WO2004036633A1 - Liquid processing device - Google Patents

Liquid processing device Download PDF

Info

Publication number
WO2004036633A1
WO2004036633A1 PCT/JP2003/012835 JP0312835W WO2004036633A1 WO 2004036633 A1 WO2004036633 A1 WO 2004036633A1 JP 0312835 W JP0312835 W JP 0312835W WO 2004036633 A1 WO2004036633 A1 WO 2004036633A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
wafer
liquid
support member
processing apparatus
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/012835
Other languages
French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Shuichi Nagamine
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002302967A priority Critical patent/JP4028346B2/en
Priority to JP2002-302967 priority
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Publication of WO2004036633A1 publication Critical patent/WO2004036633A1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

Positional deviation of a base plate is inhibited while retaining the evenness of the in-plane temperature of a processing liquid fed to the base plate surface, with a support member provided for supporting the base plate in a line contact manner.

Description

明細書  Specification
液処理装置  Liquid processing equipment
技術分野 . Technical field .
本発明は液処理装置に関するものである。 発明の背景  The present invention relates to a liquid processing apparatus. Background of the Invention
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォ トリ ソグラフィ 一工程では, 半導体ウェハ (以下 「ウェハ」 という) 上にレジス ト液が 塗布され, レジス ト膜が形成されるレジス ト塗布処理, ウェハに回路パ ターンが露光される露光処理, 露光後のウェハに現像液が供給され, ゥ ェハが静止現像される現像処理等が行われ, 最終的にはウェハ上に所定 の回路パターンが形成される。  For example, in one step of photolithography in a semiconductor device manufacturing process, a resist solution is applied to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), and a resist film is formed. A circuit pattern is formed on the wafer. Exposure processing for exposure, a developing solution is supplied to the wafer after exposure, and development processing for stationary development of the wafer are performed. Finally, a predetermined circuit pattern is formed on the wafer.
上述の現像処理においては, 例えばウェハに現像液を供給し, ゥェ ハ上に現像液の液盛り を形成する液盛り工程と, ウェハ上に現像液の液 盛りを形成した状態でウェハを所定時間静止現像する静止現像工程と, 静止現像が終了したウェハを回転させ, 回転している当該ウェハに洗浄 液を供給してウェハを洗浄する洗浄工程が行われている。  In the above-described development processing, for example, a developing step of supplying a developing solution to the wafer and forming a developing solution on the wafer, and a step of forming the developing solution on the wafer in a predetermined manner. A static development process in which static development is performed for a long time, and a cleaning process in which a wafer after static development is rotated and a cleaning liquid is supplied to the rotating wafer to clean the wafer are performed.
従来より, 上記現像液の液盛り工程は, ス ピンチャック上にウェハ を面接触で吸着保持し, このス ピンチャックを回転させてウェハを回転 させながらウェハに現像液を供給することによって行われていた。 上記 静止現像工程は, 引き続きウェハをス ピンチヤック上に保持した状態で 行われていた。  Conventionally, the above-mentioned developer filling step is performed by suctioning and holding a wafer on a spin chuck by surface contact, and rotating the spin chuck to supply the developer to the wafer while rotating the wafer. I was The static development process was performed while the wafer was held on a spin chuck.
しかしながら, ゥェハ面内においてスピンチャックの接触している 部分と接触していない部分とでは, ス ピンチャックから伝導する熱量の 相違によってウェハ温度が異なつてく る。 このため, ウェハ面内におい てある部分と他の部分とではウェハ上の現像液の温度も異なり, ウェハ 面内において現像速度が相違していた。 この結果, ウェハ面内において 現像状態に斑が生じ, 最終的に形成される回路パターンの線幅にばらつ きが生じていた。 However, the wafer temperature differs between the contacting part and the non-contacting part of the spin chuck in the wafer surface due to the difference in the amount of heat conducted from the spin chuck. For this reason, the temperature of the developing solution on the wafer was different between a portion on the wafer surface and another portion, and the developing speed was different on the wafer surface. As a result, within the wafer surface Deviations occurred in the developed state, and the line width of the finally formed circuit pattern varied.
かかる問題を解決するために, 現像液の液盛り工程時, 静止現像ェ 程時に, 各々 ウェハをスピンチャック と異なる保持ピンに支持させ, ス ピンチャックとウェハを離した状態で現像処理を行う新しい現像処理方 法及び現像処理装置が提案されている (例えば, 日本国公開公報 2 0 0 1— 1 0 2 2 9 8号公報)。  In order to solve this problem, the wafer is supported on holding pins different from the spin chuck during the liquid replenishment process and the static development process, and the development process is performed with the wafer separated from the spin chuck. A development processing method and a development processing apparatus have been proposed (for example, Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 2001-210282).
しかしながら, 上記公報に開示された現像処理方法を用いる場合, 現像液の液盛り工程時, 静止現像時には, ウェハは先の細い突部状の保 持ピンで支持されているだけなので, ウェハの位置ずれが起こり易レ、。 特に, 現像液の液盛り工程時に, ウェハを保持ピンで支持させた'場合, 上述のスピンチャックのよ うにウェハ側を回転させることができないた め,現像液供給ノズル側を移動させながら現像液を供給する必要がある。 それ故, ウェハに滴下される現像液は, 現像液供給ノズルの移動方向に 速度成分を有しており, ウェハもこの速度成分の影響を受けて位置ずれ しゃすい。 そして, ウェハの位置ずれが起こると, ウェハ上に現像液が 適正に供給されなかったり, ウェハの搬送が適切に行われなく なる。 ま た, ウェハが保持ピンから落下すれば, ウェハの破損, 装置トラプルの 発生を招き好ましく ない。 発明の開示  However, in the case of using the developing method disclosed in the above-mentioned publication, the wafer is only supported by the holding pin having a thin tapered portion at the time of the developer filling step or at the time of static development. It is easy for misalignment to occur. In particular, when the wafer is supported by the holding pins during the developer filling step, the wafer cannot be rotated as in the above-described spin chuck, so the developer is supplied while moving the developer supply nozzle. Need to be supplied. Therefore, the developer dropped onto the wafer has a velocity component in the direction of movement of the developer supply nozzle, and the wafer is also affected by this velocity component, and the position of the wafer is reduced. If the wafer is misaligned, the developer is not supplied properly on the wafer, and the wafer cannot be transported properly. Also, if the wafer falls from the holding pins, it is not preferable because the wafer is damaged and the equipment is trapped. Disclosure of the invention
本発明は, かかる点に鑑みてなされたものであり, ウェハをはじめ とする基板の上に, 現像液などの処理液を供給して基板を液処理する際 に, 基板面内の処理液の温度を均一に保ちつつ, 同時に基板の位置ずれ も抑制できる液処理装置を提供することをその目的とする。  The present invention has been made in view of such a point, and when a processing liquid such as a developing solution is supplied onto a substrate such as a wafer to perform liquid processing on the substrate, the processing liquid within the substrate surface is treated. It is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus capable of maintaining a uniform temperature and at the same time suppressing a displacement of a substrate.
本発明は, 基板上に処理液を供給して, 基板を液処理する液処理装 置であって, 処理液の供給される基板を線接触で支持する支持部材を備 えている。 The present invention relates to a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid onto a substrate and performing liquid processing on the substrate, comprising a support member for supporting the substrate supplied with the processing liquid in line contact. I have.
本発明によれば, 基板に処理液を供給する時, またその後に, 支持 部材によって基板を線接触で支持することができる。 したがって, 基板 上に供給された処理液の面内温度が, 例えば上述のス ピンチヤックのよ うな基板保持部材に影響されることなく, 処理液による液処理を基板面 内において均一に行う ことができる。 しかも, 基板を線接触で支持でき るので, 上述したよ うなピンを使用する場合より も, 基板の位置ずれが 発生しづらい。  ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when supplying a processing liquid to a board | substrate, and after that, a board | substrate can be supported by a contact member by line contact. Therefore, the in-plane temperature of the processing liquid supplied onto the substrate is not affected by the substrate holding member such as the above-described spin chuck, and the liquid processing with the processing liquid can be uniformly performed on the substrate surface. . In addition, since the board can be supported by line contact, the board is less likely to be displaced than when pins are used as described above.
本発明においては, 前記基板における前記支持部材に支持される部 分と異なる部分を保持して, 基板を回転させる基板保持部材と, 前記支 持部材と基板保持部材とを上下方向に相対的に移動させるための駆動部 をさ らに備えていてもよい。 そうすれば, 例えば液処理における基板の 洗浄工程時や乾燥工程時に, 基板を支持部材から基板保持部材に受け渡 し, 基板を確実に保持した状態で, 基板を回転させることができる。 ま た, 例えば基板が支持部材に支持された状態で移動されても, 基板は線 接触で支持されているので, 従来の保持ピンに比べて基板の位置ずれが 抑制される。  In the present invention, the substrate holding member for rotating the substrate while holding a portion of the substrate different from the portion supported by the support member, and the support member and the substrate holding member are relatively moved vertically. A drive unit for moving may be further provided. This allows the substrate to be transferred from the support member to the substrate holding member during the substrate cleaning step or the drying step in the liquid processing, and the substrate can be rotated while the substrate is securely held. Further, even if the substrate is moved while being supported by the support member, for example, the substrate is supported by line contact, so that the displacement of the substrate is suppressed as compared with the conventional holding pins.
