JP2002261452A

JP2002261452A - 配線基板の製造方法

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Publication number: JP2002261452A
Application number: JP2001052589A
Authority: JP
Inventors: Masato Tanaka; 正人田中; Masami Iwayama; 正巳岩山
Original assignee: Star Micronics Co Ltd
Current assignee: Star Micronics Co Ltd
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2001-02-27
Publication date: 2002-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】積層基板を形成した場合に、より薄い積層基
板を形成することが可能であり、且つ、自由な回路設計
が可能な配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】導体の表面に吸着して自己集合単分子膜
を形成することが可能な自己集合性化合物を該導体の表
面に供給し、自己集合単分子膜を形成せしめる第１の工
程と、前記第１の工程で製造された自己集合単分子膜に
おいて、所望の部分の自己集合単分子膜を剥離して回路
パターンを製造する第２の工程と、前記第１及び第２の
工程を繰り返して複数の前記回路パターンを製造する第
３の工程と、前記第３の工程で製造された複数の回路パ
ターンを、自己集合単分子膜が剥離された部分を介して
順次電気的に接続する第４の工程と、を含むことを特徴
とする配線基板の製造方法。ここで、前記第２の工程に
おいて、自己集合単分子膜を剥離した部分にさらにメッ
キを施す工程を含むことが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる自己集合性化合物を特定の導体
表面に吸着（化学吸着）させたときに、その分子集合性
（吸着官能基による吸着作用と、その吸着官能基に結合
している基による分子間相互作用）により、導体表面に
自己集合性化合物がほぼ規則正しく配列する。このよう
な配列により形成された膜を自己集合単分子膜若しくは
自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ
ＭｏｎｏｌａｙｅｒｓといいＳＡＭと略称される）とい
う。また、このように導体表面に自己集合性化合物を規
則正しく配列させることを、導体表面に自己集合性化合
物を修飾させるという。上記のような現象は、R.G.Nuzz
o et al.,J.Am.Chem.Soc.,105(1983),4481-4483等で報
告されており、特定の材料（基材と自己集合性化合物）
間で上記の現象が起こることが知られていた。

【０００３】一方、従来、積層配線基板を製造する場合
には、絶縁基板上に銅薄膜の回路パターンを形成し、こ
の基板を積層させた後、積層している複数の配線基板を
貫通するように導通孔を開け、導通孔内をメッキするこ
とにより銅薄膜間を橋掛けして電気的に導通し、積層基
板を形成していた。

【０００４】例えば、特開平７−２３１１６４号公報に
記載の配線基板の製造方法では、導電パターン層同士を
ノボラック樹脂、アクリレート樹脂、メタクリレート樹
脂、ポリイミド樹脂等の絶縁層によって絶縁し、この樹
脂層を貫通する導通孔を開けた後、無電解メッキを施す
ことによって前記導電パターン層同士を電気的に導通し
ていた。

【０００５】しかしながら、このように絶縁層に樹脂を
用いた場合、絶縁層の薄層化に限界があり、多層化した
場合に薄いことが要求される回路の形成が困難であると
いう問題があった。

【０００６】また、導電パターン同士を電気的に導通す
るには、絶縁層に用いられる樹脂を貫通する導通孔が必
須であるため、この導通孔が回路の設計上障害となる場
合があるという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の有する課題に鑑みてなされたものであり、積層基板
を形成した場合に、より薄い積層基板を形成することが
可能であり、且つ、自由な回路設計が可能な配線基板の
製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、自己集合性化
合物で修飾された導電性基材上の一部の自己集合性化合
物を剥離した回路パターンを製造し、この回路パターン
の自己集合性化合物の剥離部分同士を結合させて配線基
板を製造することにより、自由に回路設計をしつつ、よ
り薄い積層基板を製造することが可能であることを見出
し、本発明を完成した。

