JP2002204836A - Ｐｃｂの分解処理装置 - Google Patents
Ｐｃｂの分解処理装置Info
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 竪型の炉等でもＰＣＢの滞留時間を長くす
る。 【構成】 液状ＰＣＢ２を加熱分解するＰＣＢの分解処
理装置１において、加熱手段１９と、該加熱手段１９に
よる加熱雰囲気１６中に液状ＰＣＢ２を供給する供給手
段７と、液状ＰＣＢ２に対して親和性を有すると共に加
熱雰囲気１６での耐熱性を有する多孔質体から成り、尚
かつ加熱雰囲気１６中に配置されて供給手段７から供給
された液状ＰＣＢ２を保持して加熱雰囲気１６中に一時
的に滞留させる滞留手段３とを備える。
る。 【構成】 液状ＰＣＢ２を加熱分解するＰＣＢの分解処
理装置１において、加熱手段１９と、該加熱手段１９に
よる加熱雰囲気１６中に液状ＰＣＢ２を供給する供給手
段７と、液状ＰＣＢ２に対して親和性を有すると共に加
熱雰囲気１６での耐熱性を有する多孔質体から成り、尚
かつ加熱雰囲気１６中に配置されて供給手段７から供給
された液状ＰＣＢ２を保持して加熱雰囲気１６中に一時
的に滞留させる滞留手段３とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液状ＰＣＢ（ポリ
塩素化ビフェニル）を加熱して分解するＰＣＢの分解処
理装置に関する。さらに詳述すると、本発明は、高炉な
どの加熱装置を利用して液状ＰＣＢを加熱分解する分解
処理装置に関する。
塩素化ビフェニル）を加熱して分解するＰＣＢの分解処
理装置に関する。さらに詳述すると、本発明は、高炉な
どの加熱装置を利用して液状ＰＣＢを加熱分解する分解
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液状ＰＣＢ（以下、「ＰＣＢ」と略称す
る）は優れた電気絶縁特性を有するため過去において電
気絶縁体として広く利用されていた。しかし、ＰＣＢは
使用後廃棄されても分解せず、大気・水・土壌などを汚
染し、食品を介して人体に入り、人体でも分解されにく
く排泄も遅いため蓄積してしまう。そこで、現存するＰ
ＣＢを無害化するための処理が望まれている。
る）は優れた電気絶縁特性を有するため過去において電
気絶縁体として広く利用されていた。しかし、ＰＣＢは
使用後廃棄されても分解せず、大気・水・土壌などを汚
染し、食品を介して人体に入り、人体でも分解されにく
く排泄も遅いため蓄積してしまう。そこで、現存するＰ
ＣＢを無害化するための処理が望まれている。
【０００３】ＰＣＢを分解して無害化するには、一般に
加熱装置により加熱分解する手法が採用されている。そ
の条件としては例えば表１に示すようなものとなる。こ
の表からも明らかなように、ＰＣＢの分解率を高めるた
めには加熱温度を高めると共にＰＣＢの加熱装置での滞
留時間を長くする必要がある。
加熱装置により加熱分解する手法が採用されている。そ
の条件としては例えば表１に示すようなものとなる。こ
の表からも明らかなように、ＰＣＢの分解率を高めるた
めには加熱温度を高めると共にＰＣＢの加熱装置での滞
留時間を長くする必要がある。
【表１】 しかし、ＰＣＢの加熱温度を高めようとしても加熱装置
の耐熱性やエネルギ使用量の点から限界があり、現実的
には１５００℃程度が上限になってしまう。このため、
ＰＣＢの分解率をより高めるためには、加熱装置をでき
るだけ高温に維持した上で、加熱装置におけるＰＣＢの
滞留時間を長くすることが望まれる。
の耐熱性やエネルギ使用量の点から限界があり、現実的
には１５００℃程度が上限になってしまう。このため、
ＰＣＢの分解率をより高めるためには、加熱装置をでき
るだけ高温に維持した上で、加熱装置におけるＰＣＢの
滞留時間を長くすることが望まれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特に竪
型の炉等を利用してＰＣＢを加熱する場合は、炉の上か
らＰＣＢを落下させても直ぐに下部に達してしまうの
で、滞留時間は例えば０．５秒以下になってしまいＰＣ
Ｂの分解率を上げることが困難である。
型の炉等を利用してＰＣＢを加熱する場合は、炉の上か
らＰＣＢを落下させても直ぐに下部に達してしまうの
で、滞留時間は例えば０．５秒以下になってしまいＰＣ
Ｂの分解率を上げることが困難である。
【０００５】そこで、本発明は、竪型の炉等でもＰＣＢ
の滞留時間を長くすることができるＰＣＢの分解処理装
置を提供することを目的とする。
の滞留時間を長くすることができるＰＣＢの分解処理装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１の発明は、ＰＣＢを加熱分解するＰＣＢの
分解処理装置において、加熱手段と、該加熱手段による
加熱雰囲気中にＰＣＢを供給する供給手段と、ＰＣＢに
対して親和性を有すると共に加熱雰囲気での耐熱性を有
する多孔質体から成り、尚かつ加熱雰囲気中に配置され
て供給手段から供給されたＰＣＢを保持して加熱雰囲気
中に一時的に滞留させる滞留手段とを備えるようにして
いる。
め、請求項１の発明は、ＰＣＢを加熱分解するＰＣＢの
分解処理装置において、加熱手段と、該加熱手段による
加熱雰囲気中にＰＣＢを供給する供給手段と、ＰＣＢに
対して親和性を有すると共に加熱雰囲気での耐熱性を有
する多孔質体から成り、尚かつ加熱雰囲気中に配置され
て供給手段から供給されたＰＣＢを保持して加熱雰囲気
中に一時的に滞留させる滞留手段とを備えるようにして
いる。
【０００７】滞留手段はＰＣＢに対して親和性を有する
ので、ＰＣＢは途中で滴り落ちること無く滞留手段によ
って保持される。したがって、加熱空間での滞留時間を
長くすることができる。また、ＰＣＢが多孔質体の内部
に保持されるので、容器に溜められたり溝状の流路をそ
のまま流れる場合に比べてＰＣＢと加熱空気との接触面
積を増やすことができる。このため、ＰＣＢと酸素との
接触面積を大きくすることができると共に加熱雰囲気の
熱をＰＣＢに効率良く供給できるので、ＰＣＢの分解反
応を促進することができる。
ので、ＰＣＢは途中で滴り落ちること無く滞留手段によ
って保持される。したがって、加熱空間での滞留時間を
長くすることができる。また、ＰＣＢが多孔質体の内部
に保持されるので、容器に溜められたり溝状の流路をそ
のまま流れる場合に比べてＰＣＢと加熱空気との接触面
積を増やすことができる。このため、ＰＣＢと酸素との
接触面積を大きくすることができると共に加熱雰囲気の
熱をＰＣＢに効率良く供給できるので、ＰＣＢの分解反
応を促進することができる。
【０００８】また、請求項２の発明は、請求項１記載の
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は上下方向に
複数配置されると共に、各滞留手段の間には上側の滞留
手段から滴下されたＰＣＢを加熱雰囲気中に滞留させな
がら下側の滞留手段に案内する案内手段を有するように
している。したがって、ＰＣＢが案内手段により複数の
滞留手段によって順に保持されるようになるので、加熱
雰囲気中に長時間滞留されるようになる。また、ＰＣＢ
は案内手段で案内されることによっても加熱雰囲気中に
滞留される。
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は上下方向に
複数配置されると共に、各滞留手段の間には上側の滞留
手段から滴下されたＰＣＢを加熱雰囲気中に滞留させな
がら下側の滞留手段に案内する案内手段を有するように
している。したがって、ＰＣＢが案内手段により複数の
滞留手段によって順に保持されるようになるので、加熱
雰囲気中に長時間滞留されるようになる。また、ＰＣＢ
は案内手段で案内されることによっても加熱雰囲気中に
滞留される。
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項２記載の
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は水平に設置
され上方から供給されたＰＣＢを中央部から落下させる
ものであると共に、案内手段は水平に設置され上方から
供給されたＰＣＢを周縁から落下させるものであり、尚
かつ滞留手段および案内手段が上下方向に順に配置され
るようにしている。この場合、分解処理装置の上方から
供給されたＰＣＢは滞留手段により中央部に集められて
滴下される。この滴下されたＰＣＢは直ぐ下に配置され
た案内手段により受けられて、その周縁から滴下され
る。さらに、この滴下したＰＣＢは直ぐ下に配置された
滞留手段により受けられて、滞留手段と案内手段とによ
り交互に受けられることが１回以上行われる。これによ
り、ＰＣＢは落下する動きに加えて水平方向にも移動さ
れるので、加熱空間での滞留時間を長くすることができ
る。
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は水平に設置
され上方から供給されたＰＣＢを中央部から落下させる
ものであると共に、案内手段は水平に設置され上方から
供給されたＰＣＢを周縁から落下させるものであり、尚
かつ滞留手段および案内手段が上下方向に順に配置され
るようにしている。この場合、分解処理装置の上方から
供給されたＰＣＢは滞留手段により中央部に集められて
滴下される。この滴下されたＰＣＢは直ぐ下に配置され
た案内手段により受けられて、その周縁から滴下され
る。さらに、この滴下したＰＣＢは直ぐ下に配置された
滞留手段により受けられて、滞留手段と案内手段とによ
り交互に受けられることが１回以上行われる。これによ
り、ＰＣＢは落下する動きに加えて水平方向にも移動さ
れるので、加熱空間での滞留時間を長くすることができ
る。
【００１０】さらに、請求項４の発明は、請求項２記載
のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段および案内
手段は板状で各々の下面に下方に突出した滴下部を有す
ると共に、上下に隣り合う滞留手段および案内手段の滴
下部同士を水平方向にずらして設置されるようにしてい
る。したがって、滞留手段および案内手段のＰＣＢが滴
下される位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢを
滴下する位置とが水平方向にずれているので、当該滞留
手段および案内手段に保持される時間が長く成り加熱雰
囲気中での滞留時間を長くすることができる。
のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段および案内
手段は板状で各々の下面に下方に突出した滴下部を有す
ると共に、上下に隣り合う滞留手段および案内手段の滴
下部同士を水平方向にずらして設置されるようにしてい
る。したがって、滞留手段および案内手段のＰＣＢが滴
下される位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢを
滴下する位置とが水平方向にずれているので、当該滞留
手段および案内手段に保持される時間が長く成り加熱雰
囲気中での滞留時間を長くすることができる。
【００１１】ここで、請求項５の発明は、請求項４記載
のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段の滴下部は
該滞留手段の下面の中央に位置すると共に、案内手段の
滴下部は該案内手段の下面の周縁に位置するようにして
いる。したがって、滞留手段および案内手段のＰＣＢが
滴下される位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢ
を滴下する位置とが水平方向にずれているので、当該滞
留手段および案内手段に保持される時間が長く成り加熱
雰囲気中での滞留時間を長くすることができる。
のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段の滴下部は
該滞留手段の下面の中央に位置すると共に、案内手段の
滴下部は該案内手段の下面の周縁に位置するようにして
いる。したがって、滞留手段および案内手段のＰＣＢが
滴下される位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢ
を滴下する位置とが水平方向にずれているので、当該滞
留手段および案内手段に保持される時間が長く成り加熱
雰囲気中での滞留時間を長くすることができる。
【００１２】また、請求項６の発明は、請求項２記載の
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段および案内手
段は板状であると共に、水平から僅かに傾斜させて傾斜
方向を交互に変えて上下方向に交互に配置されて、尚か
つ上下に隣り合う滞留手段および案内手段のうちの上側
の手段の最下部の真下に下側の手段の最上部より僅かに
低い部分を位置させて配置されるようにしている。この
場合、最上段の滞留手段または案内手段に供給されたＰ
ＣＢは、その手段に保持されて一時的に滞留した後、そ
の最下部から滴り落ちる。そのＰＣＢは次の手段の最上
部より僅かに低い部分に落ちて、当該手段により水平方
向に移動しながら滞留して最下部から滴り落ちる。これ
を繰り返すことにより、ＰＣＢは最下段の滞留手段また
は案内手段の最下部から滴り落ちるまでに加熱分解され
るようになる。よって、ＰＣＢは水平方向に移動しなが
ら保持されるので、加熱空間での滞留時間を長くしてＰ
ＣＢを高率で分解することができる。
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段および案内手
段は板状であると共に、水平から僅かに傾斜させて傾斜
方向を交互に変えて上下方向に交互に配置されて、尚か
つ上下に隣り合う滞留手段および案内手段のうちの上側
の手段の最下部の真下に下側の手段の最上部より僅かに
低い部分を位置させて配置されるようにしている。この
場合、最上段の滞留手段または案内手段に供給されたＰ
ＣＢは、その手段に保持されて一時的に滞留した後、そ
の最下部から滴り落ちる。そのＰＣＢは次の手段の最上
部より僅かに低い部分に落ちて、当該手段により水平方
向に移動しながら滞留して最下部から滴り落ちる。これ
を繰り返すことにより、ＰＣＢは最下段の滞留手段また
は案内手段の最下部から滴り落ちるまでに加熱分解され
るようになる。よって、ＰＣＢは水平方向に移動しなが
ら保持されるので、加熱空間での滞留時間を長くしてＰ
ＣＢを高率で分解することができる。
【００１３】そして、請求項７の発明は、請求項２から
５までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置におい
て、案内手段はＰＣＢを周縁から滴下する板であるよう
にしている。この場合は、水平移動する距離を最大限に
採ることができるので滞留時間を長くすることができ
る。また、請求項８の発明は、請求項２から７までのい
ずれか記載のＰＣＢの分解処理装置において、案内手段
はＰＣＢおよび加熱雰囲気を流通させる少なくとも１個
の貫通孔を有する多孔板であるようにしている。この場
合は、案内手段中を加熱雰囲気が通過できるので、ＰＣ
Ｂと空気をより積極的に接触できると共にＰＣＢの加熱
を図ることができる。よって、ＰＣＢの加熱分解を促進
することができる。
５までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置におい
て、案内手段はＰＣＢを周縁から滴下する板であるよう
にしている。この場合は、水平移動する距離を最大限に
採ることができるので滞留時間を長くすることができ
る。また、請求項８の発明は、請求項２から７までのい
ずれか記載のＰＣＢの分解処理装置において、案内手段
はＰＣＢおよび加熱雰囲気を流通させる少なくとも１個
の貫通孔を有する多孔板であるようにしている。この場
合は、案内手段中を加熱雰囲気が通過できるので、ＰＣ
Ｂと空気をより積極的に接触できると共にＰＣＢの加熱
を図ることができる。よって、ＰＣＢの加熱分解を促進
することができる。
【００１４】一方、請求項９の発明は、請求項１記載の
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は板状で上下
方向に複数配置されると共に各下面に下方に突出した滴
下部を有するものであり、尚かつ上下に隣り合う滞留手
段の滴下部同士が水平方向にずらされると共に上側の滞
留手段の滴下部の真下に下側の滞留手段を配置するよう
にしている。したがって、ＰＣＢが複数の滞留手段によ
って順に保持されるようになるので、加熱雰囲気中に長
時間滞留されるようになる。
ＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は板状で上下
方向に複数配置されると共に各下面に下方に突出した滴
下部を有するものであり、尚かつ上下に隣り合う滞留手
段の滴下部同士が水平方向にずらされると共に上側の滞
留手段の滴下部の真下に下側の滞留手段を配置するよう
にしている。したがって、ＰＣＢが複数の滞留手段によ
って順に保持されるようになるので、加熱雰囲気中に長
時間滞留されるようになる。
【００１５】あるいは、請求項１０の発明は、請求項９
記載のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は、水
平から僅かに傾斜させて傾斜方向を交互に変えて上下方
向に配置されて、尚かつ上下に隣り合う滞留手段のうち
の上側の滞留手段の最下部の真下に下側の滞留手段の最
上部より僅かに低い部分を位置させて配置されるように
している。この場合、最上段の滞留手段に供給されたＰ
ＣＢは、その滞留手段に保持されて一時的に滞留されて
から、その最下部から滴り落ちる。滴り落ちたＰＣＢは
次の段の滞留手段の最上部より僅かに低い部分に滴下さ
れて、当該滞留手段に保持されて一時的に滞留されてか
ら、その最下部から滴り落ちる。これを繰り返すことに
より最下段の滞留手段の最下部から滴り落ちるまでにＰ
ＣＢが加熱分解される。これによっても、ＰＣＢは落下
する動きに加えて水平方向にも移動されるので、加熱空
間での滞留時間を長くしてＰＣＢを高率で分解すること
ができる。
記載のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は、水
平から僅かに傾斜させて傾斜方向を交互に変えて上下方
向に配置されて、尚かつ上下に隣り合う滞留手段のうち
の上側の滞留手段の最下部の真下に下側の滞留手段の最
上部より僅かに低い部分を位置させて配置されるように
している。この場合、最上段の滞留手段に供給されたＰ
ＣＢは、その滞留手段に保持されて一時的に滞留されて
から、その最下部から滴り落ちる。滴り落ちたＰＣＢは
次の段の滞留手段の最上部より僅かに低い部分に滴下さ
れて、当該滞留手段に保持されて一時的に滞留されてか
ら、その最下部から滴り落ちる。これを繰り返すことに
より最下段の滞留手段の最下部から滴り落ちるまでにＰ
ＣＢが加熱分解される。これによっても、ＰＣＢは落下
する動きに加えて水平方向にも移動されるので、加熱空
間での滞留時間を長くしてＰＣＢを高率で分解すること
ができる。
【００１６】さらに、請求項１１の発明は、請求項１か
ら１０までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置にお
いて、滞留手段は集積成形セラミックス多孔体であるよ
うにしている。この場合、滞留手段の大きさやＰＣＢの
処理量に応じた空隙率の滞留手段を任意に成形すること
ができる。ここで、本明細書中で集積成形セラミックス
多孔体とは、ノズルから押し出されたセラミックス質の
線を集積させ、その線間に生ずる空孔をもって多孔体と
したものである。
ら１０までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置にお
いて、滞留手段は集積成形セラミックス多孔体であるよ
うにしている。この場合、滞留手段の大きさやＰＣＢの
処理量に応じた空隙率の滞留手段を任意に成形すること
ができる。ここで、本明細書中で集積成形セラミックス
多孔体とは、ノズルから押し出されたセラミックス質の
線を集積させ、その線間に生ずる空孔をもって多孔体と
したものである。
【００１７】そして、請求項１２の発明は、請求項１１
記載のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は糸状