また本発明において, 前記支持部材が複数備えられ, かつ前記基板 の下方において, 平面から見て基板の中心を円の中心とする同一円周上 に等間隔で配置されていれば, 水平方向のあらゆる方向への基板の位置 ずれを好適に抑制できる。 図面の簡単な説明  In the present invention, if a plurality of the support members are provided, and the support members are arranged at equal intervals below the substrate on the same circumference with the center of the substrate as the center of the circle when viewed from above, the horizontal direction The displacement of the substrate in all directions can be suitably suppressed. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1は, 本実施の形態にかかる現像処理装置を搭載した塗布現像処理シ ステムの構成の概略を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a coating and developing system equipped with the developing apparatus according to the present embodiment.
図 2は, 図 1 の塗布現像処理システムの正面図である。 Fig. 2 is a front view of the coating and developing system of Fig. 1.
図 3は, 図 1 の塗布現像処理システムの背面図である。 図 4は, 本実施の形態にかかる現像処理装置の縦断面の説明図である。 図 5は, 本実施の形態にかかる現像処理装置の横断面の説明図である。 図 6は, 現像処理装置内の支持部材及ぴナイフェツジリ ングの構成を示 す斜視図である。 Fig. 3 is a rear view of the coating and developing system of Fig. 1. FIG. 4 is an explanatory view of a longitudinal section of the developing apparatus according to the present embodiment. FIG. 5 is an explanatory diagram of a cross section of the developing apparatus according to the present embodiment. Fig. 6 is a perspective view showing the configuration of the support member and the knife ring in the development processing device.
図 7は, ナイフエッジリ ングの縦断面の説明図である。 Figure 7 is an illustration of a vertical section of the knife edge ring.
図 8は, ナイフエッジリ ングの縦断面の説明図である。 Figure 8 is an explanatory view of a vertical section of the knife edge ring.
図 9は, 現像液供給ノズルの斜視図である。 Figure 9 is a perspective view of the developer supply nozzle.
図 1 0は, ウェハ搬入時に支持部材がウェハを支持した様子を示す現像 処理装置の縦断面の説明図である。 FIG. 10 is an explanatory view of a vertical section of the developing apparatus showing a state where the supporting member supports the wafer when the wafer is carried in.
図 1 1 は, 現像液の液盛り時及ぴ静止現像時の様子を示す現像処理装置 の縦断面の説明図である。 Fig. 11 is an explanatory view of the longitudinal section of the development processing apparatus, showing the state of the developing solution at the time of filling and at the time of still development.
図 1 2は, ウェハの洗浄時の様子を示す現像処理装置の縦断面の説明図 である。 FIG. 12 is an explanatory view of a longitudinal section of the developing apparatus showing a state of cleaning the wafer.
図 1 3は, 液抜き孔を備えた支持部材の斜視図である。 FIG. 13 is a perspective view of a support member having a drain hole.
図 1 4は, 支持部材を円周方向から傾けて設けた場合のスピンチャック 及びナイフエッジリ ングの平面図である。 発明を実施するための最良の形態 Figure 14 is a plan view of the spin chuck and knife edge ring when the support member is provided at an angle from the circumferential direction. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
以下, 本発明の好ましい実施の形態について説明する。 図 1は, 本 実施の形態にかかる液処理装置が搭載された塗布現像処理システム 1の 構成の概略を示す平面図であり, 図 2は, 塗布現像処理システム 1の正 面図であり, 図 3は, 塗布現像処理システム 1 の背面図である。  Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a coating and developing system 1 on which the liquid processing apparatus according to the present embodiment is mounted, and FIG. 2 is a front view of the coating and developing system 1. 3 is a rear view of the coating and developing treatment system 1.
塗布現像処理システム 1は, 図 1 に示すように, 例えば 2 5枚のゥ ェハ Wをカセッ ト単位で外部から塗布現像処理システム 1に対して搬入 出したり, カセッ ト Cに対してウェハ Wを搬入出したりするカセッ トス テーシヨ ン 2 と, 塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各 種処理装置を多段配置してなる処理ステーシヨ ン 3 と, この処理ステー シヨ ン 3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハ Wの受け渡しをするイ ンターフェイス部 4 とを一体に接続した構成を有 している。 As shown in Fig. 1, for example, the coating and developing system 1 carries 25 wafers W in and out of the coating and developing system 1 in units of cassettes, and the wafer W for the cassette C. Station 2 for loading and unloading, and a processing station 3 in which various processing apparatuses for performing predetermined processing in a single-wafer manner in the coating and developing process are arranged in multiple stages. An interface unit 4 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the section 3 is integrally connected.
カセッ トステーショ ン 2 では, 載置部となるカセッ ト载置台 5上の 所定の位置に, 複数のカセッ ト Cを X方向 (図 1 中の上下方向) に一列 に載置自在となっている。 そして, このカセッ ト配列方向 (X方向) と カセッ ト Cに収容されたゥェハ Wのウェハ配列方向 ( Z方向;鉛直方向) に対して移送可能なウェハ搬送体 7が搬送路 8に沿って移動自在に設け られており, 各カセッ ト Cに対して選択的にアクセスできるよ うになつ ている。  In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be placed in a row in the X direction (the vertical direction in FIG. 1) at predetermined positions on the cassette 5 serving as a mounting portion. . Then, the wafer carrier 7 that can be transported in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafer W accommodated in the cassette C (Z direction; vertical direction) moves along the transfer path 8. It is provided freely so that each cassette C can be accessed selectively.
ウェハ搬送体 7は, ウェハ Wの位置合わせを行ぅァライメ ン ト機能 を備えている。 このウェハ搬送体 7は, 後述するように処理ステーショ ン 3側の第 3の処理装置群 G 3に属するェクステンション装置 3 2に対 してもアクセスできるように構成されている。  The wafer carrier 7 has an alignment function for positioning the wafer W. The wafer carrier 7 is configured to be able to access an extension device 32 belonging to a third processing device group G3 on the processing station 3 side as described later.
処理ステーショ ン 3では, その中心部に主搬送装置 1 3が設けられ ており, この主搬送装置 1 3 の周辺には各種処理装置が多段に配置され て処理装置群を構成している。この塗布現像処理システム 1においては, 4つの処理装置群 G l, G2 , G 3 , G4が配置されており, 第 1及び第 2 の処理装置群 G l , G2 は塗布現像処理システム 1の正面側に配置され, 第 3 の処理装置群 G3 は,カセッ トステーショ ン 2に隣接して配置され, 第 4 の処理装置群 G4は, インターフェイス部 4に隣接して配置されて いる。 さらにォプシヨ ンと して破線で示した第 5の処理装置群 G5 が背 面側に別途配置可能である。 主搬送装置 1 3は, これらの処理装置群 G l , G2 , G 3 , G4 , G5 に配置されている後述する各種処理装置に対し て, ウェハ Wを搬入出可能である。 なお, 処理装置群の数や配置は, ゥ ェハ Wに施される処理の種類によって異なり, 処理装置群の数は任意に 選択できる。 第 1 の処理装置群 G 1では, 例えば図 2に示すよ うにウェハ Wにレ ジス ト液を塗布し, ウェハ W上にレジス ト膜を形成するレジス ト塗布装 置 1 7 と, 本実施の形態にかかる液処理装置と しての現像処理装置 1 8 とが, 下から順に 2段に配置されている。 第 2 の処理装置群 G 2 にも同 様に, レジス ト塗布装置 1 9 と, 現像処理装置 2 0 とが下から順に 2段 に配置されている。 In the processing station 3, a main carrier 13 is provided at the center, and various processing units are arranged in multiple stages around the main carrier 13 to form a processing unit group. In this coating and developing system 1, four processing unit groups Gl, G2, G3 and G4 are arranged, and the first and second processing unit groups Gl and G2 are arranged in front of the coating and developing system 1. The third processing unit group G3 is disposed adjacent to the cassette station 2, and the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface unit 4. Further, a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line as an option can be separately arranged on the back side. The main transfer device 13 is capable of loading and unloading wafers W from and to various types of processing devices described later arranged in these processing device groups Gl, G2, G3, G4, and G5. The number and arrangement of the processing units differ depending on the type of processing performed on the wafer, and the number of processing units can be selected arbitrarily. In the first processing apparatus group G1, for example, as shown in FIG. 2, a resist coating apparatus 17 for applying a resist solution to the wafer W and forming a resist film on the wafer W is provided. The development processing device 18 as a liquid processing device according to the embodiment is arranged in two stages from the bottom. Similarly, in the second processing unit group G2, a resist coating unit 19 and a development processing unit 20 are arranged in two stages from the bottom in the same manner.
第 3 の処理装置群 G 3では, 例えば図 3に示すようにウェハ Wを冷 ■ 却処理するクーリ ング装置 3 0 , レジス ト液とウェハ との定着性を高 めるためのァ ドヒージョン装置 3 1 , ウェハ Wの受け渡しを行うための エクステンショ ン装置 3 2, レジス ト液中の溶剤を蒸発させるためのプ リベ一キング装置 3 3 , 3 4, 現像処理後の加熱処理を行うポス トべ一 キング装置 3 5が下から順に例えば 6段に積み重ねられている。  In the third processing unit group G3, for example, as shown in Fig. 3, a cooling device 30 for cooling the wafer W and an adhesion device 3 for improving the fixability between the resist solution and the wafer are provided. 1, an extension device for transferring the wafer W 32, a preheating device 33 for evaporating the solvent in the resist solution 33, 34, a post-processing device for heating after the development process King devices 35 are stacked in, for example, six stages from the bottom.
