JP2002208780A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents
多層回路基板の製造方法Info
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- JP2002208780A JP2002208780A JP2001001270A JP2001001270A JP2002208780A JP 2002208780 A JP2002208780 A JP 2002208780A JP 2001001270 A JP2001001270 A JP 2001001270A JP 2001001270 A JP2001001270 A JP 2001001270A JP 2002208780 A JP2002208780 A JP 2002208780A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノイズの吸収に優れ、小型化が可能な多層回
路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層２８を介して配線パターンが多層
に形成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方
法であって、バルブ金属箔１０の表面に該金属の酸化皮
膜１２を形成する陽極化成工程と、該酸化皮膜１２上に
電極膜１４を形成する工程と、該電極膜１４を形成した
バルブ金属箔１０を所要の大きさに裁断してキャパシタ
シート１６に形成する裁断工程と、該キャパシタシート
１６を配線パターンに電気的に接続して固定する組み込
み工程とを含むことを特徴としている。
路基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁層２８を介して配線パターンが多層
に形成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方
法であって、バルブ金属箔１０の表面に該金属の酸化皮
膜１２を形成する陽極化成工程と、該酸化皮膜１２上に
電極膜１４を形成する工程と、該電極膜１４を形成した
バルブ金属箔１０を所要の大きさに裁断してキャパシタ
シート１６に形成する裁断工程と、該キャパシタシート
１６を配線パターンに電気的に接続して固定する組み込
み工程とを含むことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層回路基板の製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを搭載する多層回路基板で
は、ノイズの吸収をするためキャパシタを取り付けてい
る。従来はこのキャパシタは、チップキャパシタを多層
回路基板の外部に取り付けることにより対処している。
は、ノイズの吸収をするためキャパシタを取り付けてい
る。従来はこのキャパシタは、チップキャパシタを多層
回路基板の外部に取り付けることにより対処している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のよう
に、チップキャパシタを多層回路基板の外部に取り付け
たのでは、半導体チップとチップキャパシタの距離が大
きくなり、ノイズの吸収が十分でないという課題があ
る。また、チップキャパシタを含めた装置全体が大型化
するという課題もある。
に、チップキャパシタを多層回路基板の外部に取り付け
たのでは、半導体チップとチップキャパシタの距離が大
きくなり、ノイズの吸収が十分でないという課題があ
る。また、チップキャパシタを含めた装置全体が大型化
するという課題もある。
【０００４】そこで本発明は上記課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、ノイズの吸
収に優れ、小型化が可能な多層回路基板の製造方法を提
供するにある。
れたものであり、その目的とするところは、ノイズの吸
収に優れ、小型化が可能な多層回路基板の製造方法を提
供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、絶縁層を介して
配線パターンが多層に形成され、キャパシタを備えた多
層回路基板の製造方法であって、バルブ金属箔の表面に
該金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程と、該酸化皮
膜上に電極膜を形成する工程と、該電極膜を形成した前
記バルブ金属箔を所要の大きさに裁断してキャパシタシ
ートに形成する裁断工程と、該キャパシタシートを前記
配線パターンに電機的に接続して固定する組み込み工程
とを含むことを特徴としている。
するため次の構成を備える。すなわち、絶縁層を介して
配線パターンが多層に形成され、キャパシタを備えた多
層回路基板の製造方法であって、バルブ金属箔の表面に
該金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程と、該酸化皮
膜上に電極膜を形成する工程と、該電極膜を形成した前
記バルブ金属箔を所要の大きさに裁断してキャパシタシ
