JP2002203927A - 能動回路の上に集積された接合を有する熱的に増強された半導体チップ - Google Patents

能動回路の上に集積された接合を有する熱的に増強された半導体チップ

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    • H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
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    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
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    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0504—14th Group
    • H01L2924/05042—Si3N4
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 能動回路の上に集積された接合を有し製造が
容易な熱的に増強された半導体チップを提供する。 【解決手段】 集積回路チップ２００は、下にある薄膜
電気的相互接続体２０４ａ〜２０４ｎよりも少なくとも
１桁大きい熱コンダクタンスを有する電力分配線路２５
１、２５２の金属ネットワークを有する。これらの線路
はチップの表面の上に沈着され、そして能動ＩＣ部品２
０２、２０３の真上に配置され、および線路の下の選定
された能動部品に垂直に電気的におよび熱的に接続され
る。導電体２７１、２７２は、これらの線路を外側の電
源に接続するように動作することができる。電気的に機
能しない付加的な伝導体２７１、２７２が線路上に分布
され、前記能動部品および線路から熱流を取り去るため
の温度勾配を大きくするように動作することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、全体的に言えば、
半導体デバイスとその処理工程に関する。さらに詳細に
言えば、本発明は、能動回路の上に接合を有する半導体
チップの熱的に増強された構造体と、チップ表面の中に
集積された電力分配を用いてこれらの構造体とを製造す
る方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】能動部品によって発生
される熱を取り去ることは、集積回路技術の中で最も基
本的な挑戦に属する。部品の特性寸法が縮小を続けそし
てデバイスの集積度が増大を続けることは、電力の密度
と熱エネルギ発生の密度とが常に増大することと結び付
いている。けれども、能動部品をその最適の（低い）動
作温度とスピードに保つために、この熱を持続的に放散
しそして外側の熱シンクに取り去らなければならない。
不幸なことに、エネルギ密度が高くなればなる程、この
努力はますます困難になってくる。
【０００３】従来の技術では、熱を除去するための最も
効果的な方式は、半導体チップの厚さを通して能動表面
から受動表面に熱を輸送することに焦点が向けられてい
た。この受動表面は次に金属のリードフレームのチップ
取付けパッドに取り付けられ、それにより熱エネルギが
金属のリードフレームのチップ取付けパッドに流れるこ
とができるようにされる。適切に作成される時、このリ
ードフレームは外側の熱シンクに対する熱伝搬体として
作用することができる。半導体パッケージの多くの設計
では、このことはプラスチック・デバイス封止体から突
き出るように作成された部分をリードフレームが有する
ことを意味する。したがって、外側の熱シンクにそれを
直接に取り付けることができる。そのいくつかの例が、
1997年１月14日発行の米国特許第5,594,234号（カータ
（Carter）ほか名の「ダウンセット・エクポーズド・ダ
イ・マウント・パッド・リードフレームおよびパッケー
ジ（Downset Exposed Die Mount Pad Leadframe and Pa
ckage）」）および2000年６月６日発行の米国特許第6,0
72,230号（カータ（Carter）ほか名の「半導体デバイス
に対する露出されたリードフレームを製造する曲げおよ
び形成の方法（Bending and Forming Method of Fabric
ating Exposed Leadframes for Semiconductor Device
s）」）に説明されている。
【０００４】けれども、熱効率の見地からこれらの方式
はいくつかの欠点を有している。その第１は、能動部品
によって発生される熱がチップから出て行くためには、
発生された熱は半導体チップの巨視的な厚さを横切らな
くてはならない。この場合、熱はリードフレームを出て
行くことができる前に、取付けのための材料（典型的に
は、ポリマ）による熱障壁に直面する。第２は、能動部
品によって発生された熱をＩＣから能動部品の微視的な
近傍に配置された金属熱伝導体および熱伝搬体に取り去
る技術的な解決法が見つからないことである。通常の方
式は、成型用材料（典型的には、平凡な熱伝導体である
無機物粒子で充填されたエポキシ）の巨視的な厚さを通
して熱をまず伝搬し、そして次に成型されたパッケージ
の表面に通常は配置される金属熱伝搬体の中にだけ熱を
伝搬する。
【０００５】従来のボール・グリッド（またはランド・
グリッド）アレイ・パッケージの中では、熱的の状況は
また困難である。ＢＧＡ（ball-grid array）パッケー
ジは通常、ＩＣチップと、多重層基板と、熱伝搬体とを
有する。通常は、このチップはエポキシのような熱伝導
性の接着剤を用いて熱伝搬体に取り付けられる。熱伝搬
体により、熱エネルギを放散するために熱抵抗の小さな
熱伝導路が得られ、したがって、この熱伝搬体はデバイ
スの動作期間中、矛盾しない電気的特性に対して必要な
受入れ可能な熱特性に対して本質的である。さらに、熱
伝搬体は補強材として作用することにより構造的および
機械的に支持体の役割を果たし、ＢＧＡパッケージに対
して剛性を付加し、したがって、これは熱伝搬体／補強
体と呼ばれることがある。
【０００６】ＢＧＡパッケージの利点とは対照的に、Ｂ
ＧＡパッケージにおいて広く行われている解決法は、高
速ディジタル信号処理装置（ＤＳＰ（digital signal p
rocessors））および混合信号生成物（ＭＳＰ（mixed s
ignal products））のようなデバイスに対して必要な高
速動作における信号の保全性を維持するための能力およ
び電力の放散のような特性において遅れている。電気的
特性に対する要求は、多重層の銅層樹脂基板（従来はセ
ラミック）を用いる必要性を推し進めた。高速の場合、
ワイヤ接合よりもむしろフリップ・チップ組立体が導入
されている。同じパッケージの外形の中におけるワイヤ
接合に比べて、フリップ・チップ組立体はシリコン・コ
ア回路に対して非常に小さなＩＲ降下と、電源およびア
ースのインダクタンスの大幅な減少と、信号インダクタ
ンスの中程度の改良と、ピーク雑音の中程度の差と、パ
ルス幅低下の中程度の減少とを提供する。ＢＧＡパッケ
ージの電気的改良の１つの例は、2000年８月25日出願の
米国特許出願第09/645,760号（ジェームス（James）ほ
か名の「２個のアース・レベルを有するボール・グリッ
ド・アレイ・パッケージ（Ball Grid Array Package ha
ving Two Ground Levels）」）に説明されている。
【０００７】けれども現在まで、フリップ・チップ組立
体とワイヤ接合チップ組立体との両方のＢＧＡパッケー