第 4の処理装置群 G4では, 例えばクーリ ング装置 4 0 , 載置した ウェハ Wを自然冷却させるエクステンショ ン · クーリ ング装置 4 1, ェ タステンショ ン装置 4 2 , クーリ ング装置 4 3, 露光後の加熱処理を行 う ポス トェクスポージャーべ一キング装置 4 4 , 4 5, ポス トべ一キン グ装置 4 6が下から順に例えば 7段に積み重ねられている。  In the fourth processing unit group G4, for example, a cooling device 40, an extension / cooling device 41 for naturally cooling the placed wafer W, a status extension device 42, a cooling device 43, a post-exposure The post-exposure baking devices 44 and 45 for performing the heat treatment and the post-baking devices 46 are stacked, for example, in seven stages from the bottom.
インターフェイス部 4の中央部には, 図 1 に示すよ うに例えばゥェ ハ搬送体 5 ◦が設けられている。 このウェハ搬送体 5 0は X方向 (図 1 中の上下方向), Z方向 (垂直方向) の移動と 0方向 ( Z軸を中心とする 回転方向) の回転が自在にできるよ うに構成されており, 第 4の処理装 置群 G4 に属するエクステンショ ン ' クーリ ング装置 4 1 , ェクステン シヨ ン装置 4 2, 周辺露光装置 5 1及ぴ図示しない露光装置に対してァ クセスして, 各々に対してウェハ Wを搬送できる。  In the center of the interface unit 4, as shown in Fig. 1, for example, a wafer carrier 5 ° is provided. The wafer carrier 50 is configured to freely move in the X direction (vertical direction in FIG. 1), the Z direction (vertical direction), and rotate in the 0 direction (rotational direction around the Z axis). And access to the extension 'cooling device 41, extension device 42, peripheral exposure device 51 and an exposure device (not shown) belonging to the fourth processing device group G4. Wafer W can be transferred.
次に, 上述した現像処理装置 1 8の構成について詳しく説明する。 図 4, 5に示すよ うに現像処理装蘆 1 8のケーシング 1 8 a内の中央部 には, ウェハ Wを吸着保持する基板保持部材と してのス ピンチャック 6 0が設けられている。 図 5に示すようにス ピンチャック 6 0の上面 6 0 aは,ウェハ Wの径より も小さい円形状を有し,水平に形成されている。 ス ピンチャック 6 0 の上面 6 0 aには, ウェハ Wを保持したり, リ リー スするための複数の吸引口 6 1が設けられている。 吸引口 6 1は, 図示 しない吸引装置に連通しており, この吸引口 6 1からの吸引によ り, ス ピンチヤック 6 0は, ウェハ Wの裏面の中央部を吸着できる。 Next, the configuration of the development processing device 18 will be described in detail. As shown in Figs. 4 and 5, a spin chuck as a substrate holding member for sucking and holding the wafer W is provided in the center of the casing 18a of the developing processing equipment. 0 is provided. As shown in FIG. 5, the upper surface 60a of the spin chuck 60 has a circular shape smaller than the diameter of the wafer W and is formed horizontally. The upper surface 60a of the spin chuck 60 is provided with a plurality of suction ports 61 for holding and releasing the wafer W. The suction port 61 communicates with a suction device (not shown). The suction from the suction port 61 allows the spin chuck 60 to suction the center of the rear surface of the wafer W.
スピンチャック 6 0には, 図 4に示すよ うにこのス ピンチャック 6 0を回転及ぴ昇降させるための駆動機構 6 2が設けられている。 駆動機 構 6 2は, 例えばス ピンチヤック 6 0を鉛直方向の中心軸周り に所定の 回転速度で回転させるためのモータなどの回転駆動部 (図示せず) や, スピンチャック 6 0を所定距離昇降させるためのモータ, 又はシリ ンダ などの昇降駆動部 (図示せず) を備えている。 したがって, ス ピンチヤ ック 6 0は, 回転自在でかつ昇降自在である。  As shown in FIG. 4, the spin chuck 60 is provided with a drive mechanism 62 for rotating and moving the spin chuck 60 up and down. The drive mechanism 62 includes, for example, a rotation drive unit (not shown) such as a motor for rotating the spin chuck 60 at a predetermined rotation speed around a vertical center axis, and moving the spin chuck 60 up and down a predetermined distance. The motor is provided with a lifting / lowering drive unit (not shown) such as a motor or a cylinder. Therefore, the spin chuck 60 is rotatable and vertically movable.
スピンチヤック 6 0 の周囲には, ゥヱハ Wから飛散又は落下する液 体を受け止め, 回収するカップ 7 0が設けられている。 カップ 7 0は, 例えばス ピンチャック 6 0の外方を取り囲み, 主にウェハ Wの外方に飛 散する液体を受け止める側壁部 7 1 と, ウェハ Wの裏面側を覆い, 主に ウェハ Wの裏面側から落下する液体を受け止める下壁部 7 2 とを有して いる。  Around the spin chuck 60, there is provided a cup 70 for receiving and collecting the liquid scattered or falling from W. The cup 70 surrounds the outside of the spin chuck 60, for example, and mainly covers the side wall 71 that receives liquid scattered outside the wafer W, and covers the back side of the wafer W. And a lower wall portion 72 for receiving the liquid falling from the back surface side.
側壁部 7 1は, 例えば上面と下面が開口した略円筒形状を有し, 上 端部が内側に向かって傾斜している。 側壁部 7 1は, 例えば図示しない 昇降機構によって上下動できる。 下壁部 7 2は, 例えばウェハ Wより も 大きな径を有する略円盤形状に形成され, その中央部にスピンチャック 6 0が貫通している。 下壁部 7 2には, ス ピンチャック 6 0に保持され たウェハ Wの周縁部に対向する位置に, 環状の突部 7 3が形成されてい る。 この突部 7 3は, 例えば断面が略三角形状を有し, その頂上部 7 3 aから内側と外側に向かつて傾斜している。 つまり, スピンチャック 6 0に保持されたゥェハ Wと下壁部 7 2 との隙間は, 頂上部 7 3 aにおい て狭くなつており, 当該隙間が例えば 1 . 0〜 1 . 5 m m程度になるよ うに, 頂上部 7 3 aの高さは調整されている。 こ うすることにより, ゥ ヱハ Wがスピンチャック 6 0に保持され, 回転された時に, 現像液など の液体がウェハ Wの端部からウェハ Wの裏面に回り込み, ウェハ Wの裏 面を汚染することを抑制できる。 The side wall portion 71 has, for example, a substantially cylindrical shape with the upper and lower surfaces opened, and the upper end portion is inclined inward. The side wall 71 can be moved up and down by, for example, a lifting mechanism (not shown). The lower wall 72 is formed, for example, in a substantially disk shape having a diameter larger than that of the wafer W, and a spin chuck 60 penetrates the center of the lower wall 72. An annular projection 73 is formed on the lower wall 72 at a position facing the periphery of the wafer W held by the spin chuck 60. The projection 73 has, for example, a substantially triangular cross section, and is inclined inward and outward from the top 73 a. In other words, spin chuck 6 The gap between the wafer W held at 0 and the lower wall part 72 is narrow at the top part 73a, and the top part is set so that the gap becomes, for example, about 1.0 to 1.5 mm. The height of 7 3 a is adjusted. In this way, the wafer W is held by the spin chuck 60, and when rotated, liquid such as a developer flows from the edge of the wafer W to the back surface of the wafer W, thereby contaminating the back surface of the wafer W. Can be suppressed.
下壁部 7 2における突部 7 3の内側には, 頂上部 7 3 aから流れる 液体やウェハ Wの裏面から直接落下する液体を受け止めるための凹部 7 4が環状に形成されている。 凹部 7 4には, 例えば受け止めた液体を排 出する排液口 7 4 aが開口 しており, 排液口 7 4 aは, 下壁部 7 2の下 部に接続された排液管 7 5に通じている。 したがって, 凹部 7 4で受け 止めた液体は, 排液口 7 4 aから排液管 7 5を通じて装置外に排出され る。  A concave portion 74 for receiving the liquid flowing from the top portion 73 a or the liquid directly falling from the back surface of the wafer W is formed in the lower wall portion 72 inside the projection 73. The recess 74 has, for example, a drain port 74 a for discharging the received liquid, and the drain port 74 a is connected to a drain pipe 7 connected to a lower portion of the lower wall 72. Leads to 5. Therefore, the liquid received in the concave portion 74 is discharged from the device through the drain port 74a and the drain pipe 75.
下壁部 7 2 と側壁部 7 1 との間には, 隙間が環状に設けられており, この隙間には, 例えば環状の排気管 7 6が接続されている。 排気管 7 6 は, 図示しない気液分離機構や負圧発生装置に連通している。 かかる構 成により, カップ 7 0内の雰囲気や液体は, 排気管 7 6から共に排出さ れ, その後気液が分離される。  An annular gap is provided between the lower wall section 72 and the side wall section 71, and for example, an annular exhaust pipe 76 is connected to the gap. The exhaust pipe 76 communicates with a gas-liquid separation mechanism (not shown) and a negative pressure generator. With this configuration, the atmosphere and the liquid in the cup 70 are exhausted together from the exhaust pipe 76, and then the gas and liquid are separated.