ートに形成する裁断工程と、該キャパシタシートを前記
配線パターンに電機的に接続して固定する組み込み工程
とを含むことを特徴としている。
【０００６】また、絶縁層を介して配線パターンが多層
に形成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方
法であって、バルブ金属箔に複数のスルーホールを形成
する工程と、該バルブ金属箔の表面およびスルーホール
の内壁面に該金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程
と、前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に金属層を形成
するとともに、前記スルーホールの内壁面の酸化皮膜上
に導体部を形成する工程と、前記金属層をエッチングし
て、前記バルブ金属箔の表面に前記導体部により電気的
に接続する電極膜を形成し、前記導体部により所要数の
キャパシタが直列に接続されたキャパシタ構造を形成す
る工程と、該キャパシタ構造を形成したバルブ金属箔を
裁断して、前記端子部を設けた所要数のキャパシタを有
するキャパシタシートに形成する裁断工程と、該キャパ
シタシートを前記配線パターンに電気的に接続して固定
する組み込み工程とを含むことを特徴としている。
に形成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方
法であって、バルブ金属箔に複数のスルーホールを形成
する工程と、該バルブ金属箔の表面およびスルーホール
の内壁面に該金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程
と、前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に金属層を形成
するとともに、前記スルーホールの内壁面の酸化皮膜上
に導体部を形成する工程と、前記金属層をエッチングし
て、前記バルブ金属箔の表面に前記導体部により電気的
に接続する電極膜を形成し、前記導体部により所要数の
キャパシタが直列に接続されたキャパシタ構造を形成す
る工程と、該キャパシタ構造を形成したバルブ金属箔を
裁断して、前記端子部を設けた所要数のキャパシタを有
するキャパシタシートに形成する裁断工程と、該キャパ
シタシートを前記配線パターンに電気的に接続して固定
する組み込み工程とを含むことを特徴としている。
【０００７】また、絶縁層を介して配線パターンが多層
に形成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方
法であって、バルブ金属箔に複数のスルーホールを形成
する工程と、該バルブ金属箔の表面およびスルーホール
の内壁面に該金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程
と、前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜の一部を除去して
バルブ金属箔を露出させるビア穴を形成する工程と、前
記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に金属層を形成すると
ともに、前記スルーホールの内壁面の酸化皮膜上および
前記ビア穴の内壁面に導体部を形成する工程と、前記金
属層をエッチングして、前記バルブ金属箔の表面に前記
スルーホールの導体部により電気的に接続する電極膜
と、前記ビア穴の導体部により前記バルブ金属箔に電気
的に接続する端子部とを形成し、所要数のキャパシタが
直列に接続されたキャパシタ構造を形成する工程と、該
キャパシタ構造を形成したバルブ金属箔を裁断して、前
記端子部を設けた所要数のキャパシタを有するキャパシ
タシートに形成する裁断工程と、該キャパシタシートを
前記配線パターンに電気的に接続して固定する組み込み
工程とを含むことを特徴としている。
に形成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方
法であって、バルブ金属箔に複数のスルーホールを形成
する工程と、該バルブ金属箔の表面およびスルーホール
の内壁面に該金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程
と、前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜の一部を除去して
バルブ金属箔を露出させるビア穴を形成する工程と、前
記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に金属層を形成すると
ともに、前記スルーホールの内壁面の酸化皮膜上および
前記ビア穴の内壁面に導体部を形成する工程と、前記金
属層をエッチングして、前記バルブ金属箔の表面に前記
スルーホールの導体部により電気的に接続する電極膜
と、前記ビア穴の導体部により前記バルブ金属箔に電気
的に接続する端子部とを形成し、所要数のキャパシタが
直列に接続されたキャパシタ構造を形成する工程と、該
キャパシタ構造を形成したバルブ金属箔を裁断して、前
記端子部を設けた所要数のキャパシタを有するキャパシ
