JP2002220700A - Substrate plating equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハや液
晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）
に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、特に
硫酸銅などの電解液（メッキ液）を基板の処理面に供給
した状態で給電して電解メッキ処理を行う技術に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate for a semiconductor wafer or a liquid crystal display (hereinafter simply referred to as a substrate).
More particularly, the present invention relates to a technique for performing an electrolytic plating process by supplying power while an electrolytic solution (plating solution) such as copper sulfate is supplied to a processing surface of a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種の基板メッキ装置として、
例えば、図４に示すような構成が挙げられる。なお、以
下の説明では、硫酸銅をメッキ液として、配線用の銅を
メッキする装置を例にとって説明する。2. Description of the Related Art As a conventional substrate plating apparatus of this kind,
For example, there is a configuration as shown in FIG. In the following description, an apparatus for plating copper for wiring using copper sulfate as a plating solution will be described as an example.
【０００３】基板Ｗは、その処理面Ｗｓを下方に向けた
状態、いわゆるフェイスダウンで、メッキ液Ｌを貯留し
ているメッキ槽１０１の開口部１０２に保持されてい
る。開口部１０２には、基板Ｗに電気的に接続された陰
電極、即ちカソード１０３が、メッキ槽１０１の底部に
は、陽電極、即ちアノード１０４がそれぞれ配設されて
いるとともに、前記カソード１０３とアノード１０４と
は電源ユニット１０５によって接続されている。そし
て、カソード１０３とアノード１０４との間で電流が流
れるように給電する給電手段の機能を、電源ユニット１
０５は果たしている。なお、アノード１０４は（メッキ
液Ｌに対して）不溶性の陽電極で形成されている。The substrate W is held in an opening 102 of a plating tank 101 in which a plating solution L is stored, with the processing surface Ws facing downward, that is, in a face-down state. The opening 102 is provided with a negative electrode, ie, a cathode 103, electrically connected to the substrate W, and the bottom of the plating tank 101 is provided with a positive electrode, ie, an anode 104. The anode 104 is connected to the power supply unit 105. The power supply unit 1 functions as a power supply unit that supplies power so that current flows between the cathode 103 and the anode 104.
05 plays. The anode 104 is formed of a positive electrode that is insoluble (with respect to the plating solution L).
【０００４】また、メッキ槽１０１の底部には、図示を
省略するタンクからメッキ液Ｌをメッキ槽１０１に供給
して基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて噴出するノズル１０６
が配設されている。一方、メッキ槽１０１の上部で、か
つカソード１０３より下には、メッキ液Ｌを排出する排
出口１０７が配設されている。At the bottom of the plating tank 101, a nozzle 106 for supplying a plating solution L from a tank (not shown) to the plating tank 101 and jetting the plating liquid L toward the processing surface Ws of the substrate W is provided.
Are arranged. On the other hand, an outlet 107 for discharging the plating solution L is provided above the plating tank 101 and below the cathode 103.
【０００５】上記構成を有することによって、基板メッ
キ装置は以下の作用をもたらす。即ち、電源ユニット１
０５がカソード１０３とアノード１０４とに給電してい
る状態で、ノズル１０６からメッキ液Ｌを噴出させて、
基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ液Ｌを供給する。メッキ槽
１０１の上部から溢れ出たメッキ液Ｌは、排出口１０７
から排出される。この過程において、メッキ液Ｌに触れ
ている基板Ｗの処理面Ｗｓに銅のメッキ層が形成される
ようになっている。[0005] With the above configuration, the substrate plating apparatus has the following functions. That is, the power supply unit 1
In a state where the power supply 05 supplies power to the cathode 103 and the anode 104, the plating solution L is ejected from the nozzle 106,
The plating solution L is supplied to the processing surface Ws of the substrate W. The plating solution L overflowing from the upper part of the plating tank 101 is discharged from the discharge port 107
Is discharged from. In this process, a copper plating layer is formed on the processing surface Ws of the substrate W that is in contact with the plating solution L.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、メッキ液Ｌが硫酸銅（ＣｕＳＯ４）溶
液の場合を例にとって説明すると、アノード１０４は陽
電極なので、硫酸銅溶液中のマイナスイオンであるＳＯ
４ ２−と硫酸銅溶液中の水（Ｈ２Ｏ）とがアノード１０
４側で反応して、“Ｈ２Ｏ＋ＳＯ４ ２−→１／２Ｏ２＋
Ｈ２ＳＯ４＋２ｅ−”となる。従って、酸素ガス
（Ｏ２）Ｇが、図９に示すように、アノード１０４から
発生する。言うまでもなく、酸素ガスＧはメッキ液Ｌよ
り軽いので、図４に示すように、メッキ槽１０１の底部
から上部へと上昇していき、やがては基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに到達する。However, this is not the case.