【０００９】すなわち、本発明の配線基板の製造方法
は、導体の表面に吸着して自己集合単分子膜を形成する
ことが可能な自己集合性化合物を該導体の表面に供給
し、自己集合単分子膜を形成せしめる第１の工程と、前
記第１の工程で製造された自己集合単分子膜において、
所望の部分の自己集合単分子膜を剥離して回路パターン
を製造する第２の工程と、前記第１及び第２の工程を繰
り返して複数の回路パターンを製造する第３の工程と、
前記第３の工程で製造された前記複数の回路パターン
を、自己集合単分子膜が剥離された部分を介して順次電
気的に接続する第４の工程と、を含むことを特徴とする
配線基板の製造方法である。

【００１０】また、本発明の配線基板の製造方法は、所
望の形状を有する導体の表面に吸着して自己集合単分子
膜を形成することが可能な自己集合性化合物を該導体の
表面に供給し、自己集合単分子膜を形成せしめる第１の
工程と、前記第１の工程で製造された自己集合単分子膜
において、所望の部分の自己集合単分子膜を剥離して回
路パターンを製造する第２の工程と、前記第１及び第２
の工程を繰り返して複数の回路パターンを製造する第３
の工程と、前記第３の工程で製造された複数の回路パタ
ーンを組み合わせて電気的に接続し、配線基板を製造す
る第４の工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製
造方法である。

【００１１】ここで、前記第２の工程において、自己集
合単分子膜を剥離した部分にさらにメッキを施す工程を
含むことが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。

【００１３】本発明の配線基板の製造方法は、導体の表
面に吸着して自己集合単分子膜を形成することが可能な
自己集合性化合物を該導体の表面に供給し、自己集合単
分子膜を形成せしめる第１の工程と、前記第１の工程で
製造された自己集合単分子膜において、所望の部分の自
己集合単分子膜を剥離して回路パターンを製造する第２
の工程と、前記第１及び第２の工程を繰り返して複数の
前記回路パターンを製造する第３の工程と、前記第３の
工程で製造された複数の回路パターンを、自己集合単分
子膜が剥離された部分を介して順次電気的に接続する第
４の工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方
法である。

【００１４】先ず、本発明にかかる第１の工程について
説明する。

【００１５】本発明の第１の工程は、導体の表面に吸着
して自己集合単分子膜を形成することが可能な自己集合
性化合物を該導体の表面に供給し、自己集合単分子膜を
形成せしめる工程である。

【００１６】本発明にかかる導体は導電性であればよ
く、特に制限されないが、例えば、金、銀、銅、白金が
挙げられ、金、銀、銅が好ましい。また、少なくとも導
電性基材の自己集合単分子膜が形成されるべき面が導電
性であればよく、絶縁性材料に上記導電性材料が被覆さ
れてなる基材であってもよい。このような絶縁性材料と
しては、例えば、ガラスが挙げられる。このような基材
は、回路パターンの形成時に積層して用いられる場合が
多いため、可撓性を有したものであることが好ましい。

