JP2002208806A - 導波管／マイクロストリップ線路変換器およびこれを用いた高周波パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ミリ波帯などの波長が短い領域においても、
製作が容易な導波管／マイクロストリップ線路変換器で
あり、入出力部に導波管が接続される高周波パッケージ
において、内部を気密封止することが可能なパッケージ
を得る。 【解決手段】 誘電体基板と、前記誘電体基板の一面に
形成された地導体パターンと、前記地導体パターンを有
する面に対向する誘電体基板の面に形成されたストリッ
プ導体パターンと、前記ストリップ導体パターンに連続
して形成された導波管上壁用導体パターンと、前記誘電
体基板内で前記地導体パターンと前記導波管上壁用導体
パターンとを接続する接続用導体とを備え、前記ストリ
ップ導体パターンと前記地導体パターン及び前記誘電体
基板とからなるマイクロストリップ線路と、前記導波管
上壁用導体パターンと前記地導体パターンと前記接続用
導体及び誘電体基板とからなる誘電体導波管とを構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、主としてマイク
ロ波帯およびミリ波帯で用いる導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器およびこれを用いた高周波パッケージに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１７は、例えば特公平１０−２８０３
５５１号公報に示された従来の導波管／マイクロストリ
ップ線路変換器の構成を示す図である。図１７（ａ）は
図１７（ｂ）のＢ−Ｂ’断面図、図１７（ｂ）は図１７
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図において、１０１は
導波管、１０２は導波管１０１内部に形成されたテーパ
ー状のリッジ、１０３は誘電体基板、１０４は誘電体基
板１０３上に設けられたマイクロストリップ線路であ
る。

【０００３】図１７に示した従来の導波管／マイクロス
トリップ線路変換器では、導波管１０１と誘電体基板１
０３を平行に配置し、リッジ１０２とマイクロストリッ
プ線路１０４を接触させることにより接続する。導波管
１０１に外部から高周波信号が入力された場合、テーパ
ー状のリッジ１０２において電磁界分布が方形導波管に
おける電磁界分布からリッジ導波管における電磁界分布
に変換される。すなわち、リッジ１０２と導波管１０１
の壁との間に電界が集中する分布となる。リッジ１０２
と導波管１０１の壁との間の高さをマイクロストリップ
線路の基板厚に合わせてやれば、このリッジ導波管の電
磁界分布はマイクロストリップ線路におけるストリップ
導体パターンと地導体パターンの間の電磁界分布に近く
なる。したがって、導波管１０１を伝搬してきた高周波
信号はマイクロストリップ線路の伝搬モードとよく結合
し、反射を生じることなくマイクロストリップ線路１０
４に伝搬することができる。

【０００４】また、図１８は特公平−２８０３５５１号
公報に示された別の従来の導波管／マイクロストリップ
線路変換器を示す図である。図１９は、図１８における
Ａ−Ａ’断面図である。図において、１０５はテーパー
ライン、１０６はリッジ１０２とテーパーライン１０５
を接続する金リボンである。図１８に示した従来の導波
管／マイクロストリップ線路変換器では、導波管１０１
と誘電体基板１０３が垂直に配置されており、誘電体基
板１０３を導波管１０１内に挿入し、リッジ１０２とテ
ーパーライン１０５の間に金リボン１０６を設けること
により両者を接続している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の導
波管／マイクロストリップ線路変換器では、導波管内部
にリッジを形成する必要があり、波長の短いミリ波帯な
どにおいては導波管断面の大きさが非常に小さくなるた
め、製作が非常に難しいという問題があった。また、リ
ッジとマイクロストリップ線路との間の接続を接触や金
リボンにて行っているため、良好な接続特性を得ること
が難しいという問題もあった。さらに、高周波素子を実
装するパッケージの入出力部にこの従来の導波管／マイ
クロストリップ線路変換器を設ける場合、導波管とマイ
クロストリップ線路の接続部に空間があるため、パッケ
ージ内部を気密封止できないという問題もあった。

