JP2002223161A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2002223161A
JP2002223161A JP2001019031A JP2001019031A JP2002223161A JP 2002223161 A JP2002223161 A JP 2002223161A JP 2001019031 A JP2001019031 A JP 2001019031A JP 2001019031 A JP2001019031 A JP 2001019031A JP 2002223161 A JP2002223161 A JP 2002223161A
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JP
Japan
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output
pad
power supply
semiconductor device
potential
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JP2001019031A
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Katsuichi Ikeda
勝一 池田
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望の出力特性に応じて未使用のパッドを電
源電位又は接地電位に接続し、その電位に従って並列に
接続された出力トランジスタを制御することにより、出
力特性を容易に修正することができる半導体装置を提供
する。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、入力端子101
と、出力端子102と、機能ブロック110と、セレク
タ121〜126と、PチャネルトランジスタQP10
1〜QP103と、NチャネルトランジスタQN101
〜QN103と、パッド131〜138と、を備える。
所望の出力特性に応じてパッド132〜137を電源電
位又は接地電位に接続することにより、出力特性を容易
に修正することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、出力特性を調整す
ることができる半導体装置に関する。特には、マスクの
再作成や外部制御信号を必要とすることなく出力特性を
調整することができる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体装置の出力特性の規格
が設けられている。半導体装置の出力特性はプロセスに
より変動するため、プロセス規格を管理し、プロセス規
格の管理範囲での出力特性を満足させる必要がある。
【0003】半導体装置に対する出力規格が厳しい場合
に、作成された半導体装置が出力規格を満たさないこと
がある。このように半導体装置が出力規格を満たさない
場合に、出力規格を満たすように半導体装置の出力特性
を修正することが考えられる。しかし、マスク作成後は
出力特性の修正をすることはできないため、半導体装置
を評価した後に出力特性を変更する場合には、マスクか
ら作成し直さなければならなかった。
【0004】そのため、特開平5−251651号公報
(以下、単に「文献1」ともいう)には、外部素子を駆
動する出力トランジスタ部に本来の外部素子駆動用トラ
ンジスタとは別に出力電圧特性調整用トランジスタを並
列に複数個構成し各々の出力電圧特性調整用トランジス
タを個別の駆動制御入力によって制御する半導体集積回
路装置が掲載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、文献1
に記載された半導体集積回路装置は、出力電圧特性調整
用トランジスタを制御するために個別の駆動制御入力を
必要とする。
【0006】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たもので、その目的は、所望の出力特性に応じて未使用
のパッドを電源電位又は接地電位に接続し、その電位に
従って並列に接続された出力トランジスタを制御するこ
とにより、出力特性を容易に修正することができ、マス
クを作成し直す必要がなく、制御入力を必要とせず、出
力規格が厳しい場合であっても規格を満たすことがで
き、プロセス規格の管理範囲を考慮する必要がない半導
体装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体装置は、 外部から信号を入力する
ための入力端子と、 入力端子に接続された第1のパッ
ドと、 入力端子及び第1のパッドを介して入力された
入力信号に従って動作し所定の機能を果たす機能ブロッ
クと、 信号を外部へ出力するための出力端子と、 出
力端子に接続された第2のパッドと、 入力端子、機能
ブロック、及び出力端子の何れにも接続されていない未
使用の第3のパッドと、を備えた半導体装置において、
第2のパッドの夫々に並列に接続された出力トランジ
スタと、 第3のパッドの電位に従って、電源電位、接
地電位、又は機能ブロックの出力電位の何れかを出力ト
ランジスタの夫々のゲートに印加する制御手段と、を備
え、 所望の出力特性に応じて第3のパッドの夫々が電
