JP2002201099A - 炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2002201099A JP2002201099A JP2000401634A JP2000401634A JP2002201099A JP 2002201099 A JP2002201099 A JP 2002201099A JP 2000401634 A JP2000401634 A JP 2000401634A JP 2000401634 A JP2000401634 A JP 2000401634A JP 2002201099 A JP2002201099 A JP 2002201099A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層欠陥が低減され、しかも表面リークパス
の原因が排除された３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を再現性良く製
造する。 【解決手段】 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法において、
Ｓｉ基板１１の表面に、頂部と底部が一方向に連続して
形成され、且つ頂部及び底部が一定間隔で周期的に配置
されたラインアンドスペース状のパターンを、相互に直
交させた格子状の起伏１３を形成したのち、このＳｉ基
板１１の起伏１３を有する表面上に第１の３Ｃ−ＳｉＣ
層２１をエピタキシャル成長し、次いで第１の３Ｃ−Ｓ
ｉＣ層２１からＳｉ基板１１を除去し、しかるのち第１
の３Ｃ−ＳｉＣ層２１のＳｉ基板１１を除去した面と反
対側の面上に第２の３Ｃ−ＳｉＣ層２２をエピタキシャ
ル成長する。
の原因が排除された３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を再現性良く製
造する。 【解決手段】 ＳｉＣ単結晶基板の製造方法において、
Ｓｉ基板１１の表面に、頂部と底部が一方向に連続して
形成され、且つ頂部及び底部が一定間隔で周期的に配置
されたラインアンドスペース状のパターンを、相互に直
交させた格子状の起伏１３を形成したのち、このＳｉ基
板１１の起伏１３を有する表面上に第１の３Ｃ−ＳｉＣ
層２１をエピタキシャル成長し、次いで第１の３Ｃ−Ｓ
ｉＣ層２１からＳｉ基板１１を除去し、しかるのち第１
の３Ｃ−ＳｉＣ層２１のＳｉ基板１１を除去した面と反
対側の面上に第２の３Ｃ−ＳｉＣ層２２をエピタキシャ
ル成長する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３Ｃ（立方晶系）
のＳｉＣ単結晶の気相成長技術に係わり、特に半導体素
子を製造する上で望ましい結晶性の優れた３Ｃ−ＳｉＣ
単結晶基板の製造方法、及びこの基板を用いた半導体装
置の製造方法に関する。
のＳｉＣ単結晶の気相成長技術に係わり、特に半導体素
子を製造する上で望ましい結晶性の優れた３Ｃ−ＳｉＣ
単結晶基板の製造方法、及びこの基板を用いた半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳｉＣ（炭化珪素）の成長は、昇
華法によるバルク結晶成長と、基板上へＳｉ化合物の原
料ガス及びＣ化合物の原料ガスを供給して反応によって
ＳｉＣを生成させる気相エピタキシャル成長法による薄
膜形成とに分類されてきた。
華法によるバルク結晶成長と、基板上へＳｉ化合物の原
料ガス及びＣ化合物の原料ガスを供給して反応によって
ＳｉＣを生成させる気相エピタキシャル成長法による薄
膜形成とに分類されてきた。
【０００３】昇華法によるバルク結晶成長では、高温安
定相の結晶多形である六方晶系６ＨのＳｉＣ，同じく六
方晶系であるがやや低温相の４ＨのＳｉＣの〈０００
１〉成長が可能であり、実際にこのような（０００１）
ＳｉＣ基板が販売されるまでになっている。しかしなが
ら、未だマイクロバイブと呼ばれる欠陥の密度が高く、
また基板面積の拡大が困難な状況であった。
定相の結晶多形である六方晶系６ＨのＳｉＣ，同じく六
方晶系であるがやや低温相の４ＨのＳｉＣの〈０００