タシートに形成する裁断工程と、該キャパシタシートを
前記配線パターンに電気的に接続して固定する組み込み
工程とを含むことを特徴としている。
【０００８】また、前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上
に、無電解めっき、蒸着もしくはスパッタリングを施
し、次いで電解めっきを施して前記金属層を形成するこ
とを特徴としている。
に、無電解めっき、蒸着もしくはスパッタリングを施
し、次いで電解めっきを施して前記金属層を形成するこ
とを特徴としている。
【０００９】また、前記バルブ金属箔としてチタン箔を
用い、前記酸化皮膜に代えて、水熱合成法により前記チ
タン箔の表面に誘電体層を形成することを特徴としてい
る。
用い、前記酸化皮膜に代えて、水熱合成法により前記チ
タン箔の表面に誘電体層を形成することを特徴としてい
る。
【００１０】前記誘電体層が、チタン酸ジルコン酸鉛、
チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、もしくは
チタン酸ストロンチウムバリウムであることを特徴とし
ている。前記キャパシタシートを基板の最表層の配線パ
ターン上に固定すると好適である。
チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、もしくは
チタン酸ストロンチウムバリウムであることを特徴とし
ている。前記キャパシタシートを基板の最表層の配線パ
ターン上に固定すると好適である。
【００１１】 あるいは、前記キャパシタシートを基板
の内層側の配線パターン上に固定するようにすることも
できる。また上記キャパシタシートをコア材として用
い、該コア材の両面に絶縁層を介して配線パターンをビ
ルドアップ法により形成して回路基板に形成するように
してもよい。
の内層側の配線パターン上に固定するようにすることも
できる。また上記キャパシタシートをコア材として用
い、該コア材の両面に絶縁層を介して配線パターンをビ
ルドアップ法により形成して回路基板に形成するように
してもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１はキャパシ
タシートの製造工程を示す。１０はアルミニウム、チタ
ン、タンタル等のバルブ金属箔である。このバルブ金属
箔１０に公知の陽極化成法（陽極酸化）により、表面に
酸化皮膜１２を形成する（図２）。バルブ金属箔１０は
５μｍ〜３０μｍ程度の薄い肉厚のものを用いることが
でき、このバルブ金属箔１０の表面に０．３μｍ程度の
極めて薄い酸化皮膜を形成することができる。バルブ金
属箔１０は、ロール状に巻回したもの、あるいは広い面
積を有するシート状のものを用いることができ、効率よ
く陽極化成処理を施すことができる。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１はキャパシ
タシートの製造工程を示す。１０はアルミニウム、チタ
ン、タンタル等のバルブ金属箔である。このバルブ金属
箔１０に公知の陽極化成法（陽極酸化）により、表面に
酸化皮膜１２を形成する（図２）。バルブ金属箔１０は
５μｍ〜３０μｍ程度の薄い肉厚のものを用いることが
でき、このバルブ金属箔１０の表面に０．３μｍ程度の
極めて薄い酸化皮膜を形成することができる。バルブ金
属箔１０は、ロール状に巻回したもの、あるいは広い面
積を有するシート状のものを用いることができ、効率よ
く陽極化成処理を施すことができる。
【００１３】次いで図３に示すように、バルブ金属箔１
０の両面の酸化皮膜１２上に、スパッタリングあるいは
蒸着により銅層を形成して電極膜１４、１４を形成す
る。次に、図４に示すように、バルブ金属箔１０を所望
の大きさに裁断して、キャパシタシート１６（以下単に
キャパシタ１６ということがある）に形成する。酸化皮
膜１２は硬くて脆いが、芯にフレキシブルなバルブ金属
箔１０が存在するので、全体として、脆さは低減され、
取り扱いやすい。なお、上記では、バルブ金属箔１０の
両面に、酸化皮膜１２、電極膜１４を形成したが、バル
ブ金属箔１０の片面にのみ酸化皮膜１２、電極膜１４を
形成するようにしてもよい。
０の両面の酸化皮膜１２上に、スパッタリングあるいは
蒸着により銅層を形成して電極膜１４、１４を形成す
る。次に、図４に示すように、バルブ金属箔１０を所望
の大きさに裁断して、キャパシタシート１６（以下単に
キャパシタ１６ということがある）に形成する。酸化皮
膜１２は硬くて脆いが、芯にフレキシブルなバルブ金属
箔１０が存在するので、全体として、脆さは低減され、
取り扱いやすい。なお、上記では、バルブ金属箔１０の
両面に、酸化皮膜１２、電極膜１４を形成したが、バル
ブ金属箔１０の片面にのみ酸化皮膜１２、電極膜１４を
形成するようにしてもよい。
【００１４】図５は上記キャパシタシート１６を組み込
んだ多層回路基板１８を示す。回路基板１８の製造工程
の一例を説明する。まず、コア材２０の両表面の銅箔を
エッチング加工して所要パターンの配線パターン２２、
２４に形成する。配線パターン２２、２４は、図示しな
いスルーホールめっき皮膜（導体部）を通じて電気的に