のセラミックを円形状に旋回させて集積させたセラミッ
クヌードル（例えば、商品名アクトサーミック、株式会
社神戸製鋼所製）であるようにしている。セラミックヌ
ードルは、多数のコイルばねを重ねたような形状をして
おり、高い熱衝撃性を有している。また、セラミックヌ
ードルは同じ材質から成るハニカム成形体に比べて熱衝
撃性能を高めることができる。
記載のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は糸状
のセラミックを円形状に旋回させて集積させたセラミッ
クヌードル（例えば、商品名アクトサーミック、株式会
社神戸製鋼所製）であるようにしている。セラミックヌ
ードルは、多数のコイルばねを重ねたような形状をして
おり、高い熱衝撃性を有している。また、セラミックヌ
ードルは同じ材質から成るハニカム成形体に比べて熱衝
撃性能を高めることができる。
【００１８】滞留手段をセラミックヌードルにした場
合、糸径や旋回径や集積パターンの違いにより異なる空
隙率の滞留手段を得ることができる。例えば糸径を１．
０、１．５、２．０ｍｍ等のいずれかに変更すると共
に、集積パターンを変更することにより、空隙率を４０
〜８０％で調整することができる。よって、ＰＣＢの処
理量に応じた空隙率の滞留手段を任意に成形することが
できる。
合、糸径や旋回径や集積パターンの違いにより異なる空
隙率の滞留手段を得ることができる。例えば糸径を１．
０、１．５、２．０ｍｍ等のいずれかに変更すると共
に、集積パターンを変更することにより、空隙率を４０
〜８０％で調整することができる。よって、ＰＣＢの処
理量に応じた空隙率の滞留手段を任意に成形することが
できる。
【００１９】あるいは、請求項１３の発明では、請求項
１１記載のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は
糸状のセラミックを格子状に集積させたものにしてい
る。この場合も、糸径や線間隔や格子の重なり角度など
集積パターンの違いにより異なる空隙率の滞留手段を得
ることができる。よって、ＰＣＢの処理量に応じた空隙
率の滞留手段を選択することができる。
１１記載のＰＣＢの分解処理装置において、滞留手段は
糸状のセラミックを格子状に集積させたものにしてい
る。この場合も、糸径や線間隔や格子の重なり角度など
集積パターンの違いにより異なる空隙率の滞留手段を得
ることができる。よって、ＰＣＢの処理量に応じた空隙
率の滞留手段を選択することができる。
【００２０】ここで、集積成形セラミックス多孔体とし
ては、請求項１４の発明のようにムライト製、あるいは
請求項１５の発明のようにアルミナ製にすることができ
る。ムライトおよびアルミナの融点は１８００℃以上で
あると共に軟化温度は１４５０℃を超えているので、こ
こでの加熱雰囲気での耐熱性を有することができる。ム
ライトは組成式３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２で表され、組
成比はＡｌ２Ｏ３：７６．６ｗｔ％、２ＳｉＯ２：２
３．１ｗｔ％である。
ては、請求項１４の発明のようにムライト製、あるいは
請求項１５の発明のようにアルミナ製にすることができ
る。ムライトおよびアルミナの融点は１８００℃以上で
あると共に軟化温度は１４５０℃を超えているので、こ
こでの加熱雰囲気での耐熱性を有することができる。ム
ライトは組成式３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２で表され、組
成比はＡｌ２Ｏ３：７６．６ｗｔ％、２ＳｉＯ２：２
３．１ｗｔ％である。
【００２１】また、請求項１６の発明のように滞留手段
をポーラス状の材質から成るブロック体にしたり、ある
いは請求項１７の発明のようにポーラス状の材質から成
るハニカム構造体であるようにしても良い。これらの場
合も、ＰＣＢと加熱空気との接触面積を増やすことがで
きるので、ＰＣＢと酸素との接触面積を大きくすると同
時に加熱雰囲気の熱をＰＣＢに効率良く供給できる。よ
って、ＰＣＢの分解反応を促進してＰＣＢの分解率を高
めることができる。
をポーラス状の材質から成るブロック体にしたり、ある
いは請求項１７の発明のようにポーラス状の材質から成
るハニカム構造体であるようにしても良い。これらの場
合も、ＰＣＢと加熱空気との接触面積を増やすことがで
きるので、ＰＣＢと酸素との接触面積を大きくすると同
時に加熱雰囲気の熱をＰＣＢに効率良く供給できる。よ
って、ＰＣＢの分解反応を促進してＰＣＢの分解率を高
めることができる。
【００２２】一方、このＰＣＢの分解処理装置では、請
求項１８の発明のように加熱手段は高炉の燃焼部である
と共に、供給手段および滞留手段は高炉内に設置される
ようにすることが好ましい。これによれば、高炉の熱エ
ネルギをＰＣＢの加熱分解に直接利用することができる
ので、損失する熱エネルギが少なく分解効率を高めるこ
とができる。また、ＰＣＢの分解率を９９．９９９９％
以上にするための加熱温度として好ましい１０００〜１
４５０℃にＰＣＢを加熱することができる。
求項１８の発明のように加熱手段は高炉の燃焼部である
と共に、供給手段および滞留手段は高炉内に設置される
ようにすることが好ましい。これによれば、高炉の熱エ
ネルギをＰＣＢの加熱分解に直接利用することができる
ので、損失する熱エネルギが少なく分解効率を高めるこ
とができる。また、ＰＣＢの分解率を９９．９９９９％
以上にするための加熱温度として好ましい１０００〜１
４５０℃にＰＣＢを加熱することができる。
【００２３】そして、請求項１９の発明のようにＰＣＢ
を加熱する温度は１０００〜１４５０℃であると共に、
ＰＣＢを加熱する時間は１．０〜３．５秒であるように
することが好ましい。この範囲であれば、ＰＣＢの分解
率を９９．９９９９％以上にすることが可能になる。Ｐ
ＣＢの分解率を９９．９９９９％以上にするためには、
加熱温度が例えば１４５０℃であれば滞留時間は１．０
秒で良く、また滞留時間が例えば３．５秒であれば加熱
温度は１０００℃で良い。
を加熱する温度は１０００〜１４５０℃であると共に、
ＰＣＢを加熱する時間は１．０〜３．５秒であるように
することが好ましい。この範囲であれば、ＰＣＢの分解
率を９９．９９９９％以上にすることが可能になる。Ｐ
ＣＢの分解率を９９．９９９９％以上にするためには、
加熱温度が例えば１４５０℃であれば滞留時間は１．０
秒で良く、また滞留時間が例えば３．５秒であれば加熱
温度は１０００℃で良い。
【００２４】また、ＰＣＢの分解率を９９．９９９９％
以上にするための加熱温度としては、好ましくは１００
０〜１４５０℃であるが、より好ましくは１２００〜１
４００℃である。１０００℃未満の加熱温度で分解率を
９９．９９９９％以上にするためには滞留時間を例えば
３．５秒を超える程度に長くしなければならず、ＰＣＢ
の経路が長くなって分解処理装置が大型化してしまい好
ましくない。また、１４５０℃を超えた加熱温度では、
セラミックス製の滞留手段が変形する恐れがあるので好
ましくない。
以上にするための加熱温度としては、好ましくは１００
０〜１４５０℃であるが、より好ましくは１２００〜１
４００℃である。１０００℃未満の加熱温度で分解率を
９９．９９９９％以上にするためには滞留時間を例えば
３．５秒を超える程度に長くしなければならず、ＰＣＢ
の経路が長くなって分解処理装置が大型化してしまい好
ましくない。また、１４５０℃を超えた加熱温度では、
セラミックス製の滞留手段が変形する恐れがあるので好
ましくない。
【００２５】さらに、ＰＣＢの分解率を９９．９９９９
％以上にするための滞留時間としては、好ましくは１．
０〜３．５秒であるが、より好ましくは２．０〜３．５
秒である。１．０秒未満の滞留時間で分解率を９９．９
９９９％以上にするためには加熱温度を１４５０℃を超
える程度に高くしなければならず好ましくない。また、
３．５秒を超えた滞留時間では、ＰＣＢの経路が長くな
って分解処理装置が大型化してしまい好ましくない。
％以上にするための滞留時間としては、好ましくは１．
０〜３．５秒であるが、より好ましくは２．０〜３．５
秒である。１．０秒未満の滞留時間で分解率を９９．９
９９９％以上にするためには加熱温度を１４５０℃を超
える程度に高くしなければならず好ましくない。また、
３．５秒を超えた滞留時間では、ＰＣＢの経路が長くな
って分解処理装置が大型化してしまい好ましくない。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を図面に示す
実施の形態の一例に基づいて詳細に説明する。本発明の
ＰＣＢの分解処理装置１は、ＰＣＢ２を加熱分解するも
のであり、加熱手段１９と、該加熱手段１９による加熱
雰囲気１６中にＰＣＢ２を供給する供給手段７と、加熱
雰囲気１６中に配置されると共に供給手段７から供給さ
れたＰＣＢ２を保持して加熱雰囲気１６中に一時的に滞
留させる滞留手段３とを備えるようにしている。滞留手
段３は、ＰＣＢ２に対して親和性を有すると共に、加熱
雰囲気１６での耐熱性を有する多孔質体から成る。
実施の形態の一例に基づいて詳細に説明する。本発明の
ＰＣＢの分解処理装置１は、ＰＣＢ２を加熱分解するも
のであり、加熱手段１９と、該加熱手段１９による加熱
雰囲気１６中にＰＣＢ２を供給する供給手段７と、加熱
雰囲気１６中に配置されると共に供給手段７から供給さ
れたＰＣＢ２を保持して加熱雰囲気１６中に一時的に滞
留させる滞留手段３とを備えるようにしている。滞留手
段３は、ＰＣＢ２に対して親和性を有すると共に、加熱
雰囲気１６での耐熱性を有する多孔質体から成る。
【００２７】よって、滞留手段３はＰＣＢ２に対して親
和性を有するので、ＰＣＢ２は途中で滴り落ちること無
く滞留手段３によって保持される。したがって、加熱空
間４での滞留時間を長くすることができる。また、ＰＣ
Ｂ２が多孔質体の内部に保持されるので、容器に溜めら
れたり溝状の流路をそのまま流れる場合に比べてＰＣＢ
２と加熱雰囲気１６との接触面積を増やすことができ
る。このため、ＰＣＢ２と酸素との接触面積を大きくす
ることができると共に加熱雰囲気１６の熱をＰＣＢ２に
効率良く供給できるので、ＰＣＢ２の分解反応を促進す
ることができる。これらの理由からＰＣＢ２の分解率を
高めることができる。
