JP2002222835A - 銅張り樹脂基板の加工方法 - Google Patents
銅張り樹脂基板の加工方法Info
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- JP2002222835A JP2002222835A JP2001017552A JP2001017552A JP2002222835A JP 2002222835 A JP2002222835 A JP 2002222835A JP 2001017552 A JP2001017552 A JP 2001017552A JP 2001017552 A JP2001017552 A JP 2001017552A JP 2002222835 A JP2002222835 A JP 2002222835A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】銅張りポリイミドフィルムのポリイミド層を除
去する手段としてレーザ項を照射する方法が知られてい
る。しかし、ポリイミド層の所定領域を高精度に除去す
ることはレーザ光では困難であり、また蒸着により形成
された銅層に損傷を与える。 【解決手段】本発明では、まずレーザ光でポリイミド層
の所定領域を何回かに分けて照射し、銅に損傷を与えな
い程度にポリイミド層を残し、その後に高精度加工処理
が可能なプラズマエッチングで残りのポリイミドを除去
することにより、所望の銅パタンを得る。
去する手段としてレーザ項を照射する方法が知られてい
る。しかし、ポリイミド層の所定領域を高精度に除去す
ることはレーザ光では困難であり、また蒸着により形成
された銅層に損傷を与える。 【解決手段】本発明では、まずレーザ光でポリイミド層
の所定領域を何回かに分けて照射し、銅に損傷を与えな
い程度にポリイミド層を残し、その後に高精度加工処理
が可能なプラズマエッチングで残りのポリイミドを除去
することにより、所望の銅パタンを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は銅張り樹脂基板の加
工方法に関し、特に所定領域の樹脂層を除去する方法に
関する。
工方法に関し、特に所定領域の樹脂層を除去する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来銅張りポリイミドフィルムのポリイ
ミド層を加工する方法として、レーザ光を照射する方法
が知られている。この加工には各種のレーザ光が用いら
れるが、例えば比較的加工精度が高く、加工周辺部への
損傷が少ないレーザ光として紫外パルスレーザを用いる
方法が知られている（特開平３−１４２０９１）。
ミド層を加工する方法として、レーザ光を照射する方法
が知られている。この加工には各種のレーザ光が用いら
れるが、例えば比較的加工精度が高く、加工周辺部への
損傷が少ないレーザ光として紫外パルスレーザを用いる
方法が知られている（特開平３−１４２０９１）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしレーザ光を照射
する加工方法は、主に穴あけ加工に用いられており、一
定の平面領域の樹脂層を除去し銅のパタンを露出させる
ためには利用されていない。またレーザ光は、たとえば
上述の紫外パルスレーザを用いても、加工精度に問題が
あり、さらに加工終了時に銅箔表面に損傷を与えてしま
うという問題がある。
する加工方法は、主に穴あけ加工に用いられており、一
定の平面領域の樹脂層を除去し銅のパタンを露出させる
ためには利用されていない。またレーザ光は、たとえば
上述の紫外パルスレーザを用いても、加工精度に問題が
あり、さらに加工終了時に銅箔表面に損傷を与えてしま
うという問題がある。
【０００４】従って、本発明の目的は、レーザとプラズ
マエッチングを使用し、銅箔表面に損傷を与えずに、高
精度の銅パタンを露出・形成する方法を提供することに
ある。
マエッチングを使用し、銅箔表面に損傷を与えずに、高
精度の銅パタンを露出・形成する方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、銅張り樹脂基板の樹脂層の所定領域にレーザ光を
照射して樹脂層の当該領域を所定の厚さだけ除去し、そ
の後プラズマエッチングにより当該領域の残部の樹脂を
除去する。
明は、銅張り樹脂基板の樹脂層の所定領域にレーザ光を
照射して樹脂層の当該領域を所定の厚さだけ除去し、そ
の後プラズマエッチングにより当該領域の残部の樹脂を
除去する。
【０００６】具体的には、上記樹脂はポリイミドであ
