JP2002246621A - 太陽電池用セラミックス基板及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池用セラミックス基板及びその製造方法Info
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Abstract
用セラミックス基板及び低コストの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 本太陽電池用セラミックス基板は、主成
分としての酸化亜鉛と他の酸化物(酸化アルミニウム
等)とを含有し、基板の表面層における酸化亜鉛の含有
量が、中心部の酸化亜鉛の含有量よりも少ない。基板の
抵抗率が10Ω・cm以下であり、500〜700nm
の波長の光に対する反射率が40%以上である。本製造
方法は、酸化亜鉛粉末100重量部に対して他の酸化物
の粉末0.001〜10重量部を含有する原料粉末を成
形して焼成する。
Description
ックス基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、電
気抵抗が低く、且つ反射率が高い太陽電池用セラミック
ス基板及び効率よく低コストで製造可能なその製造方法
に関する。本発明の太陽電池用セラミックス基板は、薄
膜太陽電池等に用いられる。
リコン等によるものが実用化されているが、製造工程が
複雑で高コストのこれらに代わる材料が求められてい
る。特に、太陽電池用基板の上に半導体層が形成されて
いる場合の薄膜太陽電池用基板に求められる特性として
は、基板自体が電極を兼ねることから、電気抵抗が低い
こと、及び太陽光に対する基板表面の反射率が高いこと
が挙げられる。特開2000−216414号公報にお
いては、太陽電池用基板として、炭化珪素を主成分とす
る焼結体が開示されている。この炭化珪素を用いた基板
は、抵抗率が高いといった問題がある。また、太陽光に
対する反射率を高めるための基板表面の平滑度の指標と
して表面粗さを規定しているが、反射率に関する言及は
されていない。また、特開平8−181342号公報に
おいては、白色系セラミックスであるアルミナを用いた
太陽電池用基板が開示されている。これは、太陽光に対
し高い反射率を示すが、絶縁体であるため基板表面に導
電性膜を形成しなければならないといった問題がある。
上記公報のいずれも複雑な製造工程を要し、コスト高を
解決するに至っていない。
鑑みてなされたものであり、電気抵抗が低く、且つ反射
率が高い太陽電池用セラミックス基板及び効率よく低コ
ストで製造可能なその製造方法を提供することを目的と
する。
用セラミックス基板は、主成分としての酸化亜鉛と他の
酸化物とを含有する太陽電池用セラミックス基板であっ
て、上記セラミックス基板の表面層における酸化亜鉛の
含有量が、中心部の該酸化亜鉛の含有量よりも少ないこ
とを特徴とする。
いが、高純度のものが好ましい。上記「他の酸化物」は
酸化亜鉛以外のものであれば特に限定されないが、好ま
しくはAl,Ga,Y,In,La,Si,Ti,G
e,Zr,Sn,Nb及びTaから選ばれる少なくとも
1種の酸化物とすることができる。これらの酸化物とし
ては、例えば、Al2O3,Ga2O3,Y2O3,In
2O3,La2O3,SiO 2,TiO2,GeO2,Zr
O2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5等を挙げることがで
きる。また、上記他の酸化物としては、Al2O3のよう
なMxOyの形のみでなく、BaTiO3のような複酸化
物でもよい。更に、上記他の酸化物は、熱処理等により
得られる酸素欠損型の酸化物(TiO2-X,Nb
2O5-X,MTiO3-X,Mはアルカリ土類元素)であっ
てもよい。上記他の酸化物は1種単独でもあるいは2種
以上でもよい。上記例示した酸化物のうち、酸化アルミ
ニウムAl2O3が好ましく用いられる。
る。また、酸化亜鉛に上記例示した酸化物が含有される
と、これによって電荷量が増加し、更に導電性が高くな
る。例えば、酸化亜鉛を主成分として酸化アルミニウム
が含有されると、一部のAlはZnを置換し、その荷電
子のうち2つを酸素との結合に使い、残りの1つを伝導
電子として与えることにより高い導電性が発現する。太
陽電池用基板の導電性が高いほど、太陽電池の光電変換
効率も向上する。
100重量部に対して、好ましくは0.001〜10重