源電位又は接地電位に接続されていることを特徴とす
る。
【0008】所望の出力特性に応じて未使用のパッドを
電源電位又は接地電位に接続し、その電位に従って並列
に接続された出力トランジスタを制御することにより、
出力特性を容易に修正することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置につい
て、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0010】図1は、本発明の半導体装置の実施の一形
態を示す概略図である。以下、図1を用いて、本実施形
態に係る半導体装置について説明する。
【0011】図1において、本実施形態に係る半導体装
置100は、入力端子101と、出力端子102と、機
能ブロック110と、セレクタ121〜126と、Pチ
ャネルトランジスタQP101〜QP103と、Nチャ
ネルトランジスタQN101〜QN103と、パッド1
31〜138と、を備えている。
【0012】入力端子101は、外部から入力信号を入
力するための端子である。
【0013】機能ブロック110は、パッド131を介
して入力端子101と接続され、入力端子101へ入力
される入力信号に従って所定の動作を行って出力信号を
出力する。
【0014】パッド132〜137は、入力端子10
1、出力端子102、及び機能ブロック110の何れに
も接続されず、未使用であったパッドである。パッド1
32〜137は、半導体装置100の出力特性を調節す
るため、電源電位VDD又は接地電位VSSの何れか一方に
接続される。
【0015】セレクタ121は、パッド132からの選
択信号に従って、電源電位VDD又は機能ブロック110
の出力信号の何れかを選択出力する回路である。セレク
タ121は、パッド132が電源電位VDDに接続されて
いる場合即ちパッド132からの選択信号が論理”H”
の場合、電源電位VDDを選択出力する。また、セレクタ
121は、パッド132が接地電位VSSに接続されてい
る場合即ちパッド132からの選択信号が論理”L”の
場合、機能ブロック110の出力信号を選択出力する。
【0016】セレクタ122は、パッド133からの選
択信号に従って、電源電位VDD又は機能ブロック110
の出力信号の何れかを選択出力する回路である。セレク
タ122は、パッド133が電源電位VDDに接続されて
いる場合即ちパッド133からの選択信号が論理”H”
の場合、電源電位VDDを選択出力する。また、セレクタ
122は、パッド133が接地電位VSSに接続されてい
る場合即ちパッド133からの選択信号が論理”L”の
場合、機能ブロック110の出力信号を選択出力する。
【0017】セレクタ123は、パッド134からの選
択信号に従って、電源電位VDD又は機能ブロック110
の出力信号の何れかを選択出力する回路である。セレク
タ123は、パッド134が電源電位VDDに接続されて
いる場合即ちパッド134からの選択信号が論理”H”
の場合、電源電位VDDを選択出力する。また、セレクタ
123は、パッド134が接地電位VSSに接続されてい
る場合即ちパッド134からの選択信号が論理”L”の
場合、機能ブロック110の出力信号を選択出力する。
【0018】セレクタ124は、パッド135からの選
択信号に従って、接地電位VSS又は機能ブロック110
の出力信号の何れかを選択出力する回路である。セレク
タ124は、パッド135が電源電位VDDに接続されて
いる場合即ちパッド135からの選択信号が論理”H”
の場合、接地電位VSSを選択出力する。また、セレクタ
124は、パッド135が接地電位VSSに接続されてい
る場合即ちパッド135からの選択信号が論理”L”の
場合、機能ブロック110の出力信号を選択出力する。
【0019】セレクタ125は、パッド136からの選
択信号に従って、接地電位VSS又は機能ブロック110
の出力信号の何れかを選択出力する回路である。セレク
タ125は、パッド136が電源電位VDDに接続されて
いる場合即ちパッド136からの選択信号が論理”H”
の場合、接地電位VSSを選択出力する。また、セレクタ
125は、パッド136が接地電位VSSに接続されてい
る場合即ちパッド136からの選択信号が論理”L”の
場合、機能ブロック110の出力信号を選択出力する。
【0020】セレクタ126は、パッド137からの選
択信号に従って、接地電位VSS又は機能ブロック110
の出力信号の何れかを選択出力する回路である。セレク
タ126は、パッド137が電源電位VDDに接続されて
いる場合即ちパッド137からの選択信号が論理”H”
の場合、接地電位VSSを選択出力する。また、セレクタ
126は、パッド137が接地電位VSSに接続されてい
る場合即ちパッド137からの選択信号が論理”L”の
場合、機能ブロック110の出力信号を選択出力する。
【0021】トランジスタQP101のソースには、電
源電位VDDが接続されている。また、トランジスタQP
101のゲートには、セレクタ121の出力が接続され
ている。さらに、トランジスタQP101のドレインに
は、パッド138が接続されている。
【0022】トランジスタQP102のソースには、電
源電位VDDが接続されている。また、トランジスタQP
102のゲートには、セレクタ122の出力が接続され
ている。さらに、トランジスタQP102のドレインに