In the case of the conventional example having such a configuration, the following problem occurs.
is there. That is, the plating solution L is made of copper sulfate (CuSO4)
In the case of a liquid, for example, the anode 104 is a positive electrode.
Since it is an electrode, SO which is a negative ion in the copper sulfate solution
4 2-And water (H2O) and the anode 10
Reaction on the 4 side, "H2O + SO4 2-→ 1 / 2O2+
H2SO4+ 2e−Therefore, oxygen gas
(O29) G from the anode 104 as shown in FIG.
appear. Needless to say, the oxygen gas G is the plating solution L
Because it is lighter, as shown in FIG.
From the top to the processing surface W of the substrate W.
s.
【０００７】この処理面Ｗｓに到達する酸素ガスＧは、
排出口１０７から排出されるメッキ液Ｌとともに排出さ
れることとなる。The oxygen gas G reaching the processing surface Ws is:
It is discharged together with the plating solution L discharged from the discharge port 107.
【０００８】しかしながら、アノード１０４から発生す
る酸素ガスＧは、アノード１０４の表面張力により、ア
ノード１０４表面からすぐには離脱せず、表面張力に打
ち勝つだけの浮力になるまで成長する。その結果、酸素
ガスＧがアノード１０４の全面を覆うこととなる。これ
によって電界分布が不均一となるという問題が生じる。However, due to the surface tension of the anode 104, the oxygen gas G generated from the anode 104 does not immediately separate from the surface of the anode 104, but grows until it becomes buoyant enough to overcome the surface tension. As a result, the oxygen gas G covers the entire surface of the anode 104. This causes a problem that the electric field distribution becomes non-uniform.
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、酸素ガス等のメッキ液中の泡の発生に
よるメッキ不良を防止することができる基板メッキ装置
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a substrate plating apparatus capable of preventing plating failure due to generation of bubbles in a plating solution such as oxygen gas. And
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、メッキ液を基板の
処理面に対して供給することにより電解メッキ処理を施
す基板メッキ装置において、陰電極が電気的に接続され
た基板と、一方に前記基板の処理面にメッキ液を供給す
る開口と、他方にメッキ液の流入口とを有する処理槽
と、前記処理槽内に配置される陽電極と、前記陽電極よ
りも前記処理槽内でメッキ液の流入口側に配置される拡
散部材と、を具備することを特徴とする基板メッキ装置
である。In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate plating apparatus for performing an electrolytic plating process by supplying a plating solution to a processing surface of a substrate. A substrate to which the negative electrode is electrically connected, an opening for supplying a plating solution to the processing surface of the substrate on one side, and a processing tank having an inflow port for the plating solution on the other side; A substrate plating apparatus comprising: a positive electrode; and a diffusion member disposed closer to the plating solution inlet than the positive electrode in the processing bath.
【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
基板メッキ装置において、前記拡散部材は、複数の孔が
穿設された半球面状板であること特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate plating apparatus of the first aspect, the diffusion member is a hemispherical plate having a plurality of holes.
【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１に記載の
基板メッキ装置において、前記拡散部材は、複数の孔が
穿設された平板であること特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the substrate plating apparatus of the first aspect, the diffusion member is a flat plate having a plurality of holes.
