JP2002216543A - 低反射性・低抵抗性導電膜およびこれを形成するための塗料 - Google Patents
低反射性・低抵抗性導電膜およびこれを形成するための塗料Info
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な透明性を有し、なおかつ、表面抵抗値
が１０3Ω／□台であるという優れた性能を有するとと
もに、生産性に優れ、製造コストが低い低反射性・低抵
抗性導電膜を提供すること。 【解決手段】 主成分がＩＴＯ粒子で形成された第１層
と、主成分がシリカで形成された第２層とを備え、前記
第２層は、不飽和結合を有する有機物を含有している低
反射性・低抵抗性導電膜とする。
が１０3Ω／□台であるという優れた性能を有するとと
もに、生産性に優れ、製造コストが低い低反射性・低抵
抗性導電膜を提供すること。 【解決手段】 主成分がＩＴＯ粒子で形成された第１層
と、主成分がシリカで形成された第２層とを備え、前記
第２層は、不飽和結合を有する有機物を含有している低
反射性・低抵抗性導電膜とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低反射性・低抵抗
性導電膜およびこれを形成するための塗料に関するもの
であり、とくに、ＣＲＴ、ＬＣＤ、ＥＬ等のディスプレ
イ表面のコーティングに好適に使用され、良好な透明性
および導電性を有し、なおかつ、生産性に優れ、製造コ
ストが低い低反射性・低抵抗性導電膜およびこれを形成
するための塗料に関するものである。
性導電膜およびこれを形成するための塗料に関するもの
であり、とくに、ＣＲＴ、ＬＣＤ、ＥＬ等のディスプレ
イ表面のコーティングに好適に使用され、良好な透明性
および導電性を有し、なおかつ、生産性に優れ、製造コ
ストが低い低反射性・低抵抗性導電膜およびこれを形成
するための塗料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＣＲＴ、ＬＣＤ、ＥＬ等のデ
ィスプレイ表面に、画面の視認性を向上させる低反射機
能と電磁波を遮蔽する効果が得られる低抵抗機能とを付
与するため、低反射性・低抵抗性導電膜を設ける場合が
ある。低反射性・低抵抗性導電膜には、インジウム錫酸
化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）（以下、
「ＩＴＯ」と略記する。）粒子を主成分とする第１層を
形成したのち、前記第１層上にシリカを主成分とする第
２層を形成してなる２層膜や、前記２層膜上にさらにシ
リカを主成分とする第３層を形成してなる３層膜などが
ある。この低反射性・低抵抗性導電膜は、一般に、表面
上に塗料を塗布する方法により形成されている。
ィスプレイ表面に、画面の視認性を向上させる低反射機
能と電磁波を遮蔽する効果が得られる低抵抗機能とを付
与するため、低反射性・低抵抗性導電膜を設ける場合が
ある。低反射性・低抵抗性導電膜には、インジウム錫酸
化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）（以下、
「ＩＴＯ」と略記する。）粒子を主成分とする第１層を
形成したのち、前記第１層上にシリカを主成分とする第
２層を形成してなる２層膜や、前記２層膜上にさらにシ
リカを主成分とする第３層を形成してなる３層膜などが
ある。この低反射性・低抵抗性導電膜は、一般に、表面
上に塗料を塗布する方法により形成されている。
【０００３】しかしながら、ディスプレイの表面抵抗値
は、上記の低反射性・低抵抗性導電膜を設けても１０4
Ω／□台〜１０5Ω／□台であり、導電性が不十分であ
ることが問題となっていた。このため、より低抵抗な低
反射性・低抵抗性導電膜、具体的には、表面抵抗値が１
０3Ω／□台となる低反射性・低抵抗性導電膜が要求さ
れている。
は、上記の低反射性・低抵抗性導電膜を設けても１０4
Ω／□台〜１０5Ω／□台であり、導電性が不十分であ
ることが問題となっていた。このため、より低抵抗な低
反射性・低抵抗性導電膜、具体的には、表面抵抗値が１
０3Ω／□台となる低反射性・低抵抗性導電膜が要求さ
れている。
【０００４】ところで、上記の低反射性・低抵抗性導電
膜をＣＲＴ、ＬＣＤ、ＥＬ等のディスプレイ表面に設け
る場合には、透明性を確保する必要があり、具体的に
は、可視光透過率が９０％以上、可視光領域での膜の最
低反射率が１．８％以下であり、ヘーズ値が小さいとい
う条件を満たすことが望ましい。この条件を満たし、な
おかつ、表面抵抗値が１０3Ω／□台である低反射性・
低抵抗性導電膜としては、スパッタ法や高温での熱分解
法などを用いて成膜して得られる低反射性・低抵抗性導
電膜がある。
膜をＣＲＴ、ＬＣＤ、ＥＬ等のディスプレイ表面に設け
る場合には、透明性を確保する必要があり、具体的に
は、可視光透過率が９０％以上、可視光領域での膜の最
低反射率が１．８％以下であり、ヘーズ値が小さいとい
う条件を満たすことが望ましい。この条件を満たし、な
おかつ、表面抵抗値が１０3Ω／□台である低反射性・
低抵抗性導電膜としては、スパッタ法や高温での熱分解
法などを用いて成膜して得られる低反射性・低抵抗性導
電膜がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法によって得られる低反射性・低抵抗性導電膜は、
成膜するために高価な設備が必要である上、生産性が低
いという問題点があるため、実用的でなかった。本発明
は、上記の事情を鑑みてなされたもので、可視光透過率
が９０％以上、可視光領域での最低反射率が１．８％以
下であり、ヘーズ値が小さいという良好な透明性を有
し、なおかつ、表面抵抗値が１０3Ω／□台であるとい
う優れた性能を有するとともに、生産性に優れ、製造コ
ストが低い低反射性・低抵抗性導電膜を提供することを
課題としている。
の方法によって得られる低反射性・低抵抗性導電膜は、
成膜するために高価な設備が必要である上、生産性が低
いという問題点があるため、実用的でなかった。本発明
は、上記の事情を鑑みてなされたもので、可視光透過率
が９０％以上、可視光領域での最低反射率が１．８％以
下であり、ヘーズ値が小さいという良好な透明性を有
し、なおかつ、表面抵抗値が１０3Ω／□台であるとい
う優れた性能を有するとともに、生産性に優れ、製造コ
ストが低い低反射性・低抵抗性導電膜を提供することを
課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の低反射性・低抵抗性導電膜は、主成分が
ＩＴＯ粒子で形成された第１層と、主成分がシリカで形
成された第２層とを備え、前記第２層は、不飽和結合を
有する有機物を含有していることを特徴としている。こ
のような低反射性・低抵抗性導電膜は、不飽和結合を有
する有機物を含有している第２層を備えているので、不
飽和結合を有する有機物に含まれる不飽和結合により電
子が伝導される。このことにより、優れた導電性が得ら
れる。
めに、本発明の低反射性・低抵抗性導電膜は、主成分が
ＩＴＯ粒子で形成された第１層と、主成分がシリカで形
成された第２層とを備え、前記第２層は、不飽和結合を
有する有機物を含有していることを特徴としている。こ
のような低反射性・低抵抗性導電膜は、不飽和結合を有
する有機物を含有している第２層を備えているので、不
飽和結合を有する有機物に含まれる不飽和結合により電
子が伝導される。このことにより、優れた導電性が得ら
れる。
【０００７】本発明者らは、後述する実施例に示すよう
に、このような低反射性・低抵抗性導電膜とすることに
より、可視光領域での最低反射率が１．８％以下であ
り、ヘーズ値が小さいという良好な透明性を有し、なお
かつ、表面抵抗値が１０3Ω／□台であるという優れた
性能を有する低反射性・低抵抗性導電膜となることを見
い出した。具体的には、この低反射性・低抵抗性導電膜
は、可視光反射率が１．８％以下と低いため、外光から
の反射によって画面が見えにくくなる現象を防止するこ
とができる。また、表面抵抗値が１０3Ω／□台と低い
ため、電磁波の遮蔽性に優れたものとなる。さらに、ヘ
ーズ値が小さいものとなるため、画像の解像度を劣化さ
せることがない。しかも、この低反射性・低抵抗性導電
膜は、塗料を塗布する方法により形成することが可能な
低反射性・低抵抗性導電膜であるので、高価な設備が必
要であり、生産性が低い方法であるスパッタ法や高温で
の熱分解法により成膜する必要がない。また、生産性に
優れ、製造コストが低い低反射性・低抵抗性導電膜とな
る。
に、このような低反射性・低抵抗性導電膜とすることに
より、可視光領域での最低反射率が１．８％以下であ
り、ヘーズ値が小さいという良好な透明性を有し、なお
かつ、表面抵抗値が１０3Ω／□台であるという優れた
性能を有する低反射性・低抵抗性導電膜となることを見
い出した。具体的には、この低反射性・低抵抗性導電膜
