JP2002222711A - 平面磁気素子 - Google Patents
平面磁気素子Info
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- JP2002222711A JP2002222711A JP2001015674A JP2001015674A JP2002222711A JP 2002222711 A JP2002222711 A JP 2002222711A JP 2001015674 A JP2001015674 A JP 2001015674A JP 2001015674 A JP2001015674 A JP 2001015674A JP 2002222711 A JP2002222711 A JP 2002222711A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板１１上に設けられた第１のフェライト磁
性膜１２と、平面コイル１３と、平面コイルの上に設け
られた第２のフェライト磁性膜１４と、外部電極１５を
前記第２のフェライト磁性膜上に有する平面磁気素子１
０において、フェライト磁性膜と基板との密着力が弱
く、剥離しやすいという問題があった。 【解決手段】 第２のフェライト磁性膜１４が第１のフ
ェライト磁生膜１２の周端面を被覆すると共に、第２の
フェライト磁性膜１４を基板１１と接着した。
性膜１２と、平面コイル１３と、平面コイルの上に設け
られた第２のフェライト磁性膜１４と、外部電極１５を
前記第２のフェライト磁性膜上に有する平面磁気素子１
０において、フェライト磁性膜と基板との密着力が弱
く、剥離しやすいという問題があった。 【解決手段】 第２のフェライト磁性膜１４が第１のフ
ェライト磁生膜１２の周端面を被覆すると共に、第２の
フェライト磁性膜１４を基板１１と接着した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面磁気素子に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話やノート型パソコンなど
のような、電池で駆動される携帯機器の利用が進んでい
る。これらの携帯機器に対しては、従来からさらなる小
型・軽量化の要求がある。最近はこれに加えて、マルチ
メディア化への対応、すなわち、通信機能や表示機能の
充実、あるいは画像データを含んだ大量情報の高速処理
化など高機能が求められている。これに伴い、電池から
の単一電圧を、ＣＰＵ、ＬＣＤモジュール、通信用パワ
ーアンプなどの様々な搭載デバイスが必要とする各々の
電圧レベルに変換できる電源の需要が増加してきた。そ
こで、携帯機器の小型・軽量化と高機能を両立させるた
めに、電源に搭載されるトランス、インダクタなどの磁
気素子の小型・薄型化を進めることが重要な課題となっ
ている。
のような、電池で駆動される携帯機器の利用が進んでい
る。これらの携帯機器に対しては、従来からさらなる小
型・軽量化の要求がある。最近はこれに加えて、マルチ
メディア化への対応、すなわち、通信機能や表示機能の
充実、あるいは画像データを含んだ大量情報の高速処理
化など高機能が求められている。これに伴い、電池から
の単一電圧を、ＣＰＵ、ＬＣＤモジュール、通信用パワ
ーアンプなどの様々な搭載デバイスが必要とする各々の
電圧レベルに変換できる電源の需要が増加してきた。そ
こで、携帯機器の小型・軽量化と高機能を両立させるた
めに、電源に搭載されるトランス、インダクタなどの磁
気素子の小型・薄型化を進めることが重要な課題となっ
ている。
【０００３】さらに小型・軽量化を図るためＳｉ基板上
に、金属磁性膜層／絶縁層／平面コイル層／絶縁層／金
属磁性膜層で構成された平面インダクタが、例えば、日
本応用磁気学会誌２０（１９９６）９２２頁や特開平４
−３６３００６号公報に開示されている。
に、金属磁性膜層／絶縁層／平面コイル層／絶縁層／金
属磁性膜層で構成された平面インダクタが、例えば、日
本応用磁気学会誌２０（１９９６）９２２頁や特開平４
−３６３００６号公報に開示されている。
【０００４】これら従来の平面インダクタは製造コスト
と特性の面からの問題点がある。すなわち、平面インダ
クタは、６〜７μｍの金属磁性膜をスパッタ法などで成
膜することと、金属磁性膜と平面コイルの間に絶縁層を
形成する必要があることで、従来の磁気素子に対して、
