JPH0314235A - バンプ形成方法及びその形成装置 - Google Patents
バンプ形成方法及びその形成装置Info
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- JPH0314235A JPH0314235A JP1151632A JP15163289A JPH0314235A JP H0314235 A JPH0314235 A JP H0314235A JP 1151632 A JP1151632 A JP 1151632A JP 15163289 A JP15163289 A JP 15163289A JP H0314235 A JPH0314235 A JP H0314235A
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- chip
- balls
- electrode
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 7
- 244000292604 Salvia columbariae Species 0.000 description 2
- 235000012377 Salvia columbariae var. columbariae Nutrition 0.000 description 2
- 235000001498 Salvia hispanica Nutrition 0.000 description 2
- 235000014167 chia Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバンプ形成方法及びその形成装置に関し、特に
ボールボンディング方法を利用してワイヤ先端に形成し
たボールのみをＩＣチップの電極などて接続し凸型の電
極を形成するバンプ形成方法及びその形成装置に関する
ものである。
ボールボンディング方法を利用してワイヤ先端に形成し
たボールのみをＩＣチップの電極などて接続し凸型の電
極を形成するバンプ形成方法及びその形成装置に関する
ものである。
従来、この種のバンプ形成方法は例えは特開昭６２−２
１１９３７号に示されている。それによれば、第６図（
ａ、 ）〜（ｈ）に示す工程により形成される。ＩＣチ
ップ５の電極上にボンデインクツール１を降下させボー
ル４を接続して、そのあとホンティングツールを一定距
離分だけ上昇させ、さらにホンティングツールをＩＣチ
ップ面と平行方向に移動させ、ボール部とワイヤの接続
箇所よりワイヤを引きちきる様にして切断して電極上に
ボールのみを接続していた。そして第７図（ａ）〜（Ｃ
）の如くポール上面を平坦な治具４０を押し付けてボー
ルを整形し凸型の電極、即ちバンプを形成していた。
１１９３７号に示されている。それによれば、第６図（
ａ、 ）〜（ｈ）に示す工程により形成される。ＩＣチ
ップ５の電極上にボンデインクツール１を降下させボー
ル４を接続して、そのあとホンティングツールを一定距
離分だけ上昇させ、さらにホンティングツールをＩＣチ
ップ面と平行方向に移動させ、ボール部とワイヤの接続
箇所よりワイヤを引きちきる様にして切断して電極上に
ボールのみを接続していた。そして第７図（ａ）〜（Ｃ
）の如くポール上面を平坦な治具４０を押し付けてボー
ルを整形し凸型の電極、即ちバンプを形成していた。
第７図（ａ）〜（ｃ）はハンプ整形の手段を示す側面図
である。第７図（ａ）はＩＣ５にワイヤ２の先端のボー
ル４が接続されポールホンディングツール１がひきあげ
られた状態を示し、第７図（１つ）は一定方向にポンチ
インクツールを移動させワイヤを切断した状態を示して
いる。その後第７図（ｃ）に示すようにボール上面を平
坦な治具４０を押し付けてボールを整形し、凸形の電極
、即ちバンプを形成していた。
である。第７図（ａ）はＩＣ５にワイヤ２の先端のボー
ル４が接続されポールホンディングツール１がひきあげ
られた状態を示し、第７図（１つ）は一定方向にポンチ
インクツールを移動させワイヤを切断した状態を示して
いる。その後第７図（ｃ）に示すようにボール上面を平
坦な治具４０を押し付けてボールを整形し、凸形の電極
、即ちバンプを形成していた。
上述した従来のバンプ形成装置では、ＩＣチップ電極に