【００１７】また、本発明にかかる導体の厚みは、製造
する回路によって適宜決定すればよく、特に制限されな
いが、１０nm〜１０μｍ程度であることが好ましい。

【００１８】また、本発明にかかる自己集合性化合物は
特に制限されないが、例えば以下のものが挙げられる。

【００１９】(I)一般式（１）：ＨＳＲ¹で表わされるチ
オール化合物 i)吸着官能基：ＳＨ基（チオール基） ii)Ｒ¹：脂肪族化合物残基であり、より具体的には以下
のもの： a)アルキル残基（例えば、−(CH₂)_mCH₃：m=1〜21） b)ハロゲン（F、Br、Cl）置換アルキル残基（例えば、
−(CH₂)₂(CF₂)_nCF₃：n=5〜15、−(CH₂)₁₁Br、−(CH₂)₁₁
Cl） c)アルケニル残基（例えば、−(CH₂)₁₇CH=CH₂） d)アルコール残基（例えば、−(CH₂)_pOH：p=2〜22） e)脂肪族カルボン酸残基（例えば、−(CH₂)_qCOOH： q=1
〜15） f)脂肪族カルボン酸エステル残基（例えば、−(CH₂)_rCO
OCH₃： r=10〜15） g)脂肪族エーテル残基（例えば、−(CH₂)₁₁OCH₃） h)脂肪族チオールエステル残基（例えば、−(CH₂)₁₂SCO
CH₃） i)シアン化アルキル残基（例えば、−(CH₂)₈CN） j)シロキシル化アルキル残基（例えば、−(CH₂)₁₁OSi(C
H₃)₂(C(CH₃)₃)）が挙げられる。中でも、アルキル残基、ハロゲン置換ア
ルキル残基、脂肪族カルボン酸エステル残基、脂肪族エ
ーテル残基、脂肪族チオールエステル残基、シロキシル
化アルキル残基であることが好ましく、アルキル残基で
あることがより好ましい。

【００２０】(II)一般式（２）：Ｒ²ＳＳＲ³で表わされ
るジスルフィド化合物 i)吸着官能基：ＳＳ基（ジスルフィド基） ii)Ｒ²及びＲ³は、同一でも異なっていてもよく、それ
ぞれ脂肪族化合物残基であり、より具体的には以下のも
の： a)アルキル残基（例えば、−(CH₂)_sCH₃：s=0〜17） b)ハロゲン（F、Br、Cl）置換アルキル残基 c)アルケニル残基（例えば、−(CH₂)₂₀CH=CH₂） d)脂肪族カルボン酸残基（例えば、−(CH₂)_tCOOH：t=2
〜10） e)脂肪族アミン残基（例えば、−(CH₂)₂NH₂） f)Ｒ²及びＲ³が下記一般式：

【００２１】

【化１】

【００２２】［式中、Ｒ²¹及びＲ³¹は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれＨ−、CF₃(CF ₂)_uCO−：u=0〜
6、CH₃(CH₂)_vCO−：v=0〜14又は(p−NO₂)C₆H₄CO−を示
す］で表わされる基を形成していてもよいが挙げられ、
中でも、アルキル残基、ハロゲン置換アルキル残基、ア
ルケニル残基、下記一般式

【００２３】

【化２】

【００２４】［式中、Ｒ²¹及びＲ³¹は、同一でも異なっ
ていてもよく、それぞれＨ−、CF₃(CF ₂)_uCO−：u=0〜
6、CH₃(CH₂)_vCO−：v=0〜14又は(p−NO₂)C₆H₄CO−を示
す］で表わされる基を形成していてもよいであることが
好ましく、アルキル残基であることがより好ましい。

【００２５】(III)一般式（３）：Ｒ⁴ＳＲ⁵で表わされ
るスルフィド化合物 i)吸着官能基：Ｓ基（スルフィド基） ii)Ｒ⁴及びＲ⁵は、同一でも異なっていてもよく、それ
ぞれ脂肪族化合物残基であり、より具体的には以下のも
の： a)アルキル残基（例えば、−(CH₂)₁₇CH₃） b)ハロゲン（F、Br、Cl）置換アルキル残基が挙げられ、中でも、アルキル残基であることが好まし
い。

【００２６】なお、本発明にかかる自己集合性化合物は
上記のものに限定されず、所定の導体表面に自己集合単
分子膜を形成できるものであればよいが、硫黄は金に対
して特異的な親和性を示すことから導体として金を使用
する場合は吸着官能基として硫黄を含む前述のジスルフ
ィド化合物、スルフィド化合物、チオール化合物が好ま
しい。