接続される。配線パターン２２上に銀フィラー入り樹脂
等の導電性接着剤２６により上記キャパシタシート１６
を接着する。なお、バルブ金属箔１０の片側にのみ、酸
化皮膜１２、電極膜１４を形成したキャパシタ１６の場
合には、バルブ金属箔側を導電性接着剤２６により配線
パターン２２上に接着する。
んだ多層回路基板１８を示す。回路基板１８の製造工程
の一例を説明する。まず、コア材２０の両表面の銅箔を
エッチング加工して所要パターンの配線パターン２２、
２４に形成する。配線パターン２２、２４は、図示しな
いスルーホールめっき皮膜（導体部）を通じて電気的に
接続される。配線パターン２２上に銀フィラー入り樹脂
等の導電性接着剤２６により上記キャパシタシート１６
を接着する。なお、バルブ金属箔１０の片側にのみ、酸
化皮膜１２、電極膜１４を形成したキャパシタ１６の場
合には、バルブ金属箔側を導電性接着剤２６により配線
パターン２２上に接着する。
【００１５】後は通常のビルドアップ法により回路基板
１８に完成する。すなわち、配線パターン２２およびキ
ャパシタシート１６を覆って絶縁層２８を形成し、この
絶縁層２８にビア穴３０を形成し、ビア穴３０内および
絶縁層２８上に、無電解銅めっきもしくはスパッタリン
グ、次いで電解銅めっきによりめっき皮膜を形成し、絶
縁層２８上のめっき皮膜をエッチング加工して所要パタ
ーンの配線パターンに形成することにより、絶縁層２８
両側の配線パターンがビアめっき皮膜により電気的に接
続された回路基板１８に完成される。
１８に完成する。すなわち、配線パターン２２およびキ
ャパシタシート１６を覆って絶縁層２８を形成し、この
絶縁層２８にビア穴３０を形成し、ビア穴３０内および
絶縁層２８上に、無電解銅めっきもしくはスパッタリン
グ、次いで電解銅めっきによりめっき皮膜を形成し、絶
縁層２８上のめっき皮膜をエッチング加工して所要パタ
ーンの配線パターンに形成することにより、絶縁層２８
両側の配線パターンがビアめっき皮膜により電気的に接
続された回路基板１８に完成される。
【００１６】なお、３２は電極膜１４に電気的に接続す
るビアめっき皮膜、３４は配線パターン２２、導電性接
着剤２６を介して他方の電極膜１４に電気的に接続する
ビアめっき皮膜である。ビアめっき皮膜３２、３４に半
導体チップ（図示せず）の所要端子を接続するようにし
て絶縁層２８上に半導体チップを搭載することにより、
半導体チップの直下にキャパシタ１６を配置した半導体
装置とすることができ、ノイズの吸収に優れ、また小型
化が可能な半導体装置に完成する。この場合、配線パタ
ーン２４には、外部接続用のはんだボール（はんだバン
プ）（図示せず）を設けるようにするとよい。
るビアめっき皮膜、３４は配線パターン２２、導電性接
着剤２６を介して他方の電極膜１４に電気的に接続する
ビアめっき皮膜である。ビアめっき皮膜３２、３４に半
導体チップ（図示せず）の所要端子を接続するようにし
て絶縁層２８上に半導体チップを搭載することにより、
半導体チップの直下にキャパシタ１６を配置した半導体
装置とすることができ、ノイズの吸収に優れ、また小型
化が可能な半導体装置に完成する。この場合、配線パタ
ーン２４には、外部接続用のはんだボール（はんだバン
プ）（図示せず）を設けるようにするとよい。
【００１７】図示の例では、コア材２０の片側にのみ絶
縁層２８を形成したが、コア材２０の両側に絶縁層およ
び配線パターンを単層あるいは多層に積み上げて形成し
てもよい。この場合、キャパシタ１６は、搭載する半導
体チップの近くに配置するために、最表層の絶縁体層２
８の中に配置するようにすると好適である。
縁層２８を形成したが、コア材２０の両側に絶縁層およ
び配線パターンを単層あるいは多層に積み上げて形成し
てもよい。この場合、キャパシタ１６は、搭載する半導
体チップの近くに配置するために、最表層の絶縁体層２
８の中に配置するようにすると好適である。
【００１８】図６〜図９は第２の実施の形態を示す。本
実施の形態では、図６に示すように、バルブ金属箔１０
に所要パターンでスルーホール１１を形成する。次いで
図７に示すように、陽極化成処理により、バルブ金属箔
１０の表面およびスルーホール１１内壁面に該金属の酸
化皮膜１２を形成する。次に、図８に示すように、無電
解めっきもしくはスパッタリング、次いで電解めっきを
施して、バルブ金属箔１０表面の酸化皮膜１２表面に金
属層１４ａを形成するとともに、スルーホール１１内壁
面の酸化皮膜上に導体部１５を形成し、金属層１４ａを
エッチング加工して、バルブ金属箔１０の表裏に導体部
１５により電気的に接続する電極膜１４、１４を形成し
て、導体部１５により所要個数直列に接続されたキャパ
シタ構造を形成する。このキャパシタ構造を形成したバ
ルブ金属箔１０を裁断して、所要複数個のキャパシタが
つながった状態のキャパシタシート１６に形成するので
ある。このキャパシタシート１６を図５に示すように内
部に配置して回路基板に形成することができる。
実施の形態では、図６に示すように、バルブ金属箔１０
に所要パターンでスルーホール１１を形成する。次いで
図７に示すように、陽極化成処理により、バルブ金属箔
１０の表面およびスルーホール１１内壁面に該金属の酸
化皮膜１２を形成する。次に、図８に示すように、無電