コストアップが避けられないのである。
と特性の面からの問題点がある。すなわち、平面インダ
クタは、６〜７μｍの金属磁性膜をスパッタ法などで成
膜することと、金属磁性膜と平面コイルの間に絶縁層を
形成する必要があることで、従来の磁気素子に対して、
コストアップが避けられないのである。
【０００５】特性上の課題は以下の通りである。平面イ
ンダクタはＭＨｚ帯域の高周波で駆動されるため、電気
的に導体である金属磁性膜内部での渦電流の発生により
鉄損が増大する。また、上下金属磁性膜がわずかな非磁
性空間を介して対峙しているため、垂直交番磁束が平面
コイルに鎖交し、渦電流が発生することによって損失が
増大するという特性上の課題がある。前者に対しては、
金属磁性膜と同一の平面に高抵抗領域を形成して渦電流
を細分化すること（特開平６−７７０５号公報）、後者
に対しては、平面コイル導体を複数に分割した導体ライ
ンにすること（特開平９−１３４８２０号公報）によっ
て特性改善の対策をとっているが十分とはいえない。
ンダクタはＭＨｚ帯域の高周波で駆動されるため、電気
的に導体である金属磁性膜内部での渦電流の発生により
鉄損が増大する。また、上下金属磁性膜がわずかな非磁
性空間を介して対峙しているため、垂直交番磁束が平面
コイルに鎖交し、渦電流が発生することによって損失が
増大するという特性上の課題がある。前者に対しては、
金属磁性膜と同一の平面に高抵抗領域を形成して渦電流
を細分化すること（特開平６−７７０５号公報）、後者
に対しては、平面コイル導体を複数に分割した導体ライ
ンにすること（特開平９−１３４８２０号公報）によっ
て特性改善の対策をとっているが十分とはいえない。
【０００６】これらを解決するために、金属磁性膜の代
わりに印刷法やシート法で形成したフェライト磁性膜を
用いた平面型磁気素子が特開平１１−２６２３９号公報
に開示されている。これはフェライト粉にバインダを混
ぜた磁性ペーストをＳｉ基板上に印刷、焼成することに
よって高抵抗のフェライト磁性膜を形成し、この膜上に
コイルパターンをメッキ法などで形成した後、さらにそ
の上に磁性膜を構成して磁気素子とするものである。
わりに印刷法やシート法で形成したフェライト磁性膜を
用いた平面型磁気素子が特開平１１−２６２３９号公報
に開示されている。これはフェライト粉にバインダを混
ぜた磁性ペーストをＳｉ基板上に印刷、焼成することに
よって高抵抗のフェライト磁性膜を形成し、この膜上に
コイルパターンをメッキ法などで形成した後、さらにそ
の上に磁性膜を構成して磁気素子とするものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開平１１−２６２３９号公報の技術でも、フェライト磁
性膜基板との密着力が弱く、剥離しやすいという問題が
あった。
開平１１−２６２３９号公報の技術でも、フェライト磁
性膜基板との密着力が弱く、剥離しやすいという問題が
あった。
【０００８】本発明の目的は、これらの問題を解決した
改善された平面磁気素子を提供することにある。
改善された平面磁気素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、フェライト
磁性膜を用いた平面型磁気素子の特性向上について研究
し、以下の手段を用いることによって上記目的を達成で
きることを知見し本発明を完成した。すなわち、本発明
は、基板上に設けられた第１のフェライト磁性膜と、第
１のフェライト磁性膜の面上に設けられた平面コイル
と、平面コイルの上に設けられた第２のフェライト磁性
膜と、前記平面コイルと導通している外部電極とを備え
た平面磁気素子において、第２のフェライト磁性膜は第
１のフェライト磁生膜の周端面を被覆すると共に前記基
板に接着していることを特徴とする平面磁気素子を提供
するものである。
磁性膜を用いた平面型磁気素子の特性向上について研究
し、以下の手段を用いることによって上記目的を達成で
きることを知見し本発明を完成した。すなわち、本発明
は、基板上に設けられた第１のフェライト磁性膜と、第
１のフェライト磁性膜の面上に設けられた平面コイル
と、平面コイルの上に設けられた第２のフェライト磁性
膜と、前記平面コイルと導通している外部電極とを備え
た平面磁気素子において、第２のフェライト磁性膜は第
１のフェライト磁生膜の周端面を被覆すると共に前記基
板に接着していることを特徴とする平面磁気素子を提供
するものである。