接続したボールとワイヤを切断する為に、ポンデイレグ
ツールを第８図（ａ）の如く常に一方向にのみ移動させ
、ワイヤをボールとワイヤの接続部分より分離していた
。よってＩＣ電極に接続されたボール上には切断された
ワイヤの一部が約１００μ程度傾いた様にして残り平面
的に見ると第８図（ｂ）のようなバンプ形状になる場合
があった。この残ったワイヤの傾きはボンデインクツー
ルの移動方向になびく傾向がある。よって従来ＩＣチッ
プ電極にボールを接続しＩＣチップのとの電極に対して
もボンデインクツールを常に一方向たけに移動させてい
たので第８図（１〕）の如くＢ辺では、ポール上に残っ
たワイヤが隣接する電極に接続されたボールに点４２に
示す如く接触したりする問題があった。又第９図（ａ）
のようにボール上のワイヤ４３が隣接するワイヤに仮に
接触していなくてもワイヤが傾いていると、第９図（ｂ
）に示すように、バンプ整形の際、バンプ整形治具４０
によりワイヤが押しつぶされ第９図（ｃ）のようにワイ
ヤが倒れてしまい隣接電極に接続されたボールと接触す
るという問題かあった。
接続したボールとワイヤを切断する為に、ポンデイレグ
ツールを第８図（ａ）の如く常に一方向にのみ移動させ
、ワイヤをボールとワイヤの接続部分より分離していた
。よってＩＣ電極に接続されたボール上には切断された
ワイヤの一部が約１００μ程度傾いた様にして残り平面
的に見ると第８図（ｂ）のようなバンプ形状になる場合
があった。この残ったワイヤの傾きはボンデインクツー
ルの移動方向になびく傾向がある。よって従来ＩＣチッ
プ電極にボールを接続しＩＣチップのとの電極に対して
もボンデインクツールを常に一方向たけに移動させてい
たので第８図（１〕）の如くＢ辺では、ポール上に残っ
たワイヤが隣接する電極に接続されたボールに点４２に
示す如く接触したりする問題があった。又第９図（ａ）
のようにボール上のワイヤ４３が隣接するワイヤに仮に
接触していなくてもワイヤが傾いていると、第９図（ｂ
）に示すように、バンプ整形の際、バンプ整形治具４０
によりワイヤが押しつぶされ第９図（ｃ）のようにワイ
ヤが倒れてしまい隣接電極に接続されたボールと接触す
るという問題かあった。
本発明の目的は、ＴＣチップ電極上に接続したボール上
に残されたワイヤが他のボールと接触することを防止で
きるバンプ形成方法およびその形成装置を提供すること
にある。
に残されたワイヤが他のボールと接触することを防止で
きるバンプ形成方法およびその形成装置を提供すること
にある。
本発明の第１の発明のハンプ形成方法は、ボールボンテ
ィング方法を用いてボールをＩＣチップ電極上に接続し
、ボールとワイヤ間を切断しボールのみを電極上に接続
するハンプ形成方法において、前記ボールとワイヤ間の
切断工程においてワイヤとボールの切断工程中のホンテ
ィングツールの動きをＩＣチップの電極毎に適宜変更し
、ボール上のワイヤ形状をあらかしめ癖づけをし、隣接
する電極との接触を防止したことを特徴として構成され
る。
ィング方法を用いてボールをＩＣチップ電極上に接続し
、ボールとワイヤ間を切断しボールのみを電極上に接続
するハンプ形成方法において、前記ボールとワイヤ間の
切断工程においてワイヤとボールの切断工程中のホンテ
ィングツールの動きをＩＣチップの電極毎に適宜変更し
、ボール上のワイヤ形状をあらかしめ癖づけをし、隣接
する電極との接触を防止したことを特徴として構成され
る。
また、本発明の第２のバンプ形成装置は、キャピラリと
クランパを上下に動かすＺ軸駆動機構を備えたホンディ
ングヘッドと、そのホンディングヘッドが取り付けられ
ているＸＹステージと、被接合部を固定して加熱するヒ
ータプレートと、これらの動作を制御する制御部とを含
むハンプ形成装置において、ＩＣチップ電極毎にボール
とワイヤの切断時のホンティングツールの移動方向を電
極毎に適宜変更する制御手段を存することを特徴として
構成される。
クランパを上下に動かすＺ軸駆動機構を備えたホンディ
ングヘッドと、そのホンディングヘッドが取り付けられ
ているＸＹステージと、被接合部を固定して加熱するヒ
ータプレートと、これらの動作を制御する制御部とを含
むハンプ形成装置において、ＩＣチップ電極毎にボール
とワイヤの切断時のホンティングツールの移動方向を電
極毎に適宜変更する制御手段を存することを特徴として
構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（ｉ）は本発明の一実施例におけるバンプ形成
方法の手順を示すボンディングツール部の断面図、第２
図＜ａ＞、（ｂ）は本発明の一実施例のバンプ形成方法
におけるボール上のワイヤ形状の癖うけ方法を示す斜視
図および平面図、また第３図、第４図は本発明の一実施
例のハンプ形成装置の側面図および制御部構成図である
。
（ａ）〜（ｉ）は本発明の一実施例におけるバンプ形成
方法の手順を示すボンディングツール部の断面図、第２
図＜ａ＞、（ｂ）は本発明の一実施例のバンプ形成方法
におけるボール上のワイヤ形状の癖うけ方法を示す斜視
図および平面図、また第３図、第４図は本発明の一実施
例のハンプ形成装置の側面図および制御部構成図である
。
ます、バンプ形成方法について第１図（ａ）〜（ｉ）お
よび第２図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。ＩＣデツ
プ５のＡ辺１０及び０辺１２の電極パッドにボール４を
超音波熱圧着方法などを用いて接続する。その後ボンデ
ィングツールをボール上に」−昇させ、次に、第２図（
ａ）の如くポンティンフラール１を、まず、Ｘ方向のＩ
Ｃチップの内部方向に動かしワイヤとボールの切断を行
なう。このときボール上にワイヤ部分か残る場合がある
がそのワイヤはボンディングツールをまずチップ内部方
向に動かしボールと切断させるので第２図は（ｂ）の如
くワイヤはチップの内部方向に傾いた形状となる。よっ
て仮にワイヤが倒れても隣接ボールとはワイヤの倒れて
いる方向が隣接ボールの方向とは異なるので接触するこ
とはない。
よび第２図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。ＩＣデツ
プ５のＡ辺１０及び０辺１２の電極パッドにボール４を
超音波熱圧着方法などを用いて接続する。その後ボンデ
ィングツールをボール上に」−昇させ、次に、第２図（
ａ）の如くポンティンフラール１を、まず、Ｘ方向のＩ
Ｃチップの内部方向に動かしワイヤとボールの切断を行
なう。このときボール上にワイヤ部分か残る場合がある
がそのワイヤはボンディングツールをまずチップ内部方
向に動かしボールと切断させるので第２図は（ｂ）の如
くワイヤはチップの内部方向に傾いた形状となる。よっ
て仮にワイヤが倒れても隣接ボールとはワイヤの倒れて
いる方向が隣接ボールの方向とは異なるので接触するこ
とはない。
又一般的にＩＣチップ表面に絶縁膜があり倒れたワイヤ
とＩＣチップの内部論理回路との短絡の可能性はない。
とＩＣチップの内部論理回路との短絡の可能性はない。
他のＩＣデツプＢ辺辺土１び０辺１３の電極上へのハン
プ形成は上述したようにワイヤとボールの切断の際ボン
デインクツールをＡ辺及び０辺の場合とは異なりＸ方向
のＩＣチップ内部配線方向に、即ちＩＣチップ端辺と直
行するように第２図（ａ）の如く動かせはボール上に残
ったワイヤが隣接するワイヤと接触することはない。よ
って第２図（ｂ）に示すようにＩＣチップＡ辺及び０辺
の電極」二にハンプを形成する場合はホンディングツー
ルをＸ方向に相対的に動かしＢ辺及びＤ辺の電極上にバ
ンプを形成についてはボンディングツールををＸ方向に
相対的に動かすようにする。このようにしてＩＣチップ
上の電極の位置によりボンディングツールを動かす方向
を適宜変更するようにすれは、仮にボール上にワイヤ部
分の一部分が残っても隣接するボールと接触するような
ことはない。本発明のバンプ形成方法を実行する為に本
発明の装置は、第３図の少なくともｘ、Ｘ方向にホンデ
ィングツールとＩＣチップを移動させる機構ｘ、ｙステ
ージ２１を有する構成をもちさらに、第４図の如＜ＩＣ
チップ上の電極の位置に応しボンティングツールの動作
パターンを入力・記憶保持する記憶ユニット２９とバン
プ形成に関しその記憶ユニット内のデータによりＩＣチ
ップ上の各電極の位置に応し最適なボンディングツール
動作シーケンスを制御する制御ユニット２７を持たせる
様にする。なお第４図において２５はｘ、ｙステージ駆
動部、２６はボンディングヘッド駆動部である。
プ形成は上述したようにワイヤとボールの切断の際ボン