【００１３】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の基板メッキ装置においては、メッキ液は
処理槽内に流入口より供給される。メッキ液中のイオン
またはメッキ液は処理槽内を往来して、メッキ液に触れ
ている基板の処理面に電解メッキ処理が施されるように
なっている。また、拡散部材は、流入口より流入するメ
ッキ液を処理槽内に分散させるので、酸素ガス等のメッ
キ液中の泡が陽電極に発生し付着しても、分散されたメ
ッキ液の流れにより不均一に付着が残留することがな
い。その結果、電界分布の不均一化も生じることがな
い。The operation of the present invention is as follows. In the substrate plating apparatus according to the first aspect of the invention, the plating solution is supplied from the inflow port into the processing tank. The ions or the plating solution in the plating solution move back and forth in the processing bath, and the processing surface of the substrate that is in contact with the plating solution is subjected to electrolytic plating. In addition, since the diffusion member disperses the plating solution flowing from the inflow port into the processing tank, even if bubbles in the plating solution such as oxygen gas are generated and adhere to the positive electrode, the diffusion solution flows. No non-uniform adhesion remains. As a result, the electric field distribution does not become non-uniform.
【００１４】請求項２に係る発明によれば、メッキ液は
半球面状板に穿設された孔より処理槽内に流入される。
メッキ液は処理槽内を均等に流動していき、例えば、一
つの供給ノズルから供給される場合に比べて、メッキ液
が拡散する時、メッキ液の流速のバラツキが抑えれれ
る。その結果、陽電極の供給ノズルより遠い部位におい
て、酸素ガス等が多く付着したままであることがない。
即ち、陽電極の全面に沿ってメッキ液中の泡がメッキ液
ごと速やかに除去される。According to the second aspect of the present invention, the plating solution flows into the processing tank through a hole formed in the hemispherical plate.
The plating solution flows evenly in the processing tank. For example, when the plating solution is diffused, variation in the flow rate of the plating solution is suppressed as compared with the case where the plating solution is supplied from one supply nozzle. As a result, a large amount of oxygen gas or the like does not remain in a portion far from the supply nozzle of the positive electrode.
That is, bubbles in the plating solution are quickly removed together with the plating solution along the entire surface of the positive electrode.
【００１５】請求項３に係る発明によれば、メッキ液は
平板の孔より処理槽内に流入される。メッキ液は処理槽
内を均等に流動していき、陽電極の全面に沿ってメッキ
液中の泡がメッキ液ごと速やかに除去される。According to the third aspect of the present invention, the plating solution flows into the processing tank through the hole of the flat plate. The plating solution flows evenly in the processing tank, and bubbles in the plating solution are quickly removed along with the entire surface of the positive electrode together with the plating solution.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 ＜第１実施例＞図１は、本発明の実施例に係る基板メッ
キ装置の概略構成を示した縦断面図であり、図２は拡散
部材の一実施例を示す（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
図のＡ−Ａ線による断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows one embodiment of a diffusion member. (B) is (a)
It is sectional drawing by the AA of a figure.
【００１７】基板Ｗは、図示しないシード層が形成され
た処理面Ｗｓを下方に向けた状態、いわゆるフェイスダ
ウンで、図１に示すようにスピンベース１によって水平
姿勢となるように保持されている。このスピンベース１
は、板状で環状を呈するマスク部材３と、このマスク部
材３の上部に連結された３本（図示の関係上２本だけを
示す）の支柱５と、これら３本の支柱５が連結された中
空の回転軸７とを備えている。The substrate W is held by the spin base 1 in a horizontal position as shown in FIG. 1 in a state in which the processing surface Ws on which a seed layer (not shown) is formed faces downward, that is, in a face-down state. . This spin base 1
Is a plate-shaped annular mask member 3, three pillars 5 (only two are shown for the sake of illustration) connected to the upper part of the mask member 3, and these three pillars 5 are connected. And a hollow rotary shaft 7.
