JP2002222753A - Aligner and method of adjusting position of its light source - Google Patents

Aligner and method of adjusting position of its light source

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JP2002222753A
JP2002222753A JP2001018097A JP2001018097A JP2002222753A JP 2002222753 A JP2002222753 A JP 2002222753A JP 2001018097 A JP2001018097 A JP 2001018097A JP 2001018097 A JP2001018097 A JP 2001018097A JP 2002222753 A JP2002222753 A JP 2002222753A
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light
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make excellent mix-and-match executable even when the lamp, etc., of a light source is exchanged without degrading the degree of telecentricity on an axis when exchanging the lamp, etc. SOLUTION: An aligner is provided with a sensor 14 which detects the angle between a light ray CL passing the light quantity centroid of light which illuminates the optical axis of a projection optical system 11 or the center of an illuminating area on the image surface 12 of the optical system 11 and the optical axis of the optical system 11 and light-source position adjusting means 17 and 20, etc., which move the lamp 1 in three axial directions crossing each other at right angles. A pattern plotted on an original plate is projected upon a substrate coated with a photosensitive material by moving the lamp 1 in at least two axial directions by means of the adjusting means 17 and 20 based on the detected results of the sensor 14, and illuminating the original plate with the light emitted from the lamp 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、露光用光源から発
せられた光を用いてパターンの書かれたマスク等の原版
を照明し、パターンを感光剤の塗布された基板に転写露
光する露光装置及びその光源位置調整方法に関し、特に
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)また
は薄膜磁気ヘッド等を製造する為のリソグラフィ工程中
で使用される露光装置及びその光源位置調整方法等に適
している。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for illuminating an original such as a mask on which a pattern is written using light emitted from an exposure light source and transferring and exposing the pattern to a substrate coated with a photosensitive agent. The present invention relates to an exposure apparatus used in a lithography process for manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, an imaging element (such as a CCD) or a thin-film magnetic head, and a light source position adjustment method thereof. ing.

【0002】[0002]

【従来の技術】高圧水銀ランプ等の、発散光源からの光
を集光ミラーにより集光し、パターンの描かれたマスク
を均一に照明し、投影光学系を用いてパターンを感光剤
の塗布された基板上に投影露光する露光装置が、半導体
素子等を製造する為のリソグラフィ工程において利用さ
れている。高圧水銀ランプ等は、発光している内に、陰
極陽極の損耗、バルブの黒化等によって発光強度が減少
し、寿命に達すると、立ち消え、破裂、不点灯等が発生
してしまう。したがって、高圧水銀ランプ等は、予め決
められた寿命に到達すると交換が必要である。ランプの
交換を行うと、ランプ自体の公差(陰極位置、陽極位
置、極間隔、軸ずれ等)や、ランプを保持している燭台
の位置再現性等により、ランプの発光部分(輝点)と露
光装置の位置関係が変わってしまい、光学性能が変化し
てしまう。その為、ランプ交換を行った際にはランプの
位置合せが必要となる。
2. Description of the Related Art Light from a divergent light source, such as a high-pressure mercury lamp, is condensed by a condensing mirror to uniformly illuminate a mask on which a pattern is drawn, and the pattern is coated with a photosensitive agent using a projection optical system. An exposure apparatus that performs projection exposure on a substrate that has been used is used in a lithography process for manufacturing a semiconductor element or the like. In a high-pressure mercury lamp or the like, the light emission intensity decreases due to wear of the cathode / anode and blackening of the bulb while the light is emitted, and when the lamp reaches the end of its life, it goes out, ruptures, and turns off. Therefore, high pressure mercury lamps and the like need to be replaced when they reach a predetermined life. When the lamp is replaced, the tolerance of the lamp itself (cathode position, anode position, pole spacing, axial misalignment, etc.) and the reproducibility of the position of the lampholder holding the lamp will cause the lamp to emit light (bright spots). The positional relationship of the exposure apparatus changes, and the optical performance changes. Therefore, when the lamp is replaced, the lamp needs to be aligned.

【0003】従来のランプの位置合せ方法としては、被
照明面の照度が最大となるように調整する方法や、特許
第2809081 号に係る明細書等にて提案されている、被照
明面における照度均一性を高め、かつ平均照度が最も高
くなるように光源位置を調整する方法、特開平10-13512
3 号公報にて提案されている、被照明面と瞳の関係にあ
る位置の光強度分布から光源位置を調整する方法が知ら
れている。
As a conventional method of aligning a lamp, there is a method of adjusting the illuminance of a surface to be illuminated to be maximum, and a method of adjusting the illuminance of the surface to be illuminated proposed in the specification of Japanese Patent No. 2809081. A method for improving the uniformity and adjusting the light source position so that the average illuminance is the highest, JP-A-10-13512
A method of adjusting a light source position based on a light intensity distribution at a position having a relationship between a surface to be illuminated and a pupil, which is proposed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 3 (KOKAI) No. 3 (1999), is known.

【0004】[0004]

【本発明が解決しようとする課題】近年のリソグラフィ
工程では、一つの露光装置で全ての工程を行うのではな
く、複数の露光装置で露光を重ねて行うミックスアンド
マッチ方式(Mix&Match 方式)が主流となっている。こ
れは、工程によってパターンの微細度が異なる為に、微
細なパターンに対しては最新鋭の露光装置によって露光
を行い、粗いパターンに対しては、解像力は高くない
が、スループットが高く、ランニングコストの低い装置
で露光を行って、生産コストを下げる為である。このミ
ックスアンドマッチで要求される光学性能を得るには、
従来のランプ位置合せ方法では不十分であって、ミック
スアンドマッチが良好に行えないという問題が発生して
いる。以下において、ミックスアンドマッチをするため
に要求される光学性能について述べる。
[Problems to be Solved by the Invention] In recent lithography processes, a mix-and-match system (Mix & Match system) in which exposure is performed in a plurality of exposure apparatuses instead of performing all the steps in one exposure apparatus is mainly used. It has become. This is because the fineness of the pattern varies depending on the process, so the fine pattern is exposed by a state-of-the-art exposure device, and the resolution is not high for coarse patterns, but the throughput is high and the running cost is low. This is to reduce the production cost by performing exposure with an apparatus having a low level. To obtain the optical performance required by this mix and match,
The conventional lamp alignment method is insufficient, and there is a problem that mixing and matching cannot be performed satisfactorily. Hereinafter, the optical performance required for performing mix and match will be described.

【0005】ミックスアンドマッチは、複数の露光装置
で露光を行う為に、装置間での結像位置を合わせる必要
がある。結像位置を合わせるには、装置間の倍率や収差
等のバラツキを押さえる他に、テレセン度(光量重心を
通る図3に示す光線CLと光軸との平行度)という要因
がある。半導体素子等の製造において、工程が後の方に
なってくると、前の工程で形成された配線が重なって基
板上に段差が生じる。このため、段差に基づいて像面か
らのずれ量が異なることにより、段差によって転写位置
がずれてしまうことがある。例えば、図3に示すように
段差のある基板に、光量重心を通る光線CLが基板の板
面に対して垂直ではなく、斜めである光が入射している
状況があったとする。このような状況で、図4(a)に
示すような格子パターンを露光すると、像は光量重心に
結像するので、基板上で感光した像は上から見ると、図
4(b)に示すように段差部で格子間隔が延びてしまう
ことになる。つまり、基板に対して光量重心を通る光線
CLが斜めに入射するような露光装置では、基板に段差
があった場合に忠実なパターン転写が行えない。この
為、図5に示すように光量重心を通る光線CLが基板の
板面に対して垂直、すなわち光軸と平行となっているこ
とが、良好なミックスアンドマッチを行う為には必要で
ある。特に露光装置の光軸上の光量重心を通る光線CL
と光軸との平行度を軸上テレセン度と呼んでいて、基板
が1μmデフォーカスした時の像ずれの量で表現する。
図3に示すように光量重心を通る光線CLが光軸となす
角度が大きい場合には「軸上テレセン度が悪い」、図5
に示すように光量重心を通る光線CLが光軸と平行にな
っている場合を「軸上テレセン度が良い」という。
In the case of mix-and-match, in order to perform exposure with a plurality of exposure apparatuses, it is necessary to match the image forming positions between the apparatuses. In order to adjust the imaging position, there is a factor called telecentricity (parallelism between the light beam CL passing through the center of gravity of the light and the optical axis CL shown in FIG. 3 and the optical axis) in addition to suppressing variations in magnification and aberration between the apparatuses. In a process of manufacturing a semiconductor device or the like, when a process is performed later, the wiring formed in the previous process overlaps and a step occurs on the substrate. For this reason, when the amount of displacement from the image plane is different based on the step, the transfer position may be displaced by the step. For example, as shown in FIG. 3, it is assumed that there is a situation where a light beam CL passing through the center of gravity of the light amount is not perpendicular to the plate surface of the substrate but is oblique to the substrate having a step. In such a situation, when a lattice pattern as shown in FIG. 4A is exposed, an image is formed at the center of gravity of the light amount. Therefore, an image exposed on the substrate is shown in FIG. As a result, the lattice interval is extended at the step. In other words, in an exposure apparatus in which the light beam CL passing through the center of the light quantity is obliquely incident on the substrate, it is not possible to perform faithful pattern transfer when the substrate has a step. Therefore, as shown in FIG. 5, it is necessary for the light beam CL passing through the center of gravity of the light amount to be perpendicular to the plate surface of the substrate, that is, parallel to the optical axis in order to perform a good mix and match. . In particular, the light beam CL passing through the center of gravity of the light amount on the optical axis of the exposure apparatus
The degree of parallelism between the optical axis and the optical axis is called on-axis telecentricity, and is expressed by the amount of image shift when the substrate is defocused by 1 μm.
As shown in FIG. 3, when the angle formed by the light beam CL passing through the center of gravity of the light amount and the optical axis is large, "the on-axis telecentricity is poor".
The case where the light beam CL passing through the center of gravity of the light amount is parallel to the optical axis as shown in FIG.

