JP2002252319A - 半導体装置及びその製造方法、並びにリードフレーム - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、並びにリードフレームInfo
- Publication number
- JP2002252319A JP2002252319A JP2001048938A JP2001048938A JP2002252319A JP 2002252319 A JP2002252319 A JP 2002252319A JP 2001048938 A JP2001048938 A JP 2001048938A JP 2001048938 A JP2001048938 A JP 2001048938A JP 2002252319 A JP2002252319 A JP 2002252319A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- heat sink
- lead
- semiconductor device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】リードフレームからの放熱板の切り離し切断に
よる半導体ダイへの応力負荷を根本的に払拭し、信頼性
の高い半導体装置を簡易な工程で低コストに作製する。
また、放熱板の素材の露出部分を無くし、耐腐食性、耐
浸食性を向上する。さらに、仕様の異なるリードフレー
ム間における組立設備の共通化を図る。 【解決手段】並設される複数のリード５，６，７と、そ
のうち一のリード６の先端に連結されたダイボンディン
グ領域（ダイボンディング部９３ａ）を有する放熱板９
３とを備える一体連結されたリードフレーム３４であっ
て、放熱板９３が、リード６と結合する部分を除き、他
の構成部分から離間されてなるリードフレーム３４を用
いて、半導体ダイのボンディング後における放熱板に連
結する部分の切断を省いた。また、底部連結バー４にス
ペーサ５０を一体形成し、載置する際の頭部と底部との
ギャップを調整した。
よる半導体ダイへの応力負荷を根本的に払拭し、信頼性
の高い半導体装置を簡易な工程で低コストに作製する。
また、放熱板の素材の露出部分を無くし、耐腐食性、耐
浸食性を向上する。さらに、仕様の異なるリードフレー
ム間における組立設備の共通化を図る。 【解決手段】並設される複数のリード５，６，７と、そ
のうち一のリード６の先端に連結されたダイボンディン
グ領域（ダイボンディング部９３ａ）を有する放熱板９
３とを備える一体連結されたリードフレーム３４であっ
て、放熱板９３が、リード６と結合する部分を除き、他
の構成部分から離間されてなるリードフレーム３４を用
いて、半導体ダイのボンディング後における放熱板に連
結する部分の切断を省いた。また、底部連結バー４にス
ペーサ５０を一体形成し、載置する際の頭部と底部との
ギャップを調整した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、並びにリードフレームに関するものであ
る。
の製造方法、並びにリードフレームに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置等の半導体パッケ
ージの材料としてリードフレームが広く用いられてい
る。一般に、リードフレームは枠状の金属シートででき
ており、個々の製品に対応するパターンが複数個連結さ
れて長尺多連状に構成されている。通常、リードフレー
ムには、各部を保持し組立搬送治具の役割を持つレール
と、組立時の位置決め孔となるパイロットホールが構成
されており、各パターンには半導体ダイ（チップ、ペレ
ット）が搭載されるダイボンディングパッドや、半導体
ダイと外部との電気的接続を行うリードなどが構成され
る。大電力用途のトランジスタなどではリード先端に連
結されたダイボンディング領域を有する放熱板により放
熱性を高めている。
ージの材料としてリードフレームが広く用いられてい
る。一般に、リードフレームは枠状の金属シートででき
ており、個々の製品に対応するパターンが複数個連結さ
れて長尺多連状に構成されている。通常、リードフレー
ムには、各部を保持し組立搬送治具の役割を持つレール
と、組立時の位置決め孔となるパイロットホールが構成
されており、各パターンには半導体ダイ（チップ、ペレ
ット）が搭載されるダイボンディングパッドや、半導体
ダイと外部との電気的接続を行うリードなどが構成され
る。大電力用途のトランジスタなどではリード先端に連
結されたダイボンディング領域を有する放熱板により放
熱性を高めている。
【０００３】〔従来例１〕次ぎに従来の一例（従来例１
とする）の半導体装置（ＴＯ−２２０ＡＢ）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図面を参照して説
明する。図４に従来例１のリードフレーム３１の正面図
（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３１を
用いて作製された樹脂封止型半導体装置２１（ＴＯ−２
２０ＡＢ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。な
お、図４（ａ）においては個々の製品となるパターンを
２ユニット分のみ描き他は省略した。また、図４（ｃ）
（ｄ）は封止樹脂１８の外形を破線で示し、その内部の
構成を描いた透視図である。
とする）の半導体装置（ＴＯ−２２０ＡＢ）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図面を参照して説
明する。図４に従来例１のリードフレーム３１の正面図
（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３１を
用いて作製された樹脂封止型半導体装置２１（ＴＯ−２
２０ＡＢ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。な
お、図４（ａ）においては個々の製品となるパターンを
２ユニット分のみ描き他は省略した。また、図４（ｃ）
（ｄ）は封止樹脂１８の外形を破線で示し、その内部の
構成を描いた透視図である。
【０００４】従来例１のリードフレーム３１は 銅又は
銅合金の金属シートをプレス抜き加工し、その表面にニ
ッケルメッキ等を施したものであり、上部連結バー（レ
ール）２、中央部連結バー（レール）３、底部連結バー
（レール）４を備え、これらにより個々の製品となるパ
ターンが多数連結される。各パターン毎には３本のリー
ド５，６，７を備える。各リード５，６，７は中央部連
結バー３及び底部連結バー４に結合し、支持される。両
側のリード５，７のパッケージ内部となる端（以下、内
部端という。）にはそれぞれボンディングポスト８，１
０が形成され、中央のリード６の内部端には，半導体ダ
イの搭載部を有する金属板である放熱板９が連結されて
いる。放熱板９はダイボンディング部９ａとタブ部９ｂ
とを有し、中央のリード６の内部端に、まず、ダイボン
ディング部９ａが連結され、ダイボンディング部９ａに
連続してタブ部９ｂが延設され、さらに、タブ部９ｂは
上部連結バー２に結合し、隣接するタブ部９ｂ，９ｂと
連結される。また、底部連結バー４にはパイロットホー
ル１１が、タブ部９ｂには取り付け用ホール１２が穿設
されている。以上のような構造のリードフレーム３１の
類は特開平８−２６４６９７号公報にも開示される。
銅合金の金属シートをプレス抜き加工し、その表面にニ
ッケルメッキ等を施したものであり、上部連結バー（レ
ール）２、中央部連結バー（レール）３、底部連結バー
（レール）４を備え、これらにより個々の製品となるパ
ターンが多数連結される。各パターン毎には３本のリー
ド５，６，７を備える。各リード５，６，７は中央部連
結バー３及び底部連結バー４に結合し、支持される。両
側のリード５，７のパッケージ内部となる端（以下、内
部端という。）にはそれぞれボンディングポスト８，１
０が形成され、中央のリード６の内部端には，半導体ダ
イの搭載部を有する金属板である放熱板９が連結されて
いる。放熱板９はダイボンディング部９ａとタブ部９ｂ
とを有し、中央のリード６の内部端に、まず、ダイボン
ディング部９ａが連結され、ダイボンディング部９ａに
連続してタブ部９ｂが延設され、さらに、タブ部９ｂは
上部連結バー２に結合し、隣接するタブ部９ｂ，９ｂと
連結される。また、底部連結バー４にはパイロットホー
ル１１が、タブ部９ｂには取り付け用ホール１２が穿設
されている。以上のような構造のリードフレーム３１の
類は特開平８−２６４６９７号公報にも開示される。
【０００５】図４（ｃ）（ｄ）に示す従来例１の樹脂封
止型半導体装置２１はリードフレーム３１を用いて次の
ように組み立てられる。 〔ダイボンディング工程〕まず、ダイボンディング部９
ａに半導体ダイ１３を半田ペーストや導電性樹脂接着剤
等の接合剤を用いてダイボンディングし、電気的に接続
するとともに機械的にも強固に接合する。接合剤には熱
放散性の良いものが用いられる。 〔ワイヤボンディング工程〕次ぎに、半導体ダイ１３の
表面に形成された電極パッド１４，１５とボンディング
ポスト８，１０とをそれぞれボンディングワイヤ１６，
１７により電気的に接続する。 〔樹脂封止工程〕次ぎに、半導体ダイ１３がボンディン
グされたリードフレーム３１を樹脂モールド成型金型に
収め、樹脂モールド装置によりエポキシ樹脂などの樹脂
材料を樹脂モールド成型金型内に注入する。その後、必
要な熱処理を行い、封止樹脂１８を硬化させる。 〔リードカット工程〕次ぎに、図４（ａ）中、破線で示
すような切断線によりリードフレームを切断し、放熱板
９を上部連結バー２から、リード５，６，７を中央部連
結バー３から、及びリード６，７を底部連結バー４から
それぞれ切り離す。すなわち、リード５と底部連結バー
４とが結合し、複数個の樹脂封止型半導体装置が連結さ
れた状態とする。 〔半田ディップ工程〕次ぎに、底部連結バー４によって
連結された複数個の樹脂封止型半導体装置のリード５，
６，７を一括して半田漕に浸し、リード５，６，７の外
部端子部に半田を付着させる。 〔分離工程〕最後に、リード５を底部連結バー４から切
り離して、樹脂封止型半導体装置を個々に分離し、正に
図４（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封止型半導体装置２
１を得る。
止型半導体装置２１はリードフレーム３１を用いて次の
ように組み立てられる。 〔ダイボンディング工程〕まず、ダイボンディング部９
ａに半導体ダイ１３を半田ペーストや導電性樹脂接着剤
等の接合剤を用いてダイボンディングし、電気的に接続
するとともに機械的にも強固に接合する。接合剤には熱
放散性の良いものが用いられる。 〔ワイヤボンディング工程〕次ぎに、半導体ダイ１３の
表面に形成された電極パッド１４，１５とボンディング
ポスト８，１０とをそれぞれボンディングワイヤ１６，
１７により電気的に接続する。 〔樹脂封止工程〕次ぎに、半導体ダイ１３がボンディン
グされたリードフレーム３１を樹脂モールド成型金型に
収め、樹脂モールド装置によりエポキシ樹脂などの樹脂
材料を樹脂モールド成型金型内に注入する。その後、必
要な熱処理を行い、封止樹脂１８を硬化させる。 〔リードカット工程〕次ぎに、図４（ａ）中、破線で示
すような切断線によりリードフレームを切断し、放熱板
