JP2002237499A - 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッド電極上にバンプを形成する位置とボン
ド工程でワイヤを結線する位置とを統一でき、また、結
線時に障害とならないようにする。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ
１上のパッド電極２とリードフレーム１１上のリード電
極３とをワイヤ１７で結線するワイヤボンド工程を含む
半導体装置の製造方法であって、ワイヤボンド工程は、
ワイヤ７を通したボンディングツール４をパッド電極上
に移動させ、ボンディングツールに通したワイヤのボー
ル状部をボンドしてパッド電極の上にバンプ５を形成す
るバンプ形成工程と、続いて、ボンディングツールをリ
ード電極上に移動させリード電極にワイヤ１７を結線
し、次いでボンディングツールをパッド電極上に移動さ
せパッド電極上のバンプにワイヤを結線するボンド工程
とを含み、バンプ形成工程では、バンプ形成後、ワイヤ
をリード電極と反対方向にカットする。
ド工程でワイヤを結線する位置とを統一でき、また、結
線時に障害とならないようにする。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ
１上のパッド電極２とリードフレーム１１上のリード電
極３とをワイヤ１７で結線するワイヤボンド工程を含む
半導体装置の製造方法であって、ワイヤボンド工程は、
ワイヤ７を通したボンディングツール４をパッド電極上
に移動させ、ボンディングツールに通したワイヤのボー
ル状部をボンドしてパッド電極の上にバンプ５を形成す
るバンプ形成工程と、続いて、ボンディングツールをリ
ード電極上に移動させリード電極にワイヤ１７を結線
し、次いでボンディングツールをパッド電極上に移動さ
せパッド電極上のバンプにワイヤを結線するボンド工程
とを含み、バンプ形成工程では、バンプ形成後、ワイヤ
をリード電極と反対方向にカットする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンド工程
を含む半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
に関する。
を含む半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造方法においては、図１
２に示すように、半導体チップ５１上のパッド電極５２
とリードフレームをボンディングツールに通された金線
等のワイヤ５７により結線するワイヤボンド工程があ
る。このワイヤボンド工程では、従来、パッド電極５２
側にワイヤを結線し（第１ボンド）、リード電極５３側
にワイヤを結線していた（第２ボンド）。この場合、ダ
メージを与えないようにパッド電極５２に結線したワイ
ヤ５７にチップ５１の表面から少なくとも１３０μｍ程
度の垂直な立ち上がり部分を設ける必要があった。
２に示すように、半導体チップ５１上のパッド電極５２
とリードフレームをボンディングツールに通された金線
等のワイヤ５７により結線するワイヤボンド工程があ
る。このワイヤボンド工程では、従来、パッド電極５２
側にワイヤを結線し（第１ボンド）、リード電極５３側
にワイヤを結線していた（第２ボンド）。この場合、ダ
メージを与えないようにパッド電極５２に結線したワイ
ヤ５７にチップ５１の表面から少なくとも１３０μｍ程
度の垂直な立ち上がり部分を設ける必要があった。
【０００３】このようなワイヤ５７の立ち上がり部分を
設けない方法としては、例えば、パッド電極５２にワイ
ヤ５７を結線し、次いでパッド電極５２に結線したワイ
ヤ５７をリード電極５３に結線するいわゆる正ボンドに
対して、まずリード電極５３にワイヤ５７を結線し、次
いでリード電極に結線したワイヤ５７をパッド電極５２
に結線する、いわゆる逆ボンドがある。さらに、この逆
ボンドにおいて、パッド電極５２にワイヤ５７を結線す
る際、ボンディングツールがチップ５１に接触すること
によるダメージを避けるため、図１３に示すように、パ
ッド上にあらかじめバンプ５５を形成しておき、このバ
ンプ５５にワイヤ５７を結線する方法がある。従来、こ
のバンプ５５を形成するバンプ形成装置と、パッド電極
とリード電極とをワイヤで結線するボンド装置はそれぞ
れ別々の装置であった。そのため、半導体装置の製造の
ワイヤボンド工程において、バンプ装置でバンプ５５を
形成する工程の後、バンプ装置からボンド装置へとフレ
ーム搬送を行った後、ボンド装置でパッド電極とリード
電極とをワイヤで結線するボンド工程を行う必要があっ
た。
設けない方法としては、例えば、パッド電極５２にワイ
ヤ５７を結線し、次いでパッド電極５２に結線したワイ
ヤ５７をリード電極５３に結線するいわゆる正ボンドに
対して、まずリード電極５３にワイヤ５７を結線し、次
いでリード電極に結線したワイヤ５７をパッド電極５２
に結線する、いわゆる逆ボンドがある。さらに、この逆
ボンドにおいて、パッド電極５２にワイヤ５７を結線す
る際、ボンディングツールがチップ５１に接触すること
によるダメージを避けるため、図１３に示すように、パ
ッド上にあらかじめバンプ５５を形成しておき、このバ
ンプ５５にワイヤ５７を結線する方法がある。従来、こ
のバンプ５５を形成するバンプ形成装置と、パッド電極
とリード電極とをワイヤで結線するボンド装置はそれぞ
れ別々の装置であった。そのため、半導体装置の製造の
ワイヤボンド工程において、バンプ装置でバンプ５５を
形成する工程の後、バンプ装置からボンド装置へとフレ
ーム搬送を行った後、ボンド装置でパッド電極とリード
電極とをワイヤで結線するボンド工程を行う必要があっ
た。
【０００４】このバンプ形成工程とボンド工程とを順に
行っている技術として、特開平１０−３３５３６８号公
報に記載のワイヤボンディング装置では、パッド上にワ
イヤが切断されたボール部分を形成し、該ボール部分に
他から延在したワイヤをステッチボンドしている。ま
た、特開平８−３４００１８号公報に記載のワイヤボン
ディング方法では、被接続部材上にボールバンプを形成
した後、上面を平坦面とし、ワイヤにボール部を形成し
て、このボール部を被接続部材に接合してワイヤボンデ
ィングを行っている。
行っている技術として、特開平１０−３３５３６８号公
報に記載のワイヤボンディング装置では、パッド上にワ
イヤが切断されたボール部分を形成し、該ボール部分に
他から延在したワイヤをステッチボンドしている。ま
た、特開平８−３４００１８号公報に記載のワイヤボン
ディング方法では、被接続部材上にボールバンプを形成
した後、上面を平坦面とし、ワイヤにボール部を形成し
て、このボール部を被接続部材に接合してワイヤボンデ
ィングを行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のバンプ
形成工程と、ボンド工程とではそれぞれ装置が異なるた
め装置間でのフレーム搬送等が必要となり製造時間のロ
スが多かった。また、２つの工程の各装置間ではボンド
位置に統一性がなく、例えば、バンプを形成するボンド
位置と、ボンド時のパッド電極の位置（第２ボンド位
置）は、本来、同一の位置であるが、工程及び装置が異
なるため位置ずれを生じていた。このため半導体装置の
品質低下を招く場合があった。
形成工程と、ボンド工程とではそれぞれ装置が異なるた
め装置間でのフレーム搬送等が必要となり製造時間のロ
スが多かった。また、２つの工程の各装置間ではボンド
位置に統一性がなく、例えば、バンプを形成するボンド
位置と、ボンド時のパッド電極の位置（第２ボンド位
置）は、本来、同一の位置であるが、工程及び装置が異
なるため位置ずれを生じていた。このため半導体装置の
品質低下を招く場合があった。
【０００６】また、特開平１０−３３５３６８号公報に
記載のワイヤボンディング装置や、特開平８−３４００
１８号公報に記載のワイヤボンディング方法では、バン
プを形成した際に切断されたワイヤがその後に行われる
ボンド時に及ぼす影響について考慮されていない。この
切断されたワイヤは、バンプから延在しており、ボンド
時に結線されるワイヤの障害となる場合があった。
記載のワイヤボンディング装置や、特開平８−３４００
１８号公報に記載のワイヤボンディング方法では、バン
プを形成した際に切断されたワイヤがその後に行われる
ボンド時に及ぼす影響について考慮されていない。この
切断されたワイヤは、バンプから延在しており、ボンド
時に結線されるワイヤの障害となる場合があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、半導体装置の製
造方法のワイヤボンド工程において、半導体チップの搬
送を要することなくバンプ形成工程とボンド工程とを連
続して行うことができると共に、バンプを形成する位置
とボンド工程でパッド電極上でワイヤを結線する位置と
をほぼ同一にすることである。
造方法のワイヤボンド工程において、半導体チップの搬
送を要することなくバンプ形成工程とボンド工程とを連
続して行うことができると共に、バンプを形成する位置
とボンド工程でパッド電極上でワイヤを結線する位置と
をほぼ同一にすることである。
【０００８】また、本発明のもう一つの目的は、ボンド
工程でパッド電極上にワイヤを結線する際にバンプ形成
時にカットしたワイヤが障害とならないようにすること
である。
工程でパッド電極上にワイヤを結線する際にバンプ形成
時にカットしたワイヤが障害とならないようにすること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、半導体チップ上のパッド電極とリードフ
レーム上のリード電極とをワイヤで結線するワイヤボン
ド工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ワイ
ヤボンド工程は、ワイヤを通したボンディングツールを
前記パッド電極の位置に移動させて、前記ボンディング
ツールに通した前記ワイヤに設けたボール状部をボンデ
ィングして前記パッド電極の上にバンプを形成するバン
プ形成工程と、前記バンプ形成工程に引き続いて、前記
ボンディングツールを前記リード電極の位置に移動させ