ジの実質的な熱的改良は行われていない。このことは、
すべての低コストの熱的進歩に対しては特にそうであ
る。それは、コストが付加される技術的な提案はすべ
て、半導体デバイス・パッケージ全体のコストを減少さ
せたいというマーケットの強い要請に反するからであ
る。
【０００８】したがって、この悪循環を打ち破りそして
低コストで熱的に改良されそして電気的には高特性のＢ
ＧＡパッケージ構造体の構想を考える緊急の必要性が生
じている。それに加えて、異なる半導体製品の種類と広
い範囲の設計および組立体の変更体に対して応用するの
に十分に柔軟である、基本的な物理および設計の概念に
基づく一般的な半導体パッケージ構造体が必要とされて
いる。熱的および電気的に高特性であるという要請に応
えるだけでなく、また増強された工程の歩留まりおよび
デバイスの信頼性の目標に向かって改良を達成しなけれ
ばならない。これらの刷新は、基本的には設備されてい
る装置を用いて、したがって新規な製造機械に対する投
資を必要としないで、達成されるべきである。
【０００９】
【発明の概要】熱伝導の微分方程式を解くフーリエの方
法では、単位時間当たりの熱流Ｑは、下記の微分方程式
で示されているように、熱伝導率λと温度Ｔの勾配と温
度勾配に垂直な面積ｑとの積に等しい。熱流Ｑは温度の
低い方向に向かって流れる。
【００１０】
【数１】ｄＱ／ｄｔ＝−λ・（ｇｒａｄＴ）・ｑ
【００１１】ここで、Ｑは熱流の（大きさおよび方向を
表す）ベクトル、λは熱伝導率であって材料の特性を表
す。熱流は温度差の方向を向き、そしてこの温度差の大
きさに比例する。
【００１２】高い温度Ｔ２から低い温度Ｔ１まで長さｌ
にわたって温度の降下が均一で定常的である時、（ｇｒ
ａｄＴ）は（Ｔ２−Ｔ１）／ｌになる。
【００１３】
【数２】 ｄＱ／ｄｔ＝−λ・（ｑ／ｌ）・（Ｔ２−Ｔ１）
【００１４】λ・（ｑ／ｌ）は熱コンダクタンスと呼ば
れ、そしてその逆数ｌ／（λ・ｑ）は（オームの法則と
の類推で）熱抵抗と呼ばれる。
【００１５】本発明では、半導体チップの能動表面の上
にある熱を発生する能動部品から垂直に流出する熱流を
増強するために、λ・ｑと（ｇｒａｄＴ）との両方の改
良が同時に得られる。
【００１６】能動チップ表面から垂直に流出するこの増
強された熱流に加えて、チップの半導体材料を通してそ
の受動表面におよびそれを越えてリードフレームまたは
他の基板の中に反対方向に熱エネルギが伝導する在来の
可能性がある。
【００１７】したがって、本発明により集積回路の最適
化された熱特性が得られ、それにより半導体技術の最も
困難な限界の１つが解決される。
【００１８】集積回路（ＩＣ）チップは、電力分配線路
の金属ネットワークを有している。この金属ネットワー
クは、下側の薄膜の電気的相互接続体よりも少なくとも
１桁大きい熱コンダクタンスを有している。これらの線
路はチップの表面の上に沈着され、そして能動ＩＣ部品
の真上に配置され、そして線路の下の選定された能動部
品に垂直に電気的および熱的に接続される。導電体は線
路を外側の電源に接続するように動作し、そして前記能
動部品および線路から熱流を流出するための温度勾配を
大きくするように動作することができる、電気的には機
能しない付加的な伝導体が線路の上に分布される。
【００１９】ＩＣ保護被覆体の真上に直接に沈着された
接合可能および／またはハンダ付け可能な金属線路のパ
ターンに作成されたネットワークにより、多くの重要な
利点が得られる。 ● このネットワークにより、熱発生ＩＣ部品の真上お
よびすぐ近くに効果的な熱伝搬体が得られる。 ● このネットワークは、従来の電力分配相互接続体の
大部分を回路レベルか新しく生成された表面ネットワー
クに移動する。したがって、シリコンの実際の面積領域
の大幅な量を節約しそしてＩＣの面積領域を縮小するこ
とができる。 ● このネットワークは、金属が充填された貫通孔によ
って、選定された能動部品に垂直に電気的および熱的に
接続される。それは、これらの貫通孔が他の位置の容易
に再設計することができ、ＩＣの設計者は設計の新しい
自由度を得るからである。 ● このネットワークは、大きな熱伝導度に対しておよ
び電力電流および電気的アース電位を得るのに対して特
に適切である一連の金属層として、ウエハの処理工程の
中で沈着されそしてパターンに作成される。 ● 本発明の好ましい実施例として、取り付けることが
可能な最も外側の表面におけるネットワークの線路は、
ハンダの取付け用「ボール」または接合用ワイヤに対し
て都合のよい位置にパッドを作成するように配置され
る。 ● このネットワークにより、特に大量の熱を発生する
ＩＣ部分の真上に、電気的には機能しない（熱的にのみ
機能する）付加的なハンダ・ボール（またはワイヤ接
合）のための取付け位置が得られる。したがって、これ
らの高温ＩＣ部分から（外側の）熱シンクに熱流を放散
する温度勾配の大きな短い経路が得られる。 ● このネットワークは、電源用の接合パッドの大部分
を、チップの周縁に沿って整合させることから新しく生
成された接合可能な線路に移す。それにより、シリコン
の実際の面積領域の実質的に付加される量が節約され、
そして接合用機械がそれらの極めて厳格なコネクタ位置
および取付け規則から、はるかに緩やかな接合プログラ
ムに緩和する。
【００２０】本発明の１つの好ましい実施例では、半導
体デバイスのチップは第１チップ表面（「能動」表面）
の上に製造された集積回路を有する。この回路は能動部
品と、少なくとも１つの金属層と、機械的は強固で電気
的には絶縁体である保護被覆層とを有する。この保護被
覆層は、少なくとも１つの前記金属層と接触するための
金属が充填された複数個の貫通孔と、回路接触体パッド
を露出するための複数個の窓とを有する。このチップは
さらに、被覆体の上に沈着された導電体の膜の積層体を
有する。この膜がパターンに作成されて、能動部品に上
に実質的に垂直な線路のネットワークが作成される。こ
の積層体は貫通孔と接触する最も底の膜と、少なくとも
１つのストレス吸収膜と、非腐食性で金属学的に取付け
可能な最も外側の膜とを有する。このネットワークがパ
ターンに作成されて、熱エネルギを伝搬し、そして電源
電流およびアース電位を分配する。
【００２１】導電体（例えば、ハンダ・ボール）は、ネ
ットワーク線路を外側の電源に接続し、そして電気的に
は機能しない（熱的にのみ機能する）付加的な伝導体
（例えば、ハンダ・ボール）が、線路から外側の熱シン
クに熱流を流出するための線路上に分布される。
【００２２】本発明のまた別の実施例では、回路の接触
体パッドを露出するために、チップの被覆体の中に複数
個の窓が開けられる。チップ取付けパッドを有するリー
ドフレームにより、電力およびアースを供給する複数個
の第１セグメントと、電気信号を供給する複数個の第２
セグメントとが得られる。チップの第２（「受動」）表
面は、リードフレームの取付けパッドに取り付けられ
る。電気的および熱的な伝導体（例えば、接合用ワイ
ヤ）は、線路のネットワークを複数個の第１セグメント
でもって接続する。導電体（例えば、接合用ワイヤ）
は、チップ接触体パッドを複数個の第２セグメントでも
って接続する。
【００２３】本発明の１つの特徴は、回路の電力分配線
路と電力接続のためのチップ接触体パッドとにより使わ
れるシリコンの面積領域を小さくすることにより、ＩＣ
チップのコストを引き下げることができることである。
【００２４】本発明のまた別の特徴は、再設計の犠牲を
払わなくて電源を能動部品に幾何学的に最短の経路で接
続することが可能になることにより、回路設計の柔軟性
の新しい自由度が得られることである。
【００２５】本発明のまた別の特徴は、ハンダ接合およ
