JP2002269827A

JP2002269827A - 光ディスク

Info

Publication number: JP2002269827A
Application number: JP2001073632A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Ueno; 一郎上野; Kenji Oishi; 健司大石; Akihiko Nomura; 昭彦野村
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2001-03-15
Filing date: 2001-03-15
Publication date: 2002-09-20

Abstract

(57)【要約】【課題】短いマーク長のピットを良好なＣ／Ｎ比で記
録再生できる、マスク層を有する光ディスクを提供す
る。【解決手段】その表面に情報を表すピット列２Ａが形
成されている透明基板１と、前記透明基板１上に順次形
成された、入射されるレーザ光７の照射強度に応じて透
過率が変化するマスク層３と、前記レーザ光７を反射す
る反射層４Ａとを有する光ディスク１０Ａにおいて、前
記反射層４Ａを前記レーザ光７の照射強度に応じて反射
率が変化する可変型反射層より構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度に記録され
た情報を光学的に再生する光ディスク又は高密度に情報
を光学的に記録再生する光ディスクに係わり、特に、レ
ーザ光照射により透過率の変化するマスク層を設けるこ
とにより、レーザ光の実効径を小さくし、高記録密度の
情報を再生又は高記録密度に情報を記録再生するのに好
適な光ディスクに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光学的に情報を再生、もしくは記
録再生する媒体として、光ディスクが周知であり、高度
情報社会における記録媒体の中心的役割の担い手とし
て、注目されており、その記録密度の一層の向上が求め
られている。

【０００３】光ディスクにおいて、高記録密度を実現す
る手段として、（１）記録再生に用いるレーザの波長λ
を短くする、（２）光ディスクにレーザ光を集光するレ
ンズの開口数ＮＡを大きくする、（３）一枚の光ディス
ク上で、情報を記録する層を多層にする、（４）記録再
生する波長を変えて、多重に記録再生する、（５）マス
ク層を設けることにより、レーザ光のスポット径を実質
的に小さくする、などが知られており、種々検討されて
いる。

【０００４】（５）のマスク層を形成することにより、
実質的に記録再生用のレーザ光のスポット径を小さく
し、光ディスクにおいて、高密度記録を実現する方法
は、例えば、特開平５−１２６７３号公報、特開平５−
１２７１５公報、特開平５−２８４９８号公報、特開平
５−２８５３５号公報、特開平５−７３９６１号公報、
特開平８−３１５４１９号公報に開示されている。

【０００５】一方、新たな高密度化の手段として、レー
ザ光を照射すると金属が析出して光散乱を起すような材
料より反射層を形成する方法が、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３９（２０００）ｐｐ．９８
０−９８１（”ＡＮｅａｒ−ＦｉｅｌｄＲｅｃｏｒ
ｄｉｎｇａｎｄＲｅａｄｏｕｔＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙＵｓｉｎｇａＭｅｔａｌｌｉｃＰｒｏｂｅ
ｉｎａｎＯｐｔｉｃａｌＤｉｓｋ“）や、ＩＮ
ＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬＳＹＭＰＯＳＩＵＭＯＮＯ
ＰＴＩＣＡＬＭＥＭＯＲＹ２０００ＴＥＣＨＮＩ
ＣＡＬＤＩＧＥＳＴｐｐ．１９８−１９９（”ＡＤ
ＶＡＮＣＥＭＥＮＴＯＦＳＵＰＥＲ−ＬＥＮＳＡ
ＮＤＴＨＥＳＵＲＦＡＣＥＰＬＡＳＭＯＮＥＮ
ＨＡＮＣＥＭＥＮＴ“）などの資料に開示されている。
これらには、ＡｇＯｘからなる薄膜にレーザ光を照射す
ることにより、金属Ａｇが析出し、析出したＡｇにより
レーザ光が散乱されて、通常光では検出できない０．１
μｍ長のマーク長が検出できることが示されている。