【0006】軸上テレセン度は、光学系が全て共軸系で
あれば発生しない量であるが、光学部品の傾き、光軸ず
れ等の偏心、及びユニット間の光軸ずれなどによって発
生する量であり、ランプの集光ミラーに対する光軸ず
れ、ランプの公差内の傾き等の偏心によっても発生する
量である。その為、燭台の位置再現性が低く、かつラン
プ毎にランプの公差内のバラツキの為に、ランプ交換時
に軸上テレセン度が悪化する可能性がある。しかし、従
来技術のようなランプ位置調整方法で調整した場合、悪
化した軸上テレセン度を補正できず、ランプを交換する
為に軸上テレセン度が変化し、良好なミックスアンドマ
ッチが行えないという問題があった。
The on-axis telecentricity is an amount that does not occur if the optical system is all coaxial, but is an amount that occurs due to the inclination of optical components, eccentricity such as optical axis deviation, and optical axis deviation between units. This is an amount that is also generated due to eccentricity such as a deviation of the optical axis of the lamp with respect to the condensing mirror and a tilt within the tolerance of the lamp. For this reason, the positional reproducibility of the candlestick is low, and there is a possibility that the on-axis telecentricity is deteriorated at the time of lamp replacement due to variations within the tolerance of each lamp. However, when adjusted by the lamp position adjustment method as in the prior art, the deteriorated on-axis telecentricity cannot be corrected, and the on-axis telecentricity changes to replace the lamp, and good mix-and-match cannot be performed. There was a problem.

【0007】本発明は、光源のランプ等を交換する時
に、軸上のテレセン度が悪化せず、ランプ等を交換して
も良好なミックスアンドマッチが行える露光装置及びそ
の光源位置調整方法を提供することを目的とする。
[0007] The present invention provides an exposure apparatus and a light source position adjusting method capable of performing a good mix-and-match even when the lamp or the like is replaced without exacerbating the axial telecentricity when the lamp or the like of the light source is replaced. The purpose is to do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置におい
て、上記投影光学系の像面において光軸上を照明する照
明光の光量重心を通る光線と上記光軸とがなす角度を計
測する手段と、上記光源を互いに直交する3軸方向に移
動させる光源位置調整手段とを備え、上記角度を計測す
る手段の計測結果に基づいて、上記光源位置調整手段に
より上記光源を少なくとも2軸方向に移動させることを
特徴とする。なお、投影レンズがカタディオ光学系や、
オフナー光学系などのように、軸外領域を結像領域とし
て持つような場合には、光軸上を照明する照明光の光量
重心を通る光線と光軸がなす角度を計測する手段の代わ
りに、照明領域の中心を照明する照明光の光量重心を通
る光線と光軸とがなす角度を計測する手段を用いる。
In order to achieve the above object, the present invention illuminates an original on which a pattern is drawn using light generated from a light source, and applies the pattern to a photosensitive agent by a projection optical system. An exposure apparatus for projecting onto the coated substrate, a unit for measuring an angle formed by a light ray passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis on the image plane of the projection optical system and the optical axis, and the light source Light source position adjusting means for moving the light source in three axis directions orthogonal to each other, wherein the light source is adjusted in at least two axial directions by the light source position adjusting means based on the measurement result of the angle measuring means. And In addition, the projection lens is a catadio optical system,
In the case where an off-axis area is used as an imaging area, such as an Offner optical system, instead of a means for measuring the angle formed by the light beam passing through the center of gravity and the optical axis, the amount of illumination light illuminating the optical axis. A means for measuring an angle formed between a light ray passing through the center of gravity of the illumination light illuminating the center of the illumination area and the optical axis is used.

【0009】また、本発明は、光源から発生した光を用
いて、パターンの描かれた原版を照明し、投影光学系に
より該パターンを感光剤の塗布された基板上に投影する
露光装置において、上記投影光学系の像面において光軸
上を照明する照明光の光量重心を通る光線と上記光軸と
がなす角度を計測する第1の計測手段と、上記基板上の
照度を計測する第2の計測手段と、上記光源を互いに直
交する3軸方向に移動させる光源位置調整手段とを備
え、該光源位置調整手段が、第1の計測手段の計測結果
に基づいて上記光源を上記光軸と直交する2軸方向に移
動させ、第2の計測手段の計測結果に基づいて上記光源
を光軸方向に移動させるものであることを特徴としても
よい。なお、投影レンズがカタディオ光学系や、オフナ
ー光学系などのように、軸外領域を結像領域として持つ
ような場合には、第1の計測手段として、照明領域の中
心を照明する照明光の光量重心を通る光線と光軸とがな
す角度を計測する手段を用いる。
Further, the present invention provides an exposure apparatus for illuminating an original on which a pattern is drawn using light generated from a light source and projecting the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. A first measuring means for measuring an angle between a light ray passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis on the image plane of the projection optical system and the optical axis, and a second measuring means for measuring the illuminance on the substrate Measuring means, and light source position adjusting means for moving the light source in three axial directions orthogonal to each other, the light source position adjusting means sets the light source to the optical axis based on the measurement result of the first measuring means. The light source may be moved in two orthogonal axes directions, and the light source may be moved in the optical axis direction based on the measurement result of the second measuring means. In the case where the projection lens has an off-axis region as an image forming region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, as the first measuring means, the illumination light for illuminating the center of the illumination region is used. Means for measuring the angle between a light beam passing through the center of gravity and the optical axis is used.

【0010】また、本発明は、光源から発生した光を用
いて、パターンの描かれた原版を照明し、投影光学系に
より該パターンを感光剤の塗布された基板上に投影する
露光装置において、上記投影光学系の像面において光軸
上を照明する照明光の光量重心を通る光線と上記光軸と
がなす角度を計測する第1の計測手段と、上記投影光学
系の瞳面上の有効光源分布の形状を計測する第2の計測
手段と、上記光源を互いに直交する3軸方向に移動させ
る光源位置調整手段とを備え、該光源位置調整手段が、
第1の計測手段の計測結果に基づいて上記光源を上記光
軸と直交する2軸方向に移動させ、第2の計測手段の計
測結果に基づいて上記光源を光軸方向に移動させるもの
であることを特徴としてもよい。なお、投影レンズがカ
タディオ光学系や、オフナー光学系などのように、軸外
領域を結像領域として持つような場合には、第1の計測
手段として、照明領域の中心を照明する照明光の光量重
心を通る光線と光軸とがなす角度を計測する手段を用い
る。
Further, the present invention provides an exposure apparatus which illuminates an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projects the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. A first measuring means for measuring an angle between a light ray passing through the center of gravity of the illumination light illuminating the optical axis on the image plane of the projection optical system and the optical axis; A second measuring means for measuring the shape of the light source distribution; and a light source position adjusting means for moving the light source in three orthogonal directions orthogonal to each other, wherein the light source position adjusting means comprises:
The light source is moved in two axial directions orthogonal to the optical axis based on the measurement result of the first measuring means, and the light source is moved in the optical axis direction based on the measurement result of the second measuring means. It may be characterized. In the case where the projection lens has an off-axis region as an image forming region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, as the first measuring means, the illumination light for illuminating the center of the illumination region is used. Means for measuring the angle between a light beam passing through the center of gravity and the optical axis is used.