びワイヤ接合におけるボールの取付けに対して厳格な配
置規則を緩和することにより、組立体の製造可能性が改
良されることである。
【００２６】本発明のまた別の特徴は、パッド金属層
と、接触体パッドと回路とを分離する絶縁体層とを、機
械的ストレスと熱的ストレスと衝撃ストレスとを信頼性
をもって吸収するのに十分な厚さで備えることにより、
半導体探査とハンダ取付けおよびワイヤ接合の組立体の
処理工程と動作の信頼性を進歩させることである。
【００２７】本発明のまた別の特徴は、探査およびハン
ダ付けおよびワイヤ接合の処理工程に関する制限をなく
し、したがって非常に脆い回路誘電体に対してさえもひ
び割れ損傷を与える危険を最小限にすることができるこ
とである。
【００２８】本発明のまた別の特徴は、多くの種類の半
導体ＩＣ生産品に応用することができるように柔軟であ
り、および数世代の生産品に応用することができるよう
に一般的である、設計およびレイアウトの概念および処
理工程の方法が得られることである。
【００２９】本発明のまた別の特徴は、製造と検査と組
立てとに対する低コストで高速の処理工程が得られるこ
とである。
【００３０】本発明のまた別の特徴は、ＩＣデバイスの
製造において普通に用いられそして受け入れられている
設計の概念および処理工程のみを用い、したがって新規
の資本投下を避けることができそして設置されている製
造装置を基本として用いることである。
【００３１】これらの特徴は、大量生産に適した設計の
概念および処理工程に関する本発明に開示されている内
容により達成される。生産品の形状寸法および材料を種
々に選択できるように、種々の変更実施例を効果的に用
いることができる。
【００３２】本発明の技術的な利点およびその目的は、
本発明の好ましい実施例についての添付図面を参照して
の下記説明から明白になるであろう。
【００３３】
【発明の実施の形態】本発明は、1997年10月28日出願の
米国特許出願第08/959,410号、2000年７月７日米国出願
の第09/611,623号（シェン（Shen）ほか名の「能動回路
の上に接合層を備えた集積回路（Integrated Circuit w
ith Bonding Lyer over Active Circuitry）」）、2000
年７月27日米国出願の第60/221,051号（エフラント（Ef
lant）ほか名の「分布した接合および電流を有する集積
パワー回路（Integrated PowerCircuits with Distribu
ted Bonding and Current Flow）」）、ＴＩ−第31674
号（エフラント（Eflant）ほか名の「回路およびリード
フレームのパワー分配機能をチップ表面に集積した回路
構造体（Circuit Structure Integrating the Power Di
stribution Functions of Circuits and Leadframes in
to the Chip Surface）」）、およびＴＩ−第30955号
（エフラント（Eflant）ほか名の「能動集積回路の上に
沈着された個別化された低寄生パワー分配線路（Indivi
dualized LowParasitic Power Distribution Lines Dep
osited over Active Integrated Circuits）」）に関す
る。これらの出願中特許の内容は、参考として本発明の
中に取り込まれる。
【００３４】本発明の影響力は、従来の技術の欠点を強
調することにより最もよく理解することができる。図１
は、１００で全体的に示された集積回路（ＩＣ）の一部
分の単純化された立体概要図であって、先行技術の設計
および構成の形態をとっている。半導体基板１０１（通
常はシリコンで構成され、約225μｍと475μｍとの間の
厚さを有する）は、第１（「能動」）表面１０１ａおよ
び第２（「受動」）表面１０１ｂを有する。第２表面１
０１ｂは、基板（図１には示されていない）に取り付け
ることができる。複数個（通常は、14個ないし600個以
上）のハンダの「ボール」が選定されて、外側の部分に
対するフリップ・チップ接触体となる。図１にはボール
１０８ａ、１０８ｂ、１０９ａおよび１０９ｂのみが示
されている。
【００３５】前記で定義されたハンダの「ボール」とい
う用語は、ハンダ接触体が必ずしも球形であることを意
味するものではない。それらは種々の形状を有すること
ができる。例えば、半球形、半ドーム形、先端が切り取
られた円錐形、または全体的に隆起した形のような種々
の形状も可能である。的確な形状は、（蒸着、メッキ、
または予め製造されたユニットのような）沈着技術、
（赤外線加熱または放射線加熱のような）還流技術、お
よび材料の組成の関数である。ハンダ・ボールは、純粋
なスズ、およびスズ／銅、スズ／インジウム、スズ／
銀、スズ／ビスマス、スズ／鉛を含むスズ合金、および
導電性で接着性の化合物から成る群から選定することが
できる。
【００３６】ハンダ・ボールが金属学的に効果的に接着
するために、接触体パッドは特別のメタライゼーション
を受けなければならない。メタライゼーションおよびハ
ンダの構造および作成は、接触体の信頼性の特徴と共
に、多くの文献に説明されている。これらの文献の中で
最も著名なものは、ＩＢＭジャーナル・リサーチ・デベ
ロップメント（IBM J.Res.Develop.）第13巻、226-296
頁、1969年、の論文、すなわち、P.A.トッタ（P.A.Tott
a）ほか名の「ＳＬＴデバイス・メタラジィおよびその
モノリシック拡張体（STL Device Metallurgy and its
Monolithic Extension）」、L.F.ミラー（L.F.Miller）
名の「制御されたコラプス還流チップ接合（Controlled
Collapse Reflow Chip Joining）」、L.S.ゴールドマ
ン（L.S. Goldman）名の「制御されたコラプス相互接続
体の幾何学的最適化（Geometric Optimization of Cont
rolled Collapse Interconnections）」、K.C.ノリス
（K.C.Norris）ほか名の「制御されたコラプス相互接続
体の信頼性（Reliability of Controlled Collapse Int
erconnections）」、S.オクティ（S.Oktay）名の「制御
されたコラプス技術によって接合されたチップの中の温
度分布のパラメトリック研究（Parametric Study of Te
mperature Profiles in Chip Joined by Controlled Co
llapse Techniques）」、B.S.ベリー（B.S.Berry）ほか
名の「ＳＬＴチップ端子メタラジィの研究（Studies of
the SLT Chip Terminal Metallurgy）」である。
【００３７】ＩＣの複数個の能動部品（最近のＩＣで
は、能動部品の総数は大きく、しばしば100万個以上に
もなる。しかし、横方向および縦方向の寸法はなお小型
化されている。）がチップの第１表面１０１ａの中に埋
め込まれる。さらに、少なくとも１つのメタライゼーシ
ョン層（通常は純粋なアルミニウムまたは合金のアルミ
ニウムで、その厚さが0.4μｍ〜1.5μｍの間にある。Ｉ
Ｃによっては６個またはさらに多数個のメタライゼーシ
ョン層の階層がある）が、表面１０１ａの中に備えられ
る。この金属がパターンに作成されて、ＩＣの能動部品
と受動部品と接触体パッドとを接続する線路が作成され
る。電力を伝導する金属線路の場合、典型的な線路の幅
は約20μｍ〜250μｍの範囲内にある。能動部品と接触