【００１０】特に、第２のフェライト磁性膜がエポキシ
樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂でフェライト磁性粉を
硬化させた場合、その効果が顕著で信頼性の高い磁気素
子を実現することができる。このとき、第２のフェライ
ト磁性膜は基板との接着は、部分的なものでもかまわな
いが、接着性を向上させるためには、基板の全周にわた
って接着していることが好ましい。さらに第２のフェラ
イト磁性膜と基板との接着部分の幅が１０μｍ〜２００
０μｍの範囲であると好適である。接着部分の幅が１０
μｍ未満では接着性向上の効果が小さく、２０００μｍ
を超えると接着の効果は大きいが、同じ特性を得ようと
すると素子サイズが大きくなり、また、同じサイズにす
るとコイルの磁気抵抗が増加するなど、特性が劣化しや
すい。
樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂でフェライト磁性粉を
硬化させた場合、その効果が顕著で信頼性の高い磁気素
子を実現することができる。このとき、第２のフェライ
ト磁性膜は基板との接着は、部分的なものでもかまわな
いが、接着性を向上させるためには、基板の全周にわた
って接着していることが好ましい。さらに第２のフェラ
イト磁性膜と基板との接着部分の幅が１０μｍ〜２００
０μｍの範囲であると好適である。接着部分の幅が１０
μｍ未満では接着性向上の効果が小さく、２０００μｍ
を超えると接着の効果は大きいが、同じ特性を得ようと
すると素子サイズが大きくなり、また、同じサイズにす
るとコイルの磁気抵抗が増加するなど、特性が劣化しや
すい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のフェライト磁性膜はスピ
ネル構造を有するフェライトである。中でも以下に示す
組成のフェライトが好適である。フェライト磁性膜の平
均組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１
５〜３５ｍｏｌ％，ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ2
Ｏ3：０〜１０ｍｏｌ％、ＭｎＯ：０〜２０ｍｏｌ％、
ＭｇＯ：０〜２０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯおよび不可避
不純物からなると好適である。この組成は、磁気素子全
体を平均した場合の値であり、上部フェライト、下部フ
ェライト、フェライト／基板界面など、場所によって最
適な組成に違えてもかまわない。磁性膜の組成をこのよ
うにした理由は以下の通りである。
ネル構造を有するフェライトである。中でも以下に示す
組成のフェライトが好適である。フェライト磁性膜の平
均組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１
５〜３５ｍｏｌ％，ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ2
Ｏ3：０〜１０ｍｏｌ％、ＭｎＯ：０〜２０ｍｏｌ％、
ＭｇＯ：０〜２０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯおよび不可避
不純物からなると好適である。この組成は、磁気素子全
体を平均した場合の値であり、上部フェライト、下部フ
ェライト、フェライト／基板界面など、場所によって最
適な組成に違えてもかまわない。磁性膜の組成をこのよ
うにした理由は以下の通りである。
【００１２】Ｆｅ2Ｏ3：４０〜５０ｍｏｌ％ Ｆｅ2Ｏ3が５０ｍｏｌ％を越えるとＦｅ2+イオンの存在
により電気抵抗が急激に低下する。電気抵抗の低下は高
周波領域で使用するとき渦電流の発生でフェライトコア
の損失を急激させてしまう。また、４０ｍｏｌ％未満に
なるとフェライトの透磁率低下にともなうインダクタン
スの劣化が大きいため、４０〜５０ｍｏｌ％とした。
により電気抵抗が急激に低下する。電気抵抗の低下は高
周波領域で使用するとき渦電流の発生でフェライトコア
の損失を急激させてしまう。また、４０ｍｏｌ％未満に
なるとフェライトの透磁率低下にともなうインダクタン
スの劣化が大きいため、４０〜５０ｍｏｌ％とした。
【００１３】ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％ ＺｎＯはインダクタンスとキュリー温度に大きな影響を