【００１８】回転軸７は、図１に示すような高さの処理
位置と、この処理位置よりも上方に位置する待機位置と
にわたって昇降手段９により昇降駆動される。また、図
示しない回転駆動手段によって回転駆動される。The rotating shaft 7 is driven up and down by a lifting means 9 over a processing position having a height as shown in FIG. 1 and a standby position located above the processing position. Further, it is rotationally driven by a rotational driving means (not shown).
【００１９】マスク部材３は、その内周側の上部にシー
ル部材１１が装着されている。このシール部材１１は、
メッキ液が基板の周縁部に達することを防止するもので
あり、基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部のみに当接する
ように平面視環状に形成されている。また、処理面Ｗｓ
のシード層に対して負電圧を印加するためのカソード電
極１２が、シール部材１１の外周側から基板Ｗの処理面
Ｗｓに向けて延出して配設されている。このカソード電
極１２が本発明の陰電極に相当する。The mask member 3 has a seal member 11 mounted on an upper portion on the inner peripheral side. This seal member 11
This is for preventing the plating solution from reaching the peripheral portion of the substrate, and is formed in an annular shape in plan view so as to contact only the peripheral portion of the processing surface Ws of the substrate W. Also, the processing surface Ws
A cathode electrode 12 for applying a negative voltage to the seed layer is provided to extend from the outer peripheral side of the seal member 11 toward the processing surface Ws of the substrate W. This cathode electrode 12 corresponds to the negative electrode of the present invention.
【００２０】スピンベース１の内部には、基板Ｗの裏面
周辺部を押圧する押圧部材１３が配備されている。この
押圧部材１３は、回転軸７に沿って昇降可能および回転
自在に構成されており、スピンベース１内に搬入された
基板Ｗをマスク部材３に対して押圧して基板Ｗを挟持す
る。A pressing member 13 for pressing the peripheral portion of the back surface of the substrate W is provided inside the spin base 1. The pressing member 13 is configured to be movable up and down and rotatable along the rotation shaft 7, and presses the substrate W loaded into the spin base 1 against the mask member 3 to clamp the substrate W.
【００２１】スピンベース１の下方には、基板Ｗの直径
よりもやや小径で一方である上面が開口した処理槽とし
てのメッキ槽１７（チャンバ）が備えられ、このメッキ
槽１７を囲うように回収槽１９が配備されている。メッ
キ槽１７には、高分子界面活性剤と有機硫黄化合物と有
機窒素化合物とを混合させた添加剤を含む硫酸銅溶液で
あるメッキ液Ｌが貯留されている。Below the spin base 1, there is provided a plating tank 17 (chamber) as a processing tank having a slightly smaller diameter than the diameter of the substrate W and an open upper surface, which is one side of the substrate W. A tank 19 is provided. The plating bath 17 stores a plating solution L that is a copper sulfate solution containing an additive obtained by mixing a polymer surfactant, an organic sulfur compound, and an organic nitrogen compound.
【００２２】メッキ槽１７の他方である底面は円錐状に
傾斜し、その中心部にはメッキ液Ｌを供給する流入口２
０が形成されており、流入口２０のメッキ槽１７側には
拡散部材３０が接続されている。そして、さらに、拡散
部材３０の上方近傍でメッキ液Ｌが供給される下流側に
は、正電圧を印加するためのアノード電極２１が配設さ
れている。The other bottom surface of the plating tank 17 is inclined in a conical shape, and the central portion thereof has an inlet 2 for supplying a plating solution L.
0 is formed, and a diffusion member 30 is connected to the plating tank 17 side of the inflow port 20. Further, an anode electrode 21 for applying a positive voltage is disposed on the downstream side where the plating solution L is supplied near the upper portion of the diffusion member 30.