９を上部連結バー２から、リード５，６，７を中央部連
結バー３から、及びリード６，７を底部連結バー４から
それぞれ切り離す。すなわち、リード５と底部連結バー
４とが結合し、複数個の樹脂封止型半導体装置が連結さ
れた状態とする。 〔半田ディップ工程〕次ぎに、底部連結バー４によって
連結された複数個の樹脂封止型半導体装置のリード５，
６，７を一括して半田漕に浸し、リード５，６，７の外
部端子部に半田を付着させる。 〔分離工程〕最後に、リード５を底部連結バー４から切
り離して、樹脂封止型半導体装置を個々に分離し、正に
図４（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封止型半導体装置２
１を得る。
【０００６】図４（ｃ）（ｄ）に示すように従来例１の
樹脂封止型半導体装置２１は、半導体ダイ１３、ボンデ
ィングワイヤ１６，１７、及びボンディングポスト８，
１０が封止樹脂１８により封止され、封止樹脂１８の底
部から三本のリード５，６，７が突出して外部端子を形
成し、対する封止樹脂１８の上部にタブ部９ｂが突出し
て封止樹脂１８から露出した構成である。また図４
（ｄ）に示すように放熱板９の板厚はリード板厚ｔより
厚く形成され、ダイボンディング部９ａの半導体ダイ１
３が接合される面と反対側の面も封止樹脂１８から露出
した構成をとる。また、上述のようなリードカット工程
により上部連結バー２が切断されたため、図４（ｃ）に
示すように放熱板９の２つの切断面４１が形成される。
この切断面４１はメッキされず、リードフレーム素材の
銅又は銅合金が露出してなる。なお、放熱板の板厚をリ
ード板厚ｔと等しくし、放熱板を完全に樹脂封止するタ
イプのもの（ＴＯ−２２０Ｆ）も存在する。
樹脂封止型半導体装置２１は、半導体ダイ１３、ボンデ
ィングワイヤ１６，１７、及びボンディングポスト８，
１０が封止樹脂１８により封止され、封止樹脂１８の底
部から三本のリード５，６，７が突出して外部端子を形
成し、対する封止樹脂１８の上部にタブ部９ｂが突出し
て封止樹脂１８から露出した構成である。また図４
（ｄ）に示すように放熱板９の板厚はリード板厚ｔより
厚く形成され、ダイボンディング部９ａの半導体ダイ１
３が接合される面と反対側の面も封止樹脂１８から露出
した構成をとる。また、上述のようなリードカット工程
により上部連結バー２が切断されたため、図４（ｃ）に
示すように放熱板９の２つの切断面４１が形成される。
この切断面４１はメッキされず、リードフレーム素材の
銅又は銅合金が露出してなる。なお、放熱板の板厚をリ
ード板厚ｔと等しくし、放熱板を完全に樹脂封止するタ
イプのもの（ＴＯ−２２０Ｆ）も存在する。
【０００７】〔従来例２〕次ぎに従来の他の一例（従来
例２とする）の半導体装置（ＴＯ−２２０）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図面を参照して説
明する。図５に従来例２のリードフレーム３２の正面図
（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３２を
用いて作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２
２０）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。なお、図
５（ａ）においては個々の製品となるパターンを２ユニ
ット分のみ描き他は省略した。また、図５（ｃ）（ｄ）
は封止樹脂１８の外形を破線で示し、その内部の構成を
描いた透視図である。
例２とする）の半導体装置（ＴＯ−２２０）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図面を参照して説
明する。図５に従来例２のリードフレーム３２の正面図
（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３２を
用いて作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２
２０）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。なお、図
５（ａ）においては個々の製品となるパターンを２ユニ
ット分のみ描き他は省略した。また、図５（ｃ）（ｄ）
は封止樹脂１８の外形を破線で示し、その内部の構成を
描いた透視図である。
【０００８】従来例２のリードフレーム３２は、従来例
１のリードフレーム３１と同様の構成を有し、タブ部９
１ｂにプレカット孔１９を穿設したものである。図５
（ａ）に示すように、プレカット孔１９はダイボンディ
ング部９ａに沿うように横長矩形状に形成される。この
プレカット孔１９は、樹脂封止後にタブ部９１ｂをわず
かな面積の切断で切り落とすために予め穿設されるもの
である。以上のような構造のリードフレーム３２の類は
特開平６−１０４３５９号公報にも開示される。
１のリードフレーム３１と同様の構成を有し、タブ部９
１ｂにプレカット孔１９を穿設したものである。図５
（ａ）に示すように、プレカット孔１９はダイボンディ
ング部９ａに沿うように横長矩形状に形成される。この
プレカット孔１９は、樹脂封止後にタブ部９１ｂをわず
かな面積の切断で切り落とすために予め穿設されるもの
である。以上のような構造のリードフレーム３２の類は
特開平６−１０４３５９号公報にも開示される。
【０００９】図５（ｃ）（ｄ）に示す従来例２の樹脂封
止型半導体装置２２はリードフレーム３２を用いて次の
ように組み立てられる。リードフレーム３２がリードフ
レーム３１と同様の外形を有するため、従来例２の樹脂
封止型半導体装置２２は従来例１と同じ組立設備によ
り、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、
樹脂封止工程、リードカット工程、半田ディップ工程、
分離工程を行うことができる。 〔タブカット工程〕リードカット工程後、半田ディップ
工程前にタブカット工程を行う。タブカット工程では、
予め穿設されていたプレカット孔１９の両側端に位置す
るタブ部９１ｂとダイボンディング部９１ａとの連結部
分を切断する。 〔分離工程〕半田ディップ工程終了後、リード５を底部
連結バー４から切り離して、樹脂封止型半導体装置を個
々に分離し、正に図５（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封
止型半導体装置２２を得る。
止型半導体装置２２はリードフレーム３２を用いて次の
ように組み立てられる。リードフレーム３２がリードフ
レーム３１と同様の外形を有するため、従来例２の樹脂
封止型半導体装置２２は従来例１と同じ組立設備によ
り、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、
樹脂封止工程、リードカット工程、半田ディップ工程、
分離工程を行うことができる。 〔タブカット工程〕リードカット工程後、半田ディップ
工程前にタブカット工程を行う。タブカット工程では、
予め穿設されていたプレカット孔１９の両側端に位置す
るタブ部９１ｂとダイボンディング部９１ａとの連結部
分を切断する。 〔分離工程〕半田ディップ工程終了後、リード５を底部
連結バー４から切り離して、樹脂封止型半導体装置を個
々に分離し、正に図５（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封
止型半導体装置２２を得る。
【００１０】図５（ｃ）（ｄ）に示すように従来例２の
樹脂封止型半導体装置２２は、半導体ダイ１３、ボンデ
ィングワイヤ１６，１７、及びボンディングポスト８，
１０が封止樹脂１８により封止され、封止樹脂１８の底
部から三本のリード５，６，７が突出して外部端子が形
成されてなる。樹脂封止型半導体装置２２は、従来例１
の樹脂封止型半導体装置２１のようにタブ部を有さず、
封止樹脂１８の上部に放熱板９１の上端がわずかに突出
して封止樹脂１８から露出した構成である。また図５
（ｄ）に示すように放熱板９１はリード板厚ｔより厚く
形成され、ダイボンディング部９１ａの半導体ダイ１３
が接合される面と反対側の面も封止樹脂１８から露出し
た構成をとる。また、上述のようなタブカット工程によ
り連結部が切断されたため、図５（ａ）に示すように放
熱板９１の２つの角に切断面４２が形成される。この切
断面４２はメッキされず、リードフレーム素材の銅又は
銅合金が露出してなる。
樹脂封止型半導体装置２２は、半導体ダイ１３、ボンデ
ィングワイヤ１６，１７、及びボンディングポスト８，
１０が封止樹脂１８により封止され、封止樹脂１８の底
部から三本のリード５，６，７が突出して外部端子が形
成されてなる。樹脂封止型半導体装置２２は、従来例１
の樹脂封止型半導体装置２１のようにタブ部を有さず、
封止樹脂１８の上部に放熱板９１の上端がわずかに突出
して封止樹脂１８から露出した構成である。また図５
（ｄ）に示すように放熱板９１はリード板厚ｔより厚く
形成され、ダイボンディング部９１ａの半導体ダイ１３
が接合される面と反対側の面も封止樹脂１８から露出し
た構成をとる。また、上述のようなタブカット工程によ
り連結部が切断されたため、図５（ａ）に示すように放
熱板９１の２つの角に切断面４２が形成される。この切
断面４２はメッキされず、リードフレーム素材の銅又は
銅合金が露出してなる。
【００１１】以上のような従来例２によれば、タブ部が
あるタイプの従来例１と部品、組立装置、組立ラインな
どの共用できる部分が多く、生産上のメリットが大き
い。
あるタイプの従来例１と部品、組立装置、組立ラインな
どの共用できる部分が多く、生産上のメリットが大き
い。
【００１２】〔従来例３〕次ぎに従来の他の一例（従来
例３とする）の半導体装置（ＴＯ−２２０）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図面を参照して説
明する。図６に従来例３のリードフレーム３３の正面図
（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３３を
用いて作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２
２０）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。なお、図
６（ａ）においては個々の製品となるパターンを２ユニ
ット分のみ描き他は省略した。また、図６（ｃ）（ｄ）
は封止樹脂１８の外形を破線で示し、その内部の構成を
描いた透視図である。
例３とする）の半導体装置（ＴＯ−２２０）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図面を参照して説
明する。図６に従来例３のリードフレーム３３の正面図
（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３３を
用いて作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２
２０）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。なお、図
６（ａ）においては個々の製品となるパターンを２ユニ
ット分のみ描き他は省略した。また、図６（ｃ）（ｄ）
