JP2002254248A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に配設された第1電極と、
前記被加工対象物表面の周辺部に配設された第2電極と、
前記被加工対象物表面の第2電極と前記第1電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項2】
前記被加工対象物保持手段は、前記被加工対象物を所定の回転軸を中心に回転させる
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項3】
前記被加工対象物保持手段を前記ワイパのワイパ面に対して平行な面上に平行移動させる平行移動手段をさらに有する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項4】
前記ワイパは所定の回転軸を中心に回転可能となっている
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項5】
前記電源は、前記被加工対象物表面と前記第1電極間に周期性パルス電圧を印加することにより電流を供給する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項6】
前記電源は、前記被加工対象物表面と前記第1電極間に流れる電流値を少なくとも電解加工初期と終点付近で変更可能である
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項7】
前記電解液供給手段により供給された電解液の温度を調節する温度調整手段をさらに有する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項8】
前記第2電極が被加工対象物表面の周辺部に接触するように配設されている
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項9】
前記第2電極が被加工対象物表面の周辺部に接触しない位置に配設され、前記第2電極と前記被加工対象物表面とが前記電解液を介して通電する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項10】
前記ワイパは、前記第1電極と当該第1電極を支持する絶縁性支持部を被覆して前記絶縁性支持部の端部に固定されている
請求項1に記載の電解加工装置。
【請求項11】
前記被加工対象物表面と前記第1電極との間の距離を可変とする手段が設けられている
請求項1に記載の電解加工装置。
【請求項12】
前記ワイパに圧力を印加するワイパ押圧手段と、
前記第1電極を支持する絶縁性支持部とワイパ押圧手段との間に圧力を伝達する弾性部材と
をさらに有する請求項1に記載の電解加工装置。
【請求項13】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面と前記ワイパを相対移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に移動可能に配設された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項14】
前記電極が、陽極と陰極とを有する
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項15】
前記移動可能に配設された電極が陰極であり、
さらに陽極となる電極が前記被加工対象物表面の周辺部に接触するように配設されている
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項16】
前記電極が円形状であり、
回転駆動可能となっている
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項17】
前記電極が、前記被加工対象物表面と非接触である
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項18】
前記電極が略三日月状であり、少なくとも前記被加工対象物表面の外周の一部を被覆するように配設される
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項19】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面と前記ワイパを相対移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に移動可能に配設された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と、
前記被加工対象物表面が底面に臨むように、前記被加工対象物の外周部表面に接触するように設けられ、前記電解液供給手段により供給された電解液を溜める浴槽と
を有する電解加工装置。
【請求項20】
前記浴槽の前記被加工対象物の外周部表面に接触する部分に接触電極が設けられている
請求項19に記載の電解加工装置。
【請求項21】
前記被加工対象物が固定されており、前記ワイパが自転回転するとともに、前記被加工対象物表面上を公転回転する
請求項19に記載の電解加工装置。
【請求項22】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に配設された第1電極と、
前記被加工対象物表面に接触して配設された第2電極と、
前記被加工対象物表面の第2電極と前記第1電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項23】
前記被加工対象物表面から前記金属膜が電解除去されるように、前記電源により前記第1電極と前記第2電極に電圧を印加する
請求項22に記載の電解加工装置。
【請求項24】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面と前記ワイパを相対移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記ワイパに被覆され、メッシュ状に構成された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と
を有し、
前記被加工対象物を前記ワイパで被覆された前記電極上において移動させて、電解除去加工を行う
電解加工装置。
【請求項25】
前記被加工対象物保持手段は、前記被加工対象物を所定の回転軸を中心に回転させる
請求項24記載の電解加工装置。
【請求項26】
前記電極が、陽極と陰極とを有する
請求項24に記載の電解加工装置。
【請求項27】
前記ワイパがワイパ支持部材上に設けられており、
前記ワイパ支持部材の内部に前記メッシュ状に構成された電極が設けられており、
前記ワイパ支持部材の厚さにより前記電極と前記被加工対象物表面との距離を可変としている
請求項24に記載の電解加工装置。
【請求項28】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面に対して前記ワイパを一方向に移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に配設された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項29】
前記ワイパがシート状である
請求項28に記載の電解加工装置。
【請求項30】
前記被加工対象物表面に接触する接触電極が設けられている
請求項28に記載の電解加工装置。
【請求項1】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に配設された第1電極と、
前記被加工対象物表面の周辺部に配設された第2電極と、
前記被加工対象物表面の第2電極と前記第1電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項2】
前記被加工対象物保持手段は、前記被加工対象物を所定の回転軸を中心に回転させる
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項3】
前記被加工対象物保持手段を前記ワイパのワイパ面に対して平行な面上に平行移動させる平行移動手段をさらに有する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項4】
前記ワイパは所定の回転軸を中心に回転可能となっている
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項5】
前記電源は、前記被加工対象物表面と前記第1電極間に周期性パルス電圧を印加することにより電流を供給する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項6】