１〉成長が可能であり、実際にこのような（０００１）
ＳｉＣ基板が販売されるまでになっている。しかしなが
ら、未だマイクロバイブと呼ばれる欠陥の密度が高く、
また基板面積の拡大が困難な状況であった。
【０００４】これに対し、単結晶基板上への気相エピタ
キシャル成長法を用いると、不純物添加の制御性が格段
に向上したり、基板面積の拡大により容易に大面積のエ
ピタキシャル成長膜が得られたり、前述のマイクロバイ
ブ密度の低減が実現できたりする。しかしながら、気相
エピタキシャル成長法では、しばしば基板材料とＳｉＣ
膜の格子定数の差に起因する欠陥密度の増大が問題にな
る。特に、成長時に用いられる基板として一般的なＳｉ
はＳｉＣとの格子定数差が大きいため、成長される３Ｃ
−ＳｉＣ層内に双晶や反位相領域境界面（ＡＰＢ：Anti
Phase Boundary）の発生が著しく、これがＳｉＣ半導
体装置の実現を阻んでいた。
キシャル成長法を用いると、不純物添加の制御性が格段
に向上したり、基板面積の拡大により容易に大面積のエ
ピタキシャル成長膜が得られたり、前述のマイクロバイ
ブ密度の低減が実現できたりする。しかしながら、気相
エピタキシャル成長法では、しばしば基板材料とＳｉＣ
膜の格子定数の差に起因する欠陥密度の増大が問題にな
る。特に、成長時に用いられる基板として一般的なＳｉ
はＳｉＣとの格子定数差が大きいため、成長される３Ｃ
−ＳｉＣ層内に双晶や反位相領域境界面（ＡＰＢ：Anti
Phase Boundary）の発生が著しく、これがＳｉＣ半導
体装置の実現を阻んでいた。
【０００５】気相エピタキシャル成長法による３Ｃ−Ｓ
ｉＣ膜内の欠陥を低減させる方法として、例えば被成長
基板上に成長領域を設ける工程と、この成長領域にＳｉ
Ｃ単結晶をその厚さが、基板の成長面方位に同有な厚さ
と同一又はそれ以上になるように成長させる工程を有
し、固有な厚さ以降の面欠陥を低減する技術が提案され
ている（特公平６−４１４００号公報）。しかしなが
ら、３Ｃ−ＳｉＣ中に含まれる２種類の反位相領域同士
は、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚増加に対して互いに直交した方
向へと拡大する特性を有しているため、反位相領域境界
界面を効果的に低減することができない。さらに、成長
した３Ｃ−ＳｉＣ表面に形成される超構造の向きを任意
に制御することができないため、例えば離散した成長領
域同士が成長に伴って結合した場合には、この結合部に
新たに反位相領域境界面が形成されてしまい、所望の電
気的特性を実現することができない。
ｉＣ膜内の欠陥を低減させる方法として、例えば被成長
基板上に成長領域を設ける工程と、この成長領域にＳｉ
Ｃ単結晶をその厚さが、基板の成長面方位に同有な厚さ
と同一又はそれ以上になるように成長させる工程を有
し、固有な厚さ以降の面欠陥を低減する技術が提案され
ている（特公平６−４１４００号公報）。しかしなが
ら、３Ｃ−ＳｉＣ中に含まれる２種類の反位相領域同士
は、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚増加に対して互いに直交した方
向へと拡大する特性を有しているため、反位相領域境界
界面を効果的に低減することができない。さらに、成長
した３Ｃ−ＳｉＣ表面に形成される超構造の向きを任意
に制御することができないため、例えば離散した成長領
域同士が成長に伴って結合した場合には、この結合部に
新たに反位相領域境界面が形成されてしまい、所望の電
気的特性を実現することができない。
【０００６】反位相領域境界面を効果的に低減する方法
として、表面法線軸を［１００］から［１１０］方向に
僅かに傾けた（オフ角を導入した）Ｓｉ（００１）面基
板上への成長法が提案された（アブライド・フィジック
ス・レターズ、５０巻、１９８７年、１８８８頁参
照）。この方法は、基板に微傾斜を付けることで、原子
レベルのステップが一方向に等間隔で導入されるため、
導入されたステップに平行な方向の面欠陥が伝播し、一
方、導入されたステップに垂直な方向（ステップを横切