体パッドとの間で電力を分配する曲がりくねった線路が
配置されるようにパターンに作成されたメタライゼーシ
ョンの一部分の概要図が図１に示されている。
【００３８】例示の目的のために、図１に示された能動
部品は２つの分離した電気的ループにグループ分けされ
る。１つのループは１０２ａから１０２ｎで示された能
動部品で構成され、そして他のループは１０３ａから１
０３ｎまでの能動部品で構成される。相互接続電力線路
１０４および１０５はそれぞれ、２つのループを組織化
する。ループ１０４は２つの端子１０６ａおよび１０６
ｂを有する。これらの端子は、外側の部分、特に外側の
電源、と接触体パッドとを接続するための導電体として
適切である接触体パッドとして製造される。最も多く製
造されるデバイスの型に応じて、１個のチップ当りの接
触体パッドの総数は14から600以上にまで変化すること
ができる。図１では、電気的相互接続体のための装置と
してハンダ・ボールが選定される。また別のオプション
としては、接合ワイヤまたは接合リボン（通常は金ワイ
ヤで直径が約20μｍから28μｍである）が用いられる。
このオプションは図３で説明される。図１のボール１０
８ａおよび１０８ｂはそれぞれ、接触体パッド１０６ａ
および１０６ｂに取り付けられる。同様に、ループ１０
５は２つの端子１０７ａおよび１０７ｂを有する。これ
らの端子はまた、ハンダ・ボールに対する接触体パッド
として製造される。ボール１０９ａおよび１０９ｂはそ
れぞれ、接触体パッド１０７ａおよび１０７ｂに取り付
けられる。
【００３９】図１に示されているように、半導体基板１
０１の第１表面１０１ａは保護被覆体１３０で均一に被
覆される。接触体パッド１０６ａおよび１０６ｂなど
は、この被覆体の窓として開口されている。この被覆体
の典型的な厚さは0.8μｍと1.2μｍとの間であり、機械
的に強くそして電気的には絶縁体であり、そして湿気を
通さない材料であることが好ましい。このような性質を
有する好ましい材料には、窒化シリコンおよび窒化酸化
シリコンがある。
【００４０】ＩＣの信号入力／出力を動作させるため
に、保護被覆体の中に窓を付加して開けて下側の接触体
パッド・メタライゼーションを露出させることが必要で
ある。これらの窓およびそれらのそれぞれのハンダ・ボ
ール接触体は、図１には示されていない。
【００４１】図１から考えられるように、熱的な有効
性、ＩＣおよびデバイスの設計、製造工程、および製品
の製造可能性に関して従来の技術が有している多くの問
題点および限界が存在する。 − 熱を発生する能動部品から遠く離れてハンダ・ボー
ルを配置することは、ＩＣの熱の伝搬および熱の除去に
対して非常に非効率的である。 − 熱を発生する能動部品の真上だけに熱の障壁となる
チップ被覆体を備えることは、そして次にデバイスの種
類に応じて熱の伝導度の悪い成型用化合物、下側充填剤
または雰囲気を備えることは、ＩＣの熱の伝搬および熱
の除去に対して非常に非効率的である。 − チップのまわりに電力入力／出力端子を配置するこ
とは、 − 長い電力線路によって能動回路部品を相互接続する
ことに対し、 − 電力分配線路に沿って避けることのできない電圧降
下を補償することに対し、 − 能動ＩＣ部品を配置するための融通のきかない設計
規則を受け入れることに対し、 − 貴重なシリコンの実際の面積領域を受け入れること
に対し、現行の困難を必然的に伴う。 − チップのまわりに非常に多数個の接合パッドを配置
することは、貴重なシリコンの実際の面積領域を消費す
る。
【００４２】図２は、従来の技術の前記で説明した欠点
を除くために、本発明の新機軸を要約したものである。
図２は、本発明によって開示される設計と製造の特徴を
有するＩＣチップの一部分の単純化された立体概要図で
あり、その全体が２００で示されている。半導体基板２
０１は、第１（「能動」）表面２０１ａおよび第２
（「受動」）表面２０１ｂを有する。第２表面２０１ｂ
は、基板（図２に示されていない）に取り付けることが
できる。
【００４３】ＩＣの複数個の能動部品（最近は複数個の
ＩＣの能動部品の総数は大きく、しばしば100万個以上
にもなるが、しかし横方向および縦方向の寸法はなお小
型化されている）がチップの第１表面２０１ａの中に埋
め込まれる。本発明に従い、図２に示された能動部品２
０２ａないし２０２ｎおよび２０３ａないし２０３ｎ
は、それらが共有する電源に従って、ＩＣ機能がこのこ
とを許す範囲まで組織化される。能動部品２０２ａない
し２０２ｎのすべては１つの電源電流端子（例えば、入
力端子）を共有し、そして能動部品２０３ａないし２０
３ｎのすべては他の端子（例えば、出力端子）を共有す
る。図２では、電源電流は部品２０２ａから部品２０３
ａに流れ、…、および部品２０２ｎから部品２０３ｎに
流れる。その相互接続線路は、図２において点線の輪郭
線で示されている。例えば、能動部品２０２ａから能動
部品２０３ａへの相互接続線路は２０４ａによって示さ
れ、…、能動部品２０２ｎから能動部品２０３ｎへの相
互接続線路は２０４ｎによって示されている。
【００４４】図２に示されているように、半導体基板２
０１の第１表面２０１ａは、したがってこの表面の中に
埋め込まれているＩＣは、保護被覆体２３０で均一に被
覆される。この被覆体は、厚さが0.4μｍと1.5μｍの間
にあり、機械的に強固で電気的には絶縁体であり、そし
て湿気を通さないことが好ましい。好ましい材料には、
窒化シリコン、酸化窒化シリコン、シリコンと炭素の合
金、およびそれらをサンドイッチした膜が含まれる。い
くつかの応用では、ポリイミド層を用いることができ
る。
【００４５】熱の放散および電力分配の線路のネットワ
ークが保護被覆体２３０の中の露出した表面の上に沈着
され、そしてＩＣの能動部品の真上で実質的に垂直に配
置されることは、本発明にとって非常に重要である。そ
の結果、ＩＣチップの能動表面２０１ａの上に金属線路
が集積される。図２では、熱放散および電力分配の線路
の１つが２５１で示され、他の１つが２５２で示されて
いる。材料の構造と組成および製造工程が下記で説明さ
れる。金属線路２５１および２５２の熱コンダクタンス
は、（２０４ａ、…、２０４ｎのような）下側にある薄
膜金属相互接続体の熱コンダクタンスよりも少なくとも
１桁大きい。
【００４６】さらに、電力分配線路の下の選定された能
動部品は（熱的にも電気的にも）良導体でありそして電
力線路に垂直に接続されることは、本発明にとって非常
に重要である。この接続は、能動部品のメタライゼーシ
ョンと熱および電力の分配線路と接触している金属充填
貫通孔２６０によって得られることが好ましい。貫通孔
２６０は、標準的なフォトリソグラフィ技術を用いて、
被覆体２３０をパターンに作成しそしてエッチングする
ことによって作成される。この貫通孔は次に、下記で説
明される電力線路メタライゼーションの沈着と一緒に、
金属で充填される。
【００４７】沈着された線路２５１および２５２の最も
外側の金属は、接合可能である（そしてハンダ付け可能
である、下記を見よ）材料から選定される。導電体がこ
の最も外側の金属を外部電源と接続し、そして付加的な
熱伝導体（電気的には絶縁体）がこの最も外側の金属を
外部の熱シンクと接続する。図２では、ハンダ・ボール
が電気的および熱的な相互接続体に対する好ましい技術
として選定されている。図３では、ワイヤ接合が選定さ
れた技術である（ワイヤは、直径が約20μｍから30μｍ
の純粋または合金の金、銅、またはアルミニウムである
ことが好ましい）。
【００４８】導電体の下の能動部品から放出される熱エ
ネルギの放散を増強するように導電体の位置を選定する
ことが、本発明にとって非常に重要である。このこと
は、線路および接続伝導体が、１個または多数個の選定