量部、より好ましくは0.01〜7重量部、更に好まし
くは0.1〜5重量部とすることができる。上記他の酸
化物の含有量が0.001重量部未満では導電性を与え
るために添加した他の酸化物が少なすぎて伝導電子の密
度が低いので電気抵抗が上がり、一方、10重量部を超
えると添加した他の酸化物の絶縁性の効果が上がるため
に全体の電気抵抗が高くなり、いずれも好ましくない。
いて、酸化亜鉛の含有量は、基板の中心部に比べて表面
層のほうが少ないが、表面層の酸化亜鉛の含有量は、中
心部の酸化亜鉛の含有量を100%とした場合、好まし
くは99.9%以下、より好ましくは99.5%以下、
更に好ましくは98.5%以下とすることができる。
尚、通常、下限は90%である。表面層の含有量が中心
部の含有量に対し99.9%を超えると、太陽光に対す
る基板表面の反射率が低下するため、好ましくない。
尚、上記表面層における酸化亜鉛の少ない分は上記他の
酸化物によって構成される。本発明の太陽電池用セラミ
ックス基板は、酸化亜鉛含有量の少ない表面層を有する
その表面が太陽光に対して高反射率であり、その基板表
面の色は、白色に近いものほど反射率が高くなる。
さは特に限定されないが、好ましくは50〜500μ
m、より好ましくは100〜450μm、更に好ましく
は100〜400μmとすることができる。50μm未
満では太陽光に対する反射率が低くなり、一方、500
μmを超えると電気抵抗が高くなり、いずれも好ましく
ない。
記酸化亜鉛及び他の酸化物以外に基板の導電性及び太陽
光に対する反射率を下げずに基板の強度を上げる等の目
的で、炭化ホウ素、炭化珪素、窒化ホウ素、窒化アルミ
ニウム、窒化珪素等を含有させることができる。これら
の含有量は、上記酸化亜鉛100重量部に対して、好ま
しくは0.1〜10重量部、より好ましくは0.5〜7
重量部、更に好ましくは1〜5重量部とすることができ
る。
は、基板が電極を兼ねることから低いことが好ましく、
好ましくは10Ω・cm以下、より好ましくは5Ω・c
m以下、更に好ましくは3Ω・cm以下、特に好ましく
は1Ω・cm以下とすることができる。上記抵抗率が1
0Ω・cmを超えると抵抗によるロスが大きくなり好ま
しくない。尚、抵抗率の測定方法は実施例において示
す。
0〜700nmの波長領域の光に対する表面の反射率
を、好ましくは40%以上、より好ましくは45%以
上、更に好ましくは50%以上とすることができる。上
記反射率が40%未満では反射光を利用して光電変換効
率を向上させる効果が少なく、実用的でないため好まし
くない。
板は、主成分としての酸化亜鉛と他の酸化物とを含有す
る太陽電池用セラミックス基板であって、主原料として
の酸化亜鉛粉末と他の酸化物の粉末とを含有する原料粉
末を成形し、焼成して表面部の酸化亜鉛の一部を揮散さ
せることにより、上記セラミックス基板の表面層におけ
る該酸化亜鉛の含有量が、中心部の該酸化亜鉛の含有量
よりも少ないことを特徴とする。
板の製造方法は、主原料としての酸化亜鉛粉末と他の酸
化物の粉末とを含有する原料粉末を成形して焼成するこ
とを特徴とする。上記「酸化亜鉛粉末」としては高純度
のものであれば特に限定されない。また、粒子の形状も
特に限定されない。平均粒子径は好ましくは3μm以
下、より好ましくは1μm以下である。但し、下限は、
通常0.01μmである。更に、比表面積も特に限定さ
れず、通常、2〜6m2/gのものが好ましく用いられ
る。
示したものを用いることができ、また、高純度のものが
好ましく用いられる。粒子の形状も特に限定されない。
平均粒子径は好ましくは3μm以下、より好ましくは1
μm以下である。但し、下限は、通常0.01μmであ
る。更に、比表面積も特に限定されず、通常、2〜8m
2/gのものが好ましい。上記他の酸化物としては、A
l2O3が好ましく用いられる。上記他の酸化物の粉末の
配合量は上記酸化亜鉛粉末100重量部に対して、好ま
しくは0.001〜10重量部、より好ましくは0.0
1〜7重量部、更に好ましくは0.1〜5重量部とする
ことができる。
他の酸化物の粉末以外に、炭化ホウ素粉末、炭化珪素粉
末、窒化ホウ素粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素
粉末等を1種単独であるいは2種以上を組み合わせて使
用することができ、これらの粉末の使用量は、上記酸化
亜鉛100重量部に対して、好ましくは0.1〜10重
量部、より好ましくは0.5〜7重量部、更に好ましく