【００２７】また、本発明にかかる自己集合性化合物を
構成する脂肪族化合物残基も上記のものに限定されず、
使用する導体と吸着官能基との組み合わせ等に応じて選
択されるが、脂肪族化合物残基としてアルキル残基又は
ハロゲン置換脂肪族化合物残基（例えばハロゲン置換ア
ルキル残基）又はアルコール残基を用いる場合は炭素数
が１〜２２の範囲内のものが好ましく、炭素数が５〜１
８の範囲内のものが特に好ましい。炭素数が多過ぎると
導体と自己集合性化合物との結合の熱的安定性が高くな
り過ぎる傾向にあり、他方、炭素数が少な過ぎると導体
に吸着した自己集合性化合物の充分な均一性が得られな
い可能性が生じる傾向にあるからである。

【００２８】また、本発明においては、上記自己集合性
化合物として少なくとも２種類のものの混合物を使用し
てもよい。

【００２９】以上説明したような自己集合性化合物を導
体の表面に供給し、自己集合単分子膜を形成せしめる方
法としては特に制限はなく、公知の方法を用いて前記化
合物を導体に吸着させればよい。具体的には、例えば、
前述の導体を自己集合性化合物が溶解している溶液に浸
漬した後取り出し、導体表面を洗浄して余分の自己集合
性化合物が吸着した導体を得ることができる。ここで、
自己集合性化合物を溶解する溶媒としては、例えば、メ
タノール、メタノール−水混合溶液、エタノール、ＴＨ
Ｆ、ジエチルエーテル、ジクロロメタンが挙げられ、中
でもメタノール−水混合溶液、エタノールを用いること
が好ましい。また、前記洗浄液としては、例えば、メタ
ノール、メタノール−水混合溶液、エタノール、ＴＨ
Ｆ、ジエチルエーテル、ジクロロメタンが挙げられ、中
でもメタノール−水混合溶液、エタノールを用いること
が好ましい。ここで、前記浸漬の条件としては、例え
ば、溶媒の濃度が０．１〜１０ｍｍｏｌであることが好
ましく、１〜２ｍｍｏｌであることがより好ましく、ま
た、温度条件が０〜６０℃(溶媒の沸点以下)であること
が好ましく、室温〜４０℃であることがより好ましく、
さらに、時間が１２〜４８時間であることが好ましい。

【００３０】また、自己集合単分子膜を形成せしめる方
法として、通電法を用いてもよい。すなわち、導体の一
端に一方の端子が接続され且つ前記導体の他端に他方の
端子が接続されている電源を備えた通電装置により、前
記自己集合性化合物が該前記導体の表面に供給された際
に前記導体に通電して自己集合単分子膜を形成させても
よい。

【００３１】通電法を用いて自己集合単分子膜を形成さ
せる実施形態においては、図１（ａ）に示すように、先
ず、導体１を、容器３０ａ中の自己集合性化合物２の溶
液３に浸析して導体１の表面に自己集合性化合物２を供
給する。このようにすると、導体１の表面（固液界面）
に一部の自己集合性化合物２が自発的に配列・吸着し、
残りの自己集合性化合物２は溶液３中に溶解したままの
状態となる。このとき、導体１の一端に一方の端子が接
続され且つ導体１の他端に他方の端子が接続されている
電源（通電装置）３０ｂによって導体に通電する（図１
（ｂ））。このように導体１に通電すると、導体１の表
面に自己集合性化合物２が高速度で配列・吸着し、自己
集合性化合物２が高密度で均一に配列した単分子層の吸
着膜（自己集合単分子膜）が短時間で形成される。この
ような自己集合単分子膜の形成速度を左右する因子とし
ては、印加電流、温度、溶媒の種類、溶液濃度等があ
り、用いる自己集合性化合物と導体との組み合わせに応
じて製膜速度が速くなるように適宜選択される。