は封止樹脂１８の外形を破線で示し、その内部の構成を
描いた透視図である。
【００１３】従来例３のリードフレーム３３は、従来例
１のリードフレーム３１と同様の構成を有し、タブ部９
２ｂにプレカット切欠２０を設けたものである。図６に
示すように、プレカット切欠２０はダイボンディング部
９２ａに沿うようにほぼ矩形状に両側に形成される。こ
のプレカット切欠２０は、樹脂封止後にタブ部９２ｂを
わずかな面積の切断で切り落とすために予め加工される
ものである。
１のリードフレーム３１と同様の構成を有し、タブ部９
２ｂにプレカット切欠２０を設けたものである。図６に
示すように、プレカット切欠２０はダイボンディング部
９２ａに沿うようにほぼ矩形状に両側に形成される。こ
のプレカット切欠２０は、樹脂封止後にタブ部９２ｂを
わずかな面積の切断で切り落とすために予め加工される
ものである。
【０００１４】図６（ｃ）（ｄ）に示す従来例３の樹脂
封止型半導体装置２３はリードフレーム３３を用いて次
のように組み立てられる。リードフレーム３３がリード
フレーム３１と同様の外形を有するため、従来例３の樹
脂封止型半導体装置２３は従来例１と同じ組立設備によ
り、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、
樹脂封止工程、リードカット工程、半田ディップ工程、
分離工程を行うことができる。 〔タブカット工程〕リードカット工程後、半田ディップ
工程前にタブカット工程を行う。タブカット工程では、
予め穿設されていた２つのプレカット切欠２０の間に位
置するタブ部９２ｂとダイボンディング部９２ａとの連
結部分を切断する。 〔分離工程〕半田ディップ工程終了後、リード５を底部
連結バー４から切り離して、樹脂封止型半導体装置を個
々に分離し、正に図６（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封
止型半導体装置２３を得る。
封止型半導体装置２３はリードフレーム３３を用いて次
のように組み立てられる。リードフレーム３３がリード
フレーム３１と同様の外形を有するため、従来例３の樹
脂封止型半導体装置２３は従来例１と同じ組立設備によ
り、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、
樹脂封止工程、リードカット工程、半田ディップ工程、
分離工程を行うことができる。 〔タブカット工程〕リードカット工程後、半田ディップ
工程前にタブカット工程を行う。タブカット工程では、
予め穿設されていた２つのプレカット切欠２０の間に位
置するタブ部９２ｂとダイボンディング部９２ａとの連
結部分を切断する。 〔分離工程〕半田ディップ工程終了後、リード５を底部
連結バー４から切り離して、樹脂封止型半導体装置を個
々に分離し、正に図６（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封
止型半導体装置２３を得る。
【００１５】図６（ｃ）（ｄ）に示すように従来例３の
樹脂封止型半導体装置２３は、従来例２の樹脂封止型半
導体装置２２と同じ仕様のものである。但し、上述のよ
うなタブカット工程により連結部が切断されたため、図
６（ａ）に示すように放熱板９２の上部中央に切断面４
３が形成される。この切断面４３はメッキされず、リー
ドフレーム素材の銅又は銅合金が露出してなる。
樹脂封止型半導体装置２３は、従来例２の樹脂封止型半
導体装置２２と同じ仕様のものである。但し、上述のよ
うなタブカット工程により連結部が切断されたため、図
６（ａ）に示すように放熱板９２の上部中央に切断面４
３が形成される。この切断面４３はメッキされず、リー
ドフレーム素材の銅又は銅合金が露出してなる。
【００１６】以上のような従来例３によれば、タブ部が
あるタイプの従来例１と部品、組立装置、組立ラインな
どの共用できる部分が多く、生産上のメリットが大き
い。
あるタイプの従来例１と部品、組立装置、組立ラインな
どの共用できる部分が多く、生産上のメリットが大き
い。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上の従来技
術では以下のような問題があった。
術では以下のような問題があった。
【００１８】第一に、タブカット時の応力により半導体
ダイへダメージが及ぶという問題がある。すなわち、放
熱板９１，又は９２上にボンディングされた半導体ダイ
１３付近に剪断荷重が加わるため、半導体ダイ１３と放
熱板９１，又は９２との接合面が荷重負荷時に変形し、
その変形を弾性的に吸収できずに半導体ダイ１３にダメ
ージが発生するおそれがある。放熱板は熱放散性の要請
によりリード部より分厚く形成されることがあるうえ
に、放熱板は半導体ダイを接合している部分であるため
切断位置と半導体ダイとが近接するので、放熱板と他の
構成部材との連結部を切断する時に半導体ダイに生じる
応力は、リード部と他の構成部材との連結部を切断する
時のそれに対して大きく憂慮すべきである。従来例２，
３は、プレカット孔１９又はプレカット切欠２０を設け
たため、それを設けない場合に比較してタブカット時に
材料に生じる応力を小さく抑えることができる。しか
し、タブカット時の応力による半導体ダイへダメージを
完全に払拭することはできない。これを検証するため以
下のようなシミュレーションを行った。
ダイへダメージが及ぶという問題がある。すなわち、放
熱板９１，又は９２上にボンディングされた半導体ダイ
１３付近に剪断荷重が加わるため、半導体ダイ１３と放
熱板９１，又は９２との接合面が荷重負荷時に変形し、
その変形を弾性的に吸収できずに半導体ダイ１３にダメ
ージが発生するおそれがある。放熱板は熱放散性の要請
によりリード部より分厚く形成されることがあるうえ
に、放熱板は半導体ダイを接合している部分であるため
切断位置と半導体ダイとが近接するので、放熱板と他の
構成部材との連結部を切断する時に半導体ダイに生じる
応力は、リード部と他の構成部材との連結部を切断する
時のそれに対して大きく憂慮すべきである。従来例２，
３は、プレカット孔１９又はプレカット切欠２０を設け
たため、それを設けない場合に比較してタブカット時に
材料に生じる応力を小さく抑えることができる。しか
し、タブカット時の応力による半導体ダイへダメージを
完全に払拭することはできない。これを検証するため以
下のようなシミュレーションを行った。
【００１９】本シミュレーションは従来例２，３をモデ
ルとして、それらのタブカット時に半導体ダイ１３に加
わる応力を調べたものである。図７に、タブカット工程
における樹脂封止型半導体装置２２の部分斜視図（ａ
１）及びその応力分布図（ａ２）、並びにタブカット工
程における樹脂封止型半導体装置２３の部分斜視図（ｂ
１）及びその応力分布図（ｂ２）を示す。１点あたり２
０ｋｇの荷重を各切断線４６、切断線４７のそれぞれに
沿って１０点負荷する場合につき計算した。従来例２の
樹脂封止型半導体装置２２において応力は、切断線４６
近傍の角に位置する点Ｂ（Ｆ）において最大の８．９ｋ
ｇ／ｍｍ3 となり、図７（ａ２）に示すように分布する
結果となった。従来例３の樹脂封止型半導体装置２３に
おいて応力は、半導体ダイ１３のタブ部９２ｂ近傍の辺
の中点Ａにおいて最大の３．８ｋｇ／ｍｍ3 となり、図
７（ｂ２）に示すように分布する結果となった。以上の
シミュレーション結果から半導体ダイ１３に応力が生じ
ることがわかった。したがって、応力による半導体デバ
イスへのダメージが懸念され、タブカット後にダメージ
の有無を検査する追加の試験か、又はダメージを緩和さ
せる熱処理工程等が必要となり、工程負担が増大すると
いう問題に至る。
ルとして、それらのタブカット時に半導体ダイ１３に加
わる応力を調べたものである。図７に、タブカット工程
における樹脂封止型半導体装置２２の部分斜視図（ａ
１）及びその応力分布図（ａ２）、並びにタブカット工
程における樹脂封止型半導体装置２３の部分斜視図（ｂ
１）及びその応力分布図（ｂ２）を示す。１点あたり２
０ｋｇの荷重を各切断線４６、切断線４７のそれぞれに
沿って１０点負荷する場合につき計算した。従来例２の
樹脂封止型半導体装置２２において応力は、切断線４６
近傍の角に位置する点Ｂ（Ｆ）において最大の８．９ｋ
ｇ／ｍｍ3 となり、図７（ａ２）に示すように分布する
結果となった。従来例３の樹脂封止型半導体装置２３に
おいて応力は、半導体ダイ１３のタブ部９２ｂ近傍の辺
の中点Ａにおいて最大の３．８ｋｇ／ｍｍ3 となり、図
７（ｂ２）に示すように分布する結果となった。以上の
シミュレーション結果から半導体ダイ１３に応力が生じ
ることがわかった。したがって、応力による半導体デバ
イスへのダメージが懸念され、タブカット後にダメージ
の有無を検査する追加の試験か、又はダメージを緩和さ
せる熱処理工程等が必要となり、工程負担が増大すると
いう問題に至る。
【００２０】第二に、放熱板の一部がメッキされずに、
その素材が露出し耐腐食性、耐浸食性が低下するという
問題がある。上述したように従来例１，２，３の半導体
装置２１，２２，２３には放熱板９，９１，９２の上端
にタブカット時の切断面４１，４２，４３が存在する。
図８に従来例１，２，３の樹脂封止型半導体装置２１、
２２，２３の部分断面模式図を示す。図８に示すように
何れの従来例においても、放熱板９、９１，９２は、タ
ブカット時の切断面４１，４２，４３においてメッキ４
５が施されておらず、銅合金等の素材４４が露出した構
成となる。したがって、素材４４表面が外気(特にＯ
２)に触れるので、長期間使用した場合に錆びるおそれ
がある。寒冷地使用(自動車用途)等においては、結露
と加熱が繰り返されるが、かような過酷な使用環境にお
いて、素材４４とメッキ４５との界面に水分・湿気が侵
入するおそれがあり、メッキが劣化しやすい。そのた
め、放熱板としての効果が持続、安定し難い。電蝕
(水分の存在下で、イオン化傾向の大きい方の金属の腐
食)に対する耐久性が懸念される、などの問題がある。
その素材が露出し耐腐食性、耐浸食性が低下するという
問題がある。上述したように従来例１，２，３の半導体
装置２１，２２，２３には放熱板９，９１，９２の上端
にタブカット時の切断面４１，４２，４３が存在する。
図８に従来例１，２，３の樹脂封止型半導体装置２１、
２２，２３の部分断面模式図を示す。図８に示すように
何れの従来例においても、放熱板９、９１，９２は、タ
ブカット時の切断面４１，４２，４３においてメッキ４
５が施されておらず、銅合金等の素材４４が露出した構
成となる。したがって、素材４４表面が外気(特にＯ
２)に触れるので、長期間使用した場合に錆びるおそれ
がある。寒冷地使用(自動車用途)等においては、結露
と加熱が繰り返されるが、かような過酷な使用環境にお
いて、素材４４とメッキ４５との界面に水分・湿気が侵
入するおそれがあり、メッキが劣化しやすい。そのた
め、放熱板としての効果が持続、安定し難い。電蝕
(水分の存在下で、イオン化傾向の大きい方の金属の腐
食)に対する耐久性が懸念される、などの問題がある。
【００２１】第三に、仕様の異なるリードフレームにお
いて、放熱板の板厚の違いにより異なる組立設備を使用
することとなるとコスト増を招き好ましくない。
いて、放熱板の板厚の違いにより異なる組立設備を使用
することとなるとコスト増を招き好ましくない。
【００２２】本発明は以上の従来技術における問題に鑑
みてなされたものであって、リードの内部端に連結され