【００２３】このアノード電極２１は、例えば、メッシ
ュ状で環状を呈するメッキ液に対して不溶性の陽電極で
形成されている。そして、メッキ槽１７をこのアノード
電極２１により上下槽に仕切るように配置される。回収
槽１９からメッキ槽１７の流入口２０には配管２３が連
通接続されており、配管２３に取り付けられたポンプ２
５によって回収槽１９のメッキ液Ｌがメッキ槽１７の上
方に向けて供給されるようになっている。The anode electrode 21 is formed of, for example, a positive electrode which is insoluble in a plating solution having a mesh shape and an annular shape. The plating tank 17 is arranged so as to be divided into upper and lower tanks by the anode electrode 21. A pipe 23 is connected to the inflow port 20 of the plating tank 17 from the recovery tank 19, and a pump 2 attached to the pipe 23 is connected.
5, the plating solution L in the recovery tank 19 is supplied to the upper side of the plating tank 17.
【００２４】次に、本実施例の特徴的な構成部分につい
て説明する。即ち、図１に示すように、本実施例装置は
特徴的部分である拡散部材３０をアノード電極２１より
メッキ液Ｌの流入の上流側に備えている。Next, the characteristic components of the present embodiment will be described. That is, as shown in FIG. 1, the apparatus of this embodiment includes a diffusion member 30, which is a characteristic part, on the upstream side of the anode electrode 21 with respect to the inflow of the plating solution L.
【００２５】この拡散部材の具体的構成を説明する。図
２は拡散部材３０を拡大して示し、図２（ａ）はその平
面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線による断面図
である。拡散部材３０は円筒部３１、その円筒部３１に
連接する半球面状板である頭部３２より構成され、その
頭部３２に複数の孔３３が放射状に穿設される。The specific structure of the diffusion member will be described. FIG. 2 is an enlarged view of the diffusion member 30, FIG. 2A is a plan view thereof, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2A. The diffusion member 30 includes a cylindrical portion 31 and a head 32 which is a hemispherical plate connected to the cylindrical portion 31, and a plurality of holes 33 are radially formed in the head 32.
【００２６】この孔３３は、頭部３２の頂点Ｔより円周
状に穿設され、頂点Ｔ側から４個の第一孔３３ａ、８個
の第二孔３３ｂ、８個の第三穴３３ｃ、８個の第四孔３
３ｄを有する。そして、第一孔３３ａ、第二孔３３ｂと
第三孔３３ｃは直径が１ｍｍ程度で、円形中心Ｐに中心
軸Ｐ１が向くように傾斜して形成される。言い換える
と、円筒３１により上方に向くメッキ液Ｌの流路が、傾
斜し分岐されることとなる。The holes 33 are formed circumferentially from the apex T of the head 32, and four first holes 33a, eight second holes 33b, and eight third holes 33c from the apex T side. , Eight fourth holes 3
3d. The first hole 33a, the second hole 33b, and the third hole 33c have a diameter of about 1 mm and are formed so as to be inclined so that the central axis P1 is directed to the circular center P. In other words, the flow path of the plating solution L directed upward by the cylinder 31 is inclined and branched.
【００２７】また、第四孔３３ｄは、言い換えると図２
（ｂ）に示すように頭部の中心より遠い部位では、メッ
キ槽１７の周壁に向かってメッキ液Ｌを流出するため
に、その直径が大きく形成される。具体的には、外方の
第四孔３３ｄの直径は２ｍｍに形成する。こうすること
で、流入口２０より離れる部位へのメッキ液Ｌの流動を
多くすることで、より均一化するようにしている。その
ため、第四孔３３ｄは、円筒３１によるメッキ液Ｌの流
路に対して直角に流路が曲げられるように、頭部３２に
穿設される。In addition, the fourth hole 33d is, in other words,
As shown in (b), in a portion farther from the center of the head, the plating liquid L flows out toward the peripheral wall of the plating tank 17, so that its diameter is formed large. Specifically, the diameter of the outer fourth hole 33d is 2 mm. By doing so, the flow of the plating solution L to a portion distant from the inflow port 20 is increased, thereby making the plating solution L more uniform. Therefore, the fourth hole 33d is formed in the head 32 so that the flow path is bent at right angles to the flow path of the plating solution L by the cylinder 31.