和性を有するので、ＰＣＢ２は途中で滴り落ちること無
く滞留手段３によって保持される。したがって、加熱空
間４での滞留時間を長くすることができる。また、ＰＣ
Ｂ２が多孔質体の内部に保持されるので、容器に溜めら
れたり溝状の流路をそのまま流れる場合に比べてＰＣＢ
２と加熱雰囲気１６との接触面積を増やすことができ
る。このため、ＰＣＢ２と酸素との接触面積を大きくす
ることができると共に加熱雰囲気１６の熱をＰＣＢ２に
効率良く供給できるので、ＰＣＢ２の分解反応を促進す
ることができる。これらの理由からＰＣＢ２の分解率を
高めることができる。
【００２８】また、滞留手段３は上下方向に複数配置さ
れると共に、各滞留手段３の間には上側の滞留手段３か
ら滴下されたＰＣＢ２を加熱雰囲気１６中に滞留させな
がら下側の滞留手段３に案内する案内手段５を有するよ
うにしている。
れると共に、各滞留手段３の間には上側の滞留手段３か
ら滴下されたＰＣＢ２を加熱雰囲気１６中に滞留させな
がら下側の滞留手段３に案内する案内手段５を有するよ
うにしている。
【００２９】滞留手段３は水平に設置され上方から供給
されたＰＣＢ２を中央部から落下させるものであると共
に、案内手段５は水平に設置され上方から供給されたＰ
ＣＢ２を周縁から落下させるものとしている。そして、
滞留手段３および案内手段５が上下方向に順に配置され
ている。このため、分解処理装置１の上方から供給され
たＰＣＢ２は滞留手段３により中央部に集められて滴下
される。この滴下されたＰＣＢ２は直ぐ下に配置された
案内手段５により受けられて、その周縁から滴下され
る。さらに、この滴下したＰＣＢ２は直ぐ下に配置され
た滞留手段３により受けられて、滞留手段３と案内手段
５とにより交互に受けられることが１回以上行われる。
これにより、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平方向
にも移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長くす
ることができる。
されたＰＣＢ２を中央部から落下させるものであると共
に、案内手段５は水平に設置され上方から供給されたＰ
ＣＢ２を周縁から落下させるものとしている。そして、
滞留手段３および案内手段５が上下方向に順に配置され
ている。このため、分解処理装置１の上方から供給され
たＰＣＢ２は滞留手段３により中央部に集められて滴下
される。この滴下されたＰＣＢ２は直ぐ下に配置された
案内手段５により受けられて、その周縁から滴下され
る。さらに、この滴下したＰＣＢ２は直ぐ下に配置され
た滞留手段３により受けられて、滞留手段３と案内手段
５とにより交互に受けられることが１回以上行われる。
これにより、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平方向
にも移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長くす
ることができる。
【００３０】滞留手段３は例えば円盤状とされている。
そして、滞留手段３に上方から十分な量のＰＣＢ２を供
給して滞留手段３の全体に保持させることにより、保持
されたＰＣＢ２は中央部から滴下するようになる。これ
は、ＰＣＢ２が滞留手段３の全域で保持されて一塊の液
体となることから、ＰＣＢ２の全体が表面張力で中央部
に集まろうとして中央部から滴下するものと推測され
る。あるいは、この滞留手段３は周縁部を支持されるこ
とにより中央部が僅かに下方に突出するように撓んでい
るために、ＰＣＢ２が中央部から滴下するとも推測され
る。
そして、滞留手段３に上方から十分な量のＰＣＢ２を供
給して滞留手段３の全体に保持させることにより、保持
されたＰＣＢ２は中央部から滴下するようになる。これ
は、ＰＣＢ２が滞留手段３の全域で保持されて一塊の液
体となることから、ＰＣＢ２の全体が表面張力で中央部
に集まろうとして中央部から滴下するものと推測され
る。あるいは、この滞留手段３は周縁部を支持されるこ
とにより中央部が僅かに下方に突出するように撓んでい
るために、ＰＣＢ２が中央部から滴下するとも推測され
る。
【００３１】案内手段５は例えば円盤状とされている。
このため、案内手段５に上方から供給されたＰＣＢ２は
周縁から落下される。すなわち、この案内手段５は中央
に滴下されたＰＣＢ２を周囲に分散する分散部材として
機能する。また、案内手段５の全体を上方に撓ませた形
状にして、中央部が最も高くなるように設置しても良
い。この場合は、中央部に滴下されたＰＣＢ２が容易に
周囲に分散される。
このため、案内手段５に上方から供給されたＰＣＢ２は
周縁から落下される。すなわち、この案内手段５は中央
に滴下されたＰＣＢ２を周囲に分散する分散部材として
機能する。また、案内手段５の全体を上方に撓ませた形
状にして、中央部が最も高くなるように設置しても良
い。この場合は、中央部に滴下されたＰＣＢ２が容易に
周囲に分散される。
【００３２】本実施形態では、３枚の滞留手段３と２枚
の案内手段５とが交互に配置されている。さらに、最上
段の滞留手段３の上方には供給手段７が設置されてい
る。供給手段７は、多数の吐出口６を有する供給管とし
ている。この供給手段７からＰＣＢ２を供給する流量
は、ＰＣＢ２が滞留手段３の全域で保持されて中央部か
ら滴下する程度にする。
の案内手段５とが交互に配置されている。さらに、最上
段の滞留手段３の上方には供給手段７が設置されてい
る。供給手段７は、多数の吐出口６を有する供給管とし
ている。この供給手段７からＰＣＢ２を供給する流量
は、ＰＣＢ２が滞留手段３の全域で保持されて中央部か
ら滴下する程度にする。
【００３３】供給手段７から供給されたＰＣＢ２は最上
段の滞留手段３で中央部に集められて滴下する。この滴
下したＰＣＢ２は直ぐ下に配置された案内手段５により
受けられて、その周縁から滴下される。さらに、この滴
下したＰＣＢ２は直ぐ下に配置された滞留手段３により
受けられて、以下同様に滞留手段３では中央部から滴下
し、案内手段５では周縁から滴下することを繰り返す。
これにより、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平方向
にも移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長くす
ることができる。
段の滞留手段３で中央部に集められて滴下する。この滴
下したＰＣＢ２は直ぐ下に配置された案内手段５により
受けられて、その周縁から滴下される。さらに、この滴
下したＰＣＢ２は直ぐ下に配置された滞留手段３により
受けられて、以下同様に滞留手段３では中央部から滴下
し、案内手段５では周縁から滴下することを繰り返す。
これにより、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平方向
にも移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長くす
ることができる。
【００３４】滞留手段３は、集積成形セラミックス多孔
体により形成されている。この集積成形セラミックス多
孔体は例えばムライト製であり、ここでは糸状のセラミ
ックを円形状に旋回させて集積させたいわゆるセラミッ
クヌードルを使用している。このため、糸径や旋回径や
集積パターンの違いにより異なる空隙率の滞留手段３を
得ることができる。よって、ＰＣＢ２の処理量に応じた
空隙率の滞留手段３を任意に成形することができる。
体により形成されている。この集積成形セラミックス多
孔体は例えばムライト製であり、ここでは糸状のセラミ
ックを円形状に旋回させて集積させたいわゆるセラミッ
クヌードルを使用している。このため、糸径や旋回径や
集積パターンの違いにより異なる空隙率の滞留手段３を
得ることができる。よって、ＰＣＢ２の処理量に応じた
空隙率の滞留手段３を任意に成形することができる。
【００３５】本実施形態の分解処理装置１では、加熱手
段１９は高炉８の燃焼部であると共に、供給手段７およ
び滞留手段３は高炉８内に設置されている。また、燃焼
雰囲気１６は高炉８の燃焼ガス（以下、燃焼ガス１６と
も言う）である。この高炉８は、筒状で上側に炉口部９
を有する炉部１０と、炉部１０の下部に形成された炉床
部１１と、炉床部１１の上側に形成されて燃焼用空気１
２を送り込む羽口１３と、炉部１０の下部にコークス１
４を供給する供給筒１５とを備えたものとしている。そ
して、供給筒１５から供給されたコークス１４が炉部１
０の炉床上に堆積されて羽口１３から吹き込まれる空気
１２により燃焼される。燃焼ガス１６は炉部１０を上方
に流れて炉口部９から排出される。これら炉床部１１と
羽口１３と供給筒１５との構成は、既知の高炉のものと
同様であるので詳細な説明を省略する。
段１９は高炉８の燃焼部であると共に、供給手段７およ
び滞留手段３は高炉８内に設置されている。また、燃焼
雰囲気１６は高炉８の燃焼ガス（以下、燃焼ガス１６と
も言う）である。この高炉８は、筒状で上側に炉口部９
を有する炉部１０と、炉部１０の下部に形成された炉床
部１１と、炉床部１１の上側に形成されて燃焼用空気１
２を送り込む羽口１３と、炉部１０の下部にコークス１
４を供給する供給筒１５とを備えたものとしている。そ
して、供給筒１５から供給されたコークス１４が炉部１
０の炉床上に堆積されて羽口１３から吹き込まれる空気
１２により燃焼される。燃焼ガス１６は炉部１０を上方
に流れて炉口部９から排出される。これら炉床部１１と
羽口１３と供給筒１５との構成は、既知の高炉のものと
同様であるので詳細な説明を省略する。
【００３６】炉部１０の耐火耐熱材から成る内壁面１７
には、滞留手段３および案内手段５を上下に間隔を空け
て水平に支持するブロック１８が形成されている。各ブ
ロック１８の表面は炉部１０の内壁面１７と同等の耐熱
性を有するものとしている。また、供給手段７は炉部１
０の炉壁を貫通すると共に、先端部はブロック１８に支
持されている。
には、滞留手段３および案内手段５を上下に間隔を空け
て水平に支持するブロック１８が形成されている。各ブ
ロック１８の表面は炉部１０の内壁面１７と同等の耐熱
性を有するものとしている。また、供給手段７は炉部１
０の炉壁を貫通すると共に、先端部はブロック１８に支
持されている。