解めっきもしくはスパッタリング、次いで電解めっきを
施して、バルブ金属箔１０表面の酸化皮膜１２表面に金
属層１４ａを形成するとともに、スルーホール１１内壁
面の酸化皮膜上に導体部１５を形成し、金属層１４ａを
エッチング加工して、バルブ金属箔１０の表裏に導体部
１５により電気的に接続する電極膜１４、１４を形成し
て、導体部１５により所要個数直列に接続されたキャパ
シタ構造を形成する。このキャパシタ構造を形成したバ
ルブ金属箔１０を裁断して、所要複数個のキャパシタが
つながった状態のキャパシタシート１６に形成するので
ある。このキャパシタシート１６を図５に示すように内
部に配置して回路基板に形成することができる。
【００１９】図９は、上記キャパシタシート１６をコア
材として、この両側にビルドアップ法により絶縁層２
８、・・と配線パターン３６・・とを多層に形成した回
路基板１８を示す。３８は半導体チップ搭載用のはんだ
ボール、４０はボードへの搭載用のはんだボール、４２
はソルダーレジスト層である。この例では、内部に直列
に接続されたキャパシタ１６が組み込まれた回路基板１
８とすることができる。
材として、この両側にビルドアップ法により絶縁層２
８、・・と配線パターン３６・・とを多層に形成した回
路基板１８を示す。３８は半導体チップ搭載用のはんだ
ボール、４０はボードへの搭載用のはんだボール、４２
はソルダーレジスト層である。この例では、内部に直列
に接続されたキャパシタ１６が組み込まれた回路基板１
８とすることができる。
【００２０】図１０〜図１３は第３の実施の形態を示
す。まず図１０に示すようにバルブ金属箔１０にスルー
ホール１１を形成する。次に図１１に示すように、陽極
化成処理をして、バルブ金属箔１０の表面およびスルー
ホール１１内壁面に該金属の酸化皮膜１２を形成する。
次いで図１２に示すように、エッチング加工により、酸
化皮膜１２を一部除去してビア穴１３を形成し、バルブ
金属箔１０を露出させる。
す。まず図１０に示すようにバルブ金属箔１０にスルー
ホール１１を形成する。次に図１１に示すように、陽極
化成処理をして、バルブ金属箔１０の表面およびスルー
ホール１１内壁面に該金属の酸化皮膜１２を形成する。
次いで図１２に示すように、エッチング加工により、酸
化皮膜１２を一部除去してビア穴１３を形成し、バルブ
金属箔１０を露出させる。
【００２１】次に、図１３に示すように、電解めっきも
しくはスパッタリング、次いで電解めっきを施して、バ
ルブ金属箔１０表面の酸化皮膜１２表面に金属層１４ａ
を形成するとともに、スルーホール１１内壁面の酸化皮
膜１２上およびビア穴１３内壁面に導体部１５を形成す
る。次いで、金属層１４ａをエッチング加工して、バル
ブ金属箔１０の表裏にスルーホール１１の導体部１５に
より電気的に接続する電極膜１７と、ビア穴１３の導体
部１５を通じてバルブ金属箔１０に接続する端子部１９
とを形成して、所要個数直列に接続されたキャパシタ構
造を形成する。該キャパシタ構造を形成したバルブ金属
箔１０を裁断して、所要数のキャパシタを有するキャパ
シタシート１６に形成する。
しくはスパッタリング、次いで電解めっきを施して、バ
ルブ金属箔１０表面の酸化皮膜１２表面に金属層１４ａ
を形成するとともに、スルーホール１１内壁面の酸化皮
膜１２上およびビア穴１３内壁面に導体部１５を形成す
る。次いで、金属層１４ａをエッチング加工して、バル
ブ金属箔１０の表裏にスルーホール１１の導体部１５に
より電気的に接続する電極膜１７と、ビア穴１３の導体
部１５を通じてバルブ金属箔１０に接続する端子部１９
とを形成して、所要個数直列に接続されたキャパシタ構
造を形成する。該キャパシタ構造を形成したバルブ金属
箔１０を裁断して、所要数のキャパシタを有するキャパ
シタシート１６に形成する。
【００２２】このキャパシタシート１６を用いて、図５
や図９に示す回路基板を前記と同様にして形成すること
ができる。同様の工程で形成できるので、説明は省略す
る。本実施の形態では、各キャパシタ構造において、バ
ルブ金属箔１０自体が電極となる。したがって、高容量
のキャパシタにできて有利である。
や図９に示す回路基板を前記と同様にして形成すること
ができる。同様の工程で形成できるので、説明は省略す
る。本実施の形態では、各キャパシタ構造において、バ
ルブ金属箔１０自体が電極となる。したがって、高容量
のキャパシタにできて有利である。
【００２３】上記実施の形態では、バルブ金属箔１０上
に、誘電体皮膜としての酸化皮膜１２を陽極化成処理に
より形成したが、水熱合成法によってチタン金属箔１０
上に強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ス
トロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチ
ウムバリウムの結晶膜を形成して誘電体層としてもよ
い。水熱合成法でチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）結晶
膜を生成させるには、鉛化合物、ジルコン化合物、チタ
ン化合物を溶解させた強アルカリ溶液にチタン金属箔を
浸漬し、２００℃以下、２〜３ａｔｍ（１ａｔｍ＝１．