【0011】また、本発明は、光源から発生した光を用
いて、パターンの描かれた原版を照明し、投影光学系に
より該パターンを感光剤の塗布された基板上に投影する
露光装置の光源位置調整方法において、上記投影光学系
の像面において光軸上を照明する照明光の光量重心を通
る光線と上記光軸とがなす角度を計測し、該角度の計測
結果に基づいて、上記光源を少なくとも2軸方向に移動
させて光源位置を調整することを特徴としてもよい。こ
の場合、上記光量重心を通る光線が上記光軸と平行にな
る位置に上記光源の位置を調整することが望ましい。な
お、投影レンズがカタディオ光学系や、オフナー光学系
などのように、軸外領域を結像領域として持つような場
合には、光軸上を照明する照明光の光量重心を通る光線
と光軸がなす角度を計測する手段の代わりに、照明領域
の中心を照明する照明光の光量重心を通る光線と光軸と
がなす角度を計測する手段を用いる。
The present invention also provides a light source of an exposure apparatus that illuminates an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projects the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. In the position adjustment method, an angle between a light ray passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis on the image plane of the projection optical system and the optical axis is measured, and the light source is determined based on the angle measurement result. May be moved in at least two axial directions to adjust the light source position. In this case, it is desirable to adjust the position of the light source to a position where a light beam passing through the center of gravity of the light quantity becomes parallel to the optical axis. When the projection lens has an off-axis region as an image forming region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, the light passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis and the optical axis Instead of the means for measuring the angle formed by the optical axis, a means for measuring the angle formed by the light axis passing through the center of gravity of the amount of illumination light and the optical axis for illuminating the center of the illumination area is used.

【0012】また、本発明は、光源から発生した光を用
いて、パターンの描かれた原版を照明し、投影光学系に
より該パターンを感光剤の塗布された基板上に投影する
露光装置の光源位置調整方法において、上記投影光学系
の像面において光軸上を照明する照明光の光量重心を通
る光線と上記光軸とがなす角度を計測するとともに、上
記基板上の照度を計測し、上記角度の計測結果に基づい
て上記光源を上記光軸と直交する2軸方向に移動させ、
上記基板上の照度の計測結果に基づいて上記光源を光軸
方向に移動させて光源位置を調整することを特徴として
もよい。この場合、上記像面の照度の計測値が最大にな
る位置に上記光源の位置を調整することが望ましい。な
お、投影レンズがカタディオ光学系や、オフナー光学系
などのように、軸外領域を結像領域として持つような場
合には、光軸上を照明する照明光の光量重心を通る光線
と光軸がなす角度を計測する手段の代わりに、照明領域
の中心を照明する照明光の光量重心を通る光線と光軸と
がなす角度を計測する手段を用いる。
The present invention also provides a light source of an exposure apparatus that illuminates an original on which a pattern is drawn using light generated from a light source and projects the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. In the position adjustment method, while measuring the angle between a light ray passing through the center of gravity and the optical axis of the amount of illumination light that illuminates the optical axis on the image plane of the projection optical system, and measuring the illuminance on the substrate, The light source is moved in two axial directions orthogonal to the optical axis based on the measurement result of the angle,
The position of the light source may be adjusted by moving the light source in the optical axis direction based on the measurement result of the illuminance on the substrate. In this case, it is desirable to adjust the position of the light source to a position where the measured value of the illuminance on the image plane is maximized. In the case where the projection lens has an off-axis region as an image forming region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, the light passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis and the optical axis Instead of the means for measuring the angle formed by the optical axis, a means for measuring the angle formed by the light axis passing through the center of gravity of the amount of illumination light and the optical axis for illuminating the center of the illumination area is used.

【0013】また、本発明は、光源から発生した光を用
いて、パターンの描かれた原版を照明し、投影光学系に
より該パターンを感光剤の塗布された基板上に投影する
露光装置の光源位置調整方法において、上記投影光学系
の像面において光軸上を照明する照明光の光量重心を通
る光線と上記光軸とがなす角度を計測するとともに、上
記投影光学系の瞳面上の有効光源分布を計測し、上記角
度の計測結果に基づいて上記光源を上記光軸と直交する
2軸方向に移動させ、上記有効光源分布の計測結果に基
づいて上記光源を光軸方向に移動させて光源位置を調整
することを特徴としてもよい。この場合、上記有効光源
分布が所望の分布になる位置に上記光源の位置を調整す
ることが望ましい。なお、投影レンズがカタディオ光学
系や、オフナー光学系などのように、軸外領域を結像領
域として持つような場合には、光軸上を照明する照明光
の光量重心を通る光線と光軸がなす角度を計測する手段
の代わりに、照明領域の中心を照明する照明光の光量重
心を通る光線と光軸とがなす角度を計測する手段を用い
る。本発明は、上記いずれかの露光装置の光源位置調整
方法を用いてデバイスを製造することを特徴とする半導
体デバイスの製造方法にも適用できる。
Further, the present invention provides a light source of an exposure apparatus for illuminating an original on which a pattern is drawn using light generated from a light source and projecting the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. In the position adjustment method, an angle between a light ray passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis on the image plane of the projection optical system and the optical axis is measured, and an effective angle on a pupil plane of the projection optical system is measured. Measuring the light source distribution, moving the light source in two axial directions orthogonal to the optical axis based on the measurement result of the angle, and moving the light source in the optical axis direction based on the measurement result of the effective light source distribution It may be characterized in that the position of the light source is adjusted. In this case, it is desirable to adjust the position of the light source to a position where the effective light source distribution becomes a desired distribution. In the case where the projection lens has an off-axis region as an image forming region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, the light passing through the center of gravity of the amount of illumination light illuminating the optical axis and the optical axis Instead of the means for measuring the angle formed by the optical axis, a means for measuring the angle formed by the light axis passing through the center of gravity of the light quantity of the illumination light illuminating the center of the illumination area and the optical axis is used. The present invention is also applicable to a method for manufacturing a semiconductor device, wherein a device is manufactured by using any one of the above-described methods for adjusting a light source position of an exposure apparatus.

【0014】本発明に係る露光装置またはその光源位置
調整方法では、ランプの位置合せを、軸上テレセン度を
計測して軸上テレセン度が良好になるように行うことに
より、ランプを交換しても良好な軸上テレセン度で露光
を行えるようにし、良好なミックスアンドマッチを行え
るようにする。
In the exposure apparatus or the light source position adjusting method according to the present invention, the lamp is replaced by measuring the on-axis telecentricity so as to improve the on-axis telecentricity. This makes it possible to perform exposure with a good on-axis telecentricity, and to perform good mix-and-match.

【0015】軸上テレセン度を見て、ランプの3軸の位
置制御をしても良いが、光軸ずれのみを調整すれば軸上
テレセン度を良くすることができるので、光軸に垂直な
2軸のみを軸上テレセン度をみて調整して、光軸方向に
は、従来技術のように像面の照度が最大になるように、
もしくは、投影光学系の瞳面の有効光源分布をみて調整
しても良い。
The position of the three axes of the lamp may be controlled by looking at the on-axis telecentricity. However, by adjusting only the optical axis deviation, the on-axis telecentricity can be improved. Only two axes are adjusted by looking at the on-axis telecentricity, and in the optical axis direction, the illuminance on the image plane is maximized as in the related art.
Alternatively, the adjustment may be made by checking the effective light source distribution on the pupil plane of the projection optical system.

【0016】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導
体デバイス製造方法にも適用できる。前記製造装置群を
ローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ロ
ーカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外
部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも
1台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有す
ることが望ましく、前記露光装置のベンダもしくはユー
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半
導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデ
ータ通信して生産管理を行うことが好ましい。
Further, according to the present invention, a manufacturing apparatus group for various processes including any of the above exposure apparatuses is installed in a semiconductor manufacturing factory, and a semiconductor device is manufactured by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. And a method of manufacturing a semiconductor device having a process. Connecting the group of manufacturing apparatuses via a local area network, and performing data communication of information on at least one of the group of manufacturing apparatuses between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing plant. Preferably, a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus is accessed via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication, or a semiconductor manufacturing factory different from the semiconductor manufacturing factory It is preferable to perform production management by performing data communication with the external network via the external network.

【0017】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも1台に関する情報をデータ通信することを可
能にした半導体製造工場にも適用可能である。
Further, the present invention provides a manufacturing apparatus group for various processes including any one of the above-described exposure apparatuses, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and an external network outside the factory from the local area network. The present invention is also applicable to a semiconductor manufacturing factory that has a gateway that enables the data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.

【0018】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた上記いずれかの露光装置の保守方法であって、前記
露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の
外部ネットワークに接続された保守データベースを提供
する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネット
ワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許
可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守
情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側
に送信する工程とを有する露光装置の保守方法にも適用
可能である。
The present invention also relates to a maintenance method for any one of the above-described exposure apparatuses installed in a semiconductor manufacturing factory, wherein a vendor or a user of the exposure apparatus uses a maintenance database connected to an external network of the semiconductor manufacturing factory. Providing access to the maintenance database from within the semiconductor manufacturing plant via the external network, and storing the maintenance information stored in the maintenance database on the semiconductor manufacturing plant side via the external network. To the maintenance method of the exposure apparatus having the step of transmitting to the exposure apparatus.