は1〜5重量部とすることができる。
等を配合してもよい。上記「バインダー」としては、成
形体の形状を保持することができるものであるならば、
特に限定されない。その例としては、ポリビニルアルコ
ール、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロー
ス、アセチルセルロース、ポリビニルエーテル、ポリビ
ニルブチラール等が挙げられ、1種単独であるいは2種
以上を組み合わせて用いることができる。上記バインダ
ーの使用量は、原料粉末100重量部に対して、好まし
くは0.5〜20重量部、より好ましくは1〜17重量
部、更に好ましくは1〜15重量部とすることができ
る。
例えばジブチルフタレート、グリセリン、ポリエチレン
グリコール等が挙げられる。上記可塑剤の使用量は、原
料粉末100重量部に対して、好ましくは0.1〜8重
量部、より好ましくは0.1〜6重量部、更に好ましく
は0.2〜4重量部とすることができる。
限定されないが、乾式加圧成形法、ドクターブレード
法、押し出し法及びロール法等によって成形体とされ
る。例えば、乾式加圧成形の場合、加圧成形時の圧力も
特に限定されないが、好ましくは50MPa以上、より
好ましくは80MPa以上とするのがよい。この成形体
を大気中で焼成することによって、導電性を有するセラ
ミックス基板を得ることができる。
が、焼成温度は、好ましくは1100〜1500℃、よ
り好ましくは1200〜1450℃、更に好ましくは1
250〜1400℃とすることができる。焼成時間は、
焼成温度によるが、焼成温度が1100〜1300℃の
場合は、好ましくは0.5〜6時間、より好ましくは1
〜5時間、更に好ましくは2〜4時間とすることがで
き、焼成温度が1300〜1500℃の場合は、好まし
くは0.1〜4時間、より好ましくは0.3〜4時間、
更に好ましくは0.5〜3時間とすることができる。
含有する原料粉末からなる成形体を焼成すると、表面層
の酸化亜鉛以外の他の酸化物はそのまま残り、表面層に
存在する酸化亜鉛の一部が揮散することによって表面層
の酸化亜鉛の含有量は、中心部の含有量より少なくする
ことができる。
成後に得られる基板の断面を観察することによって、判
別することができる。即ち、例えば酸化亜鉛と酸化アル
ミニウムが1%添加された原料粉末からなる成形体を焼
成すると、青みのかった灰色の外観を有する焼結体が得
られる。この焼結体を断面方向に切断すると、表面層の
み色が薄く、中心部は色が濃くなる。色の異なる2箇所
の組成を定量分析すると酸化亜鉛含有量が異なることか
ら、このようにして酸化亜鉛含有量の少ない表面層の厚
さを求めることができる。
その製造方法によって得られる太陽電池用基板の表面
の、太陽光に対する反射率は、基板表面の色とその濃度
に関連しており、ある1種類の色について着目した場
合、その色の濃度が小さいほど、即ち、白色に近いほど
反射率は高くなる。例えば、酸化亜鉛に酸化アルミニウ
ムをそれぞれ0.01,0.1,1,2,3,4,5重
量%添加して大気中、1300℃で焼成して得られた基
板の表面の色は、図8(A)に示すようになる。酸化ア
ルミニウムが無添加の場合、基板表面は薄い褐色をして
おり、酸化アルミニウムが0.01%添加されると非常
に薄い灰色となる。0.1%添加されると、青みのかっ
た灰色であり、酸化アルミニウムの添加量が増えるにつ
れて同じ色を保ちながらその濃度が小さくなっている。
図8(A)の濃淡から、酸化アルミニウムが1%添加さ
れたものを境に添加量が増えるほど、基板表面の太陽光
に対する反射率は高くなる。また、焼成温度を1400
℃とした場合は、図8(B)に示すようになり、130
0℃で焼成したときのものより少しずつ濃度が高くな
り、太陽光に対する反射率は少し劣る。一方、基板の内
部は、1300℃で焼成して得られたものを研磨する
と、図8(C)に示すようになり、酸化アルミニウムが
0.1%添加された基板の内部は、青みのかった灰色が
濃く、1%添加では灰色となり、添加量が増えるにつれ
緑色のかった薄い灰色からその色の濃度が小さくなって
いる。
製造方法によって得られる太陽電池用基板は、図1に示
すように、酸化亜鉛の含有量の少ない表面層12が全面
を覆っていてもよいし、図2に示すように、表裏面のう
ちの一方を覆っていてもよいし、更に端面が覆われてい
ないものとすることができる。図2の態様は、裏面13
がより低い抵抗となり、太陽光に対する高い反射率を維
持する好ましい態様である。また、裏面13は、図1の