り、またレーザ光はＹＡＧレーザの第３高調波が望まし
い。銅層は例えば蒸着により形成される層である。レー
ザ光照射後に残る樹脂層の厚さは、レーザ光の銅層への
影響を阻止するために必要な厚さである必要がある。ま
たレーザ光はパルス光を用い樹脂層の所定領域をスキャ
ンさせる。
り、またレーザ光はＹＡＧレーザの第３高調波が望まし
い。銅層は例えば蒸着により形成される層である。レー
ザ光照射後に残る樹脂層の厚さは、レーザ光の銅層への
影響を阻止するために必要な厚さである必要がある。ま
たレーザ光はパルス光を用い樹脂層の所定領域をスキャ
ンさせる。
【０００７】上記方法により、厚い樹脂層であっても、
短時間でかつ精度良く除去することができ、所望の銅パ
タンを形成することができる。
短時間でかつ精度良く除去することができ、所望の銅パ
タンを形成することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図面を参照しながら、本発明の実
施の形態につき説明する。
施の形態につき説明する。
【０００９】図３は、ポリイミド層１と銅箔２とが積層
された銅張りポリイミド基板である。ポリイミド層１は
基板の母材となり、銅箔２がポリイミド層１の片面に蒸
着により形成されている。一例として、銅箔２の厚みは
約数ミクロンから１０ミクロン程度であり、ポリイミド
層１の厚みは約１００〜３００ミクロンである。
された銅張りポリイミド基板である。ポリイミド層１は
基板の母材となり、銅箔２がポリイミド層１の片面に蒸
着により形成されている。一例として、銅箔２の厚みは
約数ミクロンから１０ミクロン程度であり、ポリイミド
層１の厚みは約１００〜３００ミクロンである。
【００１０】このような銅張りポリイミド基板のポリイ
ミド層１に対して、まずレーザ加工を行う。図１はこの
レーザ加工の態様を示す図である。スキャンミラー６を
使用して、レーザ光３を任意のパタン形状内部で走査
し、ポリイミド層１の厚さが数１０μｍ程度になるまで
加工を行う。レーザ光は、例えばＹＡＧレーザの第３高
調波（波長３５５ｎｍ）のパルス光が用いられる。ポリ
イミド層１の同一個所に対し該レーザ光の照射が複数回
行われて、所望の厚みが除去されるように、レーザ光の
パワーが予め設定される。
ミド層１に対して、まずレーザ加工を行う。図１はこの
レーザ加工の態様を示す図である。スキャンミラー６を
使用して、レーザ光３を任意のパタン形状内部で走査
し、ポリイミド層１の厚さが数１０μｍ程度になるまで
加工を行う。レーザ光は、例えばＹＡＧレーザの第３高
調波（波長３５５ｎｍ）のパルス光が用いられる。ポリ
イミド層１の同一個所に対し該レーザ光の照射が複数回
行われて、所望の厚みが除去されるように、レーザ光の
パワーが予め設定される。
【００１１】レーザ加工を終了する時に残すポリイミド
層１の厚みは、レーザ光による銅箔表面の損傷を防止す
るのに十分な厚さが必要であるが、全体の加工時間をで
きるだけ短くするために、あまり厚すぎることは望まし
くない。このようなポリイミド層１の適切な厚さは予め
予備的な実験で求めておく。
層１の厚みは、レーザ光による銅箔表面の損傷を防止す
るのに十分な厚さが必要であるが、全体の加工時間をで
きるだけ短くするために、あまり厚すぎることは望まし
くない。このようなポリイミド層１の適切な厚さは予め
予備的な実験で求めておく。
【００１２】次に、プラズマエッチング加工を行う。図
２はこの様子を示す。レーザ光で途中まで加工した銅張
りポリイミド基板に対し、ポリイミド層１の加工パタン
形状以外の部分を金属のエッチング用マスク５で覆う。
これをプラズマエッチング装置内に設置し、酸素ガスを
主体としたガスを導入し、プラズマ４中でプラズマエッ
チングを行う。この際も、予めプラズマエッチングの条
件とポリイミドが除去される速度との関係を実験で求め
ておき、銅箔部の加工領域のポリイミド除かれ、所望の
パタン形状になった時に、プラズマエッチング加工を停
止できるような条件を設定する。
２はこの様子を示す。レーザ光で途中まで加工した銅張
りポリイミド基板に対し、ポリイミド層１の加工パタン
形状以外の部分を金属のエッチング用マスク５で覆う。
これをプラズマエッチング装置内に設置し、酸素ガスを
主体としたガスを導入し、プラズマ４中でプラズマエッ
チングを行う。この際も、予めプラズマエッチングの条
件とポリイミドが除去される速度との関係を実験で求め
ておき、銅箔部の加工領域のポリイミド除かれ、所望の
パタン形状になった時に、プラズマエッチング加工を停
止できるような条件を設定する。