された能動部品から対応する線路までのおよびそれに熱
流が放出されるべきシンクまでの熱流に対する温度勾配
を大きくするように、配置されることを意味する。図２
では、線路２５１および２５２に取り付けられた複数個
のハンダ・ボール２７１、２７２、…が示されている。
いくつかは電気的接続の役割を果たすが、他のものは電
気的には機能を果たさなく、金属が充填された貫通孔に
よって線路に接続されている能動ＩＣ部品にほぼ真上に
配置される。この幾何学的に最も短い接続により、能動
部品から熱シンクまでの大きな温度勾配が得られる。さ
らに、この接続は熱伝導率の大きな金属でもって作成さ
れる。
【００４９】能動ＩＣ部品の上に集積された接合を有す
るＩＣチップの熱的能力の増強を最大にするために、下
記の改良が同時に提供される。 − 金属線路が能動チップの表面の上に沈着され、した
がって能動表面の上に集積される。これらの金属線路
は、ＩＣの中で一般に行われている下側の薄膜電気的相
互接続体よりも少なくとも１桁大きい熱コンダクタンス
を有する。 − ハンダ・ボール（または接合ワイヤまたは接合リボ
ン）がこれらの線路を外部の熱シンクに接続する。 − 線路およびハンダ・ボールが、１個または多数個の
選定された能動部品から熱流が放出されるべき対応する
線路およびシンクへの熱流に対して大きな温度勾配を与
えるように配置される。
【００５０】図３に示されているように、接合ワイヤ３
７１および３７２と３８１および３８２は、電気的接続
と共に熱的接続をも得るのに用いられる。ボール３０１
および３０２と３１１および３１２はそれぞれ、線路２
５１および２５２に取り付けられる。スイッチ３２１お
よび３２２と３３１および３３２はそれぞれ、外側の部
分（リードフレームの導線チップ、または熱シンク）３
９１および３９２に取り付けられる。ワイヤ接合におけ
る最近の技術的進歩により最近はしっかりと制御された
ワイヤ・ループおよびループ形状の作成が可能であるこ
とは、本発明にとって重要である。例えば、図３に示さ
れているように、ループ３４０はループ３４１よりもは
るかに長い。7.5ｍｍまたはそれ以上の長さのワイヤ
は、現在の接合剤でもって達成することができる。この
ような進歩は、例えば、クリッケおよびソファ（Kulick
e & Soffa）（ウイロウ・グルーブ、ペンシルベニア、
米国（Willow Grove,PA,U.S.A.））によるコンピュータ
処理接合剤８０２０に見られる、またはテキサス・イン
スツルーメンツ、ダラス、テキサス、米国（Texas Inst
ruments, Dallas, TX, U.S.A.）によるＡＢＡＣＵＳ
ＳＡに見られる。予め定められた方式およびコンピュー
タ制御の方式で細い穴を空中で移動することにより、正
確に定められた形状のワイヤ・ループが作成されるであ
ろう。例えば、丸いループ路、台形のループ路、直線の
ループ路および特別注文のループ路を作成することがで
きる。けれども全体的には、たるみまたはワイヤの湾曲
の危険を避けるために、ワイヤ・ループは２ｍｍ〜３ｍ
ｍ以下に保たれる。
【００５１】図２の線路２５１および２５２のための沈
着された電力分配メタライゼーションの好ましい構造体
は、保護被覆体２３０と貫通孔２６０の底部とに取り付
けられたシード金属層と、その後の比較的に薄い第１ス
トレス吸収金属層と、比較的に厚い第２ストレス吸収層
と、最後に最も外側の接合可能な金属層とから成る。シ
ード金属層は、タングステン、チタン、窒化チタン、モ
リブデン、クロム、およびそれらの合金とから成る群か
ら選定されることが好ましい。シード金属層は導電体で
あり、そしてＩＣ能動部品のメタライゼーションと保護
被覆体との両方と接着し、それによりその上側表面の露
出した部分に電気メッキすることが可能であり、そして
後でストレス吸収金属が部品のメタライゼーション層に
移行することが防止される。シード金属層の厚さは、約
100ｎｍと500ｎｍとの間である。またはそれとは異なっ
て、シード金属層は２つの金属層で構成することができ
る。例えば、第２金属は銅であることができる。それ
は、銅は後での電気メッキに対して適切な表面を提供す
るからである。
【００５２】単一のシード層はストレス吸収バッファ体
として信頼性をもって作用するのに十分な厚さを有する
耐火性の金属作成されることが好ましいことが、本発明
にとって指摘しておかなければならない。そのため満足
できる厚さは約200ｎｍと500ｎｍとの間の厚さであり、
そして好ましい厚さは約300ｎｍである。最適のストレ
ス吸収に対する厚さは選定された金属に応じて変わるだ
けでなく、また選定された沈着技術、沈着の速さ、およ
び沈着の期間中のシリコン基板の温度によっても変わ
る。それは、これらのパラメータは沈着された層の微結
晶の結晶性を決定するからである。例えば、タングステ
ンのシャッタ沈着が用いられる時、層の形成は雰囲気温
度にあるシリコン基板の上に約４ｎｍ／ｓ〜５ｎｍ／ｓ
の速さで実行され、そして少なくとも300ｎｍの厚さに
到達した時約70℃に増加することが好ましいことが分か
っている。このようにして生成されたタングステンの微
結晶は、組立て中のワイヤ接合工程の期間中のストレス
を吸収する「バネ」として、それらが信頼性をもって作
用するような平均寸法および分布を有する。
【００５３】ストレス吸収層を沈着するために、電気メ
ッキ工程を用いると利点が得られる。第１ストレス吸収
金属層の１つの例は銅である。その厚さが約２μｍ〜35
μｍの範囲内にあれば、ワーヤを接合するような接続伝
導体の後での取付けに対して機械的に強固な支持層が作
成される。第２ストレス吸収金属層の１つの例は、厚さ
が約１μｍ〜５μｍの範囲内にあるニッケルである。
【００５４】最も外側の層は、金属学的に接合可能、お
よび／またはハンダ付け可能である。もしハンダ付けが
（図２に示されたように）選定された接続方法でありそ
して最も外側の層がハンダ付け可能であるべきであるな
らば、好ましい金属はパラジウム、金、銀、および白金
から選定される。もしワイヤ接合が（図３に示されたよ
うに）選定された接続方法でありそして最も外側の層が
接合可能であるべきであるならば、好ましい金属は純粋
または合金のアルミニウム、金、パラジウム、銀および
ハンダ付可能なものから選定される。これらの両方の場
合において、厚さは500ｎｍ〜2800ｎｍの範囲内にあ
る。特定のデバイスの必要に適合するために、層の総
数、材料およびそれらの厚さの選定、および沈着工程を
変えることができることが理解されるであろう。
【００５５】ネットワーク線路または分配線路のパター
ンをメッキすることにより、要求された任意のレイアウ
トを作成することができる。図２および図３の実施例か
ら分かるように、接続線路のパターンは、細長い形状ま
たは直線の形状を有することができる。けれども、貫通
孔の上に垂直に部品のメタライゼーションにまで延長す
ることがその機能である。その他の点では、貫通孔の直
接の面積領域を幾何学的に越えて延長することができ、
そして例えば、特に大きな直径の接合ワイヤまたはハン
ダ・ボールを収容するのに十分な表面積を提供する広が
った部分に拡大することができる。この時、これらの取
付け「パッド」は、ハンダ・ボール、ウエッジ接合また
はステッチ接合に対して同じように十分に適切であるこ
とができる。
【００５６】前記で指摘したように、最も外側の線路層
はハンダ付け可能であるように選定することができる。
この時、標準的な再流動技術によってハンダ・ボールを
それに取り付けることができる。けれども、バンプ形成
の期間中および外部パッケージまたは外部ボードへの後
での取付けの期間中、定められた面積領域および形状の