態様の裏面を研磨して形成されたものであってもよい。
基板は、酸化亜鉛及び他の酸化物からなる組成物、酸素
欠損酸化チタン、酸素欠損酸化ニオブ及び酸素欠損アル
カリ土類チタン酸塩から選ばれる少なくとも1種を含有
する基体と、該基体の表面に形成されたセラミックス製
光反射層と、を備えることを特徴とする。
基板の製造方法は、酸化亜鉛、酸素欠損酸化チタン、酸
素欠損酸化ニオブ及び酸素欠損アルカリ土類チタン酸塩
から選ばれる少なくとも1種を含有する基体の表面に、
セラミックス製光反射層を形成することを特徴とする。
なる組成物、酸素欠損酸化チタン(以下、「Ti
O2-X」という。)、酸素欠損酸化ニオブ(以下、「N
b2O5-X」という。)及び酸素欠損アルカリ土類チタン
酸塩〔以下、「MTiO3-X」という。但し、Mはアル
カリ土類元素(Mg,Ca,Sr及びBa)である。〕
から選ばれる少なくとも1種を含有していれば特に限定
されず、これらがそれぞれ単独で構成成分であってもよ
いし、これらが任意の割合で混合していてもよい。ま
た、上記基体としては、抵抗率が10Ω・cm以下であ
ることが好ましい。
る組成物から構成される場合、上記例示した酸化亜鉛を
主成分として他の酸化物が添加されたものを好ましく用
いることができる。上記TiO2-X、Nb2O5-X及びM
TiO3-Xを含有する基体は、通常、TiO 2、Nb2O5
及びMTiO3を含有する原料粉末からなる成形体を大
気中で焼成(以下、「酸化焼成」という。)し、更に水
素ガス雰囲気で焼成(以下、「還元焼成」という。)す
ることによって得ることができる。尚、原料粉末の酸化
チタン粉末、酸化ニオブ粉末、アルカリ土類チタン酸塩
としては高純度のものが好ましい。また、結晶形及び粒
子の形状も特に限定されない。平均粒子径は好ましくは
5μm以下、より好ましくは2μm以下である。更に、
比表面積も特に限定されず、通常、2〜8m2/gのも
のが好ましく用いられる。
3-Xは、通常、TiO2、Nb2O5及びMTiO3がそれ
ぞれ還元されて酸素空孔が形成され、化学量論組成にお
いて酸素原子との結合に使われていた金属原子の価電子
が余り、これを伝導電子として与えることにより高い電
気伝導性を示すものである。上記TiO2-X、Nb2O
5-X及びMTiO3-XにおけるXは、好ましくは0.1〜
1.5、より好ましくは0.4〜1.3、更に好ましく
は0.7〜1.2とすることができる。尚、上記MTi
O3-Xとしては特に限定されず、例えば、MgTi
O3-X、CaTiO3-X、SrTiO3-X及びBaTiO
3-X等が挙げられるが、これらのうち、SrTiO3-X、
BaTiO3-Xが好ましい。
する場合、上記TiO2-X以外に基板の導電性を下げず
に基板の強度を上げる等の目的で、炭化ホウ素、炭化珪
素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素等を含有
させることができ、上記TiO 2-X100重量部に対し
て、好ましくは0.1〜10重量部、より好ましくは
0.5〜7重量部、更に好ましくは1〜5重量部とする
ことができる。
する場合、上記Nb2O5-X以外に基板の導電性を下げず
に基板の強度を上げる等の目的で、炭化ホウ素、炭化珪
素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素等を含有
させることができ、上記Nb 2O5-X100重量部に対し
て、好ましくは0.1〜10重量部、より好ましくは
0.5〜7重量部、更に好ましくは1〜5重量部とする
ことができる。
有する場合、上記MTiO3-X以外に基板の導電性を下
げずに基板の強度を上げる等の目的で、炭化ホウ素、炭
化珪素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素等を
含有させることができ、上記MTiO3-X100重量部
に対して、好ましくは0.1〜10重量部、より好まし
くは0.5〜7重量部、更に好ましくは1〜5重量部と
することができる。
板の導電性を悪化させず、太陽光の反射率の高いもので
あればその構成成分は限定されない。例えば、酸化アル
ミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化イットリウム、
酸化ランタン、二酸化珪素等が好ましく、これらのう
ち、酸化アルミニウムが特に好ましい。また、上記成分