スピンチヤック 6 0の外側であって, 突部 7 3 より も内側 (凹部 7 4上) には, ウェハ Wの裏面を支持する複数, 例えば三つの支持部材 8 0が設けられている。 支持部材 8 0は, 図 5, 図 6に示すようにスピン チャック 6 0の中心軸周り に同一円周上に等間隔で設けられている。  A plurality of, for example, three support members 80 for supporting the back surface of the wafer W are provided outside the spin chuck 60 and inside the protrusion 73 (on the recess 74). The support members 80 are provided at equal intervals around the center axis of the spin chuck 60 on the same circumference as shown in FIGS.
支持部材 8 0は, 図 7に示すよ うに垂直板 8 0 a と, 垂直板 8 0 a の下端部から水平方向に形成された水平板 8 0 bを有し, ほぼ「 L字型」 に形成されている。 ウェハ Wの裏面と接触する接触部と しての垂直板 8 0 aの上端部 8 0 cは, 図 5に示すよ うに平面から見て円弧状でかつ線 状に形成されており, ウェハ Wを線接触で支持できる。 各支持部材 8 0の上端部 8 0 cは, 例えば l mm以下の幅で, かつ 例えば直径 3 0 0 mmのゥヱハ Wの場合で 1 0〜 3 0 mm程度 (中心角 1 2 /π〜 3 6 / π程度) の円弧の長さに設定されている。 支持部材 8 0の材質には, ウェハ Wよ り も硬い材質, 例えば Ρ Β Ι (ポリべンゾィ ミダゾール : 例えば商標名セラゾール) などの硬質樹脂が用いられる。 The support member 80 has a vertical plate 80a and a horizontal plate 80b formed in the horizontal direction from the lower end of the vertical plate 80a as shown in Fig. 7. Is formed. As shown in Fig. 5, the upper end 80c of the vertical plate 80a as a contact portion that comes into contact with the back surface of the wafer W is formed in an arc shape and a linear shape when viewed from a plane. Can be supported by line contact. The upper end 80c of each support member 80 has a width of, for example, 1 mm or less, and is, for example, about 10 to 30 mm in the case of a W of 300 mm in diameter (central angle 12 / π to 3 mm). 6 / π). As a material of the support member 80, a material harder than the wafer W, for example, a hard resin such as Ρ Β (polybenzomidazole: for example, Cerazole) is used.
支持部材 8 0は, 図 6, 図 7に示すよ うに取付部材であるねじ 8 1 によって, 付着防止部材と してのナイフエッジリ ング 8 2に着脱可能に 取付けられている。ナイフエッジリング 8 2は,環状に形成されている。 また, ナイフエッジリ ング 8 2は, 縦断面が略三角形状に形成され, 上 側に飛び出た鋭角の頂点部 8 2 a と, その頂点部 8 2 aから内側に形成 された傾斜面 8 2 b と, 頂点部 8 2 a の外側に形成された垂直面 8 2 c を有している。 傾斜面 8 2 bには, 支持部材 8 0 と同じ数の凹み部 8 2 dが形成されており, 前記支持部材 8 0は, 凹み部 8 2 dに取付けられ ている。  As shown in FIGS. 6 and 7, the support member 80 is detachably attached to a knife edge ring 82 as an adhesion preventing member by a screw 81 as an attachment member. The knife edge ring 82 is formed in an annular shape. The knife edge ring 82 has a substantially triangular longitudinal section, an acute-angled vertex 82 a protruding upward, and an inclined surface 82 formed inward from the vertex 82 a. b and a vertical surface 82c formed outside the vertex 82a. The inclined surface 82b has the same number of recesses 82d as the number of the support members 80, and the support members 80 are attached to the recesses 82d.
頂点部 8 2 aは, 支持部材 8 0の上端部 8 0 c より も僅かに低い位 置, 例えば 1 mm程度低い位置に形成されており, 図 7に示すよ うに支 持部材 8 0がウェハ Wを支持した際に, 頂点部 8 2 aは, ウェハ Wの裏 面に近接し,頂点部 8 2 a とウェハ Wとの間に狭小の隙間 D,^えば 1 . 5 mm〜 l . 0 mm程度の隙間が形成される。 この頂点部 8 2 a とゥェ ハ W裏面との隙間 Dに液体が入ると, 液の表面張力により隙間 Dが閉鎖 された状態となる。 したがって, ナイフエッジリ ング 8 2によって, ゥ ハ Wの裏面を内側に向かって伝う液体を遮断し, 当該液体による支持 部材 8 0やスピンチャック 6 0の汚染を防止できる。  The vertex portion 82 a is formed at a position slightly lower than the upper end portion 80 c of the support member 80, for example, at a position lower by about 1 mm, and as shown in FIG. When W is supported, the vertex 82 a is close to the back surface of the wafer W, and a narrow gap D between the vertex 82 a and the wafer W, for example, 1.5 mm to 1.0 mm. A gap of about mm is formed. When the liquid enters the gap D between the vertex 82a and the wafer W back surface, the gap D is closed by the surface tension of the liquid. Therefore, the knife edge ring 82 blocks the liquid that travels inward on the back surface of the wedge W, thereby preventing the liquid from contaminating the support member 80 and the spin chuck 60.
ナイフエッジリ ング 8 2の垂直面 8 2 cには, 外側に突出した複数, 例えば三つの係止部 8 3が形成されており, この各係止部 8 3には, 支 持棒 8 4が係止されている。 各支持棒 8 4は, 例えば図 4に示すよ うに 下壁部 7 2を貫通し, 下壁部 7 2の下方に配置された駆動部と しての昇 降駆動部 8 5に連動している。 この昇降駆動部 8 5は, 各支持棒 8 4を 所定距離, 上下動させて, 一体化したナイフエッジリ ング 8 2 と支持部 材 8 0を所定の位置に昇降させることができる。 したがって, 支持部材 8 0によってウェハ Wを, スピンチャック 6 0の上方で支持することが できる。 また, ナイフエッジリ ング 8 2をウェハ Wの裏面に近接させる ことができる。 A plurality of, for example, three locking portions 83 protruding outward are formed on the vertical surface 82 c of the knife edge ring 82, and each of the locking portions 83 has a support rod 84. Is locked. Each support rod 84 penetrates the lower wall 72 as shown in FIG. 4, for example, and ascends as a drive unit disposed below the lower wall 72. It is linked to the lower drive unit 85. The lifting drive unit 85 can move each support rod 84 up and down by a predetermined distance to raise and lower the integrated knife edge ring 82 and the support member 80 to a predetermined position. Therefore, the wafer W can be supported by the support member 80 above the spin chuck 60. Also, the knife edge ring 82 can be brought close to the back surface of the wafer W.
図 6 , 図 8に示すよ うにナイフエッジリング 8 2の傾斜面 8 2 b上 には, 頂点部 8 2 a を洗浄するためのリ ング洗浄ノズル 9 0が固定され て設けられている。 リ ング洗浄ノズル 9 0は, 上方に向けられており, 頂点部 8 2 a より も僅かに内側のウェハ Wの裏面に対し洗浄液を吐出で きる。 この際, ウェハ Wを回転させることによ り, 洗浄液がウェハ Wの 裏面を外側に向かって流れて, 頂点部 8 2 aに付着した液体に洗浄液を 供給できる。 傾斜面 8 2 bには, 例えば貫通孔 9 1が形成されており, リ ング洗浄ノズル 9 0に洗浄液を供給する洗浄液供給管 9 2は, この貫 通孔 9 1内を通っている。  As shown in FIGS. 6 and 8, on the inclined surface 82b of the knife edge ring 82, a ring cleaning nozzle 90 for cleaning the apex portion 82a is fixedly provided. The ring cleaning nozzle 90 is directed upward, and can discharge the cleaning liquid to the rear surface of the wafer W slightly inside the vertex 82a. At this time, by rotating the wafer W, the cleaning liquid flows outward on the back surface of the wafer W, and the cleaning liquid can be supplied to the liquid attached to the apex portion 82a. For example, a through hole 91 is formed in the inclined surface 82b, and a cleaning liquid supply pipe 92 for supplying a cleaning liquid to the ring cleaning nozzle 90 passes through the through hole 91.
図 4に示すようにナイフエッジリング 8 2の外側であって, 下壁部 7 2の突部 7 3より も内側には, ウェハ Wの裏面に洗浄液を供給して, ウェハ Wの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル 9 3が設けられている 図 5に示すようにカップ 7 0の一の外方側, 例えば Y方向正方向側 (図 5の上側) には, ノズル待機部 Tが設置され, 当該ノズル待機部 T には, ゥヱハ Wに対し処理液と しての現像液を供給するための現像液供 給ノズル 1 0 0が待機している。  As shown in Fig. 4, the cleaning liquid is supplied to the back surface of the wafer W to clean the back surface of the wafer W outside the knife edge ring 82 and inside the projection 73 of the lower wall 72. As shown in Fig. 5, a nozzle standby section T is installed on the outer side of one of the cups 70, for example, on the positive side in the Y direction (upper side in Fig. 5). In the nozzle standby section T, a developer supply nozzle 100 for supplying a developer as a processing liquid to the nozzle W is waiting.