【０００６】ここで、マスク層を有する光ディスクを説
明する。図１は従来例のマスク層を有する再生専用型光
ディスクを示す断面構成図であり、図２は従来例のマス
ク層を有する記録再生型光ディスクを示す断面構成図で
ある。図１に示すように、再生専用のマスク層を有する
光ディスク１０においては、透明基板１上に所定形状の
情報を表示する情報ピット２が予め形成されており、そ
の上にマスク層３、反射層４が順次形成されて、接着層
５により、基板６が張り合わせてある。ここで、接着層
５と基板６は単に保護層としても良い。

【０００７】レーザ光７は透明基板１の情報ピット２の
形成されていない側より入射される。マスク層３は、光
が照射されないときあるいは照射される光が弱いときに
は透過率が小さく、照射される光強度が大きくなると、
光学的に変化して、あるいは光を吸収して温度上昇する
ことにより熱的に変化して、光の透過率が大きくなる材
料より構成されており、実質的にレーザ光７のスポット
径を小さくする機能がある。スポット径の小さくなった
レーザ光７は、反射層４で反射されて、光学系によっ
て、情報ピットを高密度に読み出すことができる。マス
ク層３を構成する材料として、相変化材料、フォトクロ
ミック材料、サーモクロミック材料などがある。反射層
４は例えばＡｌより構成される。

【０００８】また、図２に示すように、記録再生可能な
マスク層を有する光ディスク２０においては、透明基板
１１上に予め案内溝１２が形成されており、その上にマ
スク層１３、記録層２１、及び保護層１８が順次形成さ
れている。記録層２１を構成するものとして、相変化型
材料、光磁気記録材料、有機材料が種々知られている。
記録層２１として、相変化型材料を用いる場合には、記
録層２１は、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる誘電体層
１４、例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅなどから
なる相変化材料層１５、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ₂からな
る誘電体層１６、例えばＡｌからなる反射層１７の積層
層より構成される。レーザ光１９は、透明基板１１の案
内溝１２の形成されていない側より入射され、マスク層
１３は、上述のマスク層３と同様である。

【０００９】図３は光ディスクにおけるマスク層の機能
を説明するための図であり、マスク層に照射されたレー
ザ光スポットＳは、ピット上に照射されるが、このと
き、斜線部で示されるマスク透過光スポットＣは透過さ
れるが、それ以外のマスク層を透過しない部分Ｄでは、
遮蔽されてしまい、実質的に、マスク層により、レーザ
光スポットＳの径が小さくなることを示す。図３におい
てＡは、マスク層を透過する部分のトレースである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、マスク層を
有する光ディスクにおいては、マスク層により照射され
るレーザ光のスポット径を実質的に小さくし、より高密
度の記録再生を可能とするものであるが、それには限界
がある。

【００１１】図４は記録再生型光ディスクにおいて、反
射層を設けた場合に、マスク層の有無によるマーク長と
Ｃ／Ｎ比の関係を示すグラフ図である。図４において、
記録再生光学系のレーザ波長は６５０ｎｍであり、対物
レンズの開口数は０．６であり、図２に示した構成の光
ディスク２０をマスク層ありとし，光ディスク２０にお
いて、マスク層を設けなかった場合をマスク層なしとし
て、各光ディスクにマーク長を変えて記録再生した場合
の、Ｃ／Ｎ比（ｄＢ）を示す。

【００１２】マスク層がない場合には、情報を表すピッ
トのマーク長が０．４μｍでは、Ｃ／Ｎ比は、約４７ｄ
Ｂあり、マーク長が短くなると共に、Ｃ／Ｎ比が略リニ
アに低下し、マーク長０．２μｍでは、Ｃ／Ｎ比が０ｄ
Ｂになる。