前記電源は、前記被加工対象物表面と前記第1電極間に流れる電流値を少なくとも電解加工初期と終点付近で変更可能である
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項7】
前記電解液供給手段により供給された電解液の温度を調節する温度調整手段をさらに有する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項8】
前記第2電極が被加工対象物表面の周辺部に接触するように配設されている
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項9】
前記第2電極が被加工対象物表面の周辺部に接触しない位置に配設され、前記第2電極と前記被加工対象物表面とが前記電解液を介して通電する
請求項1記載の電解加工装置。
【請求項10】
前記ワイパは、前記第1電極と当該第1電極を支持する絶縁性支持部を被覆して前記絶縁性支持部の端部に固定されている
請求項1に記載の電解加工装置。
【請求項11】
前記被加工対象物表面と前記第1電極との間の距離を可変とする手段が設けられている
請求項1に記載の電解加工装置。
【請求項12】
前記ワイパに圧力を印加するワイパ押圧手段と、
前記第1電極を支持する絶縁性支持部とワイパ押圧手段との間に圧力を伝達する弾性部材と
をさらに有する請求項1に記載の電解加工装置。
【請求項13】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面と前記ワイパを相対移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に移動可能に配設された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項14】
前記電極が、陽極と陰極とを有する
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項15】
前記移動可能に配設された電極が陰極であり、
さらに陽極となる電極が前記被加工対象物表面の周辺部に接触するように配設されている
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項16】
前記電極が円形状であり、
回転駆動可能となっている
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項17】
前記電極が、前記被加工対象物表面と非接触である
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項18】
前記電極が略三日月状であり、少なくとも前記被加工対象物表面の外周の一部を被覆するように配設される
請求項13に記載の電解加工装置。
【請求項19】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面と前記ワイパを相対移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に移動可能に配設された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と、
前記被加工対象物表面が底面に臨むように、前記被加工対象物の外周部表面に接触するように設けられ、前記電解液供給手段により供給された電解液を溜める浴槽と
を有する電解加工装置。
【請求項20】
前記浴槽の前記被加工対象物の外周部表面に接触する部分に接触電極が設けられている
請求項19に記載の電解加工装置。
【請求項21】
前記被加工対象物が固定されており、前記ワイパが自転回転するとともに、前記被加工対象物表面上を公転回転する
請求項19に記載の電解加工装置。
【請求項22】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に配設された第1電極と、
前記被加工対象物表面に接触して配設された第2電極と、
前記被加工対象物表面の第2電極と前記第1電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項23】
前記被加工対象物表面から前記金属膜が電解除去されるように、前記電源により前記第1電極と前記第2電極に電圧を印加する
請求項22に記載の電解加工装置。
【請求項24】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面と前記ワイパを相対移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記ワイパに被覆され、メッシュ状に構成された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と
を有し、
前記被加工対象物を前記ワイパで被覆された前記電極上において移動させて、電解除去加工を行う
電解加工装置。
【請求項25】
前記被加工対象物保持手段は、前記被加工対象物を所定の回転軸を中心に回転させる
請求項24記載の電解加工装置。
【請求項26】
前記電極が、陽極と陰極とを有する
請求項24に記載の電解加工装置。
【請求項27】
前記ワイパがワイパ支持部材上に設けられており、
前記ワイパ支持部材の内部に前記メッシュ状に構成された電極が設けられており、
前記ワイパ支持部材の厚さにより前記電極と前記被加工対象物表面との距離を可変としている
請求項24に記載の電解加工装置。
【請求項28】
被加工面に金属膜を有する被加工対象物を電解除去加工する電解加工装置であって、
前記被加工対象物を保持する被加工対象物保持手段と、
前記被加工対象物表面を払拭するワイパと、
前記被加工対象物表面に対して前記ワイパを一方向に移動させる移動手段と、
前記被加工対象物表面上に電解液を供給する電解液供給手段と、
前記被加工対象物表面に対向する位置に配設された電極と、
前記被加工対象物表面と前記電極間に電流を供給する電源と
を有する電解加工装置。
【請求項29】
前記ワイパがシート状である
請求項28に記載の電解加工装置。
【請求項30】
前記被加工対象物表面に接触する接触電極が設けられている
請求項28に記載の電解加工装置。
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US6299741B1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus |
US6432826B1 (en) * | 1999-11-29 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Planarized Cu cleaning for reduced defects |
US6797623B2 (en) * | 2000-03-09 | 2004-09-28 | Sony Corporation | Methods of producing and polishing semiconductor device and polishing apparatus |
US7129160B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates |
US7112121B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate |
US7160176B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrically and/or chemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7134934B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electrically detecting characteristics of a microelectronic substrate and/or polishing medium |
US7220166B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7153195B2 (en) * | 2000-08-30 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7192335B2 (en) * | 2002-08-29 | 2007-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemically, mechanically, and/or electrolytically removing material from microelectronic substrates |
US7078308B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate |
US7074113B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate |
US6811680B2 (en) | 2001-03-14 | 2004-11-02 | Applied Materials Inc. | Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing |
US7160432B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7128825B2 (en) * | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US6899804B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing |
US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
CN101524826A (zh) * | 2001-05-29 | 2009-09-09 | 株式会社荏原制作所 | 基片托板系统与用于抛光基片的方法 |
JP2003332274A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置 |
JP2004255753A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
JP4534983B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-09-01 | 凸版印刷株式会社 | 電気銅めっき液の分析方法、その分析装置 |
JP2004296644A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US20040259479A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad for electrochemical-mechanical polishing |
US7112122B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate |
US7153777B2 (en) | 2004-02-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing |
WO2005090648A2 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Ebara Corporation | Electrolytic processing apparatus and electrolytic processing method |
JP3910973B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
IL161771A0 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-20 | J G Systems Inc | Method and composition to minimize dishing in semiconductor wafer processing |
US7563348B2 (en) * | 2004-06-28 | 2009-07-21 | Lam Research Corporation | Electroplating head and method for operating the same |
US7210988B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reduced wear polishing pad conditioning |
US20060043534A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Kirby Kyle K | Microfeature dies with porous regions, and associated methods and systems |
US7566391B2 (en) * | 2004-09-01 | 2009-07-28 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media |
JP2006167824A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
WO2007094869A2 (en) * | 2005-10-31 | 2007-08-23 | Applied Materials, Inc. | Electrochemical method for ecmp polishing pad conditioning |
JP4162001B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2008-10-08 | 株式会社東京精密 | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
US20070227902A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Applied Materials, Inc. | Removal profile tuning by adjusting conditioning sweep profile on a conductive pad |
KR100744419B1 (ko) * | 2006-08-03 | 2007-07-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법 |
KR100744424B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2007-07-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체소자의 제조방법 |
US20080067077A1 (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-20 | Akira Kodera | Electrolytic liquid for electrolytic polishing and electrolytic polishing method |
US7824526B2 (en) * | 2006-12-11 | 2010-11-02 | General Electric Company | Adaptive spindle assembly for electroerosion machining on a CNC machine tool |
JP4786518B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US8560110B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-10-15 | General Electric Company | Electroerosion control system and a dual mode control system |
US9744642B2 (en) | 2013-10-29 | 2017-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station |
US9227294B2 (en) * | 2013-12-31 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Apparatus and method for chemical mechanical polishing |
CN104227159B (zh) * | 2014-08-06 | 2016-07-06 | 安徽工业大学 | 一种微细凹凸结构的电解加工方法 |
US9623492B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-04-18 | General Electric Company | Milling tool for portion of slot in rotor |