デインクツールをＡ辺及び０辺の場合とは異なりＸ方向
のＩＣチップ内部配線方向に、即ちＩＣチップ端辺と直
行するように第２図（ａ）の如く動かせはボール上に残
ったワイヤが隣接するワイヤと接触することはない。よ
って第２図（ｂ）に示すようにＩＣチップＡ辺及び０辺
の電極」二にハンプを形成する場合はホンディングツー
ルをＸ方向に相対的に動かしＢ辺及びＤ辺の電極上にバ
ンプを形成についてはボンディングツールををＸ方向に
相対的に動かすようにする。このようにしてＩＣチップ
上の電極の位置によりボンディングツールを動かす方向
を適宜変更するようにすれは、仮にボール上にワイヤ部
分の一部分が残っても隣接するボールと接触するような
ことはない。本発明のバンプ形成方法を実行する為に本
発明の装置は、第３図の少なくともｘ、Ｘ方向にホンデ
ィングツールとＩＣチップを移動させる機構ｘ、ｙステ
ージ２１を有する構成をもちさらに、第４図の如＜ＩＣ
チップ上の電極の位置に応しボンティングツールの動作
パターンを入力・記憶保持する記憶ユニット２９とバン
プ形成に関しその記憶ユニット内のデータによりＩＣチ
ップ上の各電極の位置に応し最適なボンディングツール
動作シーケンスを制御する制御ユニット２７を持たせる
様にする。なお第４図において２５はｘ、ｙステージ駆
動部、２６はボンディングヘッド駆動部である。
第４図は（ａ）、（ｂ）は本発明のバンプ形成方法の他
の実施例により形成されたＩＣチ・ノブ上のハンプの状
況を示す上面図である。第４図＜ ａ、 ＞に示すよう
に、ＩＣチップ上の電極が周辺になくＩＣチップの内部
に密集して配置しているような場合、ボール上に残った
ワイヤを第り列３１の場合は右下４５°方向に倒し第１
列３３の場合は左下４５°方向に倒して癖づけしておけ
ば隣接するハンプとワイヤが接触する問題は防ぐことか
出来る。
の実施例により形成されたＩＣチ・ノブ上のハンプの状
況を示す上面図である。第４図＜ ａ、 ＞に示すよう
に、ＩＣチップ上の電極が周辺になくＩＣチップの内部
に密集して配置しているような場合、ボール上に残った
ワイヤを第り列３１の場合は右下４５°方向に倒し第１
列３３の場合は左下４５°方向に倒して癖づけしておけ
ば隣接するハンプとワイヤが接触する問題は防ぐことか
出来る。
以上説明したように本発明は、ＩＣチップ電極の位置に
応しボールとワイヤの切断時のボンディングツールの移
動方向を適宜変更することによりボール上に残ったワイ
ヤがボールと接触する問題を防止することがてきる効果
かある。
応しボールとワイヤの切断時のボンディングツールの移
動方向を適宜変更することによりボール上に残ったワイ
ヤがボールと接触する問題を防止することがてきる効果
かある。
第１図（ａ）〜（ｊ）は本発明の一実施例に使用したバ
ンプ形成におけるホンディングツールの動作手順を示す
断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例のバ
ンプ形成方法によるボール上のワイヤ形状の癖づけ方法
を示す斜視図および平面図、第３図、第４図は本発明の
一実施例のハンプ形成装置の構成を示す側面図および制
御部構成図、第５図（ａ）、（ｂ）は、本発明の他の実
施例により形成されたＩＣチップ上のバンプの状況を示
す上面図、第６図（ａ）〜（ｈ）は従来のバンプ形成に
おけるホンディングツールの動作手順を示す断面図、第
７図（ａ）〜（ｃ）は従来のハンプ整形の手順を示す側
面図、第８図（ａ）（ｂ）は従来のバンプ形成方法によ
るＩＣチップのバンプ形成方法および形成されたバンプ
の形状を示す斜視図および平面図、第９図（ａ）〜（Ｃ
）はバンプ整形時にボール上のワイヤと隣接するボール
との接触する状態を示す側面図である。 １・・ボンディングツール、２・・・ワイヤ、３・・・
クランプ、４・・・ボール、５・・・ＩＣチップ、６・
・・スパークロッド、７・・・バンプ、１０・・ＩＣチ
ップＡ０ 辺、］１・・ＩＣＣチアＢ辺、１２・・・ＩＣＣチアＣ
辺、１３・・ＩＣＣチアＤ辺、１４・・ＩＣＣチアＢ辺
にバンプ形成を行なう場合のｙ方向にホンディングツー
ルを移動させワイヤ切断する超音波ホーン、１５・・Ｉ
ＣＣチアＣ辺にバンプ形成を行なう場合のＸ方向にホン
ティングツールを移動させワイヤ切断する超音波ホーン
、１８・・・ＩＣチップ内部方向に傾いたボール上のワ
イヤ、２０・・・超音波ホーン、２１・・ｘ、ｙステー
ジ、２２・・ワイヤ供給機、２３・・・ボンディンクヘ
ット、２４・・Ｚ軸駆動機構、２５・・・ｘ、ｙステー
ジ駆動部、２６・・・ボンディングヘット駆動部、２７
・制御ユニット、２８・・・記憶ユニット、２つ・・
・ホンディングツール動作パターン記憶ユニット、３０
・・電極が密集したＩＣチップ、３１・・・ＩＣチップ
３０の第り列、３２・・・ＩＣチップ３０の第ｉ列、３
３・・・第り列の電極上に形成されたバンプ、３４・・
第１列の電極上に形成されたハンプ、３５・・第り列の
電極上に接続されたボール上の癖づけされたワイヤ、３
６・・・第ｉ列の電極上に接続されたボール上の癖づけ
されたワイヤ、４０ ハンプ整形治具、４］・ＩＣＣチ
アＢ辺にバンプ形成を行なう場合ＩＣチップＡ辺（又は
０辺）の場合と同じくＸ方向にのみボンデインクツール
を移動さぜワイヤを切断する超音波ホーン、４２・・・
ボール上のワイヤと隣接するボールの接触箇所、４３
隣接するボールとは接触していないが形状が傾いている
ボール上のワイヤ。
ンプ形成におけるホンディングツールの動作手順を示す
断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例のバ
ンプ形成方法によるボール上のワイヤ形状の癖づけ方法
を示す斜視図および平面図、第３図、第４図は本発明の
一実施例のハンプ形成装置の構成を示す側面図および制
御部構成図、第５図（ａ）、（ｂ）は、本発明の他の実
施例により形成されたＩＣチップ上のバンプの状況を示
す上面図、第６図（ａ）〜（ｈ）は従来のバンプ形成に
おけるホンディングツールの動作手順を示す断面図、第
７図（ａ）〜（ｃ）は従来のハンプ整形の手順を示す側
面図、第８図（ａ）（ｂ）は従来のバンプ形成方法によ
るＩＣチップのバンプ形成方法および形成されたバンプ
の形状を示す斜視図および平面図、第９図（ａ）〜（Ｃ
）はバンプ整形時にボール上のワイヤと隣接するボール
との接触する状態を示す側面図である。 １・・ボンディングツール、２・・・ワイヤ、３・・・
クランプ、４・・・ボール、５・・・ＩＣチップ、６・
・・スパークロッド、７・・・バンプ、１０・・ＩＣチ
ップＡ０ 辺、］１・・ＩＣＣチアＢ辺、１２・・・ＩＣＣチアＣ
辺、１３・・ＩＣＣチアＤ辺、１４・・ＩＣＣチアＢ辺
にバンプ形成を行なう場合のｙ方向にホンディングツー
ルを移動させワイヤ切断する超音波ホーン、１５・・Ｉ
ＣＣチアＣ辺にバンプ形成を行なう場合のＸ方向にホン
ティングツールを移動させワイヤ切断する超音波ホーン
、１８・・・ＩＣチップ内部方向に傾いたボール上のワ
イヤ、２０・・・超音波ホーン、２１・・ｘ、ｙステー
ジ、２２・・ワイヤ供給機、２３・・・ボンディンクヘ
ット、２４・・Ｚ軸駆動機構、２５・・・ｘ、ｙステー
ジ駆動部、２６・・・ボンディングヘット駆動部、２７
・制御ユニット、２８・・・記憶ユニット、２つ・・
・ホンディングツール動作パターン記憶ユニット、３０
・・電極が密集したＩＣチップ、３１・・・ＩＣチップ
３０の第り列、３２・・・ＩＣチップ３０の第ｉ列、３
３・・・第り列の電極上に形成されたバンプ、３４・・
第１列の電極上に形成されたハンプ、３５・・第り列の
電極上に接続されたボール上の癖づけされたワイヤ、３
６・・・第ｉ列の電極上に接続されたボール上の癖づけ
されたワイヤ、４０ ハンプ整形治具、４］・ＩＣＣチ
アＢ辺にバンプ形成を行なう場合ＩＣチップＡ辺（又は
０辺）の場合と同じくＸ方向にのみボンデインクツール
を移動さぜワイヤを切断する超音波ホーン、４２・・・
ボール上のワイヤと隣接するボールの接触箇所、４３
隣接するボールとは接触していないが形状が傾いている
ボール上のワイヤ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ボールボレディレグ方法を用いてボールをＩＣチッ
プ電極上に接続し、ボールとワイヤ間を切断し、ボール
のみを電極上に接続するバンプ形成方法において、前記
ボールとワイヤ間の切断工程においてワイヤとボールの
切断工程中のボンディングツールの動きをＩＣチップの
電極毎に適宜変更し、ボール上のワイヤ形状をあらかじ
め癖づけをし隣接する電極との接触を防止したことを特
徴とするバンプ形成方法。 ２、キャピラリとクランパを上下に動かすＺ軸駆動機構
を備えたボンディングヘッドと、該ボンディングヘッド
が取り付けられているＸＹステージと、被接合部を固定
して加熱するヒータプレートと、これらの動作を制御す
る制御部とを含むバンプ形成装置において、ＩＣチップ
電極毎にボールとワイヤの切断時のボンディングツール
の移動方向をＩＣチップ上の電極毎に適宜変更する制御
手段を有することを特徴とするバンプ形成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151632A JP2551150B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | バンプ形成方法及びその形成装置 |
| US07/532,219 US5060843A (en) | 1989-06-07 | 1990-06-01 | Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor |
| DE69012438T DE69012438T2 (de) | 1989-06-07 | 1990-06-06 | Verfahren zum Herstellen einer Unebenheit auf einer Halbleiterchip-Elektrode und Apparat zur Anwendung dafür. |
| EP19900110727 EP0402756B1 (en) | 1989-06-07 | 1990-06-06 | Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1151632A JP2551150B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | バンプ形成方法及びその形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0314235A true JPH0314235A (ja) | 1991-01-22 |
| JP2551150B2 JP2551150B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=15522787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1151632A Expired - Fee Related JP2551150B2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-13 | バンプ形成方法及びその形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551150B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237499A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置 |
| US6894387B2 (en) | 1996-10-01 | 2005-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor element having protruded bump electrodes |
| US6946380B2 (en) | 2002-02-19 | 2005-09-20 | Seiko Epson Corporation | Method for forming bump, semiconductor element having bumps and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1151632A patent/JP2551150B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551150B2 (ja) | 1996-11-06 |
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