は、可視光反射率が１．８％以下と低いため、外光から
の反射によって画面が見えにくくなる現象を防止するこ
とができる。また、表面抵抗値が１０3Ω／□台と低い
ため、電磁波の遮蔽性に優れたものとなる。さらに、ヘ
ーズ値が小さいものとなるため、画像の解像度を劣化さ
せることがない。しかも、この低反射性・低抵抗性導電
膜は、塗料を塗布する方法により形成することが可能な
低反射性・低抵抗性導電膜であるので、高価な設備が必
要であり、生産性が低い方法であるスパッタ法や高温で
の熱分解法により成膜する必要がない。また、生産性に
優れ、製造コストが低い低反射性・低抵抗性導電膜とな
る。
【０００８】また、上記の低反射性・低抵抗性導電膜に
おいては、前記第１層の上に前記第２層を設けたことを
特徴とするものであることが望ましい。このような低反
射性・低抵抗性導電膜とすることで、第１層が、前記第
１層形成後に第１層の上に設けられる第２層中のシリカ
分が染み込んでくることにより、シリカ分を含むものと
なるので、強固で低反射性に優れた低反射性・低抵抗性
導電膜となる。
おいては、前記第１層の上に前記第２層を設けたことを
特徴とするものであることが望ましい。このような低反
射性・低抵抗性導電膜とすることで、第１層が、前記第
１層形成後に第１層の上に設けられる第２層中のシリカ
分が染み込んでくることにより、シリカ分を含むものと
なるので、強固で低反射性に優れた低反射性・低抵抗性
導電膜となる。
【０００９】また、上記の低反射性・低抵抗性導電膜に
おいては、前記不飽和結合を有する有機物が、アセチル
アセトン、シュウ酸、フェノール、クレゾール、エチル
ビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソール、
フェネトール、ブチルフェニルエーテル、ペンチルフェ
ニルエーテル、メトキシトルエン、ベンジルエチルエー
テル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ベラ
トロール、プロピレンオキシド、１，２−エポキシブタ
ン、ジオキサン、トリオキサン、フラン、２−メチルフ
ラン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケ
トン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノ
ン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘ
プタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、
メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサ
ノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、８−
キノリノール、フルフリルアルコール、アセトアルデヒ
ド、ホルムアルデヒド、ピロール、ピリジン、アニリ
ン、アリルアルコールの単体、またはそれらの重合体か
らなる群から選ばれる少なくとも１種であることが望ま
しい。このような低反射性・低抵抗性導電膜とすること
で、導電性に優れた低反射性・低抵抗性導電膜が得られ
る。
おいては、前記不飽和結合を有する有機物が、アセチル
アセトン、シュウ酸、フェノール、クレゾール、エチル
ビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソール、
フェネトール、ブチルフェニルエーテル、ペンチルフェ
ニルエーテル、メトキシトルエン、ベンジルエチルエー
テル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ベラ
トロール、プロピレンオキシド、１，２−エポキシブタ
ン、ジオキサン、トリオキサン、フラン、２−メチルフ
ラン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケ
トン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノ
ン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘ
プタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、
メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シクロヘキサ
ノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、８−
キノリノール、フルフリルアルコール、アセトアルデヒ
ド、ホルムアルデヒド、ピロール、ピリジン、アニリ
ン、アリルアルコールの単体、またはそれらの重合体か
らなる群から選ばれる少なくとも１種であることが望ま
しい。このような低反射性・低抵抗性導電膜とすること
で、導電性に優れた低反射性・低抵抗性導電膜が得られ
る。
【００１０】また、上記の低反射性・低抵抗性導電膜に
おいては、前記第２層は、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群から選
ばれる少なくとも１種を含有していることが望ましい。
このような低反射性・低抵抗性導電膜は、第２層が上記
の無機塩を含有するものであるので、無機塩のイオン伝
導により第２層の導電性が向上し、より一層優れた導電
性が得られるものとなる。さらに、上記の無機塩を含有
することにより、上記の無機塩を含有しないものと比較
して、低反射性・低抵抗性導電膜における大気中の水分
あるいは酸素の影響による抵抗値の経時変化を長期間に
わたって少なくすることができる。
おいては、前記第２層は、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群から選
ばれる少なくとも１種を含有していることが望ましい。
このような低反射性・低抵抗性導電膜は、第２層が上記
の無機塩を含有するものであるので、無機塩のイオン伝
導により第２層の導電性が向上し、より一層優れた導電
性が得られるものとなる。さらに、上記の無機塩を含有
することにより、上記の無機塩を含有しないものと比較
して、低反射性・低抵抗性導電膜における大気中の水分
あるいは酸素の影響による抵抗値の経時変化を長期間に
わたって少なくすることができる。
【００１１】また、上記の低反射性・低抵抗性導電膜に
おいては、膜厚が、０．０５〜３μｍであることが望ま
しい。このような低反射性・低抵抗性導電膜とすること
で、優れた低反射性を有する低反射性・低抵抗性導電膜
が得られる。
おいては、膜厚が、０．０５〜３μｍであることが望ま
しい。このような低反射性・低抵抗性導電膜とすること
で、優れた低反射性を有する低反射性・低抵抗性導電膜
が得られる。
【００１２】また、上記の低反射性・低抵抗性導電膜に
おいては、可視光透過率が９０％以上であることが望ま
しい。このような低反射性・低抵抗性導電膜とすること
で、ディスプレイに適用した場合に、輝度の劣化がほと
んど起こらないものとなる。
おいては、可視光透過率が９０％以上であることが望ま
しい。このような低反射性・低抵抗性導電膜とすること
で、ディスプレイに適用した場合に、輝度の劣化がほと
んど起こらないものとなる。
【００１３】また、上記課題を解決するために、本発明
の塗料は、上記の低反射性・低抵抗性導電膜の上記第１
層を形成するための塗料であって、ＩＴＯ粒子と硝酸と
エチレングリコールエーテルとを含有することを特徴と
する。本発明において、エチレングリコールエーテル
は、エチレングリコールのモノエーテル総称のことであ
り、以下、エチレングリコールエーテルのことを「セロ
ソルブ」という。このような塗料とすることで、ＩＴＯ
粒子を安定的に分散させた塗料を得ることができるとと
もに、得られた低反射性・低抵抗性導電膜の白化現象を
防ぐことができ、高品質な低反射性・低抵抗性導電膜を
得ることが可能な塗料とすることができる。とくに、Ｉ
ＴＯ粒子同士の接触抵抗を低減させるために、ＩＴＯ粒
子として平均１次粒子径の大きいものを使用した場合に
は、ＩＴＯ粒子の分散不良や得られた低反射性・低抵抗
性導電膜の白化現象が発生しやすくなるので、ＩＴＯ粒
子とともに硝酸とセロソルブとを含有する塗料とするこ
とによる効果がより一層顕著となる。
の塗料は、上記の低反射性・低抵抗性導電膜の上記第１
層を形成するための塗料であって、ＩＴＯ粒子と硝酸と
エチレングリコールエーテルとを含有することを特徴と
する。本発明において、エチレングリコールエーテル
は、エチレングリコールのモノエーテル総称のことであ
り、以下、エチレングリコールエーテルのことを「セロ
ソルブ」という。このような塗料とすることで、ＩＴＯ
粒子を安定的に分散させた塗料を得ることができるとと