て、前記リード電極にワイヤを結線し、次いで前記ボン
ディングツールを前記パッド電極の上に移動させて、前
記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パッド電極の
上に形成した前記バンプの上に結線するボンド工程とを
含み、前記バンプ形成工程では、前記パッド電極の上に
前記バンプを形成した後、前記ワイヤを前記パッド電極
と結線する前記リード電極とは反対方向にカットするこ
とを特徴とする。
の製造方法は、半導体チップ上のパッド電極とリードフ
レーム上のリード電極とをワイヤで結線するワイヤボン
ド工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ワイ
ヤボンド工程は、ワイヤを通したボンディングツールを
前記パッド電極の位置に移動させて、前記ボンディング
ツールに通した前記ワイヤに設けたボール状部をボンデ
ィングして前記パッド電極の上にバンプを形成するバン
プ形成工程と、前記バンプ形成工程に引き続いて、前記
ボンディングツールを前記リード電極の位置に移動させ
て、前記リード電極にワイヤを結線し、次いで前記ボン
ディングツールを前記パッド電極の上に移動させて、前
記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パッド電極の
上に形成した前記バンプの上に結線するボンド工程とを
含み、前記バンプ形成工程では、前記パッド電極の上に
前記バンプを形成した後、前記ワイヤを前記パッド電極
と結線する前記リード電極とは反対方向にカットするこ
とを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記半導体装置の製造方法であって、前記ボンド工
程では、前記パッド電極の位置にバンプを形成した後、
前記ボンディングツールを前記パッド電極と結線する前
記リード電極とは反対方向に移動させて、前記ワイヤを
前記パッド電極と結線する前記リード電極とは反対方向
にカットすることを特徴とする。
は、前記半導体装置の製造方法であって、前記ボンド工
程では、前記パッド電極の位置にバンプを形成した後、
前記ボンディングツールを前記パッド電極と結線する前
記リード電極とは反対方向に移動させて、前記ワイヤを
前記パッド電極と結線する前記リード電極とは反対方向
にカットすることを特徴とする。
【００１１】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記ボンド
工程では、前記パッド電極上の前記バンプの中心から前
記パッド電極と結線する前記リード電極とは反対方向に
ずらせた位置で、前記パッド電極の上に形成した前記バ
ンプに前記リード電極に結線した前記ワイヤを結線する
ことを特徴とする。
法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記ボンド
工程では、前記パッド電極上の前記バンプの中心から前
記パッド電極と結線する前記リード電極とは反対方向に
ずらせた位置で、前記パッド電極の上に形成した前記バ
ンプに前記リード電極に結線した前記ワイヤを結線する
ことを特徴とする。
【００１２】またさらに、本発明に係る半導体装置の製
造方法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記半
導体チップ上の前記パッド電極の位置と前記リードフレ
ーム上の前記リード電極の位置とを認識して、記憶手段
に記憶させる電極位置認識工程をさらに含んでおり、前
記電極位置認識工程を前記バンプ形成工程に先だって行
うと共に、前記バンプ形成工程では、前記記憶手段から
前記パッド電極位置を取得して前記ボンディングツール
を取得した前記パッド電極の位置に移動させて、前記パ
ッド電極の上に前記バンプを形成することを特徴とす
る。
造方法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記半
導体チップ上の前記パッド電極の位置と前記リードフレ
ーム上の前記リード電極の位置とを認識して、記憶手段
に記憶させる電極位置認識工程をさらに含んでおり、前
記電極位置認識工程を前記バンプ形成工程に先だって行
うと共に、前記バンプ形成工程では、前記記憶手段から
前記パッド電極位置を取得して前記ボンディングツール
を取得した前記パッド電極の位置に移動させて、前記パ
ッド電極の上に前記バンプを形成することを特徴とす
る。
【００１３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、前記半導体装置の製造方法であって、前記電極位置
記憶工程は、前記半導体チップを、前記ワイヤボンド工
程を行う位置に配置した際に、少なくとも２組の前記半
導体チップの上にある前記パッド電極の位置及び前記リ
ードフレームの上にある前記リード電極の位置を測定す
る電極位置測定工程と、前記測定された前記パッド電極
の位置及び前記リード電極の位置から、前記半導体チッ
プ上の各パッド電極の位置と前記リードフレームの各リ
ード電極の位置を算出する電極位置算出工程と、前記電
極位置測定工程で測定された前記パッド電極の位置と前
記リード電極の位置と、前記電極位置算出工程で算出し
た前記各パッド電極の位置と前記各リード電極の位置と
を記憶手段に記憶させる電極位置記憶工程とを含むこと
を特徴とする。
は、前記半導体装置の製造方法であって、前記電極位置
記憶工程は、前記半導体チップを、前記ワイヤボンド工
程を行う位置に配置した際に、少なくとも２組の前記半
導体チップの上にある前記パッド電極の位置及び前記リ
ードフレームの上にある前記リード電極の位置を測定す
る電極位置測定工程と、前記測定された前記パッド電極
の位置及び前記リード電極の位置から、前記半導体チッ
プ上の各パッド電極の位置と前記リードフレームの各リ
ード電極の位置を算出する電極位置算出工程と、前記電
極位置測定工程で測定された前記パッド電極の位置と前
記リード電極の位置と、前記電極位置算出工程で算出し
た前記各パッド電極の位置と前記各リード電極の位置と
を記憶手段に記憶させる電極位置記憶工程とを含むこと
を特徴とする。
【００１４】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記ボンド
工程では、前記記憶手段から前記リード電極の位置と前
記パッド電極の位置とを取得して、前記ボンディングツ
ールを取得した前記リード電極の位置に移動させて、前
記リード電極にワイヤを結線し、次いで前記ボンディン
グツールを取得した前記パッド電極の位置に移動させ
て、前記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パッド
電極の上に形成した前記バンプに結線することを特徴と
する。
法は、前記半導体装置の製造方法であって、前記ボンド
工程では、前記記憶手段から前記リード電極の位置と前
記パッド電極の位置とを取得して、前記ボンディングツ
ールを取得した前記リード電極の位置に移動させて、前
記リード電極にワイヤを結線し、次いで前記ボンディン
グツールを取得した前記パッド電極の位置に移動させ
て、前記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パッド
電極の上に形成した前記バンプに結線することを特徴と
する。
【００１５】本発明に係る半導体装置の製造装置は、半
導体チップ上のパッド電極とリードフレームの上にある
リード電極とをワイヤで結線する半導体装置の製造装置
であって、ワイヤを通したボンディングツールを前記パ
ッド電極の位置に移動させて、前記ボンディングツール
に通した前記ワイヤに設けたボール状部を前記パッド電
極の上にボンドして前記パッド電極の上にバンプを形成
するバンプ形成手段と、前記ボンディングツールを前記
リード電極の位置に移動させて、前記リード電極の上に
ワイヤを結線し、次いで前記ボンディングツールを前記
パッド電極の位置に移動させて、前記リード電極に結線
した前記ワイヤを前記パッド電極の上に形成した前記バ
ンプに結線するボンド手段とを備え、前記バンプ形成手
段では、前記パッド電極の上にバンプを形成した後、ワ
イヤを前記パッド電極と結線する前記リード電極とは反
対方向にカットすることを特徴とする。
導体チップ上のパッド電極とリードフレームの上にある
リード電極とをワイヤで結線する半導体装置の製造装置
であって、ワイヤを通したボンディングツールを前記パ
ッド電極の位置に移動させて、前記ボンディングツール
に通した前記ワイヤに設けたボール状部を前記パッド電
極の上にボンドして前記パッド電極の上にバンプを形成
するバンプ形成手段と、前記ボンディングツールを前記
リード電極の位置に移動させて、前記リード電極の上に
ワイヤを結線し、次いで前記ボンディングツールを前記
パッド電極の位置に移動させて、前記リード電極に結線
した前記ワイヤを前記パッド電極の上に形成した前記バ
ンプに結線するボンド手段とを備え、前記バンプ形成手
段では、前記パッド電極の上にバンプを形成した後、ワ
イヤを前記パッド電極と結線する前記リード電極とは反
対方向にカットすることを特徴とする。
【００１６】また、本発明に係る半導体装置の製造装置
は、前記半導体装置の製造装置であって、前記ボンド手
段では、前記パッド電極の上に形成した前記バンプの中
心から前記パッド電極と結線する前記リード電極とは反
対方向にずらせた位置で、前記リード電極と結線した前
記ワイヤを結線することを特徴とする。
は、前記半導体装置の製造装置であって、前記ボンド手
段では、前記パッド電極の上に形成した前記バンプの中
心から前記パッド電極と結線する前記リード電極とは反
対方向にずらせた位置で、前記リード電極と結線した前
記ワイヤを結線することを特徴とする。
【００１７】さらに、本発明に係る半導体装置の製造装
置は、前記半導体装置の製造装置であって、前記半導体
チップ上の前記パッド電極の位置と前記リードフレーム
上の前記リード電極の位置とを認識して、記憶手段に記
憶させる電極位置認識手段をさらに含んでおり、前記バ
ンプ形成手段では、前記記憶手段から前記パッド電極の
位置を取得して、前記ボンディングツールを取得した前
