JP2002233808A - Liquid treatment apparatus - Google Patents

Liquid treatment apparatus

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JP2002233808A
JP2002233808A JP2001030488A JP2001030488A JP2002233808A JP 2002233808 A JP2002233808 A JP 2002233808A JP 2001030488 A JP2001030488 A JP 2001030488A JP 2001030488 A JP2001030488 A JP 2001030488A JP 2002233808 A JP2002233808 A JP 2002233808A
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coating
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光広 坂井
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達也 岩崎
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid treatment apparatus provided with a transportation mechanism, in which a substrate is surely held in transporting the substrate and the generation of transfer in the substrate is suppressed. SOLUTION: A resist coating/development system 100, which is one of operation forms of the liquid treatment apparatus, possesses a resist coating system (CT) for forming a resist film on the substrate G 22, a peripheral resist removing unit (ER) 23 for removing the resist in the peripheral part of the substrate G and a transporting structure 50 for transporting the substrate G between 2 units. A suction structure 73 and a supporting pin 74 are arranged in transporting arms 51a and 51b constituting the transporting structure 50 to hold the substrate G.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶ディ
スプレイ(LCD)基板等にレジスト膜等の所定の塗布
膜を形成して、基板の周縁部の塗布膜を除去する処理に
用いられる液処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, a liquid treatment used for forming a predetermined coating film such as a resist film on a liquid crystal display (LCD) substrate or the like and removing the coating film on the peripheral portion of the substrate. Related to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、液晶ディスプレイ(LCD)の
製造においては、ガラス製の矩形基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターン
にてレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターン
が形成される。
2. Description of the Related Art For example, in the manufacture of a liquid crystal display (LCD), a photoresist liquid is applied to a rectangular substrate made of glass to form a resist film, and the resist film is exposed in a predetermined circuit pattern. Developing
A predetermined pattern is formed by a so-called photolithography technique.

【0003】このような回路パターンの形成は、複数の
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板はレジストの安定性を高めるために、アドヒージョン
処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)され、引
き続き、レジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が
行われる。こうして、レジスト膜が形成された基板に
は、加熱ユニットによるプリベーク、露光装置による所
定のパターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、
加熱ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板
に所定の回路パターンが形成される。
The formation of such a circuit pattern is performed using a resist coating / developing processing system in which a plurality of processing units are integrated. In such a system, first, the surface of the substrate is subjected to surface modification / cleaning treatment by ultraviolet irradiation as necessary, and then the cleaning unit performs brush cleaning and ultrasonic water cleaning. Thereafter, the substrate is subjected to a hydrophobic treatment (HMDS treatment) in an adhesion processing unit in order to enhance the stability of the resist, and subsequently, a resist coating is performed in a resist coating processing unit. Thus, the substrate on which the resist film is formed is subjected to pre-baking by a heating unit, exposure of a predetermined pattern by an exposure device, development processing by a development processing unit,
Post bake processing is sequentially performed in the heating unit, and a predetermined circuit pattern is formed on the substrate.

【0004】ここで、レジストの塗布からプリベーク前
までの処理工程についてより詳しく説明すると、まず、
疎水化処理された基板を水平回転可能なスピンチャック
に吸着保持し、基板上部よりレジストを供給した後に基
板を回転させると、レジスト液が遠心力により拡散して
基板上にレジスト膜が形成される。このような方法によ
って形成されたレジスト膜は塗布直後には均一な膜厚を
有するが、一般的に、基板の回転が停止して遠心力が働
かなくなった後や時間の経過に伴って、表面張力の影響
により基板の周縁部でレジスト膜が盛り上がるように厚
くなり、また、このような回転方式のレジスト塗布方法
を用いた場合には、基板から振り切られたレジスト液が
基板の裏面へ回り込んで付着、固化する。
Here, the processing steps from the application of the resist to before the pre-bake will be described in more detail.
When the substrate subjected to the hydrophobic treatment is suction-held on a horizontally rotatable spin chuck and the resist is supplied from above the substrate and then rotated, the resist liquid is diffused by centrifugal force to form a resist film on the substrate. . The resist film formed by such a method has a uniform film thickness immediately after coating, but in general, after the rotation of the substrate stops and centrifugal force stops working, or with the passage of time, Due to the effect of the tension, the resist film becomes thicker so that the resist film rises at the peripheral portion of the substrate, and when such a rotating resist coating method is used, the resist solution shaken off from the substrate flows around to the back surface of the substrate. To adhere and solidify.

【0005】こうして、基板の周縁部に形成された不均
一な厚みを有する膜部分や裏面に付着したレジストは、
その後の基板の搬送過程等においてパーティクルの発生
の原因となり、また、基板を搬送する装置を汚す原因に
もなることから、従来より、基板の周縁および裏面のレ
ジストにシンナー等の処理液を吐出して、レジストを溶
解し除去するエッジリムーブと呼ばれる処理が施され、
基板はその後にプリベーク処理へと送られている。
In this manner, the resist adhering to the film portion having an uneven thickness formed on the peripheral portion of the substrate and the back surface thereof,
Conventionally, a processing liquid such as a thinner is discharged to the resist on the peripheral edge and the back surface of the substrate, because the generation of particles may be caused in a subsequent process of transporting the substrate and the like, and may also cause a stain on an apparatus for transporting the substrate. Then, a process called edge remove that dissolves and removes the resist is performed,
The substrate is then sent to a pre-bake process.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】近年、LCDの大型化
や量産化、LCDの薄型化を目的として、基板としてよ
り薄くしかも大型の基板が用いられるようになってい
る。このような薄く大型の基板は撓みやすい性質を有し
ているために、レジスト膜が形成された基板をエッジリ
ムーブを行う位置まで移動させる際には、レジスト膜に
基板の撓みの影響が残らないように迅速に移動させなけ
ればならず、このために基板の搬送時に基板を保持する
保持手段は確実に基板を保持しながらも、保持した部分
が基板に転写されることがないように構成する必要があ
る。なお、基板の大きさに適応させて保持手段の交換が
容易であれば至便である。
In recent years, thinner and larger substrates have been used as substrates for the purpose of increasing the size and mass production of LCDs and reducing the thickness of LCDs. Since such a thin and large-sized substrate has a property of easily bending, when the substrate on which the resist film is formed is moved to a position where edge removal is performed, the effect of the bending of the substrate remains on the resist film. As a result, the holding means for holding the substrate during the transfer of the substrate is configured such that the held portion is not transferred to the substrate while holding the substrate reliably. There is a need. It is convenient if the holding means can be easily replaced in accordance with the size of the substrate.

【0007】また、このような保持手段を移動させて基
板を搬送する搬送機構からはパーティクル等が発生し易
いことから、このようなパーティクルが外部に向かって
拡散し基板に付着等することがないように注意する必要
がある。さらに、エッジリムーブが行われる位置におい
ては、基板は撓みの発生が少なく、しかも確実に周縁部
がフリーな状態で固定されている必要があり、このとき
にも基板を保持する保持手段によって基板に転写が発生
しないようにする必要がある。
Further, since particles and the like are easily generated from the transfer mechanism for transferring the substrate by moving the holding means, such particles do not diffuse outward and adhere to the substrate. You need to be careful. Further, at the position where the edge removal is performed, the substrate needs to be less bent and the peripheral portion must be securely fixed in a free state. At this time, the substrate is held by the holding means for holding the substrate. It is necessary to prevent transfer from occurring.

【0008】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、基板搬送時に基板を確実に
保持しつつ、基板における転写の発生を抑制した搬送機
構を備えた液処理装置を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、基板の搬送機構からのパーティクル等の
発生を抑制した液処理装置を提供することを目的とす
る。さらに、本発明は、基板を確実に保持しながらも基
板における転写の発生を抑制した液処理装置を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has a liquid processing apparatus provided with a transport mechanism which suppresses the occurrence of transfer on a substrate while securely holding the substrate during the transport of the substrate. It is intended to provide a device. Another object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus that suppresses generation of particles and the like from a substrate transfer mechanism. Still another object of the present invention is to provide a liquid processing apparatus in which transfer of a substrate is suppressed while the substrate is securely held.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、基
板を略水平に保持する保持手段を有し、前記保持手段に
保持された基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布膜
を形成する塗布処理ユニットと、前記塗布膜が形成され
た基板の周縁部における塗布膜および前記基板の周縁部
に付着した塗布液を除去する周縁塗布膜除去ユニット
と、前記塗布処理ユニットと前記周縁塗布膜除去ユニッ
トとの間で塗布膜が形成された基板を搬送する搬送機構
と、を具備し、前記搬送機構は、基板を吸着保持する吸
着機構および基板を頂点で保持する支持ピンが上面に配
設された搬送アームと、前記搬送アームを所定方向に移
動させる駆動機構と、を有することを特徴とする液処理
装置、が提供される。
That is, according to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on a substrate, comprising a holding means for holding the substrate substantially horizontally, and holding the substrate by the holding means. A coating processing unit for applying a predetermined coating liquid to the surface of the substrate to form a coating film, and a coating film at a peripheral portion of the substrate on which the coating film is formed and a coating liquid adhered to the peripheral portion of the substrate. A peripheral coating film removing unit to be removed, and a transport mechanism for transporting the substrate on which the coating film is formed between the coating processing unit and the peripheral coating film removing unit, wherein the transport mechanism adsorbs the substrate. A liquid processing apparatus, comprising: a transfer arm having a suction mechanism for holding and a support pin for holding a substrate at a vertex disposed on an upper surface; and a drive mechanism for moving the transfer arm in a predetermined direction. Be done

【0010】また、本発明によれば、基板に所定の液処
理を施す液処理装置であって、基板の表面に所定の塗布
液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理ユニットと、塗
布膜が形成された基板の周縁部における塗布膜および前
記基板の周縁部に付着した塗布液を除去する周縁塗布膜
除去ユニットを具備し、前記周縁塗布膜除去ユニット
は、基板を載置する上面の所定位置に複数の支持ピンと
複数の吸着機構が設けられた載置プレートと、所定の処
理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処理液吐出
ノズルから吐出された処理液および前記処理液によって
溶解された塗布液を吸引する処理液吸引ノズルが形成さ
れた除去ヘッドと、を有することを特徴とする液処理装
置、が提供される。
Further, according to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on a substrate, the coating processing unit forming a coating film by applying a predetermined coating liquid on the surface of the substrate, and a coating film unit. And a peripheral coating film removing unit that removes a coating film attached to the peripheral portion of the substrate and a coating liquid attached to the peripheral portion of the substrate, wherein the peripheral coating film removing unit has a predetermined upper surface on which the substrate is placed. A mounting plate provided with a plurality of support pins and a plurality of suction mechanisms at positions, a processing liquid discharge nozzle for discharging a predetermined processing liquid, and a processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle and dissolved by the processing liquid A liquid processing apparatus, comprising: a removal head having a processing liquid suction nozzle configured to suction a coating liquid.