もに、得られた低反射性・低抵抗性導電膜の白化現象を
防ぐことができ、高品質な低反射性・低抵抗性導電膜を
得ることが可能な塗料とすることができる。とくに、Ｉ
ＴＯ粒子同士の接触抵抗を低減させるために、ＩＴＯ粒
子として平均１次粒子径の大きいものを使用した場合に
は、ＩＴＯ粒子の分散不良や得られた低反射性・低抵抗
性導電膜の白化現象が発生しやすくなるので、ＩＴＯ粒
子とともに硝酸とセロソルブとを含有する塗料とするこ
とによる効果がより一層顕著となる。
【００１４】また、上記の塗料においては、前記ＩＴＯ
粒子の平均１次粒子径が、２５〜８０ｎｍの範囲である
ことが望ましい。このような塗料とすることで、ＩＴＯ
粒子の分散性に優れ、透明性、低反射性、低抵抗性に優
れた膜を形成できる塗料が得られる。
粒子の平均１次粒子径が、２５〜８０ｎｍの範囲である
ことが望ましい。このような塗料とすることで、ＩＴＯ
粒子の分散性に優れ、透明性、低反射性、低抵抗性に優
れた膜を形成できる塗料が得られる。
【００１５】また、上記の課題を解決するために、本発
明の塗料は、上記の低反射性・低抵抗性導電膜の上記第
２層を形成するための塗料であって、不飽和結合を有す
る有機物とシリコンアルコキシドまたはシリコンアルコ
キシドの加水分解物とを含有することを特徴とする。こ
のような塗料とすることで、低反射性・低抵抗性に優れ
るとともに、塗布後に焼成工程を行う場合に、アルコキ
シドの重合を促進させＳｉＯ2を生成させることにより
十分な強度を有する膜を形成することができる塗料が得
られる。
明の塗料は、上記の低反射性・低抵抗性導電膜の上記第
２層を形成するための塗料であって、不飽和結合を有す
る有機物とシリコンアルコキシドまたはシリコンアルコ
キシドの加水分解物とを含有することを特徴とする。こ
のような塗料とすることで、低反射性・低抵抗性に優れ
るとともに、塗布後に焼成工程を行う場合に、アルコキ
シドの重合を促進させＳｉＯ2を生成させることにより
十分な強度を有する膜を形成することができる塗料が得
られる。
【００１６】また、上記の塗料においては、前記不飽和
結合を有する有機物が、アセチルアセトン、シュウ酸、
フェノール、クレゾール、エチルビニルエーテル、ブチ
ルビニルエーテル、アニソール、フェネトール、ブチル
フェニルエーテル、ペンチルフェニルエーテル、メトキ
シトルエン、ベンジルエチルエーテル、ジフェニルエー
テル、ジベンジルエーテル、ベラトロール、プロピレン
オキシド、１，２−エポキシブタン、ジオキサン、トリ
オキサン、フラン、２−メチルフラン、テトラヒドロフ
ラン、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノ
ン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチ
ルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブ
チルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、
ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロ
ヘキサノン、アセトフェノン、８−キノリノール、フル
フリルアルコール、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒ
ド、ピロール、ピリジン、アニリン、アリルアルコール
の単体、またはそれらの重合体からなる群から選ばれる
少なくとも１種であることが望ましい。
結合を有する有機物が、アセチルアセトン、シュウ酸、
フェノール、クレゾール、エチルビニルエーテル、ブチ
ルビニルエーテル、アニソール、フェネトール、ブチル
フェニルエーテル、ペンチルフェニルエーテル、メトキ
シトルエン、ベンジルエチルエーテル、ジフェニルエー
テル、ジベンジルエーテル、ベラトロール、プロピレン
オキシド、１，２−エポキシブタン、ジオキサン、トリ
オキサン、フラン、２−メチルフラン、テトラヒドロフ
ラン、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノ
ン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチ
ルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブ
チルケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、
ホロン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロ
ヘキサノン、アセトフェノン、８−キノリノール、フル
フリルアルコール、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒ
ド、ピロール、ピリジン、アニリン、アリルアルコール
の単体、またはそれらの重合体からなる群から選ばれる
少なくとも１種であることが望ましい。
【００１７】また、上記の塗料においては、Ｉｎ、Ａ
ｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機
塩からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有してい
ることが望ましい。
ｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機
塩からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有してい
ることが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
ただし、以下に記す実施の形態は、本発明の趣旨を理解
しやすく説明するために具体的に述べるものであり、特
に限定しない限り、本発明を限定するものではない。本
実施の形態における低反射性・低抵抗性導電膜は、主成
分がＩＴＯ粒子で形成された第１層と前記第１層の上に
設けられた主成分がシリカで形成された第２層とを備
え、前記第２層は、不飽和結合を有する有機物を含有し
ているものである。
ただし、以下に記す実施の形態は、本発明の趣旨を理解
しやすく説明するために具体的に述べるものであり、特
に限定しない限り、本発明を限定するものではない。本
実施の形態における低反射性・低抵抗性導電膜は、主成
分がＩＴＯ粒子で形成された第１層と前記第１層の上に
設けられた主成分がシリカで形成された第２層とを備
え、前記第２層は、不飽和結合を有する有機物を含有し
ているものである。
【００１９】第１層は、前記第１層を形成するための塗
料である第１層形成用塗料を塗布して乾燥することによ
り得られたものであり、主成分がＩＴＯ粒子で形成され
ているものである。第１層中において、主成分であるＩ
ＴＯ粒子の割合は、５０〜１００％であることが好まし
い。なお、第１層の上に第２層を設けた場合、第２層中
のシリカ分が第１層に染み込んで、第１層の膜強度が向
上する。また、第１層中には、抵抗値を下げるために、
Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｕなどの貴金属成分が含ま
れていてもよい。
料である第１層形成用塗料を塗布して乾燥することによ
り得られたものであり、主成分がＩＴＯ粒子で形成され
ているものである。第１層中において、主成分であるＩ
ＴＯ粒子の割合は、５０〜１００％であることが好まし
い。なお、第１層の上に第２層を設けた場合、第２層中
のシリカ分が第１層に染み込んで、第１層の膜強度が向
上する。また、第１層中には、抵抗値を下げるために、
Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｕなどの貴金属成分が含ま
れていてもよい。
【００２０】また、第１層を形成する第１層形成用塗料
は、ＩＴＯ粒子と硝酸とセロソルブとを含有するもので
あり、それらの配合比率は、ＩＴＯ粒子１．４〜４．５
ｗｔ％、１Ｎの硝酸０．０２〜０．１５ｗｔ％、セロソ
ルブ５〜６０ｗｔ％であることが好ましい。第１層形成
用塗料に使用されるＩＴＯ粒子としては、ＩＴＯ粒子同
士の接触抵抗を低減させるために、ＩＴＯ粒子の１次粒
子自体が比較的大きいものが望ましく、具体的には、平
均１次粒子径が、２５〜８０ｎｍの範囲であることが望
ましい。ＩＴＯ粒子の平均１次粒子径を２５ｎｍ未満と
した場合、粒子同士の接触抵抗が大きくなり、形成され
た膜の抵抗値が高くなるため好ましくない。一方、８０
ｎｍを越えるＩＴＯ粒子の平均１次粒子径とした場合、
粒子が大きいことによる分散不良が発生し、形成された
膜のヘーズ値が高くなるため好ましくない。
は、ＩＴＯ粒子と硝酸とセロソルブとを含有するもので
あり、それらの配合比率は、ＩＴＯ粒子１．４〜４．５