【０００６】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、ミリ波帯などの波長が短い領域
においても、製作が容易な導波管／マイクロストリップ
線路変換器を得ることを目的とする。さらに、入出力部
に導波管が接続される高周波パッケージにおいて、内部
を気密封止することが可能なパッケージを得ることを目
的とする。

【０００７】

【発明を解決するための手段】この発明に係る導波管／
マイクロストリップ線路変換器は、誘電体基板と、前記
誘電体基板の一面に形成された地導体パターンと、前記
地導体パターンを有する面に対向する誘電体基板の面に
形成されたストリップ導体パターンと、前記ストリップ
導体パターンに連続して形成された導波管上壁用導体パ
ターンと、前記誘電体基板内で前記地導体パターンと前
記導波管上壁用導体パターンとを接続する接続用導体と
を備え、前記ストリップ導体パターンと前記地導体パタ
ーン及び前記誘電体基板とからなるマイクロストリップ
線路と、前記導波管上壁用導体パターンと前記地導体パ
ターンと前記接続用導体及び誘電体基板とからなる誘電
体導波管とを構成したことを特徴とするものである。

【０００８】また、前記ストリップ導体パターンと前記
導波管上壁用導体パターンとの間にテーパー状導体パタ
ーンを挿入したことを特徴とするものである。

【０００９】また、前記テーパー状導体パターンの形状
を曲線としたことを特徴とするものである。

【００１０】また、前記テーパー状導体パターンに導体
パターン抜き部を設けることを特徴とするものである。

【００１１】また、第１の誘電体基板と、前記第１の誘
電体基板の一面に形成された第１の地導体パターン抜き
部を有する第１の地導体パターンと、前記第１の地導体
パターンを有する面に対向する誘電体基板の面に形成さ
れたストリップ導体パターンと、前記ストリップ導体パ
ターンに連続して形成された導波管上壁用導体パターン
と、前記第１の誘電体基板内で前記第１の地導体パター
ンと前記導波管上壁用導体パターンとを接続する第１の
接続用導体と、単層または多層の第２の誘電体基板と、
前記第２の誘電体基板の層間面及び最下面に設けられた
第２の地導体パターン抜き部を有する第２の地導体パタ
ーンと、前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設け
られた前記第２の誘電体基板を最上面から最下面まで貫
通する第２の接続用導体とを備え、前記第１の地導体パ
ターンと前記第２の誘電体基板の最上面が向かい合うよ
うに前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板が積
層され、前記ストリップ導体パターンと前記第１の地導
体パターン及び前記第１の誘電体基板とからなるマイク
ロストリップ線路と、前記導波管上壁用導体パターンと
前記第１の地導体パターンと前記第１の接続用導体及び
前記第１の誘電体基板とからなる第１の誘電体導波管
と、前記第２の地導体パターンと前記第２の接続用導体
と前記第２の誘電体基板とからなる第２の誘電体導波管
とを構成したことを特徴とするものである。

【００１２】また、前記第２の地導体パターン抜き部に
前記第２の地導体パターンと非接触の導体パターンを設
けることを特徴とするものである。

【００１３】また、前記第２の地導体パターン抜き部の
大きさを、前記第２の接続用導体で囲まれた領域の大き
さよりも小さくしたことを特徴とするものである。

【００１４】また、前記第１の誘電体導波管と前記第２
の誘電体導波管の長さがそれぞれの導波管における管内
波長の１／４としたことを特徴とするものである。

【００１５】この発明に係る高周波パッケージは、誘電
体基板に、上記いずれかに記載の導波管／マイクロスト
リップ線路変換器を設け、前記マイクロストリップ線路
を形成する誘電体基板上に高周波素子を実装し、前記誘
電体基板の上部を覆う蓋体を設けたことを特徴とするも
のである。