与える。キュリー温度は磁気素子の耐熱性を求める重要
なパラメータである。１５ｍｏｌ％未満ではキュリー温
度は高いもののインダクタンスが低下する。一方、３５
ｍｏｌ％を越えるとインダクタンスは高いものの、キュ
リー温度が低下する。従ってＺｎＯは１５〜３５ｍｏｌ
％にした。
与える。キュリー温度は磁気素子の耐熱性を求める重要
なパラメータである。１５ｍｏｌ％未満ではキュリー温
度は高いもののインダクタンスが低下する。一方、３５
ｍｏｌ％を越えるとインダクタンスは高いものの、キュ
リー温度が低下する。従ってＺｎＯは１５〜３５ｍｏｌ
％にした。
【００１４】ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％ ＣｕＯは焼成温度を下げるために加える。２０ｍｏｌ％
を越えると焼成温度は低下するがインダクタンスが劣化
するため上限を２０ｍｏｌ％とした。
を越えると焼成温度は低下するがインダクタンスが劣化
するため上限を２０ｍｏｌ％とした。
【００１５】Ｂｉ2Ｏ3：０〜１０ｍｏｌ％ Ｂｉ2Ｏ3はＣｕＯと同じく焼成温度を低下する効果があ
る。１０ｍｏｌ％を越えると焼成温度は低下するがイン
ダクタンスが劣化するため上限を１０ｍｏｌ％とした。
る。１０ｍｏｌ％を越えると焼成温度は低下するがイン
ダクタンスが劣化するため上限を１０ｍｏｌ％とした。
【００１６】ＭｎＯ：０〜２０ｍｏｌ％，ＭｇＯ：０〜
２０ｍｏｌ％：ＭｎＯ，ＭｇＯはいずれもインダクタン
スを増加する効果のある元素である。ただし、２０ｍｏ
ｌ％を超えると飽和磁化が低下するので０〜２０ｍｏｌ
％とした。
２０ｍｏｌ％：ＭｎＯ，ＭｇＯはいずれもインダクタン
スを増加する効果のある元素である。ただし、２０ｍｏ
ｌ％を超えると飽和磁化が低下するので０〜２０ｍｏｌ
％とした。
【００１７】第１、第２のフェライト磁性膜は、上記組
成を有するフェライト粉末とバインダーを混ぜ、ペース
トとし、印刷法などで成膜後、焼成してもよい。またバ
インダーとしてエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを用
い、熱硬化させたものでもよい。
成を有するフェライト粉末とバインダーを混ぜ、ペース
トとし、印刷法などで成膜後、焼成してもよい。またバ
インダーとしてエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などを用
い、熱硬化させたものでもよい。
【００１８】以下図面を参照して本発明の実施の形態を
説明する。図１は本発明の実施例の平面磁気素子１０を
示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図１（ｃ）は外部電極１
５、第２のフェライト磁性膜１４を除去して平面コイル
１３を露出させた平面図である。平面磁気素子１０は、
基板１１上に設けられた第１のフェライト磁性膜１２
と、この第１のフェライト磁性膜１２の面上に設けられ
た平面コイル１３と、平面コイル１３の上に設けられた
第２のフェライト磁性膜１４と、平面コイル１３と導通
している外部電極１５とから構成されている。本発明の
平面磁気素子１０は、第２のフェライト磁性膜１４が第
１のフェライト磁生膜１２の周端面を被覆している。さ
らに、第２のフェライト磁性膜１４が前記基板１１と接
着している。
説明する。図１は本発明の実施例の平面磁気素子１０を
示すもので、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図１（ｃ）は外部電極１
５、第２のフェライト磁性膜１４を除去して平面コイル
１３を露出させた平面図である。平面磁気素子１０は、
基板１１上に設けられた第１のフェライト磁性膜１２
と、この第１のフェライト磁性膜１２の面上に設けられ
た平面コイル１３と、平面コイル１３の上に設けられた
第２のフェライト磁性膜１４と、平面コイル１３と導通
している外部電極１５とから構成されている。本発明の
平面磁気素子１０は、第２のフェライト磁性膜１４が第
１のフェライト磁生膜１２の周端面を被覆している。さ
らに、第２のフェライト磁性膜１４が前記基板１１と接
着している。
【００１９】本発明に係る平面磁気素子１０の製造工程
を図２〜図６に示した。図２〜図６において（ａ）図は