る方向）への面欠陥の伝播を抑制する効果がある。そし
て、ＳｉＣの膜厚増加に伴って、膜中に含まれる２種類
の反位相領域の内、導入されたステップに平行な方向へ
拡大する反位相領域が、直交する方向へ拡大する反位相
領域に比べて優先的に拡大するため、反位相領域境界面
を効果的に低減することができる。しかしながら、この
方法は、ＳｉＣ／Ｓｉ界面のステップ密度の増大によ
り、不本意な反位相領域境界面の生成を引き起こしてし
まい、反位相領域境界面の完全解消には至らないと云う
問題があった。
として、表面法線軸を［１００］から［１１０］方向に
僅かに傾けた（オフ角を導入した）Ｓｉ（００１）面基
板上への成長法が提案された（アブライド・フィジック
ス・レターズ、５０巻、１９８７年、１８８８頁参
照）。この方法は、基板に微傾斜を付けることで、原子
レベルのステップが一方向に等間隔で導入されるため、
導入されたステップに平行な方向の面欠陥が伝播し、一
方、導入されたステップに垂直な方向（ステップを横切
る方向）への面欠陥の伝播を抑制する効果がある。そし
て、ＳｉＣの膜厚増加に伴って、膜中に含まれる２種類
の反位相領域の内、導入されたステップに平行な方向へ
拡大する反位相領域が、直交する方向へ拡大する反位相
領域に比べて優先的に拡大するため、反位相領域境界面
を効果的に低減することができる。しかしながら、この
方法は、ＳｉＣ／Ｓｉ界面のステップ密度の増大によ
り、不本意な反位相領域境界面の生成を引き起こしてし
まい、反位相領域境界面の完全解消には至らないと云う
問題があった。
【０００７】これに対して被成長基板表面の全部又は一
部に一方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この
基板表面上にＳｉＣを成長させる方法が提案されている
（特開２０００−１７８７４０号公報）。この方法で
は、ＳｉＣの被成長結晶表面は鏡面対称な方位に配向し
たステップが統計的に釣り合った密度で導入されるた
め、被成長基板表面のステップにより不本意に導入され
たＳｉＣ層内の反位相領域境界面同士は効果的に会合
し、反位相領域境界面を完全に解消したＳｉＣ膜が得ら
れる。さらにこの方法では、オフ角を導入することによ
り個々の成長領域は全て同一方向に拡大する同位相領域
となるため、離散した成長領域同士が成長に伴って結合
した場合でも結合部に反位相領域境界面が生じない利点
がある。
部に一方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この
基板表面上にＳｉＣを成長させる方法が提案されている
（特開２０００−１７８７４０号公報）。この方法で
は、ＳｉＣの被成長結晶表面は鏡面対称な方位に配向し
たステップが統計的に釣り合った密度で導入されるた
め、被成長基板表面のステップにより不本意に導入され
たＳｉＣ層内の反位相領域境界面同士は効果的に会合
し、反位相領域境界面を完全に解消したＳｉＣ膜が得ら
れる。さらにこの方法では、オフ角を導入することによ
り個々の成長領域は全て同一方向に拡大する同位相領域
となるため、離散した成長領域同士が成長に伴って結合
した場合でも結合部に反位相領域境界面が生じない利点
がある。
【０００８】しかしながら、この方法を用いて作製され
た３Ｃ−ＳｉＣ基板を用いて作製される半導体装置でも
所望の特性が得られない。その理由につき本発明者等は
詳細な検討を行った結果、被成長基板に形成された一方
向に平行に伸びる複数の起伏と垂直方向に残った段差に
沿って電流のリークパスが形成されているためであるこ
とを突き止めた。さらに、このような表面モフォロジー
のせいであるとすれば、平坦に研磨することにより所望
の特性が得られる筈であると考え、表面に機械研磨を施
して鏡面を得た。光学顕微鏡で表面を観察すると、表面
モフォロジーとして特徴的であった前記段差は完全に除
去されていた。
た３Ｃ−ＳｉＣ基板を用いて作製される半導体装置でも
所望の特性が得られない。その理由につき本発明者等は
詳細な検討を行った結果、被成長基板に形成された一方
向に平行に伸びる複数の起伏と垂直方向に残った段差に
沿って電流のリークパスが形成されているためであるこ