現像液供給ノズル 1 0 0は, 図 9に示すよ うにゥヱハ Wの直径よ り も長い, 細幅形状を有し, その下面には, 長手方向に沿って複数の吐出 口 1 0 1が形成されている。 現像液供給ノズル 1 0 0の上部には, 現像 液供給管 1 0 2が接続されており, 現像液供給ノズル 1 0 0の上部から 流入され, 現像液供給ノズル 1 0 0の内部を通過した現像液が, 各吐出 口 1 0 1から均等に吐出される。 As shown in Fig. 9, the developer supply nozzle 100 has a narrow width that is longer than the diameter of W, and a plurality of discharge ports 101 are formed on the lower surface along the longitudinal direction. Have been. A developer supply pipe 102 is connected to the upper part of the developer supply nozzle 100, and flows in from the upper part of the developer supply nozzle 100 and passes through the inside of the developer supply nozzle 100. The developer is discharged Dispensed evenly from mouth 101.
現像液供給ノズル 1 0 0は, 図 5に示すよ うにアーム 1 0 2に保持 されており, アーム 1 0 2は, Y方向に沿って敷設されたレール 1 0 3 上を移動可能である。 アーム 1 0 2は, 例えばモータなどを備えたァー ム駆動部 1 0 4により レール 1 0 3上を移動できる。 レール 1 0 3は, ノズル待機部 T側からカップ 7 0を挾んだ反対側の洗浄ノズル待機部 U まで延ぴており, 現像液供給ノズル 1 0 0は, 少なく ともノズル待機部 Tからカップ 7 0の反対側まで移動できる。  The developer supply nozzle 100 is held by an arm 102 as shown in Fig. 5, and the arm 102 can move on a rail 103 laid along the Y direction. The arm 102 can be moved on the rail 103 by an arm driving unit 104 equipped with, for example, a motor. The rail 103 extends from the nozzle standby section T to the cleaning nozzle standby section U on the opposite side across the cup 70, and the developer supply nozzle 100 extends at least from the nozzle standby section T to the cup. You can move to the opposite side of 70.
現像液供給ノズル 1 0 0は, 長手方向が X方向に向く よ うにアーム 1 0 2に保持されている。 現像液供給ノズル 1 0 0は, 各吐出口 1 0 1 から現像液を吐出しながら, ウェハ W上を通過することによって, ゥェ ハ Wの表面全面に現像液を供給できる。 なお, アーム 1 0 2には, 図示 しない昇降機構が備えられており, 必要に応じて現像液供給ノズル 1 0 0の高さを調節できる。  The developer supply nozzle 100 is held by the arm 102 so that the longitudinal direction is oriented in the X direction. The developer supply nozzle 100 can supply the developer to the entire surface of the wafer W by passing over the wafer W while discharging the developer from each of the discharge ports 101. The arm 102 is equipped with an elevating mechanism (not shown) so that the height of the developer supply nozzle 100 can be adjusted as needed.
カップ 7 0 の Y方向負方向側 (図 5の下側) の外方には, ウェハ W の表面に洗浄液を供給する洗浄ノズル 1 1 0 の洗浄ノ ズル待機部 Uが設 置されている。 洗浄ノ ズル 1 1 0 は, リ ンスアーム 1 1 1 に保持されて おり, このリ ンスアーム 1 1 1は, 駆動部 1 1 2によって前記アーム 1 0 2 と同じレール 1 0 3上を移動可能である。 洗浄ノズル 1 1 0は, 力 ップ 7 0内のウェハ W上に移動した際に, ウェハ Wの中心部に位置する よ うにリ ンスアーム 1 1 1に保持されている。  Outside the cup 70 on the negative side in the Y direction (lower side in Fig. 5), a cleaning nozzle standby unit U of a cleaning nozzle 110 for supplying a cleaning liquid to the surface of the wafer W is provided. The cleaning nozzle 110 is held by a rinse arm 111, and the rinse arm 111 can be moved on the same rail 103 as the arm 102 by a drive unit 112. . The cleaning nozzle 110 is held by the rinse arm 111 so as to be located at the center of the wafer W when it moves onto the wafer W in the nip 70.
次に, 以上のよ うに構成されている現像処理装置 1 8の作用を, 塗 布現像処理システム 1 で行われるフォ ト リ ソグラフィー工程のプロセス と共に説明する。  Next, the operation of the developing device 18 configured as described above will be described together with the photolithography process performed in the coating developing system 1.
先ず, ウェハ搬送体 7によりカセッ ト Cから未処理のウェハ Wが 1 枚取り出され, 第 3 の処理装置群 G 3 に属するェクステンショ ン装置 3 2に搬送される。 次にウェハ Wは, 主搬送装置 1 3によってア ドヒージ ヨ ン装置 3 1 に搬入され, ウェハ Wに対し, レジス ト液の密着性を向上 させる例えば HMD Sが塗布される。 次にウェハ Wは, クーリ ング装置 3 0に搬送され, 所定の温度に冷却された後, レジス ト塗布装置 1 7に 搬送される。 レジス ト塗布処理装置 1 7においてレジス ト膜が形成され たウェハ Wは, 主搬送装置 1 3によってプリべ一キング装置 3 3, エタ ステンショ ン . クーリ ング装置 4 1に順次搬送され, さらにウェハ搬送 体 5 0によって, 周辺露光装置 5 1, 露光装置 (図示せず) に順次搬送 され,各装置で所定の処理が施される。露光処理の終了したウェハ Wは, ウェハ搬送体 5 0によりェクステンショ ン装置 4 2に搬送され, その後 ポス トェクスポージャーべ一キング装置 4 4, クーリ ング装置 4 3 で所 定の処理が施された後, 現像処理装置 1 8に搬送されて, 現像処理が行 われる。 First, one unprocessed wafer W is taken out of the cassette C by the wafer carrier 7 and carried to the extension device 32 belonging to the third processing device group G3. Next, the wafer W is adhered by the main carrier 13. The wafer W is carried into the ionizer 31 and the wafer W is coated with, for example, HMDS for improving the adhesiveness of the resist solution. Next, the wafer W is transferred to a cooling device 30, cooled to a predetermined temperature, and then transferred to a resist coating device 17. The wafer W on which the resist film has been formed in the resist coating apparatus 17 is transferred by the main transfer unit 13 to the pre-baking unit 33 and the elastane cooling unit 41 in order, and further transferred to the wafer. By means of the body 50, it is sequentially conveyed to a peripheral exposing device 51 and an exposing device (not shown), and a predetermined process is performed in each device. After the exposure processing, the wafer W is transferred to the extension device 42 by the wafer transfer body 50, and then subjected to predetermined processing by the post-exposure baking device 44 and the cooling device 43. Then, the developer is transported to the developing device 18 where the developing process is performed.
現像処理装置 1 8において現像処理の終了したウェハ Wは, ボス ト ベーキング装置 4 6 , クーリ ング装置 3 0に順次搬送され, 各装置にお いて所定の処理が施され, その後, エクステンショ ン装置 3 2を介して カセッ ト Cに戻されて, 一連のフォ ト リ ソグラフィー工程が終了する。  The wafer W that has been subjected to the development processing in the development processing device 18 is sequentially transferred to a boss baking device 46 and a cooling device 30 to be subjected to a predetermined process in each device. It is returned to cassette C via 2 to complete a series of photolithography steps.
次に, 上述した現像処理装置 1 8で行われるウェハ Wの現像処理に ついて詳しく説明する。 先ず, ウェハ Wは, 主搬送装置 1 3によってケ 一シング 1 8 a内に搬入され, 図 1 0に示すよ うに予めス ピンチャック 6 0上に上昇して待機していた支持部材 8 0に支持される。 このときゥ ェハ Wは, 支持部材 8 0によって線接触で支持される。 また, ナイフエ ッジリ ング 8 2 とウェハ Wとの間に狭小の隙間 Dが形成される。  Next, the development processing of the wafer W performed by the development processing apparatus 18 will be described in detail. First, the wafer W is loaded into the casing 18a by the main transfer device 13 and, as shown in FIG. Supported. At this time, the wafer W is supported by the support member 80 in line contact. Also, a narrow gap D is formed between the knife edge ring 82 and the wafer W.
次に, 支持部材 8 0が下降し, 図 1 1に示すよ うにウェハ Wが現像 液の液盛り位置まで下降する。 液盛り位置は, 例えばス ピンチャック 6 0よ り も高い位置であって, ス ピンチャック 6 0の上面 6 0 a力 らは, 例えば 3〜 1 1 m m程度離れた位置に設定される。 この液盛り位置は, ウェハ W上のレジス ト膜の種類によって変更してもよレ、。 また, この時 ウェハ Wが側壁部 7 1の開口部を覆う ように, 側壁部 7 1の上端部がゥ ェハ Wと同じ高さに位置されている。 Next, the support member 80 descends, and the wafer W descends to the developer accumulation position as shown in FIG. The liquid level is, for example, a position higher than the spin chuck 60, and the upper surface 60a of the spin chuck 60 is set, for example, at a distance of about 3 to 11 mm. The liquid level may be changed depending on the type of the resist film on the wafer W. Also at this time The upper end of the side wall 71 is positioned at the same height as the wafer W so that the wafer W covers the opening of the side wall 71.