ｗｔ％、１Ｎの硝酸０．０２〜０．１５ｗｔ％、セロソ
ルブ５〜６０ｗｔ％であることが好ましい。第１層形成
用塗料に使用されるＩＴＯ粒子としては、ＩＴＯ粒子同
士の接触抵抗を低減させるために、ＩＴＯ粒子の１次粒
子自体が比較的大きいものが望ましく、具体的には、平
均１次粒子径が、２５〜８０ｎｍの範囲であることが望
ましい。ＩＴＯ粒子の平均１次粒子径を２５ｎｍ未満と
した場合、粒子同士の接触抵抗が大きくなり、形成され
た膜の抵抗値が高くなるため好ましくない。一方、８０
ｎｍを越えるＩＴＯ粒子の平均１次粒子径とした場合、
粒子が大きいことによる分散不良が発生し、形成された
膜のヘーズ値が高くなるため好ましくない。
【００２１】また、第２層は、前記第２層を形成するた
めの塗料である第２層形成用塗料を塗布して乾燥するこ
とにより得られたものであり、主成分がシリカで形成さ
れ、不飽和結合を有する有機物を含有しているものであ
る。第２層中において、主成分であるシリカの割合は、
６０〜９９％であることが好ましい。また、第２層中に
おいて、不飽和結合を有する有機物の割合は、０．３〜
３０％であることが好ましい。不飽和結合を有する有機
物の割合を０．３％未満とした場合、十分な電子伝導効
果が得られなため好ましくない。一方、不飽和結合を有
する有機物の割合が３０％を越える場合、形成された膜
の強度が不十分になる、膜の高屈折率化に伴う反射率の
上昇が起こる、抵抗値の径時変化の割合が大きくなると
いう不都合が生じるため好ましくない。
めの塗料である第２層形成用塗料を塗布して乾燥するこ
とにより得られたものであり、主成分がシリカで形成さ
れ、不飽和結合を有する有機物を含有しているものであ
る。第２層中において、主成分であるシリカの割合は、
６０〜９９％であることが好ましい。また、第２層中に
おいて、不飽和結合を有する有機物の割合は、０．３〜
３０％であることが好ましい。不飽和結合を有する有機
物の割合を０．３％未満とした場合、十分な電子伝導効
果が得られなため好ましくない。一方、不飽和結合を有
する有機物の割合が３０％を越える場合、形成された膜
の強度が不十分になる、膜の高屈折率化に伴う反射率の
上昇が起こる、抵抗値の径時変化の割合が大きくなると
いう不都合が生じるため好ましくない。
【００２２】また、第２層に含まれる不飽和結合を有す
る有機物としては、アセチルアセトン、シュウ酸、フェ
ノール、クレゾール、エチルビニルエーテル、ブチルビ
ニルエーテル、アニソール、フェネトール、ブチルフェ
ニルエーテル、ペンチルフェニルエーテル、メトキシト
ルエン、ベンジルエチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、ジベンジルエーテル、ベラトロール、プロピレンオ
キシド、１，２−エポキシブタン、ジオキサン、トリオ
キサン、フラン、２−メチルフラン、テトラヒドロフラ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、
３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケ
トン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチル
ケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロ
ン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキ
サノン、アセトフェノン、８−キノリノール、フルフリ
ルアルコール、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒド、
ピロール、ピリジン、アニリン、アリルアルコールの単
体またはそれらの重合体からなる群から選ばれる少なく
とも１種であることが望ましい。また、分子量が３００
以下であるものが、均一で安定した第２層形成用塗料を
作成でき、得られた膜も均一で膜強度の優れたものとな
るため好ましい。
る有機物としては、アセチルアセトン、シュウ酸、フェ
ノール、クレゾール、エチルビニルエーテル、ブチルビ
ニルエーテル、アニソール、フェネトール、ブチルフェ
ニルエーテル、ペンチルフェニルエーテル、メトキシト
ルエン、ベンジルエチルエーテル、ジフェニルエーテ
ル、ジベンジルエーテル、ベラトロール、プロピレンオ
キシド、１，２−エポキシブタン、ジオキサン、トリオ
キサン、フラン、２−メチルフラン、テトラヒドロフラ
ン、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、
３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケ
トン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチル
ケトン、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロ
ン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキ
サノン、アセトフェノン、８−キノリノール、フルフリ
ルアルコール、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒド、
ピロール、ピリジン、アニリン、アリルアルコールの単
体またはそれらの重合体からなる群から選ばれる少なく
とも１種であることが望ましい。また、分子量が３００
以下であるものが、均一で安定した第２層形成用塗料を
作成でき、得られた膜も均一で膜強度の優れたものとな
るため好ましい。
【００２３】さらに、第２層は、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群
から選ばれる少なくとも１種を含有していることが望ま
しい。また、上記の無機塩からなる群から選ばれる少な
くとも１種が、第２層中に含有されている割合は、１〜
３０％の範囲であることが好ましい。第２層中に含有さ
れている割合が１％未満である場合、抵抗値を下げる効
果が十分に得られない恐れがあるため好ましくない。一
方、第２層中に含有されている割合が３０％を越える場
合、膜の強度が不十分になるとともに、膜の高屈折率化
に伴う反射率の上昇が起こるため好ましくない。また、
Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚ
ｎの無機塩としては、具体的には、硝酸塩、塩酸塩が好
ましく、さらに好ましくは、Ｉｎ（ＮＯ 3）3、ＡｇＮＯ
3、ＩｎＣｌ3、ＡｇＣｌ、ＬｉＣｌ、ＬｉＮＯ3、Ｓｎ
Ｃｌ4、ＳｎＣｌ2あるいはその水和物から選ばれる少な
くとも１種であることが好ましい。
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群
から選ばれる少なくとも１種を含有していることが望ま
しい。また、上記の無機塩からなる群から選ばれる少な
くとも１種が、第２層中に含有されている割合は、１〜
３０％の範囲であることが好ましい。第２層中に含有さ
れている割合が１％未満である場合、抵抗値を下げる効
果が十分に得られない恐れがあるため好ましくない。一
方、第２層中に含有されている割合が３０％を越える場
合、膜の強度が不十分になるとともに、膜の高屈折率化
に伴う反射率の上昇が起こるため好ましくない。また、
Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚ
ｎの無機塩としては、具体的には、硝酸塩、塩酸塩が好
ましく、さらに好ましくは、Ｉｎ（ＮＯ 3）3、ＡｇＮＯ
3、ＩｎＣｌ3、ＡｇＣｌ、ＬｉＣｌ、ＬｉＮＯ3、Ｓｎ
Ｃｌ4、ＳｎＣｌ2あるいはその水和物から選ばれる少な
くとも１種であることが好ましい。
【００２４】また、第２層を形成する第２層形成用塗料
は、上記の不飽和結合を有する有機物と上記のＩｎ、Ａ
ｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機
塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とシリコンア
ルコキシドまたはシリコンアルコキシドの加水分解物と
を含有するものである。第２層形成用塗料に使用される
シリコンアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキ
シシラン、テトラエトキシシラン等が好ましく使用され
る。
は、上記の不飽和結合を有する有機物と上記のＩｎ、Ａ
ｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機
塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とシリコンア