とを突き止めた。さらに、このような表面モフォロジー
のせいであるとすれば、平坦に研磨することにより所望
の特性が得られる筈であると考え、表面に機械研磨を施
して鏡面を得た。光学顕微鏡で表面を観察すると、表面
モフォロジーとして特徴的であった前記段差は完全に除
去されていた。
【０００９】ところが、ＳｉＣの研磨はスムーズエッチ
ングが可能な薬液が見つかっていないため、他の化合物
半導体基板に用いられるような機械−化学研磨ができ
ず、機械的に研磨するのみ可能である。そのため、光学
顕微鏡でも倍率を上げていくと、研磨傷と思われる無秩
序な方向の筋が観察された。このような３Ｃ−ＳｉＣ基
板においては、今度は研磨傷がリークパスとなっている
と推定される不都合が起き、所望の電気的特性は得られ
なかった。
ングが可能な薬液が見つかっていないため、他の化合物
半導体基板に用いられるような機械−化学研磨ができ
ず、機械的に研磨するのみ可能である。そのため、光学
顕微鏡でも倍率を上げていくと、研磨傷と思われる無秩
序な方向の筋が観察された。このような３Ｃ−ＳｉＣ基
板においては、今度は研磨傷がリークパスとなっている
と推定される不都合が起き、所望の電気的特性は得られ
なかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、半導
体装置の素子形成基板としてのＳｉＣ単結晶基板を形成
するために、オフ角を導入してＳｉ（００１）基板上に
ＳｉＣ層を成長する方法や、一方向に平行に伸びる起伏
を有した基板上にＳｉＣ層を成長する方法などが提案さ
れているが、いずれの方法を用いても、積層欠陥が低減
された３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を再現性良く得ることは困難
であり、特に起伏を有した基板上にＳｉＣ層を成長する
方法ではリークパスが生じる問題があった。従って、所
望の電気的特性を満足できるような表面リークパスの大
幅に低減された優れた３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を工業的規模
で安定に供給し得る製造方法が必要とされている。
体装置の素子形成基板としてのＳｉＣ単結晶基板を形成
するために、オフ角を導入してＳｉ（００１）基板上に
ＳｉＣ層を成長する方法や、一方向に平行に伸びる起伏
を有した基板上にＳｉＣ層を成長する方法などが提案さ
れているが、いずれの方法を用いても、積層欠陥が低減
された３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を再現性良く得ることは困難
であり、特に起伏を有した基板上にＳｉＣ層を成長する
方法ではリークパスが生じる問題があった。従って、所
望の電気的特性を満足できるような表面リークパスの大
幅に低減された優れた３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を工業的規模
で安定に供給し得る製造方法が必要とされている。
【００１１】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、積層欠陥の低減を図
り、且つ表面リークパスの原因となるものを極力排除し
た３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を再現性良く製造し得る３Ｃ−Ｓ
ｉＣ単結晶基板の製造方法、及びこの基板を用いた半導
体装置の製造方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、積層欠陥の低減を図
り、且つ表面リークパスの原因となるものを極力排除し
た３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を再現性良く製造し得る３Ｃ−Ｓ
ｉＣ単結晶基板の製造方法、及びこの基板を用いた半導
体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。
するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１３】即ち本発明は、炭化珪素単結晶基板の製造
方法において、バルク結晶基板（Ｓｉ基板等の融液成長
法などで成長されたインゴットを、ダイアモンドブレー
ド等で切り出し、所定の厚さに研磨・成形されたウェー
ハ）の表面の全体又は一部に、一方向に平行に伸びる複
数の起伏とこれとは別の一方向に平行に伸びる複数の起
伏を形成する工程と、前記起伏が形成された結晶基板の
表面上に立方晶系のＳｉＣ層をエピタキシャル成長する
工程とを含むことを特徴とする。
方法において、バルク結晶基板（Ｓｉ基板等の融液成長
法などで成長されたインゴットを、ダイアモンドブレー
ド等で切り出し、所定の厚さに研磨・成形されたウェー
ハ）の表面の全体又は一部に、一方向に平行に伸びる複
数の起伏とこれとは別の一方向に平行に伸びる複数の起
伏を形成する工程と、前記起伏が形成された結晶基板の
表面上に立方晶系のＳｉＣ層をエピタキシャル成長する
工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】また本発明は、炭化珪素単結晶基板の製造
方法において、バルク結晶基板の表面の全体又は一部
に、一方向に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一
方向に平行に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記
起伏が形成された結晶基板の表面上に立方晶系の第１の
ＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程と、第１のＳｉ
Ｃ層から前記結晶基板を除去する工程と、第１のＳｉＣ
層の前記結晶基板を除去した面と反対側の面上に立方晶
系の第２のＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程とを
含むことを特徴とする。
方法において、バルク結晶基板の表面の全体又は一部
に、一方向に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一
方向に平行に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記
起伏が形成された結晶基板の表面上に立方晶系の第１の
ＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程と、第１のＳｉ
Ｃ層から前記結晶基板を除去する工程と、第１のＳｉＣ
層の前記結晶基板を除去した面と反対側の面上に立方晶
系の第２のＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程とを
含むことを特徴とする。
【００１５】また本発明は、半導体装置の製造方法にお
いて、バルク結晶基板の表面の全体又は一部に、一方向
に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一方向に平行
に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記起伏が形成
された結晶基板の表面上に立方晶系のｎ+ 型ＳｉＣ層を
エピタキシャル成長する工程と、前記ｎ+ 型ＳｉＣ層か
ら前記結晶基板を除去する工程と、次いで前記ｎ+ 型Ｓ
ｉＣ層の前記結晶基板を除去した面と反対側の面上に立
方晶系のｎ- 型ＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程
とを含むことを特徴とする。
いて、バルク結晶基板の表面の全体又は一部に、一方向
に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一方向に平行
に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記起伏が形成
された結晶基板の表面上に立方晶系のｎ+ 型ＳｉＣ層を
エピタキシャル成長する工程と、前記ｎ+ 型ＳｉＣ層か
ら前記結晶基板を除去する工程と、次いで前記ｎ+ 型Ｓ