た放熱板に半導体ダイがボンディングされ、樹脂封止さ
れてなる半導体装置において、リードフレームからの放
熱板の切り離し切断による半導体ダイへの応力負荷を根
本的に払拭し、信頼性の高い半導体装置を簡易な工程で
低コストに作製することを課題とする。また本発明は、
放熱板の素材の露出部分を無くし、特に長期使用条件下
又は過酷な使用環境下における耐腐食性、耐浸食性を向
上することを課題とする。さらに本発明は、仕様の異な
るリードフレーム間における組立設備の共通化を図り、
生産性を向上することを課題とする。
みてなされたものであって、リードの内部端に連結され
た放熱板に半導体ダイがボンディングされ、樹脂封止さ
れてなる半導体装置において、リードフレームからの放
熱板の切り離し切断による半導体ダイへの応力負荷を根
本的に払拭し、信頼性の高い半導体装置を簡易な工程で
低コストに作製することを課題とする。また本発明は、
放熱板の素材の露出部分を無くし、特に長期使用条件下
又は過酷な使用環境下における耐腐食性、耐浸食性を向
上することを課題とする。さらに本発明は、仕様の異な
るリードフレーム間における組立設備の共通化を図り、
生産性を向上することを課題とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、例えば図１、図２又は図３
に示すように、リード６の内部端に連結された放熱板９
３，９４に半導体ダイ１３がボンディングされ、樹脂封
止されてなる半導体装置２４，２５において、前記放熱
板９３，９４の切断加工面が連続して同一のメッキ層４
５により被覆されてなることを特徴とする半導体装置２
４，２５である。
め、請求項１記載の発明は、例えば図１、図２又は図３
に示すように、リード６の内部端に連結された放熱板９
３，９４に半導体ダイ１３がボンディングされ、樹脂封
止されてなる半導体装置２４，２５において、前記放熱
板９３，９４の切断加工面が連続して同一のメッキ層４
５により被覆されてなることを特徴とする半導体装置２
４，２５である。
【００２４】したがって請求項１記載の発明によれば、
放熱板の切断加工面が連続して同一のメッキ層により被
覆されているので、放熱板の素材の露出部分を無くすこ
とができ、耐腐食性、耐浸食性を向上することができ
る。ここで、リードの内部端とは、半導体パッケージ内
部に位置するリードの端部をいう。放熱板の切断加工面
とは、プレス抜き加工等により切断加工された放熱板の
端面をいう。放熱板の半導体ダイを搭載する面やその反
対面にもメッキを施すことにより放熱板の素材の露出部
分を無くすことができる。そのような場合、素材表面
が、外気(特にＯ２)と触れることなく、錆び難い。寒
冷地使用(自動車用途)等においては、結露と加熱が繰り
返されるが、かような過酷な使用環境においても、素材
とメッキ界面に水分・湿気が侵入することがないので、
メッキが劣化し難い。そのため、放熱板としての効果が
持続、安定する。電蝕(水分の存在下で、イオン化傾
向の大きい方の金属の腐食)に対する耐久性が向上す
る。
放熱板の切断加工面が連続して同一のメッキ層により被
覆されているので、放熱板の素材の露出部分を無くすこ
とができ、耐腐食性、耐浸食性を向上することができ
る。ここで、リードの内部端とは、半導体パッケージ内
部に位置するリードの端部をいう。放熱板の切断加工面
とは、プレス抜き加工等により切断加工された放熱板の
端面をいう。放熱板の半導体ダイを搭載する面やその反
対面にもメッキを施すことにより放熱板の素材の露出部
分を無くすことができる。そのような場合、素材表面
が、外気(特にＯ２)と触れることなく、錆び難い。寒
冷地使用(自動車用途)等においては、結露と加熱が繰り
返されるが、かような過酷な使用環境においても、素材
とメッキ界面に水分・湿気が侵入することがないので、
メッキが劣化し難い。そのため、放熱板としての効果が
持続、安定する。電蝕(水分の存在下で、イオン化傾
向の大きい方の金属の腐食)に対する耐久性が向上す
る。
【００２５】請求項２記載の発明は、例えば図１、図２
又は図３に示すように、リード６の内部端に連結された
放熱板９３，９４に半導体ダイ１３がボンディングさ
れ、樹脂封止されてなる半導体装置２４，２５におい
て、前記放熱板９３，９４の封止樹脂１８，４８に被覆
される部分に被着するメッキ層４５ａに連続するメッキ
層４５ｂにより、前記放熱板９３，９４の前記封止樹脂
１８，４８から露出する部分の切断加工面の全域が被覆
されてなることを特徴とする半導体装置２４，２５であ
る。
又は図３に示すように、リード６の内部端に連結された
放熱板９３，９４に半導体ダイ１３がボンディングさ
れ、樹脂封止されてなる半導体装置２４，２５におい
て、前記放熱板９３，９４の封止樹脂１８，４８に被覆
される部分に被着するメッキ層４５ａに連続するメッキ
層４５ｂにより、前記放熱板９３，９４の前記封止樹脂
１８，４８から露出する部分の切断加工面の全域が被覆
されてなることを特徴とする半導体装置２４，２５であ
る。
【００２６】したがって請求項２記載の発明によれば、
放熱板の封止樹脂に被覆される部分に被着するメッキ層
に連続するメッキ層により、放熱板の封止樹脂から露出
する部分の切断加工面の全域が被覆されているので、封
止樹脂から放熱板の一部が露出したタイプの半導体装置
において、放熱板の封止樹脂から露出する部分におけ
る、放熱板の素材の露出部分を無くすことができ、請求
項１記載の発明と同様に耐腐食性、耐浸食性を向上する
ことができる。
放熱板の封止樹脂に被覆される部分に被着するメッキ層
に連続するメッキ層により、放熱板の封止樹脂から露出
する部分の切断加工面の全域が被覆されているので、封
止樹脂から放熱板の一部が露出したタイプの半導体装置
において、放熱板の封止樹脂から露出する部分におけ
る、放熱板の素材の露出部分を無くすことができ、請求
項１記載の発明と同様に耐腐食性、耐浸食性を向上する
ことができる。
【００２７】請求項３記載の発明は、例えば図１、図２
又は図３に示すように、並設される複数のリード５，
６，７と、そのうち少なくとも一のリード６の先端に連
結されたダイボンディング領域を有する放熱板９３，９
４とを備える一体連結されたリードフレーム３４，３５
であって、前記放熱板９３，９４が、前記一のリード６
と結合する部分を除き、他の構成部分から離間されてな
ることを特徴とするリードフレーム３４，３５である。
又は図３に示すように、並設される複数のリード５，
６，７と、そのうち少なくとも一のリード６の先端に連
結されたダイボンディング領域を有する放熱板９３，９
４とを備える一体連結されたリードフレーム３４，３５
であって、前記放熱板９３，９４が、前記一のリード６
と結合する部分を除き、他の構成部分から離間されてな
ることを特徴とするリードフレーム３４，３５である。
【００２８】したがって請求項３記載の発明によれば、
放熱板がリードと結合する部分を除き、他の構成部分か
ら離間されているので放熱板に切り離すべき連結部がな
く、本リードフレームを使用して半導体装置を組み立て
る際に、放熱板を切り離し切断することがなく、切り離
し切断による半導体ダイへの応力負荷を根本的に払拭す
ることができる。そのため、応力ダメージのない信頼性
の高い半導体装置が得られる。また、放熱板を切り離し
切断する工程が要らず、ダメージの有無を検査する追加
の試験や、ダメージを緩和させる熱処理工程等が不要と
なり、簡易な工程で低コストに半導体装置を作製するこ
とができる。本発明は特にリード部より放熱板が分厚く
形成されるものに適用すると効果的である。なぜなら、
放熱板が分厚く形成されるほど、本発明の適用により解
放される応力負荷が大きいからである。また、放熱板に
タブ部等のダイボンディング部に連続する部材が大きく
ないものに本発明を適用すると効果的である。なぜな
ら、従来例１，２のように放熱板のダイボンディング部
以外の部分が小さいほど切断位置（荷重位置）が半導体
ダイに近くなり、本発明の適用により解放される応力負
荷が大きいからである。
放熱板がリードと結合する部分を除き、他の構成部分か
ら離間されているので放熱板に切り離すべき連結部がな
く、本リードフレームを使用して半導体装置を組み立て
る際に、放熱板を切り離し切断することがなく、切り離
し切断による半導体ダイへの応力負荷を根本的に払拭す
ることができる。そのため、応力ダメージのない信頼性
の高い半導体装置が得られる。また、放熱板を切り離し
切断する工程が要らず、ダメージの有無を検査する追加
の試験や、ダメージを緩和させる熱処理工程等が不要と
なり、簡易な工程で低コストに半導体装置を作製するこ
とができる。本発明は特にリード部より放熱板が分厚く
形成されるものに適用すると効果的である。なぜなら、
放熱板が分厚く形成されるほど、本発明の適用により解
放される応力負荷が大きいからである。また、放熱板に
タブ部等のダイボンディング部に連続する部材が大きく
ないものに本発明を適用すると効果的である。なぜな
ら、従来例１，２のように放熱板のダイボンディング部
以外の部分が小さいほど切断位置（荷重位置）が半導体
ダイに近くなり、本発明の適用により解放される応力負
荷が大きいからである。
【００２９】請求項４記載の発明は、例えば図１又は図
２に示すように、請求項３記載のリードフレームにメッ
キ３４，３５を施し、その後、そのリードフレーム３
４，３５に半導体ダイ１３をボンディングし、その後、
封止材料１８，４８により前記半導体ダイ１３を封止
し、その後、半導体装置に不要なリードフレームの連結
部３，４を切断除去することを特徴とする半導体装置の
製造方法である。
２に示すように、請求項３記載のリードフレームにメッ
キ３４，３５を施し、その後、そのリードフレーム３
４，３５に半導体ダイ１３をボンディングし、その後、
封止材料１８，４８により前記半導体ダイ１３を封止
し、その後、半導体装置に不要なリードフレームの連結
部３，４を切断除去することを特徴とする半導体装置の
製造方法である。
【００３０】したがって請求項４記載の発明によれば、
請求項３記載のリードフレームを使用するので、放熱板
を切り離し切断することがなく、応力ダメージのない信
頼性の高い半導体装置を簡易な工程で低コストに作製す
ることができる。また、放熱板を切り離し切断すること
がないため、ボンディング工程前のメッキ加工により形
成されたメッキ層により放熱板の表面全域が被覆された
半導体装置を簡易な工程で低コストに作製することがで
きる（完全に放熱板表面をメッキするために再度メッキ
を施す必要がない。）。
請求項３記載のリードフレームを使用するので、放熱板
を切り離し切断することがなく、応力ダメージのない信
頼性の高い半導体装置を簡易な工程で低コストに作製す
ることができる。また、放熱板を切り離し切断すること
がないため、ボンディング工程前のメッキ加工により形
成されたメッキ層により放熱板の表面全域が被覆された
半導体装置を簡易な工程で低コストに作製することがで
きる（完全に放熱板表面をメッキするために再度メッキ
を施す必要がない。）。
【００３１】請求項５記載の発明は、例えば図１に示す
ように、並設される複数のリード５，６，７と、そのう
ち少なくとも一のリード６の先端に連結されたダイボン
ディング領域を有する放熱板９３とを備える一体連結さ
れたリードフレーム３４であって、前記放熱板９３がリ
ード５，６，７の厚みより厚く、前記放熱板９３の前記
