法に関し、さらに詳しくは、特に光ビーム
を照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ、
情報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能な相変化
型の光情報記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る記録、再生及び消去が可能な光メモリー媒体のひとつ
として、結晶−非結晶相間又は結晶−結晶相間の転移を
利用する、いわゆる相変化型の記録媒体が知られてい
る。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオ
ーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより
単純であること等から、最近、その研究開発が活発にな
ってきている。

【０００３】一方、近年、ＣＤ（コンパクトディスク）
の急速な普及にともない、１回だけの書き込みが可能な
追記型コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）が開発され、市
場に普及されはじめた。しかし、ＣＤ−Ｒでは、書き込
み時に一度でも失敗するとその修正が不可能なためにデ
ィスクは使用不能となってしまい、廃棄せざるを得ない
ものであった。したがって、その欠点を補える書き換え
可能なコンパクトディスクの実用化が待望されていた。

【０００４】研究開発された一つの例として、光磁気デ
ィスクを利用した書き換え可能なコンパクトディスクが
あるが、オーバーライトの困難さや、ＣＤ−ＲＯＭ、Ｃ
Ｄ−Ｒとの互換がとりにくい等の欠点を有するため、原
理的に互換確保に有利な相変化型光ディスクの実用化開
発が活発化してきた。また、１９９６年１０月には、書
き換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ）とし
て、オレンジブックパ−トIII（ｖｅｒ１０）が発行さ
れ、さらに、１９９８年９月には記録速度を広範囲に規
定したオレンジブックパートIII（ｖｅｒ２．０）が発
行された。

【０００５】ＣＤ−ＲＷはその反射率が低いため、ＣＤ
系プレーヤーでは、ＣＤ−ＲＷを認識すると読み取りの
ゲインを上げて読み取ることが特徴である。ＣＤ−ＲＷ
等の相変化媒体は、誘電体層をスパッタリングにて設け
るが、一般に、誘電体層は、防着板から剥離し易く、そ
れが基板上に付着し、欠陥を生じる。この際、反射膜を
成膜する前に剥離すると、その部分だけ反射率が高い欠
陥が生じる。この欠陥は、ドライブ側にとっては反射率
変動が大きいため、トラッキング外れ等の問題を生じ
る。これは、相変化媒体固有の問題であるため、この欠
陥をゼロにするのは基本的に困難である。そのため、ド
ライブ側でこれに対応していかなくてはならない。しか
しながらこの欠陥を検査していくテストディスクは、こ
れまでに存在しなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の問題を解消し、ドライブ開発及び欠陥検査用に好
適な光情報記録媒体及びその製造方法を提供することを
課題とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために、記録媒体面内に着目して鋭意検討を重
ねた結果、本発明を完成するに到った。

【０００８】すなわち、本発明によれば、第１に、円盤
状の基板上に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、
金属又は合金層及び紫外線硬化性樹脂層をその順に積層
してなる相変化型光情報記録媒体において、該光情報記
録媒体面内に、反射率の高い部分を設けたことを特徴と
する光情報記録媒体が提供される。

【０００９】この第１の発明には、該反射率の高い部分
が、基板グルーブサイドに設けられたものである光情報
記録媒体、該反射率の高い部分の反射率が、２５％以上
である光情報記録媒体、該反射率の高い部分の周方向の
長さが、１０μｍ以上である光情報記録媒体、該反射率
の高い部分の周方向の長さが、１ｍｍ以下である光情報
記録媒体、該反射率の高い部分の厚さが、５０ｎｍ以上
である光情報記録媒体、該記録層の組成が、少なくとも
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである光情報記
録媒体及び構造が、ＣＤ−ＲＷである光情報記録媒体が
含まれる。

【００１０】本発明によれば、第２に、円盤状の基板上
に、反射率の高い部分を設けた後、第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化性樹
脂層をその順に積層することを特徴とする第１の光情報
記録媒体の製造方法が提供される。

【００１１】本発明によれば、第３に、円盤状の基板上
に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属又は合
金層及び紫外線硬化性樹脂層をその順に積層してなる相
変化型光情報記録媒体において、該光情報記録媒体面内
に、反射率の低い部分を設けたことを特徴とする光情報
記録媒体が提供される。