ｉＣ層の前記結晶基板を除去した面と反対側の面上に立
方晶系のｎ- 型ＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程
とを含むことを特徴とする。
【００１６】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものが挙げられる。 (1) バルク結晶基板は、Ｓｉ，Ｇｅ，又はＳｉＧｅであ
ること。 (2) 結晶基板の表面に形成する複数の起伏は、頂部と底
部が一方向に連続して形成され、且つ頂部及び底部が一
定間隔で周期的に配置されたラインアンドスペース状の
パターンを、相互に直交させた格子状のパターンである
こと。
は次のものが挙げられる。 (1) バルク結晶基板は、Ｓｉ，Ｇｅ，又はＳｉＧｅであ
ること。 (2) 結晶基板の表面に形成する複数の起伏は、頂部と底
部が一方向に連続して形成され、且つ頂部及び底部が一
定間隔で周期的に配置されたラインアンドスペース状の
パターンを、相互に直交させた格子状のパターンである
こと。
【００１７】(3) 結晶基板の面方位は（００１）であ
り、ラインアンドスペース状のパターンは〈１１０〉方
向から数度傾けられていること。 (4) 単結晶基板を除去する際に、該基板をその途中まで
機械的に研磨した後に、残りを溶液を用いてエッチング
すること。
り、ラインアンドスペース状のパターンは〈１１０〉方
向から数度傾けられていること。 (4) 単結晶基板を除去する際に、該基板をその途中まで
機械的に研磨した後に、残りを溶液を用いてエッチング
すること。
【００１８】（作用）本発明によれば、複数の起伏が形
成されたバルク結晶基板の表面上に立方晶系の第１のＳ
ｉＣ層を成長しているので、起伏の斜面において双晶，
反位相領域境界面，積層欠陥などが存在していても、先
に説明したオフ角の導入効果を得ることができるため、
これらの欠陥が成長方向に伝播するのを有効に防止でき
る。
成されたバルク結晶基板の表面上に立方晶系の第１のＳ
ｉＣ層を成長しているので、起伏の斜面において双晶，
反位相領域境界面，積層欠陥などが存在していても、先
に説明したオフ角の導入効果を得ることができるため、
これらの欠陥が成長方向に伝播するのを有効に防止でき
る。
【００１９】また本発明では、結晶基板上に形成する起
伏を一方向のみならずこれと直交する方向にも形成して
いるので、一方の起伏で形成されるステップフローと他
方の起伏で形成されるステップフローとが互いに垂直な
関係で競合する成長様式となるため、表面モフォロジー
として片方のステップフローを引きずったようなモフォ
ロジーは消滅し、アズグロウンの状態で平坦な表面が得
られる。そして、このようなＳｉＣ基板を用いることに
より表面でのリークパスを大幅に低減することが可能と
なり、所望の電気的特性が得られるようになる。さら
に、ＳｉＣ層の表面状態が良好であるため、機械研磨に
よる加工の必要が無く、再現性良く優れた特性のＳｉＣ
基板を製造することが可能となる。
伏を一方向のみならずこれと直交する方向にも形成して
いるので、一方の起伏で形成されるステップフローと他
方の起伏で形成されるステップフローとが互いに垂直な
関係で競合する成長様式となるため、表面モフォロジー
として片方のステップフローを引きずったようなモフォ
ロジーは消滅し、アズグロウンの状態で平坦な表面が得
られる。そして、このようなＳｉＣ基板を用いることに
より表面でのリークパスを大幅に低減することが可能と
なり、所望の電気的特性が得られるようになる。さら
に、ＳｉＣ層の表面状態が良好であるため、機械研磨に
よる加工の必要が無く、再現性良く優れた特性のＳｉＣ
基板を製造することが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。
形態によって説明する。
【００２１】（第１の実施形態）図１〜図３は、本発明
の第１の実施形態に係わるＳｉＣ単結晶基板の製造方法
を説明するためのものであり、図１はバルク結晶基板の
表面に起伏を形成する工程を示す断面図、図２はバルク
結晶基板上に形成するレジストパターンを示す平面図、