【0019】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たことを特徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフト
ウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネット
ワークに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記
外部ネットワークを介して該データベースから情報を得
ることを可能にすることが好ましい。
According to the present invention, in any one of the above-described exposure apparatuses, the apparatus further includes a display, a network interface, and a computer that executes network software, and transmits maintenance information of the exposure apparatus through a computer network. It may be characterized in that it is possible to do so. The network software is connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and provides a user interface on the display for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus on the display. It is preferable to be able to obtain information from the database via.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】(第1の実施形態)図1は本発明
の実施形態に係る露光装置を示す構成図である。図1に
おいて、1は高圧水銀ランプなどの発散光源であり、発
散された光束は、集光ミラー2によって集光される。3
はシャッターであり、開閉により露光量を制御する。4
は内面反射部材であって入射面で不均一な光源分布を射
出面で均一にする働きがある。ただし、内面反射部材4
の長さが有限の場合には完全に均一化することができ
ず、ランプ1の光軸ずれや、内面反射部材4の傾きによ
る影響が射出面に現れる。5はコンデンサレンズであっ
て内面反射部材4の射出面をフライアイレンズ6の入射
面に略結像させている。フライアイレンズ6は波面分割
をするインテグレータであり、その射出面に2次光源像
を形成する。7はコンデンサレンズであり、フライアイ
レンズ6の射出面に多数形成された2次光源像を有効光
源として用い、マスキングブレード8の面を重畳的に均
一な照度で照明する。
(First Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a divergent light source such as a high-pressure mercury lamp. 3
Denotes a shutter, which controls an exposure amount by opening and closing. 4
Is an internal reflection member, which has the function of making the uneven light source distribution uniform on the incident surface on the exit surface. However, the inner reflection member 4
If the length is finite, it cannot be completely uniformized, and the influence of the optical axis deviation of the lamp 1 and the inclination of the internal reflection member 4 appears on the exit surface. Reference numeral 5 denotes a condenser lens, which substantially forms an image of the exit surface of the inner reflecting member 4 on the incident surface of the fly-eye lens 6. The fly-eye lens 6 is an integrator that performs wavefront division, and forms a secondary light source image on the exit surface. Reference numeral 7 denotes a condenser lens, which illuminates the surface of the masking blade 8 with uniform illuminance in a superimposed manner by using a large number of secondary light source images formed on the exit surface of the fly-eye lens 6 as an effective light source.

【0021】8はマスキングブレードであり、照明領域
の大きさを制限する絞りである。9は結像レンズであ
り、マスキングブレード8の位置をレチクル面に投影す
ることによりレチクル面が均一に照明される。10はパ
ターンの書かれた原版としてのレチクルであり、投影光
学系11によって該投影光学系の像面12に置かれた感
光剤の塗布された基板上に投影される。13はステージ
であり、露光を行う際のステップと、照度むら、及び軸
上テレセン度等の光学性能を測る際にセンサ14を所望
の位置に移動させることができる。
Reference numeral 8 denotes a masking blade, which is a stop for limiting the size of the illumination area. Reference numeral 9 denotes an imaging lens, which uniformly illuminates the reticle surface by projecting the position of the masking blade 8 onto the reticle surface. Reference numeral 10 denotes a reticle as an original on which a pattern is written. The reticle 10 is projected by a projection optical system 11 onto a substrate coated with a photosensitive agent placed on an image plane 12 of the projection optical system. Reference numeral 13 denotes a stage, which can move the sensor 14 to a desired position when measuring a step at the time of performing exposure and optical performance such as uneven illuminance and on-axis telecentricity.

【0022】15は光路から露光量制御を行う為に光を
分岐する為のハーフミラーであり、16は露光量制御を
行う為に露光量を計測するセンサである。17はセンサ
14,16の出力に従い制御や演算を行うコンピュータ
である。20はランプステージであり、コンピュータ1
7からの命令に従ってランプ1を位置調整するために駆
動する。
Reference numeral 15 denotes a half mirror for splitting light for controlling the exposure amount from the optical path, and reference numeral 16 denotes a sensor for measuring the exposure amount for controlling the exposure amount. Reference numeral 17 denotes a computer that performs control and calculation according to the outputs of the sensors 14 and 16. Reference numeral 20 denotes a lamp stage, which is a computer 1
7 is driven to adjust the position of the lamp 1 in accordance with a command from the controller 7.

【0023】図2は図1に示す実施形態に係る露光装置
を用いて、軸上テレセン度を計測するようにしているこ
とを示す構成図である。軸上テレセン度を計測するに
は、投影光学系11の像面12と共役な位置の軸上にピ
ンホールをおき、像面12からデフォーカスした位置で
光強度分布を測ることにより、像面12での角度分布を
計測すればよい。
FIG. 2 is a configuration diagram showing that the on-axis telecentricity is measured using the exposure apparatus according to the embodiment shown in FIG. To measure the on-axis telecentricity, a pinhole is placed on an axis at a position conjugate to the image plane 12 of the projection optical system 11, and the light intensity distribution is measured at a position defocused from the image plane 12, thereby obtaining an image plane. The angle distribution at 12 may be measured.

【0024】図1に示す実施形態において軸上テレセン
度を計測する方法は、マスキングブレード8を絞って、
マスキングブレード8の面と共役な投影光学系11の像
面12にピンホールを形成し、ステージ13を光軸方向
に動かして、センサ14の位置を投影光学系11の像面
12からデフォーカスして、投影光学系11の像面12
からデフォーカスした場所での位置分布を計測する。位
置分布の計測はセンサ14を計測面で移動させて計測し
ても良いし、平面センサにより一括で計測しても良い。
センサ14で計測されたデータからコンピュータ17に
より光量重心をを計算し、軸上テレセン度を算出する。
In the embodiment shown in FIG. 1, the method of measuring the on-axis telecentricity is as follows.
A pinhole is formed on the image plane 12 of the projection optical system 11 conjugate with the surface of the masking blade 8, and the stage 13 is moved in the optical axis direction to defocus the sensor 14 from the image plane 12 of the projection optical system 11. The image plane 12 of the projection optical system 11
Measure the position distribution at the place defocused from. The position distribution may be measured by moving the sensor 14 on the measurement surface, or may be measured collectively by a flat sensor.
From the data measured by the sensor 14, the computer 17 calculates the center of gravity of the light quantity and calculates the on-axis telecentricity.

【0025】本発明の第1の実施形態に係るランプ位置
調整方法について、そのフローチャートを図7に示し、
以下において説明する。ランプ1が寿命に到達したり、
もしくは何らかの理由でランプ1を交換した場合、ステ
ップS1にて、図2に示した軸上テレセン度を計測する
形態に露光装置を駆動し、軸上テレセン度を計測する。
ステップS2では、計測された軸上テレセン度の値が規
格値内にあるか否かコンピュータ17により判断する。
この判断に基づいてステップS3では、コンピュータ1
7によりランプステージ20を制御して、軸上テレセン
度が良好になるようにランプ1の位置を調整する。計測
された軸上テレセン度の値が規格値内にあることが確認
されたら、ランプ位置調整終了となる。なお、光源とな
るランプ1の位置の調整は、軸上テレセン度を計測し
て、軸上テレセン度を追込むようにランプ1の位置を調
整しても良いし、ランプ1の交換時の位置再現性の範囲
でランプ1の位置を振って軸上テレセン度を計測し、最
も軸上テレセン度が良好であった位置にランプ1を調整
しても良い。このように光源位置を調整することによ
り、光源交換を行っても良好な軸上テレセン度で露光を
行うことができ、良好なミックスアンドマッチが行え
る。なお、投影レンズがカタディオ光学系や、オフナー
光学系などのように、軸外領域を結像領域として持つよ
うな場合には、軸上テレセン度の代わりに、照明領域の
中心を照明する照明光の光量重心を通る光線と光軸とが
なす角度を計測して光源位置を調整すればよい。その場
合、照明領域の中心を照明する照明光の光量重心を通る
光線と光軸とがなす角度を計測するには、照明領域の中
心にピンフォールを配置して、デフォーカスした位置で
位置分布を計測すればよい。
FIG. 7 is a flowchart showing the lamp position adjusting method according to the first embodiment of the present invention.
This will be described below. Lamp 1 reaches its end of life,
Alternatively, when the lamp 1 is replaced for some reason, in step S1, the exposure apparatus is driven to measure the on-axis telecentricity shown in FIG. 2 and the on-axial telecentricity is measured.
In step S2, the computer 17 determines whether or not the measured value of the on-axis telecentricity is within a standard value.
Based on this determination, in step S3, the computer 1
7, the lamp stage 20 is controlled to adjust the position of the lamp 1 so that the on-axis telecentricity becomes good. When it is confirmed that the measured value of the on-axis telecentricity is within the standard value, the lamp position adjustment ends. The position of the lamp 1 as a light source may be adjusted by measuring the on-axis telecentricity and adjusting the position of the lamp 1 so as to follow the on-axis telecentricity. The on-axis telecentricity may be measured by shaking the position of the lamp 1 within the reproducibility range, and the lamp 1 may be adjusted to a position where the on-axis telecentricity is the best. By adjusting the light source position in this manner, exposure can be performed with a good on-axis telecentricity even when the light source is replaced, and good mix and match can be performed. When the projection lens has an off-axis region as an imaging region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, the illumination light for illuminating the center of the illumination region is used instead of the on-axis telecentricity. The position of the light source may be adjusted by measuring the angle between the light axis passing through the center of gravity of the light quantity and the optical axis. In that case, to measure the angle between the light axis passing through the center of gravity and the optical axis of the amount of illumination light that illuminates the center of the illumination area, a pinfall is placed at the center of the illumination area, and the position distribution is determined at the defocused position. Should be measured.