は、パッド138が接続されている。
【0023】トランジスタQP103のソースには、電
源電位VDDが接続されている。また、トランジスタQP
103のゲートには、セレクタ123の出力が接続され
ている。さらに、トランジスタQP103のドレインに
は、パッド138が接続されている。
【0024】トランジスタQN101のソースには、接
地電位VSSが接続されている。また、トランジスタQN
101のゲートには、セレクタ124の出力が接続され
ている。さらに、トランジスタQN101のドレインに
は、パッド138が接続されている。
【0025】トランジスタQN102のソースには、接
地電位VSSが接続されている。また、トランジスタQN
102のゲートには、セレクタ125の出力が接続され
ている。さらに、トランジスタQN102のドレインに
は、パッド138が接続されている。
【0026】トランジスタQN103のソースには、接
地電位VSSが接続されている。また、トランジスタQN
103のゲートには、セレクタ126の出力が接続され
ている。さらに、トランジスタQN103のドレインに
は、パッド138が接続されている。
【0027】出力端子102は、パッド138に接続さ
れ、出力信号を外部へ出力する。
【0028】次に、半導体装置100の出力特性の調整
について説明する。
【0029】まず、半導体装置100の”H”出力特性
を強く調整する場合について説明する。
【0030】半導体装置100の”H”出力特性を強く
調整する場合、PチャネルトランジスタQP101〜Q
P103のゲート電圧を制御するセレクタ121〜12
3に接続された3つのパッド132〜134のうち、所
望の出力特性が得られる数のパッド132〜134を接
地電位VSSと接続する。そして、残りのパッド132〜
134を電源電位VDDと接続する。
【0031】次に、半導体装置100の”L”出力特性
を強く調整する場合について説明する。
【0032】半導体装置100の”L”出力特性を強く
調整する場合、NチャネルトランジスタQN101〜Q
N103のゲート電圧を制御するセレクタ124〜12
6に接続された3つのパッド135〜137のうち、所
望の出力特性が得られる数のパッド135〜137を接
地電位VSSと接続する。そして、残りのパッド135〜
137を電源電位VDDと接続する。
【0033】このように、パッド132〜137を電源
電位VDD又は接地電位VSSと接続することにより、所望
の出力特性を得ることができる。
【0034】以上、本発明の半導体装置の形態例を示し
たが、入力端子101、機能ブロック110、出力端子
102を複数個にすることができる。また、1つの出力
端子102に並列に接続されるトランジスタQP101
〜QP103、QN101〜QN103の数を増やすこ
とができる。
【0035】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明の半導体装置に
よれば、所望の出力特性に応じて未使用のパッドを電源
電位又は接地電位に接続し、その電位に従って並列に接
続された出力トランジスタを制御することにより、出力
特性を容易に修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体装置の実施の一形態を示す
概略図である。
【符号の説明】
100 半導体装置 101 入力端子 102 出力端子 110 機能ブロック 121〜126 セレクタ 131〜138 パッド QP101〜QP103、QN101〜QN103 ト
ランジスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部から信号を入力するための入力端子
    と、 前記入力端子に接続された第1のパッドと、 前記入力端子及び前記第1のパッドを介して入力された
    入力信号に従って動作し所定の機能を果たす機能ブロッ
    クと、 信号を外部へ出力するための出力端子と、 前記出力端子に接続された第2のパッドと、 前記入力端子、前記機能ブロック、及び前記出力端子の
    何れにも接続されていない未使用の第3のパッドと、 を備えた半導体装置において、 前記第2のパッドの夫々に並列に接続された出力トラン
    ジスタと、 前記第3のパッドの電位に従って、電源電位、接地電
    位、又は前記機能ブロックの出力電位の何れかを前記出
    力トランジスタの夫々のゲートに印加する制御手段と、 を備え、 所望の出力特性に応じて前記第3のパッドの夫々が電源
    電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする半
    導体装置。
JP2001019031A 2001-01-26 2001-01-26 半導体装置 Withdrawn JP2002223161A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7692445B2 (en) 2006-03-15 2010-04-06 Hitachi, Ltd. Output buffer circuit and differential output buffer circuit, and transmission method

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