【００３２】なお、導体に通電する際の印加電流は、よ
り短時間で単分子膜を形成するためには０．１Ａ以上が
好ましく、１〜５Ａがより好ましい。印加電流が前記下
限未満では単分子膜の形成に要する時間が充分には短縮
されない傾向にあり、他方、印加電流が前記上限を超え
ると必要な通電装置並びに漏電防止用等の付随装置の規
模が大きくなってコスト面で不都合が生じる傾向にあ
る。また、印加電圧は特に制限されないが、導体の抵抗
に応じて前記印加電流が通電されるように調節されるこ
とが好ましい。更に、単分子膜の形成は室温でも可能で
ある。溶媒は特に制限されないが、単分子層内への侵入
性が低いことが好ましく、自己集合性化合物の溶解性の
観点から有機溶媒が好ましい。中でも、エタノール（プ
ロトン性極性溶媒）、酢酸エチル（非プロトン性極性溶
媒）、ヘキサン（無極性溶媒）等が好適に使用される。
また、溶液中の自己集合性化合物の濃度としては、単分
子膜を確実に得るためには０．０００１ｍＭ以上が好ま
しく、０．０１ｍＭ以上１０ｍＭ以下がより好ましい。
溶液濃度が前記下限未満では、単分子膜の形成に要する
時間が長くなる傾向にあり、他方、溶液濃度が前記上限
を超えると、自己集合性化合物自体が自己集合を妨害し
たり、過剰な自己集合性化合物が表面に析出したりする
可能性が生じる傾向にあるからである。

【００３３】なお、本発明においては、上記のように導
体自体に通電しながら自己集合単分子膜を形成させた場
合、前述のように自己集合性化合物の吸着速度が向上
し、通電しなかった場合に比べて製膜に要する時間が１
／２以下程度に短縮される。

【００３４】このように形成された自己集合単分子膜
は、溶媒で洗浄して膜形成に関与していない自己集合性
化合物を除去し、更に乾燥して溶媒を除去する。なお、
かかる洗浄工程は必ずしも必須ではなく、乾燥工程だけ
であってもよい。

【００３５】また、導体に自己集合単分子膜を形成させ
る場合、図１の場合のように導体の片面にのみ形成させ
てもよいし、図２の場合のように両面に形成させてもよ
い。しかしながら、本発明にかかる自己集合単分子膜は
回路パターン同士が交差する場合の絶縁層として機能す
ることから、回路パターン同士が交差・接触する部分で
あり、且つ、通電することを望まない部分である場合に
は交差する回路パターンの接触面は自己集合単分子膜で
絶縁されている必要がある。一方、回路パターン同士が
交差し、その部分で通電することを望む場合には自己集
合単分子膜で絶縁されていないものである。

【００３６】次に、本発明にかかる第２の工程について
説明する。

【００３７】本発明にかかる第２の工程は、前記第１の
工程で製造された自己集合単分子膜において、所望の部
分の自己集合単分子膜を剥離して回路パターンを製造す
る工程である。

【００３８】自己集合性化合物を導体から剥離させる方
法としては特に制限はされないが、光線照射によって自
己集合性化合物を剥離させることが好ましい。前記光線
としては、例えば、紫外線、レーザー、可視光、赤外光
の照射が挙げられる。

【００３９】前記紫外線を照射する際の条件としては、
紫外線の波長範囲が１５０〜３８０ｎｍであることが好
ましい。紫外光の範囲が前記範囲外である場合には十分
に自己集合単分子膜の剥離が生じない傾向にある。ま
た、紫外線を照射する時間としては特に制限はないが、
６０秒より長時間照射することが好ましい。

【００４０】また、前記レーザーを照射する際の波長と
しては、特に制限されないが、赤外レーザー、紫外レー
ザーを用いることが好ましい。赤外レーザーを使用した
場合は加熱、また紫外レーザーを用いた場合は化合物自
体の分解により、それぞれ、自己集合単分子膜の剥離が
可能である。また、レーザーの照射条件としては、基材
や、基材表面に被覆された前記導電性材料に溶解やエッ
チング等の熱的、形状的影響が出ない条件であれば特に
制限されない。しかし、レーザーにより自己集合単分子
膜と基材を同時に剥離・加工し、基材の形状加工と自己
集合単分子膜の剥離を同時に行うことも可能である。