中にフリップ・チップ・バンプを保持するために、それ
ぞれのハンダ・ボールに対する開口部を有する付加的な
ハンダ・マスクまたはポリイミド層を用いると賢明であ
ることが多いことが、前記で引用した米国特許出願第09
/611,623号および第60/221,051号に説明されている。
【００５７】ＩＣの信号入力／出力を動作させるため
に、保護被覆体の中に付加的な窓を開けて、下側の接触
体パッド・メタライゼーションを露出させることが必要
である。そして、これらの接触体窓にワイヤ接合または
ハンダ・ボールを取り付けることができる。これらの窓
およびそれらのそれぞれのワイヤ接合は、図２および図
３には示されていない。
【００５８】保護被覆体の上に沈着された少なくともい
くつかの線路および分配ネットワークの部分は、電気的
アース電位の流通を得るために、パターンに作成されそ
して用いられる。
【００５９】
【他の実施例】本発明が例示された実施例を参照して説
明されたが、このことは本発明の範囲が説明された実施
例に限定されることを意味するものではない。例示され
た実施例を種々に変更した実施例および組み合わせた実
施例さらに本発明の他の実施例が可能であることは、こ
の説明を参照すれば当業者には容易に理解されるであろ
う。
【００６０】１つの例として、本発明はシリコン、シリ
コン・ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、または集積回路の
製造に用いられる他の任意の半導体材料で作成された集
積回路を包含している。
【００６１】また別の例として本発明は、ＩＣの中の熱
の発生が不均一である時でも、回路の主要な熱放散機能
をＩＣチップ表面の中に集積した回路構造体を備えた半
導体集積回路を、全体的に包含している。電力分配線路
の位置および外側の熱シンクへの熱接続の位置は、もし
それが熱接続体（例えば、ハンダ・ボール）の不均一分
布を結果として生ずることがあっても、それらが熱コン
ダクタンスおよび温度勾配を最大にするように選定され
る。
【００６２】したがって、請求項はこのような変更実施
例を包含するものと理解しなければならない。
【００６３】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） チップの能動表面の上に集積されおよび能動部
品の１つに熱伝導的に接続された電気的には機能しない
金属性熱伝導体と、前記伝導体の下の前記能動部品から
放出される熱エネルギの放散を増強するために選定され
た前記伝導体の位置と、を有するその能動表面の上に能
動部品を有する集積回路チップ。
【００６４】（２） 下側の薄膜電気相互接続体よりも
少なくとも１桁大きい熱コンダクタンスを有し活性表面
の上に集積された金属線路と、外側の熱シンクに前記線
路を接続するための装置と、１個または多数個の選定さ
れた能動部品からそれに熱流が放出されるべき前記シン
クおよび対応する線路への前記熱流に対する温度勾配を
大きくするために配置された前記線路および前記接続装
置と、を有するその能動表面の上に能動部品を有する集
積回路チップ。
【００６５】（３） 下側の薄膜電気相互接続体よりも
少なくとも１桁大きい熱コンダクタンスを有し能動部品
の真上に位置された前記チップの表面に沈着された電力
分配線路の金属ネットワークと、前記線路の下の選定さ
れた能動部品に垂直方向に電気的および熱的に接続され
た前記線路と、外側の電源に前記線路を接続するように
動作することができる導電体と、前記能動部品および線
路から熱流を取り去るために温度勾配を大きくするよう
に動作することができ前記線路に分配された電気的には
機能しない付加的な伝導体と、を有するその活性表面の
上に能動部品を有する集積回路チップ。
【００６６】（４） 第１表面および第２表面を有する
半導体チップと、前記第１チップ表面の上に製造され、
能動部品と少なくとも１つの金属層とを有し、少なくと
も１つの前記金属層に接触するために複数個の金属充填
貫通孔を有し機械的に強固で電気的には絶縁体である被
覆体によって保護された、集積回路と、前記被覆体の上
に沈着され、前記能動部品の上に実質的に垂直に線路の
ネットワークにパターンに作成され、前記貫通孔と接触
し、少なくとも１つのストレス吸収膜と非腐食性で金属
学的に取付け可能である最も外側の膜とを有する、伝導
体膜と、熱エネルギを伝搬するためにおよび電力電流お
よびアース電位を分配するためにパターンに作成された
ネットワークと、前記ネットワーク線路を外側の電源に
接続する導電体と、前記線路から外側の熱シンクに熱流
を流し去るための前記線路の上に分布された熱のみを伝
導する付加的な伝導体と、を有するチップ表面の上に付
加的な伝導体ネットワークを有する半導体デバイス。
【００６７】（５） 第４項記載のデバイスにおいて、
回路接触体パッを露出するために前記チップ被覆体の中
に開口している複数個の窓と、チップ取付けパッドと、
電力およびアースを提供する複数個の第１セグメント
と、電気信号を供給する複数個の第２セグメントとを有
するリードフレームと、前記チップ取付けパッドに取り
付けられた前記第２チップ表面と、前記ネットワーク線
路を複数個の前記第１セグメントと接続する電気的・熱
的伝導体と、前記チップ接触体パッドを複数個の前記第
２セグメントと接続する導電体と、をさらに有するデバ
イス。
【００６８】（６） 第５項記載のデバイスにおいて、
電気的・熱的伝導体が接合ワイヤまたは接合リボンであ
るデバイス。
【００６９】（７） 第４項記載のデバイスにおいて、
接合可能およびハンダ付け可能な複数個の電気的接触体
パッドを備えた基板と、前記基板の中に集積されおよび
前記接触体パッドに熱的に接続された熱シンクと、前記
チップ・ネットワーク線路と前記基板接触体パッドとを
接続する電気的・熱的伝導体と、をさらに有するデバイ
ス。
【００７０】（８） 第７項記載のデバイスにおいて、
前記電気的・熱的伝導体がハンダ・ボールまたはハンダ
・バンプであるデバイス。
【００７１】（９） 第７項記載のデバイスにおいて、
前記チップがシリコン、シリコン・ゲルマニウム、ヒ化
ガリウム、および電子デバイスの製造に通常用いられる
その他の任意の他の半導体材料から成る群から選定され
たデバイス。
【００７２】（１０） 第４項記載のデバイスにおい
て、前記回路が水平におよび垂直に配置された複数個の
能動電子部品および受動電子部品を有するデバイス。
【００７３】（１１） 第４項記載のデバイスにおい
て、前記集積回路が多重層メタライゼーションを有し、
前記層の少なくとも１つが純粋または合金の銅、アルミ
ニウム、ニッケルまたは耐火性金属で作成されるデバイ
ス。
【００７４】（１２） 第４項記載のデバイスにおい
て、前記被覆体が窒化シリコン、酸化窒化シリコン、シ
リコン・炭素合金、ポリイミド、およびそれらがサンド
イッチされた膜から成る群から選定された材料で構成さ
れるデバイス。
【００７５】（１３） 第５項記載のデバイスにおい
て、前記リードフレームが銅、銅合金、アルミニウム、
鉄・ニッケル合金、またはインバールから成る群から選
定されたシート状の材料で予め製造されるデバイス。
【００７６】（１４） 第６項記載のデバイスにおい
て、前記チップと、チップ取付けパッドと、導電体と、
前記第１および第２の複数個のリードフレーム・セグメ
ントの少なくとも部分とを封入する封止体をさらに有す
るデバイス。
【００７７】（１５） 第１４項記載のデバイスにおい
て、前記封止体が熱伝導性の充填剤と一緒にポリマ化合
物を用いてトランスファ成型工程を有するデバイス。
【００７８】（１６） 第４項記載のデバイスにおい
て、前記伝導膜が銅、ニッケル、アルミニウム、タング
ステン、チタン、モリブデン、クロム、およびそれらの
合金から成る群から選定された少なくとも１つのストレ
ス吸収金属層を有するデバイス。
【００７９】（１７） 第４項記載のデバイスにおい
て、前記最も外側の金属層が純粋または合金の金、パラ
ジウム、銀、白金、およびアルミニウムから成る群から
選定されるデバイス。
【００８０】（１８） 第６項記載のデバイスにおい
て、前記接合ワイヤが純粋または合金の金、銅、および
アルミニウムから成る群から選定されるデバイス。
【００８１】（１９） 第８項記載のデバイスにおい
て、前記ハンダ・ボールが純粋なスズと、スズ／銅、ス
ズ／インジウム、スズ／銀、スズ／ビスマス、スズ／鉛
を含むスズ合金、および導電性で接着性の化合物から成
る群から選定されるデバイス。
【００８２】（２０） 第４項記載のデバイスにおい
て、前記金属充填貫通孔と一緒に線路の前記ネットワー
クにより前記能動回路部品の間に電力分配機能が得られ
るデバイス。
【００８３】（２１） 能動部品と、少なくとも１つの
金属層と、機械的には強固で電気的に絶縁体である保護
被覆体とを有する集積回路を第１チップ表面の上に作成
する段階と、少なくとも１つの前記金属層に接続するた
めに前記被覆体を通して貫通孔を作成する段階と、少な
くとも１つのストレス吸収膜と非腐食性で金属学的に取
付け可能な最も外側の膜とを有する金属膜の積層体を前
記被覆体の上に沈着することによって前記貫通孔を充填
する段階と、線路が前記能動部品の上に実質的に垂直に
配置されおよび熱の放散に対して適切であるように線路
のネットワークの中に前記膜をパターンに作成する段階
と、回路の接触体パッドを露出するために前記被覆体の
中に複数個の窓を作成する段階と、前記線路を外側の電
源に接続するように動作することができる導電体を取り
付ける段階と、前記能動部品および線路から熱流を取り
去るために温度勾配を大きくするように動作することが
でき前記線路に分配された熱のみを伝導する付加的な伝
導体を取付ける段階と、導電体を前記回路接触体パッド
に取付ける段階と、を有し第１表面および第２表面を備
えた半導体チップを有する半導体デバイスを製造する方
法。
【００８４】（２２） 第２１項記載の方法において、
チップ取付けパッドと、電気信号に対して適切な複数個
の第１セグメントと、電力およびアースに対して適切な
複数個の第２セグメントとを有する予め製造されたリー
ドフレームを備える段階と、前記チップを前記チップ取
付けパッドに取り付ける段階と、前記回路接触体パッド
に取り付けられた前記導電体を複数個の前記第１セグメ
ントに取り付ける段階と、前記線路に取り付けられた前
記導電体を複数個の前記第２セグメントに取り付ける段
階と、をさらに有する方法。
【００８５】（２３） 第２１項記載の方法において、
熱的および電気的な伝導体を前記線路および接触体パッ
ドに取付ける前記段階が接合ワイヤまたは接合リボンに
取付ける段階またはハンダ・ボールを再流動する段階の
いずれかを有する方法。
【００８６】（２４） 第２２項記載の方法において、
前記チップと、チップ取付けパッドと、熱的および電気
的な伝導体と、パッケージの中の前記リードフレーム・
セグメントの少なくとも一部分とを封止する段階をさら
に有する方法。
【００８７】（２５） 集積回路（ＩＣ）チップ２００
は、下にある薄膜電気的相互接続体２０４ａ〜２０４ｎ
よりも少なくとも１桁大きい熱コンダクタンスを有する
電力分配線路２５１、２５２の金属ネットワークを有す
る。これらの線路はチップ（図２）の表面の上に沈着さ
れ、そして能動ＩＣ部品２０２、２０３の真上に配置さ
れ、および線路の下の選定された能動に垂直方向に電気
的におよび熱的に接続される。導電体２７１、２７２
は、これらの線路を外側の電源に接続するように動作す
ることができる。電気的に機能しない付加的な伝導体２
７１、２７２が線路上に分布され、前記能動部品および
線路から熱流を取り去るための温度勾配を大きくするよ
うに動作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術に従い、外側の部分に接続するために
接触体パッドに取り付けられたハンダ・ボールを備えた
集積回路チップの一部分の単純化された立体概要図。
【図２】本発明に従い、この構造体を外側の熱シンクに
接続するための沈着された表面構造体および装置を有す
る集積回路チップの一部分の単純化された立体概要図。
【図３】本発明に従い、回路およびリードフレームの電
力分配機能を集積した表面構造体に取り付けられた接合
用ワイヤを有する集積回路チップの一部分の単純化され
た立体概要図。
【符号の説明】
２０２、２０３ 能動ＩＣ部品 ２０４ 薄膜電気的相互接続体 ２５１、２５２ 電気的には機能しない金属性伝導体 ２７１、２７２ 伝導体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チップの能動表面の上に集積されおよび
    能動部品の１つに熱伝導的に接続された電気的には機能
    しない金属性熱伝導体と、 前記伝導体の下の前記能動部品から放出される熱エネル
    ギの放散を増強するために選定された前記伝導体の位置
    と、を有するその能動表面の上に能動部品を有する集積
    回路チップ。
  2. 【請求項２】 能動部品と、少なくとも１つの金属層
    と、機械的に強固で電気的に絶縁体である保護被覆体と
    を有する集積回路を第１チップ表面の上に作成する段階
    と、 少なくとも１つの前記金属層に接続するために前記被覆
    体を通して貫通孔を作成する段階と、 少なくとも１つのストレス吸収膜と非腐食性で金属学的
    に取付け可能な最も外側の膜とを有する金属膜の積層体
    を前記被覆体の上に沈着することによって前記貫通孔を
    充填する段階と、 線路が前記能動部品の上に実質的に垂直に配置されおよ
    び熱の放散に対して適切であるように前記線路のネット
    ワークの中に前記膜をパターンに作成する段階と、 回路の接触体パッドを露出するために前記被覆体の中に
    複数個の窓を作成する段階と、 前記線路を外側の電源に接続するように動作することが
    できる導電体を取り付ける段階と、 前記能動部品および線路から熱流を取り去るために温度
    勾配を大きくするように動作することができ前記線路に
    分配された熱のみを伝導する付加的な伝導体を取付ける
    段階と、 導電体を前記回路接触体パッドに取付ける段階と、 を有し第１表面および第２表面を備えた半導体チップを
    有する半導体デバイスを製造する方法。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6359334B1 (en) 1999-06-08 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Thermally conductive adhesive tape for semiconductor devices and method using the same
US6597065B1 (en) * 2000-11-03 2003-07-22 Texas Instruments Incorporated Thermally enhanced semiconductor chip having integrated bonds over active circuits