【００１２】この第３の発明には、該反射率の低い部分
が、基板グルーブサイドに設けられたものである光情報
記録媒体、該反射率の低い部分の反射率が、１５％以下
である光情報記録媒体、該反射率の低い部分の反射率
が、５％以上である光情報記録媒体、該反射率の低い部
分の周方向の長さが、１０μｍ以上である光情報記録媒
体、該反射率の低い部分の周方向の長さが、１ｍｍ以下
である光情報記録媒体、該反射率の低い部分が、反射層
を欠如させることによってなるものである光情報記録媒
体、該記録層の組成が、少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及
びＴｅからなるものである光情報記録媒体及び構造が、
ＣＤ−ＲＷである光情報記録媒体が含まれる。

【００１３】本発明によれば、第４に、円盤状の基板上
に、反射率の低い部分を設けた後、第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、金属又は合金層及び、紫外線硬化性
樹脂層をその順に積層することを特徴とする、第３の光
情報記録媒体の製造方法が提供される。

【００１４】本発明によれば、第５に、円盤状の基板上
に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属又は合
金層及び紫外線硬化性樹脂層をその順に積層してなる相
変化型光情報記録媒体において、該光情報記録媒体面内
に、該第１誘電体層、該記録層、該第２誘電体層及び該
金属又は合金層の欠如した部分を設けたことを特徴とす
る光清報記録媒体が提供される。

【００１５】この第５の発明には、該欠如した部分の反
射率が、５％以下である光情報記録媒体、該欠如した部
分の周方向の長さが、１０μｍ以上である光情報記録媒
体、該欠如した部分の周方向の長さが、１ｍｍ以下であ
る光情報記録媒体、該記録層の組成が、少なくともＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである光情報記録
媒体及び構造が、ＣＤ−ＲＷである光情報記録媒体が含
まれる。

【００１６】本発明によれば、第６に、円盤状の基板上
に、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属又は合
金層及び紫外線硬化性樹脂層をその順に積層してなる相
変化型光情報記録媒体において、該光情報記録媒体面内
の平均反射率が、２４〜２６％であることを特徴とする
光情報記録媒体が提供される。

【００１７】この第６の発明には該平均反射率が、＋／
−１％である光情報記録媒体該記録層の組成が、少なく
ともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである光情
報記録媒体及び構造が、ＣＤ−ＲＷである光情報記録媒
体が含まれる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の光情報記録媒体及びその
製造方法について、図１、図２に基づいて説明する。図
１は、本発明の光情報記録媒体の一形態である光ディス
クを示す平面図である。１は相変化記録媒体、２は高反
射率エリアである。

【００１９】基本的な構成としては、案内溝を有する基
板上に、通常の相変化記録媒体部と高反射率エリア部を
有するものである。図２に、本ディスクの断面図を示
す。案内溝を有する基板３上に、第１誘電体層７、記録
層８、第２誘電体層９、反射放熱層１０、オーバーコー
ト層４を形成する。さらに、好ましくは、オーバーコー
ト層４上に、印刷層５、基板鏡面に、ハードコート層６
を有する。

【００２０】基板の材料は、通常、ガラス、セラミック
ス、又は樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点か
ら好適である。樹脂の例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレ
ン樹脂、ポリプロピレン樹脂等が挙げられるが、成形
性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹
脂、アクリル系樹脂が好ましい。また、基板の形状とし
ては、ディスク状、カード状又はシート状のいずれであ
ってもよい。

【００２１】高反射率エリア２は、マスキング等の治具
を用い、スパッタリング等の成膜法によって形成される
ことが望ましく、成膜時に欠如されることによって形成
されることが好ましい。材料は、Ａｌ又はＡｌ合金がコ
ストの点も含め、好ましいものである。高反射エリア部
の厚さは、その材料により若干異なるが、分光反射率に
より５０ｎｍ以上が好ましい。また、その周方向の幅は
１０μｍ以下であると検査の意味をなさなくなり、ま
た、欠陥が１ｍｍ以上のディスクは、市場に流通してい
る可能性はほとんどなく、ドライブも対応が難しいた
め、１０μｍ以上であり、かつ１ｍｍ以下であることが
好ましい。

【００２２】ＣＤ−ＲＷの記録層８としては、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅを含む４元系の相変化形記録材料を主成
分として含有する材料が、記録（アモルファス化）感度
・速度、消去（結晶化）感度・速度及び消去比がきわめ
て良好なことから好適なものである。記録層の膜厚とし
ては１０〜１００ｎｍ、好ましくは１５〜５０ｎｍとす
る。さらに、ジッター等の初期特性、オーバーライト特
性、量産効率を考慮すると、より好ましくは、１５〜３
５ｎｍである。１０ｎｍより薄いと、光吸収能が著しく
低下し、記録層としての役割を果たさない。

【００２３】ＣＤ−ＲＷの第１誘電体層７及び第２誘電
体層９の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、Ｓ
ｎＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ
₂等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴＩｎ、Ｂ
Ｎ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄等
の硫化物等が挙げられる。第１誘電体層７の膜厚は、光
学的干渉効果のため、λ／４の整数倍がよいとされてお
り、記録層の熱設計的にその何倍前後になるかが決ま
る。そのため、６０〜２００ｎｍ、好ましくは８０〜１
１０ｎｍである。第２誘電体層９の膜厚としては、１５
〜５５ｎｍ、好ましくは２０〜５０ｎｍである。１５ｎ
ｍより薄くなると、耐熱性保護層としての機能を果たさ
なくなり、また、感度の低下を生じる。一方、４５ｎｍ
より厚くなると、Ｏ／Ｗ特性を劣化させることになるの
で好ましくない。

【００２４】ＣＤ−ＲＷの反射放熱層１０としては、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ等の金属材料、又はそれら
の合金等を用いることができる。また、添加元素として
は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａ等が使
用される。

【００２５】反射放熱層１０の上には、その酸化防止を
目的としてオーバーコート層６を形成することが望まし
い。オーバーコート層４としては、スピンコートで作製
した紫外線硬化性樹脂が一般的である。その厚さは、７
〜１５μｍが適当である。７μｍ未満では、オーバーコ
ート層上に印刷層を設ける場合、エラー率の増加の可能
性がある。

【００２６】ハードコート層６としては、スピンコート
で作製した紫外線硬化性樹脂が一般的である。その厚さ
は、２〜６μｍが適当である。２μｍ未満では、十分な
耐擦傷性が得られず、６μｍを越えるときは、内部応力
が大きくなり、ディスクの機械特性に大きく影響するこ
ととなる。

【００２７】本発明の光情報記録媒体の初期化、記録、
再生、消去に用いる電磁波としては、レーザー光、電子
線、Ｘ線、紫外線、可視光線、赤外線、マイクロ波等、
種々のものが採用可能である。中でも、小型でコンパク
トな半導体レーザーが最適である。

【００２８】

【実施例】以下、実施例を挙げて本説明をさらに詳しく
説明するが、本発明はこれら実施例によって、なんら限
定されるものではない。

【００２９】実施例１ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネート基体に、基板中央部分と外周
をマスキングするマスクに幅１００μｍの角棒を付着さ
せ、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層を枚葉形スパ
ッタ装置によって、１０秒タクトで連続製膜した。その
後、１００μｍの角棒を取り除いた基板中央部分と外周
部分をマスキングするマスクで反射層を成膜した。第１
誘電体層は、Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、Ｏを主成分としたもの
で、膜厚１２０ｎｍになるように調整した。記録層は、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、添加元素とし
て、Ｎ、Ｏをそれぞれ１ｗｔ％添加し、膜厚３０ｎｍに
なるように調整した。第２誘電体層は、第１保護層と同
様にＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、Ｏを主成分とし、膜厚４０ｎｍに
なるように調整した。そして、反射放熱層は、Ａｌ合金
を膜厚１００ｎｍになるように調整した。次いで、紫外
線硬化性樹脂のスピンコートによる基板面側ハードコー
トを形成し、さらに、紫外線硬化性樹脂のスピンコート
により、スパッタ膜面側の中間層（約５μｍ）を形成し
て、相変化型光ディスクを作成した。

【００３０】この光ディスクを、大口径ＬＤを有する初
期化装置によってディスクの光情報記憶層の結晶化処理
をおこなった。初期化条件は、飽和反射率の９５％以上
を確保できる条件で行った。この光ディスクの反射率を
測定するところ、通常部分で１８％、高反射率部分で７
１％であった。

【００３１】実施例２ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネ基板に、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層を、枚葉形スパッタ装置によって、１０秒
タクトで連続製膜した。その後、反射放熱層のみを基板
中央部分と外周をマスキングするマスクに、幅１００μ
ｍの角棒を付着させスパッタ装置によって成膜した。第
１誘電体層は、Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、Ｏを主成分としたもの
で、膜厚１２０ｎｍになるように調整した。記録層は、
Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、添加元素として
Ｎ，ＯをそれぞれＷｔ％添加し、膜厚３０ｎｍになるよ
うに調整した。第２誘電体層は、第１保護層と同様にＺ
ｎ、Ｓ、Ｓｉ、を主成分とし、膜厚４０ｎｍになる、よ
うように調整した。そして、反射放熱層は、Ａ１合金を
膜厚１００ｎｍになるように調整した。次いで、紫外線
硬化性樹脂のスピンコートによる基盤面側ハードコート
を形成し、さらに、紫外線硬化性樹脂のスピンコートに
より、スパッタ膜面側の中間層（約５μｍ）を形成し
て、相変化型光ディスク化した。

【００３２】この光ディスクを、大口径ＬＤを有する初
期化装置によってディスクも光情報記憶層の結晶化処理
を行った。初期条件は、飽和反射率９５％以上を確保で
きる条件で行った。この光ディスクの反射率を測定した
ところ、通常部分で１８％、反射膜欠如部分で６％であ
った。

【００３３】実施例３ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネ基体に、基板中央部分と外周をマ
スキングするマスクに、幅１００μｍの角棒を付着さ
せ、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射放熱層
を枚葉形スパッタ装置によって、１０秒タクトで連続製
膜した。第１誘電体層は、Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ、Ｏを主成分
としたもので、膜厚１２０ｎｍになるように調整した。
記録層は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし、添加
元素としてＮ、Ｏをそれぞれ１Ｗｔ％添加し、膜厚３０
ｎｍになるように調整した。第２誘電体層は、第１保護
層と同様にＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、Ｏを主成分とし、膜厚４０
ｎｍになるように調整した。そして、反射放熱層はＡｌ
合金を膜厚１００ｎｍになるように調整した。次いで、
紫外線硬化性樹脂のスピンコートによる基盤面側ハード
コートを形成し、さらに、紫外線硬化性樹脂のスピンコ
ートによりスパッタ膜面側の中間層（約５μｍ）の形成
して、相変化形光ディスクを作成した。

【００３４】この光ディスクを、大口径ＬＤを有する初
期化装置によってディスクの光情報記憶層の結晶化処理
を行った。初期化条件は、飽和反射率の９５％以上を確
保できる条件で行った。この光ディスクの反射率を測定
したところ、通常部分で１８％、膜欠如部分で１％であ
った。

【００３５】実施例４ 幅０．５μｍ、深さ３５ｎｍのグルーブを有する１．２
ｍｍ厚のポリカーボネ基体に、第１誘電体層、記録層、
第２誘電体層、反射層を枚葉形スパッタ装置によって、
１０秒タクトで連続製膜した。第１誘電体層は、Ｚｎ、
Ｓ、Ｓｉ、Ｏを主成分としたもので、膜厚１５０ｎｍに
なるように調整した。記録層は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔ
ｅを主成分とし、添加元素としてＮ、Ｏをそれぞれ１Ｗ
ｔ％添加し、膜厚３０ｎｍになるように調整した。第２
誘電体層は、第１保護層と同様にＺｎ、Ｓ、Ｓｉ、Ｏを
主成分とし、膜厚３０ｎｍになるように調整した。そし
て、反射放熱層は、Ａ１合金を膜厚１４０ｎｍになるよ
うに調整した。次いで、紫外線硬化性樹脂のスピンコー
トによりスパッタ膜面側の中間層（約５μｍ）を形成し
て、相変化形光ディスクを作製した。

【００３６】この光ディスクを、大口径ＬＤを有する初
期化装置によってディスクの光情報記憶層の結晶化処理
を行った。初期化条件は、飽和反射率の９５％以上を確
保できる条件で行った。この光ディスクの反射率を測定
したところ、面内の平均で２４．７％、面内分布＋／−
０．７％であった。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、ドライブ開発及び欠陥
検査用に好適な光情報記録媒体及びその製造方法が提供
され、光情報記録分野に寄与するところは、きわめて大
きいものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の一形態である光ディ
スクを示す平面図である。

【図２】本発明の光情報記録媒体の一形態である光ディ
スクを示す断面図である。

【符号の説明】

１ 相変化記録媒体 ２ 高反射率エリア ３ 基板 ４ オーバーコート ５ 印刷層 ６ ハードコート層 ７ 第１誘電体層 ８ 記録層 ９ 第２誘電体層 １０ 反射放熱層

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円盤状の基板上に、第１誘電体層、記録
   層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化性樹
   脂層をその順に積層してなる相変化型光情報記録媒体に
   おいて、該光情報記録媒体面内に、反射率の高い部分を
   設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
2. 【請求項２】 該反射率の高い部分が、基板グルーブサ
   イドに設けられたものである請求項１に記載の光情報記
   録媒体。
3. 【請求項３】 該反射率の高い部分の反射率が、２５％
   以上である請求項１又は２に記載の光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 該反射率の高い部分の周方向の長さが、
   １０μｍ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の光
   情報記録媒体。
5. 【請求項５】 該反射率の高い部分の周方向の長さが、
   １ｍｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の光情
   報記録媒体。
6. 【請求項６】 該反射率の高い部分の厚さが、５０ｎｍ
   以上である請求項１〜５のいずれかに記載の光情報記録
   媒体。
7. 【請求項７】 該記録層の組成が、少なくともＡｇ、Ｉ
   ｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである請求項１〜６のい
   ずれかに記載の光情報記録媒体。
8. 【請求項８】 構造が、ＣＤ一ＲＷである請求項１〜７
   のいずれかに記載の光情報記録媒体。
9. 【請求項９】 円盤状の基板上に、反射率の高い部分を
   設けた後、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金属
   又は合金層及び紫外線硬化性樹脂層をその順に積層する
   ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光情
   報記録媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 円盤状の基板上に、第１誘電体層、記
    録層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化性
    樹脂層をその順に積層してなる相変化型光情報記録媒体
    において、該光情報記録媒体面内に、反射率の低い部分
    を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 該反射率の低い部分が、基板グルーブ
    サイドに設けられたものである請求項１０に記載の光情
    報記録媒体。
12. 【請求項１２】 該反射率の低い部分の反射率が、１５
    ％以下である請求項１０又は１１に記載の光情報記録媒
    体。
13. 【請求項１３】 該反射率の低い部分の反射率が、５％
    以上である請求項１０〜１２のいずれかに記載の光清報
    記録媒体。
14. 【請求項１４】 該反射率の低い部分の周方向の長さ
    が、１０μｍ以上である請求項１０〜１３のいずれかに
    記載の光情報記録媒体。
15. 【請求項１５】 該反射率の低い部分の周方向の長さ
    が、１ｍｍ以下である請求項１０〜１４のいずれかに記
    載の光情報記録媒体。
16. 【請求項１６】 該反射率の低い部分が、反射層を欠如
    させることによってなるものである請求項１０〜１５の
    いずれかに記載の光情報記録媒体。
17. 【請求項１７】 該記録層の組成が、少なくともＡｇ、
    Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである請求項１０〜１
    ６のいずれかに記載の光情報記録媒体。
18. 【請求項１８】 構造が、ＣＤ−ＲＷである請求項１０
    〜１７のいずれかに記載の光情報記録媒体。
19. 【請求項１９】 円盤状の基板上に、反射率の低い部分
    を設けた後、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、金
    属又は合金層及び紫外線硬化性樹脂層をその順に積層す
    ることを特徴とする請求項１０〜１８のいずれかに記載
    の光情報記録媒体の製造方法。
20. 【請求項２０】 円盤状の基板上に、第１誘電体層、記
    録層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化性
    樹脂層をその順に積層してなる相変化型光情報記録媒体
    において、該光情報記録媒体面内に、該第１誘電体層、
    該記録層、該第２誘電体層及び該金属又は合金層の欠如
    した部分を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
21. 【請求項２１】 該欠如した部分の反射率が、５％以下
    である請求項２０に記載の光情報記録媒体。
22. 【請求項２２】 該欠如した部分の周方向の長さが、１
    ０μｍ以上である請求項２０又は２１に記載の光情報記
    録媒体。
23. 【請求項２３】 該欠如した部分の周方向の長さが、１
    ｍｍ以下である請求項２０〜２２のいずれかに記載の光
    情報記録媒体。
24. 【請求項２４】 該記録層の組成が、少なくともＡｇ、
    Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである請求項２０〜２
    ３のいずれかに記載の光情報記録媒体。
25. 【請求項２５】 構造が、ＣＤ−ＲＷである請求項２０
    〜２４のいずれかに記載の光情報記録媒体。
26. 【請求項２６】 円盤状の基板上に、第１誘電体層、記
    録層、第２誘電体層、金属又は合金層及び紫外線硬化性
    樹脂層をその順に積層してなる相変化型光情報記録媒体
    において、該光情報記録媒体面内の平均反射率が、２４
    〜２６％であることを特徴とする光情報記録媒体。
27. 【請求項２７】 該平均反射率が、＋／−１％である請
    求項２６に記載の光情報記録媒体。
28. 【請求項２８】 該記録層の組成が、少なくともＡｇ、
    Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅからなるものである請求項２６又は
    ２７に記載の光情報記録媒体。
29. 【請求項２９】 構造が、ＣＤ−ＲＷである請求項２６
    〜２８のいずれかに記載の光情報記録媒体。