【００４１】導体から自己集合性化合物を剥離する方法
としては、前述した光線の他に熱処理を挙げることがで
きる。

【００４２】前記加熱の条件としては、１００〜４００
℃で加熱することが好ましい。この場合、加熱時間は１
〜１０分であることが好ましい。

【００４３】また、本発明にかかる第２の工程におい
て、所望の部分の自己集合単分子膜を剥離する方法とし
ては、この部分の自己集合性化合物が剥離される方法で
あれば特に制限はないが、例えば、図１（ｃ）に示すよ
うに、剥離せずに絶縁層として使用したい部分をフォト
マスク４等でマスクし、剥離する部分６にのみ前述した
ような光線照射５や加熱を施せばよい。

【００４４】また、第２の工程において、自己集合単分
子膜が剥離された部分に、さらにメッキを施す工程を含
んでいてもよい。メッキを施すことにより、回路パター
ン同士の密着性が高まり、通電性が向上する傾向にあ
る。

【００４５】前記メッキ方法としては電解メッキ又は無
電解メッキのいずれの方法でもよい。

【００４６】電解メッキの方法としては特に制限はな
く、通常用いられる電解メッキと同様の方法で行えばよ
い。具体的には、例えば、図１（ｅ）に示すように、電
源の負端子に接続されたメッキ用電極３０ｅを自己集合
性化合物２が付着した導体１に接続し、前記電源の正端
子に接続された電極が設置されたメッキ浴３０ｃに浸漬
させ、電源３０ｄから電流を供給する。自己集合性化合
物２が剥離し、導体が露出している部分６表面では、メ
ッキ液７中に溶解している金属イオンが還元され、導体
が露出している部分６表面に金属８が析出する。自己集
合性化合物２で被覆された部分では金属の析出は生じな
いため、導体が露出している部分６表面にのみメッキ金
属８が析出することになる。ここで、前記メッキ液中に
溶解している金属としては、通常メッキに用いられる金
属であれば特に制限はないが、例えば、金、ニッケル、
銀、銅、ロジウム、錫、錫−鉛合金、クロムが挙げら
れ、中でも金、ニッケルが好ましい。

【００４７】また、メッキを施す際の条件としては、通
常用いられる条件であれば特に制限はないが、例えば、
金メッキの場合、前記メッキ液の組成としては、シアン
化金、塩酸等の混合水溶液を含むものが好適に使用でき
る。また、この場合、メッキ時の電流密度は０．１〜
１．５Ａ／ｄｍ²であることが好ましく、ｐＨは３〜５
であることが好ましく、温度は３０〜５０℃であること
が好ましい。また、ニッケルメッキの場合、前記メッキ
液の組成としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ
酸等の混合水溶液を含むものが好適に使用できる。ま
た、この場合、メッキ時の電流密度は０．２〜２Ａ／ｄ
ｍ²であることが好ましく、ｐＨは４〜６であることが
好ましく、温度は４０〜７０℃であることが好ましい。

【００４８】また、無電解メッキとしては特に制限はな
く、公知の方法によって行うことができる。

【００４９】次に、本発明にかかる第３の工程について
説明する。

【００５０】本発明にかかる第３の工程は、前記第１及
び第２の工程を繰り返して複数の回路パターンを製造す
る工程である。

【００５１】本発明の配線基板は、前記第１及び第２の
工程で製造された回路パターンを接続してなるものであ
る。従って、最終的に製造される配線基板に応じて、所
望の形状を有する回路パターンを所望の枚数準備すれば
よい。

【００５２】次に、本発明にかかる第４の工程について
説明する。

【００５３】本発明にかかる第４の工程は、前記第３の
工程で製造された前記複数の回路パターンを、自己集合
単分子膜が剥離された部分を介して順次電気的に接続す
る工程である。