【0026】(第2の実施形態)本発明の第2の実施形
態は、軸上テレセン度の発生理由が主に光軸に垂直な方
向の偏心によるものであることを利用して、光軸に垂直
な2方向で軸上テレセン度を追込み、光軸方向には照度
最大になるように調整するものである。本実施形態に係
るランプ位置調整方法のフローチャートを図8に示し、
以下において、本実施形態を説明する。ランプを交換し
た際には、まず第1の実施形態と同様に、ステップS1
にて軸上テレセン度を計測し、ステップS2では、計測
された軸上テレセン度の値が規格値内にあるか否かコン
ピュータ17により判断する。軸上テレセン度の値が規
格値内にない場合、ステップS4にて、良好な軸上テレ
セン度になる位置に、光軸に垂直な2方向にランプステ
ージ20を駆動してランプ位置調整をする。次に、軸上
テレセン度の値が規格値内にある場合、ステップS5に
て、マスキングブレード8を開き、ステージ13を駆動
してセンサ14を投影光学系11の像面12に配置し、
像面照度を計測する。ステップS6では、計測された像
面照度の値が最大照度か否か判断し、その判断結果に基
づいてコンピュータ17により最大像面照度になる位置
に、光軸方向にランプステージ20を駆動してランプ位
置制御(ステップS10)をする。ランプ位置制御によ
って、計測された像面照度の値が最大照度であることが
確認されると、ランプ位置調整終了となる。このように
光源位置を調整することにより、光源交換を行っても良
好な軸上テレセン度で露光を行うことができ、良好なミ
ックスアンドマッチを行うことができ、かつ最大像面照
度でスループットの高い露光が行える。なお、投影レン
ズがカタディオ光学系や、オフナー光学系などのよう
に、軸外領域を結像領域として持つような場合には、軸
上テレセン度の代わりに、照明領域の中心を照明する照
明光の光量重心を通る光線と光軸とがなす角度を計測し
て光源位置を調整すればよい。
(Second Embodiment) The second embodiment of the present invention utilizes the fact that the on-axis telecentricity occurs mainly due to the eccentricity in the direction perpendicular to the optical axis. The on-axis telecentricity is tracked in two directions perpendicular to the optical axis, and the illuminance is adjusted to be maximum in the optical axis direction. FIG. 8 shows a flowchart of the lamp position adjusting method according to the present embodiment,
Hereinafter, the present embodiment will be described. When the lamp is replaced, first, as in the first embodiment, step S1 is performed.
In step S2, the computer 17 determines whether or not the measured value of the on-axis telecentricity is within a standard value. If the value of the on-axis telecentricity is not within the standard value, the lamp position is adjusted by driving the lamp stage 20 in two directions perpendicular to the optical axis to a position where a good on-axis telecentricity is obtained in step S4. . Next, when the value of the on-axis telecentricity is within the standard value, in step S5, the masking blade 8 is opened, the stage 13 is driven, and the sensor 14 is arranged on the image plane 12 of the projection optical system 11,
Measure the image plane illuminance. In step S6, it is determined whether the measured value of the image plane illuminance is the maximum illuminance, and the computer 17 drives the lamp stage 20 in the optical axis direction to a position where the maximum image plane illuminance is obtained based on the determination result. The lamp position is controlled (step S10). When it is confirmed by the lamp position control that the value of the measured image plane illuminance is the maximum illuminance, the lamp position adjustment ends. By adjusting the light source position in this manner, exposure can be performed with good on-axis telecentricity even when the light source is replaced, good mix and match can be performed, and throughput can be improved with maximum image plane illuminance. High exposure can be performed. When the projection lens has an off-axis region as an imaging region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, the illumination light for illuminating the center of the illumination region is used instead of the on-axis telecentricity. The position of the light source may be adjusted by measuring the angle between the light axis passing through the center of gravity of the light quantity and the optical axis.

【0027】(第3の実施形態)本発明の第3の実施形
態は、軸上テレセン度の発生理由が主に光軸に垂直な方
向の偏心によるものであることを利用して、光軸に垂直
な2方向で軸上テレセン度を追込み、光軸方向には所望
の有効光源になるよう調整するものである。本実施形態
に係るランプ位置調整方法のフローチャートを図9に示
し、以下において本実施形態を説明する。ランプ1を交
換した際には、まず第1の実施形態と同様に、ステップ
S1にて、軸上テレセン度を計測し、ステップS2で
は、計測された軸上テレセン度の値が規格値内にあるか
否かコンピュータ17により判断する。軸上テレセン度
の値が規格値内にない場合、ステップS4にて、良好な
軸上テレセン度になる位置に、光軸に垂直な2方向にラ
ンプステージ20を駆動してランプ位置調整をする。軸
上テレセン度の値が規格値内にある場合、ステップS8
で有効光源分布の計測を行う。有効光源分布は軸上テレ
セン度の計測と同様に、像面での角度分布を計ることに
より計測できる。軸上テレセン度は光量分布の重心によ
り求まるが、例えば、実効σが所望の値であれば、光量
分布のモーメントを計算することにより求まる。本実施
形態では、計測された像面での角度分布が所望の分布に
合致しているか否か判断(ステップS9)し、コンピュ
ータ17により所定の演算を行い、その演算結果が所望
の値になるように、光軸方向にランプステージ20を駆
動してランプ位置制御(ステップS10)をする。
(Third Embodiment) A third embodiment of the present invention utilizes the fact that the on-axis telecentricity is generated mainly by eccentricity in a direction perpendicular to the optical axis. In this case, the on-axis telecentricity is tracked in two directions perpendicular to the optical axis, and adjustment is made in the optical axis direction so as to provide a desired effective light source. FIG. 9 shows a flowchart of the lamp position adjusting method according to the present embodiment, and the present embodiment will be described below. When the lamp 1 is replaced, first, the axial telecentricity is measured in step S1 as in the first embodiment, and the measured value of the axial telecentricity is set within the standard value in step S2. It is determined by the computer 17 whether or not there is. If the value of the on-axis telecentricity is not within the standard value, the lamp position is adjusted by driving the lamp stage 20 in two directions perpendicular to the optical axis to a position where a good on-axis telecentricity is obtained in step S4. . If the value of the on-axis telecentricity is within the standard value, step S8
To measure the effective light source distribution. The effective light source distribution can be measured by measuring the angular distribution on the image plane, similarly to the measurement of the on-axis telecentricity. The on-axis telecentricity is obtained from the center of gravity of the light amount distribution. For example, if the effective σ is a desired value, it is obtained by calculating the moment of the light amount distribution. In the present embodiment, it is determined whether or not the measured angular distribution on the image plane matches a desired distribution (step S9), and a predetermined operation is performed by the computer 17, and the operation result becomes a desired value. Thus, the lamp position is controlled (step S10) by driving the lamp stage 20 in the optical axis direction.

【0028】例えば、実効σが所望の値になるようにす
るには、角度分布からモーメントを計算し、モーメント
が所望の値になるように光軸方向にランプステージを駆
動する。演算結果が所望の値になり所望の分布を得たこ
とが確認されたら、ランプ位置調整終了となる。
For example, in order to set the effective σ to a desired value, a moment is calculated from the angular distribution, and the lamp stage is driven in the optical axis direction so that the moment becomes the desired value. When it is confirmed that the calculation result has a desired value and a desired distribution has been obtained, the lamp position adjustment ends.

【0029】本実施形態のように光源位置を調整するこ
とにより、光源交換を行っても良好な軸上テレセン度で
露光を行うことができ、良好なミックスアンドマッチが
行えて、かつ所望の有効光源分布にて露光が行えるの
で、安定した像性能が得られる。なお、有効光源分布の
計測は、投影光学系の瞳面の光強度分布を計測すること
によって計測しても良い。なお、投影レンズがカタディ
オ光学系や、オフナー光学系などのように、軸外領域を
結像領域として持つような場合には、軸上テレセン度の
代わりに、照明領域の中心を照明する照明光の光量重心
を通る光線と光軸とがなす角度を計測して光源位置を調
整すればよい。
By adjusting the position of the light source as in this embodiment, exposure can be performed with a good on-axis telecentricity even when the light source is exchanged, a good mix-and-match can be performed, and a desired effective Since exposure can be performed with a light source distribution, stable image performance can be obtained. The effective light source distribution may be measured by measuring the light intensity distribution on the pupil plane of the projection optical system. When the projection lens has an off-axis region as an imaging region, such as a catadio optical system or an Offner optical system, the illumination light for illuminating the center of the illumination region is used instead of the on-axis telecentricity. The position of the light source may be adjusted by measuring the angle between the light axis passing through the center of gravity of the light quantity and the optical axis.