ルコキシドまたはシリコンアルコキシドの加水分解物と
を含有するものである。第２層形成用塗料に使用される
シリコンアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキ
シシラン、テトラエトキシシラン等が好ましく使用され
る。
【００２５】また、上記の低反射性・低抵抗性導電膜に
おいては、膜厚が、０．０５〜３μｍであることが望ま
しく、０．１〜１μｍであることがより望ましい。低反
射性・低抵抗性導電膜の膜厚が０．０５μｍ未満である
場合、低反射性・低抵抗性導電膜を作成するために最低
限必要である第１層と第２層の２層を形成することが困
難となるため好ましくない。一方、膜厚が３μｍを越え
る場合、膜の透明性や安定性、経済性が好ましくないも
のとなる。また、一般に、多層薄膜における層間界面反
射防止性能は、多層薄膜を構成する各薄膜の屈折率と膜
厚、積層薄膜数により決定される。本実施の形態におけ
る低反射性・低抵抗性導電膜においても、低反射性・低
抵抗性導電膜の膜厚を、上述した望ましい範囲である
０．０５〜３μｍの範囲とするとともに、屈折率を考慮
して第１層および第２層の膜厚を設計することにより、
反射防止能を効果的に得ることができる。すなわち、本
実施の形態における低反射性・低抵抗性導電膜におい
て、第１層を高屈折率層とし、第２層を低屈折率層と
し、防止しようとする反射光をλとするとき、透明基材
側から、第１層、第２層の順に、λ／４、λ／４または
λ／２、λ／４または３λ／４、λ／４のいずれかの光
学的膜厚とすることによって、効果的に反射を防止する
ことができる。また、製造の容易さや経済性を考慮する
と、前記高屈折率層と前記低屈折率層とをそれぞれ、λ
／４、λ／４またはλ／２、λ／４の光学的膜厚にする
ことが望ましい。また、本発明の低反射性・低抵抗性導
電膜においては、第２層が含有している不飽和結合を有
する有機物は、第２層に含有されていればよく、第２層
以外の他の層に含有されていてもよい。
おいては、膜厚が、０．０５〜３μｍであることが望ま
しく、０．１〜１μｍであることがより望ましい。低反
射性・低抵抗性導電膜の膜厚が０．０５μｍ未満である
場合、低反射性・低抵抗性導電膜を作成するために最低
限必要である第１層と第２層の２層を形成することが困
難となるため好ましくない。一方、膜厚が３μｍを越え
る場合、膜の透明性や安定性、経済性が好ましくないも
のとなる。また、一般に、多層薄膜における層間界面反
射防止性能は、多層薄膜を構成する各薄膜の屈折率と膜
厚、積層薄膜数により決定される。本実施の形態におけ
る低反射性・低抵抗性導電膜においても、低反射性・低
抵抗性導電膜の膜厚を、上述した望ましい範囲である
０．０５〜３μｍの範囲とするとともに、屈折率を考慮
して第１層および第２層の膜厚を設計することにより、
反射防止能を効果的に得ることができる。すなわち、本
実施の形態における低反射性・低抵抗性導電膜におい
て、第１層を高屈折率層とし、第２層を低屈折率層と
し、防止しようとする反射光をλとするとき、透明基材
側から、第１層、第２層の順に、λ／４、λ／４または
λ／２、λ／４または３λ／４、λ／４のいずれかの光
学的膜厚とすることによって、効果的に反射を防止する
ことができる。また、製造の容易さや経済性を考慮する
と、前記高屈折率層と前記低屈折率層とをそれぞれ、λ
／４、λ／４またはλ／２、λ／４の光学的膜厚にする
ことが望ましい。また、本発明の低反射性・低抵抗性導
電膜においては、第２層が含有している不飽和結合を有
する有機物は、第２層に含有されていればよく、第２層
以外の他の層に含有されていてもよい。
【００２６】さらにまた、上記の低反射性・低抵抗性導
電膜においては、可視光透過率が９０％以上であること
が望ましい。可視光透過率が９０％未満であると、低反
射性・低抵抗性導電膜をディスプレイに適用した場合
に、輝度の劣化が起こる恐れが高くなるため好ましくな
い。
電膜においては、可視光透過率が９０％以上であること
が望ましい。可視光透過率が９０％未満であると、低反
射性・低抵抗性導電膜をディスプレイに適用した場合
に、輝度の劣化が起こる恐れが高くなるため好ましくな
い。
【００２７】次に、ガラス基板等からなる透明基材の表
面に上記の低反射性・低抵抗性導電膜を形成する方法に
ついて説明する。まず、ガラス基板等からなる透明基材
の表面に、ＩＴＯ粒子と硝酸とセロソルブとをエチルア
ルコール等の有機溶媒に分散させてなる第１層形成用塗
料を塗布し、乾燥させることにより第１層を形成する。
ここでの第１層形成用塗料の塗布は、スピンコートやス
プレーコート等の一般的な塗布方法などによって行なわ
れる。
面に上記の低反射性・低抵抗性導電膜を形成する方法に
ついて説明する。まず、ガラス基板等からなる透明基材
の表面に、ＩＴＯ粒子と硝酸とセロソルブとをエチルア
ルコール等の有機溶媒に分散させてなる第１層形成用塗
料を塗布し、乾燥させることにより第１層を形成する。
ここでの第１層形成用塗料の塗布は、スピンコートやス
プレーコート等の一般的な塗布方法などによって行なわ
れる。
【００２８】次に、第１層の上に、第２層形成用塗料を
塗布し、乾燥させたのち焼成することにより第２層を形
成する。第２層形成用塗料としては、シリコンアルコキ
シドまたはシリコンアルコキシドの加水分解物と不飽和
結合を有する有機物とＩｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群から選ばれ
る少なくとも１種とを、イソプロピルアルコール等の有
機溶媒に混合して得られたものが用いられる。また、こ
こでの第２層形成用塗料の塗布は、スピンコートやスプ
レーコート等の一般的な塗布方法などによって行なわれ
る。また、焼成温度としては、１６０℃〜２５０℃が好
ましい。このようにして、透明基材の表面に第１層と第
２層とを備えた低反射性・低抵抗性導電膜が得られる。
塗布し、乾燥させたのち焼成することにより第２層を形
成する。第２層形成用塗料としては、シリコンアルコキ
シドまたはシリコンアルコキシドの加水分解物と不飽和
結合を有する有機物とＩｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群から選ばれ
る少なくとも１種とを、イソプロピルアルコール等の有
機溶媒に混合して得られたものが用いられる。また、こ
こでの第２層形成用塗料の塗布は、スピンコートやスプ
レーコート等の一般的な塗布方法などによって行なわれ
る。また、焼成温度としては、１６０℃〜２５０℃が好
ましい。このようにして、透明基材の表面に第１層と第
２層とを備えた低反射性・低抵抗性導電膜が得られる。
【００２９】本発明の低反射性・低抵抗性導電膜は、第
１層と前記第１層の上に設けられた第２層との２層から
なるものとすることができるが、少なくとも第１層と第
２層とを備えたものであればよく、第２層の上に第１層
を設けたものとしてもよく、とくに限定されない。ま
た、例えば、必要に応じて、第１層と第２層のうちいず
れか一方または両方を複数層備えたものや、第１層と第
２層と別の層とを単数または複数層備えたものとするこ
とにより、３層以上の層からなるものとしてもよい。例
えば、３層構造の低反射性・低抵抗性導電膜とした場合
には、低反射性・低抵抗性導電膜の膜厚を、上述した望
ましい範囲である０．０５〜３μｍの範囲とするととも
に、屈折率を考慮して各層の膜厚を設計することによ
り、反射防止能を効果的に得ることができる。すなわ
ち、３層構造の低反射性・低抵抗性導電膜において、透
明基材側から、１層目の層を中屈折率層とし、２層目の
層を高屈折率層とし、３層目の層を低屈折率層とし、防
止しようとする反射光をλとするとき、中屈折率層、高
屈折率層、低屈折率層の順に、λ／４、λ／２、λ／４
の光学的膜厚とすることによって、効果的に反射を防止
することができる。
１層と前記第１層の上に設けられた第２層との２層から
なるものとすることができるが、少なくとも第１層と第
２層とを備えたものであればよく、第２層の上に第１層
を設けたものとしてもよく、とくに限定されない。ま
た、例えば、必要に応じて、第１層と第２層のうちいず
れか一方または両方を複数層備えたものや、第１層と第
２層と別の層とを単数または複数層備えたものとするこ
とにより、３層以上の層からなるものとしてもよい。例
えば、３層構造の低反射性・低抵抗性導電膜とした場合
には、低反射性・低抵抗性導電膜の膜厚を、上述した望
ましい範囲である０．０５〜３μｍの範囲とするととも
に、屈折率を考慮して各層の膜厚を設計することによ
り、反射防止能を効果的に得ることができる。すなわ
ち、３層構造の低反射性・低抵抗性導電膜において、透
明基材側から、１層目の層を中屈折率層とし、２層目の
層を高屈折率層とし、３層目の層を低屈折率層とし、防
止しようとする反射光をλとするとき、中屈折率層、高
屈折率層、低屈折率層の順に、λ／４、λ／２、λ／４
