JP2002204142A - 端面反射型表面波装置 - Google Patents
端面反射型表面波装置Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波化が容易であり、所望とする帯域幅を
容易に得ることができる端面反射型表面波装置を提供す
る。 【解決手段】 圧電性基板２の主面２ａ上に少なくとも
１つのインターデジタルトランスデューサ３が形成され
ており、端面２ｃ，２ｄを反射端面として用いた端面反
射型表面波装置であって、縦波を主成分とする表面波が
用いられており、好ましくは、励振される表面波全体の
エネルギー強度を１００％としたとき、縦波成分以外の
ＳＨ波成分及びＳＶ波成分が、それぞれ、２０％以下で
あり、より好ましくは、励振される表面波全体のエネル
ギー強度を１００％としたとき、前記縦波成分が７０％
以上である端面反射型表面波装置１。
容易に得ることができる端面反射型表面波装置を提供す
る。 【解決手段】 圧電性基板２の主面２ａ上に少なくとも
１つのインターデジタルトランスデューサ３が形成され
ており、端面２ｃ，２ｄを反射端面として用いた端面反
射型表面波装置であって、縦波を主成分とする表面波が
用いられており、好ましくは、励振される表面波全体の
エネルギー強度を１００％としたとき、縦波成分以外の
ＳＨ波成分及びＳＶ波成分が、それぞれ、２０％以下で
あり、より好ましくは、励振される表面波全体のエネル
ギー強度を１００％としたとき、前記縦波成分が７０％
以上である端面反射型表面波装置１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振子や帯域フィ
ルタとして用いられる表面波装置に関し、より詳細に
は、対向２端面間の表面波の反射を利用した端面反射型
表面波装置に関する。
ルタとして用いられる表面波装置に関し、より詳細に
は、対向２端面間の表面波の反射を利用した端面反射型
表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、共振子や共振型帯域フィルタとし
て表面波装置が広く用いられている。ところで、表面波
としてレイリー波を用いた表面波装置は、圧電基板上に
少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサ
（以下、ＩＤＴ）が形成されている構造を有し、かつＩ
ＤＴが設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射
器が配置されている。すなわち、表面波を反射器間で反
射させ、定在波とするために、反射器を必要としてい
た。その結果、表面波装置の寸法が大きくならざるを得
なかった。
て表面波装置が広く用いられている。ところで、表面波
としてレイリー波を用いた表面波装置は、圧電基板上に
少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサ
（以下、ＩＤＴ）が形成されている構造を有し、かつＩ
ＤＴが設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射
器が配置されている。すなわち、表面波を反射器間で反
射させ、定在波とするために、反射器を必要としてい
た。その結果、表面波装置の寸法が大きくならざるを得
なかった。
【０００３】これに対して、ＳＨタイプの表面波を利用
した端面反射型の表面波装置が知られている。ＢＧＳ波
などのＳＨタイプの表面波では、反射器を省略して圧電
基板の対向２端面を反射端面とすることができる。従っ
て、表面波装置の小型化を図ることができる。
した端面反射型の表面波装置が知られている。ＢＧＳ波
などのＳＨタイプの表面波では、反射器を省略して圧電
基板の対向２端面を反射端面とすることができる。従っ
て、表面波装置の小型化を図ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＨ波
を用いた表面波装置では、圧電基板のＳＨ波の音速が遅
く、従って高周波化に対応することが困難であった。ま
た、表面波フィルタの帯域幅は、圧電基板の電気機械結
合係数ｋに依存するが、ＳＨタイプの表面波を利用する
ためには圧電基板材料が限定され、従って、電気機械結
合係数ｋの制約により、所望とする帯域幅を容易に得る
ことができなかった。
を用いた表面波装置では、圧電基板のＳＨ波の音速が遅
く、従って高周波化に対応することが困難であった。ま
た、表面波フィルタの帯域幅は、圧電基板の電気機械結
合係数ｋに依存するが、ＳＨタイプの表面波を利用する
ためには圧電基板材料が限定され、従って、電気機械結
合係数ｋの制約により、所望とする帯域幅を容易に得る
ことができなかった。
【０００５】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、高周波化に容易に対応することができ、かつ
所望の帯域幅を容易に実現し得る端面反射型表面波装置
を提供することにある。
を解消し、高周波化に容易に対応することができ、かつ
所望の帯域幅を容易に実現し得る端面反射型表面波装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】従来、ＳＨ波以外の表面
波を利用して端面反射型表面波装置を構成することはで
きないと考えられていた。これに対して、本願発明者ら
は、表面波の成分のうち、縦波あるいはＳＶ波を主成分
とする波を利用すれば、対向２端面で反射させて、端面
反射型表面波装置を構成し得ることを見い出した。
波を利用して端面反射型表面波装置を構成することはで
きないと考えられていた。これに対して、本願発明者ら
は、表面波の成分のうち、縦波あるいはＳＶ波を主成分
とする波を利用すれば、対向２端面で反射させて、端面
反射型表面波装置を構成し得ることを見い出した。
【０００７】すなわち、本願の第１の発明は、対向し合
う一対の主面及び該一対の主面を結ぶ一対の対向端面を
有する圧電性基板と、前記圧電性基板の一方主面に形成
された少なくとも１つのインターデジタルトランスデュ
ーサとを備える端面反射型表面波装置であって、励振さ
れる表面波のうち縦波を主成分とする表面波を用いたこ
とを特徴とする端面反射型表面波装置である。
う一対の主面及び該一対の主面を結ぶ一対の対向端面を
有する圧電性基板と、前記圧電性基板の一方主面に形成
された少なくとも１つのインターデジタルトランスデュ
ーサとを備える端面反射型表面波装置であって、励振さ
れる表面波のうち縦波を主成分とする表面波を用いたこ
とを特徴とする端面反射型表面波装置である。
【０００８】レイリー波は、縦波とＳＶ波の２つの成分
を有しており、この２つの成分は常に結合して伝搬す
る。従って、従来、端面反射を利用した表面波装置をレ
イリー波を利用して構成することは困難と考えられてい
た。
を有しており、この２つの成分は常に結合して伝搬す
る。従って、従来、端面反射を利用した表面波装置をレ
イリー波を利用して構成することは困難と考えられてい
た。
【０００９】しかしながら、表面波の中でも、縦波を主
成分とする波については、後述の実施例から明らかなよ
うに、モード変換を生じることなく基板端面で反射さ
れ、従って、端面反射型表面波装置を構成することがで
きる。しかも、上記縦波は、ＳＨ波に比べて音速が速い
ため、高周波化に容易に対応することができる。
成分とする波については、後述の実施例から明らかなよ
うに、モード変換を生じることなく基板端面で反射さ
れ、従って、端面反射型表面波装置を構成することがで
きる。しかも、上記縦波は、ＳＨ波に比べて音速が速い
ため、高周波化に容易に対応することができる。
【００１０】第１の発明の特定の局面では、励振される
表面波全体のエネルギー強度を１００％としたとき、縦
波成分以外のＳＨ波成分及びＳＶ波成分が、それぞれ、
２０％以下とされ、それによって、ほぼ縦波を主成分と
する表面波のみが反射されることになる。
表面波全体のエネルギー強度を１００％としたとき、縦
波成分以外のＳＨ波成分及びＳＶ波成分が、それぞれ、
２０％以下とされ、それによって、ほぼ縦波を主成分と
する表面波のみが反射されることになる。
【００１１】また、好ましくは、励振される表面波全体
のエネルギー強度を１００％としたとき、縦波成分が７
０％以上を占めるように構成され、それによって、さら
に縦波を主成分とする表面波のみが反射されることにな
り、不要モードの発生による特性劣化を抑制することが
できる。より好ましくは、励振される表面波の縦波成
分、ＳＨ成分及びＳＶ成分の変位をそれぞれｕ1，ｕ2，
ｕ3としたとき、基板表面の変位ｕ1，ｕ2の比が基板表
面が電気的に開放のときに０．０１５以下、及び／また
は基板表面が電気的に短絡のときに０．１以下であり、
その場合、さらに良好な特性が得られる。
のエネルギー強度を１００％としたとき、縦波成分が７
０％以上を占めるように構成され、それによって、さら
に縦波を主成分とする表面波のみが反射されることにな
り、不要モードの発生による特性劣化を抑制することが
できる。より好ましくは、励振される表面波の縦波成
分、ＳＨ成分及びＳＶ成分の変位をそれぞれｕ1，ｕ2，
ｕ3としたとき、基板表面の変位ｕ1，ｕ2の比が基板表
面が電気的に開放のときに０．０１５以下、及び／また
は基板表面が電気的に短絡のときに０．１以下であり、
その場合、さらに良好な特性が得られる。
【００１２】第１の発明の特定の局面では、一対の対向
端面の中間高さ位置に段差が形成され、該段差よりもＩ
ＤＴが形成されている側の主面に近い端面部分により反
射端面が構成されている。そして、この反射端面の高さ