記パッド電極の位置に移動させて、前記パッド電極の上
にバンプを形成することを特徴とする。
置は、前記半導体装置の製造装置であって、前記半導体
チップ上の前記パッド電極の位置と前記リードフレーム
上の前記リード電極の位置とを認識して、記憶手段に記
憶させる電極位置認識手段をさらに含んでおり、前記バ
ンプ形成手段では、前記記憶手段から前記パッド電極の
位置を取得して、前記ボンディングツールを取得した前
記パッド電極の位置に移動させて、前記パッド電極の上
にバンプを形成することを特徴とする。
【００１８】またさらに、本発明に係る半導体装置の製
造装置は、前記半導体装置の製造装置であって、前記半
導体チップを、ワイヤボンドを行う位置に配置した際
に、少なくとも２組の前記半導体チップの上にある前記
パッド電極の位置及び前記リードフレームの上にある前
記リード電極の位置を測定する電極位置測定手段と、前
記測定された前記パッド電極の位置及び前記リード電極
の位置から前記半導体チップの上にある各パッド電極の
位置と前記リードフレームの上にある各リード電極の位
置を算出する電極位置算出手段と、前記電極位置測定手
段で測定された前記各パッド電極の位置と前記各リード
電極の位置と、前記電極位置算出手段で算出された前記
各パッド電極の位置と前記各リード電極の位置とを記憶
させる記憶手段とを備えることを特徴とする。
造装置は、前記半導体装置の製造装置であって、前記半
導体チップを、ワイヤボンドを行う位置に配置した際
に、少なくとも２組の前記半導体チップの上にある前記
パッド電極の位置及び前記リードフレームの上にある前
記リード電極の位置を測定する電極位置測定手段と、前
記測定された前記パッド電極の位置及び前記リード電極
の位置から前記半導体チップの上にある各パッド電極の
位置と前記リードフレームの上にある各リード電極の位
置を算出する電極位置算出手段と、前記電極位置測定手
段で測定された前記各パッド電極の位置と前記各リード
電極の位置と、前記電極位置算出手段で算出された前記
各パッド電極の位置と前記各リード電極の位置とを記憶
させる記憶手段とを備えることを特徴とする。
【００１９】また、本発明に係る半導体装置の製造装置
は、前記半導体装置の製造装置であって、前記ボンド手
段では、前記記憶手段から前記リード電極の位置と前記
パッド電極の位置とを取得して、前記ボンディングツー
ルを取得した前記リード電極の位置に移動させて、前記
リード電極にワイヤを結線し、次いで前記ボンディング
ツールを取得した前記パッド電極の位置に移動させて、
前記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パッド電極
の上に形成した前記バンプに結線することを特徴とす
る。
は、前記半導体装置の製造装置であって、前記ボンド手
段では、前記記憶手段から前記リード電極の位置と前記
パッド電極の位置とを取得して、前記ボンディングツー
ルを取得した前記リード電極の位置に移動させて、前記
リード電極にワイヤを結線し、次いで前記ボンディング
ツールを取得した前記パッド電極の位置に移動させて、
前記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パッド電極
の上に形成した前記バンプに結線することを特徴とす
る。
【００２０】本発明に係る半導体装置の製造装置は、半
導体チップ上のパッド電極とリードフレームとをワイヤ
で結線する半導体装置の製造装置であって、Ｘ軸、Ｙ軸
及びＺ軸の各方向への移動装置を備えたボンディングツ
ールと、前記リードフレーム上の前記各リード電極の位
置と、前記半導体チップ上の前記各パッド電極の位置と
を記憶させている記憶手段と、前記ボンディングツール
を前記移動装置により所定位置に移動させ、前記ボンデ
ィングツールでのボンディングを制御する制御装置とを
備え、前記制御手段は、前記ボンディングツールを前記
パッド電極の位置に移動させて前記ボンディングツール
に通したワイヤを用いて前記パッド電極の上にバンプを
形成し、ワイヤを前記リード電極と反対方向にカットさ
せ、前記ボンディングツールを前記リード電極の位置に
移動させて、前記リード電極の上に前記ワイヤを結線
し、次いで前記ボンディングツールを前記パッド電極の
位置に移動させて、前記リード電極に結線した前記ワイ
ヤを前記パッド電極の上に形成した前記バンプに結線す
ることを特徴とする。
導体チップ上のパッド電極とリードフレームとをワイヤ
で結線する半導体装置の製造装置であって、Ｘ軸、Ｙ軸
及びＺ軸の各方向への移動装置を備えたボンディングツ
ールと、前記リードフレーム上の前記各リード電極の位
置と、前記半導体チップ上の前記各パッド電極の位置と
を記憶させている記憶手段と、前記ボンディングツール
を前記移動装置により所定位置に移動させ、前記ボンデ
ィングツールでのボンディングを制御する制御装置とを
備え、前記制御手段は、前記ボンディングツールを前記
パッド電極の位置に移動させて前記ボンディングツール
に通したワイヤを用いて前記パッド電極の上にバンプを
形成し、ワイヤを前記リード電極と反対方向にカットさ
せ、前記ボンディングツールを前記リード電極の位置に
移動させて、前記リード電極の上に前記ワイヤを結線
し、次いで前記ボンディングツールを前記パッド電極の
位置に移動させて、前記リード電極に結線した前記ワイ
ヤを前記パッド電極の上に形成した前記バンプに結線す
ることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る半導体
装置の製造方法及び半導体装置の製造装置について、以
下に添付図面を用いて説明する。
装置の製造方法及び半導体装置の製造装置について、以
下に添付図面を用いて説明する。
【００２２】実施の形態１．本発明の実施の形態１に係
る半導体装置の製造方法は、半導体チップ上のパッド電
極とリードフレーム上のリード電極とをワイヤで結線す
るワイヤボンド工程の中で、バンプ形成工程とボンド工
程とを連続して行うことができる。具体的には、このバ
ンプ形成工程では、ボンディングツールをパッド電極上
に移動させて、パッド電極上にバンプを形成する。次
に、半導体チップを移送することなくそのまま連続して
ボンド工程を行うことができる。このボンド工程では、
ボンディングツールをリード電極上に移動させて、リー
ド電極にワイヤを結線し、次いでボンディングツールを
パッド電極上に移動させて、リード電極に結線したワイ
ヤをパッド電極上に形成したバンプに結線する。これに
よって、バンプ形成工程でパッド電極上にバンプを形成
する位置と、ボンド工程でパッド電極上に形成したバン
プにワイヤを結線する位置をほぼ同一とすることができ
る。そこで、ボンディング特性を向上させることがで
き、半導体装置の品質を向上させることができる。ま
た、バンプ形成装置とボンド装置のように分離している
場合における装置間のフレーム搬送を必要とすることが
なく、半導体装置の製造時間を短縮することができる。
る半導体装置の製造方法は、半導体チップ上のパッド電
極とリードフレーム上のリード電極とをワイヤで結線す
るワイヤボンド工程の中で、バンプ形成工程とボンド工
程とを連続して行うことができる。具体的には、このバ
ンプ形成工程では、ボンディングツールをパッド電極上
に移動させて、パッド電極上にバンプを形成する。次
に、半導体チップを移送することなくそのまま連続して
ボンド工程を行うことができる。このボンド工程では、
ボンディングツールをリード電極上に移動させて、リー
ド電極にワイヤを結線し、次いでボンディングツールを
パッド電極上に移動させて、リード電極に結線したワイ
ヤをパッド電極上に形成したバンプに結線する。これに
よって、バンプ形成工程でパッド電極上にバンプを形成
する位置と、ボンド工程でパッド電極上に形成したバン
プにワイヤを結線する位置をほぼ同一とすることができ
る。そこで、ボンディング特性を向上させることがで
き、半導体装置の品質を向上させることができる。ま
た、バンプ形成装置とボンド装置のように分離している
場合における装置間のフレーム搬送を必要とすることが
なく、半導体装置の製造時間を短縮することができる。
【００２３】また、この半導体装置の製造方法で用いる
半導体装置の製造装置は、図１の（ａ）の平面図と
（ｂ）の側面図に示すように、半導体チップ１上のパッ
ド電極２にバンプを形成するバンプ形成手段とリードフ
レーム１１上のリード電極３とをワイヤ１７で結線する
ボンド手段のいずれも備えている。さらに具体的には、
ボンディングによりバンプ５を形成し、また、結線する
ボンディングツール４を備える。また、このボンディン
グツール４は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸を中心として回
転する各モータ等の移動手段（図示せず）により上下、
左右、前後の各方向に移動させることができる。さら
に、このボンディングツール４の移動手段を制御すると
共に、ボンディングを制御する制御装置２０を備えてい
る。さらに、半導体チップ１上のパッド電極２位置とリ
ードフレーム１１上のリード電極３の位置を認識するカ
メラ８と認識装置１０とを備える。なおこのカメラ８は
鏡筒９を備え、半導体チップ１上のパッド電極２とリー
ドフレーム１１上のリード電極３の各電極位置に向けて
撮像する。
半導体装置の製造装置は、図１の（ａ）の平面図と
（ｂ）の側面図に示すように、半導体チップ１上のパッ
ド電極２にバンプを形成するバンプ形成手段とリードフ
レーム１１上のリード電極３とをワイヤ１７で結線する
ボンド手段のいずれも備えている。さらに具体的には、
ボンディングによりバンプ５を形成し、また、結線する
ボンディングツール４を備える。また、このボンディン
グツール４は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸を中心として回
転する各モータ等の移動手段（図示せず）により上下、
左右、前後の各方向に移動させることができる。さら
に、このボンディングツール４の移動手段を制御すると
共に、ボンディングを制御する制御装置２０を備えてい
る。さらに、半導体チップ１上のパッド電極２位置とリ
ードフレーム１１上のリード電極３の位置を認識するカ