US9943920B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-04-17 | General Electric Company | Method for electro-chemical machining turbine wheel in-situ |
US9827628B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-11-28 | General Electric Company | Fixture for electro-chemical machining electrode |
US10005139B2 (en) | 2015-12-21 | 2018-06-26 | General Electric Company | Portable milling tool with method for turbomachine milling |
TWI615224B (zh) * | 2016-12-09 | 2018-02-21 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 感應式電化學加工裝置 |
TWI615225B (zh) * | 2016-12-12 | 2018-02-21 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 電化學加工裝置 |
JP2020105590A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313105A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 磁性材料の研磨方法 |
JPS63288620A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-25 | Kobe Steel Ltd | アルミニウムの電解複合超鏡面加工方法 |
JP3429513B2 (ja) * | 1992-06-26 | 2003-07-22 | 旭テック株式会社 | 電解複合バフ加工方法 |
US5562529A (en) * | 1992-10-08 | 1996-10-08 | Fujitsu Limited | Apparatus and method for uniformly polishing a wafer |
JPH06315828A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Hitachi Zosen Corp | 難削材のベベリング加工方法 |
JP3629716B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 配線膜の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP3311203B2 (ja) * | 1995-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、半導体ウェーハの化学的機械的ポリッシング方法 |
US5911619A (en) * | 1997-03-26 | 1999-06-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus for electrochemical mechanical planarization |
JPH1158205A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-03-02 | Unique Technol Internatl Pte Ltd | 電解研磨併用ポリシング・テクスチャー加工装置および加工方法ならびにそれに使用する電解研磨併用ポリシング・テクスチャーテープ |
JP3909619B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2007-04-25 | 独立行政法人理化学研究所 | 磁気ディスク基板の鏡面加工装置及び方法 |
US6395152B1 (en) * | 1998-07-09 | 2002-05-28 | Acm Research, Inc. | Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices |
US6176992B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-01-23 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
US6413388B1 (en) * | 2000-02-23 | 2002-07-02 | Nutool Inc. | Pad designs and structures for a versatile materials processing apparatus |
US6066030A (en) * | 1999-03-04 | 2000-05-23 | International Business Machines Corporation | Electroetch and chemical mechanical polishing equipment |
US6299741B1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus |
US6368190B1 (en) * | 2000-01-26 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Electrochemical mechanical planarization apparatus and method |
US6582281B2 (en) * | 2000-03-23 | 2003-06-24 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of removing conductive material |
US6484855B1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-11-26 | Winfred E. Yaple | Motor vehicle handlebars and hydraulic system therefor |
US6464855B1 (en) * | 2000-10-04 | 2002-10-15 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece |
US6558231B1 (en) * | 2000-10-17 | 2003-05-06 | Faraday Technology Marketing Goup, Llc | Sequential electromachining and electropolishing of metals and the like using modulated electric fields |
US6716084B2 (en) * | 2001-01-11 | 2004-04-06 | Nutool, Inc. | Carrier head for holding a wafer and allowing processing on a front face thereof to occur |
US6776693B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for face-up substrate polishing |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001056027A patent/JP2002254248A/ja active Pending
-
2002
- 2002-02-27 TW TW091103600A patent/TW541609B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-02-28 US US10/085,747 patent/US6846227B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-06 US US10/818,818 patent/US20040188244A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-08 US US10/983,545 patent/US20050082165A1/en not_active Abandoned
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