ウェハ Wが液盛り位置で支持されると, 現像液供給ノズル 1 0 0が ノズル待機部丁からウェハ Wの Y方向正方向側の端部の僅かに手前'まで 移動する。 その位置において, 現像液供給ノズル 1 0 0から現像液が吐 出され, 現像液のいわゆるダミーデイ スペンスが行われる。  When the wafer W is supported at the liquid level, the developer supply nozzle 100 moves from the nozzle standby section to a position slightly short of the end of the wafer W on the positive side in the Y direction. At that position, the developing solution is discharged from the developing solution supply nozzle 100, and a so-called dummy dispense of the developing solution is performed.
その後, 引き続き現像液を吐出した状態で, 現像液供給ノ ズル 1 0 0がウェハ Wの一端部上から他端部上まで移動し, ウェハ W表面全面に 現像液が供給される。 こ う してウェハ Wがス ピンチャック 6 0から離隔 され, かつウェハ Wが支持部材 8 0に線接触で支持された状態で, ゥェ ハ W上に現像液の液盛りが形成される。 このと き, 仮にウェハ W上から ウェハ Wの裏面に現像液が回り込んでも, 現像液がナイフエッジリ ング 8 2によ り遮断され, 現像液により支持部材 8 0が汚染されることがな レヽ0 Thereafter, while the developer is continuously discharged, the developer supply nozzle 100 moves from one end of the wafer W to the other end thereof, and the developer is supplied to the entire surface of the wafer W. In this way, a liquid level of the developing solution is formed on the wafer W in a state where the wafer W is separated from the spin chuck 60 and the wafer W is supported by the support member 80 in line contact. At this time, even if the developer goes from above the wafer W to the back side of the wafer W, the developer is blocked by the knife edge ring 82, and the support member 80 is not contaminated by the developer. Ray 0
ウェハ W上に現像液の液盛りが形成され, ウェハ W上から現像液供 給ノズル 1 0 0が退避すると, 例えば側壁部 7 1が上昇し, ウェハ Wの 外周が側壁部 7 1で覆われる。 ウェハ Wは, 液盛り位置において支持部 材 8 0に支持された状態で所定時間, 例えば 6 0秒間維持される。 これ により ウェハ Wの静止現像が行われる。 このよ う に, 静止現像時におい ても, ウェハ Wは, ス ピンチャック 6 0から離された位置で, 支持部材 8 0によつて線接触で支持されている。 .  When a liquid level of the developing solution is formed on the wafer W and the developing solution supply nozzle 100 is retreated from the wafer W, for example, the side wall portion 71 rises, and the outer periphery of the wafer W is covered with the side wall portion 71. . The wafer W is maintained for a predetermined time, for example, 60 seconds while being supported by the support member 80 at the liquid level. As a result, static development of the wafer W is performed. As described above, even during static development, the wafer W is supported by the support member 80 at a position separated from the spin chuck 60 in line contact. .
ウェハ Wの静止現像が終了すると, 図 1 2に示すよ うに支持部材 8 0が再度下降し,ウェハ Wがスピンチャック 6 0上に載置される。なお, 静止現像時間が経過する前であって現像処理が殆ど終了していると推定 できる時間, 例えば静止現像終了 5秒前に支持部材 8 0を下降させて, ス ピンチャック 6 0上にウェハ Wを載置するよ うにしてもよレ、。  When the static development of the wafer W is completed, the support member 80 is lowered again as shown in FIG. 12, and the wafer W is placed on the spin chuck 60. It is to be noted that the supporting member 80 is lowered before the stationary development time has elapsed and the development processing can be estimated to be almost completed, for example, 5 seconds before the termination of the static development, and the wafer is placed on the spin chuck 60. W may be placed on it.
ウェハ Wがス ピンチャック 6 0上に載置されると, 吸引口 6 1から の吸引によ り, ゥェハ Wの裏面の中央部がスピンチヤック 6 0.に吸着保 持される。 支持部材 8 0は, ウェハ Wと接触しない位置まで下降する。 このときスピンチャック 6 0上のウェハ Wとナイフエッジリ ング 8 2の 頂点部 8 2 a と間は, 1 . 5〜 1 . 0 m m程度の狭い間隔に保たれる。 ウェハ Wがスピンチャック 6 0に保持されると, 洗浄ノズル 1 1 0がゥ ェハ Wの中心部上方まで移動し, ウェハ W上に洗浄液, 例えば純水を吐 出し始める。 このとき, ウェハ Wは回転され, ウェハ W上の現像液が純 水によ り洗浄される。また,裏面洗浄ノズル 9 3からも純水が吐出され, ウェハ Wの裏面も洗浄される。 When the wafer W is placed on the spin chuck 60, the suction port 61 By suction, the center of the back surface of wafer W is suction-held by spin chuck 60. The support member 80 descends to a position where it does not contact the wafer W. At this time, the gap between the wafer W on the spin chuck 60 and the apex portion 82 a of the knife edge ring 82 is kept at a narrow distance of about 1.5 to 1.0 mm. When the wafer W is held by the spin chuck 60, the cleaning nozzle 110 moves to a position above the center of the wafer W, and starts discharging a cleaning liquid, for example, pure water onto the wafer W. At this time, the wafer W is rotated, and the developing solution on the wafer W is washed with pure water. Pure water is also discharged from the back surface cleaning nozzle 93, and the back surface of the wafer W is also cleaned.
その後, 洗浄ノズル 1 1 0 と裏面洗浄ノズル 9 3からの純水の供給 が停止され, 続いてウェハ Wの回転速度が上げられる。 こ う してウェハ Wの振り切り乾燥が行われる。 このとき図 8に示すようにナイフエッジ リング 8 2の内側に設けられたリ ング洗浄ノズル 9 0から洗浄液, 例え ば純水が吐出される。 リング洗浄ノズル 9 0から吐出された純水は, ゥ ェハ Wの裏面を伝って, ナイフエッジリ ング 8 2の頂点部 8 2 aに到達 し, 頂点部 8 2 a に付着した現像液やその他の付着物を除去する。 ゥェ ハ Wの裏面から落下した純水などの液体は, 下壁部 7 2の凹部 7 4に収 集され, 排液口 7 4 aから排出される。  After that, the supply of pure water from the cleaning nozzle 110 and the back surface cleaning nozzle 93 is stopped, and then the rotation speed of the wafer W is increased. In this way, the wafer W is shaken off and dried. At this time, as shown in FIG. 8, a cleaning liquid, for example, pure water is discharged from a ring cleaning nozzle 90 provided inside the knife edge ring 82. The pure water discharged from the ring cleaning nozzle 90 travels along the back surface of the wafer W, reaches the apex portion 82 a of the knife edge ring 82, and reaches the apex portion 82 a of the developing solution or the like. Remove other deposits. Liquid such as pure water that has fallen from the back surface of the wafer W is collected in the concave portion 74 of the lower wall portion 72 and discharged from the drain port 74a.
リ ング洗浄ノズル 9 0からの純水の供給が停止され, ウェハ Wの高 速回転によってウェハ Wが乾燥すると, ウェハ Wの回転が停止される。 ゥェハ Wは, 例えばスピンチャック 6 0により上昇され, スピンチヤッ ク 6 0から主搬送装置 1 3に受け渡され, 主搬送装置 1 3により現像処 理装置 1 8外に搬出される。 こう して一連のゥヱハ Wの現像処理が終了 する。  When the supply of pure water from the ring cleaning nozzle 90 is stopped and the wafer W is dried by the high-speed rotation of the wafer W, the rotation of the wafer W is stopped. The wafer W is lifted by, for example, a spin chuck 60, passed from the spin chuck 60 to the main carrier 13, and carried out of the development processor 18 by the main carrier 13. In this way, a series of development processing of W is completed.
以上の実施の形態によれば, 現像処理装置 1 8に, ウェハ Wを線接 触で支持する支持部材 8 0を設けたので, ウェハ Wをスピンチヤック 6 0から離した状態で,現像液の液盛り及ぴ静止現像を行う ことができる。 したがって, ウェハ W上の現像液の温度がスピンチャック 6 0の温度に 影響を受けず, ウェハ W面内において均一に維持される。 したがって, 現像処理をウェハ W面内において均一に行う ことができる。 しかもゥェ ハ Wが支持部材 8 0によって, 線接触で支持されているので, 点接触に 比べてウェハ Wの位置ずれが抑制され, 現像液の液盛りや静止現像が適 正に行われる。 According to the above embodiment, since the developing device 18 is provided with the support member 80 for supporting the wafer W by linear contact, the developer W is separated from the spin chuck 60 and the developing solution is supplied. Both liquid and static development can be performed. Therefore, the temperature of the developer on the wafer W is not affected by the temperature of the spin chuck 60, and is maintained uniformly within the wafer W surface. Therefore, the development process can be performed uniformly on the wafer W surface. In addition, since the wafer W is supported by the support member 80 in line contact, the displacement of the wafer W is suppressed as compared with the point contact, and the liquid level of the developer and static development are appropriately performed.
支持部材 8 0は昇降駆動部 8 5によつて昇降可能であるから, 支持 部材 8 0 とスピンチャック 6 0 との間のウェハ Wの受け渡しを好適に行 うことができる。  Since the support member 80 can be moved up and down by the elevating drive unit 85, it is possible to preferably transfer the wafer W between the support member 80 and the spin chuck 60.