【００１３】一方、マスク層がある場合には、マーク長
が０．４μｍではＣ／Ｎ比は約５０ｄＢあり、マーク長
が０．２μｍになるまでは、マーク長が短くなるに従
い、比較的緩やかなＣ／Ｎ比の低下を示し、３５ｄＢ以
上のＣ／Ｎ比があり、明らかに、マスク層無しの場合に
比べて、良好な特性を示している。しかし、マスク層あ
りでも、マーク長が０．２μｍ以下になると、急激にＣ
／Ｎ比が劣化し、０．１μｍのマーク長でＣ／Ｎ比が０
ｄＢになるという課題があった。

【００１４】そこで本発明は、上記課題を解決し、短い
マーク長のピットを良好なＣ／Ｎ比で再生できる、マス
ク層を有する光ディスク及び、短いマーク長のピットを
良好なＣ／Ｎ比で記録再生できる、マスク層を有する光
ディスクを提供することを目的とするものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、第１の発明は、その表面に情報を表すピ
ット列が形成されている透明基板と、前記透明基板上に
順次形成された、入射されるレーザ光の照射強度に応じ
て透過率が変化するマスク層と、前記レーザ光を反射す
る反射層とを有する光ディスクにおいて、前記反射層を
前記レーザ光の照射強度に応じて反射率が変化する可変
型反射層より構成したことを特徴とする光ディスクであ
る。

【００１６】また、第２の発明は、その表面にトラッキ
ングのためのグルーブが形成されている透明基板と、前
記透明基板上に順次形成された、入射されるレーザ光の
照射強度に応じて透過率が変化するマスク層と、前記レ
ーザ光照射により情報が記録される記録材料層と、前記
レーザ光を反射する反射層とを有する光ディスクにおい
て、前記反射層を前記レーザ光の照射強度に応じて反射
率が変化する可変型反射層より構成したことを特徴とす
る光ディスクである。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明は、以下に説明する検討結
果を基になされたものである。図５は記録再生型光ディ
スクにおいて、マスク層を設けない場合に、反射層の有
無によるマーク長とＣ／Ｎ比の関係を示すグラフ図であ
る。図５には、従来例の記録再生型ディスク２０におい
て、マスク層１３と反射層１７を形成しない光ディスク
を形成し、これを「マスク層なし」で「反射層なし」と
し、マスク層１３を形成しないが反射層１７を形成した
光ディスクを「マスク層なし」で「反射層あり」とし
て、マーク長を変化させて、それぞれの光ディスクに記
録再生を行い、そのときのＣ／Ｎ比を示してある。記録
再生の光学系において、レーザ波長は６５０ｎｍであ
り、対物レンズの開口数は０．６である。

【００１８】「マスク層なし」で「反射層あり」の光デ
ィスクにおいては、０．４μｍのマーク長で得られるＣ
／Ｎ比は約４３ｄＢであるものの、マーク長が短くなる
と共に急激にＣ／Ｎ比は低下し、マーク長０．２３μｍ
でＣ／Ｎ比は０ｄＢとなる。

【００１９】一方、「マスク層なし」で「反射層なし」
の光ディスクにおいては、マーク長０．４μｍにおける
Ｃ／Ｎ比は約３２ｄＢであり、「反射層あり」に比して
低い値であるが、「反射層あり」のＣ／Ｎ比が０ｄＢと
なるマーク長０．２３μｍにおいて、約２７ｄＢのＣ／
Ｎ比を示し、以後マーク長０．１５μｍまで緩やかにＣ
／Ｎ比が低下し、マーク長０．１５μｍで約２５ｄＢと
なる。さらに、マーク長が短くなると急激にＣ／Ｎ比は
低下し、マーク長０．０９μｍでＣ／Ｎ比は約４ｄＢと
なる。すなわち、「反射層なし」の場合には、長いマー
ク長でのＣ／Ｎ比は低いが、短マーク長でのＣ／Ｎ比は
「反射層あり」に比して遙かに大きく、マーク長０．１
μｍ以下でも情報の検出が可能であることが示される。