【００３７】滞留手段３を支持するブロック１８は、内
壁面１７の周方向に沿って円環状に設けられている。こ
のため、燃焼ガス１６が滞留手段３の内部を通過するよ
うになるので、滞留手段３を効率良く加熱することがで
きる。また、場合によっては、ブロック１８を内壁面１
７の周方向に沿って複数に分離して設けても良い。この
場合は、このため、燃焼ガス１６が滞留手段３の縁とブ
ロック１８同士の間の空間を通過するようになるので、
圧損を減らすことができる。
壁面１７の周方向に沿って円環状に設けられている。こ
のため、燃焼ガス１６が滞留手段３の内部を通過するよ
うになるので、滞留手段３を効率良く加熱することがで
きる。また、場合によっては、ブロック１８を内壁面１
７の周方向に沿って複数に分離して設けても良い。この
場合は、このため、燃焼ガス１６が滞留手段３の縁とブ
ロック１８同士の間の空間を通過するようになるので、
圧損を減らすことができる。
【００３８】また、案内手段５を支持するブロック１８
は、内壁面１７の周方向に沿って複数に分離されて設け
られている。このため、燃焼ガス１６が案内手段５の縁
とブロック１８同士の間の空間を通過するようになる。
は、内壁面１７の周方向に沿って複数に分離されて設け
られている。このため、燃焼ガス１６が案内手段５の縁
とブロック１８同士の間の空間を通過するようになる。
【００３９】また、特に図示していないが、ＰＣＢ２の
分解を促進するためにＰＣＢ２に酸素もしくは空気を与
える手段を羽口１３とは別個に設けても良い。例えば、
最下段の滞留手段３の下方近傍の炉壁を貫通する口を形
成して、この口から酸素もしくは空気を供給するように
する。
分解を促進するためにＰＣＢ２に酸素もしくは空気を与
える手段を羽口１３とは別個に設けても良い。例えば、
最下段の滞留手段３の下方近傍の炉壁を貫通する口を形
成して、この口から酸素もしくは空気を供給するように
する。
【００４０】ＰＣＢ２の分解率を９９．９９９９％以上
にするためには、加熱温度が例えば１４５０℃であれば
滞留時間は１．０秒で良く、また滞留時間が例えば３．
５秒であれば加熱温度は１０００℃で良い。本実施形態
では高炉８の熱を利用しているので、ＰＣＢ２の分解率
を９９．９９９９％以上にするための加熱温度として好
ましい１０００〜１４５０℃にＰＣＢ２を加熱すること
ができる。
にするためには、加熱温度が例えば１４５０℃であれば
滞留時間は１．０秒で良く、また滞留時間が例えば３．
５秒であれば加熱温度は１０００℃で良い。本実施形態
では高炉８の熱を利用しているので、ＰＣＢ２の分解率
を９９．９９９９％以上にするための加熱温度として好
ましい１０００〜１４５０℃にＰＣＢ２を加熱すること
ができる。
【００４１】上述した分解処理装置１によりＰＣＢ２を
分解する手順を以下に説明する。
分解する手順を以下に説明する。
【００４２】予め供給筒１５からコークス１４を供給し
ておき、羽口１３から燃焼用空気１２を送り込んで燃焼
させる。このときの燃焼ガス１６により、滞留手段３お
よび案内手段５を加熱しておく。そして、滞留手段３お
よび案内手段５が例えば１０００〜１４５０℃まで加熱
されたら供給手段７からＰＣＢ２を供給する。供給され
たＰＣＢ２は、滞留手段３の内部あるいは表面を伝って
移動し中央部から滴下されることと案内手段５により周
縁から滴下されることを繰り返す。そして、最下段の滞
留手段３から滴り落ちる前にＰＣＢ２は加熱分解され
る。ＰＣＢ２は滞留手段３および案内手段５により案内
されることにより、炉内で１．０〜３．５秒間滞留でき
る。このため、ＰＣＢ２を９９．９９９９％以上の高い
割合で分解することができる。
ておき、羽口１３から燃焼用空気１２を送り込んで燃焼
させる。このときの燃焼ガス１６により、滞留手段３お
よび案内手段５を加熱しておく。そして、滞留手段３お
よび案内手段５が例えば１０００〜１４５０℃まで加熱
されたら供給手段７からＰＣＢ２を供給する。供給され
たＰＣＢ２は、滞留手段３の内部あるいは表面を伝って
移動し中央部から滴下されることと案内手段５により周
縁から滴下されることを繰り返す。そして、最下段の滞
留手段３から滴り落ちる前にＰＣＢ２は加熱分解され
る。ＰＣＢ２は滞留手段３および案内手段５により案内
されることにより、炉内で１．０〜３．５秒間滞留でき
る。このため、ＰＣＢ２を９９．９９９９％以上の高い
割合で分解することができる。
【００４３】なお、上述の実施形態は本発明の好適な実
施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能で
ある。例えば本実施形態では滞留手段３は集積成形セラ
ミックス多孔体としているが、これには限られずポーラ
ス状の材質から成るブロック体やハニカム構造体として
も良い。これらの場合もＰＣＢ２と加熱雰囲気１６との
接触面積を大きくできるので、ＰＣＢ２と酸素との接触
面積を大きくすることができると共に加熱雰囲気１６の
熱をＰＣＢ２に効率良く供給でき、ＰＣＢ２の分解反応
を促進してＰＣＢ２の分解率を高めることができる。
施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能で
ある。例えば本実施形態では滞留手段３は集積成形セラ
ミックス多孔体としているが、これには限られずポーラ
ス状の材質から成るブロック体やハニカム構造体として
も良い。これらの場合もＰＣＢ２と加熱雰囲気１６との
接触面積を大きくできるので、ＰＣＢ２と酸素との接触
面積を大きくすることができると共に加熱雰囲気１６の
熱をＰＣＢ２に効率良く供給でき、ＰＣＢ２の分解反応
を促進してＰＣＢ２の分解率を高めることができる。
【００４４】また、本実施形態では３枚の滞留手段３と
２枚の案内手段５とを備えているが、枚数はこれに限ら
れずＰＣＢ２を高率で分解できる滞留時間を確保するこ
とができれば良く、例えば滞留手段３および案内手段５
の面積等によっても変わってくる。
２枚の案内手段５とを備えているが、枚数はこれに限ら
れずＰＣＢ２を高率で分解できる滞留時間を確保するこ
とができれば良く、例えば滞留手段３および案内手段５
の面積等によっても変わってくる。
【００４５】さらに、本実施形態では滞留手段３および
案内手段５を各々ブロック１８により支持しているが、
これには限られず例えば隣接する複数の滞留手段３およ
び案内手段５をカートリッジとして一体化して、これを
最下段のブロック１８のみで支持するようにしても良
い。この場合、炉部１０の側部に炉部１０の内外を連通
したり閉塞したり可能な出入部を形成しておき、該出入
部からカートリッジを出し入れすることが好ましい。
案内手段５を各々ブロック１８により支持しているが、
これには限られず例えば隣接する複数の滞留手段３およ
び案内手段５をカートリッジとして一体化して、これを
最下段のブロック１８のみで支持するようにしても良
い。この場合、炉部１０の側部に炉部１０の内外を連通
したり閉塞したり可能な出入部を形成しておき、該出入
部からカートリッジを出し入れすることが好ましい。
【００４６】そして、本実施形態では滞留手段３をいず
れもムライト製としているが、これには限られずアルミ
ナ製あるいはコージェライト製としても良い。コージェ
ライトは組成式２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２・２ＭｇＯで
表され、組成比はＡｌ２Ｏ３：３４．３ｗｔ％、ＳｉＯ
２：５１．０ｗｔ％、ＭｇＯ：１３．２ｗｔ％である。
また、全ての滞留手段３を同一材質から成るものとして
いるが、これには限られず滞留手段３の材質を下層と上
層とで異ならせても良い。すなわち、加熱雰囲気１６の
温度の高い下層はムライトやアルミナのような融点の高
い材質、加熱雰囲気１６の温度が下層よりも低い上層は
コージェライトのような融点の比較的低い材質を使用す
る。特にコージェライトは融点は１４５０℃であるが材
質が軟化する温度はそれより低いため、上層に用いるこ
とが好ましい。
れもムライト製としているが、これには限られずアルミ
ナ製あるいはコージェライト製としても良い。コージェ
ライトは組成式２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２・２ＭｇＯで
表され、組成比はＡｌ２Ｏ３：３４．３ｗｔ％、ＳｉＯ
２：５１．０ｗｔ％、ＭｇＯ：１３．２ｗｔ％である。
また、全ての滞留手段３を同一材質から成るものとして
いるが、これには限られず滞留手段３の材質を下層と上
層とで異ならせても良い。すなわち、加熱雰囲気１６の
温度の高い下層はムライトやアルミナのような融点の高
い材質、加熱雰囲気１６の温度が下層よりも低い上層は
コージェライトのような融点の比較的低い材質を使用す
る。特にコージェライトは融点は１４５０℃であるが材
質が軟化する温度はそれより低いため、上層に用いるこ
とが好ましい。
【００４７】さらに、上層と下層とで滞留手段３の多孔
質体の空隙度を異ならせても良い。例えば下層は空隙度
を高くして加熱ガス１６を通過させ易くし、上層は空隙
度を低くしてＰＣＢ２の加熱効率を高めるようにする。
質体の空隙度を異ならせても良い。例えば下層は空隙度
を高くして加熱ガス１６を通過させ易くし、上層は空隙
度を低くしてＰＣＢ２の加熱効率を高めるようにする。
【００４８】また、本実施形態では案内手段５は円状の
周縁のみから滴下する孔の無い板状としているが、これ
には限られず例えば周縁に切り欠きを設けても良い。あ
るいは、案内手段５の周囲に放射状の支持脚を形成し
て、該支持脚をブロック１８に支持させるようにしても
良い。これらの場合は、案内手段５を支持するブロック
１８が円環状に形成されていても、切り欠きあるいは支
持脚とブロック１８との間の空間から加熱ガス１６を通
過させることができる。
周縁のみから滴下する孔の無い板状としているが、これ
には限られず例えば周縁に切り欠きを設けても良い。あ
るいは、案内手段５の周囲に放射状の支持脚を形成し
て、該支持脚をブロック１８に支持させるようにしても
良い。これらの場合は、案内手段５を支持するブロック
１８が円環状に形成されていても、切り欠きあるいは支
持脚とブロック１８との間の空間から加熱ガス１６を通
過させることができる。
【００４９】また、案内手段５がＰＣＢ２および加熱雰