3つの支持部材 8 0を同一円周上に等間隔に配置したので, ウェハ Since the three support members 80 are arranged at equal intervals on the same circumference, the wafer
Wを受け取つてからの下降時, 液盛り状態での下降時及ぴ処理終了後の 上昇時等において, 水平方向のいずれの方向へのウェハ wの位置ずれも 抑制できる。 支持部材 8 0は, 垂直板 8 0 a と, 垂直板 8 0 aの下端部 から水平方向に向けて形成された水平板 8 O b とを有しているので, 支 持部材 8 0は, 水平板 8 0 bにねじなどの取付部材で取り付けて, 支持 部材 8 0を所定の場所に固定することができる。 したがって, 支持部材 8 0の取り外しを垂直板 8 0 aに触れずに行う ことができ, 基板を直接 支持する垂直板 8 0 a を汚染したり, 破損したりすることはない。 When the wafer W is lowered after receiving it, when it is lowered in the liquid-filled state, or when it is raised after the processing is completed, the displacement of the wafer w in any horizontal direction can be suppressed. Since the support member 80 has a vertical plate 80a and a horizontal plate 80b formed horizontally from the lower end of the vertical plate 80a, the support member 80 is The support member 80 can be fixed to a predetermined position by being attached to the horizontal plate 80b with an attachment member such as a screw. Therefore, the supporting member 80 can be removed without touching the vertical plate 80a, and the vertical plate 80a directly supporting the substrate is not contaminated or damaged.
支持部材 8 0の外側にはナイフェツジリ ング 8 2が設けられている ので, ウェハ Wの裏面を伝う現像液が支持部材 8 0に付着することが防 止できる。 支持部材 8 0は, ナイフエッジリ ング 8 2に取り付けられて いるので, 前記昇降駆動部 8 5によって支持部材 8 0 とナイフエッジリ ング 8 2 との両方を昇降できる。 したがって, 各々に昇降駆動部 8 5を 設ける必要がなく, 駆動系の簡略化が図られる。  Since the knives ring 82 is provided outside the support member 80, it is possible to prevent the developing solution traveling on the back surface of the wafer W from adhering to the support member 80. Since the support member 80 is attached to the knife edge ring 82, both the support member 80 and the knife edge ring 82 can be moved up and down by the elevation drive unit 85. Therefore, there is no need to provide a lift drive unit 85 for each, and the drive system can be simplified.
ナイフエッジリ ング 8 2には, リ ング洗浄ノズル 9 0が設けられて いるので, ナイフエッジリング 8 2に付着する現像液を洗い落とすこと ができる。 この結果, ナイフエッジリ ング 8 2からのパーティクルの発 生を防止できる。 Since the knife edge ring 82 is provided with a ring cleaning nozzle 90, the developer adhering to the knife edge ring 82 can be washed away. As a result, particles are emitted from the knife edge ring 82. You can prevent life.
リ ング洗浄ノズル 9 0の吐出口は, 上方に向けられたので, ウェハ Wの回転中に洗浄液を吐出することによ り, ナイフエッジリ ング 8 2を 洗浄することができる。 なお, リ ング洗浄ノズル 9 0の吐出口は, ナイ フエッジリ ング 8 2の頂点部 8 2 aに直接向けられていてもよい。  Since the discharge port of the ring cleaning nozzle 90 is directed upward, the knife edge ring 82 can be cleaned by discharging the cleaning liquid while the wafer W is rotating. The outlet of the ring cleaning nozzle 90 may be directly directed to the vertex 82 a of the knife edge ring 82.
支持部材 8 0の材質には, ゥヱハ Wより も硬いものが用いられたの で, 摩耗によるパーティクルの発生が防止できる。 しかしながら本発明 においては, 支持部材 8 0の材質には, 弾性をするもの, 例えばバーフ ロロ系のゴム材も使用できる。 かかる場合, 支持部材 8 0によってゥェ ハ Wの振動を吸収できるので, ウェハ Wの位置ずれをより確実に防止で きる。 なお, 支持部材 8 0全体が上述の硬質樹脂, セラミ ックス, ゴム 材等の材質で形成されていなくてもよく, 少なく とも支持部材 8 0の上 端部 8 0 cがかかる材質で形成されていればよい。 また, 支持部材 8 0 の形状は, 上述したよ うな円弧状に限られず, 他の形状, 例えば環状で あってもよレヽ。  Since the support member 80 is made of a material harder than W, the generation of particles due to wear can be prevented. However, in the present invention, as the material of the support member 80, an elastic material, for example, a bar-fluoro rubber material can be used. In such a case, since the vibration of the wafer W can be absorbed by the support member 80, the displacement of the wafer W can be more reliably prevented. Note that the entire support member 80 need not be formed of the above-mentioned materials such as hard resin, ceramics, and rubber, and at least the upper end portion 80c of the support member 80 is formed of such a material. Just do it. The shape of the support member 80 is not limited to the arc shape as described above, but may be another shape, for example, an annular shape.
支持部材 8 0は, 図 1 3に示すよ うに支持部材 8 0の垂直板 8 0 a に, 水平板 8 0 b上に溜まる液体を排出するための液抜き孔 Hを備えて いてもよい。 例えば液抜き孔 Hは, 水平方向に水平板 8 0 bの表面に通 じるよ うに形成される。 かかる場合, 水平板 8 0 b上に溜まる洗浄液な どが排出されるので, 例えば残留洗浄液に起因するパーティクルの発生 などが抑制される。  The support member 80 may be provided with a drain hole H for discharging the liquid collected on the horizontal plate 80b in the vertical plate 80a of the support member 80 as shown in FIG. For example, the drain hole H is formed so as to extend horizontally to the surface of the horizontal plate 80b. In such a case, since the cleaning liquid accumulated on the horizontal plate 80b is discharged, for example, generation of particles due to the residual cleaning liquid is suppressed.
支持部材 8 0は, 図 1 4に示すよ うに平面から見て円周方向から所 定角度 0 , 例えば 1 0 ° 〜 4 0 ° (好ましく は 3 0 ° ) 程度傾けられて 配置されていてもよい。 かかる場合, 例えばウェハ Wの回転に伴って発 生する気流の方向に沿って支持部材 8 0が配置されるので, 支持部材 8 0が当該気流を妨げることがない。 したがって, ウェハ Wの回転時等に 支持部材 8 0周辺に乱流が形成されることが防止され, ウェハ Wを安定 した雰囲気内で処理できる。 As shown in FIG. 14, the support member 80 may be arranged at a predetermined angle 0, for example, about 10 ° to 40 ° (preferably 30 °) from the circumferential direction when viewed from a plane. Good. In such a case, for example, since the support members 80 are arranged along the direction of the airflow generated as the wafer W rotates, the support members 80 do not hinder the airflow. Therefore, turbulence is not formed around the support member 80 during rotation of the wafer W, and the wafer W is stabilized. It can be processed in a reduced atmosphere.
リング洗浄ノズル 9 0によるナイフエッジリ ング 8 2の洗浄は, ゥ ェハ Wの振り切り乾燥時に行わずに, 例えば洗浄ノズル 1 1 0又は裏面 洗浄ノズル 9 3によるウェハ Wの洗浄時に行ってもよい。 また, このナ イフェッジリ ング 8 2の洗浄は, 一枚のウェハ Wを現像処理する度に行 わずに, 所定枚数毎, ロッ ト毎に行ってもよい。  The cleaning of the knife edge ring 82 by the ring cleaning nozzle 90 may be performed, for example, at the time of cleaning the wafer W by the cleaning nozzle 110 or the back surface cleaning nozzle 93, without performing the cleaning and drying of the wafer W. . The cleaning of the wafer ring 82 may be performed for each predetermined number of wafers or for each lot, instead of being performed each time one wafer W is developed.
以上, 本発明の実施の形態の一例について説明したが, 本発明はこ の例に限らず種々の態様を採り うるものである。 例えば本発明の適用で きる液処理装置は, 現像処理装置に限られず, レジス ト塗布装置にも適 用できる。 また, 本実施の形態では, 本発明を, ウェハの現像処理装置 について適用したものであつたが, 本発明はウェハ以外の基板例えば L C D基板,フォ トマスク用のガラス基板の現像処理装置にも適用できる。  As described above, an example of the embodiment of the present invention has been described, but the present invention is not limited to this example, and can take various aspects. For example, the liquid processing apparatus to which the present invention can be applied is not limited to a development processing apparatus, but can be applied to a resist coating apparatus. Further, in the present embodiment, the present invention is applied to a wafer developing apparatus, but the present invention is also applied to a developing apparatus for a substrate other than a wafer, for example, an LCD substrate or a glass substrate for a photomask. it can.
本発明によれば, 基板を線接触で支持できるので, 接触部からの基 板に対する熱の授受が少なく, 基板上に供給される処理液の温度を基板 面内において均一に保つことができる。 したがって, 基板の液処理が基 板面内において均等に行われ, 基板の歩留まりが向上する。 また, 基板 が支持されている時の基板の位置ずれを抑制できるので, 基板の液処理 が滞りなく行われ, スループッ トの向上が図られる。 産業上の利用可能性  According to the present invention, since the substrate can be supported by line contact, the transfer of heat from the contact portion to the substrate is small, and the temperature of the processing liquid supplied onto the substrate can be kept uniform within the substrate surface. Therefore, the liquid processing of the substrate is performed evenly within the substrate surface, and the yield of the substrate is improved. In addition, since the displacement of the substrate when the substrate is supported can be suppressed, the liquid processing of the substrate can be performed without delay and the throughput can be improved. Industrial applicability
本発明は, ウェハや, L C D基板, フォ トマスク用のガラス基板, F P D用各種基板に対して, その表面に処理液を供給して, これら基板 の処理を行う場合に有用である。  INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is useful when a processing liquid is supplied to the surface of a wafer, an LCD substrate, a glass substrate for a photomask, and various substrates for an FPD, and the substrates are processed.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
1 . 基板上に処理液を供給して, 基板を液処理する液処理装置であ つて,  1. A liquid processing apparatus that supplies a processing liquid onto a substrate and performs liquid processing on the substrate.