【0011】さらに、本発明によれば、基板に所定の液
処理を施す液処理装置であって、基板を略水平に保持す
る保持手段を有し、前記保持手段に保持された基板の表
面に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理
装置と、前記塗布膜が形成された基板の周縁部における
塗布膜および前記基板の周縁部に付着した塗布液を除去
する周縁塗布膜除去装置と、前記塗布処理装置と前記周
縁塗布膜除去装置との間で塗布膜が形成された基板を搬
送する搬送機構と、を具備し、前記搬送機構は、基板を
保持する搬送アームと、前記搬送アームを前記塗布処理
装置と前記周縁塗布膜除去装置との間で移動させる駆動
機構と、前記駆動機構において発生するパーティクルが
外部に拡散しないように前記駆動機構を覆う防塵カバー
と、前記駆動機構において発生するパーティクルを吸引
する局所集塵機構と、を有することを特徴とする液処理
装置、が提供される。
Furthermore, according to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on a substrate, comprising a holding means for holding the substrate substantially horizontally, wherein the holding means holds the substrate substantially horizontally. A coating processing apparatus for forming a coating film by applying a predetermined coating liquid, and a peripheral coating film removal for removing the coating film on the peripheral portion of the substrate on which the coating film is formed and the coating solution attached to the peripheral portion of the substrate Device, and a transport mechanism for transporting a substrate on which a coating film is formed between the coating processing device and the peripheral edge coating film removing device, the transport mechanism comprising: a transport arm for holding a substrate; and A drive mechanism for moving a transfer arm between the coating apparatus and the peripheral coating film removing apparatus, a dust cover for covering the drive mechanism so that particles generated in the drive mechanism do not diffuse outside, and the drive mechanism Liquid processing apparatus characterized by comprising: a local dust mechanism for sucking the particles produced fraud and mitigating risk, is provided.

【0012】これら本発明の液処理装置によれば、基板
を搬送する搬送機構は、吸着機構により基板を確実に保
持していることから迅速に基板を搬送することができ、
しかも、一部においては基板との接触面積が小さい支持
ピンで基板を保持しているために基板における転写の発
生が抑制されて基板の品質が高く保持される。また、基
板を搬送する搬送機構にはカバーおよび局所排気手段が
設けられていることから、搬送機構の駆動によって生ず
るパーティクルが外部へ拡散して基板を汚染することが
防止され、基板の品質を高く保持することが可能とな
る。さらに、基板の周縁部における塗布膜を除去する処
理を行うにあたっては、吸着機構と支持ピンを併用する
ことによって基板を確実に固定しつつも、基板における
転写の発生が抑制され、基板の品質を高く維持すること
が可能となる。
According to the liquid processing apparatus of the present invention, the transport mechanism for transporting the substrate can transport the substrate quickly because the substrate is securely held by the suction mechanism.
In addition, since the substrate is partially held by the support pins having a small contact area with the substrate, the occurrence of transfer on the substrate is suppressed, and the quality of the substrate is kept high. In addition, since the transport mechanism for transporting the substrate is provided with the cover and the local exhaust means, particles generated by driving the transport mechanism are prevented from diffusing to the outside and contaminating the substrate, thereby improving the quality of the substrate. It is possible to hold. Furthermore, in performing the process of removing the coating film on the peripheral portion of the substrate, the use of the suction mechanism and the support pins together securely fixes the substrate, while suppressing the occurrence of transfer on the substrate and improving the quality of the substrate. It can be kept high.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の液処理装置の実施の形態について説明する。ここ
では本発明をLCD基板のレジスト塗布・現像処理シス
テムに適用した場合について説明することとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the liquid processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the present invention is applied to a resist coating and developing processing system for an LCD substrate will be described.

【0014】図1はレジスト塗布・現像処理システム1
00の平面図であり、このレジスト塗布・現像処理シス
テム100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載
置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せず)と
の間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス
部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセッ
トステーション1およびインターフェイス部3が配置さ
れている。
FIG. 1 shows a resist coating and developing system 1.
00 is a plan view of the resist coating / developing processing system 100 for mounting a cassette C containing a plurality of substrates G thereon and a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. A processing unit 2 having a plurality of processing units, and an interface unit 3 for transferring a substrate G to and from an exposure apparatus (not shown). 1 and an interface unit 3 are arranged.

【0015】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間で基板Gの搬送を行うための搬送機構1
0を備えている。そして、カセットステーション1にお
いてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構1
0はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10
a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アー
ム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬
送が行われる。
The cassette station 1 has a transport mechanism 1 for transporting the substrate G between the cassette C and the processing section 2.
0 is provided. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. Also, the transport mechanism 1
0 is a transport path 10 provided along the cassette arrangement direction.
A transfer arm 11 is provided which is movable on the substrate a. The transfer arm 11 transfers the substrate G between the cassette C and the processing unit 2.

【0016】処理部2は、前段部2aと中段部2bと後
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12
・13・14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
15・16が設けられている。
The processing section 2 is divided into a front section 2a, a middle section 2b, and a rear section 2c.
13 and 14. Each processing unit is arranged on both sides of these transport paths. The relay sections 15 and 16 are provided between them.

【0017】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には2つの洗浄処理ユニット(SCR)21a・21b
が配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射
ユニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に
重ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(H
P)が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷
却ユニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロ
ック27が配置されている。
The front section 2a is provided with a main transfer device 17 movable along the transfer path 12, and two cleaning processing units (SCR) 21a and 21b are provided on one side of the transfer path 12.
Is disposed on the other side of the transport path 12, a processing block 25 in which an ultraviolet irradiation unit (UV) and a cooling unit (COL) are stacked in two stages, and a heat processing unit (H).
A processing block 26 in which P) is stacked in two stages and a processing block 27 in which cooling units (COL) are stacked in two stages are arranged.

【0018】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側にはレジスト塗布処理ユニット(CT)22が設
けられている。レジスト塗布処理ユニット(CT)22
の隣にはレジスト塗布処理ユニット(CT)22におい
てレジスト膜が形成された後の基板Gの周縁部のレジス
トを除去する周縁レジスト除去ユニット(ER)23が
設けられている。
The middle section 2b is provided with a main transfer device 18 movable along the transfer path 13, and a resist coating unit (CT) 22 is provided on one side of the transfer path 13. Resist coating unit (CT) 22
Is provided with a peripheral resist removing unit (ER) 23 for removing the resist on the peripheral portion of the substrate G after the resist film is formed in the resist coating unit (CT) 22.

【0019】搬送路13の他方側には加熱処理ユニット
(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック28、加
熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)
が上下に重ねられてなる処理ブロック29、およびアド
ヒージョン処理ユニット(AD)と冷却ユニット(CO
L)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30が配置
されている。
On the other side of the transport path 13, a processing block 28 in which heating processing units (HP) are stacked in two stages, a heating processing unit (HP) and a cooling processing unit (COL)
, An adhesion processing unit (AD) and a cooling unit (CO)
L) are disposed on top of each other.

【0020】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には3つの現像処理ユニット(DEV)24a
・24b・24cが配置されており、搬送路14の他方
側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてな
る処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット
(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねら
れてなる処理ブロック32・33が配置されている。
Further, the rear section 2c is provided with a main transport device 19 movable along the transport path 14,
Is provided with three development processing units (DEV) 24a
24b and 24c are arranged, and on the other side of the transport path 14, a processing block 31 in which a heating processing unit (HP) is stacked in two stages, and both a heating processing unit (HP) and a cooling processing unit (COL) ) Are disposed on top of each other.

【0021】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト塗布処理ユニッ
ト(CT)22、現像処理ユニット(DEV)24aの
ようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の
側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理
ユニットのみを配置する構造となっている。また、中継
部15・16のスピナー系ユニット配置側の部分には薬
液供給ユニット34が配置されており、さらに主搬送装
置のメンテナンスを行うためのスペース35が設けられ
ている。
The processing section 2 has only a spinner system unit such as a cleaning processing unit 21a, a resist coating processing unit (CT) 22, and a developing processing unit (DEV) 24a disposed on one side of the transport path. On the other side, only a thermal processing unit such as a heating processing unit or a cooling processing unit is arranged. Further, a chemical solution supply unit 34 is disposed at a portion of the relay units 15 and 16 on the side where the spinner system unit is disposed, and a space 35 for performing maintenance of the main transport device is provided.

【0022】主搬送装置17・18・19は、それぞれ
水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、およ
び垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Gを支持するアームを有している。
Each of the main transfer devices 17, 18, and 19 has an X-axis drive mechanism, a Y-axis drive mechanism, and a vertical Z-axis drive mechanism in two directions in a horizontal plane, and further rotates about the Z axis. , And each has an arm for supporting the substrate G.

【0023】主搬送装置17は搬送アーム17aを有
し、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受
け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに
対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間
で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置18は搬送アーム18aを有し、中継部15と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置19は搬送アーム19aを
有し、中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとと
もに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板
Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部1
5・16は冷却プレートとしても機能する。
The main transfer device 17 has a transfer arm 17a, transfers the substrate G to and from the transfer arm 11 of the transfer mechanism 10, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the front section 2a. Has a function of transferring the substrate G to and from the relay unit 15. Further, the main transfer device 18 has a transfer arm 18a, transfers the substrate G to and from the relay unit 15, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the middle unit 2b. And a function of transferring the substrate G during the transfer. Further, the main transfer device 19 has a transfer arm 19a, transfers the substrate G to and from the relay unit 16, loads and unloads the substrate G to and from the respective processing units in the rear-stage unit 2c, and further connects to the interface unit 3. And a function of transferring the substrate G during the transfer. The relay unit 1
5 and 16 also function as cooling plates.

【0024】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する2つのバッファステージ37
と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬
入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38
はエクステンション36およびバッファステージ37の
配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能
な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処
理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
The interface section 3 includes an extension 36 for temporarily holding the substrate when transferring the substrate to and from the processing section 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for disposing a buffer cassette.
And a transport mechanism 38 for loading and unloading the substrate G between these and an exposure apparatus (not shown). Transport mechanism 38
Is provided with a transfer arm 39 movable along a transfer path 38a provided along the direction in which the extension 36 and the buffer stage 37 are arranged. The transfer arm 39 allows the transfer of the substrate G between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Done.

【0025】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
By integrating and integrating the processing units in this manner, space can be saved and processing efficiency can be improved.

【0026】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが処理
部2に搬送され、処理部2では、まず前段部2aの処理
ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面改質
・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)で冷
却された後、洗浄処理ユニット(SCR)21a・21
bでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック26のいず
れかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、
処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(COL)
で冷却される。
In the resist coating / developing processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing section 2, and the processing section 2 firstly performs the ultraviolet irradiation unit (in the processing block 25 of the former stage 2 a). UV) to perform surface modification and cleaning processing, and after cooling in the cooling processing unit (COL), cleaning processing units (SCR) 21a and 21
After the scrubber cleaning is performed in b and heated and dried in one of the heat treatment units (HP) of the processing block 26,
Any cooling unit (COL) of the processing block 27
Cooled by.

【0027】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)された後、下段の冷却処理ユニッ
ト(COL)で冷却される。次いで、レジスト塗布処理
ユニット(CT)22において、基板Gにレジストが塗
布される。
Thereafter, the substrate G is transported to the middle section 2b,
In order to improve the fixability of the resist, the treatment block 30 is subjected to a hydrophobic treatment (HMDS treatment) in the upper adhesion processing unit (AD), and then cooled in the lower cooling processing unit (COL). Next, in the resist coating unit (CT) 22, a resist is coated on the substrate G.

【0028】このレジスト塗布工程では、例えば、レジ
スト液を基板Gに供給する前に、基板Gを回転させなが
らシンナー等の処理液を供給して基板Gの表面のレジス
ト液に対する濡れ性を向上させて、その後に基板Gを一
旦静止させ、レジスト液を基板Gに供給してから再び基
板Gを回転させて基板Gの全面にレジスト液を拡げるよ
うにして、レジスト膜が形成される。
In this resist coating step, for example, before supplying the resist liquid to the substrate G, a processing liquid such as a thinner is supplied while rotating the substrate G to improve the wettability of the surface of the substrate G with respect to the resist liquid. Thereafter, the substrate G is once stopped, the resist solution is supplied to the substrate G, and then the substrate G is rotated again to spread the resist solution over the entire surface of the substrate G, thereby forming a resist film.

【0029】このようなレジスト塗布処理ユニット(C
T)22での処理の終了後に、基板Gは周縁レジスト除
去ユニット(ER)23へ搬送され、基板Gの周縁部の
レジストの除去(以下、このような処理を「エッジリム
ーブ」という)が行われる。エッジリムーブは、基板G
のレジスト膜が形成された面の周縁部のレジストの除去
と、基板Gの側面ならびに基板Gの裏面に付着したレジ
ストの除去と、を行う処理をいう。
The resist coating unit (C)
After completion of the processing in T) 22, the substrate G is transported to the peripheral resist removing unit (ER) 23, and the resist on the peripheral edge of the substrate G is removed (hereinafter, such processing is referred to as “edge removal”). Will be Edge remove is for board G
Of removing the resist on the peripheral portion of the surface on which the resist film is formed, and removing the resist attached to the side surface of the substrate G and the back surface of the substrate G.

【0030】その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱
処理ユニット(HP)の1つでプリベーク処理され、処
理ブロック29または30の下段の冷却ユニット(CO
L)で冷却される。次いで、基板Gは中継部16から主
搬送装置19にてインターフェイス部3を介して露光装
置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そ
して、基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入
され、必要に応じて後段部2cの処理ブロック31・3
2・33のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポス
トエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユ
ニット(DEV)24a・24b・24cのいずれかで
現像処理され、所定の回路パターンが形成される。
Thereafter, the substrate G is pre-baked in one of the heating units (HP) in the middle section 2b, and the lower cooling unit (CO) in the processing block 29 or 30 is processed.
L). Next, the substrate G is transported from the relay section 16 to the exposure apparatus via the interface section 3 by the main transport apparatus 19, where a predetermined pattern is exposed. Then, the substrate G is again carried in via the interface unit 3 and, if necessary, the processing blocks 31.3 of the subsequent stage 2c.
After performing post-exposure bake processing in any one of the heat processing units (HP) 2 and 33, development processing is performed in any of the development processing units (DEV) 24a, 24b, and 24c to form a predetermined circuit pattern. .

【0031】現像処理された基板Gは、後段部2cのい
ずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処
理が施された後、いずれかの冷却ユニット(COL)に
て冷却され、主搬送装置19・18・17および搬送機
構10によってカセットステーション1上の所定のカセ
ットCに収容される。
The developed substrate G is subjected to a post-baking process in one of the heat treatment units (HP) in the post-stage 2c, and then cooled in one of the cooling units (COL) to carry out the main transfer. The sheets are stored in a predetermined cassette C on the cassette station 1 by the devices 19, 18, and 17 and the transport mechanism 10.

【0032】このようなレジスト塗布・現像処理システ
ム100においては、隣接するレジスト塗布処理ユニッ
ト(CT)22と周縁レジスト除去ユニット(ER)2
3は、これらのユニット間に境界壁を設けずに、基板G
を一方のユニットから他方のユニットへ移動させること
ができる連設構造とすることが可能である。この場合に
は、レジスト塗布処理ユニット(CT)22において表
面にレジスト膜が形成され、また、裏面にレジスト液が
付着した基板Gを搬送アーム18aを用いて周縁レジス
ト除去ユニット(ER)23へ搬送しないために、基板
Gの裏面に付着したレジスト液による搬送アーム18a
の汚染が防止され、この搬送アーム18aの汚染がさら
に隣接する各種処理ユニットへの拡がることを防止する
ことができる。
In such a resist coating and developing system 100, the adjacent resist coating unit (CT) 22 and the peripheral resist removing unit (ER) 2
3 is a substrate G without providing a boundary wall between these units.
Can be connected to each other so as to be able to be moved from one unit to the other unit. In this case, a resist film is formed on the front surface in the resist coating unit (CT) 22, and the substrate G having the resist liquid adhered to the back surface is transported to the peripheral resist removing unit (ER) 23 using the transport arm 18a. In order to avoid this, the transfer arm 18a due to the resist solution adhering to the back surface of the substrate G
Is prevented, and the contamination of the transfer arm 18a can be prevented from spreading to various adjacent processing units.

【0033】図2の平面図および図3の断面図は、レジ
スト塗布処理ユニット(CT)22と周縁レジスト除去
ユニット(ER)23を連設した一実施形態を示してい
る。以下、レジスト塗布処理ユニット(CT)22およ
び周縁レジスト除去ユニット(ER)23ならびにレジ
スト塗布処理ユニット(CT)22と周縁レジスト除去
ユニット(ER)23との間で基板Gを搬送する搬送機
構50について詳細に説明する。
The plan view of FIG. 2 and the cross-sectional view of FIG. 3 show an embodiment in which a resist coating unit (CT) 22 and a peripheral resist removing unit (ER) 23 are connected. Hereinafter, the resist coating unit (CT) 22 and the peripheral resist removing unit (ER) 23 and the transport mechanism 50 for transporting the substrate G between the resist coating unit (CT) 22 and the peripheral resist removing unit (ER) 23 will be described. This will be described in detail.

【0034】レジスト塗布処理ユニット(CT)22
は、基板Gを略水平に保持し、回転自在に構成されたス
ピンチャック41と、スピンチャック41を囲繞するよ
うに設けられた内側カップ42aと、内側カップ42a
を囲繞するように設けられた外側カップ42bと、レジ
スト液等の飛散を防止するために外側カップ42bを囲
繞するように設けられた飛散防止カバー42cと、内側
カップ42aの上面開口部を開閉する昇降可能な内蓋4
3aおよび外側カップ42bの上面開口部を開閉する昇
降可能な外蓋43bと、を有している。また、レジスト
塗布処理ユニット(CT)22は、スピンチャック41
に保持された基板Gにレジスト液を塗布するレジスト液
供給ノズルと、シンナーを塗布するシンナー供給ノズル
が配設されたヘッド44を回動するアーム45を有して
いる。
Resist coating unit (CT) 22
A spin chuck 41 configured to hold the substrate G substantially horizontally and to be rotatable; an inner cup 42a provided to surround the spin chuck 41; and an inner cup 42a.
, An anti-scattering cover 42c provided to surround the outer cup 42b to prevent the resist liquid and the like from scattering, and an upper opening of the inner cup 42a is opened and closed. Liftable inner lid 4
3a and a liftable outer lid 43b for opening and closing the upper opening of the outer cup 42b. The resist coating unit (CT) 22 includes a spin chuck 41.
A resist liquid supply nozzle for applying a resist liquid to the substrate G held in the substrate G, and an arm 45 for rotating a head 44 provided with a thinner supply nozzle for applying a thinner.

【0035】スピンチャック41は図示しない昇降機構
により昇降自在となっており、スピンチャック41は飛
散防止カバー42cの上面よりも高い位置において、主
搬送装置18の搬送アーム18aとの間で基板Gの受け
渡しを行い、また、搬送機構50の搬送アーム51との
間で基板の受け渡しを行うことができるようになってい
る。
The spin chuck 41 can be moved up and down by an elevating mechanism (not shown). The spin chuck 41 is positioned higher than the upper surface of the scattering prevention cover 42c to transfer the substrate G between itself and the transfer arm 18a of the main transfer device 18. The transfer is performed, and the transfer of the substrate to and from the transfer arm 51 of the transfer mechanism 50 can be performed.

【0036】周縁レジスト除去ユニット(ER)23
は、基板Gを載置するためのステージ93と、ステージ
93を昇降させる図示しない昇降機構と、ステージ93
に載置される基板Gの位置決めするためにステージ93
の2つのコーナー部に設けられたアライメント機構91
と、基板Gの周縁部に形成されたレジスト膜や基板Gの
側面および裏面に付着したレジストを基板Gから除去す
るためのリムーバヘッド92と、を有しており、リムー
バヘッド92は基板Gの4辺それぞれに設けられてい
る。
Peripheral resist removal unit (ER) 23
A stage 93 for mounting the substrate G, an elevating mechanism (not shown) for elevating the stage 93,
Stage 93 for positioning the substrate G placed on the
Alignment mechanism 91 provided at two corners
And a remover head 92 for removing, from the substrate G, a resist film formed on the peripheral portion of the substrate G and a resist adhered to the side and back surfaces of the substrate G. It is provided on each of the four sides.

【0037】ステージ93のより詳細な構造を示す平面
図を図4に示す。ステージ93の表面の所定位置には、
基板Gに当接して基板Gを保持する支持ピン95と、基
板Gに吸着して基板Gを保持する吸着機構96が配設さ
れている。支持ピン95の一実施形態を示す断面図を図
5(a)に、吸着機構96の一実施形態を示す断面図を
図5(b)にそれぞれ示し、図6に基板Gをステージ9
3上に載置する際における吸着機構96の動作の様子を
示した説明図を示す。
FIG. 4 is a plan view showing a more detailed structure of the stage 93. At a predetermined position on the surface of the stage 93,
A support pin 95 that contacts the substrate G and holds the substrate G, and a suction mechanism 96 that suctions the substrate G and holds the substrate G are provided. FIG. 5A is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the support pin 95, and FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating an embodiment of the suction mechanism 96. FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state of an operation of the suction mechanism 96 when the device is placed on the apparatus 3;

【0038】図5(a)に示されるように、支持ピン9
5は、頂点部95aと上段部95bと下段部95cから
構成されて段差構造を有しており、下段部95cの外径
d2(例えば、5mmφ)を上段部95bの外径d1
(例えば、2mmφ)よりも大きく形成することで、基
板Gを保持するために十分な機械的強度を確保してい
る。また、上段部95bの外径d1を小さくして頂点部
95aを略球面状に形成することにより、基板Gと支持
ピン95との接触面積が低減され、基板Gへ支持ピン9
5が当接することによって基板Gに転写が発生すること
が抑制される。
As shown in FIG. 5A, the support pins 9
5 has a step structure composed of an apex portion 95a, an upper portion 95b, and a lower portion 95c, and has an outer diameter d2 (for example, 5 mmφ) of the lower portion 95c and an outer diameter d1 of the upper portion 95b.
By forming it larger than (for example, 2 mmφ), sufficient mechanical strength to hold the substrate G is secured. Further, the contact area between the substrate G and the support pins 95 is reduced by reducing the outer diameter d1 of the upper step portion 95b and forming the apex portion 95a in a substantially spherical shape.
The occurrence of transfer on the substrate G due to the contact of 5 is suppressed.

【0039】このような支持ピン95を構成する材料と
しては、所定の機械的強度が確保され、基板Gに傷等が
発生することのないように頂点部95aの硬度は基板G
よりも小さいとの条件の下で、好ましくは基板Gと熱伝
導性等の物性値が近似しているものを用いることが好ま
しく、例えば、ポリベンゾイミダゾールとカーボンファ
イバーを主成分とした複合材料を用いることができる。
このような複合材料の成形体は、例えば、射出成形等に
より量産が容易であり、そのため装置コストの低減を図
ることも容易である。
The material constituting the support pins 95 has a predetermined mechanical strength, and the hardness of the apex portion 95a is set so that the substrate G is not damaged.
Under the condition that the substrate G is smaller than the substrate G, it is preferable to use a substrate G having properties similar to those of the substrate G, such as thermal conductivity. For example, a composite material containing polybenzimidazole and carbon fiber as main components is preferably used. Can be used.
The molded body of such a composite material can be easily mass-produced by, for example, injection molding or the like, and therefore, it is easy to reduce the apparatus cost.

【0040】図5(b)に示されるように、吸着機構9
6は、吸着パッド97と、吸着パッド97を囲繞するよ
うに配置された筒状体98とを有している。吸着パッド
97は中央部に吸引のための吸引孔97cが形成された
すり鉢状の吸着部97aと、吸着部97aを保持する土
台部97bから構成されており、吸引孔97cは土台部
97bを貫通している。また、筒状体98は基台98b
の上面にシート98aが設けられた構造を有している。
As shown in FIG. 5B, the suction mechanism 9
6 has a suction pad 97 and a cylindrical body 98 arranged so as to surround the suction pad 97. The suction pad 97 includes a mortar-shaped suction portion 97a having a suction hole 97c for suction formed in the center portion, and a base portion 97b holding the suction portion 97a. The suction hole 97c passes through the base portion 97b. are doing. In addition, the cylindrical body 98 has a base 98b.
Has a structure in which a sheet 98a is provided on the upper surface of the.

【0041】図6に示すように、基板Gがステージ93
上に搬送された場合には、最初に、基板Gは吸着パッド
97の吸着部97aの上面に当接する。この状態におい
て図示しない吸引手段を用いて吸引孔97cから吸引を
行うと、吸着部97aが基板Gを強固に吸着するととも
に、基板Gの自重によって吸着部97aと土台部97b
との境界部分が座屈して吸着部97aの上面位置が下が
る。こうして、基板Gは筒状体98の上面、つまりシー
ト98aに当接するとともに支持ピン95の頂点に当接
し、ステージ93上に保持される。シート98aは基板
Gに当接して基板Gを保持することから、例えば、発泡
性フッ素樹脂シート等の樹脂材料が好適に用いられる。
As shown in FIG. 6, the substrate G is
When transported upward, the substrate G first contacts the upper surface of the suction portion 97a of the suction pad 97. In this state, when suction is performed from the suction hole 97c using suction means (not shown), the suction portion 97a firmly sucks the substrate G, and the suction portion 97a and the base portion 97b are owed to the weight of the substrate G.
Is buckled and the upper surface position of the suction portion 97a is lowered. Thus, the substrate G comes into contact with the upper surface of the cylindrical body 98, that is, the sheet 98a, and also contacts the apex of the support pin 95, and is held on the stage 93. Since the sheet 98a contacts the substrate G and holds the substrate G, for example, a resin material such as an expandable fluororesin sheet is preferably used.

【0042】ステージ93上に支持ピン95と吸着機構
96とを混在させた理由は以下の通りである。すなわ
ち、支持ピン95は基板Gの自重によって生ずる摩擦力
のみによって基板Gを保持するために基板Gを固定する
力は大きなものではない。このため、支持ピン95のみ
によってステージ93上に基板Gを保持すると、基板G
に転写が起こり難くなるという利点がある一方で、エッ
ジリムーブの際に基板Gが動いてしまい、所定範囲のエ
ッジリムーブが行えなくなるというおそれがある。
The reason why the support pins 95 and the suction mechanism 96 are mixed on the stage 93 is as follows. That is, since the support pins 95 hold the substrate G only by the frictional force generated by the weight of the substrate G, the force for fixing the substrate G is not large. Therefore, when the substrate G is held on the stage 93 only by the support pins 95, the substrate G
On the other hand, there is an advantage that the transfer is less likely to occur, while the substrate G moves during edge removal, and there is a possibility that the edge removal in a predetermined range cannot be performed.

【0043】一方、吸着機構96は強制的な吸引力によ
り基板Gを保持することができることから、基板Gを固
定する力が強く、所定範囲のエッジリムーブを行うこと
ができる点で有利であるが、吸着部97aと基板Gとの
接触面積が大きくなることから基板Gに転写が発生しや
すくなるという問題がある。そこで、支持ピン95と吸
着機構96を混在させて配置することにより、基板Gを
必要最小限の力でステージ93上に固定しつつ、基板G
における転写の発生を抑制して、基板Gの品質を高く維
持することが可能となる。
On the other hand, since the suction mechanism 96 can hold the substrate G by the forcible suction force, it is advantageous in that the force for fixing the substrate G is strong and the edge removal in a predetermined range can be performed. In addition, since the contact area between the suction portion 97a and the substrate G is increased, there is a problem that transfer to the substrate G is likely to occur. Therefore, by arranging the support pins 95 and the suction mechanism 96 in a mixed manner, the substrate G can be fixed on the stage 93 with a minimum necessary force while the substrate G
, And the quality of the substrate G can be maintained at a high level.

【0044】図7は、1枚の基板Gから4枚のパネルを
製品として取り出す場合の支持ピン95と吸着機構96
の配置位置の例を示した平面図である。図7に示すよう
に、基板Gの製品外領域E(基板G全体から4枚のパネ
ルの製品領域P1〜P4を除いた領域)に吸着機構96
を配置し、製品領域P1〜P4の内部を保持する必要が
ある場合には、支持ピン95を製品領域P1〜P4内に
配置する。このように支持ピン95と吸着機構96を配
置することにより、転写跡の発生を抑制して、製品の品
質を高く維持することが可能となる。
FIG. 7 shows a support pin 95 and a suction mechanism 96 when four panels are taken out from one substrate G as a product.
FIG. 5 is a plan view showing an example of the arrangement position of the. As shown in FIG. 7, the suction mechanism 96 is attached to the non-product area E of the substrate G (the area excluding the product areas P1 to P4 of the four panels from the entire substrate G).
When it is necessary to hold the inside of the product areas P1 to P4, the support pins 95 are arranged in the product areas P1 to P4. By arranging the support pins 95 and the suction mechanism 96 in this way, it is possible to suppress the occurrence of transfer marks and to maintain high product quality.

【0045】一方、製品領域P1〜P4の間隔が狭い場
合や製品領域P1〜P4と基板Gの外周との間隔が狭い
場合において、吸着機構96が製品領域P1〜P4に不
可避的に入ることとなる場合には、幅の狭い製品外領域
Eを挟んで製品領域P1〜P4の中の2つに跨るよう
に、または、製品領域P1〜P4のエッジ部分に掛かる
ように吸着機構96を配置し、製品領域P1〜P4内を
保持する必要がある場合には支持ピンを製品領域P1〜
P4内に配置する。
On the other hand, when the space between the product regions P1 to P4 is narrow or when the space between the product regions P1 to P4 and the outer periphery of the substrate G is narrow, the suction mechanism 96 inevitably enters the product regions P1 to P4. In such a case, the suction mechanism 96 is disposed so as to straddle two of the product regions P1 to P4 with the narrow outer product region E therebetween, or to hang over the edge portion of the product regions P1 to P4. When it is necessary to hold the inside of the product areas P1 to P4, the support pins are changed to the product areas P1 to P4.
Place in P4.

【0046】こうして、製品領域P1〜P4の中央部に
転写跡が発生することが防止され、また、仮に吸着機構
96によって転写跡が発生しても、製品領域P1〜P4
の周縁部であるために、製品として使用するに支障のな
いレベルに抑えることができるようになる。なお、基板
Gが吸着機構96の外周を構成する筒状体98の上部に
形成されたシート98aと当接する部分では、基板Gに
転写跡が発生することが抑制されるため、製品領域P1
〜P4内への転写跡の発生を抑制することも可能であ
る。
In this manner, transfer marks are prevented from being generated at the center of the product areas P1 to P4. Even if transfer marks are generated by the suction mechanism 96, the product areas P1 to P4
Because of the peripheral portion, the level can be suppressed to a level that does not hinder use as a product. In a portion where the substrate G comes into contact with the sheet 98a formed on the upper part of the cylindrical body 98 constituting the outer periphery of the suction mechanism 96, the occurrence of transfer traces on the substrate G is suppressed.
It is also possible to suppress the occurrence of transfer marks in P4.

【0047】さて、リムーバヘッド92は、図3の断面
図に示すように、基板Gの周縁を挟み込むように断面略
U字状の形状を有しており、リムーバヘッド92には基
板Gにレジストを溶解させる処理液、例えば、シンナー
を吐出するシンナー吐出ノズル(図示せず)と、このシ
ンナー吐出ノズルから吐出されるシンナーを吸引するシ
ンナー吸引ノズル(図示せず)が形成されており、リム
ーバヘッド92は基板Gの4辺に沿ってそれぞれ移動す
るように構成されている。こうして、リムーバヘッド9
2を基板Gの各辺に沿って移動させる際に、シンナーを
吐出しながら吐出されたシンナーおよび溶解したレジス
トを吸引させることで、基板Gの4辺のエッジリムーブ
を行うことができるようになっている。
As shown in the sectional view of FIG. 3, the remover head 92 has a substantially U-shaped cross section so as to sandwich the periphery of the substrate G. A thinner discharge nozzle (not shown) for discharging a thinner, and a thinner suction nozzle (not shown) for sucking the thinner discharged from the thinner discharge nozzle. Reference numeral 92 is configured to move along four sides of the substrate G, respectively. Thus, the remover head 9
When the substrate 2 is moved along each side of the substrate G, the thinner discharged and the dissolved resist are sucked while discharging the thinner, so that the four sides of the substrate G can be edge-removed. ing.

【0048】続いて、レジスト塗布処理ユニット(C
T)22と周縁レジスト除去ユニット(ER)23との
間で基板Gを搬送する搬送機構50の構造について説明
する。図8は搬送機構50の構造を示した平面図であ
り、図8においてはレジスト塗布処理ユニット(CT)
22と周縁レジスト除去ユニット(ER)23を図示し
ていない。また、図9は搬送機構50を基板Gの搬送方
向からみた概略断面図である。
Subsequently, a resist coating unit (C
The structure of the transport mechanism 50 that transports the substrate G between the T) 22 and the peripheral edge resist removal unit (ER) 23 will be described. FIG. 8 is a plan view showing the structure of the transport mechanism 50. In FIG. 8, a resist coating unit (CT) is shown.
The reference numeral 22 and the peripheral resist removal unit (ER) 23 are not shown. FIG. 9 is a schematic sectional view of the transfer mechanism 50 as viewed from the transfer direction of the substrate G.

【0049】図2および図3ならびに図8および図9に
示されるように、搬送機構50は、基板Gを保持する搬
送アーム51a・51bと、搬送アーム51a・51b
をそれぞれ保持する支柱52a・52bと、支柱52a
・52bとそれぞれ嵌合しているガイド53a・53b
と、搬送アーム51a・51の移動方向の一端に設けら
れた回転駆動モータ58と、回転駆動モータ58に取り
付けられたシャフト56aと、シャフト56aに取り付
けられたプーリー57a・57bと、搬送アーム51a
・51bの移動方向の他端に設けられたシャフト56b
と、シャフト56bに取り付けられたプーリー57c・
57dと、プーリー57a・57c間に架設されたベル
ト55aと、プーリー57b・57d間に架設されたベ
ルト55bと、ベルト55aと支柱52aとを連結する
連結部材54aと、ベルト55bと支柱52bとを連結
する連結部材54bと、カバー59a・59bと、を有
している。
As shown in FIGS. 2 and 3 and FIGS. 8 and 9, the transfer mechanism 50 includes transfer arms 51a and 51b for holding the substrate G and transfer arms 51a and 51b.
52a and 52b that respectively hold the
Guides 53a and 53b respectively fitted with 52b
A rotary drive motor 58 provided at one end of the transfer arms 51a and 51 in the movement direction, a shaft 56a mounted on the rotary drive motor 58, pulleys 57a and 57b mounted on the shaft 56a, and a transfer arm 51a.
A shaft 56b provided at the other end in the moving direction of 51b
And a pulley 57c attached to the shaft 56b.
57d, a belt 55a provided between the pulleys 57a and 57c, a belt 55b provided between the pulleys 57b and 57d, a connecting member 54a for connecting the belt 55a and the support 52a, and a belt 55b and the support 52b. It has a connecting member 54b to be connected, and covers 59a and 59b.

【0050】図8および図9に示すように、ガイド53
a・53bにはそれぞれレール75a・75bが形成さ
れ、支柱52a・52bはそれぞれレール75a・75
bに嵌合している。但し、このような支柱52a・52
bのガイド53a・53bへの嵌合の形態は一例に過ぎ
ず、支柱52a・52bを所定方向に誘導することがで
きれば他の構造のガイドを用いても構わない。
As shown in FIG. 8 and FIG.
The rails 75a and 75b are formed on the rails 75a and 75b, respectively.
b. However, such support columns 52a and 52
The mode of fitting b to the guides 53a and 53b is merely an example, and a guide having another structure may be used as long as the columns 52a and 52b can be guided in a predetermined direction.

【0051】搬送機構50において、シャフト56bと
プーリー57c・57dはシャフト56bの軸回りに回
転自在となっており、回転駆動モータ58を所定方向に
回転させるとシャフト56aおよびプーリー57a・5
7bが同時に回転することでベルト55a・55bが回
転する。ここで、支柱52a・52bは連結部材54a
・54bによりそれぞれベルト55a・55bと連結さ
れていることから、ベルト55a・55bが回転すると
支柱52a・52bは同時に同方向へ移動し、搬送アー
ム51a・51bが移動する。
In the transport mechanism 50, the shaft 56b and the pulleys 57c and 57d are rotatable around the axis of the shaft 56b. When the rotation drive motor 58 is rotated in a predetermined direction, the shaft 56a and the pulleys 57a and 5d are rotated.
The belts 55a and 55b rotate by the simultaneous rotation of 7b. Here, the columns 52a and 52b are connected to the connecting members 54a.
Since the belts 55a and 55b are connected to the belts 55a and 55b, respectively, when the belts 55a and 55b rotate, the columns 52a and 52b simultaneously move in the same direction, and the transfer arms 51a and 51b move.

【0052】回転駆動モータ58を駆動した際には、回
転駆動モータ58やベルト55aとプーリー57a・5
7cとの摺動部、ベルト55bとプーリー57b・57
dとの摺動部、ガイド53aの下部においてシャフト5
6a・56bを保持する摺動部からパーティクル等が発
塵する。駆動機構50においては、このようなパーティ
クル等の外部への拡散を防止するためにカバー59a・
59bを設けるとともに、これらの摺動部の近傍から直
接に局所的な排気を行い、所定の排気経路を経てパーテ
ィクル等が集塵、廃棄されるようになっている。こうし
て、パーティクル等の基板Gへの付着が防止され、基板
Gの品質を高く保持することが可能となっている。
When the rotation drive motor 58 is driven, the rotation drive motor 58, the belt 55a and the pulleys 57a
7c, the belt 55b and the pulleys 57b and 57
d at the lower portion of the guide 53a.
Particles and the like are generated from the sliding portion that holds 6a and 56b. The drive mechanism 50 includes a cover 59a and a cover 59a to prevent such particles and the like from diffusing to the outside.
59b is provided, and local exhaust is performed directly from the vicinity of these sliding portions, so that particles and the like are collected and discarded through a predetermined exhaust path. In this way, particles and the like are prevented from adhering to the substrate G, and the quality of the substrate G can be kept high.

【0053】搬送アーム51aは、支柱52a連結され
た連結部71aと把持部72aから構成されており、搬
送アーム51bも同様に連結部71bと把持部72bか
ら構成されている。把持部72a・72bの上面には、
基板Gを吸着保持する吸着機構73と、基板Gに当接し
て基板Gを保持する支持ピン74とが形成されている。
ここで、基板Gにおいて電極パターンが形成された部分
に転写が生じないように、吸着機構73は基板Gの端部
において基板Gを吸着保持し、支持ピン74で基板Gの
内側を保持するように、吸着機構73と支持ピン74の
位置を定めることが好ましい。このように、搬送アーム
51a・51bに吸着機構73と支持ピン74とを併設
することで、強固に基板Gを保持して高速で基板Gを搬
送し、スループットを向上させることができるととも
に、基板Gにおける転写の発生を防止することが可能と
なる。
The transfer arm 51a is composed of a connecting portion 71a and a grip portion 72a connected to the support 52a, and the transport arm 51b is also composed of a connecting portion 71b and a grip portion 72b. On the upper surfaces of the grips 72a and 72b,
An adsorbing mechanism 73 that adsorbs and holds the substrate G and a support pin 74 that contacts and holds the substrate G are formed.
Here, the suction mechanism 73 sucks and holds the substrate G at the end of the substrate G and holds the inside of the substrate G with the support pins 74 so that transfer does not occur on the portion of the substrate G where the electrode pattern is formed. Preferably, the positions of the suction mechanism 73 and the support pins 74 are determined. As described above, by providing the suction mechanism 73 and the support pins 74 on the transfer arms 51a and 51b in parallel, the substrate G can be firmly held, the substrate G can be transferred at a high speed, and the throughput can be improved. It is possible to prevent transfer from occurring in G.

【0054】吸着機構73や支持ピン74としては、周
縁レジスト除去ユニット(ER)23のステージ93に
配設された吸着機構96や支持ピン95と同様の構造を
有するものを用いることができる。但し、搬送アーム5
1a・51bがスピンチャック41に保持された基板G
を受け取る際には基板Gはほぼ水平な状態にあるが、搬
送アーム51a・51bが基板Gを把持した際には、図
9に示されるように基板Gの中央部の高さが下がるよう
に撓むため、吸着機構73として吸着機構96を用いる
場合には、このような基板Gの撓みに合わせて吸着パッ
ド97が傾斜できるように、筒状体98を有さないもの
を用いることも好ましい。
As the suction mechanism 73 and the support pins 74, those having the same structure as the suction mechanism 96 and the support pins 95 provided on the stage 93 of the peripheral resist removal unit (ER) 23 can be used. However, the transfer arm 5
Substrate G in which 1a and 51b are held by spin chuck 41
Is received, the substrate G is in a substantially horizontal state, but when the transfer arms 51a and 51b grip the substrate G, the height of the central portion of the substrate G is lowered as shown in FIG. When the suction mechanism 96 is used as the suction mechanism 73 for bending, it is also preferable to use one that does not have the tubular body 98 so that the suction pad 97 can be inclined in accordance with such bending of the substrate G. .

【0055】搬送アーム51a・51bは、図9に示さ
れるように、基板Gに撓みが生じた際に把持部72a・
72bの先端部が基板Gに接しないように、また、基板
Gをより確実に保持するために、基板Gの撓みに合わせ
て角度θほど内側が下方を向くように傾けた状態で配設
されている。ここで、図9においては搬送アーム51a
・51b全体の角度を傾斜させた形態を示しているが、
把持部72a・72bのみを傾斜させた構造することも
可能である。
As shown in FIG. 9, when the substrate G is bent, the transfer arms 51a and 51b
In order to prevent the tip of 72b from coming into contact with the substrate G, and to hold the substrate G more reliably, it is disposed in such a manner that the inside faces downward by an angle θ in accordance with the deflection of the substrate G. ing. Here, in FIG. 9, the transfer arm 51a
-Although the form in which the angle of the entire 51b is inclined is shown,
It is also possible to adopt a structure in which only the grip portions 72a and 72b are inclined.

【0056】搬送アーム51aにおいては、連結部71
aと把持部72aとが脱着可能となっていることから、
基板Gの大きさに合わせて適切な大きさを有する把持部
を取り付けたり、基板Gに形成される電極パターンに合
わせて適切な位置に吸着機構73と支持ピン74が配置
された把持部を取り付ける等することができる。このよ
うな連結部と把持部とが脱着可能な構造は搬送アーム5
1bについても同様である。こうして、一台の装置で取
り扱う基板Gの大きさや電極パターン等の違いに迅速に
対処しながら、基板Gの搬送に対する信頼性を維持し、
しかも基板Gにおける転写の発生を防止して品質を高く
保持することが可能となる。
In the transfer arm 51a, the connecting portion 71
a and the holding portion 72a are detachable,
A grip portion having an appropriate size is attached according to the size of the substrate G, or a grip portion on which the suction mechanism 73 and the support pins 74 are arranged at an appropriate position according to an electrode pattern formed on the substrate G. And so on. Such a structure in which the connecting part and the gripping part can be detached and attached is the transfer arm 5
The same applies to 1b. In this way, the reliability of the transfer of the substrate G is maintained while quickly responding to differences in the size and electrode pattern of the substrate G handled by one device,
In addition, it is possible to prevent the occurrence of transfer on the substrate G and to maintain high quality.

【0057】なお、例えば、搬送アーム51aについて
連結部71aと把持部72aとが脱着可能な構造とせず
に分離不可能な一体構造として、搬送アーム51a全体
が支柱52aと脱着可能な構成としてもよい。
It is to be noted that, for example, the transfer arm 51a may have a structure in which the connecting portion 71a and the gripping portion 72a are not detachable without being detachable, and may be an integral structure that cannot be separated from the support arm 52a. .

【0058】このようにレジスト塗布処理ユニット(C
T)22と周縁レジスト除去ユニット(ER)23と搬
送機構50とで構成されるユニットにおけるレジスト塗
布処理工程は、例えば、最初にスピンチャック41を所
定位置まで上昇させて基板Gを搬送アーム18aからス
ピンチャック41へ移し替え、所定位置までスピンチャ
ック41を降下させる。次に、内側カップ42aと外側
カップ42bの上面が開口している状態でスピンチャッ
ク41を回転させ、回転する基板Gにシンナーを塗布し
て基板Gのレジスト液に対する濡れ性を改善する。スピ
ンチャック41の回転を停止してレジスト液を基板Gに
塗布して基板Gを回転させるか、またはスピンチャック
41を所定の回転数で回転させた状態でレジスト液を基
板Gに塗布してレジスト膜を形成し、しかる後に内側カ
ップ42a・外側カップ42bの上面をそれぞれ内蓋4
3a・外蓋43bによって閉じた状態として基板Gを回
転させることでレジスト膜厚を調整する。
As described above, the resist coating unit (C)
T), a resist coating process in a unit including the peripheral resist removal unit (ER) 23 and the transport mechanism 50 is performed, for example, by first raising the spin chuck 41 to a predetermined position and moving the substrate G from the transport arm 18a. Transfer to the spin chuck 41 and lower the spin chuck 41 to a predetermined position. Next, the spin chuck 41 is rotated while the upper surfaces of the inner cup 42a and the outer cup 42b are open, and a thinner is applied to the rotating substrate G to improve the wettability of the substrate G with respect to the resist solution. The rotation of the spin chuck 41 is stopped and the resist liquid is applied to the substrate G to rotate the substrate G, or the resist liquid is applied to the substrate G while the spin chuck 41 is rotated at a predetermined number of rotations and the resist is applied. After forming a film, the upper surfaces of the inner cup 42a and the outer cup 42b are respectively
3a. The resist film thickness is adjusted by rotating the substrate G in a state of being closed by the outer lid 43b.

【0059】内蓋43a・外蓋43bを退避させて内側
カップ42a・外側カップ42bの上面を開口させ、ス
ピンチャック41を所定位置まで上昇させた状態で、基
板Gの下側に搬送アーム51a・51bが位置するよう
に搬送機構50を動作させる。この状態でスピンチャッ
ク41を降下させると、自然に基板Gは搬送アーム51
a・51bに把持される。搬送アーム51a・51bを
周縁レジスト除去ユニット(ER)23側へスライド移
動させ、基板Gの下方よりステージ93を上昇させる
と、ステージ93に基板Gが移し替えられる。搬送アー
ム51a・51bを退避させてステージ93を所定位置
まで降下させ、アライメント機構91により基板Gの位
置調節を行い、リムーバヘッド92によるエッジリムー
ブを行う。エッジリムーブが終了した基板Gは、ステー
ジ93を所定高さまで上昇させた状態で搬送アーム18
aに受け渡され、例えば、プリベーク処理を行うべく処
理ブロック28の加熱処理ユニット(HP)に搬送され
る。
With the inner lid 43a and the outer lid 43b retracted to open the upper surfaces of the inner cup 42a and the outer cup 42b, and with the spin chuck 41 raised to a predetermined position, the transfer arm 51a The transport mechanism 50 is operated so that 51b is located. When the spin chuck 41 is lowered in this state, the substrate G naturally
a and 51b. When the transfer arms 51a and 51b are slid to the side of the peripheral resist removal unit (ER) 23 and the stage 93 is lifted from below the substrate G, the substrate G is transferred to the stage 93. The transfer arms 51 a and 51 b are retracted, the stage 93 is lowered to a predetermined position, the position of the substrate G is adjusted by the alignment mechanism 91, and edge removal is performed by the remover head 92. The substrate G on which the edge removal has been completed is transferred to the transfer arm 18 with the stage 93 raised to a predetermined height.
a, and is conveyed to the heat processing unit (HP) of the processing block 28 to perform, for example, a pre-bake process.

【0060】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、搬送機構50をレジスト塗布処理ユニ
ット(CT)22と周縁レジスト除去ユニット(ER)
23との間における基板搬送に用いたが、搬送機構50
は隣接したユニットへ基板Gを搬送するための搬送機構
について限定なく適用することが可能である。また、基
板Gを載置するために支持ピン95と吸着機構96とを
併用したステージ93の構造は、周縁レジスト除去ユニ
ット(ER)23のみに用いることができるものではな
く、他のユニット、例えば、洗浄処理ユニット(SC
R)21a・21b等にも用いることができる。さら
に、上記実施の形態においては、基板としてLCD基板
を挙げて説明してきたが、半導体ウエハ、CD基板等の
他の基板であってもよい。
The embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above embodiments. For example, the transport mechanism 50 includes a resist coating unit (CT) 22 and a peripheral resist removing unit (ER).
23, the transfer mechanism 50 is used.
Can be applied without limitation to a transport mechanism for transporting the substrate G to an adjacent unit. Further, the structure of the stage 93 in which the support pin 95 and the suction mechanism 96 are used in combination for mounting the substrate G can be used not only for the peripheral edge resist removal unit (ER) 23 but also for other units, for example, for example. , Cleaning unit (SC
R) 21a, 21b, etc. Further, in the above embodiment, the LCD substrate has been described as the substrate, but other substrates such as a semiconductor wafer and a CD substrate may be used.

【0061】[0061]

【発明の効果】上述の通り、本発明の液処理装置によれ
ば、基板を搬送する搬送機構は、吸着機構により基板を
確実に保持していることから迅速に基板を搬送すること
ができ、スループットを向上させることが可能となると
いう効果を奏する。また、搬送機構は一部においては基
板との接触面積が小さい支持ピンで基板を保持している
ために基板における転写の発生が抑制されて基板の品質
が高く保持されるという効果を奏する。さらに、基板を
搬送する搬送機構にはカバーおよび局所排気手段が設け
られていることから、搬送機構の駆動によって生ずるパ
ーティクルが外部へ拡散して基板を汚染することが防止
され、基板の品質を高く保持することができるという効
果が得られる。さらにまた、基板を載置するステージに
おいて、吸着機構と支持ピンを併用することで、基板を
確実に固定しつつも、基板における転写の発生が抑制さ
れ、基板の品質を高く維持することが可能となる効果を
奏する。
As described above, according to the liquid processing apparatus of the present invention, the transport mechanism for transporting the substrate can transport the substrate quickly because the substrate is securely held by the suction mechanism. There is an effect that the throughput can be improved. In addition, since the transfer mechanism partially holds the substrate with the support pins having a small contact area with the substrate, it is possible to suppress the occurrence of transfer on the substrate and to maintain the quality of the substrate at a high level. Further, since the transport mechanism for transporting the substrate is provided with the cover and the local exhaust means, particles generated by driving the transport mechanism are prevented from diffusing to the outside and contaminating the substrate, thereby improving the quality of the substrate. The effect of being able to hold is obtained. Furthermore, by using the suction mechanism and the support pins together on the stage on which the substrate is placed, the occurrence of transfer on the substrate can be suppressed while the substrate is securely fixed, and the quality of the substrate can be maintained at a high level. It has the following effects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液処理装置の一実施形態であるレジス
ト塗布・現像処理システムを示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / developing processing system as one embodiment of a liquid processing apparatus of the present invention.

【図2】レジスト塗布処理ユニットと周縁レジスト除去
ユニットを示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing a resist coating unit and a peripheral resist removing unit.

【図3】レジスト塗布処理ユニットと周縁レジスト除去
ユニットを示す断面図。
FIG. 3 is a sectional view showing a resist coating processing unit and a peripheral resist removing unit.

【図4】周縁レジスト除去ユニットのステージの概略構
造を示す平面図。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic structure of a stage of a peripheral resist removing unit.

【図5】周縁レジスト除去ユニットのステージに設けら
れる支持ピンおよび吸着機構の概略構造を示す断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic structure of a support pin and a suction mechanism provided on a stage of a peripheral resist removing unit.

【図6】周縁レジスト除去ユニットのステージに設けら
れる吸着機構の動作形態を示す説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an operation mode of a suction mechanism provided on a stage of a peripheral resist removing unit.

【図7】基板の製品領域に対する支持ピンと吸着機構の
配置例を示した平面図。
FIG. 7 is a plan view showing an example of the arrangement of support pins and suction mechanisms with respect to a product region of a substrate.

【図8】レジスト塗布処理ユニットと周縁レジスト除去
ユニットとの間で基板を搬送する搬送機構の概略構造を
示す平面図。
FIG. 8 is a plan view showing a schematic structure of a transport mechanism for transporting a substrate between a resist coating processing unit and a peripheral edge resist removing unit.

【図9】レジスト塗布処理ユニットと周縁レジスト除去
ユニットとの間で基板を搬送する搬送機構の概略構造を
示す断面図。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a schematic structure of a transport mechanism that transports a substrate between a resist coating processing unit and a peripheral edge resist removing unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

22;レジスト塗布処理ユニット 23;周縁レジスト除去ユニット 50;搬送機構 51a・51b;搬送アーム 52a・52b;支柱 53a・53b;ガイド 54a・54b;連結部材 55a・55b;ベルト 56a・56b;シャフト 57a〜57d;プーリー 58;回転駆動モータ 59a・59b;カバー 71a・71b;連結部 72a・72b;把持部 73;吸着機構 74;支持ピン 95;支持ピン 96;吸着機構 100;レジスト塗布・現像処理システム E;製品外領域 G;基板(LCD基板) P1〜P4;製品領域 22; resist coating processing unit 23; peripheral resist removing unit 50; transport mechanism 51a / 51b; transport arm 52a / 52b; support column 53a / 53b; guide 54a / 54b; 57d; pulley 58; rotary drive motor 59a / 59b; cover 71a / 71b; connecting portion 72a / 72b; gripping portion 73; suction mechanism 74; support pin 95; support pin 96; suction mechanism 100; ; Out-of-product area G; Substrate (LCD substrate) P1 to P4; Product area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/16 502 G03F 7/16 502 H01L 21/027 H01L 21/68 A 21/68 21/30 502J 564C 577 (72)発明者 岩崎 達也 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 塚本 武 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AB20 DA19 DA20 EA05 EA10 4D075 AC01 AC73 AC78 AC79 AC82 AC84 BB65Z BB69Z CA47 DA06 DB13 DC18 EA05 EA45 4F042 AA02 AA06 AA27 CC03 CC04 CC09 DD19 DE02 DE09 DF07 DF09 DF15 DF25 DF29 DF31 EB09 EB17 EB21 EB24 5F031 CA05 FA02 FA11 FA12 FA15 GA24 HA09 HA13 LA07 LA13 MA23 MA24 MA26 MA27 NA14 PA13 PA18 PA26 5F046 CD01 CD05 JA04 JA22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/16 502 G03F 7/16 502 H01L 21/027 H01L 21/68 A 21/68 21/30 502J 564C 577 (72) Inventor Tatsuya Iwasaki 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo TBS Release Center Tokyo Electron Limited (72) Inventor Takeshi Tsukamoto 5-36 Akasaka, Minato-ku, Tokyo TBS Release Center Tokyo Electron Limited F term (reference) 2H025 AB20 DA19 DA20 EA05 EA10 4D075 AC01 AC73 AC78 AC79 AC82 AC84 BB65Z BB69Z CA47 DA06 DB13 DC18 EA05 EA45 4F042 AA02 AA06 AA27 CC03 CC04 CC09 DD19 DE02 DF07 DF09 DF09 DF07 DF09 DF07 DF09 EB24 5F031 CA05 FA02 FA11 FA12 FA15 GA24 HA09 HA13 LA07 LA13 MA23 MA24 MA26 MA27 NA14 PA13 P A18 PA26 5F046 CD01 CD05 JA04 JA22

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
あって、 基板を略水平に保持する保持手段を有し、前記保持手段
に保持された基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布
膜を形成する塗布処理ユニットと、 前記塗布膜が形成された基板の周縁部における塗布膜お
よび前記基板の周縁部に付着した塗布液を除去する周縁
塗布膜除去ユニットと、 前記塗布処理ユニットと前記周縁塗布膜除去ユニットと
の間で塗布膜が形成された基板を搬送する搬送機構と、 を具備し、 前記搬送機構は、 基板を吸着保持する吸着機構および基板を頂点で保持す
る支持ピンが上面に配設された搬送アームと、 前記搬送アームを所定方向に移動させる駆動機構と、 を有することを特徴とする液処理装置。
1. A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate, comprising a holding means for holding the substrate substantially horizontally, and applying a predetermined coating liquid to a surface of the substrate held by the holding means. A coating processing unit that forms a coating film by performing the coating process; a peripheral coating film removing unit that removes a coating film at a peripheral portion of the substrate on which the coating film is formed and a coating liquid attached to the peripheral portion of the substrate; And a transport mechanism for transporting the substrate on which the coating film is formed between the unit and the peripheral coating film removing unit. The transport mechanism comprises: a suction mechanism for sucking and holding the substrate; and a support for holding the substrate at the top. A liquid processing apparatus, comprising: a transfer arm having pins disposed on an upper surface; and a drive mechanism for moving the transfer arm in a predetermined direction.
【請求項2】 前記吸着機構は基板の周縁部において基
板を保持するように配置され、前記支持ピンは前記吸着
機構が基板を保持する位置よりも基板の内側において基
板を保持するように配置されていることを特徴とする請
求項1に記載の液処理装置。
2. The suction mechanism is arranged so as to hold the substrate at a peripheral portion of the substrate, and the support pin is arranged so as to hold the substrate inside the substrate from a position where the suction mechanism holds the substrate. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項3】 基板の両側から基板を下支えして基板を
保持できるように2本の前記搬送アームが対向して配設
され、 前記2本の搬送アームが基板を保持した際に基板の中央
部の位置が下がるように生ずる基板の撓みに合わせて、
前記2本の搬送アームは基板の中央側の高さが低く、基
板の周縁側の高さが高くなるように傾斜を設けて配設さ
れていることを特徴とする請求項1または請求項2に記
載の液処理装置。
3. The two transfer arms are opposed to each other so as to support the substrate while supporting the substrate from both sides of the substrate, and the center of the substrate when the two transfer arms hold the substrate. In accordance with the deflection of the substrate that occurs as the position of the part goes down,
3. The apparatus according to claim 1, wherein the two transfer arms are disposed so as to be inclined such that the height of the center side of the substrate is low and the height of the peripheral side of the substrate is high. A liquid processing apparatus according to claim 1.
【請求項4】 前記搬送アームは、 前記駆動機構に連結された連結部と、 前記連結部と脱着可能な把持部と、を有し、 取り扱う基板の大きさに対応して形状および/または大
きさの異なる把持部を前記連結部に取り付けて用いるこ
とを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に
記載の液処理装置。
4. The transfer arm has a connecting part connected to the driving mechanism, and a grip part detachable from the connecting part, and has a shape and / or size corresponding to a size of a substrate to be handled. The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein grip portions having different lengths are used by being attached to the connecting portion.
【請求項5】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
あって、 基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する
塗布処理ユニットと、 塗布膜が形成された基板の周縁部における塗布膜および
前記基板の周縁部に付着した塗布液を除去する周縁塗布
膜除去ユニットを具備し、 前記周縁塗布膜除去ユニットは、 基板を載置する上面の所定位置に複数の支持ピンと複数
の吸着機構が設けられた載置プレートと、 所定の処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処
理液吐出ノズルから吐出された処理液および前記処理液
によって溶解された塗布液を吸引する処理液吸引ノズル
が形成された除去ヘッドと、 を有することを特徴とする液処理装置。
5. A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate, comprising: a coating processing unit configured to apply a predetermined coating liquid to a surface of the substrate to form a coating film; A peripheral coating film removing unit that removes the coating film at the peripheral portion and a coating liquid attached to the peripheral portion of the substrate, wherein the peripheral coating film removing unit includes a plurality of support pins at predetermined positions on an upper surface on which the substrate is placed; A mounting plate provided with a plurality of suction mechanisms, a processing liquid discharge nozzle for discharging a predetermined processing liquid, and a processing for sucking the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle and the coating liquid dissolved by the processing liquid A liquid processing apparatus, comprising: a removing head having a liquid suction nozzle formed therein.
【請求項6】 前記吸着機構は、 基板を吸着する吸着パッドと、 前記吸着パッドが基板を吸着できるように吸引する吸引
手段と、 上面が発泡性フッ素樹脂シートで形成され、前記吸着パ
ッドを囲繞するように設けられた包囲台と、 を有し、 前記吸着パッドは基板を吸着すると基板を保持した状態
で基板の自重によって前記包囲台内に沈没し、前記吸着
パッドの沈没によって前記基板は前記包囲台の上面に接
して保持され、かつ、前記基板は前記支持ピンの頂点に
おいても保持されることを特徴とする請求項1から請求
項5のいずれか1項に記載の液処理装置。
6. The suction mechanism includes: a suction pad for sucking a substrate; suction means for sucking the suction pad so as to be able to suck the substrate; and an upper surface formed of a foamable fluororesin sheet and surrounding the suction pad. And an enclosing base provided so that the suction pad sinks into the enclosing base by the weight of the substrate while holding the substrate when the substrate is sucked, and the substrate is settled by the sinking of the suction pad. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is held in contact with an upper surface of the enclosure, and the substrate is also held at a vertex of the support pin.
【請求項7】 前記支持ピンとしてポリベンゾイミダゾ
ールとカーボンファイバーを主成分とした複合材料の成
形体を用い、 前記支持ピンは所定の機械的強度を維持できるように外
径の太い下部と外径の細い上部とからなる段差構造を有
し、 前記支持ピンの上部における頂点部は基板との接触面積
が小さくなるように略球面状に形成されていることを特
徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の
液処理装置。
7. A molded article of a composite material containing polybenzimidazole and carbon fiber as main components is used as the support pin, and the support pin has a lower outer diameter and an outer diameter so as to maintain a predetermined mechanical strength. A step structure comprising a thin upper portion, and a vertex at an upper portion of the support pin is formed in a substantially spherical shape so as to reduce a contact area with a substrate. 7. The liquid processing apparatus according to any one of 6.
【請求項8】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
あって、 基板を略水平に保持する保持手段を有し、前記保持手段
に保持された基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布
膜を形成する塗布処理装置と、 前記塗布膜が形成された基板の周縁部における塗布膜お
よび前記基板の周縁部に付着した塗布液を除去する周縁
塗布膜除去装置と、 前記塗布処理装置と前記周縁塗布膜除去装置との間で塗
布膜が形成された基板を搬送する搬送機構と、 を具備し、 前記搬送機構は、 基板を保持する搬送アームと、 前記搬送アームを前記塗布処理装置と前記周縁塗布膜除
去装置との間で移動させる駆動機構と、 前記駆動機構において発生するパーティクルが外部に拡
散しないように前記駆動機構を覆う防塵カバーと、 前記駆動機構において発生するパーティクルを吸引する
局所集塵機構と、 を有することを特徴とする液処理装置。
8. A liquid processing apparatus for performing predetermined liquid processing on a substrate, comprising a holding means for holding the substrate substantially horizontally, and applying a predetermined coating liquid to a surface of the substrate held by the holding means. A coating processing apparatus for forming a coating film by forming a coating film; a peripheral coating film removing apparatus for removing a coating film on a peripheral portion of the substrate on which the coating film is formed and a coating liquid attached to the peripheral portion of the substrate; And a transport mechanism for transporting the substrate on which the coating film is formed between the apparatus and the peripheral coating film removing device. The transport mechanism comprises: a transport arm for holding the substrate; and A driving mechanism for moving the apparatus between the apparatus and the peripheral coating film removing apparatus; a dustproof cover for covering the driving mechanism so that particles generated in the driving mechanism do not diffuse to the outside; And a local dust collecting mechanism for sucking the particles.
【請求項9】 前記駆動機構は、 前記塗布処理装置側に設けられた第1のプーリーと、 前記周縁塗布膜除去装置側に設けられた第2のプーリー
と、 前記第1および第2のプーリー間に架設されたベルト
と、 前記第1のプーリーまたは前記第2のプーリーのいずれ
か一方を回転させる回転駆動機構と、を具備し、 前記局所集塵機構は、前記第1および第2のプーリーの
近傍に設けられていることを特徴とする請求項8に記載
の液処理装置。
9. A driving mechanism comprising: a first pulley provided on the coating processing device side; a second pulley provided on the peripheral coating film removing device side; and the first and second pulleys. A belt installed between the first pulley and the second pulley, and a rotation drive mechanism configured to rotate one of the first pulley and the second pulley. The liquid processing apparatus according to claim 8, wherein the liquid processing apparatus is provided in the vicinity.
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