【００２８】続いて、図１を参照しつつ上述した装置の
動作について説明する。Next, the operation of the above-described device will be described with reference to FIG.
【００２９】まず、待機位置にあるスピンベース１に対
して処理対象である基板Ｗを搬入する。基板Ｗは処理面
Ｗｓが下向きとされた姿勢であり、その姿勢のまま各支
柱５の間を通してマスク部材３上に載置される。次に、
押圧部材１３を下降させて基板Ｗを押圧し、基板Ｗの処
理面Ｗｓをシール部材１１に密着させるとともに、処理
面Ｗｓのシード層にカソード電極１２を当接させる。First, the substrate W to be processed is loaded into the spin base 1 at the standby position. The substrate W is placed on the mask member 3 in a posture in which the processing surface Ws is directed downward, and passes between the columns 5 in that posture. next,
The pressing member 13 is moved down to press the substrate W to bring the processing surface Ws of the substrate W into close contact with the seal member 11 and to bring the cathode electrode 12 into contact with the seed layer on the processing surface Ws.
【００３０】さらに、ポンプ２５を作動させて一定量の
メッキ液Ｌを流入口２０から拡散部材３０と、アノード
電極２１のメッシュを介して、メッキ槽１７から押し上
げ、メッキ槽１７の上面にメッキ液Ｌを液盛りする。Further, the pump 25 is operated to push up a predetermined amount of the plating solution L from the plating tank 17 through the diffusion member 30 and the mesh of the anode electrode 21 from the inflow port 20, and the plating solution L Add L to the liquid.
【００３１】次に、昇降手段９によりスピンベース１と
押圧部材１３を処理位置まで下降させる。これとともに
ポンプ２５を作動させ、電源ユニットによって陽電極で
あるアノード電極２１と、陰電極であるカソード電極１
２の間に通電し、図示しない回転駆動手段によりスピン
ベース１を低速回転させることにより所定時間だけメッ
キ処理を施す。Next, the spin base 1 and the pressing member 13 are lowered to the processing position by the lifting means 9. At the same time, the pump 25 is operated, and the anode unit 21 as the positive electrode and the cathode unit 1 as the negative electrode are operated by the power supply unit.
2 and the spin base 1 is rotated at a low speed by a rotation driving means (not shown) to perform a plating process for a predetermined time.
【００３２】また、アノード電極２１は硫酸銅溶液に対
して不溶性の陽電極で形成されているので、硫酸銅溶液
中のマイナスイオンであるＳＯ４ ２−と硫酸銅溶液中の
水（Ｈ２Ｏ）とがアノード電極２１側で反応して、酸素
ガスＧが発生する。このとき、拡散部材３０は１ｍｍ程
度の孔３３を多数個有する多孔性の半球面状の板で形成
されているので、流入口２０から供給されるメッキ液Ｌ
をメッキ槽１７に全域に向けて拡散し供給する。そし
て、アノード電極２１に付着した酸素ガスＧは流動する
メッキ液Ｌにより除去される。その結果、エアだまりに
よる電界分布の不均一化も生じることはない。Further, since the anode electrode 21 is formed of a positive electrode insoluble in the copper sulfate solution, SO 4 2- which is a negative ion in the copper sulfate solution and water (H 2 O) in the copper sulfate solution are used. ) Reacts on the anode electrode 21 side to generate oxygen gas G. At this time, since the diffusion member 30 is formed of a porous hemispherical plate having a large number of holes 33 of about 1 mm, the plating solution L supplied from the inflow port 20 is provided.
Is diffused and supplied to the plating tank 17 over the entire area. Then, the oxygen gas G attached to the anode electrode 21 is removed by the flowing plating solution L. As a result, nonuniformity of the electric field distribution due to the air pool does not occur.