【００５４】本発明にかかる第１〜第３の工程において
製造された回路パターンは、図１（ｆ）に示すような構
造を有している。ただし、図１（ｆ）では実施形態の一
例として長方形状の回路パターンを示しているが、実際
は、製造する配線基板のパターンに応じて所望の形状を
有していてよい。このような配線パターンは、図２
（ｅ）（ｆ）に示すように、自己集合単分子膜が剥離さ
れた部分６又はメッキ部分８を介して順次接続され、例
えば、第１の回路パターン９及び第２の回路パターン１
０をそれぞれの自己集合単分子膜が剥離された部分６又
はメッキ部分８同士を接触させるように配置・固定する
ことにより所望の回路パターンを有する配線基板を製造
することが可能となる。また、回路パターン１３と回路
パターン１６が図２（ｆ）に示すように立体的に交差す
る場合には、回路パターン１３の表（おもて）面又は回
路パターン１６の裏面のいずれか又はいずれもが自己集
合性化合物で修飾されていればよい。

【００５５】このように回路パターンを接続して配線基
板を製造する場合、回路パターンを形成する支持体１７
上に回路パターンを配置することが好ましい。ここで、
前記支持体としては特に制限はないが、例えば、ガラ
ス、ガラス−エポキシ樹脂、紙フェノール等のプリント
基板材料、セラミックスが挙げられる。また、回路パタ
ーン間の固定方法としては特に制限はないが、例えば、
ハンダや導電性接着剤が挙げられる。

【００５６】本発明の配線基板の製造方法においては、
上述した第１〜第４の工程を繰り返すことにより複数の
回路パターンが電気的に接続され、最終的には所望のパ
ターンを有する配線基板が製造される。この場合、前記
回路パターンにおいて自己集合単分子膜が剥離された部
分はすでに他の回路パターンとの接続に使用されている
ため、完成した配線基板の表面には自己集合性単分子膜
が剥離された部分、すなわち導体が露出した部分は存在
しない。従って、配線基板の製造工程において、ある回
路パターンが他の回路パターン上を交差する場合でも、
これら二つの回路パターン間は自己集合性化合物で絶縁
されており、通電することはない。

【００５７】以上説明したような方法で配線基板を製造
することにより、自己集合単分子膜を絶縁層として配線
基板を製造することが可能となる為、このような配線基
板を積層して製造される積層回路をより薄くすることが
可能となる。また、配線基板間を導通するための導通孔
を開ける必要がない為、回路設計がより自由となる。

【００５８】

【実施例】以下、実施例により本発明の内容をより具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定さ
れるものではない。

【００５９】実施例１ SAMが絶縁体として機能するか否かを確認するため、以
下の試験を行った。

【００６０】ガラス基板１８状に金属マスクを用いてラ
イン形状のAu/Cr薄膜１９を真空蒸着し（図３
（ａ））、これにアルカンチオールSAM２１を修飾した
（図３（ｄ））。真空蒸着には真空蒸着装置PVC−４１
０A （ULVAC製）を用いた。次に、前記のAu/Cr蒸着膜と
交差するようにさらにAu薄膜２０を蒸着し（図３
（ｃ））、Au−SAM−Au/Crの順に重ね合わされた積層薄
膜を作製した（図３（ｄ））。Auラインは上下層とも１
mm幅のものを作製し、上層と下層は直交するように設置
した。

【００６１】Au及びCrの蒸着の条件を以下に示す。な
お、吸着は常温下で行った。下層（Au/Cr）…膜厚：〜２０００オングストローム／５０オングストローム蒸着速度：３オングストローム／秒／１オングストローム／秒上層（Au）…膜厚：１０００オングストローム蒸着速度：１オングストローム／秒。

【００６２】SAMの修飾条件を以下に示す。材料：ｎ−ヘキサデカンチオール溶媒：エタノール濃度：１mmol/L。

【００６３】SAMが絶縁体として機能しているか否かを
確認するため、以下の２通りの方法で抵抗値の測定を行
った。

【００６４】すなわち、上下層間の抵抗値をマルチメー
ターで測定した。抵抗値の測定の際の印加電流は10nA、
max500Vで行った。この条件では抵抗値は測定範囲上限
の２００Ｍオーム以上の抵抗値を示した。