ダイボンディング領域が形成された面の反対面とのギャ
ップを調整するスペーサ５０が、前記リード相互間を連
結する連結部４に一体形成されてなることを特徴とする
リードフレーム３４である。
ように、並設される複数のリード５，６，７と、そのう
ち少なくとも一のリード６の先端に連結されたダイボン
ディング領域を有する放熱板９３とを備える一体連結さ
れたリードフレーム３４であって、前記放熱板９３がリ
ード５，６，７の厚みより厚く、前記放熱板９３の前記
ダイボンディング領域が形成された面の反対面とのギャ
ップを調整するスペーサ５０が、前記リード相互間を連
結する連結部４に一体形成されてなることを特徴とする
リードフレーム３４である。
【００３２】したがって請求項５記載の発明によれば、
放熱板のダイボンディング領域が形成された面の反対面
とのギャップを調整するスペーサが、リード相互間を連
結する連結部に一体形成されているので、異なる板厚の
放熱板を有するリードフレームを同一の搬送装置に載置
しても、リードフレームの姿勢が一定となり、異なる板
厚の放熱板を有する半導体装置を共通の組立設備で製造
することができる。また、スペーサはリード相互間を連
結する連結部に形成されているので、スペーサはかかる
連結部とともに切断除去され製品の構造に影響しないと
いう利点がある。
放熱板のダイボンディング領域が形成された面の反対面
とのギャップを調整するスペーサが、リード相互間を連
結する連結部に一体形成されているので、異なる板厚の
放熱板を有するリードフレームを同一の搬送装置に載置
しても、リードフレームの姿勢が一定となり、異なる板
厚の放熱板を有する半導体装置を共通の組立設備で製造
することができる。また、スペーサはリード相互間を連
結する連結部に形成されているので、スペーサはかかる
連結部とともに切断除去され製品の構造に影響しないと
いう利点がある。
【００３３】請求項６記載の発明は、例えば図１に示す
ように、請求項５記載の発明において、前記スペーサ５
０の厚みｄ２が前記放熱板９３と前記リード５，６，７
との厚みの差（ｄ３−ｔ）にほぼ等しいことを特徴とす
る。
ように、請求項５記載の発明において、前記スペーサ５
０の厚みｄ２が前記放熱板９３と前記リード５，６，７
との厚みの差（ｄ３−ｔ）にほぼ等しいことを特徴とす
る。
【００３４】したがって請求項６記載の発明によれば、
均一な厚みで形成されたリードフレームと、放熱板がリ
ードの厚みより厚く形成されたリードフレームとを同一
の搬送装置に載置することができ、共通の組立設備を用
いることができる。
均一な厚みで形成されたリードフレームと、放熱板がリ
ードの厚みより厚く形成されたリードフレームとを同一
の搬送装置に載置することができ、共通の組立設備を用
いることができる。
【００３５】請求項７記載の発明は、例えば図１又は図
３に示すように、並設される複数のリード５，６，７
と、そのうち少なくとも一のリード６の先端に連結され
たダイボンディング領域を有する放熱板９３，９４とを
備える一体連結されたリードフレーム３４，３５であっ
て、放熱板９３，９４の厚みの異なる２種のリードフレ
ーム３４，３５を用いて半導体装置２４，２５を製造す
るに際して、放熱板９３の厚い方の種類３４の前記リー
ド相互間を連結する連結部４に、種類間の放熱板の厚み
の差（ｄ３−ｔ）にほぼ等しい厚さを有するスペーサ５
０を一体形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法である。
３に示すように、並設される複数のリード５，６，７
と、そのうち少なくとも一のリード６の先端に連結され
たダイボンディング領域を有する放熱板９３，９４とを
備える一体連結されたリードフレーム３４，３５であっ
て、放熱板９３，９４の厚みの異なる２種のリードフレ
ーム３４，３５を用いて半導体装置２４，２５を製造す
るに際して、放熱板９３の厚い方の種類３４の前記リー
ド相互間を連結する連結部４に、種類間の放熱板の厚み
の差（ｄ３−ｔ）にほぼ等しい厚さを有するスペーサ５
０を一体形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法である。
【００３６】したがって請求項７記載の発明によれば、
放熱板の厚みの異なる２種のリードフレームを用いた半
導体装置を共通の組立設備により製造することができ
る。
放熱板の厚みの異なる２種のリードフレームを用いた半
導体装置を共通の組立設備により製造することができ
る。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態につ
き図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態
であって本発明を限定するものではない。
き図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態
であって本発明を限定するものではない。
【００３８】〔第１の実施の形態〕まず、本発明の第１
の実施の形態の半導体装置（ＴＯ−２２０）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図１及び図２を参
照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態のリ
ードフレーム３４の正面図（ａ）・側面図（ｂ）、及び
そのリードフレーム３４を用いて作製された樹脂封止型
半導体装置２４（ＴＯ−２２０）の正面図（ｃ）・側面
図（ｄ）を示す。なお、図１（ａ）においては個々の製
品となるパターンを２ユニット分のみ描き他は省略し
た。また、図１（ｃ）（ｄ）は封止樹脂１８の外形を破
線で示し、その内部の構成を描いた透視図である。
の実施の形態の半導体装置（ＴＯ−２２０）及びその製
造方法、並びにリードフレームにつき図１及び図２を参
照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態のリ
ードフレーム３４の正面図（ａ）・側面図（ｂ）、及び
そのリードフレーム３４を用いて作製された樹脂封止型
半導体装置２４（ＴＯ−２２０）の正面図（ｃ）・側面
図（ｄ）を示す。なお、図１（ａ）においては個々の製
品となるパターンを２ユニット分のみ描き他は省略し
た。また、図１（ｃ）（ｄ）は封止樹脂１８の外形を破
線で示し、その内部の構成を描いた透視図である。
【００３９】本実施形態のリードフレーム３４は 銅又
は銅合金等の金属シートをプレス抜き加工し、その表面
にニッケルメッキ等を施したものであり、図１に示すよ
うに、中央部連結バー（レール）３、底部連結バー（レ
ール）４を備え、これらにより個々の製品となるパター
ンが多数連結される。上述の従来例１，２，３のように
上部連結バーは無い。各パターン毎には３本のリード
５，６，７を備える。各リード５，６，７は中央部連結
バー３及び底部連結バー４に結合し、支持される。両側
のリード５，７のパッケージ内部となる端（以下、内部
端という。）にはそれぞれボンディングポスト８，１０
が形成され、中央のリード６の内部端には，半導体ダイ
の搭載部を有する金属板である放熱板９３が連結されて
いる。放熱板９３はダイボンディング部９３ａを有し、
ダイボンディング部９３ａの一主面がダイボンディング
領域となる。放熱板９３はリード６と結合する部分を除
き、他の構成部分から離間されている。底部連結バー４
にはパイロットホール１１が穿設されている。
は銅合金等の金属シートをプレス抜き加工し、その表面
にニッケルメッキ等を施したものであり、図１に示すよ
うに、中央部連結バー（レール）３、底部連結バー（レ
ール）４を備え、これらにより個々の製品となるパター
ンが多数連結される。上述の従来例１，２，３のように
上部連結バーは無い。各パターン毎には３本のリード
５，６，７を備える。各リード５，６，７は中央部連結
バー３及び底部連結バー４に結合し、支持される。両側
のリード５，７のパッケージ内部となる端（以下、内部
端という。）にはそれぞれボンディングポスト８，１０
が形成され、中央のリード６の内部端には，半導体ダイ
の搭載部を有する金属板である放熱板９３が連結されて
いる。放熱板９３はダイボンディング部９３ａを有し、
ダイボンディング部９３ａの一主面がダイボンディング
領域となる。放熱板９３はリード６と結合する部分を除
き、他の構成部分から離間されている。底部連結バー４
にはパイロットホール１１が穿設されている。
【００４０】図１（ｃ）（ｄ）に示す本実施形態の樹脂
封止型半導体装置２４はリードフレーム３４を用いて次
のように組み立てられる。 〔ダイボンディング工程〕まず、ダイボンディング部９
３ａに、大電力用途のトランジスタである半導体ダイ１
３を半田ペーストや導電性樹脂接着剤等の接合剤を用い
てダイボンディングし、電気的に接続するとともに機械
的にも強固に接合する。接合剤には熱放散性の良いもの
が用いられる。 〔ワイヤボンディング工程〕次ぎに、半導体ダイ１３の
表面に形成された電極パッド１４，１５とボンディング
ポスト８，１０とをそれぞれボンディングワイヤ１６，
１７により電気的に接続する。 〔樹脂封止工程〕次ぎに、半導体ダイ１３がボンディン
グされたリードフレーム３４を樹脂モールド成型金型に
収め、樹脂モールド装置によりエポキシ樹脂などの樹脂
材料を樹脂モールド成型金型内に注入する。その後、必
要な熱処理を行い、封止樹脂１８を硬化させる。 〔リードカット工程〕次ぎに、図１（ａ）中、破線で示
すような切断線によりリードフレームを切断し、リード
５，６，７を中央部連結バー３から、及びリード６，７
を底部連結バー４からそれぞれ切り離す。すなわち、リ
ード５と底部連結バー４とが結合し、複数個の樹脂封止
型半導体装置が連結された状態とする。但し、これは一
例であって、リード６，７を底部連結バー４から切り離
さず、３本のリード５，６，７と底部連結バー４とが結
合し、複数個の樹脂封止型半導体装置が連結された状態
としても良い。 〔半田ディップ工程〕次ぎに、底部連結バー４によって
連結された複数個の樹脂封止型半導体装置のリード５，
６，７を一括して半田漕に浸し、リード５，６，７の外
部端子部に半田を付着させる。 〔分離工程〕最後に、リード５を底部連結バー４から切
り離して、樹脂封止型半導体装置を個々に分離し、正に
図１（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封止型半導体装置２
４を得る。以上の工程によれば、半導体ダイ１３がボン
ディングされた放熱板９３付近で連結部の切断は行われ
ないので、切り離し切断による半導体ダイへの応力ダメ
ージのない樹脂封止型半導体装置２４を、以上のような
簡易な工程で低コストに得ることができる。
封止型半導体装置２４はリードフレーム３４を用いて次
のように組み立てられる。 〔ダイボンディング工程〕まず、ダイボンディング部９
３ａに、大電力用途のトランジスタである半導体ダイ１
３を半田ペーストや導電性樹脂接着剤等の接合剤を用い
てダイボンディングし、電気的に接続するとともに機械
的にも強固に接合する。接合剤には熱放散性の良いもの
が用いられる。 〔ワイヤボンディング工程〕次ぎに、半導体ダイ１３の
表面に形成された電極パッド１４，１５とボンディング
ポスト８，１０とをそれぞれボンディングワイヤ１６，
１７により電気的に接続する。 〔樹脂封止工程〕次ぎに、半導体ダイ１３がボンディン
グされたリードフレーム３４を樹脂モールド成型金型に