囲気１６を流通させる少なくとも１個の貫通孔を有する
例えばセラミックス製の多孔板であるようにしても良
い。この場合は、案内手段５に滴下されたＰＣＢ２は、
周縁から滴り落ちるかあるいは貫通孔を通過して滴下す
る。さらに、案内手段５が多孔板であるので、案内手段
５中を加熱雰囲気１６が通過できる。このため、ＰＣＢ
２と酸素をより十分に接触できると共にＰＣＢ２の加熱
を図ることができ、また加熱雰囲気１６の流れを良くし
て加熱手段１９の加熱における圧損を低減できる。
囲気１６を流通させる少なくとも１個の貫通孔を有する
例えばセラミックス製の多孔板であるようにしても良
い。この場合は、案内手段５に滴下されたＰＣＢ２は、
周縁から滴り落ちるかあるいは貫通孔を通過して滴下す
る。さらに、案内手段５が多孔板であるので、案内手段
５中を加熱雰囲気１６が通過できる。このため、ＰＣＢ
２と酸素をより十分に接触できると共にＰＣＢ２の加熱
を図ることができ、また加熱雰囲気１６の流れを良くし
て加熱手段１９の加熱における圧損を低減できる。
【００５０】さらに、案内手段５を多孔板にしたときの
透孔の配置は、周縁近傍に偏在したものにすることが好
ましい。すなわち、この多孔板の透孔は、中央寄りの部
分では通気性が小さいと共に周縁寄りの部分では通気性
が大きくなるように形成することが好ましい。これによ
れば、上段の滞留手段３から中央部に滴下されたＰＣＢ
２は、直ぐには透孔から滴り落ちずに周縁側に流れて行
き徐々に滴り落ちるようになり滞留時間を延ばすことが
できる。
透孔の配置は、周縁近傍に偏在したものにすることが好
ましい。すなわち、この多孔板の透孔は、中央寄りの部
分では通気性が小さいと共に周縁寄りの部分では通気性
が大きくなるように形成することが好ましい。これによ
れば、上段の滞留手段３から中央部に滴下されたＰＣＢ
２は、直ぐには透孔から滴り落ちずに周縁側に流れて行
き徐々に滴り落ちるようになり滞留時間を延ばすことが
できる。
【００５１】また、上述した実施形態では滞留手段３お
よび案内手段５は水平に設置した円形の平板状としてい
るが、これには限られず滞留手段３および案内手段５は
各下面に下方に突出した滴下部を有すると共に、上下に
隣り合う滞留手段３および案内手段５の滴下部同士を水
平方向にずらして設置するようにしても良い。
よび案内手段５は水平に設置した円形の平板状としてい
るが、これには限られず滞留手段３および案内手段５は
各下面に下方に突出した滴下部を有すると共に、上下に
隣り合う滞留手段３および案内手段５の滴下部同士を水
平方向にずらして設置するようにしても良い。
【００５２】例えば、滞留手段３の滴下部を該滞留手段
３の下面の中央に位置させると共に、案内手段５の滴下
部を該案内手段５の下面の周縁に位置させても良い。こ
の場合は、滞留手段３は中央部を下方に湾曲した形状に
する。また、案内手段５は中央部が上方に撓んだ形状に
する。若しくは、滞留手段３および案内手段５は、図３
に示すように水平から僅かに傾斜させて傾斜方向を交互
に変えて上下方向に交互に配置されて、尚かつ上下に隣
り合う滞留手段３および案内手段５のうちの上側の手段
の最下部の真下に下側の手段の最上部より僅かに低い部
分を位置させて配置されるようにしても良い。いずれの
場合も、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平方向にも
移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長くしてＰ
ＣＢ２の加熱分解を促進することができる。
３の下面の中央に位置させると共に、案内手段５の滴下
部を該案内手段５の下面の周縁に位置させても良い。こ
の場合は、滞留手段３は中央部を下方に湾曲した形状に
する。また、案内手段５は中央部が上方に撓んだ形状に
する。若しくは、滞留手段３および案内手段５は、図３
に示すように水平から僅かに傾斜させて傾斜方向を交互
に変えて上下方向に交互に配置されて、尚かつ上下に隣
り合う滞留手段３および案内手段５のうちの上側の手段
の最下部の真下に下側の手段の最上部より僅かに低い部
分を位置させて配置されるようにしても良い。いずれの
場合も、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平方向にも
移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長くしてＰ
ＣＢ２の加熱分解を促進することができる。
【００５３】さらに、本実施形態では滞留手段３の間に
案内手段５を配置しているが、これには限られず案内手
段５は無くても良い。例えば図２に示すように、水平か
ら僅かに傾斜させた滞留手段３を傾斜方向を交互に変え
て上下方向に配置するようにしても良い。この場合、上
下に隣り合う滞留手段３，３のうちの上側の滞留手段３
の最下部の真下に下側の滞留手段３の最上部より僅かに
低い部分が位置するように水平方向にずらして配置す
る。また、供給手段７の吐出口６は、最上段の滞留手段
３の最上部より僅かに低い部分にＰＣＢ２を供給するよ
うに形成する。
案内手段５を配置しているが、これには限られず案内手
段５は無くても良い。例えば図２に示すように、水平か
ら僅かに傾斜させた滞留手段３を傾斜方向を交互に変え
て上下方向に配置するようにしても良い。この場合、上
下に隣り合う滞留手段３，３のうちの上側の滞留手段３
の最下部の真下に下側の滞留手段３の最上部より僅かに
低い部分が位置するように水平方向にずらして配置す
る。また、供給手段７の吐出口６は、最上段の滞留手段
３の最上部より僅かに低い部分にＰＣＢ２を供給するよ
うに形成する。
【００５４】これによれば、供給手段７から最上段の滞
留手段３に供給されたＰＣＢ２は、その滞留手段３に保
持されて一時的に滞留されてから、その最下部から滴り
落ちる。滴り落ちたＰＣＢ２は次の段の滞留手段３の最
上部より僅かに低い部分に滴下されて、当該滞留手段３
に保持されて一時的に滞留されてから、その最下部から
滴り落ちる。これを繰り返すことにより最下段の滞留手
段３の最下部から滴り落ちる前にＰＣＢが加熱分解され
る。この場合も、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平
方向にも移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長
くしてＰＣＢ２を高率で分解することができる。
留手段３に供給されたＰＣＢ２は、その滞留手段３に保
持されて一時的に滞留されてから、その最下部から滴り
落ちる。滴り落ちたＰＣＢ２は次の段の滞留手段３の最
上部より僅かに低い部分に滴下されて、当該滞留手段３
に保持されて一時的に滞留されてから、その最下部から
滴り落ちる。これを繰り返すことにより最下段の滞留手
段３の最下部から滴り落ちる前にＰＣＢが加熱分解され
る。この場合も、ＰＣＢ２は落下する動きに加えて水平
方向にも移動されるので、加熱空間４での滞留時間を長
くしてＰＣＢ２を高率で分解することができる。
【００５５】また、上述した各実施形態では、滞留手段
３および案内手段５は円形としているが、これには限ら
れず矩形や多角形あるいは筒状若しくは中実の棒形状で
あっても良い。滞留手段３および案内手段５が例えば長
方形である場合は、高炉８の炉部１０が通常は円筒形状
であることから滞留手段３および案内手段５の周縁と内
壁面１７との間に弓形の隙間が形成される。そして、こ
の隙間を通って燃焼ガスが上方に流れるので、滞留手段
３および案内手段５に加熱雰囲気１６が十分に供給され
る。よって、ＰＣＢ２に対して熱および酸素が十分に与
えられるので、ＰＣＢ２の分解反応を促進することがで
きる。さらに、滞留手段３および案内手段５が例えば棒
形状である場合は、傾斜方向に沿って例えば数本を並列
に配列させるようにする。
３および案内手段５は円形としているが、これには限ら
れず矩形や多角形あるいは筒状若しくは中実の棒形状で
あっても良い。滞留手段３および案内手段５が例えば長
方形である場合は、高炉８の炉部１０が通常は円筒形状
であることから滞留手段３および案内手段５の周縁と内
壁面１７との間に弓形の隙間が形成される。そして、こ
の隙間を通って燃焼ガスが上方に流れるので、滞留手段
３および案内手段５に加熱雰囲気１６が十分に供給され
る。よって、ＰＣＢ２に対して熱および酸素が十分に与
えられるので、ＰＣＢ２の分解反応を促進することがで
きる。さらに、滞留手段３および案内手段５が例えば棒
形状である場合は、傾斜方向に沿って例えば数本を並列
に配列させるようにする。
【００５６】さらに、上述した各実施形態では、滞留手
段３および案内手段５を高炉８に設置しているが、これ
には限られず１０００〜１４５０℃程度に加熱できる焼
却炉等の加熱装置の全般に設置することができる。
段３および案内手段５を高炉８に設置しているが、これ
には限られず１０００〜１４５０℃程度に加熱できる焼
却炉等の加熱装置の全般に設置することができる。
【００５７】
【発明の効果】上述したように本発明の請求項１のＰＣ
Ｂの分解処理装置によれば、滞留手段はＰＣＢに対して
親和性を有するので、ＰＣＢは途中で滴り落ちること無
く滞留手段によって保持される。したがって、加熱空間
での滞留時間を長くすることができる。また、ＰＣＢが
多孔質体の内部に保持されるので、容器に溜められたり
溝状の流路をそのまま流れる場合に比べてＰＣＢと加熱
空気との接触面積を増やすことができる。このため、Ｐ
ＣＢと酸素との接触面積を大きくすることができると共
に加熱雰囲気の熱をＰＣＢに効率良く供給できるので、
ＰＣＢの分解反応を促進することができる。これらの理
由からＰＣＢの分解率を高めることができる。
Ｂの分解処理装置によれば、滞留手段はＰＣＢに対して
親和性を有するので、ＰＣＢは途中で滴り落ちること無
く滞留手段によって保持される。したがって、加熱空間
での滞留時間を長くすることができる。また、ＰＣＢが
多孔質体の内部に保持されるので、容器に溜められたり
溝状の流路をそのまま流れる場合に比べてＰＣＢと加熱
空気との接触面積を増やすことができる。このため、Ｐ
ＣＢと酸素との接触面積を大きくすることができると共
に加熱雰囲気の熱をＰＣＢに効率良く供給できるので、
ＰＣＢの分解反応を促進することができる。これらの理
由からＰＣＢの分解率を高めることができる。
【００５８】また、請求項２のＰＣＢの分解処理装置に
よれば、ＰＣＢが案内手段により複数の滞留手段によっ
て順に保持されるようになるので、加熱雰囲気中に長時
間滞留されるようになる。また、ＰＣＢは案内手段で案
内されることによっても加熱雰囲気中に滞留される。
よれば、ＰＣＢが案内手段により複数の滞留手段によっ
て順に保持されるようになるので、加熱雰囲気中に長時
間滞留されるようになる。また、ＰＣＢは案内手段で案
内されることによっても加熱雰囲気中に滞留される。
【００５９】また、請求項３のＰＣＢの分解処理装置に
よれば、滞留手段と案内手段とにより交互に受けられる
ことが１回以上行われる。これにより、ＰＣＢは落下す
る動きに加えて水平方向にも移動されるので、加熱空間
での滞留時間を長くすることができる。
よれば、滞留手段と案内手段とにより交互に受けられる
ことが１回以上行われる。これにより、ＰＣＢは落下す
る動きに加えて水平方向にも移動されるので、加熱空間
での滞留時間を長くすることができる。
【００６０】さらに、請求項４のＰＣＢの分解処理装置
によれば、滞留手段および案内手段のＰＣＢが滴下され
る位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢを滴下す
る位置とが水平方向にずれているので、当該滞留手段お
よび案内手段に保持される時間が長く成り加熱雰囲気中
での滞留時間を長くすることができる。
によれば、滞留手段および案内手段のＰＣＢが滴下され
る位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢを滴下す
る位置とが水平方向にずれているので、当該滞留手段お
よび案内手段に保持される時間が長く成り加熱雰囲気中
での滞留時間を長くすることができる。
【００６１】ここで、請求項５のＰＣＢの分解処理装置
によれば、滞留手段および案内手段のＰＣＢが滴下され
る位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢを滴下す
る位置とが水平方向にずれているので、当該滞留手段お
よび案内手段に保持される時間が長く成り加熱雰囲気中
での滞留時間を長くすることができる。
によれば、滞留手段および案内手段のＰＣＢが滴下され
る位置と該滞留手段および案内手段からＰＣＢを滴下す
る位置とが水平方向にずれているので、当該滞留手段お
よび案内手段に保持される時間が長く成り加熱雰囲気中
での滞留時間を長くすることができる。
【００６２】また、請求項６のＰＣＢの分解処理装置に
よれば、最上段の滞留手段または案内手段に供給された
ＰＣＢは、その手段に保持されて一時的に滞留した後、
その最下部から滴り落ちる。そのＰＣＢは次の手段の最
上部より僅かに低い部分に落ちて、当該手段により水平
方向に移動しながら滞留して最下部から滴り落ちる。こ
れを繰り返すことにより、ＰＣＢは最下段の滞留手段ま
たは案内手段の最下部から滴り落ちるまでに加熱分解さ
れるようになる。よって、ＰＣＢは水平方向に移動しな
がら保持されるので、加熱空間での滞留時間を長くして
ＰＣＢを高率で分解することができる。
よれば、最上段の滞留手段または案内手段に供給された
ＰＣＢは、その手段に保持されて一時的に滞留した後、
その最下部から滴り落ちる。そのＰＣＢは次の手段の最
上部より僅かに低い部分に落ちて、当該手段により水平
方向に移動しながら滞留して最下部から滴り落ちる。こ
れを繰り返すことにより、ＰＣＢは最下段の滞留手段ま
たは案内手段の最下部から滴り落ちるまでに加熱分解さ
れるようになる。よって、ＰＣＢは水平方向に移動しな
がら保持されるので、加熱空間での滞留時間を長くして
ＰＣＢを高率で分解することができる。
【００６３】そして、請求項７のＰＣＢの分解処理装置
によれば、案内手段はＰＣＢを周縁から滴下する板であ
るので、水平移動する距離を最大限に採ることができ滞
留時間を長くすることができる。また、請求項８のＰＣ
Ｂの分解処理装置によれば、案内手段はＰＣＢおよび加
熱雰囲気を流通させる少なくとも１個の貫通孔を有する
多孔板であるので、案内手段中を加熱雰囲気が通過で
き、ＰＣＢと空気をより積極的に接触できると共にＰＣ
Ｂの加熱を図ることができる。よって、ＰＣＢの加熱分
解を促進することができる。
によれば、案内手段はＰＣＢを周縁から滴下する板であ
るので、水平移動する距離を最大限に採ることができ滞
留時間を長くすることができる。また、請求項８のＰＣ
Ｂの分解処理装置によれば、案内手段はＰＣＢおよび加
熱雰囲気を流通させる少なくとも１個の貫通孔を有する
多孔板であるので、案内手段中を加熱雰囲気が通過で
き、ＰＣＢと空気をより積極的に接触できると共にＰＣ
Ｂの加熱を図ることができる。よって、ＰＣＢの加熱分
解を促進することができる。
【００６４】一方、請求項９のＰＣＢの分解処理装置に
よれば、ＰＣＢが複数の滞留手段によって順に保持され
るようになるので、加熱雰囲気中に長時間滞留されるよ
うになる。
よれば、ＰＣＢが複数の滞留手段によって順に保持され
るようになるので、加熱雰囲気中に長時間滞留されるよ
うになる。
【００６５】あるいは、請求項１０のＰＣＢの分解処理
装置によれば、最上段の滞留手段に供給されたＰＣＢ
は、その滞留手段に保持されて一時的に滞留されてか
ら、その最下部から滴り落ちる。滴り落ちたＰＣＢは次
の段の滞留手段の最上部より僅かに低い部分に滴下され
て、当該滞留手段に保持されて一時的に滞留されてか
ら、その最下部から滴り落ちる。これを繰り返すことに
より最下段の滞留手段の最下部から滴り落ちるまでにＰ
ＣＢが加熱分解される。これによっても、ＰＣＢは落下
する動きに加えて水平方向にも移動されるので、加熱空
間での滞留時間を長くしてＰＣＢを高率で分解すること
ができる。
装置によれば、最上段の滞留手段に供給されたＰＣＢ
は、その滞留手段に保持されて一時的に滞留されてか
ら、その最下部から滴り落ちる。滴り落ちたＰＣＢは次
の段の滞留手段の最上部より僅かに低い部分に滴下され
て、当該滞留手段に保持されて一時的に滞留されてか
ら、その最下部から滴り落ちる。これを繰り返すことに
より最下段の滞留手段の最下部から滴り落ちるまでにＰ
ＣＢが加熱分解される。これによっても、ＰＣＢは落下
する動きに加えて水平方向にも移動されるので、加熱空
間での滞留時間を長くしてＰＣＢを高率で分解すること
ができる。
【００６６】さらに、請求項１１のＰＣＢの分解処理装
置によれば、滞留手段の大きさやＰＣＢの処理量に応じ
た空隙率の滞留手段を任意に成形することができる。
置によれば、滞留手段の大きさやＰＣＢの処理量に応じ
た空隙率の滞留手段を任意に成形することができる。
【００６７】そして、請求項１２のＰＣＢの分解処理装
置によれば、滞留手段をセラミックヌードルにしている
ので、糸径や旋回径や集積パターンの違いにより異なる
空隙率の滞留手段を得ることができる。よって、ＰＣＢ
の処理量に応じた空隙率の滞留手段を任意に成形するこ
とができる。
置によれば、滞留手段をセラミックヌードルにしている
ので、糸径や旋回径や集積パターンの違いにより異なる
空隙率の滞留手段を得ることができる。よって、ＰＣＢ
の処理量に応じた空隙率の滞留手段を任意に成形するこ
とができる。
【００６８】あるいは、請求項１３のＰＣＢの分解処理
装置によれば、滞留手段は糸状のセラミックを格子状に
集積させたものにしているので、糸径や線間隔や格子の
重なり角度など集積パターンの違いにより異なる空隙率
の滞留手段を得ることができる。よって、ＰＣＢの処理
量に応じた空隙率の滞留手段を選択することができる。
装置によれば、滞留手段は糸状のセラミックを格子状に
集積させたものにしているので、糸径や線間隔や格子の
重なり角度など集積パターンの違いにより異なる空隙率
の滞留手段を得ることができる。よって、ＰＣＢの処理
量に応じた空隙率の滞留手段を選択することができる。
【００６９】ここで、集積成形セラミックス多孔体とし
ては、請求項１４の発明のようにムライト製、あるいは
請求項１５の発明のようにアルミナ製にすることができ
る。ムライトおよびアルミナの融点は１８００℃以上で
あると共に軟化温度は１４５０℃を超えているので、こ
こでの加熱雰囲気での耐熱性を有することができる。
ては、請求項１４の発明のようにムライト製、あるいは
請求項１５の発明のようにアルミナ製にすることができ
る。ムライトおよびアルミナの融点は１８００℃以上で
あると共に軟化温度は１４５０℃を超えているので、こ
こでの加熱雰囲気での耐熱性を有することができる。
【００７０】また、請求項１６の発明によれば滞留手段
をポーラス状の材質から成るブロック体にし、あるいは
請求項１７の発明によればポーラス状の材質から成るハ
ニカム構造体にているので、ＰＣＢと加熱空気との接触
面積を増やすことができ、ＰＣＢと酸素との接触面積を
大きくすると同時に加熱雰囲気の熱をＰＣＢに効率良く
供給できる。よって、ＰＣＢの分解反応を促進してＰＣ
Ｂの分解率を高めることができる。
をポーラス状の材質から成るブロック体にし、あるいは
請求項１７の発明によればポーラス状の材質から成るハ
ニカム構造体にているので、ＰＣＢと加熱空気との接触
面積を増やすことができ、ＰＣＢと酸素との接触面積を
大きくすると同時に加熱雰囲気の熱をＰＣＢに効率良く
供給できる。よって、ＰＣＢの分解反応を促進してＰＣ
Ｂの分解率を高めることができる。
【００７１】一方、請求項１８のＰＣＢの分解処理装置
によれば、高炉の熱エネルギをＰＣＢの加熱分解に直接
利用することができるので、損失する熱エネルギが少な
く分解効率を高めることができる。また、ＰＣＢの分解
率を９９．９９９９％以上にするための加熱温度として
好ましい１０００〜１４５０℃にＰＣＢを加熱すること
ができる。
によれば、高炉の熱エネルギをＰＣＢの加熱分解に直接
利用することができるので、損失する熱エネルギが少な
く分解効率を高めることができる。また、ＰＣＢの分解
率を９９．９９９９％以上にするための加熱温度として
好ましい１０００〜１４５０℃にＰＣＢを加熱すること
ができる。
【００７２】そして、請求項１９のＰＣＢの分解処理装
置によれば、ＰＣＢを加熱する温度は１０００〜１４５
０℃であると共にＰＣＢを加熱する時間は１．０〜３．
５秒であるようにしているので、ＰＣＢの分解率を９
９．９９９９％以上にすることが可能になる。
置によれば、ＰＣＢを加熱する温度は１０００〜１４５
０℃であると共にＰＣＢを加熱する時間は１．０〜３．
５秒であるようにしているので、ＰＣＢの分解率を９
９．９９９９％以上にすることが可能になる。
【図１】本発明のＰＣＢの分解処理装置の一実施形態を
示す中央縦断面図である。
示す中央縦断面図である。
【図２】ＰＣＢの分解処理装置の他の実施形態における
多孔質体の配置を示す概略図である。
多孔質体の配置を示す概略図である。
【図３】ＰＣＢの分解処理装置の更に他の実施形態にお
ける多孔質体の配置を示す概略図である。
ける多孔質体の配置を示す概略図である。
１ ＰＣＢの分解処理装置 ２ 液状ＰＣＢ ３ 滞留手段 ４ 加熱空間 ５ 案内手段 ７ 供給手段 １６ 加熱雰囲気 １９ 加熱手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 國分 關嗣 埼玉県さいたま市大成町３丁目498番地の ２ (72)発明者 早野 穣 神奈川県藤沢市片瀬３丁目５番３号 (72)発明者 岩崎 昌光 東京都足立区梅田７丁目25−13−112号 Ｆターム(参考） 2E191 BA13 BD12 4G075 AA13 AA37 BA05 BD01 BD16 CA02 CA66 DA02 EA01 EA05 EC06 EE01 EE07 EE31 FA12 FA14 FB04 FC06 4H006 AA04 AA05 AC13 AC26 BD81
Claims (19)
- 【請求項１】 液状ＰＣＢを加熱分解するＰＣＢの分解
処理装置において、前記加熱手段と、該加熱手段による
加熱雰囲気中に前記液状ＰＣＢを供給する供給手段と、
前記液状ＰＣＢに対して親和性を有すると共に前記加熱
雰囲気での耐熱性を有する多孔質体から成り、尚かつ前
記加熱雰囲気中に配置されて前記供給手段から供給され
た前記液状ＰＣＢを保持して前記加熱雰囲気中に一時的
に滞留させる滞留手段とを備えることを特徴とするＰＣ
Ｂの分解処理装置。 - 【請求項２】 前記滞留手段は上下方向に複数配置され
ると共に、各前記滞留手段の間には上側の前記滞留手段
から滴下された前記液状ＰＣＢを前記加熱雰囲気中に滞
留させながら下側の前記滞留手段に案内する案内手段を
有することを特徴とする請求項１記載のＰＣＢの分解処
理装置。 - 【請求項３】 前記滞留手段は水平に設置され上方から
供給された前記液状ＰＣＢを中央部から落下させるもの
であると共に、前記案内手段は水平に設置され上方から
供給された前記液状ＰＣＢを周縁から落下させるもので
あり、尚かつ前記滞留手段および前記案内手段が上下方
向に順に配置されていることを特徴とする請求項２記載
のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項４】 前記滞留手段および前記案内手段は板状
で各々の下面に下方に突出した滴下部を有すると共に、
上下に隣り合う前記滞留手段および前記案内手段の前記
滴下部同士を水平方向にずらして設置されたことを特徴
とする請求項２記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項５】 前記滞留手段の前記滴下部は該滞留手段
の下面の中央に位置すると共に、前記案内手段の前記滴
下部は該案内手段の下面の周縁に位置することを特徴と
する請求項４記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項６】 前記滞留手段および前記案内手段は板状
であると共に、水平から僅かに傾斜させて傾斜方向を交
互に変えて上下方向に交互に配置されて、尚かつ上下に
隣り合う前記滞留手段および前記案内手段のうちの上側
の手段の最下部の真下に下側の手段の最上部より僅かに
低い部分を位置させて配置されることを特徴とする請求
項２記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項７】 前記案内手段は前記液状ＰＣＢを周縁か
ら滴下する板であることを特徴とする請求項２から５ま
でのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項８】 前記案内手段は前記液状ＰＣＢおよび前
記加熱雰囲気を流通させる少なくとも１個の貫通孔を有
する多孔板であることを特徴とする請求項２から７まで
のいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項９】 前記滞留手段は板状で上下方向に複数配
置されると共に各下面に下方に突出した滴下部を有する
ものであり、尚かつ上下に隣り合う前記滞留手段の前記
滴下部同士が水平方向にずらされると共に上側の前記滞
留手段の前記滴下部の真下に下側の前記滞留手段を配置
したことを特徴とする請求項１記載のＰＣＢの分解処理
装置。 - 【請求項１０】 前記滞留手段は、水平から僅かに傾斜
させて傾斜方向を交互に変えて上下方向に配置されて、
尚かつ上下に隣り合う前記滞留手段のうちの上側の前記
滞留手段の最下部の真下に下側の前記滞留手段の最上部
より僅かに低い部分を位置させて配置されることを特徴
とする請求項９記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１１】 前記滞留手段は集積成形セラミックス
多孔体であることを特徴とする請求項１から１０までの
いずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１２】 前記滞留手段は糸状のセラミックを円
形状に旋回させて集積させたセラミックヌードルである
ことを特徴とする請求項１１記載のＰＣＢの分解処理装
置。 - 【請求項１３】 前記滞留手段は糸状のセラミックを格
子状に集積させたものであることを特徴とする請求項１
１記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１４】 前記集積成形セラミックス多孔体はム
ライト製であることを特徴とする請求項１１から１３ま
でのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１５】 前記集積成形セラミックス多孔体はア
ルミナ製であることを特徴とする請求項１１から１３ま
でのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１６】 前記滞留手段はポーラス状の材質から
成るブロック体であることを特徴とする請求項１から１
０までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１７】 前記滞留手段はポーラス状の材質から
成るハニカム構造体であることを特徴とする請求項１か
ら１０までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１８】 前記加熱手段は高炉の燃焼部であると
共に、前記供給手段および前記滞留手段は前記高炉内に
設置されることを特徴とする請求項１から１７までのい
ずれか記載のＰＣＢの分解処理装置。 - 【請求項１９】 前記液状ＰＣＢを加熱する温度は１０
００〜１４５０℃であると共に、前記液状ＰＣＢを加熱
する時間は１．０〜３．５秒であることを特徴とする請
求項１から１８までのいずれか記載のＰＣＢの分解処理
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001283814A JP4139854B2 (ja) | 2000-11-13 | 2001-09-18 | Ｐｃｂの分解処理装置 |
| US10/046,586 US6619217B2 (en) | 2000-11-13 | 2001-11-07 | Decomposition processing apparatus for PCB |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000344909 | 2000-11-13 | ||
| JP2000-344909 | 2000-11-13 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002204836A true JP2002204836A (ja) | 2002-07-23 |
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|---|---|---|---|
| JP2001283814A Expired - Fee Related JP4139854B2 (ja) | 2000-11-13 | 2001-09-18 | Ｐｃｂの分解処理装置 |
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| JP (1) | JP4139854B2 (ja) |
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| JP2008206801A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Kanji Kokubu | Ｐｃｂの分解処理装置 |
| CN105126706A (zh) * | 2015-09-29 | 2015-12-09 | 山东钢铁股份有限公司 | 一种桶装油品化冻装置及方法 |
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-
2001
- 2001-09-18 JP JP2001283814A patent/JP4139854B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-07 US US10/046,586 patent/US6619217B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US20020110506A1 (en) | 2002-08-15 |
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