平面図、（ｂ）はそれぞれＢ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ，Ｅ
−Ｅ，Ｆ−Ｆ矢視断面図である。Ｓｉ基板１１上に、Ｆ
ｅ2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／ＮｉＯ＝４９／２３／１２／
１６（ｍｏｌ％）組成のフェライト磁性粉を含んだペー
ストをスクリーン印刷法にて成膜し、引き続き大気中９
５０℃で焼成し下部の第１のフェライト磁性膜１２を形
成した。このとき、図２に示すように、第１のフェライ
ト磁性膜１２の塗布面積をＳｉ基板１１よりも小さくし
て、Ｓｉ基板と第２の磁性膜が接着する箇所を設けるよ
うにした。焼成後の膜厚は４０μｍである。次に、フェ
ライト膜上にポリイミド樹脂（樹脂層）２１をスピンコ
ートにより塗布した後、熱硬化させる。硬化後の膜厚は
３μｍである。引き続きこの上に、メッキ下地２２とし
て厚さ０．５μｍのＣｕを無電解めっき法で成膜し、こ
の上にフォトレジストを塗布した後、フォトエッチング
によりライン幅１００μｍ、ライン間隔４０μｍ、厚み
７０μｍ、５ターンのスパイラルコイルのレジストフレ
ーム２３を形成した。
を図２〜図６に示した。図２〜図６において（ａ）図は
平面図、（ｂ）はそれぞれＢ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ，Ｅ
−Ｅ，Ｆ−Ｆ矢視断面図である。Ｓｉ基板１１上に、Ｆ
ｅ2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／ＮｉＯ＝４９／２３／１２／
１６（ｍｏｌ％）組成のフェライト磁性粉を含んだペー
ストをスクリーン印刷法にて成膜し、引き続き大気中９
５０℃で焼成し下部の第１のフェライト磁性膜１２を形
成した。このとき、図２に示すように、第１のフェライ
ト磁性膜１２の塗布面積をＳｉ基板１１よりも小さくし
て、Ｓｉ基板と第２の磁性膜が接着する箇所を設けるよ
うにした。焼成後の膜厚は４０μｍである。次に、フェ
ライト膜上にポリイミド樹脂（樹脂層）２１をスピンコ
ートにより塗布した後、熱硬化させる。硬化後の膜厚は
３μｍである。引き続きこの上に、メッキ下地２２とし
て厚さ０．５μｍのＣｕを無電解めっき法で成膜し、こ
の上にフォトレジストを塗布した後、フォトエッチング
によりライン幅１００μｍ、ライン間隔４０μｍ、厚み
７０μｍ、５ターンのスパイラルコイルのレジストフレ
ーム２３を形成した。
【００２０】次に、図３に示すように、電気メッキによ
り、レジストフレーム内にＣｕ２４を析出させた後、図
４に示すようにレジストを剥離し、化学エッチングによ
ってコイル間のメッキ下地を取り除いて平面コイル１３
と端子２５を形成した。次に、図５に示すように、Ｆｅ
2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／ＮｉＯ＝４９／２３／１２／１
６（ｍｏｌ％）組成のフェライト磁性粉を含んだエポキ
シ樹脂ペーストをスクリーン印刷法にて上部の第２のフ
ェライト磁性膜１４として成膜し、１５０℃で熱硬化し
た。この第２のフェライト磁性膜１４は第１のフェライ
ト磁性膜１２の周端面を被覆し、基板１１に接する形状
とした。図６に示すように、最後にクリームハンダを電
極のコンタクトホール２６に印刷し、熱硬化させて外部
電極１５とした。
り、レジストフレーム内にＣｕ２４を析出させた後、図
４に示すようにレジストを剥離し、化学エッチングによ
ってコイル間のメッキ下地を取り除いて平面コイル１３
と端子２５を形成した。次に、図５に示すように、Ｆｅ
2Ｏ3／ＺｎＯ／ＣｕＯ／ＮｉＯ＝４９／２３／１２／１
６（ｍｏｌ％）組成のフェライト磁性粉を含んだエポキ
シ樹脂ペーストをスクリーン印刷法にて上部の第２のフ
ェライト磁性膜１４として成膜し、１５０℃で熱硬化し
た。この第２のフェライト磁性膜１４は第１のフェライ
ト磁性膜１２の周端面を被覆し、基板１１に接する形状
とした。図６に示すように、最後にクリームハンダを電
極のコンタクトホール２６に印刷し、熱硬化させて外部
電極１５とした。
【００２１】平面磁気素子の寸法を一定にし、第２のフ
ェライト磁性膜１４の基板１１との接着部分の幅１６を
変えたサンプルを試作した。作製した平面磁気素子を８
５℃、９８％ＲＨ雰囲気中に１６時間放置後、粘着テー
プ試験を行った。試験結果（剥離した素子の割合）を表
１にまとめた。また各平面磁気素子の磁気特性を測定し