【００２０】図６は記録再生型光ディスクにおいて、マ
スク層を設けた場合に、反射層の有無によるマーク長と
Ｃ／Ｎ比の関係を示すグラフ図である。図６には、従来
例の記録再生型ディスク２０を「マスク層あり」で「反
射層あり」の光ディスクとし、光ディスク２０におい
て、反射層１７を形成しない光ディスクを形成し、これ
を「マスク層あり」で「反射層なし」として、マーク長
を変化させて、それぞれの光ディスクに記録再生を行
い、そのときのＣ／Ｎ比を示してある。なお、図４及び
５と、図６を区別できるよう、図６中に「マスク層あ
り」と記入してある。この場合の記録再生の光学系にお
いて、レーザ波長は６５０ｎｍであり、対物レンズの開
口数は０．６である。

【００２１】「マスク層あり」で「反射層なし」の光デ
ィスクにおいては、「マスク層あり」で「反射層あり」
の光ディスクと比較すると、約０．１５μｍよりも長い
マーク長でのＣ／Ｎ比は低いものの、短マーク長でのＣ
／Ｎ比は遙かに大きく、マーク長が０．１μｍ以下でも
情報の検出が可能である。

【００２２】ここで、「マスク層あり」で「反射層な
し」の場合に、短マーク長でのＣ／Ｎ比が「マスク層あ
り」で「反射層あり」の場合よりも大きくなる理由は、
定かではないが、雑誌「ＯｐｌｕｓＥＶｏｌ．２
１，Ｎｏ．３ｐｐ．２４８−２５４」の記載などより
次のように考えられる。波長６５０ｎｍのレーザ及び対
物レンズの開口数０．６である光学系（ピックアップ）
を用いて再生した場合、通常光の検出では光の回折で約
０．２３μｍ（記録波長で約０．４６μｍ）よりも短い
マーク長を検出することはできない。よって、「マスク
層なし」で「反射層あり」の光ディスクにおいては、マ
ーク長０．２μｍではＣ／Ｎ比が０になるのは、通常光
の検出として当然の結果と考えられる。

【００２３】マスク層の有無に係わらず「反射層なし」
の光ディスクにおいて、０．２３μｍよりも短マーク長
を検出できるのは、近接場光を検出しているためと考え
られる。すなわち、Ａｌより構成される反射層がある
と、近接場光がＡｌの反射層に沿って伝搬してしまい、
ピックアップに光が伝搬してこないためではないかと考
えられる。

【００２４】よって、短マーク長まで検出可能とするに
は、図５および６より明らかなように、近接場光を横に
伝搬してしまうと考えられるＡｌからなる金属反射膜に
代えた反射層を用いる光ディスクであることが必要であ
り、本発明ではそれを実現するものである。以下、本発
明の実施の形態につき、好ましい実施例により、図面を
参照して説明する。

【００２５】＜第１実施例＞図７は本発明の光ディスク
の第１実施例を示す断面構成図である。図７に示すよう
に、第１実施例の再生専用の光ディスク１０Ａにおい
て、透明基板１は、例えば直径１２０ｍｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート樹脂よりなる。なお、本第1実
施例においては、単層ディスクを説明するが、基板の同
一方向からレーザ光を入射して再生する記録面が２層形
成された２層ディスクや、２層ディスクを貼り合わせた
４層ディスクにしてもよい。

【００２６】透明基板１の片面には、予め射出成形によ
り、スパイラル状にピット（マーク）列２Ａが形成され
ており、マーク列２Ａとしては、長さ０．０８μｍのマ
ークが間隔０．０８μｍで、長さ０．１μｍのマークが
間隔０．１μｍで、長さ０．１５μｍのマークが間隔
０．１５μｍで、長さ０．２μｍのマークが間隔０．２
μｍで、長さ０．２５μｍのマークが間隔０．２５μｍ
で、長さ０．３μｍのマークが間隔０．３μｍで、長さ
０．４μｍのマークが間隔０．４μｍで、それぞれ配置
されたものを、トラックピッチ０．７４μｍ配列したも
の形成されている。今回のデータではトラックピッチ
０．７４μｍの光ディスクを用いたが、更に狭くした
０．４〜０．５μｍにした光ディスクでも再生可能であ
る。なお、ピット列は情報を表すように任意に構成で
き、同心円状に配置することもできる。