メラ８と認識装置１０とを備える。なおこのカメラ８は
鏡筒９を備え、半導体チップ１上のパッド電極２とリー
ドフレーム１１上のリード電極３の各電極位置に向けて
撮像する。
【００２４】次に、この半導体装置の製造方法のワイヤ
ボンド工程における各手順について説明する。このワイ
ヤボンド工程では、半導体チップの搬送を要することな
くバンプ形成工程とボンド工程とを連続して行うことが
できる。これらの工程に先だって、準備として、ワイヤ
ボンドする半導体チップ１は、リードフレーム１１上に
接合され、ワイヤボンド工程のための所定位置に搬送さ
れる。最初にバンプ形成工程について説明する。このバ
ンプ形成工程では、金線等のワイヤ（図示せず）が通さ
れているボンディングツール４が半導体チップ１上のパ
ッド電極２上に移動され、該パッド電極２上にバンプ５
が形成される。このバンプを形成する際のボンディング
は、図１の（ａ）に示すように、各パッド電極２につい
て矢印Ａの順に行われる。さらに具体的には、この半導
体装置の製造方法のバンプ形成工程では、図２の側面図
及び図４のフローチャートに示すように、 （ａ）ボール状部を形成したワイヤ７を通したボンディ
ングツール４をパッド電極２上に移動させる（１０
１）。 （ｂ）パッド電極２の上にワイヤ７のボール状部をボン
ディングしてパッド電極２の上にバンプ５を形成する
（１０２）。 （ｃ）次いでボンディングツール４を上昇させる。 （ｄ）さらに、このボンディングツール４を前後又は左
右の方向に移動させて、バンプ５から延びるワイヤ７の
切断が容易となるようにワイヤ７のネック部に負荷を与
える（１０３）。 （ｅ）その後、クランパ２４でワイヤ７をクランプ２４
し、バンプ５の上方でワイヤ７を切断し、パッド電極２
の上にバンプ５を形成する（１０４）。
ボンド工程における各手順について説明する。このワイ
ヤボンド工程では、半導体チップの搬送を要することな
くバンプ形成工程とボンド工程とを連続して行うことが
できる。これらの工程に先だって、準備として、ワイヤ
ボンドする半導体チップ１は、リードフレーム１１上に
接合され、ワイヤボンド工程のための所定位置に搬送さ
れる。最初にバンプ形成工程について説明する。このバ
ンプ形成工程では、金線等のワイヤ（図示せず）が通さ
れているボンディングツール４が半導体チップ１上のパ
ッド電極２上に移動され、該パッド電極２上にバンプ５
が形成される。このバンプを形成する際のボンディング
は、図１の（ａ）に示すように、各パッド電極２につい
て矢印Ａの順に行われる。さらに具体的には、この半導
体装置の製造方法のバンプ形成工程では、図２の側面図
及び図４のフローチャートに示すように、 （ａ）ボール状部を形成したワイヤ７を通したボンディ
ングツール４をパッド電極２上に移動させる（１０
１）。 （ｂ）パッド電極２の上にワイヤ７のボール状部をボン
ディングしてパッド電極２の上にバンプ５を形成する
（１０２）。 （ｃ）次いでボンディングツール４を上昇させる。 （ｄ）さらに、このボンディングツール４を前後又は左
右の方向に移動させて、バンプ５から延びるワイヤ７の
切断が容易となるようにワイヤ７のネック部に負荷を与
える（１０３）。 （ｅ）その後、クランパ２４でワイヤ７をクランプ２４
し、バンプ５の上方でワイヤ７を切断し、パッド電極２
の上にバンプ５を形成する（１０４）。
【００２５】さらに、ボンド工程について説明する。こ
のボンド工程では、リードフレーム１１上のリード電極
３にワイヤ１７をボンディングにより結線する。次い
で、リード電極３に結線したワイヤ１７を半導体チップ
１上のパッド電極２の上に形成したバンプ５にボンディ
ングにより結線する。これによって、リード電極３とパ
ッド電極２とをワイヤ１７で結線する。まず、リード電
極３にワイヤを結線する工程は、図１の（ａ）に示すよ
うに、各リード電極３について矢印Ｂの順に行う。詳細
には、図３の側面図及び図５のフローチャートに示すよ
うに、 （ａ）ワイヤ１７を通したボンディングツール４をリー
ド電極３の位置に移動させる（１１１）。 （ｂ）次いで、リード電極３にワイヤ１７をボンディン
グして結線する（１１２）。 （ｃ）次に、ボンディングツール４をパッド電極２上に
移動させる（１１３）。 （ｄ）パッド電極２上のバンプ５に、リード電極３に結
線したワイヤ１７をパッド電極２の上に形成したバンプ
にボンディング（ステッチボンド）して結線する（１１
４）。
のボンド工程では、リードフレーム１１上のリード電極
３にワイヤ１７をボンディングにより結線する。次い
で、リード電極３に結線したワイヤ１７を半導体チップ
１上のパッド電極２の上に形成したバンプ５にボンディ
ングにより結線する。これによって、リード電極３とパ
ッド電極２とをワイヤ１７で結線する。まず、リード電
極３にワイヤを結線する工程は、図１の（ａ）に示すよ
うに、各リード電極３について矢印Ｂの順に行う。詳細
には、図３の側面図及び図５のフローチャートに示すよ
うに、 （ａ）ワイヤ１７を通したボンディングツール４をリー
ド電極３の位置に移動させる（１１１）。 （ｂ）次いで、リード電極３にワイヤ１７をボンディン
グして結線する（１１２）。 （ｃ）次に、ボンディングツール４をパッド電極２上に
移動させる（１１３）。 （ｄ）パッド電極２上のバンプ５に、リード電極３に結
線したワイヤ１７をパッド電極２の上に形成したバンプ
にボンディング（ステッチボンド）して結線する（１１
４）。
【００２６】なお、ワイヤボンド工程において、上記の
バンプ形成工程に先だって、半導体チップ１上の各パッ
ド電極２とリードフレーム１１上の各リード電極３の電
極位置認識工程を行ってもよい。この電極位置認識工程
は、カメラ８によって行うことができる。具体的には、
カメラ８の鏡筒９を半導体チップ１等に向けて撮像し、
その映像情報を認識装置１０で処理して半導体チップ１
上の各パッド電極２とリードフレーム１１上の各リード
電極３の電極位置を得る。また、半導体チップ１とその
周囲の各リード電極３の全体を撮像するのではなく、一
対のパッド電極２とリード電極３ごとに撮像して電極位
置を得てもよい。
バンプ形成工程に先だって、半導体チップ１上の各パッ
ド電極２とリードフレーム１１上の各リード電極３の電
極位置認識工程を行ってもよい。この電極位置認識工程
は、カメラ８によって行うことができる。具体的には、
カメラ８の鏡筒９を半導体チップ１等に向けて撮像し、
その映像情報を認識装置１０で処理して半導体チップ１
上の各パッド電極２とリードフレーム１１上の各リード
電極３の電極位置を得る。また、半導体チップ１とその
周囲の各リード電極３の全体を撮像するのではなく、一
対のパッド電極２とリード電極３ごとに撮像して電極位
置を得てもよい。
【００２７】実施の形態２．本発明の実施の形態２に係
る半導体装置の製造方法では、ワイヤボンド工程のバン
プ形成工程において、ワイヤをカットする際、リード電
極のある方向とは反対方向にワイヤを引っ張るリバース
動作を行っている。このリバース動作でパッド電極上に
形成したバンプ上のワイヤのネック部に負荷を与え、ワ
イヤの切断を容易にする。また、このリバース動作でカ
ットされたワイヤは、リード電極とは反対方向に延びて
いるので、その後のボンド工程でワイヤをパッド電極上
に形成したバンプに結線する際に障害とならず、安定し
たボンディングによる結線を行うことができる。
る半導体装置の製造方法では、ワイヤボンド工程のバン
プ形成工程において、ワイヤをカットする際、リード電
極のある方向とは反対方向にワイヤを引っ張るリバース
動作を行っている。このリバース動作でパッド電極上に
形成したバンプ上のワイヤのネック部に負荷を与え、ワ
イヤの切断を容易にする。また、このリバース動作でカ
ットされたワイヤは、リード電極とは反対方向に延びて
いるので、その後のボンド工程でワイヤをパッド電極上
に形成したバンプに結線する際に障害とならず、安定し
たボンディングによる結線を行うことができる。
【００２８】具体的には、この半導体装置の製造方法で
は、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法と比較す
ると、図６の（ｂ）に示すように、ワイヤボンド工程の
バンプ形成工程において、バンプ５から延びるワイヤ７
をカットする際、リード電極３の方向とは反対方向にワ
イヤ７を引っ張っている。従来、このリバース動作で
は、その後のボンド工程で結線されるワイヤの延びる方
向１２に関係なく一定方向でワイヤ７がカットされてい
た。そのためボンド工程でワイヤ７をパッド電極に結線
する際、カットされたワイヤ７ａがバンプ５からリード
電極３側に延びる場合にはこれが障害となっていた。一
方、この半導体装置の製造方法では、バンプ形成工程で
ワイヤ７をカットするリバース方向１３を、リード電極
３のある方向とは反対方向、すなわち、その後に行うボ
ンド工程でリード電極３からパッド電極２に延びるワイ
ヤの方向１２と同一方向としている。
は、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法と比較す
ると、図６の（ｂ）に示すように、ワイヤボンド工程の
バンプ形成工程において、バンプ５から延びるワイヤ７
をカットする際、リード電極３の方向とは反対方向にワ
イヤ７を引っ張っている。従来、このリバース動作で
は、その後のボンド工程で結線されるワイヤの延びる方
向１２に関係なく一定方向でワイヤ７がカットされてい
た。そのためボンド工程でワイヤ７をパッド電極に結線
する際、カットされたワイヤ７ａがバンプ５からリード
電極３側に延びる場合にはこれが障害となっていた。一
方、この半導体装置の製造方法では、バンプ形成工程で
ワイヤ７をカットするリバース方向１３を、リード電極
３のある方向とは反対方向、すなわち、その後に行うボ
ンド工程でリード電極３からパッド電極２に延びるワイ
ヤの方向１２と同一方向としている。
【００２９】実施の形態３．本発明の実施の形態３に係
る半導体装置の製造方法では、ワイヤボンド工程のボン
ド工程では、パッド電極の上に形成したバンプにワイヤ
を結線する位置をバンプの中心からリード電極とは反対
方向に所定距離（オフセット）だけずらしてボンディン
グを行っている。これによって、ワイヤとパッド電極上