収め、樹脂モールド装置によりエポキシ樹脂などの樹脂
材料を樹脂モールド成型金型内に注入する。その後、必
要な熱処理を行い、封止樹脂１８を硬化させる。 〔リードカット工程〕次ぎに、図１（ａ）中、破線で示
すような切断線によりリードフレームを切断し、リード
５，６，７を中央部連結バー３から、及びリード６，７
を底部連結バー４からそれぞれ切り離す。すなわち、リ
ード５と底部連結バー４とが結合し、複数個の樹脂封止
型半導体装置が連結された状態とする。但し、これは一
例であって、リード６，７を底部連結バー４から切り離
さず、３本のリード５，６，７と底部連結バー４とが結
合し、複数個の樹脂封止型半導体装置が連結された状態
としても良い。 〔半田ディップ工程〕次ぎに、底部連結バー４によって
連結された複数個の樹脂封止型半導体装置のリード５，
６，７を一括して半田漕に浸し、リード５，６，７の外
部端子部に半田を付着させる。 〔分離工程〕最後に、リード５を底部連結バー４から切
り離して、樹脂封止型半導体装置を個々に分離し、正に
図１（ｃ）（ｄ）に示すような樹脂封止型半導体装置２
４を得る。以上の工程によれば、半導体ダイ１３がボン
ディングされた放熱板９３付近で連結部の切断は行われ
ないので、切り離し切断による半導体ダイへの応力ダメ
ージのない樹脂封止型半導体装置２４を、以上のような
簡易な工程で低コストに得ることができる。
【００４１】図１（ｃ）（ｄ）に示すように本実施形態
の樹脂封止型半導体装置２４は、半導体ダイ１３、ボン
ディングワイヤ１６，１７、及びボンディングポスト
８，１０が封止樹脂１８により封止され、封止樹脂１８
の底部から三本のリード５，６，７が突出して外部端子
を形成し、対する封止樹脂１８の上部に放熱板９３の上
端がわずかに突出して封止樹脂１８から露出した構成で
ある。また図１（ｄ）に示すように放熱板９３の板厚は
リード板厚ｔより厚く形成され、ダイボンディング部９
３ａの半導体ダイ１３が接合される面と反対側の面も封
止樹脂１８から露出した構成をとる。また、本実施形態
のリードフレーム３４には上部連結バーがなく、放熱板
９３はリード６のみによって支持され、半導体装置組立
過程において放熱板９３は支持部（連結部）を切断され
ることはないので、上述の従来例１，２，３ように放熱
板に切断面が形成されることはない。図２に本発明の第
１の実施の形態の樹脂封止型半導体倒置２４の部分断面
図（図１（ｄ）におけるＡ−Ａ線部分断面図）を示し
た。図２に示すように樹脂封止型半導体装置２４におい
ては、放熱板９３は銅又は銅合金等からなる素材４４の
表面にニッケルメッキ等のメッキ層４５が形成されてな
り、放熱板９３の切断加工面が連続して同一のメッキ層
４５により被覆されてなる。放熱板９３の封止樹脂１８
に被覆される部分に被着するメッキ層４５ａに連続する
メッキ層４５ｂにより、放熱板９３の封止樹脂１８から
露出する部分の切断加工面の全域が被覆される。したが
って、放熱板９３は完全にメッキにより被覆され、これ
により耐腐食性、耐浸食性が向上する。
の樹脂封止型半導体装置２４は、半導体ダイ１３、ボン
ディングワイヤ１６，１７、及びボンディングポスト
８，１０が封止樹脂１８により封止され、封止樹脂１８
の底部から三本のリード５，６，７が突出して外部端子
を形成し、対する封止樹脂１８の上部に放熱板９３の上
端がわずかに突出して封止樹脂１８から露出した構成で
ある。また図１（ｄ）に示すように放熱板９３の板厚は
リード板厚ｔより厚く形成され、ダイボンディング部９
３ａの半導体ダイ１３が接合される面と反対側の面も封
止樹脂１８から露出した構成をとる。また、本実施形態
のリードフレーム３４には上部連結バーがなく、放熱板
９３はリード６のみによって支持され、半導体装置組立
過程において放熱板９３は支持部（連結部）を切断され
ることはないので、上述の従来例１，２，３ように放熱
板に切断面が形成されることはない。図２に本発明の第
１の実施の形態の樹脂封止型半導体倒置２４の部分断面
図（図１（ｄ）におけるＡ−Ａ線部分断面図）を示し
た。図２に示すように樹脂封止型半導体装置２４におい
ては、放熱板９３は銅又は銅合金等からなる素材４４の
表面にニッケルメッキ等のメッキ層４５が形成されてな
り、放熱板９３の切断加工面が連続して同一のメッキ層
４５により被覆されてなる。放熱板９３の封止樹脂１８
に被覆される部分に被着するメッキ層４５ａに連続する
メッキ層４５ｂにより、放熱板９３の封止樹脂１８から
露出する部分の切断加工面の全域が被覆される。したが
って、放熱板９３は完全にメッキにより被覆され、これ
により耐腐食性、耐浸食性が向上する。
【００４２】〔第２の実施の形態〕次ぎに、本発明の第
２の実施の形態につき、図３を参照して説明する。図３
は本発明の第２の実施の形態のリードフレーム３５の正
面図（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３
５を用いて作製された樹脂封止型半導体装置２５（ＴＯ
−２２０Ｆ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。な
お、図３（ａ）においては個々の製品となるパターンを
２ユニット分のみ描き他は省略した。また、図３（ｃ）
（ｄ）は封止樹脂４８の外形を破線で示し、その内部の
構成を描いた透視図である。
２の実施の形態につき、図３を参照して説明する。図３
は本発明の第２の実施の形態のリードフレーム３５の正
面図（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３
５を用いて作製された樹脂封止型半導体装置２５（ＴＯ
−２２０Ｆ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）を示す。な
お、図３（ａ）においては個々の製品となるパターンを
２ユニット分のみ描き他は省略した。また、図３（ｃ）
（ｄ）は封止樹脂４８の外形を破線で示し、その内部の
構成を描いた透視図である。
【００４３】本実施形態のリードフレーム３５は、第１
の実施の形態のリードフレーム３４と同様の構成を有す
るが、放熱板９４の形状が異なる。図３（ａ）（ｂ）に
示すように、中央のリード６の内部端には，半導体ダイ
の搭載部を有する金属板である放熱板９４が連結されて
いる。放熱板９４はダイボンディング部９４ａを有し、
ダイボンディング部９４ａの一主面がダイボンディング
領域となる。放熱板９４はリード６と結合する部分を除
き、他の構成部分から離間されている。しかし、放熱板
９４は第１の実施の形態の放熱板９３とは異なりタブ部
９４ｂを有する。タブ部９４ｂはダイボンディング部９
４ａに連続して略Ｕ字状に突出するように形成されてい
る。
の実施の形態のリードフレーム３４と同様の構成を有す
るが、放熱板９４の形状が異なる。図３（ａ）（ｂ）に
示すように、中央のリード６の内部端には，半導体ダイ
の搭載部を有する金属板である放熱板９４が連結されて
いる。放熱板９４はダイボンディング部９４ａを有し、
ダイボンディング部９４ａの一主面がダイボンディング
領域となる。放熱板９４はリード６と結合する部分を除
き、他の構成部分から離間されている。しかし、放熱板
９４は第１の実施の形態の放熱板９３とは異なりタブ部
９４ｂを有する。タブ部９４ｂはダイボンディング部９
４ａに連続して略Ｕ字状に突出するように形成されてい
る。
【００４４】一方、図３（ｃ）（ｄ）に示すようにリー
ドフレーム３５を用いて作製された樹脂封止型半導体装
置２５は、放熱板９４が完全に封止樹脂４８により完全
に封止されている点で、第１の実施の形態の樹脂封止型
半導体装置２４とな異なる。封止樹脂４８のタブ部９４
ｂを覆う部分の中央には取り付け用ホール４９がモール
ド成型されている。ちょうど取り付け用ホール４９を避
けるようにタブ部９４ｂは封止樹脂４８内に内在する。
ドフレーム３５を用いて作製された樹脂封止型半導体装
置２５は、放熱板９４が完全に封止樹脂４８により完全
に封止されている点で、第１の実施の形態の樹脂封止型
半導体装置２４とな異なる。封止樹脂４８のタブ部９４
ｂを覆う部分の中央には取り付け用ホール４９がモール
ド成型されている。ちょうど取り付け用ホール４９を避
けるようにタブ部９４ｂは封止樹脂４８内に内在する。
【００４５】以上のようにタブ有りフルモールドタイプ
の半導体装置２５にも本発明は適用可能であり、耐腐食
性、耐浸食性が向上され、切断による応力ダメージが払
拭され信頼性の高いタブ有りタイプの半導体装置を得る
ことができる。リードフレーム３５を用いて樹脂封止型
半導体装置２５を組み立てる際には、第１の実施の形態
と同様の装置によりダイボンディング工程、ワイヤボン
ディング工程を経て、その後封止樹脂４８を成型するた
めの樹脂モールド成型金型を使用して樹脂封止し、さら
に、第１の実施の形態と同様の装置によりリードカット
工程、半田ディップ工程、分離工程を行うことにより、
設備投資増加を低く抑えて安価に生産することができ
る。
の半導体装置２５にも本発明は適用可能であり、耐腐食
性、耐浸食性が向上され、切断による応力ダメージが払
拭され信頼性の高いタブ有りタイプの半導体装置を得る
ことができる。リードフレーム３５を用いて樹脂封止型
半導体装置２５を組み立てる際には、第１の実施の形態
と同様の装置によりダイボンディング工程、ワイヤボン
ディング工程を経て、その後封止樹脂４８を成型するた
めの樹脂モールド成型金型を使用して樹脂封止し、さら
に、第１の実施の形態と同様の装置によりリードカット
工程、半田ディップ工程、分離工程を行うことにより、
設備投資増加を低く抑えて安価に生産することができ
る。
【００４６】〔第３の実施の形態〕次ぎに、本発明の第
３の実施の形態につき、図１及び図３を参照して説明す
る。
３の実施の形態につき、図１及び図３を参照して説明す
る。
【００４７】図１（ｂ）（ｄ）及び図３（ｂ）（ｄ）に
示すように樹脂封止型半導体装置２４と樹脂封止型半導
体装置２５とは、規格の要請上同一の寸法ｔ及びＧを有
する。寸法ｔはリードの厚みである。寸法Ｇはリード裏
面からパッケージ裏面までの距離である。ここで、裏面
とは半導体ダイ１３が接合される面の反対側の面をい
う。しかし、半導体装置２５の放熱板９４の厚みが寸法
ｔで形成されているのに対し、半導体装置２４の放熱板
９３の厚みが寸法ｔより厚く形成されている。そのた
め、リード裏面から放熱板裏面までの距離は異なる。一
方、樹脂封止前のダイボンディング工程、ワイヤボンデ
ィング工程においては封止樹脂１８，４８が構成されて
いない。
示すように樹脂封止型半導体装置２４と樹脂封止型半導
体装置２５とは、規格の要請上同一の寸法ｔ及びＧを有
する。寸法ｔはリードの厚みである。寸法Ｇはリード裏
面からパッケージ裏面までの距離である。ここで、裏面
とは半導体ダイ１３が接合される面の反対側の面をい
う。しかし、半導体装置２５の放熱板９４の厚みが寸法
ｔで形成されているのに対し、半導体装置２４の放熱板
９３の厚みが寸法ｔより厚く形成されている。そのた
め、リード裏面から放熱板裏面までの距離は異なる。一
方、樹脂封止前のダイボンディング工程、ワイヤボンデ
ィング工程においては封止樹脂１８，４８が構成されて
いない。
【００４８】そこで、ダイボンディング工程、ワイヤボ
ンディング工程において、半導体装置２４と半導体装置
２５とを共通の組立装置で組み立て可能とするために、
スペーサ５０をリード相互間を連結する連結部である底