【0030】図6は図2で説明した像面での角度分布の
計測方法と異なる計測方法を示す図である。図2に示し
た計測方法と異なるのは、ステージ13がデフォーカス
するのではなく、投影光学系11の物体面からデフォー
カスした位置にピンホールを形成し、投影光学系11の
像面12の光強度分布を計測して角度分布を計測するこ
とである。投影光学系11の物体面からデフォーカスし
た位置のピンホールの共役面は投影光学系11の像面
(基板の位置)からずれるため、基板上からデフォーカ
スした位置にピンホールが結像し、基板上の光強度の位
置分布を計測すれば、ピンホールの位置の角度分布が計
測できる。位置分布の計測はセンサ14を計測面で移動
させて計測しても良いし、平面センサにより一括で計測
しても良い。投影光学系の物体面からデフォーカスした
位置にピンホールを形成する方法としては、ピンホール
レチクルをレチクルステージに載せレチクルステージを
光軸方向に駆動することによって形成しても良いし、レ
チクルステージをデフォーカスさせずに、ピンホールレ
チクルを裏返すことにより、パターン面を投影光学系の
物体面からデフォーカスさせても良い。また、同様の効
果を得る工具絞りを上記デフォーカスした位置に挿入で
きるように構成しても良い。
FIG. 6 is a view showing a measurement method different from the method of measuring the angle distribution on the image plane described with reference to FIG. The difference from the measurement method shown in FIG. 2 is that the stage 13 is not defocused, but a pinhole is formed at a position defocused from the object plane of the projection optical system 11, and the image plane 12 of the projection optical system 11 is defocused. This is to measure the angle distribution by measuring the light intensity distribution. Since the conjugate plane of the pinhole at the position defocused from the object plane of the projection optical system 11 deviates from the image plane (substrate position) of the projection optical system 11, the pinhole forms an image at the defocused position from above the substrate, If the position distribution of the light intensity on the substrate is measured, the angle distribution of the position of the pinhole can be measured. The position distribution may be measured by moving the sensor 14 on the measurement surface, or may be measured collectively by a flat sensor. As a method of forming a pinhole at a position defocused from the object plane of the projection optical system, the pinhole reticle may be formed by placing the reticle on a reticle stage and driving the reticle stage in the optical axis direction. The pattern surface may be defocused from the object surface of the projection optical system by turning over the pinhole reticle without defocusing. Further, a configuration may be adopted in which a tool aperture having the same effect can be inserted into the defocused position.

【0031】なお、照明光学系の構成については、本発
明に対して本質的ではなく、光源からの光を利用して露
光を行う露光装置において、光源の位置調整を軸上テレ
セン度もしくは、照明領域の中心を照明する照明光の光
量重心を通る光線と光軸とがなす角度を見ながら行え
ば、それは本発明の技術的範囲内である。
The configuration of the illumination optical system is not essential to the present invention. In an exposure apparatus that performs exposure using light from a light source, the position of the light source is adjusted on-axis telecentricity or illumination. It is within the technical scope of the present invention if it is performed while observing the angle formed by the light axis passing through the center of gravity of the light and the optical axis of the illumination light illuminating the center of the area.

【0032】また、本発明に係る露光装置またはその光
源位置調整方法は、上述の実施形態の説明において、自
動で光源を位置調整する例を使用したが、自動でなく、
手動でランプステージ20を駆動してもよいし、コンピ
ュータ17による自動調整ではなくオペレータが測定結
果に基づいてランプ1の位置を調整しても良い。
Further, in the exposure apparatus or the light source position adjusting method according to the present invention, an example in which the position of the light source is automatically adjusted is used in the description of the above-described embodiment.
The lamp stage 20 may be driven manually, or an operator may adjust the position of the lamp 1 based on the measurement result instead of the automatic adjustment by the computer 17.

【0033】(半導体生産システムの実施形態)次に、
本発明に係る露光装置またはその光源位置調整方法を用
いた半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、
液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等)の生産システムの例を説明する。これは半導体製造
工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテ
ナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービス
を、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して
行うものである。
(Embodiment of Semiconductor Production System)
A semiconductor device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI) using the exposure apparatus or the light source position adjusting method thereof according to the present invention.
An example of a production system for a liquid crystal panel, a CCD, a thin-film magnetic head, a micromachine, and the like will be described. In this system, maintenance services such as troubleshooting and periodic maintenance of a manufacturing apparatus installed in a semiconductor manufacturing factory or provision of software are performed using a computer network outside the manufacturing factory.

【0034】図10は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、101は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査
装置等)を想定している。事業所101内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム1
08、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム
108は、LAN109を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット105に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。
FIG. 10 shows the entire system cut out from a certain angle. In the figure, reference numeral 101 denotes a business establishment of a vendor (apparatus supply maker) that provides a semiconductor device manufacturing apparatus. Examples of manufacturing equipment include semiconductor manufacturing equipment for various processes used in a semiconductor manufacturing plant, such as pre-processing equipment (lithography equipment such as exposure equipment, resist processing equipment, etching equipment, heat treatment equipment, film formation equipment, flattening equipment, etc.). Equipment and post-process equipment (assembly equipment, inspection equipment, etc.). A host management system 1 that provides a maintenance database for manufacturing equipment in the business office 101
08, a plurality of operation terminal computers 110, and a local area network (LAN) 109 connecting these to construct an intranet or the like. The host management system 108 has a gateway for connecting the LAN 109 to the Internet 105, which is an external network of the office, and a security function for restricting external access.

【0035】一方、102〜104は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良
い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装
置106と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各
製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム107とが設けられている。各工場1
02〜104に設けられたホスト管理システム107
は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワーク
であるインターネット105に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のLAN111からイ
ンターネット105を介してベンダ101側のホスト管
理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム108のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット105を介して、各製造装置106の稼
動状況を示すステータス情報(例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
102〜104とベンダ101との間のデータ通信およ
び各工場内のLAN111でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル(T
CP/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク(ISDNなど)を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。
On the other hand, reference numerals 102 to 104 denote manufacturing factories of semiconductor manufacturers as users of the manufacturing apparatus. The manufacturing factories 102 to 104 may be factories belonging to different manufacturers or factories belonging to the same manufacturer (for example, a factory for a pre-process, a factory for a post-process, etc.). In each of the factories 102 to 104, a plurality of manufacturing apparatuses 106, a local area network (LAN) 111 connecting them to construct an intranet or the like, and a host as a monitoring apparatus for monitoring the operation status of each manufacturing apparatus 106 are provided. A management system 107 is provided. Each factory 1
Host management system 107 provided in the storage system 02 to 104
Has a gateway for connecting the LAN 111 in each factory to the Internet 105 which is an external network of the factory. As a result, access to the host management system 108 on the vendor 101 side from the LAN 111 of each factory via the Internet 105 is possible, and access is allowed only to limited users by the security function of the host management system 108. In particular,
Via the Internet 105, status information indicating the operation status of each manufacturing apparatus 106 (for example, the symptom of the manufacturing apparatus in which a trouble has occurred) is notified from the factory side to the vendor side, and response information corresponding to the notification (for example, (Information indicating how to cope with a trouble, software and data for coping), and maintenance information such as the latest software and help information can be received from the vendor. For data communication between each of the factories 102 to 104 and the vendor 101 and data communication with the LAN 111 in each of the factories, a communication protocol (T
CP / IP) is used. Instead of using the Internet as an external network outside the factory, it is also possible to use a dedicated line network (such as ISDN) that cannot be accessed by a third party and has high security. Further, the host management system is not limited to the one provided by the vendor, and a user may construct a database and place it on an external network, and permit access from a plurality of factories of the user to the database.

【0036】さて、図11は本実施形態の全体システム
を図10とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ
(半導体デバイス製造メーカ)の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置202、レジスト処理装置203、
成膜処理装置204が導入されている。なお図11では
製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はLAN206で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理
がされている。
FIG. 11 is a conceptual diagram showing the entire system according to the present embodiment cut out from a different angle from FIG. In the above example, a plurality of user factories each having a manufacturing device and a management system of a vendor of the manufacturing device are connected via an external network, and the production management of each factory and at least one device are connected via the external network. The data of the manufacturing apparatus was communicated. On the other hand, in this example, a factory equipped with manufacturing equipment of a plurality of vendors is connected to a management system of each of the plurality of manufacturing equipments via an external network outside the factory, and maintenance information of each manufacturing equipment is stored. It is for data communication. In the figure, reference numeral 201 denotes a manufacturing plant of a manufacturing apparatus user (semiconductor device manufacturer), and a manufacturing line for performing various processes, for example, an exposure apparatus 202, a resist processing apparatus 203;
A film forming apparatus 204 is introduced. Although only one manufacturing factory 201 is illustrated in FIG. 11, a plurality of factories are actually networked similarly. Each device in the factory is connected by a LAN 206 to form an intranet, and the host management system 205 manages the operation of the production line.