に形成したバンプとの接合部分を多くすることができ
る。
る半導体装置の製造方法では、ワイヤボンド工程のボン
ド工程では、パッド電極の上に形成したバンプにワイヤ
を結線する位置をバンプの中心からリード電極とは反対
方向に所定距離（オフセット）だけずらしてボンディン
グを行っている。これによって、ワイヤとパッド電極上
に形成したバンプとの接合部分を多くすることができ
る。
【００３０】具体的には、この半導体装置の製造方法で
は、ボンド工程でパッド電極２の上に形成したバンプ５
にワイヤ１７を結線する位置をバンプ５の中心からリー
ド電極とは反対方向に所定距離Ｃだけずらせている点で
相違する。結線する位置をずらせる方向としては、リー
ド電極３からパッド電極２へ延びるワイヤの方向１２と
同一方向である。このようにボンドを行う位置をリード
電極とは反対方向にずらせることで図７の（ｂ）に示す
ように、ワイヤ１７がパッド電極２上のバンプ５と接合
する部分は大きくなる。なお、バンプ上に延びるカット
されたワイヤ７ａは、リード電極３とは反対方向に傾い
ている場合には、ワイヤ１７の障害とならないのでさら
に好ましい。
は、ボンド工程でパッド電極２の上に形成したバンプ５
にワイヤ１７を結線する位置をバンプ５の中心からリー
ド電極とは反対方向に所定距離Ｃだけずらせている点で
相違する。結線する位置をずらせる方向としては、リー
ド電極３からパッド電極２へ延びるワイヤの方向１２と
同一方向である。このようにボンドを行う位置をリード
電極とは反対方向にずらせることで図７の（ｂ）に示す
ように、ワイヤ１７がパッド電極２上のバンプ５と接合
する部分は大きくなる。なお、バンプ上に延びるカット
されたワイヤ７ａは、リード電極３とは反対方向に傾い
ている場合には、ワイヤ１７の障害とならないのでさら
に好ましい。
【００３１】実施の形態４．本発明の実施の形態４に係
る半導体装置の製造方法には、ワイヤボンド工程に、半
導体チップ上の各パッド電極の位置とリードフレーム上
の各リード電極の位置とを認識して、記憶手段に記憶さ
せる電極位置認識工程をさらに含んでいる。これによっ
て、ワイヤボンド工程のバンプ形成工程でパッド電極上
にバンプを形成する位置と、ボンド工程でパッド電極上
に形成したバンプにワイヤを結線する位置の調整をする
ことができる。また、記憶させた電極位置を用いるの
で、リード電極上にワイヤを結線する位置精度を高める
ことができる。そのため、パッド電極及びリード電極で
の良好なボンディングが得られる。
る半導体装置の製造方法には、ワイヤボンド工程に、半
導体チップ上の各パッド電極の位置とリードフレーム上
の各リード電極の位置とを認識して、記憶手段に記憶さ
せる電極位置認識工程をさらに含んでいる。これによっ
て、ワイヤボンド工程のバンプ形成工程でパッド電極上
にバンプを形成する位置と、ボンド工程でパッド電極上
に形成したバンプにワイヤを結線する位置の調整をする
ことができる。また、記憶させた電極位置を用いるの
で、リード電極上にワイヤを結線する位置精度を高める
ことができる。そのため、パッド電極及びリード電極で
の良好なボンディングが得られる。
【００３２】具体的には、この半導体装置の製造方法で
含まれるこの電極位置認識工程は、図１０のフローチャ
ートに示すように、（１）まず少なくとも２組のパッド
電極２とリード電極３の位置を測定する電極位置測定工
程（１２１）と、（２）測定されたパッド電極２の位置
とリード電極３の位置とから、各パッド電極２の位置と
各リード電極３の位置とを計算により算出する電極位置
算出工程（１２２）と、（３）各パッド電極２の位置と
各リード電極３の位置とを記憶手段３０に記憶させる電
極位置記憶工程（１２３）とを含んでいる。また、この
電極位置認識工程は、バンプ形成工程に先だって行うと
共に、バンプ形成工程では、記憶手段３０からパッド電
極２の位置とリード電極３の位置を取得して、ボンディ
ングツール４をこのパッド電極２の位置に移動させて、
このパッド電極２の上にバンプを形成し、次に、ボンデ
ィングツール４をリード電極３の位置に移動させて、リ
ード電極３にワイヤ１７を結線し、次いでボンディング
ツール４をパッド電極２の位置に移動させて、ワイヤ１
７をパッド電極２の上に形成したバンプ５に結線する。
含まれるこの電極位置認識工程は、図１０のフローチャ
ートに示すように、（１）まず少なくとも２組のパッド
電極２とリード電極３の位置を測定する電極位置測定工
程（１２１）と、（２）測定されたパッド電極２の位置
とリード電極３の位置とから、各パッド電極２の位置と
各リード電極３の位置とを計算により算出する電極位置
算出工程（１２２）と、（３）各パッド電極２の位置と
各リード電極３の位置とを記憶手段３０に記憶させる電
極位置記憶工程（１２３）とを含んでいる。また、この
電極位置認識工程は、バンプ形成工程に先だって行うと
共に、バンプ形成工程では、記憶手段３０からパッド電
極２の位置とリード電極３の位置を取得して、ボンディ
ングツール４をこのパッド電極２の位置に移動させて、
このパッド電極２の上にバンプを形成し、次に、ボンデ
ィングツール４をリード電極３の位置に移動させて、リ
ード電極３にワイヤ１７を結線し、次いでボンディング
ツール４をパッド電極２の位置に移動させて、ワイヤ１
７をパッド電極２の上に形成したバンプ５に結線する。
【００３３】次に、この電極位置認識工程の各工程につ
いて説明する。まず、電極位置測定工程を、半導体チッ
プ１をリードフレーム１１上に配置して、各パッド電極
２を各リード電極に対応させた後に行ってもよい。具体
的には、例えば、図８の平面図及び図１１のフローチャ
ートに示すように、（ａ）第１のリード電極の位置Ｄを
測定する第１リード認識ステップ（１３１）と、（ｂ）
第１のバッド電極の位置Ｅを測定する第１パッド認識ス
テップ（１３２）と、（ｃ）第２のパッド認識位置Ｆを
測定する第２パッド認識ステップ（１３３）と、（ｄ）
第２のリード認識位置Ｇを測定する第２リード認識ステ
ップ（１３４）との順で行ってもよい。全てのパッド電
極２の位置と全てのリード電極３の位置について測定す
るには多大な時間を要するため、少なくとも２組の電極
位置を測定することが好ましい。
いて説明する。まず、電極位置測定工程を、半導体チッ
プ１をリードフレーム１１上に配置して、各パッド電極
２を各リード電極に対応させた後に行ってもよい。具体
的には、例えば、図８の平面図及び図１１のフローチャ
ートに示すように、（ａ）第１のリード電極の位置Ｄを
測定する第１リード認識ステップ（１３１）と、（ｂ）
第１のバッド電極の位置Ｅを測定する第１パッド認識ス
テップ（１３２）と、（ｃ）第２のパッド認識位置Ｆを
測定する第２パッド認識ステップ（１３３）と、（ｄ）
第２のリード認識位置Ｇを測定する第２リード認識ステ
ップ（１３４）との順で行ってもよい。全てのパッド電
極２の位置と全てのリード電極３の位置について測定す
るには多大な時間を要するため、少なくとも２組の電極
位置を測定することが好ましい。
【００３４】なお、半導体チップ１上に形成されるパッ
ド電極２の配置や、リードフレーム１１上のリード電極
３の配置は、高精度に形成されている。そのため、半導
体チップ１をリードフレーム１１上に配置した際の半導
体チップ１とリードフレーム１１との相対的位置を測定
することによって、各電極位置を計算によって算出する
ことができる。この場合、平面上における相対的位置を
測定するには少なくとも異なる２点を測定する必要があ
る。そこで、上記の通り、例えば、第１のリード電極３
の位置Ｄと第１のパッド電極２の位置Ｅ、それに第２の
パッド電極２の位置Ｆと第２のリード電極３の位置Ｇと
の２組の電極位置を測定すればよい。なお、半導体チッ
プ１上に形成されるパッド電極２の配置や、リードフレ
ーム１１上のリード電極３の配置はそれぞれ記憶手段３
０に記憶させておくことが好ましい。
ド電極２の配置や、リードフレーム１１上のリード電極
３の配置は、高精度に形成されている。そのため、半導
体チップ１をリードフレーム１１上に配置した際の半導
体チップ１とリードフレーム１１との相対的位置を測定
することによって、各電極位置を計算によって算出する
ことができる。この場合、平面上における相対的位置を
測定するには少なくとも異なる２点を測定する必要があ
る。そこで、上記の通り、例えば、第１のリード電極３
の位置Ｄと第１のパッド電極２の位置Ｅ、それに第２の
パッド電極２の位置Ｆと第２のリード電極３の位置Ｇと
の２組の電極位置を測定すればよい。なお、半導体チッ
プ１上に形成されるパッド電極２の配置や、リードフレ
ーム１１上のリード電極３の配置はそれぞれ記憶手段３
０に記憶させておくことが好ましい。
【００３５】上記電極位置測定工程では、例えば、図１
の（ａ）に示すカメラ８を用いて少なくとも２組の電極
位置を測定することができる。この場合、カメラ８の鏡
筒９を半導体チップ１の対角線上の離れた２点で各電極
位置を測定するのが好ましい。また、カメラとしては例
えばＣＣＤカメラ等を用いることができる。
の（ａ）に示すカメラ８を用いて少なくとも２組の電極
位置を測定することができる。この場合、カメラ８の鏡
筒９を半導体チップ１の対角線上の離れた２点で各電極
位置を測定するのが好ましい。また、カメラとしては例
えばＣＣＤカメラ等を用いることができる。
【００３６】さらに、電極位置算出工程では、あらかじ
め記憶手段３０に記憶させている半導体チップ１上に形
成されるパッド電極２の配置や、リードフレーム１１上
のリード電極３の配置を記憶手段３０から取得する。次
いで、上記測定された２組の電極位置から演算手段を用
いて計算により、各パッド電極２の位置と各リード電極
３の位置を算出する。この場合、図９に示すように、各
リード電極３はＬ１からＬ２、Ｌ３へと所定間隔ごとに
並んでおり、各パッド電極２はＰ１、Ｐ２、Ｐ３へと所
定間隔ごとに並んでいる場合を考える。このとき、例え
ば、測定された各電極位置を２次元平面上の（ｘ、ｙ）
座標として表わすことで、他の電極位置も同様に（ｘ、
ｙ）座標として得ることができる。
め記憶手段３０に記憶させている半導体チップ１上に形
成されるパッド電極２の配置や、リードフレーム１１上
のリード電極３の配置を記憶手段３０から取得する。次