た。特性はいずれも５ＭＨｚにおける値である。最大許
容電流はインダクタンスが１０％低下する直流重畳電流
である。表１の結果より、本発明の構造の平面磁気素子
は剥離が少なく、かつ、磁気特性の良好な結果が得られ
た。
ェライト磁性膜１４の基板１１との接着部分の幅１６を
変えたサンプルを試作した。作製した平面磁気素子を８
５℃、９８％ＲＨ雰囲気中に１６時間放置後、粘着テー
プ試験を行った。試験結果（剥離した素子の割合）を表
１にまとめた。また各平面磁気素子の磁気特性を測定し
た。特性はいずれも５ＭＨｚにおける値である。最大許
容電流はインダクタンスが１０％低下する直流重畳電流
である。表１の結果より、本発明の構造の平面磁気素子
は剥離が少なく、かつ、磁気特性の良好な結果が得られ
た。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、磁性膜の接着性の高い
平面磁気素子を実現することができる。
平面磁気素子を実現することができる。
【図１】本発明の平面磁気素子の（ａ）平面図、（ｂ）
Ａ−Ａ矢視断面図、（ｃ）外部電極及び第２のフェライ
ト磁性膜を除去して平面コイルを露出させた平面図であ
る。
Ａ−Ａ矢視断面図、（ｃ）外部電極及び第２のフェライ
ト磁性膜を除去して平面コイルを露出させた平面図であ
る。
【図２】本発明の平面磁気素子の下部フェライト磁性
膜、レジストフレーム製造工程の説明図である。
膜、レジストフレーム製造工程の説明図である。
【図３】本発明の平面磁気素子の銅析出工程の説明図で
ある。
ある。
【図４】本発明の平面磁気素子のレジスト剥離、化学エ
ッチング工程の説明図である。
ッチング工程の説明図である。
【図５】本発明の平面磁気素子の上部フェライト磁性膜
製造工程の説明図である。
製造工程の説明図である。
【図６】本発明の平面磁気素子の外部電極形成工程の説
明図である。
明図である。
１０ 平面磁気素子 １１ 基板 １２ 第１のフェライト磁性膜 １３ 平面コイル １４ 第２のフェライト磁性膜 １５ 外部電極 １６ 接着部の幅 ２１ ポリイミド樹脂 ２２ メッキ下地 ２３ レジストフレーム ２４ Ｃｕ ２５ 端子
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に設けられた第１のフェライト磁
性膜と、第１のフェライト磁性膜の面上に設けられた平
面コイルと、平面コイルの上に設けられた第２のフェラ
イト磁性膜と、前記平面コイルと導通している外部電極
とを備えた平面磁気素子において、第２のフェライト磁
性膜は第１のフェライト磁生膜の周端面を被覆すると共
に前記基板に接着していることを特徴とする平面磁気素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015674A JP2002222711A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 平面磁気素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001015674A JP2002222711A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 平面磁気素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222711A true JP2002222711A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18882181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001015674A Pending JP2002222711A (ja) | 2001-01-24 | 2001-01-24 | 平面磁気素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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- 2001-01-24 JP JP2001015674A patent/JP2002222711A/ja active Pending
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