は1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いるこ
とができる。上記セラミックス製光反射層は、蒸着、ス
プレー塗装、スパッタリング法、CVD法及びゾル−ゲ
ル法等によって薄い層を形成することができる。上記セ
ラミックス製光反射層の厚さは薄いほどよく、好ましく
は400μm以下、より好ましくは100μm以下とす
ることができる。
アモルファスシリコン系、多結晶シリコン系等の薄膜太
陽電池等に好ましく用いられるが、薄膜太陽電池を製造
する際には、例えば、基板にシリコン半導体を直接形成
することができる。この場合の薄膜太陽電池は、図3に
示すように、基板、シリコン半導体、表面電極の順に形
成されたものとすることができ、表面電極には反射防止
層を設けることもできる。基板にシリコン半導体を形成
する方法としては、例えば、CVD法、液相成長法、固
相成長法等がある。
た光が基板及びシリコン半導体で反射して太陽電池の外
側に拡散するのを防ぐ効果及び太陽電池の表面を保護す
る効果があり、その例としては、SiO2、Si3N4、
MgF2、TiO2等による膜が挙げられる。
げて具体的に説明する。 1.実施例1 表1に示す酸化亜鉛及び(酸化亜鉛/他の酸化物の組み
合わせ)で、酸化亜鉛粉末100gと、下記他の酸化物
の粉末とを表1に示す添加割合で調製し、20%ポリビ
ニルアルコール溶液10g及び純水300gを加え、ポ
ットミルに入れ、0.5時間湿式混合した。これを乾燥
した後、解砕し、250μmのふるいに通した。そし
て、この混合粉末を100MPaで一軸加圧成形(30
mmφ、厚さ4mm)した後、電気炉に静置し、大気
中、1300℃で120分焼成し、25mmφ、厚さ
3.4mmの焼結体(試料1〜25)を得た。
テック社製、平均粒径0.4μm、比表面積4m2/g 〔イ〕酸化アルミニウム粉末;商品名「AES−11
E」、住友化学工業社製、平均粒径0.5μm、比表面
積5m2/g 〔ウ〕酸化ガリウム試薬;和光純薬工業社製 〔エ〕酸化イットリウム試薬;ナカライテスク社製 〔オ〕酸化インジウム試薬;和光純薬工業社製 〔カ〕酸化ランタン試薬;ナカライテスク社製 〔キ〕二酸化珪素粉末;商品名「SS−100」、山森
山本鉱業所社製 〔ク〕酸化チタン粉末;商品名「R−820」、石原産
業社製、平均粒径0.3μm、比表面積15m2/g 〔ケ〕酸化ゲルマニウム試薬;和光純薬工業社製 〔コ〕酸化ジルコニウム粉末;商品名「KZ−OY」、
共立マテリアル社製、平均粒径6.0μm、比表面積8
m2/g 〔サ〕酸化スズ試薬;ナカライテスク社製 〔シ〕酸化ニオブ粉末;商品名「酸化ニオブ」、三井金
属鉱業社製、平均粒径0.8μm 〔ス〕酸化タンタル試薬;三津和化学薬品社製
で表面から1.7mm削ってできた面を蛍光X線分析装
置(RIX3001型、理学電機工業社製、X線源;R
h、出力;0.3kW)を用いて、測定表面の元素分析
及び検出元素の定量分析を行った。検出元素の定量値か
ら各化合物の成分量に換算した。その結果を表2に示
す。
さ測定 試料5、6、7及び14の基板の中央部をダイヤモンド
カッターにより切断した。基板の断面を光学顕微鏡(倍
率;200倍)を用いて、表面層とそれより深い内部の
色の違いから、酸化亜鉛含有量の少ない表面層の厚さを
測定した。その結果を表3に示す。
T500型、三菱油化社製)を用いて、端子間距離5m
mとして四端子法で測定した。その結果を表4に示す。
抗を測るために、上記製造条件で縦55mm、横8.5
mm、厚さ4.3mmの焼結体基板を作製し、これを加
工して、試料片(縦30mm、横5mm、厚さ1mm)
を得た。表面層の試料片は図4における7aの部分を、
内部の試料片は図5における7bの部分とした。これら
の試料片は、図6に示すように、導電性の銀ペーストに
より両端に電極を設け、この両端の電極間(距離20m
m)の抵抗をテスターを用いて二端子法で測定した。そ
の結果を表5に示す。
変角色彩計(商品名「Σ90型」、日本電色工業社製)
を用いて、400〜700nmの波長の光に対する反射
率を調べた。その結果を図7に示す。また、試料4、1
1、12、13、15、16、17、18、20、2
2、23、24及び25の基板表面の色の濃淡を示す写
真を図9に示す。
陽電池用セラミックス基板の表面は、白色、薄い褐色、
青みがかった灰色であった。特に酸化亜鉛と酸化アルミ
ニウムからなる基板は、酸化アルミニウムの添加量が少
ない(1%未満)場合には青みがかった灰色であった