処理液の供給される基板を線接触で支持する支持部材を備えている。A support member is provided for supporting the substrate to which the processing liquid is supplied in line contact.
2 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において, 2. In the liquid processing apparatus according to claim 1,
前記基板における前記支持部材に支持される部分と異なる部分を保持し て, 基板を回転させる基板保持部材と, A substrate holding member for rotating a substrate while holding a portion of the substrate different from the portion supported by the support member;
前記支持部材と基板保持部材とを上下方向に相対的に移動させるための 駆動部を備えている。 A drive unit is provided for relatively moving the support member and the substrate holding member vertically.
3 . 請求の範囲第 2項に記載の液処理装置において,  3. In the liquid processing apparatus according to claim 2,
前記基板保持部材は, 基板の中央部を保持し, The substrate holding member holds a central portion of the substrate,
前記支持部材は, 基板の前記中央部の外側を支持する。 The support member supports the outside of the central portion of the substrate.
4 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において, 4. In the liquid processing apparatus according to claim 1,
前記支持部材は複数備えられ, かつ前記基板の下方において, 平面から 見て基板の中心を円の中心とする同一円周上に等間隔で配置されているA plurality of the support members are provided, and are arranged below the substrate at equal intervals on the same circumference with the center of the substrate as the center of a circle when viewed from above.
5 . 請求の範囲第 4項に記載の液処理装置において, 5. In the liquid processing apparatus according to claim 4,
前記各支持部材は, 基板との接触部が平面から見て円弧状である。 Each of the support members has a contact portion with the substrate in an arc shape when viewed from a plane.
6 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において,  6. In the liquid processing apparatus according to claim 1,
前記支持部材は, 垂直板と, 当該垂直板の下端部から水平方向に向けて 形成された水平板とを有し, The support member includes a vertical plate and a horizontal plate formed in a horizontal direction from a lower end of the vertical plate.
前記支持部材は, 前記垂直板の上端部で基板を支持する。 The support member supports the substrate at an upper end of the vertical plate.
7 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において,  7. In the liquid processing apparatus according to claim 1,
前記支持部材の外側には, 基板の裏面を伝って基板の内側に向かう処理 液が前記支持部材に付着することを防止する付着防止部材が設けられて いる。 At the outside of the support member, an adhesion preventing member is provided for preventing a processing liquid traveling along the back surface of the substrate and toward the inside of the substrate from adhering to the support member.
8 . 請求の範囲第 7項に記載の液処理装置において, 前記付着防止部材は, 環状の形態を有し, かつ前記基板の裏面に接近可 能である。 ' 8. In the liquid processing apparatus according to claim 7, The adhesion preventing member has an annular shape and is accessible to the back surface of the substrate. '
9 . 請求の範囲第 8項に記載の液処理装置において, 9. In the liquid processing apparatus according to claim 8,
前記付着防止部材における前記基板の裏面との最も近接した部分は, 前 記基板の裏面側に向かって突き出た鋭角形状に形成されている。 The portion of the adhesion preventing member closest to the back surface of the substrate is formed in an acute angle shape protruding toward the back surface of the substrate.
1 0 . 請求の範囲第 7項に記載の液処理装置において, 10. The liquid processing apparatus according to claim 7,
前記支持部材は, 前記付着防止部材に取り付けられている。 The support member is attached to the adhesion preventing member.
1 1 . 請求の範囲第 7項に記載の液処理装置において,  11. The liquid processing apparatus according to claim 7,
前記付着防止部材に対して洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルをさらに 備えている。 A cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the adhesion preventing member is further provided.
1 2 . 請求の範囲第 1 1項に記載の液処理装置において,  12. The liquid processing apparatus according to claim 11, wherein:
前記洗浄液供給ノズルは, 前記付着防止部材と前記支持部材との間に配 置され, 洗浄液の供給方向が基板の裏面に向けられている。 The cleaning liquid supply nozzle is disposed between the adhesion preventing member and the support member, and a cleaning liquid supply direction is directed to a back surface of the substrate.
1 3 . 請求の範囲第 1 1項に記載の液処理装置において,  13. The liquid processing apparatus according to claim 11, wherein:
前記洗浄液供給ノズルは, 前記付着防止部材に取り付けられている。The cleaning liquid supply nozzle is attached to the adhesion preventing member.
1 4 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において, 14. In the liquid processing apparatus according to claim 1,
前記支持部材の材質には, 基板より も硬いものが用いられている。 The support member is made of a material that is harder than the substrate.
1 5 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において,  15. The liquid processing apparatus according to claim 1,
前記支持部材の材質には, 弾性を有するものが用いられている。 The support member is made of an elastic material.
1 6 . 請求の範囲第 1項に記載の液処理装置において,  16. In the liquid processing apparatus according to claim 1,
前記処理液は, 現像液である。 The processing liquid is a developer.
1 7 . 請求の範囲第 6項に記載の液処理装置において,  17. The liquid processing apparatus according to claim 6,
前記支持部材の垂直板には, 水平板上溜まつた液体を排出するための孔 が形成されている。 A hole is formed in the vertical plate of the support member for discharging the liquid collected on the horizontal plate.
PCT/JP2003/012835 2002-10-17 2003-10-07 Liquid processing device WO2004036633A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002302967A JP4028346B2 (en) 2002-10-17 2002-10-17 Liquid processing equipment
JP2002-302967 2002-10-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2003271114A AU2003271114A1 (en) 2002-10-17 2003-10-07 Liquid processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004036633A1 true WO2004036633A1 (en) 2004-04-29

Family

ID=32105061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/012835 WO2004036633A1 (en) 2002-10-17 2003-10-07 Liquid processing device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4028346B2 (en)
AU (1) AU2003271114A1 (en)
TW (1) TW200409182A (en)
WO (1) WO2004036633A1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5017722B2 (en) * 2006-12-12 2012-09-05 東洋自動機株式会社 Steam replacement deaeration apparatus and method in bagging and packaging
JP4737638B2 (en) * 2007-01-19 2011-08-03 東京エレクトロン株式会社 Development processing equipment
JP4971294B2 (en) * 2008-12-02 2012-07-11 三菱電機株式会社 Substrate processing apparatus, substrate processing method, and display device manufacturing method
JP5301505B2 (en) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP6885753B2 (en) * 2017-03-08 2021-06-16 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment and substrate processing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01287940A (en) * 1988-05-13 1989-11-20 Tokyo Electron Ltd Rotary treatment device
JPH0547909A (en) * 1991-08-21 1993-02-26 Canon Inc Wafer chuck
JPH10321581A (en) * 1997-05-20 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd Treating device
JP2000157915A (en) * 1998-09-24 2000-06-13 Tokyo Electron Ltd Rotary cup and coating device and coating method
US6149727A (en) * 1997-10-08 2000-11-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2002208560A (en) * 2000-11-01 2002-07-26 Tokyo Electron Ltd Equipment and method of processing substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01287940A (en) * 1988-05-13 1989-11-20 Tokyo Electron Ltd Rotary treatment device
JPH0547909A (en) * 1991-08-21 1993-02-26 Canon Inc Wafer chuck
JPH10321581A (en) * 1997-05-20 1998-12-04 Tokyo Electron Ltd Treating device
US6149727A (en) * 1997-10-08 2000-11-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2000157915A (en) * 1998-09-24 2000-06-13 Tokyo Electron Ltd Rotary cup and coating device and coating method
JP2002208560A (en) * 2000-11-01 2002-07-26 Tokyo Electron Ltd Equipment and method of processing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003271114A1 (en) 2004-05-04
JP4028346B2 (en) 2007-12-26
TW200409182A (en) 2004-06-01
JP2004140155A (en) 2004-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7641404B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5616205B2 (en) Substrate processing system, substrate processing method, program, and computer storage medium
KR100827793B1 (en) Solution treatment method and solution treatment unit
JP4410076B2 (en) Development processing equipment
KR100558026B1 (en) Treatment device and treatment method
US7722267B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100676038B1 (en) Solution processing apparatus and method
US7766565B2 (en) Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JP2009071235A (en) Substrate processing equipment
US20060147201A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004207573A (en) Coating processor
US20100129526A1 (en) Substrate processing apparatus
US7690853B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5726686B2 (en) Liquid processing apparatus and method for controlling liquid processing apparatus
WO2004036633A1 (en) Liquid processing device
US8031324B2 (en) Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit
JP3625752B2 (en) Liquid processing equipment
JP3730829B2 (en) Development processing method and development processing apparatus
JP3818858B2 (en) Liquid processing equipment
JP3652596B2 (en) Liquid processing equipment
JP4249677B2 (en) Development processing apparatus and development processing method
US20080196658A1 (en) Substrate processing apparatus including a substrate reversing region
JP3740377B2 (en) Liquid supply device
JPH1170354A (en) Coating apparatus
JP3920608B2 (en) Developing apparatus and developing method

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase