JP2011176241A - Substrate chucking method and substrate chucking device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate chucking method and device, capable of preventing the occurrence of distortion in effective regions, regardless of substrates different in assembling of their effective regions. <P>SOLUTION: The method of chucking the substrate to a stage 101 by chucking the substrate having the effective region 501 through chucking holes 110, 120 plurally formed in the stage 101 includes the step of chucking the substrate by controlling chucking operations performed through the chucking holes 110, 120 independently of one another in units of groups of chucking holes 151-155, 161-165 each including at least one chucking hole 110, 120, keeping away from the effective region 501, to suck the substrate to the stage 101. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板吸着方法および基板吸着装置に関し、特に、有効領域を有する基板を吸引し、ステージ上に吸着する基板吸着方法および基板吸着装置に関する。   The present invention relates to a substrate suction method and a substrate suction device, and more particularly to a substrate suction method and a substrate suction device that sucks a substrate having an effective area and sucks it on a stage.

有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置等に使用される基板にフォトレジスト等の薬液を均一に塗布する方法としては、例えばスピンコート法がある。スピンコート法といった湿式塗布方法では、薬液を基板に塗布した後、薬液に含まれる溶媒を蒸発させるために、ホットプレート等を用いた乾燥工程が後続する。乾燥工程では、高温のホットプレート等に基板を載置するため、基板内に温度勾配が生じ、これによって、基板に反りが生じてしまう。この反りを防ぐため、基板を吸引して、ホットプレート上に吸着し、固定する必要がある。   As a method for uniformly applying a chemical solution such as a photoresist to a substrate used in an organic electroluminescence (EL) display device, for example, there is a spin coating method. In a wet coating method such as a spin coating method, after a chemical solution is applied to a substrate, a drying process using a hot plate or the like is followed to evaporate a solvent contained in the chemical solution. In the drying process, since the substrate is placed on a hot plate or the like having a high temperature, a temperature gradient is generated in the substrate, which causes warpage of the substrate. In order to prevent this warpage, it is necessary to suck the substrate, suck it onto the hot plate, and fix it.

基板が吸着穴から吸引されて、ホットプレート上に吸着されると、吸着穴部分に局所的な基板のゆがみが発生し、塗布むらの原因となる。例えば、特許文献1には、基板内に配置されるパターンの有効領域を避けて、吸着穴の位置を配置する方法が記載されている。   When the substrate is sucked from the suction hole and sucked onto the hot plate, local distortion of the substrate occurs in the suction hole portion, causing uneven coating. For example, Patent Document 1 describes a method of arranging the positions of suction holes while avoiding an effective area of a pattern arranged in a substrate.

特開平10−81546号公報JP-A-10-81546

特許文献1に記載の方法では、吸着穴によるスポット状の吸着むらを避けるために、基板内の有効領域を避けてホットプレートに吸着穴を設けている。しかしながら、この方法では基板の有効領域の面付けが変わる度に、面付けに対応した吸着穴を有するステージ(ホットプレート)に交換することが必要であり、面付けの異なる基板に即時にかつ簡単に対応できない問題があった。   In the method described in Patent Document 1, in order to avoid spot-like suction unevenness due to suction holes, suction holes are provided in the hot plate while avoiding the effective area in the substrate. However, with this method, each time the imposition of the effective area of the substrate changes, it is necessary to replace it with a stage (hot plate) having suction holes corresponding to the imposition. There was a problem that could not be handled.

また、上述した薬液の塗布むらだけでなく、有効領域を有する基板を吸着穴から吸引し基板を吸着する場合には、吸着によるゆがみが有効領域内に生じるおそれがある。   Further, not only the above-described uneven application of the chemical solution, but also when the substrate having the effective area is sucked from the suction hole to suck the substrate, distortion due to the suction may occur in the effective area.

本発明は、上記点に鑑みてなされたものであり、有効領域の面付けが異なる基板であっても、有効領域におけるゆがみの発生を抑制することができる基板吸着方法および基板吸着装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and provides a substrate suction method and a substrate suction device capable of suppressing the occurrence of distortion in an effective region even when substrates having different effective area impositions are provided. For the purpose.

上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る基板吸着方法は、ステージに設けられた吸着穴から、有効領域を有する基板を吸引し、前記ステージに前記基板を吸着する方法であって、少なくとも一つの前記吸着穴を含む吸着穴群が複数形成された前記ステージの前記吸着穴群毎に、前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御することにより、前記有効領域を避けて前記吸着穴から前記基板を吸引し、前記ステージに前記基板を吸着する吸引工程を備える、ことを特徴とする。   In order to achieve the above object, a substrate suction method according to a first aspect of the present invention is a method of sucking a substrate having an effective area from a suction hole provided in a stage and sucking the substrate onto the stage. In addition, for each of the suction hole groups of the stage in which a plurality of suction hole groups including at least one suction hole are formed, the suction operation from the suction holes is controlled independently of each other, thereby avoiding the effective area. And a suction step of sucking the substrate from the suction hole and sucking the substrate to the stage.

上記基板吸着方法において、好ましくは、前記吸着穴は、前記ステージにマトリクス状に配置され、前記マトリクス状に配置された吸着穴の行および列毎に前記吸着穴群を形成している。   In the substrate suction method, preferably, the suction holes are arranged in a matrix on the stage, and the suction hole group is formed for each row and column of the suction holes arranged in the matrix.

上記基板吸着方法において、前記基板は、予め形成された位置決めマークを有し、前記ステージに載置された基板の位置決めマークを検出する工程をさらに備え、前記吸引工程では、前記位置決めマークの位置と、予め設定された前記吸着穴群の位置と、の比較に基づいて、前記基板を吸引する前記吸着穴群を特定し、前記特定された吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引してもよい。   In the substrate suction method, the substrate has a positioning mark formed in advance, and further includes a step of detecting a positioning mark of the substrate placed on the stage. In the suction step, the position of the positioning mark The suction hole group for sucking the substrate is specified based on the comparison with the position of the suction hole group set in advance, and the substrate is sucked from the suction hole of the specified suction hole group. Also good.

上記基板吸着方法において、好ましくは、前記吸引工程では、前記位置決めマークの位置と最も近い前記吸着穴群を特定し、前記特定された吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引し、他の前記吸着穴群の前記吸着穴からは前記基板を吸引しない。   In the substrate suction method, preferably, in the suction step, the suction hole group closest to the position of the positioning mark is specified, the substrate is sucked from the suction hole of the specified suction hole group, The substrate is not sucked from the suction holes of the suction hole group.

上記基板吸着方法において、好ましくは、前記基板を吸引するための吸引手段と前記吸着穴とを前記吸着穴群毎に接続する管路に、独立して開閉可能なバルブが配置されており、前記吸引工程では、前記バルブの開閉を個別に制御することにより、前記吸引穴群毎に、前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御する。   In the substrate suction method, preferably, a valve that can be opened and closed independently is disposed in a pipe line that connects the suction means for sucking the substrate and the suction holes for each of the suction hole groups, In the suction process, the suction operation from the suction holes is controlled independently for each suction hole group by individually controlling the opening and closing of the valves.

上記基板吸着方法は、前記ステージの平面と前記基板との接触面で、前記基板を加熱する工程をさらに備えてもよい。   The substrate adsorption method may further include a step of heating the substrate at a contact surface between the plane of the stage and the substrate.

上記基板吸着方法において、前記基板は、複数の有機EL表示装置が形成されるマザー基板であってもよい。   In the substrate adsorption method, the substrate may be a mother substrate on which a plurality of organic EL display devices are formed.

上記目的を達成するため、本発明の第2の観点に係る基板吸着装置は、有効領域を有する基板を吸着する装置であって、少なくとも一つの吸着穴を含む吸着穴群が複数形成されたステージと、前記基板の有効領域を避けて前記基板を吸引するように、前記吸着穴群毎に前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a substrate suction apparatus according to a second aspect of the present invention is an apparatus for sucking a substrate having an effective area, wherein a plurality of suction hole groups including at least one suction hole are formed. And a control means for independently controlling the suction operation from the suction holes for each of the suction hole groups so as to suck the substrate while avoiding the effective area of the substrate.

上記基板吸着装置において、好ましくは、前記吸着穴が、前記ステージにマトリクス状に配置され、前記マトリクス状に配置された吸着穴の行および列毎に前記吸着穴群を形成している。   In the substrate suction apparatus, preferably, the suction holes are arranged in a matrix on the stage, and the suction hole group is formed for each row and column of the suction holes arranged in the matrix.

上記基板吸着装置において、好ましくは、前記基板は、予め形成された位置決めマークを有し、前記ステージに載置された基板の前記位置決めマークを検出する検出手段をさらに備え、前記制御手段は、前記検出手段によって検出された前記位置決めマークの位置と、予め設定された前記吸着穴群の位置と、の比較に基づいて、前記有効領域を避けて前記基板を吸引するように、前記基板を吸引する前記吸着穴群を特定し、前記特定された吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引する。   In the substrate suction apparatus, preferably, the substrate has a pre-formed positioning mark, and further includes a detecting unit that detects the positioning mark of the substrate placed on the stage, and the control unit includes: Based on a comparison between the position of the positioning mark detected by the detection means and the position of the suction hole group set in advance, the substrate is sucked so as to suck the substrate while avoiding the effective area. The suction hole group is specified, and the substrate is sucked from the suction hole of the specified suction hole group.

上記基板吸着装置において、好ましくは、前記制御手段は、前記位置決めマークの位置と最も近い前記吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引し、他の前記吸着穴群の前記吸着穴からは吸引しない。   In the substrate suction apparatus, preferably, the control means sucks the substrate from the suction hole of the suction hole group closest to the position of the positioning mark, and sucks from the suction holes of the other suction hole groups. do not do.

上記基板吸着装置は、好ましくは、前記吸着穴と前記吸着穴から前記基板を吸引するための吸引手段とを前記吸着穴群毎に接続する管路と、前記管路に設置され、独立して開閉可能なバルブと、を備え、前記制御手段は、前記バルブの開閉を個別に制御することにより、前記吸着穴群毎に前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御する。   Preferably, the substrate suction device is installed in the suction pipe and a suction pipe for connecting the suction hole and a suction means for sucking the substrate from the suction hole for each suction hole group, and is independently installed in the pipeline. A valve that can be opened and closed, and the control means controls the suction operation from the suction holes independently for each of the suction hole groups by individually controlling the opening and closing of the valves.

上記基板吸着装置において、前記ステージは、前記ステージと前記基板との接触面を加熱するヒータを備えてもよい。   The said board | substrate adsorption | suction apparatus WHEREIN: The said stage may be equipped with the heater which heats the contact surface of the said stage and the said board | substrate.

上記基板吸着装置において、前記基板は、複数の有機EL表示装置が形成されるマザー基板であってもよい。   In the substrate adsorption device, the substrate may be a mother substrate on which a plurality of organic EL display devices are formed.

本発明の基板吸着方法および基板吸着装置によれば、有効領域を避けて基板を吸着するように、吸着穴群毎に吸引動作を互いに独立して制御することができるので、有効領域において、吸着穴から基板を吸引することによるゆがみの発生を抑制することができる。   According to the substrate suction method and the substrate suction device of the present invention, the suction operation can be controlled independently for each suction hole group so as to suck the substrate while avoiding the effective area. Generation of distortion due to suction of the substrate from the hole can be suppressed.

本発明の第1実施形態に係る基板吸着装置の構成を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing the composition of the substrate adsorption device concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る基板吸着装置のステージ部分の斜視概略図である。It is a perspective schematic diagram of the stage part of the substrate adsorption device concerning a 1st embodiment of the present invention. 図1に示す基板吸着装置をA−A切断線に沿って切断した断面概略図である。It is the cross-sectional schematic which cut | disconnected the board | substrate adsorption | suction apparatus shown in FIG. 1 along the AA cutting line. 本発明の第1実施形態に係る基板吸着装置のバルブ開閉制御テーブルである。It is a valve opening / closing control table of the substrate suction apparatus according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る基板吸着方法における基板吸引吸着動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the board | substrate attraction | suction adsorption | suction operation | movement in the board | substrate adsorption | suction method concerning 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る基板吸着方法を説明するための模式図である。It is a mimetic diagram for explaining a substrate adsorption method concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る基板吸着方法を説明するための模式図である。It is a mimetic diagram for explaining a substrate adsorption method concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る基板吸着装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the board | substrate adsorption | suction apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る、基板を載置された基板吸着装置の構成を示す側面概略図である。It is the side schematic diagram which shows the structure of the board | substrate adsorption | suction apparatus by which the board | substrate was mounted based on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る基板吸着方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the board | substrate adsorption | suction method concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る基板吸着方法における基板吸引吸着動作の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the board | substrate attraction | suction adsorption | suction operation | movement in the board | substrate adsorption | suction method concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る基板吸着方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the board | substrate adsorption | suction method concerning 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL表示装置の構成を示す断面概略図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the organic electroluminescence display which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescence display which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescence display which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL表示装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescence display which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る有機EL表示装置が用いられる電子機器を示す図である。It is a figure which shows the electronic device with which the organic electroluminescence display which concerns on 3rd Embodiment of this invention is used.

本発明の実施形態に係る基板吸着装置および基板吸着方法について、図面を参照しながら説明する。本実施形態においては、一枚に複数のデバイス領域が形成されるマザー基板(以下、基板という)に塗布された薬液を乾燥させるために、基板をホットプレート上に吸着する装置および方法について説明する。   A substrate suction apparatus and a substrate suction method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, an apparatus and method for adsorbing a substrate on a hot plate in order to dry a chemical applied to a mother substrate (hereinafter referred to as a substrate) on which a plurality of device regions are formed on one sheet will be described. .

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係る基板吸着装置および基板吸着方法について、図1〜図7を参照しながら説明する。
(First embodiment)
A substrate suction apparatus and a substrate suction method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

(基板吸着装置)
第1実施形態に係る基板吸着装置10は、図1に模式的に示すように、ホットプレート101と、管路131〜135,141〜145と、バルブVx1〜Vx5,Vy1〜Vy5と、制御部180と、吸引装置190と、を主に備えている。
(Substrate adsorption device)
As schematically shown in FIG. 1, the substrate suction apparatus 10 according to the first embodiment includes a hot plate 101, pipe lines 131 to 135, 141 to 145, valves Vx1 to Vx5, Vy1 to Vy5, and a control unit. 180 and a suction device 190 are mainly provided.

ホットプレート101は、アルミ板から構成され、吸引用の吸着穴110のマトリクスと、吸着穴120のマトリクスが形成されている。ホットプレート101は、図示しないが、複数本のカートリッジヒータと温度センサとを備えている。温度センサによって、ホットプレート101表面の温度を測定し、現在温度と目標温度の差などから、アルミ板表面の温度を制御する。   The hot plate 101 is made of an aluminum plate, and is formed with a matrix of suction holes 110 for suction and a matrix of suction holes 120. Although not shown, the hot plate 101 includes a plurality of cartridge heaters and temperature sensors. The temperature of the surface of the hot plate 101 is measured by the temperature sensor, and the temperature of the aluminum plate surface is controlled based on the difference between the current temperature and the target temperature.

吸着穴110は、図1および図2に示すように、ホットプレート101の平面にマトリクス状に5×5個配置されている。図1においては、区別のため、吸着穴110は、「黒塗り丸印」で示す。また、吸着穴120も、ホットプレート101の平面にマトリクス状に5×5個配置されている。図1においては、区別のため、吸着穴120は、「白抜き丸印」で示す。吸着穴110と120は、隣接して配置されている。また、吸着穴110,120は、直径約1mm〜2cmであることが好ましい。   As shown in FIGS. 1 and 2, 5 × 5 suction holes 110 are arranged in a matrix on the plane of the hot plate 101. In FIG. 1, the suction holes 110 are indicated by “black circles” for distinction. Also, 5 × 5 suction holes 120 are arranged in a matrix on the plane of the hot plate 101. In FIG. 1, the suction holes 120 are indicated by “open circles” for distinction. The suction holes 110 and 120 are arranged adjacent to each other. Moreover, it is preferable that the suction holes 110 and 120 have a diameter of about 1 mm to 2 cm.

同一列の吸着穴110は、管路131〜135によって相互に接続され、バルブVx1〜Vx5を介して吸引装置190に接続されている。同一行の吸着穴120は、管路141〜145によって相互に接続され、バルブVy1〜Vy5を介して吸引装置190に接続されている。なお、図1では、管路131〜135、141〜145は、理解を容易にするため、破線で示す。また、ここでは、同一列の吸着穴110は、列毎に吸着穴の列(ライン)151〜155、同一行の吸着穴120は、行毎に吸着穴の行(ライン)161〜165と呼ぶ。   The suction holes 110 in the same row are connected to each other by pipe lines 131 to 135, and are connected to the suction device 190 via valves Vx1 to Vx5. The suction holes 120 in the same row are connected to each other by pipe lines 141 to 145 and connected to the suction device 190 via valves Vy1 to Vy5. In FIG. 1, the pipelines 131 to 135 and 141 to 145 are indicated by broken lines in order to facilitate understanding. Further, here, the suction holes 110 in the same column are called suction hole columns (lines) 151 to 155 for each column, and the suction holes 120 in the same row are called suction hole rows (lines) 161 to 165 for each row. .

制御部180は、プロセッサ等から構成され、各バルブVx1〜Vx5,Vy1〜Vy5に制御信号を供給し、個別にバルブVx1〜Vx5、Vy1〜Vy5の開閉を制御する。さらに、制御部180は、吸引装置190の吸引動作を制御する。   The control unit 180 includes a processor or the like, supplies control signals to the valves Vx1 to Vx5 and Vy1 to Vy5, and individually controls the opening and closing of the valves Vx1 to Vx5 and Vy1 to Vy5. Further, the control unit 180 controls the suction operation of the suction device 190.

制御部180には、予め、図4に示すような、基板の種別に対応したバルブ開閉制御テーブル181が記憶されている。詳細は後述するが、バルブ開閉制御テーブル181は、有効領域を避けて基板を吸引するように設定されている。   The control unit 180 stores in advance a valve opening / closing control table 181 corresponding to the type of substrate as shown in FIG. Although details will be described later, the valve opening / closing control table 181 is set to suck the substrate while avoiding the effective area.

吸引装置190は、例えば真空ポンプから構成され、開いているバルブVx1〜Vx5,Vy1〜Vy5と管路131〜135,141〜145を介して、吸着穴110,120から負圧吸引することにより基板をホットプレート101上に吸着する。   The suction device 190 is composed of, for example, a vacuum pump, and sucks negative pressure from the suction holes 110 and 120 through the open valves Vx1 to Vx5, Vy1 to Vy5 and the pipe lines 131 to 135 and 141 to 145, thereby forming a substrate. Is adsorbed on the hot plate 101.

さらに吸着穴のライン151を例に挙げて説明すると、吸着穴110は、図3に示すように、アルミ板を貫通している。管路131は、アルミ板の基板載置面と対向する面で、吸着穴のライン151の5つの吸着穴110と接続されている。管路131はバルブVx1を介して吸引装置190と接続されている。他の吸着穴のライン(列および行)152〜155,161〜165についても、吸着穴のライン151と同様の構成である。   Further, the suction hole line 151 will be described as an example. The suction hole 110 penetrates the aluminum plate as shown in FIG. The pipe line 131 is a surface facing the substrate mounting surface of the aluminum plate and is connected to the five suction holes 110 of the suction hole line 151. The pipe line 131 is connected to the suction device 190 via the valve Vx1. The other suction hole lines (columns and rows) 152 to 155 and 161 to 165 have the same configuration as the suction hole line 151.

(基板吸着方法)
次に、本発明の第1実施形態に係る基板吸着方法について、図4〜図7を参照しながら説明する。
(Substrate adsorption method)
Next, a substrate suction method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図5は、本実施形態に係る制御部180の基板吸引吸着動作を示すフローチャートである。以下、図5を参照しながら、基板吸引吸着動作を説明する。   FIG. 5 is a flowchart showing the substrate suction and suction operation of the control unit 180 according to this embodiment. Hereinafter, the substrate suction suction operation will be described with reference to FIG.

まず、基板11が、例えばロボットアーム等により、ホットプレート101上に搬入され、規定の位置に載置される。図示せぬセンサにより、制御部180は、基板11が搬入されたことを検出し、図5のフローを開始する。   First, the substrate 11 is loaded onto the hot plate 101 by, for example, a robot arm and placed at a specified position. The controller 180 detects that the substrate 11 has been carried in by a sensor (not shown), and starts the flow of FIG.

制御部180は、載置された基板11の種別を特定する(ステップS11)。
制御部180は、図4に示すバルブ開閉制御テーブル181を参照し、ステップS11で特定された基板11の種別に応じて、開く対象のバルブVを特定する(ステップS12)。
制御部180は、バルブVに制御信号を伝送して、ステップS12で特定された開く対象のバルブVを開き、他のバルブVを閉じる(ステップS13)。
制御部180は、吸引装置190を起動して、吸引動作を開始する(ステップS14)。開いたバルブVに接続された管路131〜135,141〜145を介して、管路131〜135,141〜145に接続された吸着穴110,120から基板11が吸引され、ホットプレート101上に吸着される。また、ホットプレート101は、予めヒータによって加熱されており、基板に塗布された薬液が乾燥される。
The control unit 180 specifies the type of the substrate 11 placed (Step S11).
The control unit 180 refers to the valve opening / closing control table 181 shown in FIG. 4 and identifies the valve V to be opened according to the type of the substrate 11 identified in step S11 (step S12).
The control unit 180 transmits a control signal to the valve V, opens the valve V to be opened specified in step S12, and closes the other valves V (step S13).
The control unit 180 activates the suction device 190 and starts a suction operation (step S14). The substrate 11 is sucked from the suction holes 110 and 120 connected to the pipe lines 131 to 135 and 141 to 145 through the pipe lines 131 to 135 and 141 to 145 connected to the opened valve V, and is then on the hot plate 101. To be adsorbed. The hot plate 101 is heated in advance by a heater, and the chemical applied to the substrate is dried.

制御部180は、予め設定された終了条件を満たすか否か、例えば、所定の処理時間が経過したか否かを判別する。「終了条件を満たす」と判別した場合(ステップS15;Yes)、制御部180はステップS16に進む。「終了条件を満たさない」と判別した場合(ステップS15;No)、制御部180はステップS15を再度行い、「終了条件を満たす」と判別されるまで、ステップS15を繰り返し行う(ステップS15)。
制御部180は、「終了条件を満たす」と判別した場合、全バルブVを閉じ、管路131〜135,141〜145内の負圧を解放することによって基板11の吸着を解除する(ステップS16)。
吸着を解除された基板11は、例えばロボットアーム等によって搬出され、基板吸引吸着動作が終了する。
上述の工程は、新たな基板が搬入されることにより繰り返し行われる。
The control unit 180 determines whether or not a preset end condition is satisfied, for example, whether or not a predetermined processing time has elapsed. When it is determined that “the end condition is satisfied” (step S15; Yes), the control unit 180 proceeds to step S16. When it is determined that “the end condition is not satisfied” (step S15; No), the control unit 180 performs step S15 again, and repeatedly performs step S15 until it is determined that “the end condition is satisfied” (step S15).
When it is determined that “the end condition is satisfied”, the control unit 180 closes all the valves V and releases the negative pressure in the pipelines 131 to 135 and 141 to 145 to release the adsorption of the substrate 11 (step S16). ).
The substrate 11 that has been released from the suction is carried out by, for example, a robot arm, and the substrate suction and suction operation ends.
The above-described process is repeatedly performed by loading a new substrate.

次に、上述の工程を具体例に基づいて説明する。図6および図7を参照しながら、基板に2つの有効領域が面付けされる場合と4つの有効領域が面付けされる場合についてそれぞれ説明する。2つの有効領域を有する基板を、図4のバルブ開閉制御テーブル181におけるA11とし、4つの有効領域を有する基板を、図4のバルブ開閉テーブル181におけるB11とする。なお、図6および図7では、区別のため、基板の有効領域501,502をハッチングで示す。   Next, the above process will be described based on a specific example. With reference to FIGS. 6 and 7, a case where two effective areas are impositioned on a substrate and a case where four effective areas are impositioned will be described. A board having two effective areas is designated as A11 in the valve opening / closing control table 181 in FIG. 4, and a board having four effective areas is designated as B11 in the valve opening / closing table 181 in FIG. In FIGS. 6 and 7, the effective areas 501 and 502 of the substrate are indicated by hatching for distinction.

ここで、有効領域とは、表示装置等のデバイスが形成される領域に加えて、ゆがみ、ひずみ及びむらなどの発生が抑制されることが望ましい領域をいう。   Here, the effective area refers to an area where it is desirable to suppress the occurrence of distortion, distortion, and unevenness in addition to an area where a device such as a display device is formed.

まず、2つの有効領域501を有する基板A11をホットプレート101上に吸着する場合について図6を参照しながら説明する。
薬液を乾燥させるため、前工程において薬液を塗布された基板A11が、ロボットアームなどにより搬入されて、ホットプレート101上の規定の位置に載置される。ホットプレート101は、予めヒータによって加熱されていることが好ましい。なお、ホットプレート101の平面上に基板A11を載置する時間および温度は、塗布された薬液に応じて適宜決定される。
First, the case where the substrate A11 having two effective areas 501 is sucked onto the hot plate 101 will be described with reference to FIG.
In order to dry the chemical solution, the substrate A11 coated with the chemical solution in the previous process is loaded by a robot arm or the like and placed at a specified position on the hot plate 101. The hot plate 101 is preferably heated in advance by a heater. The time and temperature for placing the substrate A11 on the plane of the hot plate 101 are appropriately determined according to the applied chemical solution.

基板A11がホットプレート101上に載置されると、制御部180は、基板の種別A11を特定し(ステップS11)、バルブ開閉制御テーブル181において、A11に対応付けて記憶されている開く対象のバルブVx1,Vx3,Vx5,Vy1,Vy5を特定する(ステップS12)。制御部180は、バルブVx1〜Vx5,Vy1〜Vy5に制御信号を伝送し、特定されたバルブVx1,Vx3,Vx5,Vy1,Vy5を開き、他のバルブVx2,Vx4,Vy2,Vy3,Vy4を閉じる(ステップS13)。基板の種別は、ユーザが制御部180に対して指定してもよいし、センサ等で判別することによって特定されてもよい。   When the substrate A11 is placed on the hot plate 101, the control unit 180 specifies the substrate type A11 (step S11), and in the valve opening / closing control table 181, the opening target stored in association with A11 is stored. The valves Vx1, Vx3, Vx5, Vy1, Vy5 are specified (step S12). The control unit 180 transmits control signals to the valves Vx1 to Vx5, Vy1 to Vy5, opens the specified valves Vx1, Vx3, Vx5, Vy1, and Vy5, and closes the other valves Vx2, Vx4, Vy2, Vy3, and Vy4. (Step S13). The type of the board may be specified by the user with respect to the control unit 180, or may be specified by determining with a sensor or the like.

制御部180は、吸引装置190を起動して吸引動作を開始する(ステップS14)。これにより、開いたバルブVx1,Vx3,Vx5,Vy1,Vy5に接続された管路131,133,135,141,145を介して、吸着穴のライン151,153,155,161,165の吸着穴110,120から基板A11が吸引される。   The controller 180 activates the suction device 190 and starts a suction operation (step S14). As a result, the suction holes of the suction hole lines 151, 153, 155, 161, 165 via the pipe lines 131, 133, 135, 141, 145 connected to the opened valves Vx1, Vx3, Vx5, Vy1, Vy5. Substrate A11 is sucked from 110 and 120.

基板A11は、図6に示すように、列方向の吸着穴のライン152,154、および行方向の吸着穴のライン162,163,164が、基板A11の有効領域501を横切るように、ホットプレート101上に配置される。一方、吸着穴のライン151,153,155、および161,165は、基板A11の非有効領域のみを通過している。従って、バルブ開閉制御テーブル181に基づいて、バルブVx1〜Vx5,Vy1〜Vy5を開閉することにより、非有効領域上に位置する吸着穴のみで基板A11を吸引することができる。   As shown in FIG. 6, the substrate A11 is a hot plate so that the suction hole lines 152, 154 in the column direction and the suction hole lines 162, 163, 164 in the row direction cross the effective area 501 of the substrate A11. 101. On the other hand, the suction hole lines 151, 153, 155, and 161, 165 pass only through the ineffective area of the substrate A11. Therefore, by opening and closing the valves Vx1 to Vx5 and Vy1 to Vy5 based on the valve opening / closing control table 181, the substrate A11 can be sucked only by the suction holes located on the ineffective area.

次に、4つの有効領域502を有する基板B11をホットプレート101上に吸着する場合について図7を参照しながら説明する。   Next, a case where the substrate B11 having four effective areas 502 is sucked onto the hot plate 101 will be described with reference to FIG.

薬液を乾燥させるため、前工程において薬液を塗布された基板B11がホットプレート101の平面上に載置される。制御部180は、基板の種別B11を特定し(ステップS11)、バルブ開閉制御テーブル181に基づいて、バルブVx1,Vx3,Vx5,Vy1,Vy3,Vy5を開き、他のバルブVx2,Vx4,Vy2,Vy4を閉じる(ステップS12,ステップS13)。   In order to dry the chemical solution, the substrate B11 coated with the chemical solution in the previous step is placed on the plane of the hot plate 101. The control unit 180 specifies the board type B11 (step S11), opens the valves Vx1, Vx3, Vx5, Vy1, Vy3, Vy5 based on the valve opening / closing control table 181 and other valves Vx2, Vx4, Vy2, and so on. Vy4 is closed (step S12, step S13).

制御部180は、吸引装置190を起動して吸引動作を開始する(ステップS14)。これにより、開いたバルブVx1,Vx3,Vx5,Vy1,Vy3,Vy5に接続された管路131,133,135,141,143,145を介して、吸着穴のライン151,153,155,161,163,165の吸着穴110,120から基板B11が吸引される。   The controller 180 activates the suction device 190 and starts a suction operation (step S14). As a result, the suction hole lines 151, 153, 155, 161 via the pipes 131, 133, 135, 141, 143, 145 connected to the opened valves Vx1, Vx3, Vx5, Vy1, Vy3, Vy5. The substrate B11 is sucked from the suction holes 110 and 120 of 163 and 165.

基板B11は、図7に示すように、列方向の吸着穴のライン152、154、および行方向の吸着穴のライン162,164が有効領域502を横切るように、ホットプレート101上に配置される。一方、吸着穴のライン151,153,155,161,163,165は、基板B11の非有効領域のみを通過する。従って、バルブ開閉制御テーブル181に基づいて、バルブVx1〜Vx5,Vy1〜Vy5を開閉することにより、非有効領域上に位置する吸着穴のみで基板B11を吸引することができる。   As shown in FIG. 7, the substrate B <b> 11 is arranged on the hot plate 101 so that the suction hole lines 152 and 154 in the column direction and the suction hole lines 162 and 164 in the row direction cross the effective area 502. . On the other hand, the suction hole lines 151, 153, 155, 161, 163, and 165 pass only through the ineffective area of the substrate B11. Therefore, by opening and closing the valves Vx1 to Vx5 and Vy1 to Vy5 based on the valve opening / closing control table 181, the substrate B11 can be sucked only by the suction holes located on the ineffective area.

このように、列および行方向に配置された吸着穴のライン(群)を多数設け、基板を吸引する吸着穴の群を適宜選択することにより、異なる面付けの基板であっても、レジスト等の薬液が塗布される有効領域を避けて基板を吸着することができる。このため、異なる面付けを有する基板であっても、ホットプレート等のステージを交換せずに、有効領域における、塗布むら等のゆがみの発生を防止することが可能となり、面付けの異なる機種に即時にかつ簡単に対応することができる。   In this way, by providing a large number of suction hole lines (groups) arranged in the column and row directions, and appropriately selecting a group of suction holes for sucking the substrate, resists or the like can be used even on substrates with different impositions. The substrate can be adsorbed while avoiding the effective area where the chemical solution is applied. For this reason, even with substrates with different impositions, it is possible to prevent the occurrence of distortion such as coating unevenness in the effective area without exchanging the stage such as a hot plate. It is possible to respond immediately and easily.

(第2実施形態)
第1実施形態に係る基板吸着装置および基板吸着方法においては、制御部180は基板の種別とバルブ開閉制御テーブル181とに基づいてバルブの開閉を制御する。そのため、ユーザは予めバルブ開閉制御テーブル181を制御部180に記憶させる必要がある。これに対し、本発明の第2実施形態に係る基板吸着装置および基板吸着方法では、バルブ開閉制御テーブルを必要とせず、どのような面付けの有効領域を有する基板が搬入されても、制御部によって自動的に開閉するバルブが特定される。以下に、本発明の第2実施形態に係る基板吸着装置20および基板吸着方法について、図8〜図12を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
In the substrate suction apparatus and the substrate suction method according to the first embodiment, the control unit 180 controls the opening / closing of the valve based on the type of the substrate and the valve opening / closing control table 181. Therefore, the user needs to store the valve opening / closing control table 181 in the control unit 180 in advance. On the other hand, in the substrate suction apparatus and the substrate suction method according to the second embodiment of the present invention, the valve opening / closing control table is not required, and the control unit can be used even if a substrate having any imposition effective area is carried in. Identifies a valve that automatically opens and closes. Below, the board | substrate adsorption | suction apparatus 20 and the board | substrate adsorption | suction method which concern on 2nd Embodiment of this invention are demonstrated, referring FIGS. 8-12.

第2実施形態に係る基板吸着装置20を、図8〜図10に示す。なお、第1実施形態に係る基板吸着装置10と同一部分には、同一符号を付す。
第1実施形態との違いは、図8〜図10に示すように、撮像装置(検出装置)として、基板12に対向配置されたCCDカメラ270をさらに備えている点である。CCDカメラ270は移動装置271に接続されている。また、制御部180は、移動装置271とCCDカメラ270に接続され、移動装置271を制御してCCDカメラ270を基板12に対し相対的に移動させながら、CCDカメラ270に適宜、基板12のスキャン画像を撮像させる。
A substrate suction apparatus 20 according to the second embodiment is shown in FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the board | substrate adsorption | suction apparatus 10 concerning 1st Embodiment.
A difference from the first embodiment is that, as shown in FIGS. 8 to 10, a CCD camera 270 arranged to face the substrate 12 is further provided as an imaging device (detection device). The CCD camera 270 is connected to the moving device 271. The control unit 180 is connected to the moving device 271 and the CCD camera 270, and controls the moving device 271 to move the CCD camera 270 relative to the substrate 12 while appropriately scanning the substrate 12 with the CCD camera 270. Take an image.

制御部180には、予め、基板の載置予定位置を基準位置として、この基準位置に対する吸着穴のライン(行および列)151〜155,161〜165の位置情報が入力されている。   Position information of suction hole lines (rows and columns) 151 to 155 and 161 to 165 with respect to the reference position is input to the control unit 180 in advance with the planned placement position of the substrate as the reference position.

本実施形態において、ホットプレート101の平面上に載置される基板12には、予め位置決めマークとしてスクライブマークMが形成されている。スクライブマークMは、例えば、電子ビームやレーザビームを照射することによって非有効領域に形成される。   In the present embodiment, a scribe mark M is previously formed as a positioning mark on the substrate 12 placed on the plane of the hot plate 101. The scribe mark M is formed in the ineffective area by, for example, irradiating an electron beam or a laser beam.

図11は、本実施形態に係る制御部180の基板吸引吸着動作を示すフローチャートである。以下、図11を参照しながら、基板吸引吸着動作を説明する。   FIG. 11 is a flowchart showing the substrate suction and suction operation of the control unit 180 according to this embodiment. Hereinafter, the substrate suction suction operation will be described with reference to FIG.

まず、基板12が、例えばロボットアーム等により、ホットプレート101上に搬入され、規定の位置に載置される。図示せぬセンサにより、制御部180は、基板12が搬入されたことを検出し、図11のフローを開始する。   First, the substrate 12 is loaded onto the hot plate 101 by, for example, a robot arm and placed at a specified position. The control unit 180 detects that the substrate 12 has been carried in by a sensor (not shown), and starts the flow of FIG.

制御部180は、撮像装置(CCDカメラ)270によりx,y方向に基板面をスキャンする(ステップS21)。
制御部180は、ステップS21におけるスキャン画像に基づいて、基板12に形成されたスクライブマークMを抽出する(ステップS22)。
制御部180は、ステップS22で抽出されたスクライブマークMに最も近い吸着穴のライン(列および行)を特定する(ステップS23)。
制御部180は、ステップS23で特定した列および行の吸着穴に接続されたバルブVを開き、他のバルブVを閉じる(ステップS24)。
制御部180は、吸引装置190を起動して、吸引動作を開始する(ステップS25)。開いたバルブVに接続された管路131〜135,141〜145を介して、管路131〜135,141〜145に接続された吸着穴110,120から基板12が吸引され、ホットプレート101上に吸着される。また、ホットプレート101は、予めヒータによって加熱されており、基板に塗布された薬液が乾燥される。
The control unit 180 scans the substrate surface in the x and y directions with the imaging device (CCD camera) 270 (step S21).
The control unit 180 extracts the scribe mark M formed on the substrate 12 based on the scanned image in step S21 (step S22).
The controller 180 identifies the suction hole line (column and row) closest to the scribe mark M extracted in step S22 (step S23).
The control unit 180 opens the valves V connected to the column and row suction holes identified in step S23, and closes the other valves V (step S24).
The control unit 180 activates the suction device 190 and starts a suction operation (step S25). The substrate 12 is sucked from the suction holes 110 and 120 connected to the pipe lines 131 to 135 and 141 to 145 through the pipe lines 131 to 135 and 141 to 145 connected to the opened valve V, and the hot plate 101 To be adsorbed. The hot plate 101 is heated in advance by a heater, and the chemical applied to the substrate is dried.

制御部180は、予め設定された終了条件を満たすか否か、例えば、所定の処理時間が経過したか否かを判別する。「終了条件を満たす」と判別した場合(ステップS26;Yes)、ステップS27に進む。「終了条件を満たさない」と判別した場合(ステップS26;No)、制御部180は、ステップS26を再度行い、「終了条件を満たす」と判別されるまで、ステップS26を繰り返し行う(ステップS26)。
制御部180は、「終了条件を満たす」と判別した場合、全バルブVを閉じ、管路131〜135,141〜145内の負圧を解放することによって基板12の吸着を解除する(ステップS27)。
吸着を解除された基板12は、例えばロボットアーム等によって搬出され、基板吸引吸着動作が終了する。
上述の工程は、新たな基板が搬入されることにより繰り返し行われる。
The control unit 180 determines whether or not a preset end condition is satisfied, for example, whether or not a predetermined processing time has elapsed. When it is determined that “the end condition is satisfied” (step S26; Yes), the process proceeds to step S27. When it is determined that “the end condition is not satisfied” (step S26; No), the control unit 180 performs step S26 again, and repeatedly performs step S26 until it is determined that “the end condition is satisfied” (step S26). .
When it is determined that “the end condition is satisfied”, the controller 180 closes all the valves V and releases the negative pressure in the pipe lines 131 to 135 and 141 to 145 to release the adsorption of the substrate 12 (step S27). ).
The substrate 12 that has been released from the suction is carried out by, for example, a robot arm, and the substrate suction and suction operation ends.
The above-described process is repeatedly performed by loading a new substrate.

次に、上述の工程を具体例に基づいて説明する。4つの有効領域503を有する基板C12をホットプレート101上に吸着する場合について、図10〜図12を参照しながら説明する。なお、図10および図12では、区別のため、基板の有効領域503をハッチングで示す。   Next, the above process will be described based on a specific example. A case where the substrate C12 having four effective areas 503 is sucked onto the hot plate 101 will be described with reference to FIGS. In FIGS. 10 and 12, the effective area 503 of the substrate is indicated by hatching for distinction.

薬液を乾燥させるため、前工程において薬液を塗布された基板C12が、ロボットアームなどにより搬入されて、ホットプレート101上の規定の位置に載置される。ホットプレート101は、予めヒータによって加熱されていることが好ましい。なお、ホットプレート101の平面上に基板C12を載置する時間および温度は、塗布された薬液に応じて適宜決定される。   In order to dry the chemical solution, the substrate C12 coated with the chemical solution in the previous process is loaded by a robot arm or the like and placed at a specified position on the hot plate 101. The hot plate 101 is preferably heated in advance by a heater. The time and temperature for placing the substrate C12 on the plane of the hot plate 101 are appropriately determined according to the applied chemical solution.

基板C12がホットプレート101上に載置されると、制御部180は、CCDカメラ270を、図10に矢印で示すように、基板C12のx、y方向に順次移動させて、CCDカメラ270によって画像を取得する(ステップS21)。このようにして、制御部180は基板面をスキャンして、スクライブマークMを抽出する(ステップS22)。次に、制御部180は、スクライブマークMの位置情報と予め入力された吸着穴のライン151〜155,161〜165の位置情報とを比較して、各スクライブマークMに最も近い吸着穴のライン(行および列)を特定する(ステップS23)。図12に示す例では、スクライブマークM11と最も近い吸着穴のラインとして、吸着穴のライン151,161が特定される。同様に、スクライブマークM21に対しては吸着穴のライン153,161、スクライブマークM31に対しては吸着穴のライン155,161、スクライブマークM32に対しては吸着穴のライン155,163、スクライブマークM33に対しては吸着穴のライン155,165が特定される。この場合、制御部180は、これらの吸着穴のライン151,153,155,161,163,165それぞれに接続されたバルブVx1,Vx3,Vx5,Vy1,Vy3,Vy5を開き、他のバルブVx2,Vx4,Vy2,Vy4を閉じる(ステップS24)。これにより、有効領域503を避けて基板C12を吸引することができる。   When the substrate C12 is placed on the hot plate 101, the controller 180 sequentially moves the CCD camera 270 in the x and y directions of the substrate C12 as indicated by arrows in FIG. An image is acquired (step S21). In this way, the control unit 180 scans the substrate surface and extracts the scribe mark M (step S22). Next, the control unit 180 compares the position information of the scribe mark M with the position information of the suction hole lines 151 to 155 and 161 to 165 inputted in advance, and the line of the suction hole closest to each scribe mark M. (Row and column) are specified (step S23). In the example shown in FIG. 12, the suction hole lines 151 and 161 are specified as the suction hole lines closest to the scribe mark M11. Similarly, suction hole lines 153 and 161 for scribe mark M21, suction hole lines 155 and 161 for scribe mark M31, suction hole lines 155 and 163 for scribe mark M32, and scribe marks. For M33, suction hole lines 155 and 165 are specified. In this case, the control unit 180 opens the valves Vx1, Vx3, Vx5, Vy1, Vy3, Vy5 connected to the suction hole lines 151, 153, 155, 161, 163, 165, respectively, and the other valves Vx2, Vx4, Vy2, and Vy4 are closed (step S24). Accordingly, the substrate C12 can be sucked while avoiding the effective area 503.

このような構成によれば、基板の面付けが変わった場合に、基板の面付けに合わせて、ユーザがバルブ開閉制御テーブルを設定し直さなくても、基板をホットプレート上に載置するだけで、基板の非有効領域のみを通過する吸着穴ラインに対応するバルブを特定し、開くことができる。これにより、異なる面付けの基板毎に、ユーザがバルブ開閉制御テーブルを設定することなく、自動的に有効領域を避けて基板を吸引し、ホットプレート上に吸着することが可能となる。   According to such a configuration, when the imposition of the substrate changes, the substrate is simply placed on the hot plate without resetting the valve opening / closing control table according to the imposition of the substrate. Thus, it is possible to identify and open the valve corresponding to the suction hole line that passes only through the ineffective area of the substrate. Accordingly, it is possible to automatically suck the substrate by avoiding the effective area and suck it onto the hot plate without setting the valve opening / closing control table by the user for each substrate with different imposition.

(第3実施形態)
本発明に係る基板吸着装置および基板吸着方法は、例えば、ボトムエミッション型の有機EL表示装置の製造に適用することができる。有機EL表示装置は、大型のマザー基板に形成された複数の有機EL表示装置をそれぞれ切り出すことによって製造される。以下、有機EL表示装置および有機EL表示装置の製造方法について、図13〜図16を参照しながら説明する。
(Third embodiment)
The substrate suction device and the substrate suction method according to the present invention can be applied to, for example, the manufacture of a bottom emission type organic EL display device. The organic EL display device is manufactured by cutting out a plurality of organic EL display devices formed on a large mother substrate. Hereinafter, an organic EL display device and a method for manufacturing the organic EL display device will be described with reference to FIGS.

(有機EL表示装置)
有機EL表示装置600は、図13に示されるように、ガラス基板610aと、画素電極(陽極)620と、バンク630と、有機EL発光層640と、正孔注入層690と、層間絶縁膜650と、上部電極(陰極)660と、封止ガラス670と、を有する。
(Organic EL display device)
As shown in FIG. 13, the organic EL display device 600 includes a glass substrate 610a, a pixel electrode (anode) 620, a bank 630, an organic EL light emitting layer 640, a hole injection layer 690, and an interlayer insulating film 650. And an upper electrode (cathode) 660 and a sealing glass 670.

ガラス基板610aの上には、ゲート層710が設けられる。さらに、ガラス基板610aの上には、ゲート層710を覆って、絶縁層720も設けられる。絶縁層720の上には画素電極620(陽極)が設けられる。画素電極620は、例えばドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム(In)等の透明導電材料から形成される。 A gate layer 710 is provided over the glass substrate 610a. Further, an insulating layer 720 is also provided over the glass substrate 610 a so as to cover the gate layer 710. A pixel electrode 620 (anode) is provided over the insulating layer 720. The pixel electrode 620 is formed of a transparent conductive material such as doped indium oxide (ITO), zinc-doped indium oxide, or indium oxide (In 2 O 3 ).

絶縁層720の上には半導体膜760が設けられる。半導体膜760の上には、ソース・ドレイン740が絶縁膜730を挟んで設けられる。ソース・ドレイン740の上には、ドレイン・ライン750が設けられる。ソース・ドレイン740の上に層間絶縁膜650が設けられる。層間絶縁膜650は、隣り合う画素電極620どうしを電気的に絶縁する。   A semiconductor film 760 is provided over the insulating layer 720. On the semiconductor film 760, a source / drain 740 is provided with an insulating film 730 interposed therebetween. A drain line 750 is provided on the source / drain 740. An interlayer insulating film 650 is provided on the source / drain 740. The interlayer insulating film 650 electrically insulates adjacent pixel electrodes 620 from each other.

層間絶縁膜650の上には隔壁として機能するバンク630が設けられている。層間絶縁膜650とバンク630とで囲まれた開口内の画素電極620の上に、正孔注入層690、有機EL発光層640、上部電極660(陰極)がこの順に積層されている。   A bank 630 functioning as a partition wall is provided on the interlayer insulating film 650. On the pixel electrode 620 in the opening surrounded by the interlayer insulating film 650 and the bank 630, a hole injection layer 690, an organic EL light emitting layer 640, and an upper electrode 660 (cathode) are laminated in this order.

上部電極660は、電子注入をしやすくするため、例えば、AlLi、FLi、MgIn、Li、Na、Mg、Ca等の金属を単体であるいは合金で用いることができる。   In order to facilitate electron injection, the upper electrode 660 can use, for example, a metal such as AlLi, FLi, MgIn, Li, Na, Mg, Ca alone or in an alloy.

上部電極660の上には、パッシベーション膜700が設けられる。パッシベーション膜700の上に接着層680が設けられる。そして、接着層680の上に封止ガラス670が設けられている。   A passivation film 700 is provided on the upper electrode 660. An adhesive layer 680 is provided on the passivation film 700. A sealing glass 670 is provided on the adhesive layer 680.

(有機EL表示装置の製造方法)
次に、有機EL表示装置600の製造方法について説明する。なお、本実施形態においては、4つの有機EL表示装置が形成されるマザー基板(ガラス基板)610を、第1実施形態に係る基板吸着装置10および基板吸着方法により吸着する場合を例に挙げて説明する。
(Method for manufacturing organic EL display device)
Next, a method for manufacturing the organic EL display device 600 will be described. In the present embodiment, an example in which a mother substrate (glass substrate) 610 on which four organic EL display devices are formed is adsorbed by the substrate adsorption device 10 and the substrate adsorption method according to the first embodiment is taken as an example. explain.

まず、図14(a)に示すように、ガラス基板610の上にゲート層710を設ける。
次に、図14(b)に示すように、ガラス基板610の上に、ゲート層710を覆うように絶縁層720を設け、絶縁層720の上に半導体層761を設け、半導体層761の上には絶縁膜層731を設けることで、3層デポジションを行う。
First, as shown in FIG. 14A, a gate layer 710 is provided on a glass substrate 610.
Next, as illustrated in FIG. 14B, an insulating layer 720 is provided over the glass substrate 610 so as to cover the gate layer 710, a semiconductor layer 761 is provided over the insulating layer 720, and the semiconductor layer 761 is overlaid. Is provided with an insulating film layer 731 to perform three-layer deposition.

次に、図14(c)に示すように、絶縁膜層731をエッチング処理して、絶縁膜730を形成する。
次に、図14(d)に示すように、半導体層761をエッチング処理して、半導体膜760を形成する。そして、半導体膜760の上にソース・ドレイン740を設ける。
Next, as illustrated in FIG. 14C, the insulating film layer 731 is etched to form an insulating film 730.
Next, as illustrated in FIG. 14D, the semiconductor layer 761 is etched to form a semiconductor film 760. Then, a source / drain 740 is provided on the semiconductor film 760.

次に、絶縁層720の上に、均一的な厚さでスパッタや蒸着等によりITO成膜を形成する。そして、そのITO成膜に、レジストとしてフェノールノボラック樹脂等を使用して、フォトリソグラフィ処理により、図14(e)に示すように、ガラス基板610の上に所定の間隔でストライプ形状に画素電極620を形成する。画素電極620の厚さは30nm〜100nmである。なお、ウエットエッチング処理若しくはドライエッチング処理等を施すことにより画素電極620を形成することも可能である。   Next, an ITO film is formed on the insulating layer 720 by sputtering, vapor deposition, or the like with a uniform thickness. Then, the ITO film is formed using a phenol novolac resin or the like as a resist, and by photolithography, as shown in FIG. 14E, the pixel electrodes 620 are formed in stripes on the glass substrate 610 at predetermined intervals. Form. The pixel electrode 620 has a thickness of 30 nm to 100 nm. Note that the pixel electrode 620 can also be formed by performing wet etching treatment, dry etching treatment, or the like.

次に、図15(a)に示すように、ソース・ドレイン740の上に、ドレインライン750を設ける。   Next, as shown in FIG. 15A, a drain line 750 is provided on the source / drain 740.

次に、図15(b)に示すように、ソース・ドレイン740の上に、例えばポリイミド溶液を0.8μmの厚さで均一的にスピンコート法により塗布し、ポリイミドの膜650aを形成する。塗布したポリイミド溶液を乾燥させるため、塗布面を上にしてガラス基板610を基板吸着装置10のホットプレート101上に載置する。基板吸着装置10によりガラス基板610を吸引し、ホットプレート101上に吸着しながら、加熱して溶媒を蒸発させる。なお、基板吸着装置10および基板吸着方法は、第1実施形態に記載の基板吸着装置10および基板吸着方法と同様である。   Next, as shown in FIG. 15B, on the source / drain 740, for example, a polyimide solution is uniformly applied with a thickness of 0.8 μm by a spin coating method to form a polyimide film 650a. In order to dry the applied polyimide solution, the glass substrate 610 is placed on the hot plate 101 of the substrate suction apparatus 10 with the coating surface facing up. The glass substrate 610 is sucked by the substrate adsorption device 10 and heated to evaporate the solvent while adsorbing on the hot plate 101. The substrate suction device 10 and the substrate suction method are the same as the substrate suction device 10 and the substrate suction method described in the first embodiment.

そして設けたポリイミドの膜650aをフォトリソグラフィ処理により、図15(c)に示すように、画素電極620が位置する部分を除去するようにしてパターニングした後にキュアする。このようにして、層間絶縁膜650を形成する。層間絶縁膜650は、画素電極620の間の領域に設けられており、画素電極620の周縁部を覆うことにより、隣接する画素電極620同士の短絡を防止する。層間絶縁膜650は、複数の開口を有する編み目状で、厚さが650nm〜300nmの膜から構成されている。層間絶縁膜650は、例えば窒化珪素または酸化珪素等の硅素化合物から形成される。   Then, the provided polyimide film 650a is cured by patterning so as to remove the portion where the pixel electrode 620 is located, as shown in FIG. In this way, an interlayer insulating film 650 is formed. The interlayer insulating film 650 is provided in a region between the pixel electrodes 620 and covers the peripheral edge of the pixel electrode 620, thereby preventing a short circuit between adjacent pixel electrodes 620. The interlayer insulating film 650 has a stitch shape having a plurality of openings and is formed of a film having a thickness of 650 nm to 300 nm. Interlayer insulating film 650 is formed of a silicon compound such as silicon nitride or silicon oxide, for example.

次に、図15(d)に示すように、バンク630を層間絶縁膜650の上に形成する。バンク630の形成は、例えばポリスチレン等のネガ型の感光性樹脂にフォトマスクを介して光を照射することで形成される。   Next, as shown in FIG. 15D, a bank 630 is formed on the interlayer insulating film 650. The bank 630 is formed by, for example, irradiating a negative photosensitive resin such as polystyrene with light through a photomask.

そして、酸素プラズマ処理若しくはUVオゾン処理により画素電極620の親液化を行う。この酸素プラズマ処理若しくはUVオゾン処理をすることで、画素電極620に塗布を行う正孔注入層形成用塗布液が画素電極620全体に広がり、均一な膜厚を形成することができる。   Then, the pixel electrode 620 is made lyophilic by oxygen plasma treatment or UV ozone treatment. By performing this oxygen plasma treatment or UV ozone treatment, the hole injection layer forming coating solution for coating the pixel electrode 620 spreads over the entire pixel electrode 620, and a uniform film thickness can be formed.

次に、正孔注入層形成用塗布液をノズルプリント法にてバンク630で囲まれた画素電極620の上に塗布する。塗布後、正孔注入層形成用塗布液を乾燥させるため、塗布面を上にしてガラス基板610を基板吸着装置10のホットプレート101上に載置する。基板吸着装置10により、載置されたガラス基板610を吸引し、ホットプレート101上に吸着させながら、100℃以上の温度条件で乾燥を行う。これにより図16(a)に示すように、正孔注入層690が形成される。なお、基板吸着装置10および基板吸着方法は、第1実施形態に記載の基板吸着装置10および基板吸着方法と同様である。   Next, a hole injection layer forming coating solution is applied onto the pixel electrode 620 surrounded by the bank 630 by a nozzle printing method. After the coating, the glass substrate 610 is placed on the hot plate 101 of the substrate adsorption device 10 with the coating surface facing up in order to dry the hole injection layer forming coating solution. The glass substrate 610 placed is sucked by the substrate suction device 10 and dried on a temperature condition of 100 ° C. or higher while being sucked on the hot plate 101. As a result, a hole injection layer 690 is formed as shown in FIG. The substrate suction device 10 and the substrate suction method are the same as the substrate suction device 10 and the substrate suction method described in the first embodiment.

次に、形成された正孔注入層690の上に、上述した実施形態に係る有機EL発光層形成用塗布液が塗布される。塗布は、ノズルコータから連続的に塗布される。塗布は、窒素ガス雰囲気中で行うことが望ましい。有機EL発光材料は酸素や水蒸気等に接触すると特性変化を生じることがありうる。そのため、窒素ガス雰囲気中で塗布することで、有機EL発光材料の特性変化を起こりにくくすることが可能となる。   Next, the organic EL light emitting layer forming coating liquid according to the above-described embodiment is applied onto the formed hole injection layer 690. Application is continuously performed from a nozzle coater. The application is desirably performed in a nitrogen gas atmosphere. The organic EL light emitting material may change its characteristics when it comes into contact with oxygen, water vapor or the like. Therefore, it becomes possible to make the characteristic change of the organic EL light emitting material difficult to occur by applying in a nitrogen gas atmosphere.

有機EL発光層形成用塗布液の粘度は4mPa・sである。有機EL発光層形成用塗布液の粘度は1〜20mPa・sであり、好ましくは2〜8mPa・sである。粘度が1mPa・sより少ないと、吐出量の制御が困難になるばかりでなく、固型分濃度が過少となることで十分な膜厚を形成できないおそれがある。一方、有機EL発光層形成用塗布液の粘度が20mPa・sより大きいと、ノズルコータから円滑に吐出させることができないおそれがあり、ノズルコータを大きくする等の装置の仕様を変更する必要が生じうる。   The viscosity of the organic EL light emitting layer forming coating solution is 4 mPa · s. The viscosity of the coating liquid for forming an organic EL light emitting layer is 1 to 20 mPa · s, preferably 2 to 8 mPa · s. When the viscosity is less than 1 mPa · s, not only is it difficult to control the discharge amount, but there is a possibility that a sufficient film thickness cannot be formed because the solid concentration is too low. On the other hand, if the viscosity of the coating liquid for forming the organic EL light emitting layer is larger than 20 mPa · s, there is a possibility that the nozzle coater cannot be smoothly discharged, and it may be necessary to change the specifications of the apparatus such as increasing the nozzle coater.

有機EL発光層形成用塗布液が塗布された後、ガラス基板610を基板吸着装置10のホットプレート101上に載置する。載置されたガラス基板610を基板吸着装置10により吸引し、ホットプレート101上に吸着しながら、窒素雰囲気中で加熱により有機EL発光層形成用塗布液を乾燥させる。なお、基板吸着装置10および基板吸着方法は、第1実施形態に記載の基板吸着装置10および基板吸着方法と同様である。これにより、図16(b)に示すように、有機EL発光層640が形成される。なお、有機EL発光層形成用塗布液は、真空中でのシーズヒータによって乾燥させてもよい。   After the organic EL light emitting layer forming coating solution is applied, the glass substrate 610 is placed on the hot plate 101 of the substrate suction device 10. The glass substrate 610 placed is sucked by the substrate suction device 10 and dried on the organic EL light emitting layer forming coating by heating in a nitrogen atmosphere while being sucked on the hot plate 101. The substrate suction device 10 and the substrate suction method are the same as the substrate suction device 10 and the substrate suction method described in the first embodiment. Thereby, as shown in FIG.16 (b), the organic electroluminescent light emitting layer 640 is formed. The coating liquid for forming the organic EL light emitting layer may be dried with a sheathed heater in a vacuum.

次に、図16(c)に示すように、有機EL発光層640の上に、膜厚が例えば100nmの上部電極660が設けられる。上部電極660は、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いて形成することができる。   Next, as illustrated in FIG. 16C, the upper electrode 660 having a thickness of, for example, 100 nm is provided on the organic EL light emitting layer 640. The upper electrode 660 can be formed using, for example, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.

次に、図16(d)に示すように、上部電極660の上に絶縁層720が設けられる。そして、絶縁層720の上に接着層680を設け、さらに接着層680の上に封止ガラス670を形成する。具体的には、封止ガラス670の一方の面にディスペンサを用いてエポキシ系紫外線硬化樹脂からなる接着剤を塗布する。そして封止ガラス670の接着剤が塗布された面と接着層680が配置された面とを位置あわせして貼り合わせて、紫外線を照射させて接着剤を硬化させる。これにより封止ガラス670と接着層680が配置された面とが固定される。さらに、封止ガラス670で封止されたガラス基板610から有機EL表示装置をそれぞれ切り出すことによって、図13に示すような有機EL表示装置600が形成される。   Next, as illustrated in FIG. 16D, an insulating layer 720 is provided on the upper electrode 660. Then, an adhesive layer 680 is provided over the insulating layer 720, and a sealing glass 670 is formed over the adhesive layer 680. Specifically, an adhesive made of an epoxy ultraviolet curable resin is applied to one surface of the sealing glass 670 using a dispenser. Then, the surface of the sealing glass 670 on which the adhesive is applied and the surface on which the adhesive layer 680 is disposed are aligned and bonded together, and ultraviolet rays are irradiated to cure the adhesive. As a result, the sealing glass 670 and the surface on which the adhesive layer 680 is disposed are fixed. Further, by cutting out the organic EL display device from the glass substrate 610 sealed with the sealing glass 670, an organic EL display device 600 as shown in FIG. 13 is formed.

なお、上記ポリイミド溶液、正孔注入層形成用塗布液、有機EL発光層形成用塗布液それぞれを乾燥する工程において、本発明の第2実施形態に係る基板吸着装置および方法を適用してもよい。   In the step of drying the polyimide solution, the hole injection layer forming coating solution, and the organic EL light emitting layer forming coating solution, the substrate adsorption apparatus and method according to the second embodiment of the present invention may be applied. .

上記ポリイミド溶液、正孔注入層形成用塗布液、有機EL発光層形成用塗布液それぞれを乾燥する工程において、本発明に係る基板吸着装置および基板吸着方法を適用することにより、表示領域において、吸着によって発生しうる塗布むらを抑制することが可能となる。これにより、均一性を備える層間絶縁膜、正孔注入層、有機EL発光層を形成することができる。   In the step of drying each of the polyimide solution, the hole injection layer forming coating solution, and the organic EL light emitting layer forming coating solution, the substrate adsorption device and the substrate adsorption method according to the present invention are used to adsorb in the display area. It becomes possible to suppress the coating unevenness which may generate | occur | produce. Thereby, an interlayer insulating film, a hole injection layer, and an organic EL light emitting layer having uniformity can be formed.

以上のように本発明に係る基板吸着装置および基板吸着方法を用いて製造された有機EL表示装置は、各種電子機器の表示パネルとして用いられる。例えば、図17(a)に示すデジタルカメラ810の表示パネル811や、図17(b)に示すパーソナルコンピュータ820の表示パネル821や、図17(c)に示す携帯電話機830の表示パネル831に、この有機EL表示装置を適用することができる。   As described above, the organic EL display device manufactured using the substrate suction device and the substrate suction method according to the present invention is used as a display panel of various electronic devices. For example, the display panel 811 of the digital camera 810 shown in FIG. 17A, the display panel 821 of the personal computer 820 shown in FIG. 17B, or the display panel 831 of the mobile phone 830 shown in FIG. This organic EL display device can be applied.

上記第3実施形態においては、ポリイミド溶液、正孔注入層形成用塗布液、有機EL発光層形成用塗布液それぞれを乾燥する工程において、本発明に係る基板吸着方法および基板吸着装置が適用される場合について説明したが、本発明に係る基板吸着方法および基板吸着装置は、例えば、フォトリソグラフィを行う際のフォトレジスト塗布工程に適用されてもよい。   In the third embodiment, the substrate adsorption method and the substrate adsorption device according to the present invention are applied in the steps of drying the polyimide solution, the hole injection layer forming coating solution, and the organic EL light emitting layer forming coating solution. Although the case has been described, the substrate suction method and the substrate suction device according to the present invention may be applied to, for example, a photoresist coating process when performing photolithography.

また上記第3実施形態においては、有機EL表示装置に用いられるマザー基板を例に説明したが、本発明に係る基板吸着装置および基板吸着方法は、例えば、有機トランジスタ、液晶ディスプレイ、その他各種電子デバイス用のマザー基板に適用することができる。   In the third embodiment, the mother substrate used in the organic EL display device has been described as an example. However, the substrate suction device and the substrate suction method according to the present invention include, for example, an organic transistor, a liquid crystal display, and various other electronic devices. It can be applied to a mother board.

また、上記第1〜第3実施形態においては、吸着穴がマトリクス状に5×5個並んだ場合について説明したが、より多くの吸着穴を設けることで、より多くの異なる面付けを有する基板に適用することができる。   In the first to third embodiments, the description has been given of the case where 5 × 5 suction holes are arranged in a matrix. However, by providing more suction holes, the substrate has more different impositions. Can be applied to.

また、上記第1〜第3実施形態においては、吸着穴の列および行毎に吸着穴の群を構成する場合について説明したが、吸着穴の群は、一つの吸着穴から構成されてもよいし、あるいは吸着穴の群毎に含まれる吸着穴の数が異なっていてもよい。これにより、一つの基板上に複数の異なる寸法の有効領域が面付けされている場合でも、有効領域を避けて基板を吸引し、ステージ上に吸着することができる。   Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although the case where the suction hole group was comprised for every column and row of the suction hole was demonstrated, the suction hole group may be comprised from one suction hole. Alternatively, the number of suction holes included in each group of suction holes may be different. Thereby, even when the effective area | region of a several different dimension is impositioned on the one board | substrate, a board | substrate can be attracted | sucked and avoided on an effective area.

上記第1〜第3実施形態における吸着穴および管路は、負圧吸引が可能なものであればよく、適宜公知のものによって構成できる。   The suction holes and pipes in the first to third embodiments may be any ones that can perform negative pressure suction, and can be appropriately configured by known ones.

また、上記第1〜第3実施形態におけるバルブは、弁の開閉動作・開度の調整等を行うことができればよく、電磁弁、空気式開閉弁、および電気式開閉弁などから適宜選択することができる。   In addition, the valves in the first to third embodiments may be appropriately selected from electromagnetic valves, pneumatic on-off valves, electric on-off valves, etc., as long as they can perform the opening / closing operation and adjustment of the opening degree of the valves. Can do.

また、上記第1〜第3実施形態における加熱処理のためのホットプレートを構成する各要素は、適宜、公知のものによって構成することができる。   Moreover, each element which comprises the hotplate for the heat processing in the said 1st-3rd embodiment can be comprised by a well-known thing suitably.

また、上記第1〜第3実施形態においては、基板を吸着するステージが、ヒータを備えるホットプレートである場合について説明したが、本発明に係る基板吸着装置および基板吸着方法は、加熱手段を備えないステージ上に基板を吸着させる場合にも適用することができる。   Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although the stage which adsorb | sucks a board | substrate demonstrated the case where it was a hot plate provided with a heater, the substrate adsorption | suction apparatus and substrate adsorption | suction method concerning this invention are equipped with a heating means. The present invention can also be applied to a case where a substrate is adsorbed on a stage that is not present.

また、上記第2実施形態においては、撮像装置がCCDカメラである場合について説明したが、CMOSカメラであってもよい。   In the second embodiment, the case where the imaging device is a CCD camera has been described. However, a CMOS camera may be used.

以上、本発明に係る基板吸着装置および基板吸着方法の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明したが、本発明の技術的範囲はこれらの実施形態に限定されるものではない。   The embodiments of the substrate suction apparatus and the substrate suction method according to the present invention have been described in detail above with reference to the drawings. However, the technical scope of the present invention is not limited to these embodiments.

10,20…基板吸着装置、101…ステージ(ホットプレート)、110,120…吸着穴、131〜135,141〜145…管路、151〜155,161〜165…吸着穴の群(ライン)、270…撮像装置(CCDカメラ)、271…移動装置、180…制御部、181…バルブ開閉制御テーブル、190…吸引装置、11,A11,B11,12,C12…基板、501,502,503…有効領域、M,M11,M21,M31,M32,M33…位置決めマーク(スクライブマーク)、600…有機EL表示装置、610…マザー基板(ガラス基板)、610a…ガラス基板、620…画素電極(陽極)、630…バンク、640…有機EL発光層、650…層間絶縁膜、660…上部電極(陰極)、670…封止ガラス、680…接着層、690…正孔注入層、700…パッシベーション膜、710…ゲート層、720…絶縁層、730…絶縁膜、740…ソース・ドレイン、750…ドレイン・ライン、760…半導体膜、810…デジタルカメラ、820…パーソナルコンピュータ、830…携帯電話機、811,821,831…表示パネル、V,Vx1〜Vx5,Vy1〜Vy5…バルブ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,20 ... Substrate adsorption apparatus, 101 ... Stage (hot plate), 110, 120 ... Adsorption hole, 131-135, 141-145 ... Pipe line, 151-155, 161-165 ... Group (line) of adsorption holes, 270 ... Imaging device (CCD camera), 271 ... Moving device, 180 ... Control unit, 181 ... Valve opening / closing control table, 190 ... Suction device, 11, A11, B11, 12, C12 ... Substrate, 501, 502, 503 ... Effective Area, M, M11, M21, M31, M32, M33 ... positioning mark (scribe mark), 600 ... organic EL display device, 610 ... mother substrate (glass substrate), 610a ... glass substrate, 620 ... pixel electrode (anode), 630 ... Bank, 640 ... Organic EL light emitting layer, 650 ... Interlayer insulating film, 660 ... Upper electrode (cathode), 670 ... Sealing glass, 80 ... adhesive layer, 690 ... hole injection layer, 700 ... passivation film, 710 ... gate layer, 720 ... insulating layer, 730 ... insulating film, 740 ... source / drain, 750 ... drain line, 760 ... semiconductor film, 810 ... Digital camera, 820 ... Personal computer, 830 ... Mobile phone, 811,821,831 ... Display panel, V, Vx1 to Vx5, Vy1 to Vy5 ... Valve

Claims (14)

ステージに設けられた吸着穴から、有効領域を有する基板を吸引し、前記ステージに前記基板を吸着する方法であって、
少なくとも一つの前記吸着穴を含む吸着穴群が複数形成された前記ステージの前記吸着穴群毎に、前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御することにより、前記有効領域を避けて前記吸着穴から前記基板を吸引し、前記ステージに前記基板を吸着する吸引工程を備える、ことを特徴とする基板吸着方法。
A method of sucking a substrate having an effective area from a suction hole provided in a stage and sucking the substrate to the stage,
For each of the suction hole groups of the stage where a plurality of suction hole groups including at least one suction hole are formed, the suction operation from the suction holes is controlled independently of each other, thereby avoiding the effective area and A substrate suction method comprising: a suction step of sucking the substrate from a suction hole and sucking the substrate to the stage.
前記吸着穴は、前記ステージにマトリクス状に配置され、前記マトリクス状に配置された吸着穴の行および列毎に前記吸着穴群を形成している、
ことを特徴とする請求項1に記載の基板吸着方法。
The suction holes are arranged in a matrix on the stage, and the suction hole group is formed for each row and column of the suction holes arranged in the matrix.
The substrate adsorption method according to claim 1.
前記基板は、予め形成された位置決めマークを有し、
前記ステージに載置された基板の位置決めマークを検出する工程をさらに備え、
前記吸引工程では、前記位置決めマークの位置と、予め設定された前記吸着穴群の位置と、の比較に基づいて、前記基板を吸引する前記吸着穴群を特定し、前記特定された吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の基板吸着方法。
The substrate has a pre-formed positioning mark,
Further comprising a step of detecting a positioning mark of the substrate placed on the stage,
In the suction step, the suction hole group for sucking the substrate is specified based on a comparison between the position of the positioning mark and the position of the suction hole group set in advance, and the specified suction hole group Sucking the substrate from the suction hole of
The substrate adsorption method according to claim 1 or 2, wherein
前記吸引工程では、前記位置決めマークの位置と最も近い前記吸着穴群を特定し、前記特定された吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引し、他の前記吸着穴群の前記吸着穴からは前記基板を吸引しない、
ことを特徴とする請求項3に記載の基板吸着方法。
In the suction step, the suction hole group closest to the position of the positioning mark is specified, the substrate is sucked from the suction hole of the specified suction hole group, and from the suction holes of the other suction hole groups Does not suck the substrate,
The substrate adsorption method according to claim 3.
前記基板を吸引するための吸引手段と前記吸着穴とを前記吸着穴群毎に接続する管路に、独立して開閉可能なバルブが配置されており、
前記吸引工程では、前記バルブの開閉を個別に制御することにより、前記吸引穴群毎に、前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板吸着方法。
A valve that can be opened and closed independently is disposed in a pipe line that connects the suction means for sucking the substrate and the suction holes for each of the suction hole groups,
5. The suction process according to claim 1, wherein in the suction step, the suction operation from the suction holes is controlled independently for each of the suction hole groups by individually controlling the opening and closing of the valves. The substrate adsorption method according to any one of the preceding claims.
前記ステージの平面と前記基板との接触面で、前記基板を加熱する工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板吸着方法。   The substrate adsorption method according to claim 1, further comprising a step of heating the substrate at a contact surface between the plane of the stage and the substrate. 前記基板は、複数の有機EL表示装置が形成されるマザー基板である、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板吸着方法。   The substrate adsorption method according to claim 1, wherein the substrate is a mother substrate on which a plurality of organic EL display devices are formed. 有効領域を有する基板を吸着する装置であって、
少なくとも一つの吸着穴を含む吸着穴群が複数形成されたステージと、
前記基板の有効領域を避けて前記基板を吸引するように、前記吸着穴群毎に前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする基板吸着装置。
An apparatus for adsorbing a substrate having an effective area,
A stage in which a plurality of suction hole groups including at least one suction hole are formed;
Control means for independently controlling the suction operation from the suction holes for each suction hole group so as to suck the substrate while avoiding the effective area of the substrate;
A substrate suction apparatus comprising:
前記吸着穴が、前記ステージにマトリクス状に配置され、
前記マトリクス状に配置された吸着穴の行および列毎に前記吸着穴群を形成している、ことを特徴とする請求項8に記載の基板吸着装置。
The suction holes are arranged in a matrix on the stage,
The substrate suction apparatus according to claim 8, wherein the suction hole group is formed for each row and column of suction holes arranged in a matrix.
前記基板は、予め形成された位置決めマークを有し、
前記ステージに載置された基板の前記位置決めマークを検出する検出手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記検出手段によって検出された前記位置決めマークの位置と、予め設定された前記吸着穴群の位置と、の比較に基づいて、前記有効領域を避けて前記基板を吸引するように、前記基板を吸引する前記吸着穴群を特定し、前記特定された吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引する、
ことを特徴とする請求項8または9に記載の基板吸着装置。
The substrate has a pre-formed positioning mark,
Further comprising detection means for detecting the positioning mark of the substrate placed on the stage;
The control means sucks the substrate while avoiding the effective area based on a comparison between the position of the positioning mark detected by the detection means and the position of the suction hole group set in advance. Identifying the suction hole group for sucking the substrate, and sucking the substrate from the suction hole of the specified suction hole group;
The substrate adsorption apparatus according to claim 8 or 9, wherein
前記制御手段は、前記位置決めマークの位置と最も近い前記吸着穴群の前記吸着穴から前記基板を吸引し、他の前記吸着穴群の前記吸着穴からは吸引しない、
ことを特徴とする請求項10に記載の基板吸着装置。
The control means sucks the substrate from the suction hole of the suction hole group closest to the position of the positioning mark, and does not suck from the suction holes of the other suction hole group,
The substrate suction apparatus according to claim 10.
前記吸着穴と前記吸着穴から前記基板を吸引するための吸引手段とを前記吸着穴群毎に接続する管路と、前記管路に設置され、独立して開閉可能なバルブと、を備え、
前記制御手段は、前記バルブの開閉を個別に制御することにより、前記吸着穴群毎に前記吸着穴からの吸引動作を互いに独立して制御する、ことを特徴とする請求項8乃至11のいずれか1項に記載の基板吸着装置。
A pipe that connects the suction hole and a suction means for sucking the substrate from the suction hole for each of the suction hole groups, and a valve that is installed in the pipe and can be opened and closed independently.
The said control means controls the suction operation from the said suction hole independently for every said suction hole group by controlling the opening and closing of the said valve | bulb separately, The any one of Claim 8 thru | or 11 characterized by the above-mentioned. The substrate suction apparatus according to claim 1.
前記ステージは、前記ステージと前記基板との接触面を加熱するヒータを備える、ことを特徴とする請求項8乃至12のいずれか1項に記載の基板吸着装置。   The substrate suction apparatus according to claim 8, wherein the stage includes a heater that heats a contact surface between the stage and the substrate. 前記基板は、複数の有機EL表示装置が形成されるマザー基板である、ことを特徴とする請求項8乃至13のいずれか1項に記載の基板吸着装置。   The substrate adsorption device according to claim 8, wherein the substrate is a mother substrate on which a plurality of organic EL display devices are formed.
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