【0037】一方、露光装置メーカ210、レジスト処
理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ
(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム21
1,221,231を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム205と、各装置のベンダの管理システム2
11,221,231とは、外部ネットワーク200で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット200を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。
On the other hand, each business establishment of a vendor (apparatus maker) such as an exposure apparatus maker 210, a resist processing apparatus maker 220, and a film forming apparatus maker 230 has a host management system 21 for remote maintenance of the supplied equipment.
1, 211, and 231 which include a maintenance database and an external network gateway as described above. A host management system 205 for managing each device in the user's manufacturing plant, and a vendor management system 2 for each device
11, 221, and 231 are connected by the Internet or a dedicated line network which is the external network 200. In this system, if a trouble occurs in any of a series of manufacturing equipment on the manufacturing line,
Although the operation of the production line is paused, quick response is possible by receiving remote maintenance via the Internet 200 from the vendor of the troubled device, and the suspension of the production line can be minimized. .

【0038】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図12に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種401、シリアルナンバー402、トラブルの件名4
03、発生日404、緊急度405、症状406、対処
法407、経過408等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能410〜
412を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。
Each of the manufacturing apparatuses installed in the semiconductor manufacturing factory has a display, a network interface, and a computer that executes network access software and apparatus operation software stored in a storage device. The storage device is a built-in memory, a hard disk, a network file server, or the like. The network access software includes a dedicated or general-purpose web browser, and provides, for example, a user interface having a screen as shown in FIG. 12 on a display. The operator who manages the manufacturing equipment at each factory refers to the screen and refers to the manufacturing equipment model 401, the serial number 402, the trouble subject 4
03, date of occurrence 404, degree of urgency 405, symptom 406, coping method 407, progress 408, and other information are input to input items on the screen. The input information is transmitted to the maintenance database via the Internet, and the resulting appropriate maintenance information is returned from the maintenance database and presented on the display. Further, the user interface provided by the web browser further includes a hyperlink function 410 as shown in the figure.
412, the operator can access more detailed information of each item, extract the latest version of software used for manufacturing equipment from the software library provided by the vendor, and operate the operation guide (help Information). Here, the maintenance information provided by the maintenance database includes the information on the present invention described above, and the software library also provides the latest software for realizing the present invention.

【0039】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図13は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3
(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ
4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンデ
ィング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立
て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
Next, a semiconductor device manufacturing process using the above-described production system will be described. FIG. 13 shows a flow of the entire semiconductor device manufacturing process.
In step 1 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design. Step 3
In (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and assembly such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). Process. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7). The pre-process and the post-process are performed in separate dedicated factories, and maintenance is performed for each of these factories by the above-described remote maintenance system. Further, information for production management and apparatus maintenance is also communicated between the pre-process factory and the post-process factory via the Internet or a dedicated line network.

【0040】図14は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステッ
プ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
FIG. 14 shows a detailed flow of the wafer process. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 1
In 5 (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Since the manufacturing equipment used in each process is maintained by the remote maintenance system described above, troubles can be prevented beforehand, and if troubles occur, quick recovery is possible. Can be improved in productivity.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明に従って光源の位置を調整すれ
ば、光源の交換を行っても、軸上テレセン度が良好であ
り、良好なミックスアンドマッチが得られる。
By adjusting the position of the light source according to the present invention, the on-axis telecentricity is good and a good mix-and-match can be obtained even if the light source is replaced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態に係る露光装置を示す構成
図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態において軸上テレセン度の
計測方法を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of measuring the on-axis telecentricity in the embodiment of the present invention.

【図3】 基板に段差がある場合に非テレセン光を入射
させた場合の光線図である。
FIG. 3 is a ray diagram in a case where non-telecene light is incident when a substrate has a step.

【図4】 レチクルパターンと図3の状態での転写パタ
ーンを示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a reticle pattern and a transfer pattern in the state of FIG. 3;

【図5】 基板に段差がある場合にテレセン光を入射さ
せた場合の光線図である。
FIG. 5 is a ray diagram in a case where telecentric light is incident when a substrate has a step.

【図6】 本発明の実施形態において図2と異なる軸上
テレセン度の計測方法を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a method of measuring the on-axis telecentricity different from FIG. 2 in the embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の第1の実施形態におけるフローチャ
ートを示す。
FIG. 7 shows a flowchart according to the first embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第2の実施形態におけるフローチャ
ートを示す。
FIG. 8 shows a flowchart in the second embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の第3の実施形態におけるフローチャ
ートを示す。
FIG. 9 shows a flowchart in the third embodiment of the present invention.

【図10】 本発明に係る露光装置またはその光源位置
調整方法を用いた半導体デバイスの生産システムをある
角度から見た概念図である。
FIG. 10 is a conceptual view of a semiconductor device production system using an exposure apparatus or a light source position adjusting method according to the present invention as viewed from a certain angle.

【図11】 本発明に係る露光装置またはその光源位置
調整方法を用いた半導体デバイスの生産システムを別の
角度から見た概念図である。
FIG. 11 is a conceptual diagram of a semiconductor device production system using the exposure apparatus or the light source position adjusting method according to the present invention as viewed from another angle.

【図12】 ユーザインタフェースの具体例である。FIG. 12 is a specific example of a user interface.

【図13】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a flow of a device manufacturing process.

【図14】 ウエハプロセスを説明する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a wafer process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:ランプ(光源)、3:シャッタ、6:フライアイレ
ンズ、8:マスキングブレード、10:レチクル、1
1:投影光学系、12:像面、13:ステージ、14:
センサ(第1の計測手段を構成する)、16:(第2の
計測手段を構成する)、17:コンピュータ、20:ラ
ンプステージ、CL:照明光の光量重心を通る光線、1
01:ベンダの事業所、102,103,104:製造
工場、105:インターネット、106:製造装置、1
07:工場のホスト管理システム、108:ベンダ側の
ホスト管理システム、109:ベンダ側のローカルエリ
アネットワーク(LAN)、110:操作端末コンピュ
ータ、111:工場のローカルエリアネットワーク(L
AN)、200:外部ネットワーク、201:製造装置
ユーザの製造工場、202:露光装置、203:レジス
ト処理装置、204:成膜処理装置、205:工場のホ
スト管理システム、206:工場のローカルエリアネッ
トワーク(LAN)、210:露光装置メーカ、21
1:露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、2
20:レジスト処理装置メーカ、221:レジスト処理
装置メーカの事業所のホスト管理システム、230:成
膜装置メーカ、231:成膜装置メーカの事業所のホス
ト管理システム、401:製造装置の機種、402:シ
リアルナンバー、403:トラブルの件名、404:発
生日、405:緊急度、406:症状、407:対処
法、408:経過、410,411,412:ハイパー
リンク機能。
1: lamp (light source), 3: shutter, 6: fly-eye lens, 8: masking blade, 10: reticle, 1
1: Projection optical system, 12: Image plane, 13: Stage, 14:
Sensor (constituting first measuring means), 16: (constituting second measuring means), 17: computer, 20: lamp stage, CL: light amount of illumination light passing through center of gravity, 1
01: Vendor's office, 102, 103, 104: Manufacturing factory, 105: Internet, 106: Manufacturing equipment, 1
07: factory host management system, 108: vendor host management system, 109: vendor local area network (LAN), 110: operation terminal computer, 111: factory local area network (L)
AN), 200: external network, 201: manufacturing apparatus user's manufacturing factory, 202: exposure apparatus, 203: resist processing apparatus, 204: film formation processing apparatus, 205: factory host management system, 206: factory local area network (LAN), 210: exposure apparatus maker, 21
1: a host management system for an office of an exposure apparatus maker;
20: resist processing equipment maker, 221: host management system of a business of the resist processing equipment maker, 230: film forming equipment maker, 231: host management system of the business establishment of the film forming equipment maker, 401: model of manufacturing equipment, 402 : Serial number, 403: trouble subject, 404: date of occurrence, 405: urgency, 406: symptom, 407: remedy, 408: progress, 410, 411, 412: hyperlink function.