いで、上記測定された２組の電極位置から演算手段を用
いて計算により、各パッド電極２の位置と各リード電極
３の位置を算出する。この場合、図９に示すように、各
リード電極３はＬ１からＬ２、Ｌ３へと所定間隔ごとに
並んでおり、各パッド電極２はＰ１、Ｐ２、Ｐ３へと所
定間隔ごとに並んでいる場合を考える。このとき、例え
ば、測定された各電極位置を２次元平面上の（ｘ、ｙ）
座標として表わすことで、他の電極位置も同様に（ｘ、
ｙ）座標として得ることができる。
【００３７】上記電極位置算出工程では、半導体チップ
１上に形成されるパッド電極２の配置や、リードフレー
ム１１上のリード電極３の配置を記憶させている記憶手
段と、計算により測定された少なくとも２組の電極位置
から各電極位置を算出する演算手段を用いて行うことが
できる。この演算手段としては、コンピュータ等を用い
ることができる。なお、制御装置２０を演算手段として
機能させてもよい。
１上に形成されるパッド電極２の配置や、リードフレー
ム１１上のリード電極３の配置を記憶させている記憶手
段と、計算により測定された少なくとも２組の電極位置
から各電極位置を算出する演算手段を用いて行うことが
できる。この演算手段としては、コンピュータ等を用い
ることができる。なお、制御装置２０を演算手段として
機能させてもよい。
【００３８】またさらに、電極位置記憶工程について説
明する。この電極位置記憶工程では、上記測定した少な
くとも２組の電極位置と、上記算出した各電極位置とを
記憶手段３０に記憶させる。
明する。この電極位置記憶工程では、上記測定した少な
くとも２組の電極位置と、上記算出した各電極位置とを
記憶手段３０に記憶させる。
【００３９】また、この電極位置認識工程は、バンプ形
成工程の前に行う。そして、バンプ形成工程では、記憶
手段３０から各パッド電極２の位置を取得し、下記表１
に示す順にこのパッド電極２位置にボンディングツール
４を移動させてパッド電極２上にバンプを形成する。
成工程の前に行う。そして、バンプ形成工程では、記憶
手段３０から各パッド電極２の位置を取得し、下記表１
に示す順にこのパッド電極２位置にボンディングツール
４を移動させてパッド電極２上にバンプを形成する。
【表１】
【００４０】次に、ボンド工程では、記憶手段３０から
リード電極３の位置とパッド電極２の位置とを取得し、
このリード電極３の位置にワイヤ１７を結線する。次い
でこのリード電極３と対になるパッド電極２の位置を選
択し、下記表２の順にこのパッド電極２の上に形成した
バンプ５にワイヤ１７を結線する。
リード電極３の位置とパッド電極２の位置とを取得し、
このリード電極３の位置にワイヤ１７を結線する。次い
でこのリード電極３と対になるパッド電極２の位置を選
択し、下記表２の順にこのパッド電極２の上に形成した
バンプ５にワイヤ１７を結線する。
【表２】
【００４１】上記ボンド工程を対応する各リード電極３
の位置と各パッド電極２の位置の下記表３に示す各組に
ついて行い、半導体チップ１のワイヤボンディングを行
う。
の位置と各パッド電極２の位置の下記表３に示す各組に
ついて行い、半導体チップ１のワイヤボンディングを行
う。
【表３】
【００４２】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、ワイヤボンド工程のバンプ
形成工程において、ワイヤをカットする際、リード電極
のある方向とは反対方向にワイヤを引っ張るリバース動
作を行っている。このリバース動作でパッド電極上に形
成したバンプから延在するワイヤのネック部に負荷を与
え、ワイヤの切断を容易にする。また、このリバース動
作でカットされたワイヤは、リード電極とは反対方向に
延びているので、その後のボンド工程でパッド電極上に
形成したバンプにワイヤを結線する際に障害とならず、
安定したワイヤボンドを行うことができる。
体装置の製造方法によれば、ワイヤボンド工程のバンプ
形成工程において、ワイヤをカットする際、リード電極
のある方向とは反対方向にワイヤを引っ張るリバース動
作を行っている。このリバース動作でパッド電極上に形
成したバンプから延在するワイヤのネック部に負荷を与
え、ワイヤの切断を容易にする。また、このリバース動
作でカットされたワイヤは、リード電極とは反対方向に
延びているので、その後のボンド工程でパッド電極上に
形成したバンプにワイヤを結線する際に障害とならず、
安定したワイヤボンドを行うことができる。
【００４３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、バンプの形成後にそのままボンディングツー
ルでワイヤをリード電極のある方向とは反対方向に引っ
張っている。これによって連続動作でワイヤをカットで
きる。
によれば、バンプの形成後にそのままボンディングツー
ルでワイヤをリード電極のある方向とは反対方向に引っ
張っている。これによって連続動作でワイヤをカットで
きる。
【００４４】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、ワイヤボンド工程のボンド工程では、パッ
ド電極の上に形成したバンプにワイヤを結線する位置を
バンプの中心からリード電極とは反対方向に所定距離だ
けずらしてボンディングしている。これによって、ワイ
ヤとパッド電極の上に形成したバンプとの接合部分を多
くすることができる。
法によれば、ワイヤボンド工程のボンド工程では、パッ
ド電極の上に形成したバンプにワイヤを結線する位置を
バンプの中心からリード電極とは反対方向に所定距離だ
けずらしてボンディングしている。これによって、ワイ
ヤとパッド電極の上に形成したバンプとの接合部分を多
くすることができる。
【００４５】またさらに、本発明に係る半導体装置の製
造方法によれば、ワイヤボンド工程に、半導体チップ上
の各パッド電極の位置とリードフレーム上の各リード電
極の位置とを認識して、記憶手段に記憶させる電極位置
認識工程をさらに含んでいる。これによって、ワイヤボ
ンド工程のバンプ形成工程でパッド電極上にバンプを形
成する位置と、ボンド工程でパッド電極上のバンプにワ
イヤを結線する位置とを調整することができる。また、
記憶させた電極位置を用いるので、リード電極上にワイ
ヤを結線する位置精度を高めることができる。そのた
め、パッド電極及びリード電極での良好なボンディング
が得られる。
造方法によれば、ワイヤボンド工程に、半導体チップ上
の各パッド電極の位置とリードフレーム上の各リード電
極の位置とを認識して、記憶手段に記憶させる電極位置
認識工程をさらに含んでいる。これによって、ワイヤボ
ンド工程のバンプ形成工程でパッド電極上にバンプを形
成する位置と、ボンド工程でパッド電極上のバンプにワ
イヤを結線する位置とを調整することができる。また、
記憶させた電極位置を用いるので、リード電極上にワイ
ヤを結線する位置精度を高めることができる。そのた
め、パッド電極及びリード電極での良好なボンディング
が得られる。
【００４６】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
によれば、電極位置認識工程で少なくとも２組のパッド
電極とリード電極の位置を測定することで他の各電極の
位置をも得ることができるので、迅速にワイヤボンディ
ングすることができる。
によれば、電極位置認識工程で少なくとも２組のパッド
電極とリード電極の位置を測定することで他の各電極の
位置をも得ることができるので、迅速にワイヤボンディ
ングすることができる。
【００４７】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、得られた各電極位置を用いてボンドできる
ので、パッド電極上にバンプを形成する位置とボンド工
程でパッド電極上に形成したバンプに結線する位置とを
調整することができ、良好なボンディングが得られる。
法によれば、得られた各電極位置を用いてボンドできる
ので、パッド電極上にバンプを形成する位置とボンド工
程でパッド電極上に形成したバンプに結線する位置とを
調整することができ、良好なボンディングが得られる。
【００４８】本発明の半導体装置の製造装置によれば、
ワイヤボンド手段のバンプ形成手段において、ワイヤを
カットする際、リード電極のある方向とは反対方向にワ
イヤを引っ張るリバース動作を行っている。このリバー
ス動作でパッド電極上に形成したバンプから延びるワイ
ヤのネック部に負荷を与え、ワイヤの切断を容易にす
る。また、このリバース動作でカットされたワイヤは、
リード電極とは反対方向に延びているので、その後のボ
ンド工程でパッド電極上に形成したバンプにワイヤを結
線する際に障害とならず、安定したワイヤボンドを行う
ことができる。
ワイヤボンド手段のバンプ形成手段において、ワイヤを
カットする際、リード電極のある方向とは反対方向にワ
イヤを引っ張るリバース動作を行っている。このリバー
ス動作でパッド電極上に形成したバンプから延びるワイ
ヤのネック部に負荷を与え、ワイヤの切断を容易にす
る。また、このリバース動作でカットされたワイヤは、
リード電極とは反対方向に延びているので、その後のボ
ンド工程でパッド電極上に形成したバンプにワイヤを結
線する際に障害とならず、安定したワイヤボンドを行う
ことができる。
【００４９】また、本発明に係る半導体装置の製造装置
によれば、ワイヤボンド手段のボンド手段では、パッド
電極上に形成したバンプにワイヤを結線する位置をバン
プの中心からリード電極とは反対方向に所定距離だけず
らしてボンディングを行う。これによって、ワイヤとパ
ッド電極上のバンプとの接合部分を多くすることができ
る。
によれば、ワイヤボンド手段のボンド手段では、パッド
電極上に形成したバンプにワイヤを結線する位置をバン
プの中心からリード電極とは反対方向に所定距離だけず
らしてボンディングを行う。これによって、ワイヤとパ
ッド電極上のバンプとの接合部分を多くすることができ
る。
【００５０】さらに、本発明に係る半導体装置の製造装
置によれば、ワイヤボンド手段に、半導体チップ上の各
パッド電極の位置とリードフレーム上の各リード電極の
位置とを認識して、記憶手段に記憶させる電極位置認識
手段をさらに含んでいる。これによって、バンプ形成手