部連結バー４の裏面側に一体形成する。スペーサ５０の
厚みは寸法ｄ２とされ、寸法ｄ２は放熱板９３の厚みｄ
３から放熱板９４の厚みｔを差し引いた分に等しくされ
ている（ｄ２＝ｄ３−ｔ）。したがって、リードフレー
ム３５における底部連結バー４裏面から放熱板９４裏面
までの距離ｄ１と、リードフレーム３４における底部連
結バー４裏面から放熱板９３裏面までの距離はｄ１とは
等しくなる。すなわち、底部連結バー４にスペーサ５０
を一体形成し、載置する際の頭部（放熱板９３のある部
分）と底部（底部連結バー４のある部分）とのギャップ
を調整する。以上のようにスペーサ５０をリードフレー
ム３４に設けたので、リードフレーム３５を載置する搬
送装置のレール上に、リードフレーム３５に代えてリー
ドフレーム３４を載置しても据わりが良いため、ダイボ
ンディング工程、ワイヤボンディングマシ工程における
設備を半導体装置２４と半導体装置２５とで共用するこ
とができ、効率よく安価に生産することができる。（第
３の実施の形態終わり）
ンディング工程において、半導体装置２４と半導体装置
２５とを共通の組立装置で組み立て可能とするために、
スペーサ５０をリード相互間を連結する連結部である底
部連結バー４の裏面側に一体形成する。スペーサ５０の
厚みは寸法ｄ２とされ、寸法ｄ２は放熱板９３の厚みｄ
３から放熱板９４の厚みｔを差し引いた分に等しくされ
ている（ｄ２＝ｄ３−ｔ）。したがって、リードフレー
ム３５における底部連結バー４裏面から放熱板９４裏面
までの距離ｄ１と、リードフレーム３４における底部連
結バー４裏面から放熱板９３裏面までの距離はｄ１とは
等しくなる。すなわち、底部連結バー４にスペーサ５０
を一体形成し、載置する際の頭部（放熱板９３のある部
分）と底部（底部連結バー４のある部分）とのギャップ
を調整する。以上のようにスペーサ５０をリードフレー
ム３４に設けたので、リードフレーム３５を載置する搬
送装置のレール上に、リードフレーム３５に代えてリー
ドフレーム３４を載置しても据わりが良いため、ダイボ
ンディング工程、ワイヤボンディングマシ工程における
設備を半導体装置２４と半導体装置２５とで共用するこ
とができ、効率よく安価に生産することができる。（第
３の実施の形態終わり）
【００４９】なお、以上の実施の形態においては、半導
体装置を樹脂封止型としたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、用途に応じガラス封止のセラミックパ
ッケージとしても良い。また、リードフレーム材料とし
てはＣｕ合金のほかＦｅ−Ｎｉ４２合金（４２アロイ）
を使用しても良い。また、リードフレームのメッキ材料
としては、ニッケルのほか、スズ−鉛合金であるはんだ
メッキを使用しても良い。半導体ダイ１３としては、大
電力用途のバイポーラトランジスタのほか、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ、ダイオードを適用することができる。
体装置を樹脂封止型としたが、本発明はこれに限定され
るものではなく、用途に応じガラス封止のセラミックパ
ッケージとしても良い。また、リードフレーム材料とし
てはＣｕ合金のほかＦｅ−Ｎｉ４２合金（４２アロイ）
を使用しても良い。また、リードフレームのメッキ材料
としては、ニッケルのほか、スズ−鉛合金であるはんだ
メッキを使用しても良い。半導体ダイ１３としては、大
電力用途のバイポーラトランジスタのほか、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ、ダイオードを適用することができる。
【００５０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、放熱板の
切断加工面が連続して同一のメッキ層により被覆されて
いるので、放熱板の素材の露出部分を無くすことがで
き、耐腐食性、耐浸食性を向上することができるという
効果がある。また本発明は、放熱板がリードと結合する
部分を除き、他の構成部分から離間されているので放熱
板に切り離すべき連結部がなく、半導体ダイが接合され
る放熱板に加わる応力が少ないので、応力ダメージのな
い信頼性の高い半導体装置を簡易な工程で低コストに作
製することができるという効果がある。さらに本発明
は、放熱板のダイボンディング領域が形成された面の反
対面とのギャップを調整するスペーサが、リード相互間
を連結する連結部に一体形成されているので、異なる板
厚の放熱板を有するリードフレームを同一の搬送装置に
載置しても、リードフレームの姿勢が一定となり、異な
る板厚の放熱板を有する半導体装置を共通の組立設備で
製造することができるという効果がある。
切断加工面が連続して同一のメッキ層により被覆されて
いるので、放熱板の素材の露出部分を無くすことがで
き、耐腐食性、耐浸食性を向上することができるという
効果がある。また本発明は、放熱板がリードと結合する
部分を除き、他の構成部分から離間されているので放熱
板に切り離すべき連結部がなく、半導体ダイが接合され
る放熱板に加わる応力が少ないので、応力ダメージのな
い信頼性の高い半導体装置を簡易な工程で低コストに作
製することができるという効果がある。さらに本発明
は、放熱板のダイボンディング領域が形成された面の反
対面とのギャップを調整するスペーサが、リード相互間
を連結する連結部に一体形成されているので、異なる板
厚の放熱板を有するリードフレームを同一の搬送装置に
載置しても、リードフレームの姿勢が一定となり、異な
る板厚の放熱板を有する半導体装置を共通の組立設備で
製造することができるという効果がある。
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施の形態のリードフレーム３
４の正面図（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレ
ーム３４を用いて作製された樹脂封止型半導体装置２４
（ＴＯ−２２０）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）であ
る。
４の正面図（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレ
ーム３４を用いて作製された樹脂封止型半導体装置２４
（ＴＯ−２２０）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）であ
る。
【図２】本発明の第１の実施の形態の樹脂封止型半導体
倒置２４の部分断面模式図（図１（ｄ）におけるＡ−Ａ
線部分断面図）である。
倒置２４の部分断面模式図（図１（ｄ）におけるＡ−Ａ
線部分断面図）である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のリードフレーム３
５の正面図（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレ
ーム３５を用いて作製された樹脂封止型半導体装置２５
（ＴＯ−２２０Ｆ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）であ
る。
５の正面図（ａ）・側面図（ｂ）、及びそのリードフレ
ーム３５を用いて作製された樹脂封止型半導体装置２５
（ＴＯ−２２０Ｆ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）であ
る。
【図４】従来例１のリードフレーム３１の正面図（ａ）
・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３１を用いて
作製された樹脂封止型半導体装置２１（ＴＯ−２２０Ａ
Ｂ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）である。
・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３１を用いて
作製された樹脂封止型半導体装置２１（ＴＯ−２２０Ａ
Ｂ）の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）である。
【図５】従来例２のリードフレーム３２の正面図（ａ）
・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３２を用いて
作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２２０）
の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）である。
・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３２を用いて
作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２２０）
の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）である。
【図６】従来例３のリードフレーム３３の正面図（ａ）
・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３３を用いて
作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２２０）
の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）である。
・側面図（ｂ）、及びそのリードフレーム３３を用いて
作製された樹脂封止型半導体装置２２（ＴＯ−２２０）
の正面図（ｃ）・側面図（ｄ）である。
【図７】タブカット工程における樹脂封止型半導体装置
２２の部分斜視図（ａ１）及びその応力分布図（ａ
２）、並びにタブカット工程における樹脂封止型半導体
装置２３の部分斜視図（ｂ１）及びその応力分布図（ｂ
２）である。
２２の部分斜視図（ａ１）及びその応力分布図（ａ
２）、並びにタブカット工程における樹脂封止型半導体
装置２３の部分斜視図（ｂ１）及びその応力分布図（ｂ
２）である。
【図８】従来例１，２，３の樹脂封止型半導体装置２
１、２２，２３の部分断面模式図
１、２２，２３の部分断面模式図
２…上部連結バー（レール） ３…中央部連結バー（レール） ４…底部連結バー（レール） ５，６，７…リード ８…ボンディングポスト ９，９１，９２，９３，９４…放熱板 ９ａ，９１ａ，９２ａ，９３ａ，９４ａ…ダイボンディ
ング部 ９ｂ，９１ｂ，９２ｂ…タブ部 １０…ボンディングポスト １１…パイロットホール １２、４９…取り付け用ホール １３…半導体ダイ １４，１５…電極パッド １６，１７…ボンディングワイヤ １８、４８…封止樹脂 １９…プレカット孔 ２０…プレカット切欠 ２１，２２，２３…従来例の樹脂封止型半導体装置 ２４，２５…本発明実施形態の樹脂封止型半導体装置 ３１，３２，３３…従来例のリードフレーム ３４，３５…本発明実施形態のリードフレーム ４１，４２，４３…切断面 ４４…素材 ４５…メッキ層 ４６，４７…切断線 ５０…スペーサ