方向寸法が、表面波の波長をλとしたときに、５λ〜２
０λの範囲とされており、それによって縦波を主成分と
する表面波が上記反射端面によって効率良く反射され
る。従って、例えばマザー基板に５λ〜２０λの範囲の
深さの溝を形成し、該溝の中央で分割することにより、
多数の端面反射型表面波装置を効率良く製造することが
できる。
端面の中間高さ位置に段差が形成され、該段差よりもＩ
ＤＴが形成されている側の主面に近い端面部分により反
射端面が構成されている。そして、この反射端面の高さ
方向寸法が、表面波の波長をλとしたときに、５λ〜２
０λの範囲とされており、それによって縦波を主成分と
する表面波が上記反射端面によって効率良く反射され
る。従って、例えばマザー基板に５λ〜２０λの範囲の
深さの溝を形成し、該溝の中央で分割することにより、
多数の端面反射型表面波装置を効率良く製造することが
できる。
【００１３】本発明において上記圧電性基板としては、
縦波成分を主成分とする表面波を励振し得る限り特に限
定されないが、このような圧電性基板としては、例え
ば、オイラー角（０度、４０〜６０度、９０度）もしく
は（９０度、９０度、２０〜５０度）のＬｉ2Ｂ4Ｏ7基
板、オイラー角が（０度、１２０〜１４０度、１５０
度）もしくは（０度、１５５．２５度、４２度）の水晶
基板、または（９０度、９０度、１０〜９０度）のＬｉ
ＮｂＯ3もしくはＬｉＴａＯ3基板が挙げられる。
縦波成分を主成分とする表面波を励振し得る限り特に限
定されないが、このような圧電性基板としては、例え
ば、オイラー角（０度、４０〜６０度、９０度）もしく
は（９０度、９０度、２０〜５０度）のＬｉ2Ｂ4Ｏ7基
板、オイラー角が（０度、１２０〜１４０度、１５０
度）もしくは（０度、１５５．２５度、４２度）の水晶
基板、または（９０度、９０度、１０〜９０度）のＬｉ
ＮｂＯ3もしくはＬｉＴａＯ3基板が挙げられる。
【００１４】本願の第２の発明は、対向し合う一対の主
面及び該一対の主面を結ぶ一対の対向端面を有する圧電
性基板と、前記圧電性基板の一方主面に形成された少な
くとも１つのインターデジタルトランスデューサとを備
える端面反射型表面波装置であって、励振される表面波
のうちＳＶ波を主成分とする表面波を用いたことを特徴
とする端面反射型表面波装置である。
面及び該一対の主面を結ぶ一対の対向端面を有する圧電
性基板と、前記圧電性基板の一方主面に形成された少な
くとも１つのインターデジタルトランスデューサとを備
える端面反射型表面波装置であって、励振される表面波
のうちＳＶ波を主成分とする表面波を用いたことを特徴
とする端面反射型表面波装置である。
【００１５】すなわち、本願発明者は、励振される表面
波のうち、ＳＶ波を主成分とする表面波は、対向２端面
でモード変換を生じることなく安定に反射されることを
見出し、従って、ＳＶ波を主成分とする表面波を用いた
端面反射型表面波装置を構成し得ることを見い出した。
波のうち、ＳＶ波を主成分とする表面波は、対向２端面
でモード変換を生じることなく安定に反射されることを
見出し、従って、ＳＶ波を主成分とする表面波を用いた
端面反射型表面波装置を構成し得ることを見い出した。
【００１６】ＳＶ波は、ＳＨ波に比べて音速が早いた
め、第２の発明に係る端面反射型表面波装置において
も、高周波化に容易に対応することができる。第２の発
明の特定の局面では、励振される表面波全体のエネルギ
ー強度を１００％としたとき、ＳＶ波成分以外のＳＨ波
成分及び縦波成分が、それぞれ、２０％以下とされ、そ
れによってほぼＳＶ波を主成分とする表面波のみが反射
されることになる。
め、第２の発明に係る端面反射型表面波装置において
も、高周波化に容易に対応することができる。第２の発
明の特定の局面では、励振される表面波全体のエネルギ
ー強度を１００％としたとき、ＳＶ波成分以外のＳＨ波
成分及び縦波成分が、それぞれ、２０％以下とされ、そ
れによってほぼＳＶ波を主成分とする表面波のみが反射
されることになる。
【００１７】励振される表面波全体のエネルギー強度を
１００％としたとき、ＳＶ波成分が７０％以上を占める
場合には、ＳＶ波を主成分とする表面波のみが効果的に
反射され、不要モードの発生による特性の劣化を抑制す
ることができる。より好ましくは、励振される表面波の
縦波成分、ＳＨ成分及びＳＶ成分の変位をそれぞれ
ｕ 1，ｕ2，ｕ3としたとき、基板表面が電気的に開放の
ときにｕ2／ｕ3が０．０１５以下、及び／または表面が
電気的に短絡のときにｕ2／ｕ3が０．１以下であり、そ
れによってさらに良好な特性が得られる。
１００％としたとき、ＳＶ波成分が７０％以上を占める
場合には、ＳＶ波を主成分とする表面波のみが効果的に
反射され、不要モードの発生による特性の劣化を抑制す
ることができる。より好ましくは、励振される表面波の
縦波成分、ＳＨ成分及びＳＶ成分の変位をそれぞれ
ｕ 1，ｕ2，ｕ3としたとき、基板表面が電気的に開放の
ときにｕ2／ｕ3が０．０１５以下、及び／または表面が
電気的に短絡のときにｕ2／ｕ3が０．１以下であり、そ
れによってさらに良好な特性が得られる。
【００１８】第２の発明の特定の局面では、一対の対向
端面の中間高さ位置に段差が形成され、該段差よりもＩ
ＤＴが形成されている側の主面に近い端面部分により反
射端面が構成されている。そして、この反射端面の高さ
方向寸法が、表面波の波長をλとしたときに、５λ〜２
０λの範囲とされており、それによって縦波を主成分と
する表面波が上記反射端面によって効率良く反射され
る。従って、例えばマザー基板に５λ〜２０λの範囲の
深さの溝を形成し、該溝の中央で分割することにより、
多数の端面反射型表面波装置を効率良く製造することが
できる。
端面の中間高さ位置に段差が形成され、該段差よりもＩ
ＤＴが形成されている側の主面に近い端面部分により反
射端面が構成されている。そして、この反射端面の高さ
方向寸法が、表面波の波長をλとしたときに、５λ〜２
０λの範囲とされており、それによって縦波を主成分と
する表面波が上記反射端面によって効率良く反射され
る。従って、例えばマザー基板に５λ〜２０λの範囲の
深さの溝を形成し、該溝の中央で分割することにより、
多数の端面反射型表面波装置を効率良く製造することが
できる。
【００１９】本発明において上記圧電性基板としては、
ＳＶ波成分を主成分とする表面波を励振し得る限り特に
限定されないが、このような圧電性基板としては、例え
ば、オイラー角（０度、４５〜８０度、９０度）のＬｉ
2Ｂ4Ｏ7基板が挙げられる。
ＳＶ波成分を主成分とする表面波を励振し得る限り特に
限定されないが、このような圧電性基板としては、例え
ば、オイラー角（０度、４５〜８０度、９０度）のＬｉ
2Ｂ4Ｏ7基板が挙げられる。
【００２０】第１，第２の発明の特定の局面では、電気
機械結合係数ｋとインターデジタルトランスデューサの
対数Ｎ（縦結合型共振子フィルタは総対数）との積に対
し、インターデジタルトランスデューサの交叉幅Ｗが次
の関係を満たすように構成されている。
機械結合係数ｋとインターデジタルトランスデューサの
対数Ｎ（縦結合型共振子フィルタは総対数）との積に対
し、インターデジタルトランスデューサの交叉幅Ｗが次
の関係を満たすように構成されている。
【００２１】Ｗ≧２．１＋３０．５ｅ-(x-0.016)/0.055
＋７．１ｅ-(x-0.016)/0.012 但し、ｘ＝ｋ2Ｎ 第１，第２の発明のさらに他の特定の局面では、圧電性
基板の比誘電率ε33 S*とインターデジタルトランスデュ
ーサの対数Ｎとの積に対し、インターデジタルトランス
デューサの交叉幅Ｗが次の関係を満たすように構成され
ている。
＋７．１ｅ-(x-0.016)/0.012 但し、ｘ＝ｋ2Ｎ 第１，第２の発明のさらに他の特定の局面では、圧電性
基板の比誘電率ε33 S*とインターデジタルトランスデュ
ーサの対数Ｎとの積に対し、インターデジタルトランス
デューサの交叉幅Ｗが次の関係を満たすように構成され
ている。
【００２２】Ｗ≧−１．６８＋２５．９ｅ-(x-37)/44.8
＋１５．６ｅ-(x-37)/216.1 但し、ｘ＝Ｎε33 S* 第１，第２の発明に係る端面反射型表面波装置の別の特
定の局面では、表面波の位相速度の進行方向と前記端面
との角度が９０±５度であり、端面の上部断面と基板表
面との角度は９０±１０度とされている。
＋１５．６ｅ-(x-37)/216.1 但し、ｘ＝Ｎε33 S* 第１，第２の発明に係る端面反射型表面波装置の別の特
定の局面では、表面波の位相速度の進行方向と前記端面
との角度が９０±５度であり、端面の上部断面と基板表
面との角度は９０±１０度とされている。
【００２３】本発明に係る端面反射型表面波装置のさら
に別の特定の局面では、表面波の波長をλとしたとき、
シングル電極の場合にはインターデジタルトランスデュ
ーサの最外側の電極から一つ内側の電極の中心から表面
波伝搬方向外側へλ／２±λ／１０の位置に前記端面が
構成されている。
に別の特定の局面では、表面波の波長をλとしたとき、
シングル電極の場合にはインターデジタルトランスデュ
ーサの最外側の電極から一つ内側の電極の中心から表面
波伝搬方向外側へλ／２±λ／１０の位置に前記端面が
構成されている。
【００２４】同電位の電極指がペアをなしているスプリ
ット電極の場合には、ペアをなす電極指間の中心からλ
／２の整数倍±λ／１０の位置に前記端面が構成され
る。本発明の他の特定の局面によれば、本発明に係る弾
性表面波装置を有する通信機が提供される。
ット電極の場合には、ペアをなす電極指間の中心からλ
／２の整数倍±λ／１０の位置に前記端面が構成され
る。本発明の他の特定の局面によれば、本発明に係る弾
性表面波装置を有する通信機が提供される。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
に係る端面反射型表面波装置の具体的な実施例を説明す
ることにより、本発明を説明する。
に係る端面反射型表面波装置の具体的な実施例を説明す
ることにより、本発明を説明する。
【００２６】（第１の実施例）図１（ａ）及び（ｂ）
は、本発明の第１の実施例に係る端面反射型表面波共振
子を示す斜視図及び図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。端面反射型表面波共振子１は、圧電性基板２を
有する。圧電性基板２は、矩形板状の形状を有し、本実
施例では、縦波を主成分とする波を端面で反射させる圧
電材料、例えば（０度、４０〜６０度、９０度）のオイ
ラー角を有するＬｉ2Ｂ4Ｏ7により構成されている。も
っとも、圧電性基板２を構成する圧電単結晶について
は、オイラー角が（９０度、９０度、２０〜５０度）の
Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7基板、オイラー角が（０度、１２０〜１４
０度、１５０度）もしくは（０度、１５５．２５度、４
２度）の水晶基板、または（９０度、９０度、１０〜９
０度）のＬｉＮｂＯ3もしくはＬｉＴａＯ3基板などを用
いることもできる。
は、本発明の第１の実施例に係る端面反射型表面波共振
子を示す斜視図及び図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図
である。端面反射型表面波共振子１は、圧電性基板２を
有する。圧電性基板２は、矩形板状の形状を有し、本実
施例では、縦波を主成分とする波を端面で反射させる圧
電材料、例えば（０度、４０〜６０度、９０度）のオイ
ラー角を有するＬｉ2Ｂ4Ｏ7により構成されている。も
っとも、圧電性基板２を構成する圧電単結晶について
は、オイラー角が（９０度、９０度、２０〜５０度）の
Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7基板、オイラー角が（０度、１２０〜１４
０度、１５０度）もしくは（０度、１５５．２５度、４
２度）の水晶基板、または（９０度、９０度、１０〜９
０度）のＬｉＮｂＯ3もしくはＬｉＴａＯ3基板などを用
いることもできる。
【００２７】これらの圧電単結晶からなる圧電性基板２
では、後述のように表面波を励振させた場合、縦波を主
成分とする表面波が十分な大きさで発生する。圧電性基
板２は、対向し合う一対の主面２ａ，２ｂと、対向し合
う一対の端面２ｃ，２ｄとを有する。主面２ａ上には、
ＩＤＴ３が形成されている。ＩＤＴ３は、一対の櫛形電
極３ａ，３ｂを有する。櫛形電極３ａ，３ｂは、それぞ
れ、電極指３ａ1〜３ａ3，３ｂ1〜３ｂ3を有する。電極
指３ａ1〜３ａ3と電極指３ｂ1〜３ｂ3とは互いに間挿し
合うように配置されている。
では、後述のように表面波を励振させた場合、縦波を主
成分とする表面波が十分な大きさで発生する。圧電性基
板２は、対向し合う一対の主面２ａ，２ｂと、対向し合
う一対の端面２ｃ，２ｄとを有する。主面２ａ上には、
ＩＤＴ３が形成されている。ＩＤＴ３は、一対の櫛形電
極３ａ，３ｂを有する。櫛形電極３ａ，３ｂは、それぞ
れ、電極指３ａ1〜３ａ3，３ｂ1〜３ｂ3を有する。電極
指３ａ1〜３ａ3と電極指３ｂ1〜３ｂ3とは互いに間挿し
合うように配置されている。
【００２８】電極指３ａ1〜３ａ3，３ｂ1〜３ｂ3は、端
面２ｃ，２ｄと平行な方向に延ばされている。ＩＤＴ３
に入力電圧が印加されると、表面波が励振され、該表面
波は、電極指３ａ1〜３ａ3，３ｂ1〜３ｂ3が延びる方向
と直交する方向であって、主面２ａと平行な方向に伝搬
する。従って、表面波は、端面２ｃと端面２ｄとを結ぶ
方向において伝搬し、端面２ｃ，２ｄで反射される。
面２ｃ，２ｄと平行な方向に延ばされている。ＩＤＴ３
に入力電圧が印加されると、表面波が励振され、該表面
波は、電極指３ａ1〜３ａ3，３ｂ1〜３ｂ3が延びる方向
と直交する方向であって、主面２ａと平行な方向に伝搬
する。従って、表面波は、端面２ｃと端面２ｄとを結ぶ
方向において伝搬し、端面２ｃ，２ｄで反射される。
【００２９】本実施例の端面反射型表面波共振子１で
は、圧電性基板２が上記材料で構成されているので、励
振される表面波全体のエネルギー強度を１００％とした
とき、縦波を主成分とする波がその７０％以上を占める
ように発生する。前述したように、レイリー波は、縦波
成分とＳＶ波成分の２つの成分を有し、この２つの成分
が常に結合して伝搬する。しかしながら、上記特定の圧
電性基板２を用いた場合、縦波成分が支配的となる。
は、圧電性基板２が上記材料で構成されているので、励
振される表面波全体のエネルギー強度を１００％とした
とき、縦波を主成分とする波がその７０％以上を占める
ように発生する。前述したように、レイリー波は、縦波
成分とＳＶ波成分の２つの成分を有し、この２つの成分
が常に結合して伝搬する。しかしながら、上記特定の圧
電性基板２を用いた場合、縦波成分が支配的となる。
【００３０】上記縦波は、ＢＧＳ波のようなＳＨタイプ
の表面波に比べて音速が速いという特徴を有する。例え
ば、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3基板のＳＨ波
の音速は４１６０ｍ／秒に対し、Ｘカット３１°伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3の音速は６３００ｍ／秒である。従って、端
面反射型表面波共振子１では、ＳＨタイプの表面波を利
用した端面反射型表面波共振子に比べて１．５倍の高周
波化を図ることができる。
の表面波に比べて音速が速いという特徴を有する。例え
ば、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3基板のＳＨ波
の音速は４１６０ｍ／秒に対し、Ｘカット３１°伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3の音速は６３００ｍ／秒である。従って、端
面反射型表面波共振子１では、ＳＨタイプの表面波を利
用した端面反射型表面波共振子に比べて１．５倍の高周
波化を図ることができる。
【００３１】なお、従来、レイリー波では縦波成分とＳ
Ｖ成分が結合しているため、レイリー波が基板端面で反
射されると、それぞれＳＶ波と縦波にモード変換され
る。しかしながら、本実施例の縦波成分を主成分とする
端面反射型表面波共振子１では、端面２ｃ，２ｄが、主
面２ａに対して略直交するように配置されているため、
上記変換、すなわちモード変換は非常に起こり難い。好
ましくは、主面２ａに対して、端面２ｃ，２ｄが９０±
５度以内の角度をなすように構成されており、それによ
って、縦波成分のうち９７％以上がモード変換を生じる
ことなく反射される。ここで、図２に端面反射型共振子
の周波数特性を示す。図２から明らかなように、モード
変換に伴う特性劣化が少ないため、共振・反共振におけ
るインピーダンスの比は４６ｄＢである。これを、図３
を参照して説明する。
Ｖ成分が結合しているため、レイリー波が基板端面で反
射されると、それぞれＳＶ波と縦波にモード変換され
る。しかしながら、本実施例の縦波成分を主成分とする
端面反射型表面波共振子１では、端面２ｃ，２ｄが、主
面２ａに対して略直交するように配置されているため、
上記変換、すなわちモード変換は非常に起こり難い。好
ましくは、主面２ａに対して、端面２ｃ，２ｄが９０±
５度以内の角度をなすように構成されており、それによ
って、縦波成分のうち９７％以上がモード変換を生じる
ことなく反射される。ここで、図２に端面反射型共振子
の周波数特性を示す。図２から明らかなように、モード
変換に伴う特性劣化が少ないため、共振・反共振におけ
るインピーダンスの比は４６ｄＢである。これを、図３
を参照して説明する。
【００３２】図３はＳＡＷの位相速度の伝搬方向と基板
表面における端面４ａ，４ｂ（図１）とのなす角度と、
端面反射型共振子のインピーダンス比との関係を示す図
である。図４は基板表面と端面断面２ｄ（図１参照）と
のなす角度と、上述の共振子のインピーダンス比との関
係を示す図である。図３，４から明らかなように、端面
４ａ，４ｂと表面波の伝搬方向とのなす角度が９０±５
度及び基板断面２ｃ，２ｄと表面波伝搬方向の角度が９
０±１０度の範囲とされた場合、縦波の殆どがモードを
生じることはなく、共振子のインピーダンスは実用レベ
ルの４０ｄＢ以上であることがわかる。なお、共振子の
インピーダンス比４０ｄＢ以上必要な理由は共振子を発
振回路に応用する場合、４０ｄＢ以上ないと発振しない
ためである。
表面における端面４ａ，４ｂ（図１）とのなす角度と、
端面反射型共振子のインピーダンス比との関係を示す図
である。図４は基板表面と端面断面２ｄ（図１参照）と
のなす角度と、上述の共振子のインピーダンス比との関
係を示す図である。図３，４から明らかなように、端面
４ａ，４ｂと表面波の伝搬方向とのなす角度が９０±５
度及び基板断面２ｃ，２ｄと表面波伝搬方向の角度が９
０±１０度の範囲とされた場合、縦波の殆どがモードを
生じることはなく、共振子のインピーダンスは実用レベ
ルの４０ｄＢ以上であることがわかる。なお、共振子の
インピーダンス比４０ｄＢ以上必要な理由は共振子を発
振回路に応用する場合、４０ｄＢ以上ないと発振しない
ためである。
【００３３】以上、図１〜図４においては弾性表面波の
位相速度伝搬方向と、群速度の伝搬方向とのなす角度
（パワーフローアングル：ＰＦＡ）がゼロの場合につい
て述べたがＰＦＡがゼロでない場合も同様である。図５
に示すｘ1方向が位相速度の伝搬方向、ｘ1´が群速度の
伝搬方向であり、この２つの方向の間の角度がＰＦＡで
ある。ＰＦＡ≠０でない場合には、図６に示すように基
板のＰＦＡに応じてバスバーと群速度が平行になるよう
に電極指をずらしてバスバーを形成すればよい。
位相速度伝搬方向と、群速度の伝搬方向とのなす角度
（パワーフローアングル：ＰＦＡ）がゼロの場合につい
て述べたがＰＦＡがゼロでない場合も同様である。図５
に示すｘ1方向が位相速度の伝搬方向、ｘ1´が群速度の
伝搬方向であり、この２つの方向の間の角度がＰＦＡで
ある。ＰＦＡ≠０でない場合には、図６に示すように基
板のＰＦＡに応じてバスバーと群速度が平行になるよう
に電極指をずらしてバスバーを形成すればよい。
【００３４】次に、縦波を主成分とするＸカットＬｉＴ
ａＯ3基板を用いて実験を行った。位相速度の伝搬方向
をＹ軸からＺ軸方向へ向けて３０°〜６０°の範囲とし
て実験を行った。オイラー角では（９０°，９０°，３
０°〜６０°）である。交叉幅は２０λ，対数は５０対
とした。
ａＯ3基板を用いて実験を行った。位相速度の伝搬方向
をＹ軸からＺ軸方向へ向けて３０°〜６０°の範囲とし
て実験を行った。オイラー角では（９０°，９０°，３
０°〜６０°）である。交叉幅は２０λ，対数は５０対
とした。
【００３５】図７は、ＰＦＡと共振子のインピーダンス
比の関係を示す。図中、●と○はそれぞれ基板表面が電
気的に短絡の場合と開放の場合のＰＦＡを示している。
これらのデバイスでは一般にＰＦＡ＝０がよいとされて
いるが、図７はＰＦＡ＝０がよいとは限らないことを示
している。
比の関係を示す。図中、●と○はそれぞれ基板表面が電
気的に短絡の場合と開放の場合のＰＦＡを示している。
これらのデバイスでは一般にＰＦＡ＝０がよいとされて
いるが、図７はＰＦＡ＝０がよいとは限らないことを示
している。
【００３６】図８は電気機械結合係数ｋの二乗とインピ
ーダンス比との関係を示す。ＳＨ波の端面反射ではｋ2
が大きい方がインピーダンス比がよくとれると報告され
ているが（特願平３−３０３４９５号公報）、縦波を主
成分とする表面波では、それがあてはまらないことが明
らかである。
ーダンス比との関係を示す。ＳＨ波の端面反射ではｋ2
が大きい方がインピーダンス比がよくとれると報告され
ているが（特願平３−３０３４９５号公報）、縦波を主
成分とする表面波では、それがあてはまらないことが明
らかである。
【００３７】図９は表面波の伝搬定数（伝搬ロス）とイ
ンピーダンス比との関係を示す。表面波デバイスでは、
伝搬定数が小さい方がよいことは常識とされていたが、
図９からも縦波を主成分とする表面波には、あてはまら
ないことが明らかである。
ンピーダンス比との関係を示す。表面波デバイスでは、
伝搬定数が小さい方がよいことは常識とされていたが、
図９からも縦波を主成分とする表面波には、あてはまら
ないことが明らかである。
【００３８】図１０に基板表面における３つの変位成分
の比を示す。ｕ1，ｕ2，ｕ3はそれぞれ縦波成分、ＳＨ
成分及びＳＶ成分の変位を示す。図中●と○は、それぞ
れ基板表面が電気的に短絡と開放の場合の変位ｕ2／ｕ1
の比を示している。図から明らかなように、インピーダ
ンスが４０ｄＢ以上得られる条件は、●で０．１以下，
○で０．０１５以下である。このように縦波を主成分と
する端面反射型表面波装置では、その特性がＰＦＡ、ｋ
2及び伝搬定数よりも、変位の比ｕ2／ｕ1に大きく依存
していることが明らかになった。
の比を示す。ｕ1，ｕ2，ｕ3はそれぞれ縦波成分、ＳＨ
成分及びＳＶ成分の変位を示す。図中●と○は、それぞ
れ基板表面が電気的に短絡と開放の場合の変位ｕ2／ｕ1
の比を示している。図から明らかなように、インピーダ
ンスが４０ｄＢ以上得られる条件は、●で０．１以下，
○で０．０１５以下である。このように縦波を主成分と
する端面反射型表面波装置では、その特性がＰＦＡ、ｋ
2及び伝搬定数よりも、変位の比ｕ2／ｕ1に大きく依存
していることが明らかになった。
【００３９】原理的にはＰＦＡの大きさは任意である。
実際の表面波装置の作成の場合にはＰＦＡが大きいと素
子が斜めになり、取扱いが不便になる。そのためＰＦＡ
は−１５°〜１５°程度が望ましい。
実際の表面波装置の作成の場合にはＰＦＡが大きいと素
子が斜めになり、取扱いが不便になる。そのためＰＦＡ
は−１５°〜１５°程度が望ましい。
【００４０】なお、上記変位の大きさは有限要素法（Ｆ
ＥＭ）やCoyrbeel＆Joneの方法＊J.J.Coyrbeel&W.R.Jon
e:IEEE trens.Sonic&Ultreson.，su-15，4，p209(Oct，
1968)により計算できる。
ＥＭ）やCoyrbeel＆Joneの方法＊J.J.Coyrbeel&W.R.Jon
e:IEEE trens.Sonic&Ultreson.，su-15，4，p209(Oct，
1968)により計算できる。
【００４１】なお、シングル電極で形成された端面反射
型表面波共振子１においては、表面波伝搬方向最外側の
電極指の幅が表面波の波長をλとしたときに、λ／８の
幅を有するように構成されており、残りの電極指３
ａ2，３ａ3，３ｂ1，３ｂ2の幅はλ／４とされており、
電極指間のギャップの幅もλ／４とされている。特に縦
波やＳＶ波において、端面の位置ずれは共振子のインピ
ーダンス比で評価したところ、±λ／１０までなら実用
レベルであることがわかった。すなわち、端面反射型表
面波共振子１を得るにあたっては、通常最外側の電極指
３ａ1，３ｂ3の幅がλ／８±λ／１０となるように端面
２ｃ，２ｄが形成される。もっとも、図１１（ａ）に示
すように、圧電性基板上に電極指がλ／４でないＩＤＴ
が形成された場合には、例えば、３λ／１０の電極指が
形成された場合にはギャップは２λ／１０となり、最外
側の電極指は３λ／２０となる。このような場合、例え
ば電極指３ａ3の中心から表面波伝搬方向外側に、λ／
２の整数倍±λ／１０離れた位置Ｘで圧電基板を切断す
ることにより端面２ｄを形成するこになる。端面２ｃに
ついても同様である。
型表面波共振子１においては、表面波伝搬方向最外側の
電極指の幅が表面波の波長をλとしたときに、λ／８の
幅を有するように構成されており、残りの電極指３
ａ2，３ａ3，３ｂ1，３ｂ2の幅はλ／４とされており、
電極指間のギャップの幅もλ／４とされている。特に縦
波やＳＶ波において、端面の位置ずれは共振子のインピ
ーダンス比で評価したところ、±λ／１０までなら実用
レベルであることがわかった。すなわち、端面反射型表
面波共振子１を得るにあたっては、通常最外側の電極指
３ａ1，３ｂ3の幅がλ／８±λ／１０となるように端面
２ｃ，２ｄが形成される。もっとも、図１１（ａ）に示
すように、圧電性基板上に電極指がλ／４でないＩＤＴ
が形成された場合には、例えば、３λ／１０の電極指が
形成された場合にはギャップは２λ／１０となり、最外
側の電極指は３λ／２０となる。このような場合、例え
ば電極指３ａ3の中心から表面波伝搬方向外側に、λ／
２の整数倍±λ／１０離れた位置Ｘで圧電基板を切断す
ることにより端面２ｄを形成するこになる。端面２ｃに
ついても同様である。
【００４２】スプリット電極指の場合には、図１１
（ｂ）に示すように、対をなす電極指３ａ11，３ａ12の
中心からλ／２の整数倍±λ／１０の位置で切断され
る。
（ｂ）に示すように、対をなす電極指３ａ11，３ａ12の
中心からλ／２の整数倍±λ／１０の位置で切断され
る。
【００４３】（第２の実施例）第２の実施例は、ＳＶ波
を主成分とする表面波を利用した端面反射型表面波共振
子であり、その構造については、第１の実施例の端面反
射型表面波共振子１と同様であるため、図１及び第１の
実施例の説明を援用することにより、構造の詳細な説明
は省略する。
を主成分とする表面波を利用した端面反射型表面波共振
子であり、その構造については、第１の実施例の端面反
射型表面波共振子１と同様であるため、図１及び第１の
実施例の説明を援用することにより、構造の詳細な説明
は省略する。
【００４４】第２の実施例では、圧電性基板２として、
ＩＤＴ３に入力電圧を印加した場合に、ＳＶ波を主成分
とする波が励振される基板材料、例えば（０度、５１
度、９０度）のＬｉ2Ｂ4Ｏ7基板により構成される。
ＩＤＴ３に入力電圧を印加した場合に、ＳＶ波を主成分
とする波が励振される基板材料、例えば（０度、５１
度、９０度）のＬｉ2Ｂ4Ｏ7基板により構成される。
【００４５】従って、第２の実施例の端面反射型表面波
共振子１では、入力電圧がＩＤＴ３に印加されると、Ｓ
Ｖ波を主成分とする表面波が対向端面２ｃ，２ｄ間に伝
搬し、端面２ｃ，２ｄで反射される。
共振子１では、入力電圧がＩＤＴ３に印加されると、Ｓ
Ｖ波を主成分とする表面波が対向端面２ｃ，２ｄ間に伝
搬し、端面２ｃ，２ｄで反射される。
【００４６】第２の実施例においても、端面２ｃ，２ｄ
が、主面２ａに対して略直交している場合、ＳＶ波がほ
ぼ１００％近く反射され、縦波にモード変換された波は
殆ど反射しない。ＳＶ波を主成分とする表面波の伝搬方
向と基板表面の端面とのなす角度と共振子のインピーダ
ンス比の関係や、ＳＡＷ位相速度の伝搬方向と端面断面
とのなす角度については、図３，４の場合と同じ結果が
得られ、入射角度が基板表面の端面に対して９０±５度
（基板表面と端面断面に対し９０±１０度）の範囲内に
おいて、ＳＶ波がモード変換を生じることなく殆ど反射
されることがわかる。従って、端面反射型表面波共振子
１において、ＳＡＷの伝搬方向と基板表面の端面との角
度を、９０±５度の範囲内（基板表面と端面断面との角
度を９０±１０度の範囲内）とすることにより、ＳＶ波
をモード変換を生じることなく効率良く反射させること
ができ、ＳＶ波を利用した端面反射型表面波共振子を構
成し得ることがわかる。
が、主面２ａに対して略直交している場合、ＳＶ波がほ
ぼ１００％近く反射され、縦波にモード変換された波は
殆ど反射しない。ＳＶ波を主成分とする表面波の伝搬方
向と基板表面の端面とのなす角度と共振子のインピーダ
ンス比の関係や、ＳＡＷ位相速度の伝搬方向と端面断面
とのなす角度については、図３，４の場合と同じ結果が
得られ、入射角度が基板表面の端面に対して９０±５度
（基板表面と端面断面に対し９０±１０度）の範囲内に
おいて、ＳＶ波がモード変換を生じることなく殆ど反射
されることがわかる。従って、端面反射型表面波共振子
１において、ＳＡＷの伝搬方向と基板表面の端面との角
度を、９０±５度の範囲内（基板表面と端面断面との角
度を９０±１０度の範囲内）とすることにより、ＳＶ波
をモード変換を生じることなく効率良く反射させること
ができ、ＳＶ波を利用した端面反射型表面波共振子を構
成し得ることがわかる。
【００４７】また、さらに良好なインピーダンス特性を
得るための基板表面の表面波成分の変位の比ｕ2／ｕ3に
ついても、縦波型表面波の場合と同じような関係が得ら
れている。すなわち基板表面が電気的に開放のときに
は、ｕ2／ｕ3≦０．０１５とすることが好ましい。短絡
の場合にはｕ2／ｕ3≦０．１０とすることが好ましい。
スプリット電極の場合の端面位置も縦波成分を主成分と
する表面波の場合の条件と同じである。
得るための基板表面の表面波成分の変位の比ｕ2／ｕ3に
ついても、縦波型表面波の場合と同じような関係が得ら
れている。すなわち基板表面が電気的に開放のときに
は、ｕ2／ｕ3≦０．０１５とすることが好ましい。短絡
の場合にはｕ2／ｕ3≦０．１０とすることが好ましい。
スプリット電極の場合の端面位置も縦波成分を主成分と
する表面波の場合の条件と同じである。
【００４８】ここで、圧電性基板の電気機械結合係数
ｋ、比誘電率ε33 S*とＩＤＴの交叉幅Ｗ及び対数Ｎとの
関係について求めた。図１に示す縦波の端面反射を利用
した共振子を作製し、図２に示す共振特性のインピーダ
ンス比で評価した。図１２はｋ 2ＮとＷとの関係を求め
たもので、実線から上の領域が共振特性のインピーダン
ス比４０ｄＢ以上得られる領域であり、破線から上の領
域が４５ｄＢ以上得られる領域である。すなわち、４０
ｄＢ以上得るための交叉幅は次の式を満足する交叉幅で
あればよい。
ｋ、比誘電率ε33 S*とＩＤＴの交叉幅Ｗ及び対数Ｎとの
関係について求めた。図１に示す縦波の端面反射を利用
した共振子を作製し、図２に示す共振特性のインピーダ
ンス比で評価した。図１２はｋ 2ＮとＷとの関係を求め
たもので、実線から上の領域が共振特性のインピーダン
ス比４０ｄＢ以上得られる領域であり、破線から上の領
域が４５ｄＢ以上得られる領域である。すなわち、４０
ｄＢ以上得るための交叉幅は次の式を満足する交叉幅で
あればよい。
【００４９】Ｗ≧２．１＋３０．５ｅ-(x-0.016)/0.055
＋７．１ｅ-(x-0.016)/0.012 但し、ｘ＝ｋ2Ｎ、Ｗはλで規格化した値である。ま
た、インピーダンス比４５ｄＢ以上を得るための交叉幅
は次の式を満足する交叉幅である。
＋７．１ｅ-(x-0.016)/0.012 但し、ｘ＝ｋ2Ｎ、Ｗはλで規格化した値である。ま
た、インピーダンス比４５ｄＢ以上を得るための交叉幅
は次の式を満足する交叉幅である。
【００５０】Ｗ≧２．８＋２４．２ｅ-(x-0.03)/0.052
＋１２．９ｅ-(x-0.03)/0.011 図１３は、ε33 S*×ＮとＷとの関係を求めた図であり、
実線から上の領域がインピーダンス比４０ｄＢ以上が得
られる領域であり、破線から上の領域がインピーダンス
比４５ｄＢ以上が得られる領域である。すなわち、４０
ｄＢ以上のインピーダンス比を得るための交叉幅は次の
式になる。
＋１２．９ｅ-(x-0.03)/0.011 図１３は、ε33 S*×ＮとＷとの関係を求めた図であり、
実線から上の領域がインピーダンス比４０ｄＢ以上が得
られる領域であり、破線から上の領域がインピーダンス
比４５ｄＢ以上が得られる領域である。すなわち、４０
ｄＢ以上のインピーダンス比を得るための交叉幅は次の
式になる。
【００５１】Ｗ≧−１．６８＋２５．９ｅ-(x-37)/44.8
＋１５．６ｅ-(x-37)/216.1 但し、ｘ＝Ｎε33 S* また、４５ｄＢ以上のインピーダンス比を得るための交
叉幅は次の式となる。
＋１５．６ｅ-(x-37)/216.1 但し、ｘ＝Ｎε33 S* また、４５ｄＢ以上のインピーダンス比を得るための交
叉幅は次の式となる。
【００５２】Ｗ≧−１．２３＋１５．７ｅ-(x-47)/15.7
＋２５．４ｅ-(x-47)128.8 ＳＶ波を用いた共振子も、図１２，図１３と同じ特性を
示した。これらの波はレイリー波やＳＨ波とは振動が異
なるため、上に示したＳＶ波や縦波の最適交叉幅はレイ
リー波やＳＨ波のそれとは異なるものである。
＋２５．４ｅ-(x-47)128.8 ＳＶ波を用いた共振子も、図１２，図１３と同じ特性を
示した。これらの波はレイリー波やＳＨ波とは振動が異
なるため、上に示したＳＶ波や縦波の最適交叉幅はレイ
リー波やＳＨ波のそれとは異なるものである。
【００５３】なお、ここでは共振子について示したが、
最適交叉幅は後述の共振子型フィルタについても同じ結
果を示した。横モード型についてはそれぞれのＩＤＴの
交叉幅と対数に相当し、縦モード型については両端面間
の総ＩＤＴ対数（１列分）に相当するものである。
最適交叉幅は後述の共振子型フィルタについても同じ結
果を示した。横モード型についてはそれぞれのＩＤＴの
交叉幅と対数に相当し、縦モード型については両端面間
の総ＩＤＴ対数（１列分）に相当するものである。
【００５４】（変形例）第１，第２の実施例では、端面
２ｃ，２ｄが反射端面とされた端面反射型表面波共振子
１を例にとり説明したが、本発明に係る端面反射型表面
波装置では、対向２端面の上方部分のみが反射端面とさ
れていてもよい。
２ｃ，２ｄが反射端面とされた端面反射型表面波共振子
１を例にとり説明したが、本発明に係る端面反射型表面
波装置では、対向２端面の上方部分のみが反射端面とさ
れていてもよい。
【００５５】すなわち、図１４に部分切欠断面図で示す
ように、マザーの圧電性基板２Ａに、複数の端面反射型
表面波共振子を構成するための複数のＩＤＴ３を形成し
た後に、溝２ｅ，２ｆを形成する。溝２ｅ，２ｆは、例
えばダイサーなどで形成することができ、それぞれ、互
いに平行な側面２ｅ1，２ｅ2，２ｆ1，２ｆ2を有する。
また、上記溝２ｅ，２ｆのＩＤＴ３側の側面２ｅ2，２
ｆ1の形成位置は、前述した第１，第２の実施例の端面
２ｃ，２ｄと同じ位置となる。すなわち、側面２ｅ2，
２ｆ1が反射端面を構成している。
ように、マザーの圧電性基板２Ａに、複数の端面反射型
表面波共振子を構成するための複数のＩＤＴ３を形成し
た後に、溝２ｅ，２ｆを形成する。溝２ｅ，２ｆは、例
えばダイサーなどで形成することができ、それぞれ、互
いに平行な側面２ｅ1，２ｅ2，２ｆ1，２ｆ2を有する。
また、上記溝２ｅ，２ｆのＩＤＴ３側の側面２ｅ2，２
ｆ1の形成位置は、前述した第１，第２の実施例の端面
２ｃ，２ｄと同じ位置となる。すなわち、側面２ｅ2，
２ｆ1が反射端面を構成している。
【００５６】上記溝２ｅ，２ｆを形成した後に、圧電性
基板２Ａを、溝２ｅ，２ｆの底部において破断線Ｙ，Ｙ
で示すように分割する。このようにして、本変形例の端
面反射型表面波共振子が得られる。ここでは、対向２端
面に、溝２ｅ，２ｆの底部に由来する段差２ｇ，２ｈが
形成されている。すなわち、対向２端面の中間高さ位置
に段差２ｇ，２ｈが形成されており、該段差２ｇ，２ｈ
よりも主面２ａ側の端面部分である側面２ｅ2，２ｆ1が
反射端面を構成している。
基板２Ａを、溝２ｅ，２ｆの底部において破断線Ｙ，Ｙ
で示すように分割する。このようにして、本変形例の端
面反射型表面波共振子が得られる。ここでは、対向２端
面に、溝２ｅ，２ｆの底部に由来する段差２ｇ，２ｈが
形成されている。すなわち、対向２端面の中間高さ位置
に段差２ｇ，２ｈが形成されており、該段差２ｇ，２ｈ
よりも主面２ａ側の端面部分である側面２ｅ2，２ｆ1が
反射端面を構成している。
【００５７】本変形例の端面反射型表面波共振子では、
上記側面２ｅ2，２ｆ1の高さ方向寸法を、利用しようと
する縦波またはＳＶ波の波長をλしたとき、５λ〜２０
λの範囲とすることが好ましい。すなわち、縦波及びＳ
Ｖ波のエネルギーは、ＩＤＴ３が形成されている主面２
ａ側から深さ５λ〜２０λの範囲に集中するため、本変
形例のように、反射端面を構成する側面２ｅ2，２ｆ1の
高さ方向寸法を上記特定の範囲とすることにより、縦波
またはＳＶ波を効率良く反射させることができる。
上記側面２ｅ2，２ｆ1の高さ方向寸法を、利用しようと
する縦波またはＳＶ波の波長をλしたとき、５λ〜２０
λの範囲とすることが好ましい。すなわち、縦波及びＳ
Ｖ波のエネルギーは、ＩＤＴ３が形成されている主面２
ａ側から深さ５λ〜２０λの範囲に集中するため、本変
形例のように、反射端面を構成する側面２ｅ2，２ｆ1の
高さ方向寸法を上記特定の範囲とすることにより、縦波
またはＳＶ波を効率良く反射させることができる。
【００５８】なお、変形例においても、反射端面を構成
する側面２ｅ2，２ｆ1は、主面に対して、９０±１０度
の角度をなすように構成することが望ましい。端面反射
型表面波共振子１を例にとり説明したが、本発明は、端
面反射型表面波共振子だけでなく、圧電基板上に複数の
ＩＤＴを形成してなる端面反射型フィルタや複数の共振
子を結合してなるラダー型フィルタなど様々な表面波装
置に適用することができる。
する側面２ｅ2，２ｆ1は、主面に対して、９０±１０度
の角度をなすように構成することが望ましい。端面反射
型表面波共振子１を例にとり説明したが、本発明は、端
面反射型表面波共振子だけでなく、圧電基板上に複数の
ＩＤＴを形成してなる端面反射型フィルタや複数の共振
子を結合してなるラダー型フィルタなど様々な表面波装
置に適用することができる。
【００５９】例えば、図１５に示す横結合型の端面反射
型表面波フィルタ２１では、圧電性基板２上に、ＩＤＴ
２２，２３が表面波伝搬方向と直交する方向に並べられ
ている。
型表面波フィルタ２１では、圧電性基板２上に、ＩＤＴ
２２，２３が表面波伝搬方向と直交する方向に並べられ
ている。
【００６０】また、図１６に示す縦結合型端面反射型表
面波フィルタ３１では、圧電性基板２上に２個のＩＤＴ
３２，３３が形成されている。ＩＤＴ３２，３３は、表
面波伝搬方向に沿って並設されている。
面波フィルタ３１では、圧電性基板２上に２個のＩＤＴ
３２，３３が形成されている。ＩＤＴ３２，３３は、表
面波伝搬方向に沿って並設されている。
【００６１】図では２つＩＤＴについて示したが、２以
上のＩＤＴが伝搬方向に沿って並設されていてもよく、
同じ結果を得ることができる。さらに、図１７に示すよ
うに、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３と、複数の並列腕
共振子Ｐ１，Ｐ２とを有するラダー型回路を構成するよ
うに、圧電基板上に複数のＩＤＴを形成し、各共振子を
端面反射型表面波共振子とした構造であってもよい。
上のＩＤＴが伝搬方向に沿って並設されていてもよく、
同じ結果を得ることができる。さらに、図１７に示すよ
うに、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３と、複数の並列腕
共振子Ｐ１，Ｐ２とを有するラダー型回路を構成するよ
うに、圧電基板上に複数のＩＤＴを形成し、各共振子を
端面反射型表面波共振子とした構造であってもよい。
【００６２】これらの端面反射型表面波フィルタにおい
ても、圧電性基板として、上述した特定の圧電性基板を
用い、圧電性基板の主面と端面とのなす角度を９０±５
度の範囲とすることにより、縦波を主成分とする端面反
射型の表面波フィルタや、ＳＶ波を主成分とする端面反
射型表面波フィルタを構成することができる。
ても、圧電性基板として、上述した特定の圧電性基板を
用い、圧電性基板の主面と端面とのなす角度を９０±５
度の範囲とすることにより、縦波を主成分とする端面反
射型の表面波フィルタや、ＳＶ波を主成分とする端面反
射型表面波フィルタを構成することができる。
【００６３】図１８は、本発明に係る弾性表面波装置を
用いた通信機１６０を説明するための各概略ブロック図
である。図１８において、アンテナ１６１に、デュプレ
クサ１６２が接続されている。デュプレクサ１６２と受
信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性表面
波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。
さらにミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６９が
接続されている。また、デュプレクサ１６２と送信側の
ミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器１６
７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されている。
用いた通信機１６０を説明するための各概略ブロック図
である。図１８において、アンテナ１６１に、デュプレ
クサ１６２が接続されている。デュプレクサ１６２と受
信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性表面
波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。
さらにミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６９が
接続されている。また、デュプレクサ１６２と送信側の
ミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器１６
７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されている。
【００６４】上記通信機１６０におけるＩＦ段の表面波
フィルタ１６９として本発明に従って構成された端面反
射型表面波フィルタを好適に用いることができる。
フィルタ１６９として本発明に従って構成された端面反
射型表面波フィルタを好適に用いることができる。
【００６５】
【発明の効果】第１の発明に係る端面反射型表面波装置
では、ＳＨタイプの表面波に比べて音速の速い縦波を主
成分とする表面波が用いられているので、高周波化に容
易に対応することができる。また、端面反射型表面波装
置であるため、反射器を必要としないので、小型化を図
ることができる。
では、ＳＨタイプの表面波に比べて音速の速い縦波を主
成分とする表面波が用いられているので、高周波化に容
易に対応することができる。また、端面反射型表面波装
置であるため、反射器を必要としないので、小型化を図
ることができる。
【００６６】同様に、第２の発明に係る端面反射型表面
波装置においても、励振される表面波のうちＳＶ波を主
成分とする表面波が用いられ、ＳＶ波がＳＨ波に比べて
速いため、高周波化に容易に対応することができる。ま
た、端面反射型であるため、反射器を必要としないの
で、小型化を図ることができる。
波装置においても、励振される表面波のうちＳＶ波を主
成分とする表面波が用いられ、ＳＶ波がＳＨ波に比べて
速いため、高周波化に容易に対応することができる。ま
た、端面反射型であるため、反射器を必要としないの
で、小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例に
端面反射型表面波共振子を示す斜視図及び（ａ）のＢ−
Ｂ線に沿う断面図。
端面反射型表面波共振子を示す斜視図及び（ａ）のＢ−
Ｂ線に沿う断面図。
【図２】本発明の第１の実施例の端面反射型共振子の周
波数特性を示す図。
波数特性を示す図。
【図３】表面波の伝搬方向と基板端面とのなす角度が共
振子のインピーダンス特性に及ぼす影響を示す図。
振子のインピーダンス特性に及ぼす影響を示す図。
【図４】基板表面と端面断面との角度が共振子のインピ
ーダンス特性に及ぼす影響を示す図。
ーダンス特性に及ぼす影響を示す図。
【図５】パワーフローアングル（ＰＦＡ）を説明するた
めの模式図。
めの模式図。
【図６】ＰＦＡがゼロでない場合の電極構成を示す略図
的平面図。
的平面図。
【図７】試作した縦波を主成分とする表面波を用いた端
面反射型共振子のインピーダンス比とＰＦＡの関係を示
す図。
面反射型共振子のインピーダンス比とＰＦＡの関係を示
す図。
【図８】試作した縦波を主成分とする表面波を用いた端
面反射型共振子のインピーダンス比と電気機械結合係数
の二乗との関係を示す図。
面反射型共振子のインピーダンス比と電気機械結合係数
の二乗との関係を示す図。
【図９】試作した縦波を主成分とする表面波を用いた端
面反射型共振子のインピーダンス比と基板表面電気的短
絡の場合の伝搬定数との関係を示す図。
面反射型共振子のインピーダンス比と基板表面電気的短
絡の場合の伝搬定数との関係を示す図。
【図１０】試作した縦波を主成分とする表面波を用いた
端面反射型共振子のインピーダンス比と基板表面におけ
る表面波成分の変位の比ｕ2／ｕ1との関係を示す図。
端面反射型共振子のインピーダンス比と基板表面におけ
る表面波成分の変位の比ｕ2／ｕ1との関係を示す図。
【図１１】（ａ）は、電極指の幅がλ／４でない場合の
第１の実施例におけるシングル電極を用いた表面波装置
の端面形成位置を説明するための模式的平面図であり、
（ｂ）は、第１の実施例におけるスプリット電極を用い
た表面波装置の端面形成位置を説明するための模式的平
面図。
第１の実施例におけるシングル電極を用いた表面波装置
の端面形成位置を説明するための模式的平面図であり、
（ｂ）は、第１の実施例におけるスプリット電極を用い
た表面波装置の端面形成位置を説明するための模式的平
面図。
【図１２】インピーダンス比４０ｄＢまたは４５ｄＢ以
上を得るために必要な交叉幅とｋ 2Ｎとの関係を示す
図。
上を得るために必要な交叉幅とｋ 2Ｎとの関係を示す
図。
【図１３】インピーダンス比４０ｄＢまたは４５ｄＢ以
上を得るために必要な交叉幅とＮε33 S*との関係を示す
図。
上を得るために必要な交叉幅とＮε33 S*との関係を示す
図。
【図１４】第１の実施例の端面反射型表面波共振子をマ
ザー基板から製造した場合の溝の形成位置及び個々の端
面反射型表面波共振子を得るための切断位置を説明する
ための断面図。
ザー基板から製造した場合の溝の形成位置及び個々の端
面反射型表面波共振子を得るための切断位置を説明する
ための断面図。
【図１５】本発明が適用される端面反射型表面波装置の
他の例としての横結合型端面反射型表面波フィルタを示
す斜視図。
他の例としての横結合型端面反射型表面波フィルタを示
す斜視図。
【図１６】本発明が適用される端面反射型表面波装置の
他の例としての縦結合型端面反射型表面波フィルタを示
す斜視図。
他の例としての縦結合型端面反射型表面波フィルタを示
す斜視図。
【図１７】ラダー型フィルタの回路構成を示す図。
【図１８】本発明に係る弾性表面波装置が用いられてい
る通信機を説明するための概略ブロック図。
る通信機を説明するための概略ブロック図。
１…端面反射型表面波共振子 ２…圧電性基板 ２ａ，２ｂ…主面 ２ｃ，２ｄ…端面 ３…ＩＤＴ ２１…横結合型端面反射型表面波フィルタ ２２，２３…ＩＤＴ ３１…縦結合型端面反射型表面波フィルタ ３２，３３…ＩＤＴ １６０…通信機 １６１…アンテナ １６２…デュプレクサ １６３，１６６…ミキサ １６４…弾性表面波フィルタ １６５…増幅器 １６７…弾性表面波フィルタ １６８…増幅器
Claims (19)
- 【請求項１】 対向し合う一対の主面及び該一対の主面
を結ぶ一対の対向端面を有する圧電性基板と、前記圧電
性基板の一方主面に形成された少なくとも１つのインタ
ーデジタルトランスデューサとを備える端面反射型表面
波装置であって、励振される表面波のうち縦波を主成分
とする表面波を用いたことを特徴とする端面反射型表面
波装置。 - 【請求項２】 励振される表面波全体のエネルギー強度
を１００％としたとき、縦波成分以外のＳＨ波成分及び
ＳＶ波成分が、それぞれ、２０％以下である請求項１に
記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項３】 励振される表面波全体のエネルギー強度
を１００％としたとき、前記縦波成分が７０％以上を占
める請求項１または２に記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項４】 励振される表面波の縦波成分、ＳＨ成分
及びＳＶ成分の変位をそれぞれｕ1，ｕ2，ｕ3としたと
き、基板表面が電気的に開放のときの基板表面の変位の
比ｕ2／ｕ1が０．０１５以下であることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項５】 励振される表面波の縦波成分、ＳＨ成分
及びＳＶ成分の変位をそれぞれｕ1，ｕ2，ｕ3としたと
き、基板表面が電気的に短絡のとき、基板表面の変位の
比ｕ2／ｕ1が０．１以下であることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項６】 前記一対の対向端面の中間高さ位置に段
差が形成されており、該段差よりも前記インターデジタ
ルトランスデューサが形成されている側の主面に近い端
面部分により反射端面が構成されており、該反射端面の
高さ方向寸法が、表面波の波長をλとしたときに、５λ
〜２０λの範囲とされている請求項１〜５のいずれかに
記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項７】 前記圧電性基板が、オイラー角（０度、
４０〜６０度、９０度）もしくは（９０度、９０度、２
０〜５０度）のＬｉ2Ｂ4Ｏ7基板、オイラー角が（０
度、１２０〜１４０度、１５０度）もしくは（０度、１
５５．２５度、４２度）の水晶基板または（９０度、９
０度、１０〜９０度）のＬｉＮｂＯ3もしくはＬｉＴａ
Ｏ3基板である請求項１〜６のいずれかに記載の端面反
射型表面波装置。 - 【請求項８】 対向し合う一対の主面及び該一対の主面
を結ぶ一対の対向端面を有する圧電性基板と、前記圧電
性基板の一方主面に形成された少なくとも１つのインタ
ーデジタルトランスデューサとを備える端面反射型表面
波装置であって、励振される表面波のうちＳＶ波を主成
分とする表面波を用いたことを特徴とする端面反射型表
面波装置。 - 【請求項９】 励振される表面波全体のエネルギー強度
を１００％としたとき、ＳＶ波成分以外のＳＨ波成分及
び縦波成分が、それぞれ、２０％以下である請求項８に
記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項１０】 励振される表面波全体のエネルギー強
度を１００％としたとき、前記ＳＶ波成分が７０％以上
を占める請求項８または９に記載の端面反射型表面波装
置。 - 【請求項１１】 励振される表面波の縦波成分、ＳＨ成
分及びＳＶ成分の変位をそれぞれｕ1，ｕ2，ｕ3とした
とき、基板表面が電気的に開放のとき、基板表面の変位
の比がｕ2／ｕ3が０．０１５以下であることを特徴とす
る請求項８〜１０のいずれかに記載の端面反射型表面波
装置。 - 【請求項１２】 励振される表面波の縦波成分、ＳＨ成
分及びＳＶ成分の変位をそれぞれｕ1，ｕ2，ｕ3とした
とき、基板表面が電気的に短絡のとき、基板表面の変位
の比がｕ2／ｕ3が０．１以下であることを特徴とする請
求項８〜１１のいずれかに記載の端面反射型表面波装
置。 - 【請求項１３】 前記一対の対向端面の中間高さ位置に
段差が形成されており、該段差よりも前記インターデジ
タルトランスデューサが形成されている側の主面に近い
端面部分より反射端面が構成されており、該反射端面の
高さ方向寸法が、表面波の波長をλとしたときに、５λ
〜２０λの範囲とされている請求項８〜１２のいずれか
に記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項１４】 前記圧電性基板が、オイラー角（０
度、４５〜８０度、９０度）のＬｉ2Ｂ4Ｏ7基板である
請求項８〜１３のいずれかに記載の端面反射型表面波装
置。 - 【請求項１５】 電気機械結合係数ｋとインターデジタ
ルトランスデューサの対数Ｎ（縦結合型共振子フィルタ
は総対数）との積に対し、インターデジタルトランスデ
ューサの交叉幅Ｗが次の関係を満たす請求項１〜１４の
いずれかに記載の端面反射型表面波装置。 Ｗ≧２．１＋３０．５ｅ-(x-0.016)/0.055＋７．１ｅ
-(x-0.016)/0.012 但し、ｘ＝ｋ2Ｎ - 【請求項１６】 圧電性基板の比誘電率ε33 S*とインタ
ーデジタルトランスデューサの対数Ｎ（縦結合型共振子
フィルタは総対数）との積に対し、インターデジタルト
ランスデューサの交叉幅Ｗが次の関係を満たす請求項１
〜１５のいずれかに記載の端面反射型表面波装置。 Ｗ≧−１．６８＋２５．９ｅ-(x-37)/44.8＋１５．６ｅ
-(x-37)/216.1 但し、ｘ＝Ｎε33 S* - 【請求項１７】 表面波の位相速度の伝搬方向と前記端
面との角度が９０±５度であり、端面の上部断面と基板
表面との角度は９０±１０度である請求項１〜１６のい
ずれかに記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項１８】 表面波の波長をλとしたとき、インタ
ーデジタルトランスデューサの最外側の電極から一つ内
側の電極の中心から表面波伝搬方向外側へλ／２±λ／
１０の位置に前記端面が構成されている請求項１〜１７
のいずれかに記載の端面反射型表面波装置。 - 【請求項１９】 請求項１〜１８のいずれかに記載の端
面反射型表面波装置を有する通信機。
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|---|---|---|---|
| JP2001323307A JP3918497B2 (ja) | 2000-11-02 | 2001-10-22 | 端面反射型表面波装置 |
| US10/003,555 US6600391B2 (en) | 2000-11-02 | 2001-11-02 | End surface reflection type surface acoustic wave apparatus utilizing waves with a longitudinal wave or shear vertical wave main component |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-335557 | 2000-11-02 | ||
| JP2000335557 | 2000-11-02 | ||
| JP2001323307A JP3918497B2 (ja) | 2000-11-02 | 2001-10-22 | 端面反射型表面波装置 |
Publications (2)
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|---|---|
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ID=26603330
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001323307A Expired - Fee Related JP3918497B2 (ja) | 2000-11-02 | 2001-10-22 | 端面反射型表面波装置 |
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| JP (1) | JP3918497B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070946A1 (ja) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3402311B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2003-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP4063000B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2008-03-19 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波フィルタ |
| JP4182157B2 (ja) | 2002-08-12 | 2008-11-19 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| WO2005029701A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Toppan Printing Co., Ltd. | 弾性表面波素子及び弾性表面波素子を用いた環境差異検出装置 |
| FR2864618B1 (fr) * | 2003-12-24 | 2006-03-03 | Temex Sa | Capteur de temperature ou de temperature et de pression interrogeable a distance |
| CA2721799C (en) * | 2008-04-23 | 2018-02-06 | Paul Charette | Integrated shear-vertical surface acoustic wave and surface plasmon resonance sensing device and method |
| CN110383682B (zh) * | 2017-03-06 | 2023-01-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、高频前端电路、通信装置及弹性波装置的制造方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0821830B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| TW241397B (ja) * | 1993-01-14 | 1995-02-21 | Murata Manufacturing Co | |
| US5790197A (en) * | 1994-01-12 | 1998-08-04 | Thomson Consumer Electronics,. Inc. | Multimode interpolation filter as for a TV receiver |
| JP2933487B2 (ja) * | 1994-07-15 | 1999-08-16 | 松下電器産業株式会社 | クロマフォーマット変換の方法 |
| JPH0969751A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| US5844617A (en) * | 1995-10-05 | 1998-12-01 | Yves C. Faroudja | Method and apparatus for enhancing the vertical resolution of a television signal having degraded vertical chrominance transitions |
| JPH09294045A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 端面反射型表面波共振子 |
| JP3339350B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2002-10-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP3901287B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2007-04-04 | 松下電器産業株式会社 | 映像信号変換装置、映像信号変換方法及び映像提供システム |
| US5926220A (en) * | 1997-06-18 | 1999-07-20 | C-Cube Microsystems, Inc. | Composite digital video decoder and digital compressor |
| KR100244227B1 (ko) * | 1997-12-01 | 2000-02-01 | 구자홍 | 에이치디티브이의 디스플레이용 영상 처리장치 |
| US6501507B1 (en) * | 1998-05-13 | 2002-12-31 | Barth Alan Canfield | Multimode interpolation filter as for a TV receiver |
| JP3206548B2 (ja) * | 1998-05-14 | 2001-09-10 | 株式会社村田製作所 | 表面波フィルタ、共用器、通信機装置 |
| US6542162B1 (en) * | 1998-06-15 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Color mapped and direct color OSD region processor with support for 4:2:2 profile decode function |
| US6483951B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-11-19 | Lsi Logic Corporation | Digital video filter sequence for bandwidth constrained systems |
| KR100275700B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2000-12-15 | 윤종용 | 영상신호 규격 변환장치 |
| JP3269466B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2002-03-25 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置 |
| US6175389B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-01-16 | Conexant Systems, Inc. | Comb filtered signal separation |
| US6493005B1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-12-10 | Sony Corporation | On screen display |
| US6411333B1 (en) * | 1999-04-02 | 2002-06-25 | Teralogic, Inc. | Format conversion using patch-based filtering |
| US6542196B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-04-01 | Lsi Logic Corporation | Adaptive field pairing system for de-interlacing |
| US6674479B2 (en) * | 2000-01-07 | 2004-01-06 | Intel Corporation | Method and apparatus for implementing 4:2:0 to 4:2:2 and 4:2:2 to 4:2:0 color space conversion |
| KR100351816B1 (ko) * | 2000-03-24 | 2002-09-11 | 엘지전자 주식회사 | 포맷 변환 장치 |
| US6717987B1 (en) * | 2000-05-04 | 2004-04-06 | Ati International Srl | Video compression method and apparatus employing error generation and error compression |
| US6831701B2 (en) * | 2000-11-30 | 2004-12-14 | Thomson Licensing S.A. | Optimizing display of progressive frame signals up converted to interlaced signals |
-
2001
- 2001-10-22 JP JP2001323307A patent/JP3918497B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-02 US US10/003,555 patent/US6600391B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070946A1 (ja) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| US7471027B2 (en) | 2003-02-10 | 2008-12-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
Also Published As
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