の光学的膜厚とすることによって、効果的に反射を防止
することができる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明を実施例を示して詳しく説明す
る。 「実施例１」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子（平均１次粒子
径３０ｎｍ、住友大阪セメント（株）製）３ｇ、エチル
セロソルブ５０．５ｇ、Ｎ―メチルピロリドン１．５
ｇ、エチルアルコール４６．５ｇを混合して、サンドミ
ルにより分散させた。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フルフリルアルコール０．０２ｇ、
アセチルアセトン１．５ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、イソプ
ロピルアルコール９２．２８ｇ、水２．５ｇを混合して
均一な溶液とした。
る。 「実施例１」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子（平均１次粒子
径３０ｎｍ、住友大阪セメント（株）製）３ｇ、エチル
セロソルブ５０．５ｇ、Ｎ―メチルピロリドン１．５
ｇ、エチルアルコール４６．５ｇを混合して、サンドミ
ルにより分散させた。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フルフリルアルコール０．０２ｇ、
アセチルアセトン１．５ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、イソプ
ロピルアルコール９２．２８ｇ、水２．５ｇを混合して
均一な溶液とした。
【００３１】（低反射性・低抵抗性導電膜の形成）ま
ず、ガラス基板上に、第１層形成用塗料をスピンコート
により塗布して第１層を形成し、続いて、第１層の上に
第２層形成用塗料をスピンコートにより塗布したのち、
１７５℃で３０分焼成して第２層を形成し、低反射性・
低抵抗性導電膜を得た。なお、第１層形成用塗料中およ
び第２層形成用塗料中の溶媒の乾燥は、スピン中に終了
した。
ず、ガラス基板上に、第１層形成用塗料をスピンコート
により塗布して第１層を形成し、続いて、第１層の上に
第２層形成用塗料をスピンコートにより塗布したのち、
１７５℃で３０分焼成して第２層を形成し、低反射性・
低抵抗性導電膜を得た。なお、第１層形成用塗料中およ
び第２層形成用塗料中の溶媒の乾燥は、スピン中に終了
した。
【００３２】「実施例２」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子（平均１次粒子
径４０ｎｍ、住友大阪セメント（株）製）３ｇ、１Ｎ硝
酸０．０６ｇ、エチルセロソルブ５０．５ｇ、Ｎ―メチ
ルピロリドン１．５ｇ、エチルアルコール４４．９４ｇ
を混合して、サンドミルにより分散させた。 （第２層形成用塗料の調整）実施例１と同様にして調整
した。このようにして得られた第１層形成用塗料と第２
層形成用塗料とを用いて、実施例１と同様にして低反射
性・低抵抗性導電膜を形成した。
径４０ｎｍ、住友大阪セメント（株）製）３ｇ、１Ｎ硝
酸０．０６ｇ、エチルセロソルブ５０．５ｇ、Ｎ―メチ
ルピロリドン１．５ｇ、エチルアルコール４４．９４ｇ
を混合して、サンドミルにより分散させた。 （第２層形成用塗料の調整）実施例１と同様にして調整
した。このようにして得られた第１層形成用塗料と第２
層形成用塗料とを用いて、実施例１と同様にして低反射
性・低抵抗性導電膜を形成した。
【００３３】「実施例３」 （第１層形成用塗料の調整）実施例２と同様にして調整
した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フルフリルアルコール０．０２ｇ、
アセチルアセトン１．５ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸イ
ンジウム０．１ｇ、イソプロピルアルコール９２．１８
ｇ、水２．５ｇを混合して均一な溶液とした。このよう
にして得られた第１層形成用塗料と第２層形成用塗料と
を用いて、実施例１と同様にして低反射性・低抵抗性導
電膜を形成した。
した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フルフリルアルコール０．０２ｇ、
アセチルアセトン１．５ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸イ
ンジウム０．１ｇ、イソプロピルアルコール９２．１８
ｇ、水２．５ｇを混合して均一な溶液とした。このよう
にして得られた第１層形成用塗料と第２層形成用塗料と
を用いて、実施例１と同様にして低反射性・低抵抗性導
電膜を形成した。
【００３４】「実施例４」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子として、平均１
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）実施例３と同様にして調整
した。このようにして得られた第１層形成用塗料と第２
層形成用塗料とを用いて、実施例１と同様にして低反射
性・低抵抗性導電膜を形成した。
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）実施例３と同様にして調整
した。このようにして得られた第１層形成用塗料と第２
層形成用塗料とを用いて、実施例１と同様にして低反射
性・低抵抗性導電膜を形成した。
【００３５】「実施例５」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子として、平均１
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フルフリルアルコール０．０２ｇ、
アセチルアセトン１．５ｇ、ホルムアルデヒド０．１４
ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸インジウム０．１ｇ、イソ
プロピルアルコール９２．０４ｇ、水２．５ｇを混合し
て均一な溶液とした。このようにして得られた第１層形
成用塗料と第２層形成用塗料とを用いて、実施例１と同
様にして低反射性・低抵抗性導電膜を形成した。
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フルフリルアルコール０．０２ｇ、
アセチルアセトン１．５ｇ、ホルムアルデヒド０．１４
ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸インジウム０．１ｇ、イソ
プロピルアルコール９２．０４ｇ、水２．５ｇを混合し
て均一な溶液とした。このようにして得られた第１層形
成用塗料と第２層形成用塗料とを用いて、実施例１と同
様にして低反射性・低抵抗性導電膜を形成した。
【００３６】「実施例６」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子として、平均１
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フェノール０．０２ｇ、アセトアル
デヒド０．４ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸インジウム
０．１ｇ、イソプロピルアルコール９３．６４ｇ、水
２．５ｇを混合して均一な溶液とした。このようにして
得られた第１層形成用塗料と第２層形成用塗料とを用い
て、実施例１と同様にして低反射性・低抵抗性導電膜を
形成した。
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、フェノール０．０２ｇ、アセトアル
デヒド０．４ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸インジウム
０．１ｇ、イソプロピルアルコール９３．６４ｇ、水
２．５ｇを混合して均一な溶液とした。このようにして
得られた第１層形成用塗料と第２層形成用塗料とを用い
て、実施例１と同様にして低反射性・低抵抗性導電膜を
形成した。
【００３７】「実施例７」 （第１層形成用塗料の調整）ＩＴＯ粒子として、平均１
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、８−キノリノール０．０２ｇ、アセ
トアルデヒド０．４ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸インジ
ウム０．１ｇ、イソプロピルアルコール９３．６４ｇ、
水２．５ｇを混合して均一な溶液とした。このようにし
て得られた第１層形成用塗料と第２層形成用塗料とを用
いて、実施例１と同様にして低反射性・低抵抗性導電膜
を形成した。
次粒子径５０ｎｍ（住友大阪セメント（株）製）を使用
した他は、実施例２と同様にして調整した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、８−キノリノール０．０２ｇ、アセ
トアルデヒド０．４ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、硝酸インジ
ウム０．１ｇ、イソプロピルアルコール９３．６４ｇ、
水２．５ｇを混合して均一な溶液とした。このようにし
て得られた第１層形成用塗料と第２層形成用塗料とを用
いて、実施例１と同様にして低反射性・低抵抗性導電膜
を形成した。
【００３８】「比較例１」 （第１層形成用塗料の調整）実施例１と同様にして調整
した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、イソプロピルア
ルコール９３．８ｇ、水２．５ｇを混合して均一な溶液
とした。このようにして得られた第１層形成用塗料と第
２層形成用塗料とを用いて、実施例１と同様にして低反
射性・低抵抗性導電膜を形成した。
した。 （第２層形成用塗料の調整）ＴＭＯＳ（テトラメトキシ
シラン）２．５ｇ、１Ｎ硝酸１．２ｇ、イソプロピルア
ルコール９３．８ｇ、水２．５ｇを混合して均一な溶液
とした。このようにして得られた第１層形成用塗料と第
２層形成用塗料とを用いて、実施例１と同様にして低反
射性・低抵抗性導電膜を形成した。
【００３９】（膜特性の測定）このようにして得られた
実施例１〜実施例７および比較例１の低反射性・低抵抗
性導電膜について、可視光最低反射率を日立製作所社製
分光光度計Ｕ−３５００、ヘーズ値及び可視光透過率を
東京電色社製Ｈａｚｅメーター（ＴＣ−ＨIIIＤＰ）、
表面抵抗値を三菱化学社製ロレスタＡＰ ＭＣＰ−Ｔ４
００を用いてそれぞれ測定した。なお、可視光透過率お
よびヘーズ値は、低反射性・低抵抗性導電膜を形成する
前のガラス基板の値を基準値として測定した。その結果
を表１に示す。
実施例１〜実施例７および比較例１の低反射性・低抵抗
性導電膜について、可視光最低反射率を日立製作所社製
分光光度計Ｕ−３５００、ヘーズ値及び可視光透過率を
東京電色社製Ｈａｚｅメーター（ＴＣ−ＨIIIＤＰ）、
表面抵抗値を三菱化学社製ロレスタＡＰ ＭＣＰ−Ｔ４
００を用いてそれぞれ測定した。なお、可視光透過率お
よびヘーズ値は、低反射性・低抵抗性導電膜を形成する
前のガラス基板の値を基準値として測定した。その結果
を表１に示す。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１より、第２層が不飽和結合を有する有
機物を含有していない低反射性・低抵抗性導電膜である
比較例１では、表面抵抗値は１０4Ω／□台であるが、
第２層が不飽和結合を有する有機物を含有している低反
射性・低抵抗性導電膜である実施例１〜実施例７では、
表面抵抗値は１０3Ω／□台となった。このことによ
り、実施例１〜実施例７の低反射性・低抵抗性導電膜
は、比較例１の低反射性・低抵抗性導電膜と比較して、
優れた導電性が得られることが確認できた。また、実施
例１〜実施例７の低反射性・低抵抗性導電膜は、いずれ
も可視光透過率が９０％以上、可視光領域での最低反射
率が１．８％以下であり、ヘーズ値が小さいという良好
な透明性を有し、なおかつ、表面抵抗値が１０3Ω／□
台であるという優れた性能を有するものであることが確
認できた。さらに、硝酸インジウムを含有する第２層が
備えられた低反射性・低抵抗性導電膜である実施例３〜
実施例７では、より一層優れた導電性が得られることが
確認できた。
機物を含有していない低反射性・低抵抗性導電膜である
比較例１では、表面抵抗値は１０4Ω／□台であるが、
第２層が不飽和結合を有する有機物を含有している低反
射性・低抵抗性導電膜である実施例１〜実施例７では、
表面抵抗値は１０3Ω／□台となった。このことによ
り、実施例１〜実施例７の低反射性・低抵抗性導電膜
は、比較例１の低反射性・低抵抗性導電膜と比較して、
優れた導電性が得られることが確認できた。また、実施
例１〜実施例７の低反射性・低抵抗性導電膜は、いずれ
も可視光透過率が９０％以上、可視光領域での最低反射
率が１．８％以下であり、ヘーズ値が小さいという良好
な透明性を有し、なおかつ、表面抵抗値が１０3Ω／□
台であるという優れた性能を有するものであることが確
認できた。さらに、硝酸インジウムを含有する第２層が
備えられた低反射性・低抵抗性導電膜である実施例３〜
実施例７では、より一層優れた導電性が得られることが
確認できた。
【００４２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
低反射性・低抵抗性導電膜は、主成分がＩＴＯ粒子で形
成された第１層と、主成分がシリカで形成された第２層
とを備え、前記第２層は、不飽和結合を有する有機物を
含有しているものであるので、不飽和結合を有する有機
物に含まれる不飽和結合により電子が伝えられ、優れた
導電性が得られる。
低反射性・低抵抗性導電膜は、主成分がＩＴＯ粒子で形
成された第１層と、主成分がシリカで形成された第２層
とを備え、前記第２層は、不飽和結合を有する有機物を
含有しているものであるので、不飽和結合を有する有機
物に含まれる不飽和結合により電子が伝えられ、優れた
導電性が得られる。
【００４３】しかも、本発明の低反射性・低抵抗性導電
膜は、塗料を塗布する方法により形成することが可能な
ものであるので、高価な設備が必要であり、生産性が低
い方法であるスパッタ法や高温での熱分解法により成膜
する必要がない。また、生産性に優れ、製造コストが低
い低反射性・低抵抗性導電膜となる。
膜は、塗料を塗布する方法により形成することが可能な
ものであるので、高価な設備が必要であり、生産性が低
い方法であるスパッタ法や高温での熱分解法により成膜
する必要がない。また、生産性に優れ、製造コストが低
い低反射性・低抵抗性導電膜となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０３Ｃ 17/42 Ｃ０３Ｃ 17/42 (72)発明者 若林 淳美 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 (72)発明者 上原 賢 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 (72)発明者 根矢 直 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 (72)発明者 野田 一郎 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 (72)発明者 中野 雅継 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新材料事業部内 Ｆターム(参考） 4G059 AA01 AC04 AC12 GA01 GA04 GA16 4J038 DL012 EA011 HA066 HA106 HA336 KA08 KA12 KA15 MA10 NA01 NA19 NA20 PA07 PA19 PB11 PC03 5G301 DA23 DA32 DA42 DD02 5G307 FB01 FC08 FC10
Claims (11)
- 【請求項１】 主成分がＩＴＯ粒子で形成された第１
層と、主成分がシリカで形成された第２層とを備え、 前記第２層は、不飽和結合を有する有機物を含有してい
ることを特徴とする低反射性・低抵抗性導電膜。 - 【請求項２】 前記第１層の上に前記第２層を設けた
ことを特徴とする請求項１に記載の低反射性・低抵抗性
導電膜。 - 【請求項３】 前記不飽和結合を有する有機物が、ア
セチルアセトン、シュウ酸、フェノール、クレゾール、
エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソ
ール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、ペンチ
ルフェニルエーテル、メトキシトルエン、ベンジルエチ
ルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテ
ル、ベラトロール、プロピレンオキシド、１，２−エポ
キシブタン、ジオキサン、トリオキサン、フラン、２−
メチルフラン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチル
エチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−
ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノ
ン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニル
アセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シ
クロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェ
ノン、８−キノリノール、フルフリルアルコール、アセ
トアルデヒド、ホルムアルデヒド、ピロール、ピリジ
ン、アニリン、アリルアルコールの単体、またはそれら
の重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の低反
射性・低抵抗性導電膜。 - 【請求項４】 前記第２層は、Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓ
ｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群
から選ばれる少なくとも１種を含有していることを特徴
とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の低反
射性・低抵抗性導電膜。 - 【請求項５】 膜厚が、０．０５〜３μｍであること
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の低反射性・低抵抗性導電膜。 - 【請求項６】 可視光透過率が９０％以上であること
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載
の低反射性・低抵抗性導電膜。 - 【請求項７】 請求項１ないし請求項６に記載の低反
射性・低抵抗性導電膜の前記第１層を形成するための塗
料であって、ＩＴＯ粒子と硝酸とエチレングリコールエ
ーテルとを含有することを特徴とする塗料。 - 【請求項８】 前記ＩＴＯ粒子の平均１次粒子径が、
２５〜８０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項７
に記載の塗料。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項６に記載の低反
射性・低抵抗性導電膜の前記第２層を形成するための塗
料であって、 不飽和結合を有する有機物とシリコンアルコキシドまた
はシリコンアルコキシドの加水分解物とを含有すること
を特徴とする塗料。 - 【請求項１０】 前記不飽和結合を有する有機物が、
アセチルアセトン、シュウ酸、フェノール、クレゾー
ル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ア
ニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、ペ
ンチルフェニルエーテル、メトキシトルエン、ベンジル
エチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエー
テル、ベラトロール、プロピレンオキシド、１，２−エ
ポキシブタン、ジオキサン、トリオキサン、フラン、２
−メチルフラン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチ
ルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２
−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノ
ン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニル
アセトン、メシチルオキシド、ホロン、イソホロン、シ
クロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェ
ノン、８−キノリノール、フルフリルアルコール、アセ
トアルデヒド、ホルムアルデヒド、ピロール、ピリジ
ン、アニリン、アリルアルコールの単体、またはそれら
の重合体からなる群から選ばれる少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項９に記載の塗料。 - 【請求項１１】 Ｉｎ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎの無機塩からなる群から選ばれる
少なくとも１種を含有していることを特徴とする請求項
９または請求項１０に記載の塗料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013472A JP4647108B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 低反射性・低抵抗性導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013472A JP4647108B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 低反射性・低抵抗性導電膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002216543A true JP2002216543A (ja) | 2002-08-02 |
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|---|---|---|---|
| JP2001013472A Expired - Fee Related JP4647108B2 (ja) | 2001-01-22 | 2001-01-22 | 低反射性・低抵抗性導電膜およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4647108B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8038786B2 (en) * | 2003-03-17 | 2011-10-18 | Hae-Wook Lee | Composition for cutting off heat-ray, film formed therefrom, and method for forming the composition and the film |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07282745A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Colcoat Kk | 陰極線管及びその製造方法 |
| JPH07315881A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-12-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | オーバーコート膜の形成方法 |
| JPH0976401A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-25 | Mitsubishi Materials Corp | 低反射性透明導電膜とその形成方法 |
| JPH09263716A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性に優れた透明導電膜用オーバーコート組成物 |
-
2001
- 2001-01-22 JP JP2001013472A patent/JP4647108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07282745A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | Colcoat Kk | 陰極線管及びその製造方法 |
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| JPH09263716A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性に優れた透明導電膜用オーバーコート組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8038786B2 (en) * | 2003-03-17 | 2011-10-18 | Hae-Wook Lee | Composition for cutting off heat-ray, film formed therefrom, and method for forming the composition and the film |
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