JP3952963B2 (ja) * 2003-02-21 2007-08-01 ヤマハ株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7111771B2 (en) * 2003-03-31 2006-09-26 Intel Corporation Solders with surfactant-refined grain sizes, solder bumps made thereof, and methods of making same
US6812580B1 (en) * 2003-06-09 2004-11-02 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package having optimized wire bond positioning
US20050151268A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Boyd William D. Wafer-level assembly method for chip-size devices having flipped chips
TWI232571B (en) * 2004-04-09 2005-05-11 Advanced Semiconductor Eng Wafer structure and method for forming a redistribution layer therein
US7084494B2 (en) * 2004-06-18 2006-08-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package having integrated metal parts for thermal enhancement
WO2006053277A2 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Chippac, Inc. Wire bond interconnection
US7868468B2 (en) * 2004-11-12 2011-01-11 Stats Chippac Ltd. Wire bonding structure and method that eliminates special wire bondable finish and reduces bonding pitch on substrates
US7476976B2 (en) * 2005-02-23 2009-01-13 Texas Instruments Incorporated Flip chip package with advanced electrical and thermal properties for high current designs
US7355289B2 (en) * 2005-07-29 2008-04-08 Freescale Semiconductor, Inc. Packaged integrated circuit with enhanced thermal dissipation
JP5481769B2 (ja) * 2006-11-22 2014-04-23 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7572679B2 (en) * 2007-07-26 2009-08-11 Texas Instruments Incorporated Heat extraction from packaged semiconductor chips, scalable with chip area
US7800207B2 (en) * 2007-10-17 2010-09-21 Fairchild Semiconductor Corporation Method for connecting a die attach pad to a lead frame and product thereof
US7960845B2 (en) * 2008-01-03 2011-06-14 Linear Technology Corporation Flexible contactless wire bonding structure and methodology for semiconductor device
JP5062283B2 (ja) * 2009-04-30 2012-10-31 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP2256802A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-01 Nxp B.V. Semiconductor chip and method of manufacturing a semiconductor chip
US9271390B2 (en) * 2014-07-15 2016-02-23 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device with active shielding of leads
WO2016182547A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Hewlett-Packard Development Company, L. P. Roller damper
US9530798B1 (en) 2015-06-24 2016-12-27 Globalfoundries Inc. High performance heat shields with reduced capacitance

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT7821073V0 (it) * 1978-03-09 1978-03-09 Ates Componenti Elettron Morsetto per il fissaggio di un dispositivo a semiconduttore ad un dissipatore di calore.
US4346396A (en) * 1979-03-12 1982-08-24 Western Electric Co., Inc. Electronic device assembly and methods of making same
US4518982A (en) * 1981-02-27 1985-05-21 Motorola, Inc. High current package with multi-level leads
JP2616565B2 (ja) * 1994-09-12 1997-06-04 日本電気株式会社 電子部品組立体
US5610442A (en) * 1995-03-27 1997-03-11 Lsi Logic Corporation Semiconductor device package fabrication method and apparatus
US6075289A (en) * 1996-10-24 2000-06-13 Tessera, Inc. Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies
US6597065B1 (en) * 2000-11-03 2003-07-22 Texas Instruments Incorporated Thermally enhanced semiconductor chip having integrated bonds over active circuits

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