【００１６】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１における導波管／マイクロストリップ線
路変換器を示す斜視図である。図において、１は誘電体
基板、２は地導体パターン、３はストリップ導体パター
ン、４は導波管上壁用導体パターン、５は導波管側壁用
ヴィアである。なお、ヴィアとは、本願明細書において
内部が中空または中実の円柱状導体を示す用語として用
いるものとする。地導体パターン２とストリップ導体パ
ターン３が対向する誘電体基板１によってマイクロスト
リップ線路５１が構成される。導波管側壁用ヴィア５
は、地導体パターン２と導波管上壁用導体パターン４を
接続し、一定の間隔をおいて２列に並べて誘電体基板１
内に設けられている。また、地導体パターン２を導波管
上壁用導体パターン４の誘電体導波管５２構成部分の中
央に接続することにより、マイクロストリップ線路５１
と誘電体導波管５２を接続している。

【００１７】図２は、マイクロストリップ線路５１にお
ける断面の電界分布を示し、図３は誘電体導波管５２に
おける断面の電界分布を示している。図２において、マ
イクロストリップ線路５１では地導体パターン２とスト
リップ導体パターン３の間に電界が生じている。一方、
図３において、誘電体導波管５２では地導体パターン２
と導波管上壁用導体パターン４の間に電界が生じてお
り、中央部が最も強い分布となっている。ここで、マイ
クロストリップ線路５１を構成するストリップ導体パタ
ーン３を、誘電体導波管５２を構成する導波管上壁用導
体パターン４の誘電体導波管５２構成部の中央に接続す
れば、マイクロストリップ線路５１において電界が生じ
ている部分と誘電体導波管５２において電界が強い部分
が一致する。一方、誘電体導波管５２を構成する導波管
側壁用ヴィア５の列の間隔や同一列内で隣り合うヴィア
の間隔を調節することにより、誘電体導波管５２のイン
ピーダンスをマイクロストリップ線路５１のインピーダ
ンスに等しくすることができる。したがって、マイクロ
ストリップ線路５１と誘電体導波管５２の電界分布とイ
ンピーダンスが近いことから、高周波信号は大きな反射
を生じることなく伝搬することができる。

【００１８】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、マイクロストリップ線路と導波管は同一誘電体基板
に導体パターンとヴィアのみで構成され、マイクロスト
リップ線路と導波管の間の接続はリッジやプローブを用
いずに構成される。したがって、通常の基板加工のみで
形成することが可能であり、波長の短いミリ波帯などに
おいても製作の容易な導波管／マイクロストリップ線路
変換器を実現することができる。また、誘電体導波管５
２の側壁はヴィアで構成されるため、誘電体導波管５２
構成するヴィアの列の間隔だけでなく、同一列内で隣り
合うヴィアの間隔を変化させることによっても誘電体導
波管５２のインピーダンスを調整でき、マイクロストリ
ップ線路と誘電体導波管のインピーダンス整合が容易で
あるという効果もある。

【００１９】なお、この実施の形態１においては、誘電
体導波管５２の左右の側壁をそれぞれ１列の導波管側壁
用ヴィア５で構成したが、それぞれ複数列のヴィアで構
成するようにしてもよい。

【００２０】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２における導波管／マイクロストリップ線路変換器
を示す斜視図である。図において、６はテーパー状導体
パターンである。テーパー状導体パターン６は、誘電体
基板１上にストリップ導体パターン３と導波管上壁用導
体パターン４を接続するように設けられている。マイク
ロストリップ線路５１において地導体パターン２とスト
リップ導体パターン３の間の誘電体基板１中に存在する
電界分布は、テーパー状導体パターン６により横方向に
広げられる。したがって、導波管側壁用ヴィア５の２列
の間隔が長い場合、すなわち誘電体導波管５２のａ寸法
（横幅）が大きい場合でも、マイクロストリップ線路５
１における電界分布を誘電体導波管５２における電界分
布に近づけることができるため、高周波信号は大きな反
射を生じることなく伝搬することができる。

【００２１】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、誘電体基板１に設けられる導波管側壁用ヴィア５の
２列の間隔が長い場合、すなわち誘電体導波管５２のａ
寸法（横幅）が大きい場合でも良好な特性を有する導波
管／マイクロストリップ線路変換器を実現することがで
きる。

【００２２】実施の形態３．図５は、この発明の実施の
形態３における導波管／マイクロストリップ線路変換器
を示す斜視図である。なお、上記実施の形態２では、テ
ーパー状導体パターン６の形状が直線で構成されていた
が、図５に示すようにテーパー状導体パターン６の形状
を曲線でラッパ状に構成してもよい。このような構成に
おいては、マイクロストリップ線路５１から誘電体導波
管５２に伝搬する高周波信号から見えるテーパー状導体
パターン６の並列容量成分が減少するので、より良好な
特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器が
得られるという効果がある。

【００２３】実施の形態４．図６は、この発明の実施の
形態４における導波管／マイクロストリップ線路変換器
を示す斜視図である。図において、７はテーパー状導体
パターン６に設けられた抜き部である。導体パターン抜
き部７は、テーパー状導体パターン６の線路中心付近の
パターンを残して、線路中心に対して対称に２つ以上設
けられている。

【００２４】マイクロストリップ線路５１においてはス
トリップ導体パターン３のパターン端部に電流が集中す
るが、誘電体導波管５２においては導波管上壁用導体パ
ターン４の誘電体導波管５２構成部の中央に最も電流が
流れる。マイクロストリップ線路５１と誘電体導波管５
２を接続するテーパー状導体パターン６のパターン幅
が、誘電体導波管５２側でかなり大きくなっている場合
には、ストリップ導体パターン３のパターン端部を流れ
ていた電流がテーパー状導体パターン６によって誘電体
導波管５２の端部に導かれてしまう。したがって、誘電
体導波管５２の中央部にはあまり電流が流れず、変換器
の反射特性が劣化する恐れがある。そこで、テーパー状
導体パターン６の中央部の導体パターンを残して、その
両側に導体パターン抜き部７を設ける構成とすること
で、電流が誘電体導波管５２の中央部にも流れるように
することができるため、高周波信号は大きな反射を生じ
ることなく伝搬することができる。

【００２５】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、テーパー状導体パターン６のパターン幅が誘電体導
波管側でかなり大きくなっている場合でも、誘電体導波
管の中央部に電流が流れやすくなるため、良好な特性を
有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現す
ることができる。

【００２６】実施の形態５．図７は、この発明の実施の
形態５における導波管／マイクロストリップ線路変換器
を示す断面図である。図８は、図７に示される誘電体基
板１ａの上側の面に配置された導体パターンを示す図で
ある。図９は、図７に示される誘電体基板１ａの下側の
面に配置された導体パターンを示す図である。図１０
は、図７に示される多層誘電体基板１ｂの内層と最下層
の面に配置された導体パターンを示す図である。なお、
図７に示された断面図は、図８ないし１０に示されるＡ
−Ａ’断面図として与えられるものである。

【００２７】これらの図において、１ａは誘電体基板、
１ｂは多層誘電体基板、２ａ、２ｂは地導体パターン、
８は地導体パターン抜き部、９は導波管側壁用ヴィア、
１０は地導体パターン抜き部である。誘電体基板１ａの
上側の面にストリップ導体パターン３、下側の面に地導
体パターン２ａを設けることで、マイクロストリップ線
路５１を構成している。また、誘電体基板１ａの上側の
面に導波管上壁用導体パターン４、下側の面に地導体パ
ターン２ａを設け、導波管上壁用導体パターン４と地導
体パターン２ａを接続する導波管側壁用ヴィア５を設け
ることで、水平方向に高周波信号が伝搬する誘電体導波
管５２を構成している。さらに、多層誘電体基板２ｂの
層間面と最下面に地導体パターン抜き部１０を有する地
導体パターン２ｂを設け、地導体パターン抜き部１０の
周囲には多層誘電体基板２ｂを貫通し地導体パターン２
ａ、２ｂを接続する導波管側壁用ヴィア９を設けること
で、垂直方向に高周波信号が伝搬する誘電体導波管５３
を構成している。多層誘電体基板２ｂの下には、この誘
電体導波管５３の開口に合わせて外部導波管５４が設け
られている。

【００２８】上記のような構成を有する導波管／マイク
ロストリップ線路変換器において、誘電体基板１ａに構
成されたマイクロストリップ線路５１に入力された高周
波信号は、テーパー状導体パターン６を介して、誘電体
基板１ａに構成された誘電体導波管５２を伝搬する。さ
らに地導体パターン抜き部８を通って、多層誘電体基板
１ｂに構成された誘電体導波管５３を下向きに伝搬す
る。そして、多層誘電体基板１ｂの下に設けられた外部
導波管５４に伝搬していく。

【００２９】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、実施の形態１と同様、マイクロストリップ線路と誘
電体導波管の間をリッジやプローブを形成することなく
接続することができるので、波長の短いミリ波帯などに
おいても製作の容易な導波管／マイクロストリップ線路
変換器を実現することができる。また、基板の導体パタ
ーンとヴィアだけで構成するため、多層誘電体基板内部
に形成することが可能であり、セラミックなどを用いた
パッケージに組み込むことも容易であるという効果もあ
る。さらに、誘電体基板の下側の面に誘電体導波管の開
口を有するため、誘電体基板と外部導波管を接続しやす
いという効果もある。

【００３０】実施の形態６．図１１は、この発明の実施
の形態６における導波管／マイクロストリップ線路変換
器を示す断面図である。図１２は、図１１に示される多
層誘電体基板１ｂの最下面に配置された導体パターンを
示す図である。なお、図１１に示された断面図は、図１
２に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられるものであ
る。図において、１１は地導体パターン抜き部１０内に
設けられたリアクタンス調整用導体パターンである。

【００３１】上記のような構成を有する導波管／マイク
ロストリップ線路変換器において、地導体パターン抜き
部８を介して誘電体導波管５２と誘電体導波管５３が接
続されている部分には、導波管壁の不連続によるリアク
タンス成分が存在する。したがって、良好な反射特性を
得るためには、上記リアクタンス成分を打ち消すことが
必要である。地導体パターン抜き部１０に設けられた導
体パターン１１は、誘電体導波管５３の内部に設けられ
た導体として働くため、リアクタンス成分を有する。し
たがって、導体パターン１１の大きさを適当に調節して
やることによって、整合をとることが可能となる。

【００３２】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、導体パターン１１によってリアクタンス成分の調整
を行うことができるためインピーダンス整合がとりやす
く、良好な特性の導波管／マイクロストリップ線路変換
器を実現することができる。なお、この実施の形態６に
おいては、導体パターン１１を多層誘電体基板１ｂの最
下面に設けたが、多層誘電体基板１ｂの層間面に設けて
も同様な効果が得られる。

【００３３】実施の形態７．上記実施の形態６では、リ
アクタンス成分の調整のために導体パターン１１を設け
たが、図１３および図１４に示すように、地導体パター
ン抜き部１０の周囲にアイリス状導体パターン１２を設
けるようにしてもよい。図１３はその場合の導波管／マ
イクロストリップ線路の断面図、図１４は、図１３に示
される多層誘電体基板１ｂの最下面に配置された導体パ
ターンを示す図である。なお、図１３に示された断面図
は、図１４に示されるＡ−Ａ’断面図として与えられる
ものである。アイリス状導体パターン１２も誘電体導波
管５３中において誘電体導波管５３の内部に設けられた
導体として働くため、実施の形態６と同様の効果である
リアクタンス成分の調整を行うことができる。さらに、
導波管内部は中央部よりも端部における電磁界強度が小
さく、導体パターンの影響が小さくなることから、リア
クタンス調整用の導体パターン寸法のずれに対する変換
器特性のずれが少ないという効果もある。

【００３４】実施の形態８．図１５は、この発明の実施
の形態８における導波管／マイクロストリップ線路変換
器を示す断面図である。誘電体基板１ａの上側の面にス
トリップ導体パターン３を設け、誘電体基板１ａの下側
の面に地導体パターン２ａを設けることで、マイクロス
トリップ線路５１を構成している。誘電体基板１ａの上
側の面に導波管上壁用導体パターン４、下側の面に地導
体パターン２ａを設け、導波管上壁用導体パターン４と
地導体パターン２ａを接続する導波管側壁用ヴィア５を
設けることで、誘電体導波管５２を構成している。ま
た、多層誘電体基板１ｂの層間面と最下面に地導体パタ
ーン抜き部１０を有する地導体パターン２ｂを設け、地
導体パターン抜き部１０の周囲には地導体パターン２
ａ、２ｂを接続する導波管側壁用ヴィア９が設けられ、
誘電体導波管５３を構成している。

【００３５】本実施の形態８においては、誘電体導波管
５２と誘電体導波管５３の長さをそれぞれの導波管にお
ける管内波長の１／４程度の長さとし、導波管側壁用ヴ
ィア５の２列の間隔と導波管側壁用ヴィア９で囲まれた
領域の大きさを変化させて、誘電体導波管５２と誘電体
導波管５３のインピーダンスをそれぞれ適当な値にして
やることにより、２つの誘電体導波管がマイクロストリ
ップ線路５１と外部導波管５４を接続する２段のインピ
ーダンス変成器として動作する。したがって、広帯域に
わたって整合をとることが可能となる。

【００３６】実施の形態９．図１６は、この発明の実施
の形態９における高周波パッケージを示す断面図であ
る。１３は誘電体基板上に実装された高周波素子、１４
は高周波素子を封止するための蓋、１５は前記高周波素
子１３とストリップ導体パターン３とを結合する導電性
のワイヤー（又は金リボン等）である。マイクロストリ
ップ線路５１、誘電体導波管５２および誘電体導波管５
３から構成される変換器は、導波管のインターフェース
が誘電体基板の下側にあり、誘電体基板の上側には導波
管を構成する必要がないため、誘電体基板の上に蓋１４
を設けるだけで、変換器の特性に影響を与えることな
く、容易に誘電体基板上に実装された高周波素子１３を
含む領域を封止することが可能である。

【００３７】

【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。

【００３８】同一誘電体基板に構成されたマイクロスト
リップ線路と誘電体導波管との間を、リッジやプローブ
を形成することなく接続することができるため、波長の
短いミリ波帯などにおいても製作の容易な導波管／マイ
クロストリップ線路変換器を実現することができる。

【００３９】また、誘電体基板に設けられる導波管側壁
用ヴィアの２列の間隔が長い場合、すなわち誘電体導波
管の寸法（横幅）が大きい場合でも良好な伝搬特性を有
する導波管／マイクロストリップ線路変換器を実現する
ことができる。

【００４０】また、伝搬する高周波信号から見えるテー
パー状導体パターンの並列容量成分が減少するので、よ
り良好な伝搬特性を有する導波管／マイクロストリップ
線路変換器を実現することができる。

【００４１】また、テーパー状導体パターンのパターン
幅が誘電体導波管側でかなり大きくなっている場合で
も、誘電体導波管の中央部に電流が流れやすくなるた
め、良好な伝搬伝送特性を有する導波管／マイクロスト
リップ線路変換器を実現することができる。

【００４２】また、基板の導体パターンと導波管側壁用
ヴィアだけで構成するため、多層誘電体基板内部に形成
することが可能であり、セラミックなどを用いたパッケ
ージに組み込むことも容易であり、誘電体基板の下側の
面に誘電体導波管の開口を有するため、誘電体基板と外
部導波管との接続を容易にすることができる。

【００４３】また、地導体パターンの抜き部に導体パタ
ーンを設けたことにより、リアクタンス成分の調整がで
きるためインピーダンス整合がとりやすく、良好な伝搬
特性を有する導波管／マイクロストリップ線路変換器を
実現することができる。

【００４４】また、導波管内部は中央部よりも端部にお
ける電磁界強度が小さく、導体パターンの影響が小さく
なることから、リアクタンス調整用の導体パターン寸法
のずれに対する変換器の伝搬特性のずれを少なくするこ
とができる。

【００４５】各誘電体導波管の長さをそれぞれの導波管
における管内波長の１／４程度の長さとし、インピーダ
ンスを適当な値とすることにより、２つの誘電体導波管
がマイクロストリップ線路と外部導波管を接続する２段
のインピーダンス変成器として動作するため、広帯域に
わたってインピーダンスの整合をとることができる。

【００４６】導波管のインターフェースが誘電体基板の
下側にあり、誘電体基板の上側には導波管を構成する必
要がないため、誘電体基板の上に蓋を設けるだけで、変
換器の特性に影響を与えることなく、容易に誘電体基板
上に実装された高周波素子を含む領域を封止することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。

【図２】 この発明の実施の形態１に係るマイクロスト
リップ線路における断面の電界分布を示す図である。

【図３】 この発明の実施の形態１に係る誘電体導波管
における断面の電界分布を示す図である。

【図４】 この発明の実施の形態２に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。

【図５】 この発明の実施の形態３に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。

【図６】 この発明の実施の形態４に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す斜視図である。

【図７】 この発明の実施の形態５に係る導波管／マイ
クロストリップ線路変換器の構成を示す断面図である。

【図８】 この発明の実施の形態５に係る誘電体基板１
ａの上面に配置した導体パターンを示す図である。

【図９】 この発明の実施の形態５に係る誘電体基板１
ａの下面に配置した導体パターンを示す図である。

【図１０】 この発明の実施の形態５に係る多層誘電体
基板１ｂの内層と最下層に配置した導体パターンを示す
図である。

【図１１】 この発明の実施の形態６に係る導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図であ
る。

【図１２】 この発明の実施の形態６に係る多層誘電体
基板１ｂの最下面に配置した導体パターンを示す図であ
る。

【図１３】 この発明の実施の形態７に係る導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図であ
る。

【図１４】 この発明の実施の形態７に係る多層誘電体
基板１ｂの最下面に配置した導体パターンを示す図であ
る。

【図１５】 この発明の実施の形態８に係る導波管／マ
イクロストリップ線路変換器の構成を示す断面図であ
る。

【図１６】 この発明の実施の形態９に係る高周波パッ
ケージの構成を示す断面図である。

【図１７】 従来の導波管／マイクロストリップ線路変
換器の構成を示す断面図である。

【図１８】 従来の導波管／マイクロストリップ線路変
換器の構成を示す図である。

【図１９】 従来の導波管／マイクロストリップ線路変
換器の構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 誘電体基板、１ａ 誘電体基板、１ｂ 多層誘電体
基板、２ 地導体パターン、２ａ 地導体パターン、２
ｂ 地導体パターン、３ ストリップ導体パターン、４
導波管上壁用導体パターン、５ 導波管側壁用ヴィ
ア、６ テーパー状導体パターン、７ 導体パターン抜
き部、８ 地導体パターン抜き部、９ 導波管側壁用ヴ
ィア、１０ 地導体パターン抜き部、１１ 導体パター
ン、１２アイリス導体パターン、１３ 高周波素子、１
４ 蓋、１５ 導電性ワイヤー、５１ マイクロストリ
ップ線路、５２ 誘電体導波管、５３ 誘電体導波管、
５４ 外部導波管、１０１ 導波管、１０２ リッジ、
１０３ 誘電体基板、１０４ マイクロストリップ線
路、１０５ テーパーライン、１０６ 金リボン、１０
７ 金属板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮▲崎▼ 守▲泰▼ 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 稲見 和喜 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 松尾 浩一 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 田牧 努 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板と、 前記誘電体基板の一面に形成された地導体パターンと、 前記地導体パターンを有する面に対向する誘電体基板の
   面に形成されたストリップ導体パターンと、 前記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波
   管上壁用導体パターンと、 前記誘電体基板内で前記地導体パターンと前記導波管上
   壁用導体パターンとを接続する接続用導体とを備え、 前記ストリップ導体パターンと前記地導体パターン及び
   前記誘電体基板とからなるマイクロストリップ線路と、
   前記導波管上壁用導体パターンと前記地導体パターンと
   前記接続用導体及び誘電体基板とからなる誘電体導波管
   とを構成したことを特徴とする導波管／マイクロストリ
   ップ線路変換器。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の導波管／マイクロスト
   リップ線路変換器において、 前記ストリップ導体パターンと前記導波管上壁用導体パ
   ターンとの間にテーパー状導体パターンを挿入したこと
   を特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換器。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の導波管／マイクロスト
   リップ線路変換器において、 前記テーパー状導体パターンの形状を曲線としたことを
   特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換器。
4. 【請求項４】 請求項２または３に記載の導波管／マイ
   クロストリップ線路変換器において、 前記テーパー状導体パターンに導体パターン抜き部を設
   けることを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路
   変換器。
5. 【請求項５】 第１の誘電体基板と、 前記第１の誘電体基板の一面に形成された第１の地導体
   パターン抜き部を有する第１の地導体パターンと、 前記第１の地導体パターンを有する面に対向する誘電体
   基板の面に形成されたストリップ導体パターンと、 前記ストリップ導体パターンに連続して形成された導波
   管上壁用導体パターンと、 前記第１の誘電体基板内で前記第１の地導体パターンと
   前記導波管上壁用導体パターンとを接続する第１の接続
   用導体と、 単層または多層の第２の誘電体基板と、 前記第２の誘電体基板の層間面及び最下面に設けられた
   第２の地導体パターン抜き部を有する第２の地導体パタ
   ーンと、 前記第２の地導体パターン抜き部の周囲に設けられた前
   記第２の誘電体基板を最上面から最下面まで貫通する第
   ２の接続用導体とを備え、 前記第１の地導体パターンと前記第２の誘電体基板の最
   上面が向かい合うように前記第１の誘電体基板と前記第
   ２の誘電体基板が積層され、 前記ストリップ導体パターンと前記第１の地導体パター
   ン及び前記第１の誘電体基板とからなるマイクロストリ
   ップ線路と、前記導波管上壁用導体パターンと前記第１
   の地導体パターンと前記第１の接続用導体及び前記第１
   の誘電体基板とからなる第１の誘電体導波管と、前記第
   ２の地導体パターンと前記第２の接続用導体と前記第２
   の誘電体基板とからなる第２の誘電体導波管とを構成し
   たことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変
   換器。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の導波管／マイクロスト
   リップ線路変換器において、 前記第２の地導体パターン抜き部に前記第２の地導体パ
   ターンと非接触の導体パターンを設けることを特徴とす
   る導波管／マイクロストリップ線路変換器。
7. 【請求項７】 請求項５または６に記載の導波管／マイ
   クロストリップ線路変換器において、 前記第２の地導体パターン抜き部の大きさを、前記第２
   の接続用導体で囲まれた領域の大きさよりも小さくした
   ことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換
   器。
8. 【請求項８】 請求項５乃至７のいずれかに記載の導波
   管／マイクロストリップ線路変換器において、 前記第１の誘電体導波管と前記第２の誘電体導波管の長
   さがそれぞれの導波管における管内波長の１／４とした
   ことを特徴とする導波管／マイクロストリップ線路変換
   器。
9. 【請求項９】 誘電体基板に、請求項１乃至８のいずれ
   かに記載の導波管／マイクロストリップ線路変換器を設
   け、 前記マイクロストリップ線路を形成する前記誘電体基板
   上に高周波素子を実装し、前記誘電体基板の上部を覆う
   蓋体を設けたことを特徴とする高周波パッケージ。