０１３２５ｂａｒ）程度に設定されたオートクレーブ中
に入れ、水熱合成反応を起させ、ＰＺＴ結晶膜を生成さ
せるようにする。他の誘電体層も所要の水熱合成法によ
って形成することができる。
に、誘電体皮膜としての酸化皮膜１２を陽極化成処理に
より形成したが、水熱合成法によってチタン金属箔１０
上に強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ス
トロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチ
ウムバリウムの結晶膜を形成して誘電体層としてもよ
い。水熱合成法でチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）結晶
膜を生成させるには、鉛化合物、ジルコン化合物、チタ
ン化合物を溶解させた強アルカリ溶液にチタン金属箔を
浸漬し、２００℃以下、２〜３ａｔｍ（１ａｔｍ＝１．
０１３２５ｂａｒ）程度に設定されたオートクレーブ中
に入れ、水熱合成反応を起させ、ＰＺＴ結晶膜を生成さ
せるようにする。他の誘電体層も所要の水熱合成法によ
って形成することができる。
【００２４】この水熱合成法によってチタン金属箔に誘
電体層を形成し、前記第１の実施の形態（図１〜図
５）、第２の実施の形態（図６〜図９）、第３の実施の
形態（図１０〜図１３）と同様にして、キャパシタシー
トおよびこのキャパシタシートを組み込んだ回路基板に
形成できる。その工程は、陽極化成処理に変えて水熱合
成法を採用する点が相違するだけで、他の工程は同じで
あるので、その説明は省略する。
電体層を形成し、前記第１の実施の形態（図１〜図
５）、第２の実施の形態（図６〜図９）、第３の実施の
形態（図１０〜図１３）と同様にして、キャパシタシー
トおよびこのキャパシタシートを組み込んだ回路基板に
形成できる。その工程は、陽極化成処理に変えて水熱合
成法を採用する点が相違するだけで、他の工程は同じで
あるので、その説明は省略する。
【００２５】なお、水熱合成法によるときは、誘電体層
の厚さは１５μｍ前後となり、陽極化成処理の場合より
も厚い皮膜となる。誘電体層をスパッタリングやＣＶＤ
法で形成するときは、真空装置などの大型装置が必要と
なり、コスト高となるが、陽極化成処理や水熱合成法に
よって誘電体層を形成する場合には、大型の装置も必要
でなく、また連続処理が行え、厚みもコントロールでき
るなど、メリットが大きい。
の厚さは１５μｍ前後となり、陽極化成処理の場合より
も厚い皮膜となる。誘電体層をスパッタリングやＣＶＤ
法で形成するときは、真空装置などの大型装置が必要と
なり、コスト高となるが、陽極化成処理や水熱合成法に
よって誘電体層を形成する場合には、大型の装置も必要
でなく、また連続処理が行え、厚みもコントロールでき
るなど、メリットが大きい。
【００２６】以上、好適な実施の形態を説明したが、本
発明は上記実施の形態のみに限定されるものでないこと
はもちろんである。
発明は上記実施の形態のみに限定されるものでないこと
はもちろんである。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、キャパシ
タシートをシート状もしくは長尺状の金属箔から形成で
き、これを所要大きさに裁断することで形成できるの
で、その製造が容易であり、このように別途製造したキ
ャパシタシートを組み込むことにより、ノイズの吸収性
に優れ、また小型の回路基板を容易に製造できる。
タシートをシート状もしくは長尺状の金属箔から形成で
き、これを所要大きさに裁断することで形成できるの
で、その製造が容易であり、このように別途製造したキ
ャパシタシートを組み込むことにより、ノイズの吸収性
に優れ、また小型の回路基板を容易に製造できる。
【図１】第１の実施の形態での、バルブ金属箔を示す。
【図２】バルブ金属箔に酸化皮膜を形成した状態の断面
図である。
図である。
【図３】酸化皮膜上に電極膜を形成した状態の説明図で
ある。
ある。
【図４】キャパシタシートに形成した状態の説明図であ
る。
る。
【図５】第１の実施の形態の回路基板の説明図である。
【図６】第２の実施の形態で、バルブ金属箔にスルーホ
ールを形成した状態の説明図である。
ールを形成した状態の説明図である。
【図７】バルブ金属箔に酸化皮膜を形成した状態の断面
図である。
図である。
【図８】酸化皮膜上に電極膜を形成した状態の説明図で
ある。
ある。
【図９】第２の実施の形態の回路基板の説明図である。
【図１０】第３の実施の形態で、バルブ金属箔にスルー
ホールを形成した状態の説明図である。
ホールを形成した状態の説明図である。
【図１１】バルブ金属箔に酸化皮膜を形成した状態の断
面図である。
面図である。
【図１２】酸化皮膜にビア穴を形成した状態の説明図で
ある。
ある。
【図１３】電極膜を形成した状態の説明図である。
１０ バルブ金属箔 １１ スルーホール １２ 酸化皮膜 １３ ビア穴 １４ 電極膜 １５ 導体部 １６ キャパシタシート １７ 電極膜 １８ 回路基板 ２０ コア材 ２２、２４ 配線パターン ２６ 導電性接着剤 ２８ 絶縁層 ３０ ビア穴 ３２、３４ ビアめっき皮膜 ３６ 配線パターン ３８、４０ はんだボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 一成 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (72)発明者 ミョウ・タン・ウー 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA04 AA13 AA23 AA33 AA42 AA43 BB02 BB16 CC21 CC32 CC55 DD16 DD17 DD25 DD32 EE13 EE33 EE44 FF01 FF07 FF15 FF22 FF28 FF45 GG02 GG15 GG17 GG22 GG28 HH02 HH22 HH31
Claims (9)
- 【請求項１】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方法で
あって、 バルブ金属箔の表面に該金属の酸化皮膜を形成する陽極
化成工程と、 該酸化皮膜上に電極膜を形成する工程と、 該電極膜を形成した前記バルブ金属箔を所要の大きさに
裁断してキャパシタシートに形成する裁断工程と、 該キャパシタシートを前記配線パターンに電機的に接続
して固定する組み込み工程とを含むことを特徴とする多
層回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方法で
あって、 バルブ金属箔に複数のスルーホールを形成する工程と、 該バルブ金属箔の表面およびスルーホールの内壁面に該
金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程と、 前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に金属層を形成する
とともに、前記スルーホールの内壁面の酸化皮膜上に導
体部を形成する工程と、 前記金属層をエッチングして、前記バルブ金属箔の表面
に前記導体部により電気的に接続する電極膜を形成し、
前記導体部により所要数のキャパシタが直列に接続され
たキャパシタ構造を形成する工程と、 該キャパシタ構造を形成したバルブ金属箔を裁断して、
前記端子部を設けた所要数のキャパシタを有するキャパ
シタシートに形成する裁断工程と、 該キャパシタシートを前記配線パターンに電気的に接続
して固定する組み込み工程とを含むことを特徴とする多
層回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 絶縁層を介して配線パターンが多層に形
成され、キャパシタを備えた多層回路基板の製造方法で
あって、 バルブ金属箔に複数のスルーホールを形成する工程と、 該バルブ金属箔の表面およびスルーホールの内壁面に該
金属の酸化皮膜を形成する陽極化成工程と、 前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜の一部を除去してバル
ブ金属箔を露出させるビア穴を形成する工程と、 前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に金属層を形成する
とともに、前記スルーホールの内壁面の酸化皮膜上およ
び前記ビア穴の内壁面に導体部を形成する工程と、 前記金属層をエッチングして、前記バルブ金属箔の表面
に前記スルーホールの導体部により電気的に接続する電
極膜と、前記ビア穴の導体部により前記バルブ金属箔に
電気的に接続する端子部とを形成し、所要数のキャパシ
タが直列に接続されたキャパシタ構造を形成する工程
と、 該キャパシタ構造を形成したバルブ金属箔を裁断して、
前記端子部を設けた所要数のキャパシタを有するキャパ
シタシートに形成する裁断工程と、 該キャパシタシートを前記配線パターンに電気的に接続
して固定する組み込み工程とを含むことを特徴とする多
層回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記バルブ金属箔表面の酸化皮膜上に、
無電解めっき、蒸着もしくはスパッタリングを施し、次
いで電解めっきを施して前記金属層を形成することを特
徴とする請求項２または３記載の多層回路基板の製造方
法。 - 【請求項５】 前記バルブ金属箔としてチタン箔を用
い、 前記酸化皮膜に代えて、水熱合成法により前記チタン箔
の表面に誘電体層を形成することを特徴とする請求項４
〜６のいずれか一項記載の多層回路基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記誘電体層が、チタン酸ジルコン酸
鉛、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタ
ン酸ストロンチウムバリウムであることを特徴とする請
求項５記載の多層回路基板の製造方法。 - 【請求項７】 前記キャパシタシートを基板の最表層の
配線パターン上に固定することを特徴とする請求項１〜
６のいずれか一項記載の多層回路基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記キャパシタシートを基板の内層側の
配線パターン上に固定することを特徴とする請求項１〜
７のいずれか一項記載の多層回路基板の製造方法。 - 【請求項９】請求項１〜５のいずれか一項記載のキャパ
シタシートをコア材として用い、該コア材の両面に絶縁
層を介して配線パターンをビルドアップ法により形成す
ることを特徴とする多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001270A JP3838876B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001001270A JP3838876B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 多層回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208780A true JP2002208780A (ja) | 2002-07-26 |
| JP3838876B2 JP3838876B2 (ja) | 2006-10-25 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001001270A Expired - Fee Related JP3838876B2 (ja) | 2001-01-09 | 2001-01-09 | 多層回路基板の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3838876B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
| JP2009088468A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | チップキャパシタが内蔵された印刷回路基板及びチップキャパシタの内蔵方法 |
| JP2010103548A (ja) * | 2005-10-04 | 2010-05-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子素子を内蔵した印刷回路基板及びその製造方法 |
| JP2012151359A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | キャパシタ内蔵配線板、キャパシタ内蔵配線板の製造方法、キャパシタ |
-
2001
- 2001-01-09 JP JP2001001270A patent/JP3838876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
| US7573135B2 (en) | 2003-01-23 | 2009-08-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic parts packaging structure in which a semiconductor chip is mounted on a wiring substrate and buried in an insulation film |
| JP4489411B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2010-06-23 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造の製造方法 |
| JP2010103548A (ja) * | 2005-10-04 | 2010-05-06 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子素子を内蔵した印刷回路基板及びその製造方法 |
| JP2009088468A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | チップキャパシタが内蔵された印刷回路基板及びチップキャパシタの内蔵方法 |
| JP4659051B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-03-30 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | チップキャパシタが内蔵された印刷回路基板 |
| US8279616B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Printed circuit board with embedded chip capacitor |
| JP2012151359A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | キャパシタ内蔵配線板、キャパシタ内蔵配線板の製造方法、キャパシタ |
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|---|---|
| JP3838876B2 (ja) | 2006-10-25 |
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