【００３３】メッキ液Ｌは基板Ｗの中央部から回収槽１
９に向かって円滑に流れる。排出された酸素ガスＧを含
むメッキ液Ｌは、回収槽１９に送り込まれて、再度、配
管２３のポンプ２５、図示しないフィルタを経て、流入
口２０に供給される。その際に、酸素ガスを含むメッキ
液Ｌはフィルタによって酸素ガスが取り除かれて、硫酸
銅溶液のみとなってメッキ槽１７に供給される。The plating solution L is supplied from the center of the substrate W to the collecting tank 1.
It flows smoothly toward 9. The discharged plating solution L containing the oxygen gas G is sent to the recovery tank 19, and is again supplied to the inflow port 20 through the pump 25 of the pipe 23 and a filter (not shown). At this time, the plating solution L containing oxygen gas is removed from the oxygen gas by a filter, and supplied to the plating tank 17 as a copper sulfate solution alone.
【００３４】所定時間が経過した後は、電極への通電及
びポンプ２５を停止するとともに、昇降手段９により待
機位置まで基板Ｗとともにスピンベース１を上昇させ
る。そして、スピンベース１を高速回転させて、処理面
Ｗｓに付着しているメッキ液Ｌを振り切る。After a lapse of a predetermined time, the power supply to the electrodes and the pump 25 are stopped, and the spin base 1 is raised together with the substrate W to the standby position by the lifting means 9. Then, the spin base 1 is rotated at a high speed to shake off the plating solution L adhering to the processing surface Ws.
【００３５】また、本実施例装置のように基板Ｗの処理
面Ｗｓを下にして基板Ｗを保持した状態でメッキ処理を
施すと、構造上どうしても周辺部の隅に気泡が残り易い
が、気泡が均一的に除去されるので、気泡の滞留を最小
限に抑えることができる。そして、気泡に起因する処理
ムラを防止できる。When plating is performed while holding the substrate W with the processing surface Ws of the substrate W facing down as in the apparatus of this embodiment, air bubbles are likely to remain in the corners of the peripheral part due to the structure. Is uniformly removed, so that the retention of bubbles can be minimized. In addition, it is possible to prevent processing unevenness caused by bubbles.
【００３６】本発明は上述した実施例に限らず次のよう
に変形実施することができる。 （１）拡散部材は半球面状に形成したが、図３に示すよ
うに、拡散部材４０はメッキ槽１７の内周壁に当接する
円形の平板４１で形成されてもよい。即ち、多数の孔４
２が穿設され、アノード電極２１と流入口２０との間
で、メッキ槽１７を仕切るように拡散部材４０が配置さ
れる。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified as follows. (1) Although the diffusing member is formed in a hemispherical shape, as shown in FIG. 3, the diffusing member 40 may be formed of a circular flat plate 41 abutting on the inner peripheral wall of the plating tank 17. That is, many holes 4
2, a diffusion member 40 is arranged between the anode electrode 21 and the inflow port 20 so as to partition the plating tank 17.
【００３７】この拡散部材４０によれば、供給されるメ
ッキ液Ｌがメッキ槽１７に分散され、アノード電極２１
に発生する酸素ガスがまんべんなく除去される。また、
この拡散部材４０においても、流入口２０より遠方の孔
４２になるに従って、その直径を大きく形成することに
より第一実施例と同様の効果がある。According to the diffusion member 40, the supplied plating solution L is dispersed in the plating tank 17, and the anode electrode 21
Oxygen gas generated is removed evenly. Also,
Also in the diffusion member 40, the same effect as that of the first embodiment can be obtained by increasing the diameter of the hole 42 as it becomes farther from the inlet 20.