ング部 ９ｂ，９１ｂ，９２ｂ…タブ部 １０…ボンディングポスト １１…パイロットホール １２、４９…取り付け用ホール １３…半導体ダイ １４，１５…電極パッド １６，１７…ボンディングワイヤ １８、４８…封止樹脂 １９…プレカット孔 ２０…プレカット切欠 ２１，２２，２３…従来例の樹脂封止型半導体装置 ２４，２５…本発明実施形態の樹脂封止型半導体装置 ３１，３２，３３…従来例のリードフレーム ３４，３５…本発明実施形態のリードフレーム ４１，４２，４３…切断面 ４４…素材 ４５…メッキ層 ４６，４７…切断線 ５０…スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 敏幸 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内 (72)発明者 瀧川 信生 神奈川県秦野市曽屋1204番地 日本インタ ー株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 リードの内部端に連結された放熱板に半
導体ダイがボンディングされ、樹脂封止されてなる半導
体装置において、前記放熱板の切断加工面が連続して同
一のメッキ層により被覆されてなることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 リードの内部端に連結された放熱板に半
導体ダイがボンディングされ、樹脂封止されてなる半導
体装置において、前記放熱板の封止樹脂に被覆される部
分に被着するメッキ層に連続するメッキ層により、前記
放熱板の前記封止樹脂から露出する部分の切断加工面の
全域が被覆されてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 並設される複数のリードと、そのうち少
なくとも一のリードの先端に連結されたダイボンディン
グ領域を有する放熱板とを備える一体連結されたリード
フレームであって、前記放熱板が、前記一のリードと結
合する部分を除き、他の構成部分から離間されてなるこ
とを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項３記載のリードフレームにメッキ
を施し、その後、そのリードフレームに半導体ダイをボ
ンディングし、その後、封止材料により前記半導体ダイ
を封止し、その後、半導体装置に不要なリードフレーム
の連結部を切断除去することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 並設される複数のリードと、そのうち少
なくとも一のリードの先端に連結されたダイボンディン
グ領域を有する放熱板とを備える一体連結されたリード
フレームであって、前記放熱板がリードの厚みより厚
く、前記放熱板の前記ダイボンディング領域が形成され
た面の反対面とのギャップを調整するスペーサが、前記
リード相互間を連結する連結部に一体形成されてなるこ
とを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項６】 前記スペーサの厚みが前記放熱板と前記
リードとの厚みの差にほぼ等しいことを特徴とする請求
項５記載のリードフレーム。 - 【請求項７】 並設される複数のリードと、そのうち少
なくとも一のリードの先端に連結されたダイボンディン
グ領域を有する放熱板とを備える一体連結されたリード
フレームであって、放熱板の厚みの異なる２種のリード
フレームを用いて半導体装置を製造するに際して、放熱
板の厚い方の種類の前記リード相互間を連結する連結部
に、種類間の放熱板の厚みの差にほぼ等しい厚さを有す
るスペーサを一体形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048938A JP4728490B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048938A JP4728490B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252319A true JP2002252319A (ja) | 2002-09-06 |
| JP4728490B2 JP4728490B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=18910120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001048938A Expired - Lifetime JP4728490B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4728490B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107731775A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-23 | 铜陵中锐电子科技有限公司 | 适用于连续充填技术的to251型八排引线框架 |
| JP2021510235A (ja) * | 2018-11-29 | 2021-04-15 | コステックシス カンパニー リミテッド | 入出力回路が内蔵された電力増幅器用パッケージの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180127A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048938A patent/JP4728490B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180127A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107731775A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-23 | 铜陵中锐电子科技有限公司 | 适用于连续充填技术的to251型八排引线框架 |
| JP2021510235A (ja) * | 2018-11-29 | 2021-04-15 | コステックシス カンパニー リミテッド | 入出力回路が内蔵された電力増幅器用パッケージの製造方法 |
| JP7102525B2 (ja) | 2018-11-29 | 2022-07-19 | コステックシス カンパニー リミテッド | 入出力回路が内蔵された電力増幅器用パッケージの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4728490B2 (ja) | 2011-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9741641B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| US6479888B1 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
| US8389336B2 (en) | Semiconductor device package and method of assembly thereof | |
| US5429992A (en) | Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion | |
| US7166496B1 (en) | Method of making a packaged semiconductor device | |
| US6841414B1 (en) | Saw and etch singulation method for a chip package | |
| US7579674B2 (en) | Semiconductor package configuration with improved lead portion arrangement | |
| US7838340B2 (en) | Pre-molded clip structure | |
| US6157074A (en) | Lead frame adapted for variable sized devices, semiconductor package with such lead frame and method for using same | |
| TWI235440B (en) | Method for making leadless semiconductor package | |
| US20100193922A1 (en) | Semiconductor chip package | |
| US5299091A (en) | Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same | |
| US6573119B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacture thereof | |
| US20100052124A1 (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device | |
| KR950000205B1 (ko) | 리이드 프레임 및 이를 사용한 반도체 장치 | |
| JP3801989B2 (ja) | リードフレームパッドから張り出しているダイを有する半導体装置パッケージ | |
| JP6695156B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US11502045B2 (en) | Electronic device with step cut lead | |
| JP2004363365A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20110115062A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP4409064B2 (ja) | パワー素子を含む半導体装置 | |
| US10840172B2 (en) | Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for forming a semiconductor package | |
| US8124462B2 (en) | Enhanced integrated circuit package | |
| JP2002252319A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びにリードフレーム | |
| US20230245942A1 (en) | Semiconductor device package with integral heat slug |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080204 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110208 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110415 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |