JP2002204022A - デジタル・コントローラが組み込まれたオープン・ループ・レーザー・ドライバ - Google Patents

デジタル・コントローラが組み込まれたオープン・ループ・レーザー・ドライバ

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JP2002204022A JP2001378532A JP2001378532A JP2002204022A JP 2002204022 A JP2002204022 A JP 2002204022A JP 2001378532 A JP2001378532 A JP 2001378532A JP 2001378532 A JP2001378532 A JP 2001378532A JP 2002204022 A JP2002204022 A JP 2002204022A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 垂直共振器半導体レーザー(VCSEL)や
VCSELのアレイを駆動する駆動波形を生成するレー
ザー・ドライバでレーザーの経時変化及び温度変化に基
づいて駆動波形を調整するメカニズムを得る。 【解決手段】 単一の垂直共振器半導体レーザー(VC
SEL)やVCSELのアレイを駆動する駆動波形を生
成するレーザー・ドライバ。デジタル制御装置(20
0)がレーザー・ドライバに組み込まれ、初めにプログ
ラムし、このドライバの動作中には、次のVCSEL駆
動波形パラメータのいずれか1つ以上が選択的に利用さ
れる:(1)バイアス電流(2)変調電流(3)負のピ
ーキング深さ(4)負のピーキング期間。このレーザー
・ドライバは、レーザーの経時変化をモニターして、V
CSEL駆動波形の直流と交流のパラメータを選択的に
調整し、レーザーの経時変化を補償する経時変化補償機
構(240)を備える。レーザー・ドライバは、駆動I
Cの温度をモニターし、VCSEL駆動波形の直流と交
流のパラメータを選択的に調整し、温度の変化を補償す
る温度補償機構(250)をさらに備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、一般に、半導体レ
ーザーに関するものであり、とりわけレーザーに対して
駆動波形を供給するためのデジタル・コントローラが組
み込まれたオープン・ループ・レーザー・ドライバに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】光送信モジュールはネットワーキング・
システムにおいて重要なコンポーネントである。光送信
モジュールは電気の形態のデータ信号を対応する光の形
態のデータ信号に変換するために用いられる。それによ
り、データは光ファイバ・ケーブルのような光伝導媒体
を介して別のモジュール(例えば、光受信モジュール)
に光として伝達することが可能である。
【0003】光送信モジュールは、典型的にはレーザー
を用い、電気データ信号を光データ信号に変換する。一
般に用いられる半導体レーザーの1つは、垂直共振器面
発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Las
er;VCSEL)である。しかし、VCSELは、特定
の所定の電気特性を満たす入力信号(例えば、駆動波
形)だけで有効に作用するように構成されている。駆動
波形は、直流動作パラメータと交流動作パラメータの両
方を備えることができる。例えば、直流動作パラメータ
は、平均または低状態出力パワーを得るためのバイアス
電流を含むことができる。交流動作パラメータには、パ
ルス化波形に関連した変調電流、ピーキング電流及び時
定数パラメータを含むことが可能である。データ信号
は、一般に、これら所定の電気特性(例えば、特定の直
流及び交流動作パラメータ)を備えてはいない。従っ
て、データ信号を受け取り、それに応答して、VCSE
Lの駆動に適した電気特性を伴うような対応したVCS
EL駆動信号(例えば、駆動波形)を生成する回路が必
要になる。この回路は、一般に、VCSELドライバと
呼ばれる。
【0004】さらに、VCSELドライバは、送信器を
利用した光ファイバ・リンクのビット誤り率(bit erro
r rate;BER)を最適化するため、特定の直流及び交
流パラメータを備えた駆動波形をプログラムしたり、設
定したりする。ビット誤り率は、ただ単に、送信モジュ
ールによって生じたビット・エラー数の指標でしかな
い。ビット・エラーは、ただ単に、データ「1」がデー
タ「0」として伝送されたり、データ「0」がデータ
「1」として伝送されたりするようなデータ・エラーに
すぎない。
【0005】先行技術によるレーザー・ドライバの設計
には、2つの主たる手法がある。第1の手法では、クロ
ーズド・ループ(すなわち、光フィードバックを利用し
て、光出力パワーを調整する)を用いて、駆動波形をプ
ログラムする。第2の手法では、オープン・ループ(す
なわち、光フィードバックを利用せずに、光出力パワー
を調整する)を用いて、駆動波形をプログラムする。こ
れらの先行技術の手法を、それに伴う欠点とともに、以
下に説明する。
【0006】[クローズド・ループ手法]米国特許第
5,638,390号には、レーザー出力安定化回路に
て実施される典型的なクローズド・ループ手法が記載さ
れている。このレーザー出力パワー安定化回路は、フォ
トダイオードを利用して、レーザーの光学出力パワーを
モニターする。フォトダイオード出力とデジタル・ポテ
ンシオメータからの基準電圧を比較することによって、
レーザーに関して正しい直流バイアス電流が得られる。
送信器の製造時に、デジタル・ポテンシオメータは、レ
ーザーの直流バイアス電流を最適化するようにセットさ
れる。送信器の動作中、レーザーのバイアス電流は、フ
ォトダイオードの出力に変化が生じると、調整される。
【0007】あいにく、これらのクローズド・ループ手
法には、いくつかの欠点がある。第1に、フォトダイオ
ードを利用すると、光送信器のコストが増大する。第2
に、フォトダイオードの求める要件のために、VCSE
Lと最適なアライメントがとれるようにフォトダイオー
ドを取り付けるという、パッケージングの問題が生じ
る。第3に、クローズド・ループ手法では、個々のVC
SEL毎に、複雑なフィードバック回路を複製する必要
があるので、コストがさらに上昇し、製造の複雑性も増
大する。
【0008】[オープン・ループ手法]Applied Micro
Circuits Corporation(AMCC)によるAMCC S
7011送信器集積回路(IC)に関するデータ・シー
トには、典型的なオープン・ループ手法の記載がある。
このS7011というICは、外部供給源(例えば、マ
イクロプロセッサ)からの入力、または、外部抵抗器及
び電圧基準からの入力が供給されると、レーザー駆動波
形パラメータImod及びIbiasを調整することが可能で
あるようである。あいにく、AMCC手法を含む、先行
技術によるオープン・ループ手法では、レーザーの経時
変化及び温度変化に基づいて駆動波形を調整するメカニ
ズムが得られないか、または、極めて制限されたメカニ
ズムしか得られない。さらに、これら先行技術によるオ
ープン・ループ手法では、VCSEL駆動波形(例え
ば、負のピーキング)の過渡現象(遷移期間)のプログ
ラムを可能にすることもできない。
【0009】[VCSELアレイ]最近、単一VCSE
Lから、例えば、複数のVCSELを列状に構成するこ
とができる、VCSELアレイへ移行が関心を集めてい
る。単一VCSELによって、単一チャネルを備えた光
ファイバ・ケーブルで伝送可能なデータより、VCSE
Lアレイを用いて、マルチ・チャネル光ファイバ・ケー
ブルで伝送可能なデータのほうが多くなるのは明らかで
ある。あいにく、VCSELアレイを実施する技術上の
課題の1つに、光ファイバ・リンクのBERを最適化す
るためには、VCSELアレイ全域にわたって光波形の
均一性を維持する必要があるという点がある。
【0010】従って、駆動波形の直流及び交流パラメー
タに関する正しいセッティングは、VCSELのアレイ
を利用した光ファイバ送信器にとってとりわけ重要であ
る。パラメータは、VCSELアレイ全てにわたって光
波形の均一性を維持するように定めなければならない。
これらの特性のセッティングは、動作の開始時、及び、
製品の耐用期間中の定期的な間隔で行われる必要があ
る。
【0011】半導体電気・光送信器は、発光素子の光学
直流及び交流動作特性をプログラムする方式を必要とす
る場合が多い。プログラミングは、製品の使用開始時に
実施し、送信器の耐用期間全体にわたって定期的にプロ
グラミングすることが望ましい。あいにく、送信器の耐
用期間中、波形のプログラミングを定期的に行う先行技
術の手法は、コストが高く、実施が複雑であるため、直
流パラメータに限定されてしまう。変調電流のような交
流問題のいくつかを取り扱う先行技術の手法は、製品の
使用開始時におけるプログラミングだけに制限される。
従って、製品が、ドライバの動作寿命までの期間中にお
けるプログラミングを必要とする場合、これら先行技術
による手法では、このタイプのプログラミングを実施す
ることが不可能である。
【0012】[光出力の経時依存性]光出力に関するレ
ーザーの性能は、レーザーの動作寿命全期間にわたって
一定のままであるのが理想である。これがその通りであ
れば、駆動波形は、レーザー・ドライバによって一度だ
けプログラムすればよく、それ以上の変更または再プロ
グラミングを必要としなくなる。あいにく、実際には、
VCSELの光出力は、レーザーの動作寿命期間内には
劣化する傾向がある。従って、VCSELドライバに
は、VCSEL駆動波形パラメータを定期的に調整し
て、劣化を補償するのが望ましい。残念なことに、AM
CC手法のようなオープン・ループ手法を用いた先行技
術による手法は、製品寿命の開始時における波形パラメ
ータのプログラミングに制限され、VCSEL駆動波形
パラメータを定期的に調整して、劣化を補償するメカニ
ズムを備えていない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】[光出力の温度依存
性]さらに、理想的状況とは、レーザーの光出力は、動
作温度に左右されないものであろう。これがその通りで
あれば、駆動波形は、動作温度の変化しても調整する必
要がない。あいにく、実際には、レーザーの光出力は、
動作温度によって左右される。従って、動作温度の変化
に応じて駆動波形を調整するメカニズムを備えることが
望ましい。そうすることによって、最適なVCSEL光
波形を維持することが可能になる。残念なことには、先
行技術による手法では、VCSEL駆動波形パラメータ
を定期的に調整して、動作温度の変化を補償するための
メカニズムが得られない。
【0014】
【課題を解決するための手段】以上に基づき、本発明の
目的は、前述の欠点を克服する半導体レーザー用のデジ
タル制御方法及び装置を提供することにある。
【0015】実施態様の1つによれば、本発明のレーザ
ー・ドライバには、光ファイバ送信器に用いられる単一
VCSELまたはVCSELアレイを駆動する駆動波形
の直流及び交流パラメータをプログラミングするための
組み込み式デジタル・コントローラが含まれている。デ
ジタル・コントローラは、ドライバICに組み込まれて
おり、下記のVCSEL駆動波形パラメータの1つ以上
をプログラムするために利用される。つまり (1)バイアス電流、 (2)変調電流 (3)負のピーキング深さ、及び (4)負のピーキング持続時間 である。
【0016】実施態様の1つでは、レーザー・ドライバ
には、レーザーの経時をモニターし、VCSEL駆動波
形の直流及び交流パラメータを選択的に調整して、レー
ザーの経時変化を補償する経時変化補償機構が含まれて
いる。好適には、タイマを用いてレーザーの経時変化が
モニターされる。
【0017】もう1つの実施態様では、レーザー・ドラ
イバには、ドライバICの温度をモニターして、VCS
EL駆動波形の直流及び交流パラメータを選択的に調整
し、温度の変化を補償する温度補償機構が含まれてい
る。温度センサを用いて、ドライバICの温度をモニタ
ーするのが望ましい。
【0018】前述のように、マルチ・チャネル光ファイ
バ送信器におけるVCSEL光波形特性の最適化は、難
題を提示する可能性がある。本発明のレーザー・ドライ
バは、各チャネルに最適な光波形を維持するため、最初
に、さらに、送信器の動作中に、各チャネルのVCSE
L駆動波形パラメータを個別にプログラムする。送信器
の動作中におけるVCSEL駆動パラメータの更新によ
って、本発明のレーザー・ドライバは、レーザーの経時
変化及び温度変化を補償する。
【0019】本発明のもう1つの実施態様によれば、V
CSEL駆動波形のプログラミングに関する設計技法が
提供される。
【0020】
【発明の実施の形態】組み込み式デジタル・コントロー
ラを備えたオープン・ループ・レーザー・ドライバ及び
プログラミング方法について解説する。以下の解説で
は、本発明の完全な理解が得られるように、説明を目的
として、数多くの特定の詳細が提示される。しかし、当
該技術者には明らかなように、本発明は、これらの特定
の詳細が示されなくても、実施可能である。他の例で
は、本発明が不必要に曖昧になるのを回避するため、周
知の構造及び装置はブロック図の形で示されている。
【0021】本発明のレーザー・ドライバは、デジタル
・コントローラ、データ・ストレージ/呼び出し機能、
及び、必要とされる機構を組み込んで、各チャネルに、
最初に、VCSEL駆動波形のパラメータをセットして
おき、定期的に調整も加えて、経時変化及び動作温度変
化を有効に補償する。
【0022】[複数チャネル光ファイバ送信モジュール
90]図1は、本発明のレーザー・ドライバを実現する
ことが可能な、典型的な複数チャネル光ファイバ送信モ
ジュール(MCFOTM)90のブロック図である。複
数チャネル光ファイバ送信モジュール(MCFOTM)
90は、例えば、12チャネルの送信モジュールとする
ことが可能である。複数チャネル光ファイバ送信モジュ
ール90には、データ信号110を受信し、それに応答
して、駆動波形112を生成するレーザー・ドライバ1
00、複数のレーザー122(例えば、複数のVCSE
L)を備えたレーザー・アレイ120、及び、駆動波形
パラメータを記憶するための不揮発性メモリ130が含
まれている。光ファイバ・ケーブル124は、レーザー
122がそこから放つ光を受けるため、レーザー・アレ
イ120に結合されている。
【0023】各チャネルのVCSELダイオードに関連
した駆動電流波形は、レーザー・ドライバ100及び不
揮発性メモリ130によってプログラムされている。あ
る実施態様では、MCFOTM90には、VCSELド
ライバ、1×NのVCSELアレイ、及び、EEPRO
Mが含まれている。さらにより詳細に後述するように、
レーザー・ドライバ100には、プログラミング及びデ
ータ呼び出しのためのデジタル・コントローラが含まれ
ている。
【0024】ある実施態様では、レーザー・ドライバ1
00とVCSELアレイ120の間に、2×Nの信号ラ
インが挿入されるが、この場合、Nの信号ラインが、V
CSELの陽極に接続され、Nの信号ラインが、VCS
ELのタイプ及びレーザー・ドライバ100の構成に従
って、接地平面またはVCSELの陽極に接続される。
ここで、Nは、複数チャネル光ファイバ送信モジュール
90に組み込まれるチャネル数である。
【0025】メモリ130及びレーザー・ドライバ10
0に対するデータの読み取り及び書き込みを実施するた
めのアクセス・ポイント140が設けられている。さら
に詳細に後述するように、アクセス・ポイント140を
用いて、レーザー・ドライバ100及びメモリ130に
テスト信号及びデータを伝達することが可能である。
【0026】[レーザー・ドライバ100]図2には、
本発明の実施態様の1つによる図1のレーザー・ドライ
バ100がさらに詳細に例示されている。レーザー・ド
ライバ100には、コントローラ200、駆動パラメー
タを記憶するための複数の駆動パラメータ・レジスタ
(210、214、218、224)、経時補償機構2
40、温度補償機構250、故障判定回路260、複数
のデジタル・アナログ変換器(DAC)234、駆動波
形整形回路238、経時値を記憶するための経時レジス
タ280、及び、所定の故障値を記憶するための故障レ
ジスタ290が含まれている。
【0027】[VCSELドライバICに組み込まれた
デジタル・コントローラ200]本発明の態様の1つで
は、デジタル・コントローラ200がレーザー・ドライ
バ100に組み込まれている。本発明のレーザー・ドラ
イバ100は、コントローラ200を用いて、単一レー
ザー・ダイまたは1×Nのレーザー・ダイオード・アレ
イに関するVCSEL駆動波形の直流及び交流特性をデ
ジタル方式でプログラムする。
【0028】本発明のレーザー・ドライバ100によっ
て、アレイ全域にわたる光波形の均一性が得られるよう
にアレイの各レーザー・ダイ毎にパラメータ(例えば、
直流及び交流パラメータ)を個別にプログラムするため
のメカニズムが得られる。
【0029】[駆動波形パラメータのプログラミング]
例えば、レーザー・ドライバ100は、組み込み式コン
トローラ200及びデジタル・アナログ変換器(DA
C)234を利用して、光学的論理0に関するVCSE
Lバイアスをデジタル方式でプログラムすることが可能
である。さらに、レーザー・ドライバ100は、組み込
み式コントローラ200及びDAC234を利用して、
光学的0を1へ遷移させるよう変調するために、VCS
EL駆動波形をデジタル方式でプログラムすることが可
能である。
【0030】本発明のレーザー・ドライバにおける特徴
の1つは、負のピーキング深さ及び持続時間といった、
VCSEL駆動波形の交流特性のプログラム可能性であ
る。負のピーキングは、論理1から論理0への下降遷移
中におけるVCSEL駆動波形のピーキングを表してい
る。Ipkdは、この負のピーキング深さである。Tp
kwは、この負のピーキング持続時間である。
【0031】レーザー・ドライバ100は、光学的1か
ら0への遷移中に用いるため、VCSEL駆動波形の負
のピーキング深さをデジタル方式でプログラムすること
が可能である。負のピーキングは、1から0への遷移中
における光学立ち下がり時間を短縮するために利用され
る。また、レーザー・ドライバ100は、光学的1から
0への遷移中に用いるため、VCSEL駆動波形の負の