【００３８】（２）また、基板Ｗの処理面Ｗｓを上に向
け、メッキ液Ｌを上方から供給する基板メッキ装置であ
っても本発明を適用することができる。(2) The present invention can be applied to a substrate plating apparatus in which the processing surface Ws of the substrate W is directed upward and the plating solution L is supplied from above.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メッキ液は拡散部材により流入口より流入する時に、処
理槽内に分散させるので、酸素ガス等のメッキ液中の泡
が陽電極に発生し付着しても、分散されたメッキ液の流
れにより不均一に付着が残留することがない。その結
果、電界分布の不均一化も生じることがない。As described above, according to the present invention,
Since the plating solution is dispersed in the treatment tank when flowing from the inlet by the diffusion member, even if bubbles in the plating solution such as oxygen gas are generated and adhere to the positive electrode, they are not disturbed by the flow of the dispersed plating solution. There is no uniform adhesion. As a result, the electric field distribution does not become non-uniform.
【図１】実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示し
た縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate plating apparatus according to an embodiment.
【図２】拡散部材を拡大して示した図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線の断面図である。FIGS. 2A and 2B are enlarged views of a diffusion member, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
【図３】本発明に係る基板メッキ装置の他の変形例を示
す縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing another modification of the substrate plating apparatus according to the present invention.
【図４】従来例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す
ブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a schematic configuration of a conventional substrate plating apparatus.
Ｗ 基板 Ｗｓ 処理面 Ｌ メッキ液 Ｇ 酸素ガス １ スピンベース ３ マスク部材 ５ 支柱 ７ 回転軸 ９ 昇降手段 １１ シール部材 １２ カソード電極 １３ 押圧部材 １７ メッキ槽（チャンバ） ２０ 流入口 ２１ アノード電極 ２３ 配管 ３０、４０ 拡散部材 W substrate Ws processing surface L plating solution G oxygen gas 1 spin base 3 mask member 5 support column 7 rotating shaft 9 elevating means 11 sealing member 12 cathode electrode 13 pressing member 17 plating tank (chamber) 20 inflow port 21 anode electrode 23 pipe 30, 40 Diffusion member
Claims (3)
ることにより電解メッキ処理を施す基板メッキ装置にお
いて、 陰電極が電気的に接続された基板と、 一方に前記基板の処理面にメッキ液を供給する開口と、
他方にメッキ液の流入口とを有する処理槽と、 前記処理槽内に配置される陽電極と、 前記陽電極よりも前記処理槽内でメッキ液の流入口側に
配置される拡散部材と、を具備することを特徴とする基
板メッキ装置。1. A substrate plating apparatus for performing an electrolytic plating process by supplying a plating solution to a processing surface of a substrate, comprising: a substrate to which a negative electrode is electrically connected; An opening for supplying liquid,
On the other hand, a processing tank having a plating solution inlet, a positive electrode disposed in the processing tank, and a diffusion member disposed closer to the plating liquid inlet in the processing tank than the positive electrode. A substrate plating apparatus comprising:
て、 前記拡散部材は、複数の孔が穿設された半球面状板であ
ること特徴とする基板メッキ装置。2. The substrate plating apparatus according to claim 1, wherein the diffusion member is a hemispherical plate having a plurality of holes.
て、 前記拡散部材は、複数の孔が穿設された平板であること
特徴とする基板メッキ装置。3. The substrate plating apparatus according to claim 1, wherein the diffusion member is a flat plate having a plurality of holes.
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| JP2001017851A JP2002220700A (en) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | Substrate plating equipment |
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|---|---|
| JP2002220700A true JP2002220700A (en) | 2002-08-09 |
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| JP (1) | JP2002220700A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102268719A (en) * | 2010-06-03 | 2011-12-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Vertical plating equipment and plating method thereof |
| JP2021059765A (en) * | 2019-10-08 | 2021-04-15 | 木田精工株式会社 | Vertically holding plating apparatus provided with dissolution case |
| JP2021059764A (en) * | 2019-10-08 | 2021-04-15 | 木田精工株式会社 | Vertically holding plating apparatus |
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2001
- 2001-01-26 JP JP2001017851A patent/JP2002220700A/en not_active Abandoned
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| JP7193141B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-12-20 | 木田精工株式会社 | Vertical holding type plating equipment with melting case |
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