【００６５】また、低電圧印加時の電流量を測定するこ
とで抵抗値を求めた。上下層間に1mVの電圧を印加した
ときの電流値は0.005nA以下を示し、このときの抵抗値
は２００Ｍオーム以上であった。

【００６６】比較例１ Au/Cr薄膜を真空蒸着したものにアルカンチオールSAMを
修飾せず、Au−Au/Crの順に重ね合わされた積層薄膜を
作製して用いた以外は実施例１と同様にして、抵抗値の
測定を行った。

【００６７】低電圧印加時の電流量を測定することで抵
抗値を求めた場合に、上下層間に1mVの電圧を印加した
ときの電流値は0.139mAを示し、このときの抵抗値は約
７オームであった。

【００６８】実施例１及び比較例１より、自己集合単分
子膜が絶縁体として機能していることが確認された。従
って、自己集合性化合物を絶縁体とする非常に薄型の配
線基板を製造可能であることが確認された。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板
の製造方法によれば、積層基板を形成した場合に、より
薄い積層基板を形成することが可能であり、且つ、自由
な回路設計が可能な配線基板の製造方法を提供すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかる自己集合単分
子膜の形成と部分メッキの工程を示した断面模式図であ
る。

【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかる配線基板の製
造工程を示した模式図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明にかかる自己集合単分
子膜の絶縁性を確認した際のサンプルの模式図である。
（ｄ）はAu/Cr薄膜１９とAu薄膜２０とが交差する部分
の断面模式図である。

【符号の説明】

１…導体、２…自己集合性化合物、３…自己集合性化合
物溶液、４…フォトマスク、５…光（紫外線等）、６…
導体が露出している部分、７…メッキ液、８…メッキ金
属、９…第１の回路パターン、１０…第２の回路パター
ン、１１…第３の回路パターン、１２…第４の回路パタ
ーン、１３…第５の回路パターン、１４…第６の回路パ
ターン、１５…第７の回路パターン、１６…第８の回路
パターン、１７…支持体、１８…ガラス基板、１９…Au
/Cr薄膜、２０…Au薄膜、２１…アルカンチオール、３
０ａ…化合物供給容器、３０ｂ…通電装置（電源）、３
０ｃ…メッキ浴、３０ｄ…通電装置（電源）、３０ｅ…
電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA32 AA35 AA43 BB01 CC01 DD01 DD22 EE33 FF01 FF12 GG15 GG17 GG28 HH24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体の表面に吸着して自己集合単分子膜
を形成することが可能な自己集合性化合物を該導体の表
面に供給し、自己集合単分子膜を形成せしめる第１の工
程と、前記第１の工程で製造された自己集合単分子膜におい
て、所望の部分の自己集合単分子膜を剥離して回路パタ
ーンを製造する第２の工程と、前記第１及び第２の工程を繰り返して複数の前記回路パ
ターンを製造する第３の工程と、前記第３の工程で製造された複数の回路パターンを、自
己集合単分子膜が剥離された部分を介して順次電気的に
接続する第４の工程と、を含むことを特徴とする配線基
板の製造方法。
【請求項２】所望の形状を有する導体の表面に吸着し
て自己集合単分子膜を形成することが可能な自己集合性
化合物を該導体の表面に供給し、自己集合単分子膜を形
成せしめる第１の工程と、前記第１の工程で製造された自己集合単分子膜におい
て、所望の部分の自己集合単分子膜を剥離して回路パタ
ーンを製造する第２の工程と、前記第１及び第２の工程を繰り返して複数の回路パター
ンを製造する第３の工程と、前記第３の工程で製造された複数の回路パターンを組み
合わせて電気的に接続し、配線基板を製造する第４の工
程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】前記第２の工程において、自己集合単分
子膜を剥離した部分にさらにメッキを施す工程を含むこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造
方法。