が、添加量が増すにつれて白色になり、3%添加(試料
7)ではほぼ白色になっていた(図8(A)参照)。表
面層の酸化亜鉛が揮散して、酸化アルミニウムがリッチ
になったためと考えられる。また、他の酸化物として、
酸化ニオブ及び酸化タンタルを添加した試料23及び2
4も基板の表面はほぼ白色であった(図9参照)。
アルミニウムとからなる基板は、表面層の酸化亜鉛の含
有量が、中心部よりも少ないことが分かる。酸化アルミ
ニウムの添加量が増えるほど、表面層の酸化亜鉛の含有
量は減少率が高くなった。また、表3より、酸化亜鉛の
含有量が少ない表面層の厚さは、例えば酸化アルミニウ
ムを添加した場合、その添加量が増えるにつれ大きくな
った。酸化亜鉛に酸化インジウムが2%添加された場合
も150μmであり、低い電気抵抗であり、且つ表面層
厚さは50〜500μmの範囲内であった。
料1)の抵抗率は、235.3Ω・cmと非常に高かっ
たのに対し、他の酸化物を添加した場合には、いずれも
1Ω・cm未満の低い抵抗率を示した。特に、酸化亜鉛
に酸化アルミニウムを1〜3%添加した試料5乃至7に
おいては優れた抵抗率を示した。また、他の酸化物とし
て複数成分を添加した試料25も低い抵抗率を示した。
量が少ないために、表面抵抗が大きくなっているが、基
板の内部は酸化亜鉛の導電性のために表面抵抗が小さく
なった。また、図7より酸化亜鉛に酸化ニオブを添加し
た基板(試料23)、酸化ジルコニウムを添加した基板
(試料21)、及び酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加
した基板(試料6及び7)では、各波長における反射率
はそれぞれ異なるものの、高い反射率を示した。特に、
酸化アルミニウムを添加した基板では、酸化アルミニウ
ムの添加率が高いほど基板の表面の白色度が増すために
反射率が高くなり、酸化アルミニウムを3%添加したも
のは、500〜700nmの波長領域において、70%
を超える反射率を示した。図9は、酸化亜鉛に添加する
他の酸化物の種類が異なることで、基板表面の色が変わ
ることを示している。その反射率は、表面の色が薄いほ
ど高くなるが、図9から分かるように、0.1%添加さ
れた基板のうちで、酸化ニオブを添加したものが濃度が
小さい。
ル溶液10g及び純水300gを加え、ポットミルに入
れ、0.5時間湿式混合した。これを乾燥した後、解砕
し、250μmのふるいに通した。そして、この混合粉
末を100MPaで一軸加圧成形した後、電気炉に静置
し、大気中、1300℃で120分焼成し、更に水素炉
で、水素ガス中、1200℃で100分焼成し、25m
mφ、厚さ3.4mmの焼結体(試料26)を得た。
気炉における加熱温度を1350℃とし、水素炉におけ
る加熱温度を1000℃とした以外は試料26の製造方
法と同様にして、焼結体(試料27)を得た。また、チ
タン酸バリウム粉末(商品名「SBT−M」、共立マテ
リアル社製、平均粒径0.9μm) 100gを用い、電気炉における加熱を1350℃とし
た以外は試料26の製造方法と同様にして、焼結体(試
料28)を得た。
して抵抗率を測定し、表4に示した。試料26及び27
における酸素欠損酸化チタン及び酸素欠損酸化ニオブで
それぞれ構成される基板は低い抵抗率を示し、試料28
の酸素欠損チタン酸バリウムで構成される基板について
も、十分低い抵抗率を示した。これらの表面に酸化アル
ミニウムからなる薄膜を形成することによって、低い抵
抗率で、且つ反射率の高い太陽電池用セラミックス基板
とすることができる。
されるものではなく、目的、用途に応じて本発明の範囲
内で種々変更した実施例とすることができる。本発明の
太陽電池用セラミックス基板は、焼成処理後そのまま用
いてもよいし、平滑性を向上させるとともに、太陽光に
対する反射効果を上げるために、基板表面を研磨しても
よい。この場合、主成分として酸化亜鉛を含有する基板
においては、基板の表面層の酸化亜鉛含有量が中心部の
それに比べて少ないことが必要である。また、上記原料
粉末を成形する方法も、上記実施例に示す方法に限られ
ず、原料粉末を含有するスラリーからシート成形する方
法等によってもよい。
た成形体の焼成条件も、上記実施例に限られず、大気雰
囲気でなく、大気よりも酸素濃度の低い雰囲気、例えば
燃焼炉による酸化雰囲気や、電気炉に雰囲気調整用ガス
を導入して焼成を行ってもよい。この場合は、燃焼炉と
してはガス炉等が、電気炉としては雰囲気炉等が用いら
れる。例えば、酸化亜鉛に酸化アルミニウムが1%添加
されてなる成形体を、ガス炉内を燃料ガスと1次空気が
混合された燃料ガス中、酸化雰囲気として温度1300
℃、2時間で酸化焼成して得られた基板は、実施例1に
おいて大気中で電気炉を用いて焼成して得られた基板に
比べ、抵抗率が0.0064Ωから0.0020Ωへと
低下し、500〜700nmにおける反射率も20%程
度向上する。この場合、ガス炉では、燃料ガスを燃焼さ
せる際、1次空気中の酸素が消費されるため、焼成時の
ガス炉内の酸素濃度が低くなる。酸素濃度が低い雰囲気
では、焼成温度及び時間がほぼ同じ条件でも酸化亜鉛の
揮散の度合いが増し、酸化亜鉛の含有量の少ない表面層
を有する基板を容易に得ることができる。また、酸素濃
度が低い雰囲気での焼成により、酸素欠損を生じて酸素
空孔が形成されて、導電性が向上し、更には、得られる
基板の表面の色も濃度が低く、太陽光に対する反射率の
高い基板とすることができる。このガス炉等による焼成
は、空燃比を調整して酸素濃度を任意に調節することが
できるので、焼成温度及び時間等の他の条件とうまく組
み合わせて、目的のスペックに合わせた基板を容易に得
ることができる。また、本セラミックス基板は、太陽電
池だけでなく、発光ダイオード等の発光デバイス用の基
板としても利用することができる。
基板において、酸化亜鉛を主成分として含有する基板
は、表面層の酸化亜鉛の含有量が中心部の含有量より少
ないため、低い抵抗を維持しながら、高い反射率を有す
る基板として用いることができる。特に、酸化亜鉛に酸
化アルミニウムを添加した基板は、表面層が白色で太陽
光に対する反射率が高いため、光電変換効率の向上を図
ることができる。また、基板自体が導電性を有するた
め、太陽電池を形成したときに、基板の裏面に電極を形
成するだけの簡単な工程を備えるだけで済む太陽電池を
得ることができる。また、上記太陽電池用セラミックス
基板の製造方法によれば、原料粉末からなる成形体を特
殊な製造装置によらずに焼成処理して製造することがで
きるので、効率的で低コストである。本発明の太陽電池
用導電性セラミックス基板において、酸化亜鉛、酸素欠
損酸化チタン、酸素欠損酸化ニオブ及び酸素欠損アルカ
リ土類チタン酸塩から選ばれる少なくとも1種を含有す
る基体にセラミックス製光反射層を備える基板は、抵抗
が低いだけでなく、太陽光に対する反射率が高いため、
太陽電池を形成したときに、光電変換効率の高い太陽電
池を得ることができる。
面図である。
様を示す説明断面図である。
用セラミックス基板から調製した試料片を示す説明概略
図である。
太陽電池用セラミックス基板から調製した試料片を示す
説明概略図である。
明断面図である。
グラフである。
含有する基板の色の濃淡を示す写真であり、Aは焼成温
度1300℃で得た基板表面、Bは焼成温度1400℃
で得た基板表面、Cは焼成温度1300℃で得た基板内
部を示す。
重量部からなる基板表面の色の濃淡を示す写真である。
部、12;基板表面層、13;裏面研磨面、2;n型シ
リコン半導体、3;p型シリコン半導体、4;表面電
極、5;反射防止層、6;金属電極、7a及び7b;表
面抵抗測定用試料、8a及び8b;表面抵抗測定用電
極。
Claims (12)
- 【請求項1】 主成分としての酸化亜鉛と他の酸化物と
を含有する太陽電池用セラミックス基板であって、 上記セラミックス基板の表面層における酸化亜鉛の含有
量が、中心部の該酸化亜鉛の含有量よりも少ないことを
特徴とする太陽電池用セラミックス基板。 - 【請求項2】 上記他の酸化物は、Al,Ga,Y,I
n,La,Si,Ti,Ge,Zr,Sn,Nb及びT
aから選ばれる少なくとも1種の酸化物である請求項1
記載の太陽電池用セラミックス基板。 - 【請求項3】 上記他の酸化物は、上記酸化亜鉛100
重量部に対して0.001〜10重量部含有する請求項
1又は2に記載の太陽電池用セラミックス基板。 - 【請求項4】 上記セラミックス基板の抵抗率が10Ω
・cm以下である請求項1乃至3のいずれかに記載の太
陽電池用セラミックス基板。 - 【請求項5】 500〜700nmの波長領域における
上記セラミックス基板表面の反射率が40%以上である
請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池用セラミッ
クス基板。 - 【請求項6】 主成分としての酸化亜鉛と他の酸化物と
を含有する太陽電池用セラミックス基板であって、 主原料としての酸化亜鉛粉末と他の酸化物の粉末とを含