【００２７】このマーク列２Ａの形成された側の透明基
板１上にサーモクロミック層からなるマスク層３を蒸着
法により形成する。マスク層３の透過率は光が弱いとき
は約５％である。マスク層３に照射されるレーザ光の照
射強度が強くなるとマスク層３の透過率は可逆的に大き
くなる。サーモクロミックのマスク層３において、呈色
剤として山本化成（株）製の商品名Ｄ９４−００６を、
顕色剤としてＢＨＰＥを重量比１：２になるように蒸着
した。このときのマスク層３の厚みは約７００ｎｍであ
った。なお、マスク層３としては、サーモクロミック層
に代えて、相変化材料、フォトクロミック材料等を用い
ても良い。

【００２８】図８はマスク層の呈色剤と顕色剤の化学構
造式を示す図であり、上述のＤ９４−００６及びＢＨＰ
Ｅの化学構造式が示されている。マスク層３上に、スパ
ッター法や蒸着法で可変型反射層４Ａが形成される。可
変型反射層４Ａを構成する材料は、ＡｇＯｘであり、
約１５ｎｍの厚みである。Ｘの値は、約２である。可変
型反射層４ＡとしてはＳｉ、Ｗ、Ｍｏを用いても良い。
可変型反射層４Ａにおいては、光が照射された近辺のみ
で反射率が変化するもので、光照射強度が大きくなると
反射率が大きくなり、反射率の変化は可逆的である。

【００２９】マスク層３及び可変型反射層４Ａの形成さ
れた透明基板１を、マーク列２Ａの形成された面側を接
着面として、フォトポリマー法で接着層５を形成して、
０．６ｍｍ厚の基板６と貼り合わせる。貼り合わせ方法
は、情報の記録されていない、すなわちマーク列の無い
透明な基板６上にフォトポリマーを滴下し、その上に透
明基板１のマーク列２Ａが形成された面を接し、約１０
００ＲＰＭの回転数で回転させ、フォトポリマーを貼り
合わせ面全面に塗布する。その後紫外線を基板６側から
照射して硬化させ、貼り合わせて、第１実施例の光ディ
スク１０Ａを作製した。情報を再生するのに、レーザ光
７は、透明基板１のピット列２Ａの形成されていない面
側より入射される。

【００３０】なお、ここで透明基板１及び基板６の厚さ
を０．６ｍｍとしたが、ピックアップのレーザ波長を６
５０ｎｍ、レンズ開口数を０．６とした場合であり、例
えばレンズ開口数を例えば０．８５に代えた場合は、透
明基板１の厚みを１ｍｍとし、貼り合わせる基板６の厚
みを０．１ｍｍほどにした方がよい。この場合には光の
入射は厚さ０．１ｍｍの基板６側から行う。また、この
場合には、情報がマーク列（凹凸ピット）として形成さ
れ透明基板１のマーク列が形成された面上には、可変型
反射層４Ａを先に形成し、その後、可変型反射層４Ａの
上にマスク層３を形成する。

【００３１】次に、光ディスクの記録再生光学系につい
て説明する。図９は光ディスクの記録再生光学系を示す
構成図である。図９に示す記録再生光学系３０におい
て、レーザ光源３１から出射されたレーザ光４１がコリ
メートレンズ３２により平行光にされ、ビームスプリッ
ター３３及び１／４波長板を介して対物レンズ３５で集
光され、光ディスク４０に照射される。光ディスク４０
は、回転軸３９に連結されており、所定の回転数で回転
している。

【００３２】光ディスク４０からの反射光は対物レンズ
３５、１／４波長板３４、ビームスプリッター３３を介
して、集光レンズ３６、シリンドリカルレンズ３７に入
射される。この集光レンズ３６，シリンドリカルレンズ
３７を通過したレーザ光は４分割フォトディテクター３
８に入射される。対物レンズ３５は、図示されていない
レンズアクチュエータによつてその位置が制御される。
すなわち対物レンズ３５の移動によって、マーク列のト
ラッキング制御やマーク列に対するフォーカス制御など
が行われる。

【００３３】上記の記録再生光学系３０を用いて、第１
実施例の光ディスク１０Ａの特性を評価した。所定の長
さのマーク列をそれぞれ再生し、そのときのＣ／Ｎ比
（ｄＢ）を測定した。再生に用いたレーザパワーは約３
ｍＷであり、レーザ波長は６５０ｎｍであり、対物レン
ズの開口数は０．６である。

【００３４】測定の結果、短マーク長に注目すると、マ
ーク長０．２５μｍのマーク列においてＣ／Ｎ比は約４
３ｄＢであり、、マーク長０．２μｍのマーク列におい
てＣ／Ｎ比は約４０ｄＢであり、マーク長０．１５μｍ
のマーク列においてＣ／Ｎ比は約２８ｄＢであり、マー
ク長０．１μｍのマーク列においてＣ／Ｎ比は約３０ｄ
Ｂであり、マーク長０．０８μｍのマーク列においてＣ
／Ｎ比は約２８ｄＢであり、短いマーク長のマーク列を
従来に比較して極めて良好なＣ／Ｎ比で再生できた。結
果を図１１に示す。図１１は本発明の光ディスクの第１
及び第２実施例におけるマーク長とＣ／Ｎ比との関係を
示すグラフ図である。

【００３５】＜第２実施例＞図１０は本発明の光ディス
クの第２実施例を示す断面構成図である。図１０に示す
ように、第２実施例の記録再生型光ディスク２０Ａにお
いて、透明基板１１は、例えば直径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂よりなる。なお、本
第２実施例においては、単層ディスクを説明するが、デ
ィスクを貼り合わせて２層ディスクとしても良い。

【００３６】この透明基板１１の片面には、予め射出成
形により、プリフォーマット情報を表す所定形状の凹凸
ピットからなるピット列１２Ａと、トラックピッチ０．
７４μｍでスパイラル状にトラッキング用の所定形状の
案内溝（グルーブ）１２とが形成されている。案内溝１
２の間はランドとなり、このランド部分の後述する記録
材料層１５に情報がピット（マーク）列としてで記録さ
れる。なお、案内溝１２は同心円状に配置することもで
きる。

【００３７】このピット列１２Ａ及び案内溝１２の形成
された側の透明基板１１上にサーモクロミック層からな
るマスク層１３を蒸着法により形成する。マスク層１３
の透過率は光が弱いときは約５％である。マスク層１３
に照射されるレーザ光の照射強度が強くなるとマスク層
１３の透過率は可逆的に大きくなる。サーモクロミック
のマスク層１３において、呈色剤として山本化成（株）
製の商品名Ｄ９４−００６を、顕色剤としてＢＨＰＥを
重量比１：２になるように蒸着した。この場合のマスク
層１３の厚みは、約７００ｎｍであった。なお、マスク
層１３としては、相変化材料、フォトクロミック材料等
を用いても良い。図８はマスク層の呈色剤と顕色剤の化
学構造式を示す図であり、上述のＤ９４−００６及びＢ
ＨＰＥの化学構造式が示されている。

【００３８】サーモクロミック層からなるマスク層１３
上に、記録層２１Ａが形成される。記録材料層１５に
は、例えば相変化記録材料が用いられる。記録層２１Ａ
は、透明基板１１側から、厚さ約１１０ｎｍであるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂からなる誘電体層１４、厚さ約２３ｎｍで
ある相変化材料のＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂからなる記録材料層
１５、厚さ約２０ｎｍであるＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる
誘電体層１６、厚さ約１５ｎｍである可変型反射層１７
Ａを順次スパッター法や蒸着法を用いてで積層したもの
から形成されている。なお、記録材料層１５としてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを用いても良い。