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置におい
て、上記投影光学系の像面において光軸上もしくは照明
領域の中心を照明する照明光の光量重心を通る光線と上
記光軸とがなす角度を計測する手段と、上記光源を互い
に直交する3軸方向に移動させる光源位置調整手段とを
備え、上記角度を計測する手段の計測結果に基づいて、
上記光源位置調整手段により上記光源を少なくとも2軸
方向に移動させることを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus for illuminating an original on which a pattern is drawn using light generated from a light source and projecting the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. Means for measuring an angle between a light ray passing through the center of gravity of the illumination light on the optical axis or the center of the illumination area on the image plane and the optical axis, and a light source for moving the light source in three orthogonal directions orthogonal to each other Comprising a position adjusting means, based on a measurement result of the means for measuring the angle,
An exposure apparatus, wherein the light source is moved in at least two axial directions by the light source position adjusting means.
【請求項2】 光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置におい
て、上記投影光学系の像面において光軸上もしくは照明
領域の中心を照明する照明光の光量重心を通る光線と上
記光軸とがなす角度を計測する第1の計測手段と、上記
基板上の照度を計測する第2の計測手段と、上記光源を
互いに直交する3軸方向に移動させる光源位置調整手段
とを備え、該光源位置調整手段が、第1の計測手段の計
測結果に基づいて上記光源を上記光軸と直交する2軸方
向に移動させ、第2の計測手段の計測結果に基づいて上
記光源を光軸方向に移動させるものであることを特徴と
する露光装置。
2. An exposure apparatus for illuminating an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projecting the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. A first measuring means for measuring an angle between a light ray passing through the center of gravity of the illumination light on the optical axis or the center of the illumination area on the image plane and the optical axis; and a second measuring means for measuring the illuminance on the substrate. And a light source position adjusting means for moving the light source in three axial directions orthogonal to each other, the light source position adjusting means moving the light source to the optical axis based on the measurement result of the first measuring means. An exposure apparatus for moving the light source in the optical axis direction based on the measurement result of the second measurement means.
【請求項3】 光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置におい
て、上記投影光学系の像面において光軸上もしくは照明
領域の中心を照明する照明光の光量重心を通る光線と上
記光軸とがなす角度を計測する第1の計測手段と、上記
投影光学系の瞳面上の有効光源分布を計測する第2の計
測手段と、上記光源を互いに直交する3軸方向に移動さ
せる光源位置調整手段とを備え、該光源位置調整手段
が、第1の計測手段の計測結果に基づいて上記光源を上
記光軸と直交する2軸方向に移動させ、第2の計測手段
の計測結果に基づいて上記光源を光軸方向に移動させる
ものであることを特徴とする露光装置。
3. An exposure apparatus for illuminating an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projecting the pattern on a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. First measuring means for measuring an angle between a light ray passing through the center of gravity of the illumination light and the optical axis on the optical axis or the center of the illumination area on the image plane of the projection optical system; A second measuring unit for measuring an effective light source distribution; and a light source position adjusting unit for moving the light source in three orthogonal directions, wherein the light source position adjusting unit is configured to perform a measurement based on a measurement result of the first measuring unit. An exposure apparatus for moving the light source in two axial directions orthogonal to the optical axis, and moving the light source in the optical axis direction based on the measurement result of the second measuring means.
【請求項4】 光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置の光源
位置調整方法において、上記投影光学系の像面において
光軸上もしくは照明領域の中心を照明する照明光の光量
重心を通る光線と上記光軸とがなす角度を計測し、該角
度の計測結果に基づいて、上記光源を少なくとも2軸方
向に移動させて光源位置を調整することを特徴とする露
光装置の光源位置調整方法。
4. A method for adjusting the position of a light source in an exposure apparatus, which illuminates an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projects the pattern on a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. Measuring the angle between a light ray passing through the center of gravity of the amount of illumination light on the optical axis or the center of the illumination area on the image plane of the projection optical system and the optical axis, and based on the measurement result of the angle, A light source position adjusting method for an exposure apparatus, wherein the light source position is adjusted by moving the light source in at least two axial directions.
【請求項5】 光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置の光源
位置調整方法において、上記投影光学系の像面において
光軸上もしくは照明領域の中心を照明する照明光の光量
重心を通る光線と上記光軸とがなす角度を計測するとと
もに、上記基板上の照度を計測し、上記角度の計測結果
に基づいて上記光源を上記光軸と直交する2軸方向に移
動させ、上記基板上の照度の計測結果に基づいて上記光
源を光軸方向に移動させて光源位置を調整することを特
徴とする露光装置の光源位置調整方法。
5. A light source position adjusting method for an exposure apparatus, which illuminates an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projects the pattern onto a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. Measuring the angle between the optical axis and the light passing through the center of gravity of the amount of illumination light on the optical axis or the center of the illumination area on the image plane of the projection optical system, and measuring the illuminance on the substrate, The light source is moved in two axis directions orthogonal to the optical axis based on the measurement result of the angle, and the light source is moved in the optical axis direction based on the measurement result of the illuminance on the substrate to adjust the light source position. A method for adjusting the position of a light source in an exposure apparatus.
【請求項6】 光源から発生した光を用いて、パターン
の描かれた原版を照明し、投影光学系により該パターン
を感光剤の塗布された基板上に投影する露光装置の光源
位置調整方法において、上記投影光学系の像面において
光軸上もしくは照明領域の中心を照明する照明光の光量
重心を通る光線と上記光軸とがなす角度を計測するとと
もに、上記投影光学系の瞳面上の有効光源分布を計測
し、上記角度の計測結果に基づいて上記光源を上記光軸
と直交する2軸方向に移動させ、上記有効光源分布の計
測結果に基づいて上記光源を光軸方向に移動させて光源
位置を調整することを特徴とする露光装置の光源位置調
整方法。
6. A light source position adjusting method for an exposure apparatus, which illuminates an original on which a pattern is drawn by using light generated from a light source and projects the pattern on a substrate coated with a photosensitive agent by a projection optical system. Measuring the angle between the optical axis and the light passing through the center of gravity of the amount of illumination light on the optical axis or the center of the illumination area on the image plane of the projection optical system, and on the pupil plane of the projection optical system. The effective light source distribution is measured, and the light source is moved in two axial directions orthogonal to the optical axis based on the measurement result of the angle, and the light source is moved in the optical axis direction based on the measurement result of the effective light source distribution. A light source position adjustment method for an exposure apparatus, comprising:
【請求項7】 上記光量重心を通る光線が上記光軸と平
行になる位置に上記光源の位置を調整することを特徴と
する請求項4〜6のいずれかに記載の露光装置の光源位
置調整方法。
7. The light source position adjustment of the exposure apparatus according to claim 4, wherein the position of the light source is adjusted to a position where a light beam passing through the light quantity gravity center becomes parallel to the optical axis. Method.
【請求項8】 上記像面の照度の計測値が最大になる位
置に上記光源の位置を調整することを特徴とする請求項
5に記載の露光装置の光源位置調整方法。
8. The method according to claim 5, wherein the position of the light source is adjusted to a position where the measured value of the illuminance on the image plane is maximized.
【請求項9】 上記有効光源分布が所望の分布になる位
置に上記光源の位置を調整することを特徴とする請求項
6に記載の露光装置の光源位置調整方法。
9. The method according to claim 6, wherein the position of the light source is adjusted to a position where the effective light source distribution becomes a desired distribution.
【請求項10】 請求項4〜9のいずれかに記載の露光
装置の光源位置調整方法を用いてデバイスを製造するこ
とを特徴とする半導体デバイス製造方法。
10. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising manufacturing a device using the light source position adjusting method for an exposure apparatus according to claim 4. Description:
【請求項11】 請求項1〜3のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工
場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロ
セスによって半導体デバイスを製造する工程とを有する
ことを特徴とする半導体デバイス製造方法。
11. A step of installing a manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 1 in a semiconductor manufacturing factory, and a semiconductor device by a plurality of processes using the manufacturing apparatus group. Manufacturing a semiconductor device.
【請求項12】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも1台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項11に記載の半導体デバイス製造方法。
12. A step of connecting the manufacturing equipment group via a local area network, and data communication between at least one of the manufacturing equipment group between the local area network and an external network outside the semiconductor manufacturing plant. 12. The method according to claim 11, further comprising the step of:
【請求項13】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項12
に記載の半導体デバイス製造方法。
13. A semiconductor manufacturing factory different from the semiconductor manufacturing factory by accessing a database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus via the external network to obtain maintenance information of the manufacturing apparatus by data communication. 13. The production management is performed by performing data communication between the device and the external network.
3. The method for manufacturing a semiconductor device according to item 1.
【請求項14】 請求項1〜3のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも1台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
14. A manufacturing apparatus group for various processes including the exposure apparatus according to claim 1, a local area network connecting the manufacturing apparatus group, and an external device outside the factory from the local area network. A semiconductor manufacturing plant, comprising: a gateway enabling access to a network; and capable of performing data communication of information on at least one of the manufacturing apparatus groups.
【請求項15】 半導体製造工場に設置された請求項1
〜3のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装
置の保守方法。
15. The semiconductor device according to claim 1, which is installed in a semiconductor manufacturing plant.
4. The maintenance method for an exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
A step of providing a maintenance database connected to an external network of a semiconductor manufacturing plant by a vendor or a user of the exposure apparatus, and a step of permitting access to the maintenance database from the inside of the semiconductor manufacturing plant via the external network. Transmitting the maintenance information stored in the maintenance database to the semiconductor manufacturing factory via the external network.
【請求項16】 請求項1〜3のいずれかに記載の露光
装置において、ディスプレイと、ネットワークインタフ
ェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコン
ピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピ
ュータネットワークを介してデータ通信することを可能
にしたことを特徴とする露光装置。
16. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising a display, a network interface, and a computer that executes network software, and stores maintenance information of the exposure apparatus via a computer network. An exposure apparatus characterized in that data communication can be performed by using the same.
【請求項17】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項16に記載の露光装
置。
17. The network software,
Provided on the display is a user interface for accessing a maintenance database provided by a vendor or a user of the exposure apparatus connected to an external network of a factory where the exposure apparatus is installed, and from the database via the external network. The exposure apparatus according to claim 16, wherein information can be obtained.
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