有する原料粉末を成形し、焼成して表面部の酸化亜鉛の
一部を揮散させることにより、上記セラミックス基板の
表面層における該酸化亜鉛の含有量が、中心部の該酸化
亜鉛の含有量よりも少ないことを特徴とする太陽電池用
セラミックス基板。 - 【請求項7】 主原料としての酸化亜鉛粉末と他の酸化
物の粉末とを含有する原料粉末を成形して焼成すること
を特徴とする太陽電池用セラミックス基板の製造方法。 - 【請求項8】 上記他の酸化物は、Al,Ga,Y,I
n,La,Si,Ti,Ge,Zr,Sn,Nb及びT
aから選ばれる少なくとも1種の酸化物である請求項7
記載の太陽電池用セラミックス基板の製造方法。 - 【請求項9】 上記他の酸化物の粉末は、上記酸化亜鉛
粉末100重量部に対して0.001〜10重量部配合
する請求項7又は8に記載の太陽電池用セラミックス基
板の製造方法。 - 【請求項10】 酸化亜鉛及び他の酸化物からなる組成
物、酸素欠損酸化チタン、酸素欠損酸化ニオブ及び酸素
欠損アルカリ土類チタン酸塩から選ばれる少なくとも1
種を含有する基体と、該基体の表面に形成されたセラミ
ックス製光反射層と、を備えることを特徴とする太陽電
池用セラミックス基板。 - 【請求項11】 上記セラミックス製光反射層が酸化ア
ルミニウムを含有する請求項10に記載の太陽電池用セ
ラミックス基板。 - 【請求項12】 酸化亜鉛、酸素欠損酸化チタン、酸素
欠損酸化ニオブ及び酸素欠損アルカリ土類チタン酸塩か
ら選ばれる少なくとも1種を含有する基体の表面に、セ
ラミックス製光反射層を形成することを特徴とする太陽
電池用セラミックス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001035811A JP3702305B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 太陽電池用セラミックス基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001035811A JP3702305B2 (ja) | 2001-02-13 | 2001-02-13 | 太陽電池用セラミックス基板及びその製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246621A true JP2002246621A (ja) | 2002-08-30 |
JP3702305B2 JP3702305B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=18899202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3702305B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012020911A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛焼結体、その製造方法、スパッタリングターゲット及び透明性膜の製造方法 |
WO2012077512A1 (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 東ソー株式会社 | 酸化亜鉛焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化亜鉛薄膜 |
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-
2001
- 2001-02-13 JP JP2001035811A patent/JP3702305B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9396830B2 (en) | 2010-12-06 | 2016-07-19 | Tosoh Corporation | Zinc oxide sintered compact, sputtering target, and zinc oxide thin film |
JP2012197215A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 酸化物焼結体、その製造方法およびそれを用いたターゲット |
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