【００３９】可変型反射層１７Ａを構成する材料は、Ａ
ｇＯｘであり、Ｘの値は、約２である。可変型反射層
１７ＡとしてはＳｉ、Ｗ、Ｍｏを用いても良い。可変型
反射層１７Ａにおいては、光が照射された近辺のみで反
射率が変化するもので、光照射強度が大きくなると反射
率が大きくなり、この反射率の変化は可逆的である。

【００４０】マスク層１３及び記録層２１Ａが形成され
た透明基板１１を、記録層２１Ａが形成された面側を接
着面として、フォトポリマー法で接着層２３を形成し、
例えば０．６ｍｍ厚の基板２２と貼り合わせる。貼り合
わせ方法は、基板２２上にフォトポリマーを滴下し、そ
の上に透明基板１１の記録層２１Ａが形成された面側を
接し、約１０００ＲＰＭの回転数で回転させ、フォトポ
リマーを貼り合わせ面全面に塗布する。その後紫外線を
基板２２側から照射して硬化させ、貼り合わせて、第２
実施例の光ディスク２０Ａを作製した。情報を記録再生
するのに、レーザ光１９は、透明基板１１の案内溝１２
の形成されていない面側より入射される。

【００４１】なお、ここで透明基板１１及び基板２２の
厚さを０．６ｍｍとしたが、ピックアップのレーザ波長
を６５０ｎｍ、レンズ開口数を０．６とした場合であ
り、例えばレンズ開口数を例えば０．８５に代えた場合
は、透明基板１１の厚みを１ｍｍとし、貼り合わせる基
板２２の厚みを０．１ｍｍほどにした方がよい。この場
合には光の入射は厚さ０．１ｍｍの基板２２側から行
う。また、この場合には、透明基板１１のピット列１２
Ａ及び案内溝１２の形成された面上には、記録層２１Ａ
を先に形成し、その後、記録層２１Ａの上にマスク層１
３を形成する。

【００４２】第２実施例の光ディスクの特性を、上述の
図９に示した記録再生光学系３０を用いて評価した。記
録に用いたレーザパワーは約１５ｍＷであり、再生に用
いたレーザパワーは約３ｍＷである。

【００４３】まず、光ディスク２０Ａに、スパイラル状
の案内溝に沿って、長さ０．０８μｍのマークを間隔
０．０８μｍで、長さ０．１μｍのマークを間隔０．１
μｍで、長さ０．１５μｍのマークを間隔０．１５μｍ
で、長さ０．２μｍのマークを間隔０．２μｍで、長さ
０．２５μｍのマークを間隔０．２５μｍで、長さ０．
３μｍのマークを間隔０．３μｍで、長さ０．４μｍの
マークを間隔０．４μｍで、それぞれスパイラル状のピ
ット列になるように、レーザ光で記録材料層１５に記録
し、これをそれぞれレーザ光で再生し、そのときのＣ／
Ｎ比を測定した。

【００４４】測定の結果、短マーク長に注目すると、マ
ーク長０．２５μｍのマーク列においてＣ／Ｎ比は約４
２ｄＢであり、マーク長０．２μｍのマーク列において
Ｃ／Ｎ比は約３８ｄＢであり、マーク長０．１５μｍの
マーク列においてＣ／Ｎ比は約２７ｄＢであり、マーク
長０．１μｍのマーク列においてＣ／Ｎ比は約３０ｄＢ
であり、マーク長０．０８μｍのマーク列においてＣ／
Ｎ比は約２７ｄＢであり、短いマーク長のマーク列を従
来に比較して極めて良好なＣ／Ｎ比で再生できた。結果
を図１１に示す。第１及び第２実施例の光ディスクにお
いては、０．１μｍのマーク長においても、従来の光デ
ィスクでは得られない良好なＣ／Ｎ比が得られている。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ディス
クは、請求項１記載によれば、反射層をレーザ光の照射
強度に応じて反射率が変化する可変型反射層より構成し
たことにより、短いマーク長のピットを良好なＣ／Ｎ比
で再生できる、マスク層を有する光ディスクを提供する
ことができるという効果がある。

【００４６】また、本発明の光ディスクは、請求項２記
載によれば、反射層をレーザ光の照射強度に応じて反射
率が変化する可変型反射層より構成したことにより、短
いマーク長のピットを良好なＣ／Ｎ比で記録再生でき
る、マスク層を有する光ディスクを提供することができ
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来例のマスク層を有する再生専用型光ディス
クを示す断面構成図である。

【図２】従来例のマスク層を有する記録再生型光ディス
クを示す断面構成図である。

【図３】光ディスクにおけるマスク層の機能を説明する
ための図である。

【図４】記録再生型光ディスクにおいて、反射層を設け
た場合に、マスク層の有無によるマーク長とＣ／Ｎ比の
関係を示すグラフ図である。

【図５】記録再生型光ディスクにおいて、マスク層を設
けない場合に、反射層の有無によるマーク長とＣ／Ｎ比
の関係を示すグラフ図である。

【図６】記録再生型光ディスクにおいて、マスク層を設
た場合に、反射層の有無によるマーク長とＣ／Ｎ比の関
係を示すグラフ図である。

【図７】本発明の光ディスクの第１実施例を示す断面構
成図である。

【図８】マスク層の呈色剤と顕色剤の化学構造式を示す
図である。

【図９】光ディスクの記録再生光学系を示す構成図であ
る。

【図１０】本発明の光ディスクの第２実施例を示す断面
構成図である。

【図１１】本発明の光ディスクの第１及び第２実施例に
おけるマーク長とＣ／Ｎ比との関係を示すグラフ図であ
る。

【符号の説明】

１…透明基板、２…情報ピット、２Ａ…マーク列、３…
マスク層、４…反射層、４Ａ…可変型反射層、５…接着
層、６…基板、７…レーザ光、１０…（再生専用）光デ
ィスク、１１…透明基板、１２…案内溝、１２Ａ…ピッ
ト、１３…マスク層、１４…誘電体層、１５…記録材料
層、１６…誘電体層、１７…反射層、１７Ａ…可変型反
射層、１８…保護層、１９…レーザ光、２０…（記録再
生型）光ディスク、２１…記録層、２１Ａ…記録層、２
２…基板、２３…接着層、３０…記録再生光学系、３１
…レーザ光源、３２…コリメートレンズ、３３…ビーム
スプリッタ、３４…１／４波長板、３５…対物レンズ、
３６…集光レンズ、３７…シリンドリカルレンズ、３８
…フォトディテクタ、３９…回転軸、４０…光ディス
ク、４１…レーザ光。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D029 MA17 MA39 5D090 AA01 BB04 BB12 CC01 CC04 DD03 DD05 FF02 GG02 GG22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】その表面に情報を表すピット列が形成され
ている透明基板と、前記透明基板上に順次形成された、
入射されるレーザ光の照射強度に応じて透過率が変化す
るマスク層と、前記レーザ光を反射する反射層とを有す
る光ディスクにおいて、前記反射層を前記レーザ光の照射強度に応じて反射率が
変化する可変型反射層より構成したことを特徴とする光
ディスク。
【請求項２】その表面にトラッキングのためのグルーブ
が形成されている透明基板と、前記透明基板上に順次形
成された、入射されるレーザ光の照射強度に応じて透過
率が変化するマスク層と、前記レーザ光照射により情報
が記録される記録材料層と、前記レーザ光を反射する反
射層とを有する光ディスクにおいて、前記反射層を前記レーザ光の照射強度に応じて反射率が
変化する可変型反射層より構成したことを特徴とする光
ディスク。