ピーキング持続時間をデジタル方式でプログラムするこ
とも可能である。
【0032】より詳細に後述するように、本発明のレー
ザー・ドライバ100は、デジタル・コントローラ20
0を利用して、VCSEL駆動波形を定期的に調整する
ためのタイマ機能を実現し、経時変化の補償を行うこと
が可能である。
【0033】さらに、より詳細に後述するように、本発
明のレーザー・ドライバ100は、組み込み式デジタル
制御ループを利用して、ダイ温度をモニターし、VCS
EL駆動波形の直流及び交流パラメータに調整を加え
て、温度変化を補償することが可能である。
【0034】[経時補償機構240]前述のように、V
CSEL光出力は、レーザーの動作寿命を通じて劣化す
る傾向がある。これに関して、VCSEL駆動波形パラ
メータは、定期的に調整を加えて、劣化を補償すること
が必要になる。ある実施態様では、本発明のレーザー・
ドライバには、デジタル・コントローラと連係して、各
VCSEL駆動波形パラメータを定期的に調整して、経
時変化を補償するプログラマブル・タイマが含まれてい
る。
【0035】本発明のレーザー・ドライバのもう1つの
態様では、VCSELの経時変化による光出力の補償を
可能にするため、デジタル・コントローラにタイマ機能
が組み込まれている。このタイマによって、VCSEL
駆動波形直流及び交流パラメータに定期的調整を加え
て、経時変化を補償することが可能になる。
【0036】ある実施態様では、経時補償機構240
は、オン・チップ10MHzクロック、クロックのため
のプログラム可能な除数(D)、コントローラ200中
の31ビット・カウンタ(本明細書では、下位経時変化
カウンタと呼ばれる)、及び、16ビット・カウンタ
(本明細書では、不揮発性メモリ130における上位経
時変化カウンタと呼ばれる)によって実現可能である。
このクロック除数Dと10MHzのクロック周期を組み
合わせることによって、上位経時変化カウンタをどれだ
けの頻度で(秒または分単位)インクリメントするかが
決まる。コントローラ200は、上位経時変化カウンタ
の4つのMSBがインクリメントされると、DACのセ
ッティングを更新する。例えば、Dが32であり、10
MHzクロック周期が100ナノ秒に等しい場合、下位
経時変化カウンタは、114.5分毎にインクリメント
され、上位経時変化カウンタの4つのMSBは、325
日毎にインクリメントされる。
【0037】送信器に対する電源が遮断されると、EE
PROMは、複数レジスタ(例えば、3つのレジスタ)
における最終のカウンタ・セッティングを記録する。電
源が回復すると、各レジスタのカウンタ・セッティング
が、正確を期して、他の2つのレジスタにおけるカウン
タ値と比較される。少なくとも2つのレジスタにおいて
得られるこのカウンタ・セッティングは、正しいセッテ
ィングとして選択される。
【0038】[温度補償機構250]前述のように、送
信モジュールの動作温度が変化すると、VCSEL駆動
波形パラメータは、最適なVCSEL光波形特性を維持
するために、調整が必要になる。実施態様の1つでは、
本発明のレーザー・ドライバには、温度変化後にVCS
EL駆動波形パラメータを調整するための組み込み式温
度モニター及びフィードバック・システムが含まれてい
る。
【0039】本発明のレーザー・ドライバのもう1つの
態様では、ドライバICに温度検知及びフィードバック
回路要素が組み込まれている。
【0040】レーザー・ドライバ100には、不揮発性
メモリ130とつながった不揮発性メモリ・インターフ
ェイス230も含まれている。不揮発性メモリ130
は、ルックアップ・テーブル・フォーマットでImod
bias、Tpkw、及び、Ipkdに関するDACセッティン
グを格納する。各DACのセッティングは、下記フォー
マットを持つアドレスを用いることによって参照する
(例えば、読み取り操作によってアクセスする)ことが
可能である:AAAATTTTTCCCCXX。「A」
は、経時変化カウンタの4つの最上位ビット(MSB)
に相当する。「T」は、レーザー・ドライバ100の温
度を表す5ビットに相当する。「C」は、チャネル番号
に相当し、「X」は、DAC番号に相当する。留意すべ
きは、Imod、Ibias、Tpkw、及び、Ipkdパラメータ
に関するDACは、それぞれ、関連する数が異なるとい
う点である。
【0041】図3には、図2の温度補償機構250及び
故障判定回路260の典型的な実施例が示されている。
各チャネルに、差動入力データが、入力段310及びレ
ベル・シフト段314を介して、Data_in+及び
Data_in−から駆動波形整形回路238に流れ
る。駆動波形整形回路238は、各データ・パルス毎に
電流パルス(すなわち、駆動波形)を生成し、レーザー
・アレイ120内のレーザー122を駆動する。
【0042】VCSEL電流パルス形状は、図7に示す
ように、Imod、Ibias、Tpkw、及び、Ipkdに関し
て、駆動波形整形回路238によって最適化される。各
チャネルの出力電流Ioutは、VCSELアレイ120
内のレーザーのいずれか122に送られる。駆動波形整
形回路238の典型的な実施態様については、図4に関
連してさらに詳細に後述する。
【0043】[温度測定ブロック234]VCSEL動
作パラメータは、時間または温度に合わせて変更する必
要があるので、コントローラ200は、リアル・タイム
で駆動パラメータを更新する。例えば、温度に関する調
整は、定期的に実施することが可能である(例えば、3
0ミリ秒の間隔で)。ある実施態様では、温度補償機構
250は、部分的に、温度測定ブロック(Temperature
Measurement Block;TMB)234及びアナログ・デジ
タル変換器330によって実現可能である。温度測定ブ
ロック(TMB)234は、ダイ基板温度を測定するセ
ンサである。測定データは、次に、アナログ・デジタル
変換器(ADC)330によってデジタル・フォーマッ
トに変換され、さらに、digital_temp信号
としてコントローラ200に供給される。コントローラ
200は、次に、温度に基づいて、(EEPROM13
0から)Imod、Ibias、Tpkw、及び、Ipkdに関する
新たなDACセッティングを受信する。新たなDACセ
ッティングは、レジスタ(例えば、Imodレジスタ21
0、Ibiasレジスタ214、Tpkwレジスタ218、I
pkdレジスタ224)に格納される。レジスタ(本明細
書では、DACレジスタとも呼ばれる)は、DAC23
4の内部に配置される。DAC234は、これらのレジ
スタ(210、214、218、224)の現在のDA
C値を利用して、VCSEL駆動波形パラメータをセッ
トする。
【0044】同様に、経時変化カウンタ(例えば、下位
経時変化カウンタまたは上位経時変化カウンタ)による
判定で、経時変化時点に達すると、Imod、Ibias、T
pkw、及び、Ipkdに関する新たなDACセッティング
が、EEPROMから呼び出され、DACレジスタに書
き込まれる。次に、VCSEL駆動波形パラメータが調
整される。
【0045】[故障検出回路260]実施態様の1つに
よれば、故障検出回路260には、抵抗器(Rfaul
t)340、差動増幅器344、コンパレータ348、
DAC350、及び、バッファ354が含まれている。
故障検出回路260は、各VCSELを流れる電流の平
均量が、いつ所定の安全限界を超えるのか判定する。平
均VCSEL電流量は、Rfault抵抗器340の両
端における電圧差(vfx_del)を測定することに
よって求められる。次に、Rfault抵抗器340の
両端における電圧差が、所定の故障しきい値vfx_t
hと比較される。故障しきい値vfx_thは、ユーザ
がプログラムすることができ、EEPROM130及び
コントローラ200の故障レジスタ290にfault
_thとして記憶することができる。
【0046】vfx_delがvfx_thを超える場
合、コンパレータ348は、fault_flagの状
態を変更する。任意のチャネルのfault_flag
信号の状態が変化すると、コントローラ200が割り込
まれる。次に、コントローラ200は、Nチャネルの全
てのImod、Ibias、Ipkd、及び、Ipkw、に関するDA
C値を全て0にセットし、これによって、各チャネルの
VCSEL電流が0ミリアンペアに変化する。
【0047】tx_enableラインの状態がトグル
され、レーザー・ドライバ100が動作を再開する。動
作が再開されると、コントローラ200は、温度及び経
時変化カウンタの値に基づいて正しいDACセッティン
グを呼び出す。前述のように、経時値は、コントローラ
200の複数レジスタ(例えば、経時レジスタ280)
に格納することが可能である。
【0048】[データ波形整形回路238]図4には、
本発明の実施態様の1つによる図3の駆動波形整形回路
(Drive Waveform Shaping Circuit;DWSC)238
がさらに詳細に例示されている。簡略にするため、図4
には、単一チャネルに関する駆動波形整形回路238が
例示されており、以下で解説することにする。特定の適
用例における特定のチャネル数に合うように、駆動波形
整形回路238を繰り返して設けることが可能であると
いう点に留意されたい。
【0049】この実施態様の場合、駆動波形整形回路2
38には、差動データ信号(DataIn+及びDat
aIn−)を受信するための入力と、DAC234から
出力電圧信号を受信するための入力が含まれている。す
なわち、駆動波形整形回路238には、DAC234か
らVbiasを受信するための入力、DAC234からV
modを受信するための入力、DAC234からVpkwを受
信するための入力、及び、DAC234からVpkdを受
信するための入力がさらに含まれている。前述のよう
に、DAC234の出力電圧信号は、現在の経時及び温
度条件に関連した駆動波形直流及び交流パラメータに基
づいて生成される。これらの入力に基づいて、駆動波形
整形回路238は、レーザーの陽極(例えば、VCSE
L122の陽極)に供給される駆動波形(例えば、I
out)を生成する。図7には、負のピーキング部分を備
えたこの駆動波形の一例が示されている。
【0050】DWSC238には、DAC234から受
信した出力電圧信号を緩衝として記憶してから、DWS
C238の他のブロックに電圧信号を供給する、複数の
入力バッファ(410、420、430、及び、44
0)が含まれている。バッファ420が、Vmodを受信
して、反転Vmod信号を生成する反転バッファである点
に留意されたい。
【0051】DWSC238には、さらに、電圧制御電
流源(Voltage Controlled CurrentCircuit;VCCS)
450、電圧制御電流源450に結合された出力ドライ
バ差動相互コンダクタンス増幅器(Output Driver Diff
erential Transconductance Amplifier;ODDTA)4
60、及び、同じく電圧制御電流源450に結合された
負ピーキング差動相互コンダクタンス増幅器(Negative
Peaking Differential Transconductance Amplifier;
NPDTA)470が含まれている。VCCS450、
ODDTA460、及び、NPDTA470は、入力デ
ータ信号及び入力電圧信号に基づいて駆動波形
(Iout)を選択的に整形する。
【0052】電圧制御電流源(VCCS)450には、
bias2信号を受信するための入力、及び、反転Vmod2
信号を受信するための入力、及び、供給電圧454に結
合された入力が含まれている。これらの入力に基づい
て、VCCS450は、IbiasとImodの直流電流和で
あるIsourceを生成する。駆動波形(Iout)の論理1
レベルは、Isourceに等しい。ODDTA460にデー
タ・パルスが入力されると、IsourceからImodpulse
減算されて、論理0のデータ・ビットに関してIou t
biasになり、論理1のデータ・ビットに関してIout
=Ibias+Imodになる。
【0053】電源480は、スイッチ484(例えば、
FETスイッチ)を介してVCCS450に結合されて
いる。スイッチ484は、故障停止信号に応答して、選
択的に開閉する。スイッチ484が閉じると、供給電圧
信号454がVCCS450に供給される。
【0054】ODDTA460には、差動データ信号
(DataIn+及びDataIn−)を受信するため
の入力と、反転Vmod2信号を受信するための入力が含ま
れている。これらの入力に基づいて、ODDTA460
は、入力データ・パルス毎に電流パルス464(すなわ
ち、Imodpulse)を生成する。Imodpulseの振幅は、V
ref入力に供給される基準電圧によってセットされる。
この場合の基準電圧は、反転Vmod2に等しいので、電流
パルスの振幅は、Imod信号の振幅に等しい。
【0055】NPDTA470には、差動データ信号
(DataIn+及びDataIn−)を受信するため
の入力、Vpkw2信号を受信するための入力、及び、V
pkd2信号を受信するための入力が含まれている。これら
の入力に基づいて、NPDTA470は、DataIn
パルスにおいて観測される論理1から論理0への遷移毎
に、負のピーキング過渡電流474(Inegpeakingまた
はInp)を生成する。負のピーキング電流Inegpeaking
が、Ioutパルスの立ち下がりエッジとアライメントが
とれる点に留意されたい。負のピーキング過渡電流(I
negpeaking)は、本明細書においてInpとも呼ばれる。
負のピーキング過渡電流(Inegpeaking)は、それぞ
れ、Ipkd及びTpkwに等しい電流振幅(深さ)と減衰時
間(幅)を有している。NPDTA470は、Vpkw2
号を用いて、負のピーキング過渡電流に関する減衰時間
をセットし、Vpkd2信号を用いて、負のピーキング過渡
電流に関する電流振幅をセットする。
【0056】要するに、ODDTA460によって引き
込まれる電流は、Imodpulseで表示され、NPDTA4
70によって引き込まれる電流は、Inegpeakingまたは
npで表示される。下記の式によって、出力電流値が得
られる: Iout=Isource−Imodpulse−Inp
【0057】データ・パルスによって、Imodpulseは、
sorceからImodを減算し、論理0のデータ・ビットに
関してIout=Ibiasになり、論理1のデータ・ビット
に関してIout=Ibias+Imodになる。1から0への遷
移によって、1から0への遷移と同相をなすIsource
らInp過渡電流が減算される。
【0058】[技法]図5は、図1のレーザー・ドライ
バ100によって実施される、本発明の実施態様の1つ
に従ってVCSEL駆動パラメータをセットし、制御す
るためのステップを例示したフローチャートである。V
CSELアレイ120における各VCSEL122が特
徴づけられ、その結果得られたデータが保管される。レ
ーザーは、次に、MCFOTM90にアセンブルされ
る。アセンブルされたユニットの各送信チャネルは、温
度に関して特徴づけられ、やはり、結果として得られた
データが保管される。次に、保管されたデータは、不揮
発性メモリ130にダウンロードされる。次に、各VC
SELは、格納されたパラメータを用いて、個別にプロ
グラムされる。プログラミングは、最初に、「パワー・
アップ」時(例えば、モジュールが、最初に、ルータま
たはスイッチのようなネットワーク装置に取り付けられ
る時)に実施され、さらに、後述するように、動作中に
も定期的に実施される。
【0059】ステップ500では、電圧対電流(V−
I)及びVCSEL光出力対電流(L−I)が、アレイ
120内の各レーザー(例えば、VCSEL)122毎
に測定される。これらの測定は、アセンブリ前に実施さ
れるのが望ましい。Agilent Technologies, Inc.から入
手可能なAgilent 4145半導体パラメータ解
析器及びAgilent 8153A光波マルチメータ
を用いて、測定を行うことが可能である。
【0060】表Iには、典型的なVCSELのV−1デ
ータ及びL−Iデータが示されている。このデータは、
生産試験システムによって、Ibias、Imod、Ipkd、及
び、Tpkwの最適化中に用いられるDACセッティング
を決定するために利用される。V−Iデータには、所定
のVCSELが、適正な回路動作に許された最高VCS
EL電圧を超えないようにするための最大電流範囲が示
されている。VCSEL電流の最大値が分かると、L−
Iデータを利用して、光出力に関する最小VCSEL電
流及びVCSEL勾配効率(すなわち、電流変化に対す
る光出力の変化)が計算される。次に、前述のように求
められた許容VCSEL電流範囲及びVCSEL勾配効
率を用いて、最適化中におけるIbias、Imod、Ipkd
及び、T pkwの開始点が計算される。
【0061】
【表1】
【0062】ステップ504では、各送信チャネルの交
流光波形が測定される。生産試験中、テスタによって、
各チャネルの交流光波形が測定され、性能要素に合わせ
て最適化されるのが望ましい。これらの性能要素には、
それらに制限するわけではないが、消光比(すなわち、
論理1の光学パワー対論理0の光学パワーの比)、立ち
上がり/立ち下がり時間、オーバシュート、ジッタ、及
び、マスク・マージンを含むことが可能である。交流光
波形の最適化には、以前に記録されたVCSEL光学パ
ラメータが利用される。
【0063】交流光波形特性は、送信器のVCSEL毎
に測定される。Ibias、Imod、Ip kd、及び、Tpkw
DACセッティングは、交流光波形特性が最適化される
まで、開始点の周りで変動される。最適化は、いくつか
の温度で実施されるのが望ましい。交流光波形特性に
は、それらに制限するわけではないが、論理1ビット対
論理0ビットの光学パワー比である消光比(Extinction
Ratio;ER)、立ち上がり時間、立ち下がり時間、オ
ーバシュート、及び、ジッタを含むことが可能である。
【0064】次に、各許容温度及び経時変化時点毎に、
bias、Imod、Ipkd、及び、Tpk wに関して最適なD
ACセッティングが計算され、不揮発性メモリ130に
書き込まれる。不揮発性メモリ(例えば、EEPRO
M)130には、温度及び経時変化の各時点によって関
係づけられたIbias、Imod、Ipkd、及び、TpkwのD
ACセッティングの全てが格納される。次に、これらの
アドレス指定可能なDACセッティングを用いて、動作
中に、各VCSELの電流駆動波形がプログラムされ
る。例えば、IbiasDACレジスタには、DAC出力に
電圧Vbiasを生成するために利用される、0〜2M(M
ビットDACの場合)のある数が記憶される。V
biasは、駆動波形整形回路238によって、VCSEL
駆動電流波形のIbi asパラメータをセットするために用
いられる。同様に、Vmod、Vpkw、及び、V pkdが、他
のDACによって生成される。
【0065】ステップ508では、各チャネルのDAC
セッティングが、各温度及び経時変化時点毎に最適化さ
れる。DAC234を利用して、駆動パラメータがアナ
ログ信号に変換され、駆動波形整形回路(DWSC)2
38によって駆動波形の生成に利用されることになる。
【0066】ある実施態様では、DAC234は、レー
ザー・ドライバ100に組み込まれ、Mビット幅であ
る。ビット数Mは、各パラメータに十分な分解能が得ら
れるように選択される。例えば、Mは、典型的な実施例
の場合、6ビットになるように選択される。
【0067】ステップ512では、経時変化カウンタ除
数(D)が選択される。ステップ520では、DACセ
ッティング(すなわち、駆動パラメータ)が、例えば、
テスト・システムから不揮発性メモリにダウンロードさ
れる。DACセッティングは、経時変化カウント、温
度、チャネル番号、及び、DAC番号によるDACセッ
ティングの呼び出しを可能にするようにして格納される
(すなわち、不揮発性メモリのDACセッティングは、
経時変化カウント、温度、チャネル番号、及び、DAC
番号によってアドレス指定可能である)。
【0068】ステップ530では、経時変化カウンタが
起動する。ステップ540では、駆動パラメータが、所
定の条件に関して、不揮発性メモリ130から駆動レジ
スタ(210、214、218、及び、224)にロー
ドされる。所定の条件とは、それらに制限するわけでは
ないが、時間の経過(例えば、30ミリ秒毎)や、経時
変化時点に関する割り込みとすることが可能である。ス
テップ540が、送信モジュール90の動作中に実施さ
れる点に留意されたい。
【0069】ステップ550では、レーザー・ドライバ
集積回路の温度が、温度測定ブロック(TMB)334
によって測定される。ステップ554では、測定された
温度が、デジタル形式(例えば、digital_te
mp信号)に変換され、コントローラ200に供給され
る。ステップ560では、コントローラ200は、後続
のDACレジスタ書き込みサイクルにおいて、入力パラ
メータの1つとして、測定温度を用いて、駆動パラメー
タ・レジスタ(210、214、218、及び、22
4)を更新する。
【0070】ステップ570では、コントローラ200
は、駆動パラメータに関する値を呼び出すための読み取
りアドレスを更新する。処理は、次に、ステップ540
に進み、駆動パラメータ・レジスタに、不揮発性メモリ
130のステップ570で修正可能なアドレスから読み
取られた値が書き込まれる。
【0071】[取り扱い危険電流条件]図6は、図1の
レーザー・ドライバ100によって行われる、本発明の
実施態様の1つに従って危険電流条件を検出し、管理す
るためのステップを例示したフローチャートである。図
5のステップ520の後、以下に述べる、危険電流条件
を検出し、管理するためのステップが実施される。ステ
ップ610では、各VCSELを流れる電流が測定され
る。判定ブロック620では、測定された電流が所定の
安全電流を超えるか否かが判定される。測定された電流
が、所定の安全電流を超えると、レーザー・ドライバ1
00の出力電流が、最小Ibiasと最小Imo dの和に等し
い定最小電流に維持される。そうではなく、測定された
電流が所定の安全電流以下であるという場合には、処理
はループして、ステップ610に戻る。
【0072】判定ブロック640において、レーザー・
ドライバ100が有効再開信号(例えば、tx_ena
ble信号)を受信したか否かの判定が行われる。レー
ザー・ドライバ100が有効再開信号(例えば、tx_
enable信号)を受信していれば、処理は、ステッ
プ650に進む。ステップ650では、TMB334及
び経時レジスタ280を用いて、温度値及び経時値に基
づくアドレスが生成される。前述のように、不揮発性メ
モリ130は、経時変化カウント、温度、チャネル番
号、及び、DAC番号によってアドレス指定可能であ
る。次に、処理は、図5のステップ540に進み、駆動
パラメータ・レジスタに、不揮発性メモリ130から読
み取られた値がロードされる。
【0073】そうではなく、レーザー・ドライバ100
が有効な再開信号(例えば、Tx_enable信号)
を受信していなければ、処理はステップ630に進み、
レーザー・ドライバ100は、最小出力電流状態のまま
である。
【0074】本発明の半導体レーザーを駆動するための
デジタル制御方法及び装置の説明は、VCSELアレイ
に関連して行われた。しかし、この半導体レーザーを駆
動するためのデジタル制御方法及び装置は、なんらかの
タイプの半導体レーザーの駆動に駆動電流が必要になる
場合には、必ず、他の応用例でも役立つという点に留意
されたい。本発明の半導体レーザーに関するデジタル制
御方法及び装置は、とりわけ、アレイ素子間で温度揺動
を生じるが、それにもかかわらず、アレイ内の素子全体
にわたって均等な性能を必要とする応用例に有効であ
る。本発明の半導体レーザーに関するデジタル制御方法
及び装置は、その光出力が、その動作寿命を通じて劣化
する傾向のある応用例にも有効である。本発明の半導体
レーザーに関するデジタル制御方法及び装置は、とりわ
け、交流パラメータのプログラミングから便益を得るこ
とが可能な応用例に有効である。
【0075】以上の明細書において、本発明の説明は、
その特定の実施態様に関連して行われた。しかし、本発
明のより広い範囲から逸脱することなく、さまざまな修
正及び変更を加えることが可能である。明細書及び図面
は、従って、制限を意味するものではなく、例示を意味
するものとみなすべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザー・ドライバが実現可能とな
る、典型的な複数チャネル光ファイバ送信モジュールの
ブロック図である。
【図2】本発明の実施態様の1つによる図1のレーザー
・ドライバをより詳細に例示した図である。
【図3】本発明の実施態様の1つによる図1のレーザー
・ドライバをより詳細に例示したブロック図である。
【図4】本発明の実施態様の1つによる図3の駆動波形
整形回路をより詳細に例示した図である。
【図5】本発明の実施態様の1つに従って図2のコント
ローラによって実施されるステップを例示したフローチ
ャートである。
【図6】本発明の実施態様の1つに従って図2のコント
ローラによって実施されるステップを例示したフローチ
ャートである。
【図7】本発明のレーザー・ドライバによって生成され
る典型的な駆動波形を例示した図である。
【符号の説明】
100 レーザー・ドライバ 120 レーザー・アレイ 122 半導体レーザー 130 不揮発性記憶装置 200 デジタル・コントローラ 234 デジタル・アナログ変換器 238 波形整形回路 240 経時変化補償機構 250 温度補償機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 399117121 395 Page Mill Road P alo Alto,California U.S.A. (72)発明者 ミャオビン・ガオ アメリカ合衆国カリフォルニア州95131, サンノゼ,リーフトゥリー・サークル 1452 (72)発明者 ロバート・エルシーマー アメリカ合衆国カリフォルニア州95124, サンノゼ,セント・レジス・ドライブ 1560 (72)発明者 マシュー・スコット・アブラムズ アメリカ合衆国カリフォルニア州95051, サンタ・クララ,フローラ・ビスタ・アベ ニュー 3770,アパートメント2204 (72)発明者 ヘング−ジュ・チェング アメリカ合衆国カリフォルニア州94040, マウンテン・ビュー,コロンビア・ドライ ブ 1683 (72)発明者 タカシ・ヒダイ アメリカ合衆国カリフォルニア州94303, パロ・アルト,ルイス・ロード 3683 (72)発明者 ミュンギー・リー アメリカ合衆国カリフォルニア州95138, サンノゼ,キラーニー・サークル 5812 (72)発明者 ソング・リュ アメリカ合衆国カリフォルニア州95116, サンノゼ,マッキー・ロード 2050, ア パートメント 109 Fターム(参考) 5F073 AB02 AB17 BA01 GA04 GA23 GA24 GA25 GA31 GA35 GA37 GA38

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1つの半導体レーザーを備え
    るアレイを駆動する駆動波形を生成するレーザー・ドラ
    イバであって、 前記レーザー・ドライバに組み込まれたデジタル・コン
    トローラが含まれており、 前記デジタル・コントローラは、前記駆動波形に関連し
    た少なくとも1つのパラメータを初めにプログラムし、
    前記ドライバの動作中に、前記パラメータに調整を加え
    ることを特徴とするレーザー・ドライバ。
  2. 【請求項2】 前記レーザーを経時的にモニターし、前
    記駆動波形の少なくとも1つのパラメータを選択的に調
    整して、前記レーザーの経時変化を補償する経時変化補
    償機構がさらに含まれることを特徴とする請求項1に記
    載のレーザー・ドライバ。
  3. 【請求項3】 前記ドライバの温度をモニターし、前記
    駆動波形の少なくとも1つのパラメータを選択的に調整
    して、前記温度変化を補償する温度補償機構がさらに含
    まれることを特徴とする請求項1に記載のレーザー・ド
    ライバ。
  4. 【請求項4】 前記レーザー・ドライバは、単一の垂直
    共振器面発光レーザー(VCSEL)または垂直共振器
    面発光レーザー(VCSEL)のアレイに適合すること
    を特徴とする請求項1に記載のレーザー・ドライバ。
  5. 【請求項5】 前記駆動波形パラメータに、少なくとも
    1つの直流パラメータと少なくとも1つの交流パラメー
    タが含まれることを特徴とする請求項1に記載のレーザ
    ー・ドライバ。
  6. 【請求項6】 前記駆動波形に関連したパラメータに、
    バイアス電流、変調電流、負のピーキング深さ、及び負
    のピーキング持続時間のいずれかが含まれることを特徴
    とする請求項1に記載のレーザー・ドライバ。
  7. 【請求項7】 駆動波形パラメータを記憶するための記
    憶装置と、 前記駆動波形パラメータをデジタル形式で受信し、それ
    に応答してアナログ形式による前記駆動波形パラメータ
    を生成するデジタル・アナログ変換器と、 前記駆動波形パラメータをアナログ形式で受信し、それ
    に応答して前記駆動波形パラメータによって決まる駆動
    波形を生成する波形整形回路とがさらに含まれることを
    特徴とする請求項1に記載のレーザー・ドライバ。
  8. 【請求項8】 組み込まれたコントローラ及び駆動波形
    パラメータを記憶する記憶装置を備えたレーザー・ドラ
    イバにおいて、少なくとも1つの半導体レーザーの駆動
    波形を供給するための方法であって、 少なくとも1つの駆動波形パラメータを初めに設定する
    ステップと、 温度要因及び経時要因のいずれかに基づいて前記レーザ
    ー・ドライブの動作中に前記駆動波形パラメータの調整
    を施すステップとが含まれている方法。
  9. 【請求項9】 前記記憶装置内の前記駆動波形パラメー
    タが、レーザー、温度要因、及び経時要因によって構成
    され、 前記レーザー・ドライバの動作中に前記パラメータを調
    整するステップには、前記半導体レーザーの動作温度に
    基づいて更新される少なくとも1つの駆動波形パラメー
    タを前記記憶装置から呼び出すステップが含まれること
    を特徴とする請求項8に記載の方法。
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