段でパッド電極上にバンプを形成する位置と、ボンド工
程でパッド電極上に形成したバンプにワイヤを結線する
位置とを調整できる。また、リード電極にワイヤを結線
する位置精度を高めることができる。そのため、パッド
電極及びリード電極での良好なボンディングを形成でき
る。
置によれば、ワイヤボンド手段に、半導体チップ上の各
パッド電極の位置とリードフレーム上の各リード電極の
位置とを認識して、記憶手段に記憶させる電極位置認識
手段をさらに含んでいる。これによって、バンプ形成手
段でパッド電極上にバンプを形成する位置と、ボンド工
程でパッド電極上に形成したバンプにワイヤを結線する
位置とを調整できる。また、リード電極にワイヤを結線
する位置精度を高めることができる。そのため、パッド
電極及びリード電極での良好なボンディングを形成でき
る。
【００５１】またさらに、本発明に係る半導体装置の製
造装置によれば、電極位置認識手段で少なくとも２組の
電極位置を測定して、他の各電極位置をも得ることがで
きるので、迅速にワイヤボンディングすることができ
る。
造装置によれば、電極位置認識手段で少なくとも２組の
電極位置を測定して、他の各電極位置をも得ることがで
きるので、迅速にワイヤボンディングすることができ
る。
【００５２】また、本発明に係る半導体装置の製造装置
によれば、得られた各電極位置を用いてボンドできるの
で、バンプ形成工程でパッド電極上にバンプを形成する
位置と、ボンド工程でパッド電極上に形成したバンプに
ワイヤを結線する位置とを調整することができ、良好な
ボンディングが得られる。
によれば、得られた各電極位置を用いてボンドできるの
で、バンプ形成工程でパッド電極上にバンプを形成する
位置と、ボンド工程でパッド電極上に形成したバンプに
ワイヤを結線する位置とを調整することができ、良好な
ボンディングが得られる。
【００５３】本発明に係る半導体装置の製造装置によれ
ば、ボンディングツールによってバンプを形成した後、
ワイヤをカットする際、リード電極のある方向とは反対
方向にワイヤをカットしている。このようにカットされ
たワイヤは、リード電極とは反対方向に延びているの
で、その後のボンド工程でパッド電極上に形成したバン
プにワイヤを結線する際の障害とならず、安定したボン
ディングを行うことができる。
ば、ボンディングツールによってバンプを形成した後、
ワイヤをカットする際、リード電極のある方向とは反対
方向にワイヤをカットしている。このようにカットされ
たワイヤは、リード電極とは反対方向に延びているの
で、その後のボンド工程でパッド電極上に形成したバン
プにワイヤを結線する際の障害とならず、安定したボン
ディングを行うことができる。
【図１】 （ａ）本発明の実施の形態１に係る半導体装
置の製造装置におけるボンディング部の平面図であり、
（ｂ）は（ａ）の側面図である。
置の製造装置におけるボンディング部の平面図であり、
（ｂ）は（ａ）の側面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法におけるバンプ形成工程の半導体チップの側面図
である。
造方法におけるバンプ形成工程の半導体チップの側面図
である。
【図３】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法におけるボンド工程の半導体チップの側面図であ
る。
造方法におけるボンド工程の半導体チップの側面図であ
る。
【図４】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法のバンプ形成工程のフローチャートである。
造方法のバンプ形成工程のフローチャートである。
【図５】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法のボンド工程のフローチャートである。
造方法のボンド工程のフローチャートである。
【図６】 （ａ）本発明の実施の形態２に係る半導体装
置の製造方法におけるバンプ形成工程でのリバース動作
の方向を示す図であり、（ｂ）は（ａ）の側面図であ
る。
置の製造方法におけるバンプ形成工程でのリバース動作
の方向を示す図であり、（ｂ）は（ａ）の側面図であ
る。
【図７】 （ａ）本発明の実施の形態３に係る半導体装
置の製造方法におけるボンド工程でのパッド電極上に形
成したバンプにワイヤを結線する位置を示す側面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のパッド電極上にワイヤを結線した
後の平面図である。
置の製造方法におけるボンド工程でのパッド電極上に形
成したバンプにワイヤを結線する位置を示す側面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のパッド電極上にワイヤを結線した
後の平面図である。
【図８】 本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製
造方法における電極位置認識工程で測定する２ヶ所を例
示した半導体チップの平面図である。
造方法における電極位置認識工程で測定する２ヶ所を例
示した半導体チップの平面図である。
【図９】 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製
造方法における電極位置認識工程で算出する各パッド電
極と各リード電極の対応を示す半導体チップの平面図で
ある。
造方法における電極位置認識工程で算出する各パッド電
極と各リード電極の対応を示す半導体チップの平面図で
ある。
【図１０】 本発明の実施の形態４に係る半導体装置の
製造方法における電極位置認識工程のフローチャートで
ある。
製造方法における電極位置認識工程のフローチャートで
ある。
【図１１】 図１０のステップ１２１の詳細なフローチ
ャートである。
ャートである。
【図１２】 従来の半導体装置の製造方法で行われる正
ボンドでのパッド電極とリード電極とのワイヤボンド形
態を示す側面図である。
ボンドでのパッド電極とリード電極とのワイヤボンド形
態を示す側面図である。
【図１３】 従来の半導体装置の製造方法で行われる逆
ボンドでのパッド電極とリード電極とのワイヤボンド形
態を示す側面図である。
ボンドでのパッド電極とリード電極とのワイヤボンド形
態を示す側面図である。
Ａ パッド電極にバンプを形成する順番 Ｂ リード電極にワイヤを結線する順番 Ｃ パッド電極にワイヤを結線する際のバンプ中心から
のオフセット距離 Ｄ 第１のリード電極の認識位置 Ｅ 第１のパッド電極の認識位置 Ｆ 第２のパッド電極の認識位置 Ｇ 第２のリード電極の認識位置 １ 半導体チップ、 ２ パッド電極、 ３ リード電
極、 ４ ボンディングツール、 ５ バンプ、 ６
ボンド、 ７ ワイヤ（バンプ形成用）、 ７ａ ワイ
ヤ（カット部）、 ８ カメラ、 ９ 鏡筒、 １０
認識装置、 １１ リードフレーム、 １２ ワイヤ方
向、 １３ リバース方向、 １７ ワイヤ（結線
用）、 ２０ 制御装置、 ２２ ＣＰＵ、 ２４ ク
ランパ、 ３０ 記憶手段、 ５１ 半導体チップ、
５２ パッド電極、 ５３ リード電極、 ５５ バン
プ、 ５７ ワイヤ
のオフセット距離 Ｄ 第１のリード電極の認識位置 Ｅ 第１のパッド電極の認識位置 Ｆ 第２のパッド電極の認識位置 Ｇ 第２のリード電極の認識位置 １ 半導体チップ、 ２ パッド電極、 ３ リード電
極、 ４ ボンディングツール、 ５ バンプ、 ６
ボンド、 ７ ワイヤ（バンプ形成用）、 ７ａ ワイ
ヤ（カット部）、 ８ カメラ、 ９ 鏡筒、 １０
認識装置、 １１ リードフレーム、 １２ ワイヤ方
向、 １３ リバース方向、 １７ ワイヤ（結線
用）、 ２０ 制御装置、 ２２ ＣＰＵ、 ２４ ク
ランパ、 ３０ 記憶手段、 ５１ 半導体チップ、
５２ パッド電極、 ５３ リード電極、 ５５ バン
プ、 ５７ ワイヤ
フロントページの続き (72)発明者 沖田 孝典 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 AA01 CC05 DD05 DD07 QQ04
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体チップ上のパッド電極とリードフ
レーム上のリード電極とをワイヤで結線するワイヤボン
ド工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ワイ
ヤボンド工程は、 ワイヤを通したボンディングツールを前記パッド電極の
位置に移動させて、前記ボンディングツールに通した前
記ワイヤに設けたボール状部をボンディングして前記パ
ッド電極の上にバンプを形成するバンプ形成工程と、 前記バンプ形成工程に引き続いて、前記ボンディングツ
ールを前記リード電極の位置に移動させて、前記リード
電極にワイヤを結線し、次いで前記ボンディングツール
を前記パッド電極の上に移動させて、前記リード電極に
結線した前記ワイヤを前記パッド電極の上に形成した前
記バンプの上に結線するボンド工程とを含み、 前記バンプ形成工程では、前記パッド電極の上に前記バ
ンプを形成した後、前記ワイヤを前記パッド電極と結線
する前記リード電極とは反対方向にカットすることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ボンド工程では、前記パッド電極の
上にバンプを形成した後、前記ボンディングツールを前
記パッド電極と結線する前記リード電極とは反対方向に
移動させて、前記ワイヤを前記パッド電極と結線する前
記リード電極とは反対方向にカットすることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記ボンド工程では、前記パッド電極上
の前記バンプの中心から前記パッド電極と結線する前記
リード電極とは反対方向にずらせた位置で、前記パッド
電極の上に形成した前記バンプに前記リード電極に結線
した前記ワイヤを結線することを特徴とする請求項１又
は２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記半導体チップ上の前記パッド電極の
位置と前記リードフレーム上の前記リード電極の位置と
を認識して、記憶手段に記憶させる電極位置認識工程を
さらに含んでおり、 前記電極位置認識工程を前記バンプ形成工程に先だって
行うと共に、 前記バンプ形成工程では、前記記憶手段から前記パッド
電極の位置を取得して前記ボンディングツールを取得し
た前記パッド電極の位置に移動させて、前記パッド電極
の上に前記バンプを形成することを特徴とする請求項１
から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記電極位置認識工程は、 前記半導体チップを、前記ワイヤボンド工程を行う位置
に配置した際に、少なくとも２組の前記半導体チップの
上にある前記パッド電極の位置及び前記リードフレーム
の上にある前記リード電極の位置を測定する電極位置測
定工程と、 前記測定された前記パッド電極の位置及び前記リード電
極の位置から、前記半導体チップ上の各パッド電極の位
置と前記リードフレームの各リード電極の位置を算出す
る電極位置算出工程と、 前記電極位置測定工程で測定された前記パッド電極の位
置と前記リード電極の位置と、前記電極位置算出工程で
算出した前記各パッド電極の位置と前記各リード電極の
位置とを記憶手段に記憶させる電極位置記憶工程とを含
むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 前記ボンド工程では、前記記憶手段から
前記リード電極の位置と前記パッド電極の位置とを取得
して、前記ボンディングツールを取得した前記リード電
極の位置に移動させて、前記リード電極にワイヤを結線
し、次いで前記ボンディングツールを取得した前記パッ
ド電極の位置に移動させて、前記リード電極に結線した
前記ワイヤを前記パッド電極の上に形成した前記バンプ
に結線することを特徴とする請求項５に記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項７】 半導体チップ上のパッド電極とリードフ
レームの上にあるリード電極とをワイヤで結線する半導
体装置の製造装置であって、 ワイヤを通したボンディングツールを前記パッド電極の
位置に移動させて、前記ボンディングツールに通した前
記ワイヤに設けたボール状部をボンディングして前記パ
ッド電極の上にバンプを形成するバンプ形成手段と、 前記ボンディングツールを前記リード電極の位置に移動
させて、前記リード電極の上にワイヤを結線し、次いで
前記ボンディングツールを前記パッド電極の位置に移動
させて、前記リード電極に結線した前記ワイヤを前記パ
ッド電極の上に形成した前記バンプに結線するボンド手
段とを備え、 前記バンプ形成手段では、前記パッド電極の上にバンプ
を形成した後、ワイヤを前記パッド電極と結線する前記
リード電極とは反対方向にカットすることを特徴とする
半導体装置の製造装置。 - 【請求項８】 前記ボンド手段では、前記パッド電極の
上に形成した前記バンプの中心から前記パッド電極と結
線する前記リード電極とは反対方向にずらせた位置で、
前記リード電極と結線した前記ワイヤを結線することを
特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項９】 前記半導体チップ上の前記パッド電極の
位置と前記リードフレーム上の前記リード電極の位置と
を認識して、記憶手段に記憶させる電極位置認識手段を
さらに含んでおり、 前記バンプ形成手段では、前記記憶手段から前記パッド
電極の位置を取得して、前記ボンディングツールを取得
した前記パッド電極の位置に移動させて、前記パッド電
極の上にバンプを形成することを特徴とする請求項７又
は８に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１０】 前記電極位置認識手段は、 前記半導体チップを、ワイヤボンドを行う位置に配置し
た際に、少なくとも２組の前記半導体チップの上にある
前記パッド電極の位置及び前記リードフレームの上にあ
る前記リード電極の位置を測定する電極位置測定手段
と、 前記測定された前記パッド電極の位置及び前記リード電
極の位置から前記半導体チップの上にある各パッド電極
の位置と前記リードフレームの上にある各リード電極の
位置を算出する電極位置算出手段と、 前記電極位置測定手段で測定された前記各パッド電極の
位置と前記各リード電極の位置と、前記電極位置算出手
段で算出された前記各パッド電極の位置と前記各リード
電極の位置とを記憶させる記憶手段とを備えることを特
徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１１】 前記ボンド手段では、前記記憶手段か
ら前記リード電極の位置と前記パッド電極の位置とを取
得して、前記ボンディングツールを取得した前記リード
電極の位置に移動させて、前記リード電極にワイヤを結
線し、次いで前記ボンディングツールを取得した前記パ
ッド電極の位置に移動させて、前記リード電極に結線し
た前記ワイヤを前記パッド電極の上に形成した前記バン
プに結線することを特徴とする請求項９又は１０に記載
の半導体装置の製造装置。 - 【請求項１２】 半導体チップ上のパッド電極とリード
フレームとをワイヤで結線する半導体装置の製造装置で
あって、 Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の各方向への移動装置を備えたボン
ディングツールと、 前記リードフレーム上の前記各リード電極の位置と、前
記半導体チップ上の前記各パッド電極の位置とを記憶さ
せている記憶手段と、 前記ボンディングツールを前記移動装置により所定位置
に移動させ、前記ボンディングツールでのボンディング
を制御する制御装置とを備え、 前記制御手段は、前記ボンディングツールを前記パッド
電極の位置に移動させて前記ボンディングツールに通し
たワイヤを用いて前記パッド電極の上にバンプを形成
し、ワイヤを前記リード電極と反対方向にカットさせ、
前記ボンディングツールを前記リード電極の位置に移動
させて、前記リード電極の上に前記ワイヤを結線し、次
いで前記ボンディングツールを前記パッド電極の位置に
移動させて、前記リード電極に結線した前記ワイヤを前
記パッド電極の上に形成した前記バンプに結線すること
を特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001034267A JP2002237499A (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001034267A JP2002237499A (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237499A true JP2002237499A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18897902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001034267A Pending JP2002237499A (ja) | 2001-02-09 | 2001-02-09 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237499A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007055263A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | 半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0314235A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Nec Corp | バンプ形成方法及びその形成装置 |
| JPH05211192A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-08-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置のワイヤボンディング方法 |
| JPH1032219A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Mitsui High Tec Inc | ワイヤ−ボンディング方法 |
| JPH10335368A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | ワイヤボンディング構造及び半導体装置 |
-
2001
- 2001-02-09 JP JP2001034267A patent/JP2002237499A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0314235A (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Nec Corp | バンプ形成方法及びその形成装置 |
| JPH05211192A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-08-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置のワイヤボンディング方法 |
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| JPH10335368A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | ワイヤボンディング構造及び半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007055263A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co., Ltd. | 半導体装置 |
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