【００１３】上記実施態様では、ポリイミド樹脂の例で
あったが、他の樹脂でも本発明は有効である。その場
合、レーザ光はＹＡＧレーザでなく別の適切なレーザ光
が選択され得る。
あったが、他の樹脂でも本発明は有効である。その場
合、レーザ光はＹＡＧレーザでなく別の適切なレーザ光
が選択され得る。
【００１４】
【発明の効果】本発明の方法は、レーザ光のスキャナ走
査とプラズマエッチング加工を併用するので、高精度、
かつ短時間に樹脂層の所望のパタンを除去できる。例え
ばＨＤヘッドの電極等の形成に有効である。
査とプラズマエッチング加工を併用するので、高精度、
かつ短時間に樹脂層の所望のパタンを除去できる。例え
ばＨＤヘッドの電極等の形成に有効である。
【図１】レーザ光の走査によるポリイミドの加工工程を
示す図。
示す図。
【図２】プラズマエッチングによる加工工程を示す図。
【図３】銅張りポリイミド基板の断面図。
１ ポリイミド層 ２ 銅箔 ３ レーザ光 ４ プラズマ ５ エッチング用マスク ６ スキャンミラー
Claims (6)
- 【請求項１】 銅張り樹脂基板の樹脂層の所定領域を除
去する方法であって、レーザ光を照射して当該領域の樹
脂層を所定の厚さだけ除去し、その後プラズマエッチン
グにより当該領域の残部の樹脂を除去することを特徴と
する銅張り樹脂基板の加工方法。 - 【請求項２】 前記樹脂はポリイミドである請求項１記
載の銅張り樹脂基板の加工方法。 - 【請求項３】 前記レーザ光はＹＡＧレーザの第３高調
波である請求項１または２記載の銅張り樹脂基板の加工
方法。 - 【請求項４】 銅層は蒸着により形成された層である請
求項１記載の銅張り樹脂基板の加工方法。 - 【請求項５】 レーザ光照射後に残す樹脂層の厚さは、
レーザ光の銅層への影響を阻止するために必要な厚さで
ある請求項１記載の銅張り樹脂基板の加工方法。 - 【請求項６】 レーザ光はパルス光を用い前記樹脂層の
所定領域をスキャンさせる請求項１記載の銅張り樹脂基
板の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001017552A JP2002222835A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 銅張り樹脂基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001017552A JP2002222835A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 銅張り樹脂基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222835A true JP2002222835A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18883739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001017552A Pending JP2002222835A (ja) | 2001-01-25 | 2001-01-25 | 銅張り樹脂基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002222835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515251A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サントル ナシオナル デチュード スパシアル | 集積回路の表面を露出する方法及び装置 |
-
2001
- 2001-01-25 JP JP2001017552A patent/JP2002222835A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515251A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サントル ナシオナル デチュード スパシアル | 集積回路の表面を露出する方法及び装置 |
| KR101348971B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2014-01-10 | 쌍트르 나쇼날 데튜드 스파씨알르 | 집적회로의 표면을 노광하기 위한 방법 및 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030909 |