図３はＳｉＣ層の成長工程を示す断面図である。
の第１の実施形態に係わるＳｉＣ単結晶基板の製造方法
を説明するためのものであり、図１はバルク結晶基板の
表面に起伏を形成する工程を示す断面図、図２はバルク
結晶基板上に形成するレジストパターンを示す平面図、
図３はＳｉＣ層の成長工程を示す断面図である。
【００２２】本実施形態では、バルク結晶基板としては
Ｓｉ（００１）基板を用いた。図１（ａ）に示すよう
に、このＳｉ基板１１の表面を熱酸化した後、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて基板表面上に幅１．５μｍ，
長さ９０ｍｍ，厚さ１μｍのラインアンドスペースが互
いに直交するような格子状のレジストパターン１２を形
成した。但し、レジストパターン１２におけるライン方
向は図２（ａ）に示すように、＜１１０＞方向から２°
傾けた方向に平行とした。
Ｓｉ（００１）基板を用いた。図１（ａ）に示すよう
に、このＳｉ基板１１の表面を熱酸化した後、フォトリ
ソグラフィー技術を用いて基板表面上に幅１．５μｍ，
長さ９０ｍｍ，厚さ１μｍのラインアンドスペースが互
いに直交するような格子状のレジストパターン１２を形
成した。但し、レジストパターン１２におけるライン方
向は図２（ａ）に示すように、＜１１０＞方向から２°
傾けた方向に平行とした。
【００２３】この基板をホットプレート上で１８０℃，
１０分間加熱することによって、レジストパターン１２
がラインと直交する方向に向かって広がっていき、図１
（ｂ）に示すように、起伏の頂点と底とが滑らかな曲線
でつながった波面状の断面のレジストパターン形状を得
た。次いで、図１（ｃ）に示すように、このレジストパ
ターン１２’の断面の起伏形状をドライエッチングによ
ってＳｉ基板１１に転写した。具体的には、レジスト及
びＳｉのエッチング速度がほぼ同じとなる条件でこれら
をＲＩＥ法でエッチングすることにより、Ｓｉ基板１１
の表面に、頂部と底部が一方向に連続して形成され、且
つ頂部及び底部が一定間隔で周期的に配置されたライン
アンドスペース状のパターンを、相互に直交させた格子
状の起伏１３を形成した。
１０分間加熱することによって、レジストパターン１２
がラインと直交する方向に向かって広がっていき、図１
（ｂ）に示すように、起伏の頂点と底とが滑らかな曲線
でつながった波面状の断面のレジストパターン形状を得
た。次いで、図１（ｃ）に示すように、このレジストパ
ターン１２’の断面の起伏形状をドライエッチングによ
ってＳｉ基板１１に転写した。具体的には、レジスト及
びＳｉのエッチング速度がほぼ同じとなる条件でこれら
をＲＩＥ法でエッチングすることにより、Ｓｉ基板１１
の表面に、頂部と底部が一方向に連続して形成され、且
つ頂部及び底部が一定間隔で周期的に配置されたライン
アンドスペース状のパターンを、相互に直交させた格子
状の起伏１３を形成した。
【００２４】ここで、Ｓｉ基板１１上に形成するレジス
トパターン１２は、必ずしも図２（ａ）に示すように、
直交するラインの全てにレジストを残すものに限らな
い。例えば、図２（ｂ）に示すように、２つのラインの
交差部のみにレジストを残すようなパターンであっても
よい。
トパターン１２は、必ずしも図２（ａ）に示すように、
直交するラインの全てにレジストを残すものに限らな
い。例えば、図２（ｂ）に示すように、２つのラインの
交差部のみにレジストを残すようなパターンであっても
よい。
【００２５】次いで、Ｓｉ基板１１の表面に残存したレ
ジストを過酸化水素水溶液と硫酸との混合液中で除去し
た後、表面に起伏１３が形成されたＳｉ基板１１上に、
図３（ａ）に示すようにｎ+ 型の３Ｃ−ＳｉＣ層（第１
のＳｉＣ層）２１の成長を行った。
ジストを過酸化水素水溶液と硫酸との混合液中で除去し
た後、表面に起伏１３が形成されたＳｉ基板１１上に、
図３（ａ）に示すようにｎ+ 型の３Ｃ−ＳｉＣ層（第１
のＳｉＣ層）２１の成長を行った。
【００２６】ＳｉＣの成長は、Ｓｉ基板表面の炭化工程
と、原料ガスの交互供給によるＳｉＣ成長工程とに分け
られる。まず炭化工程では、炉内圧力２．７Ｐａの減圧
アセチレン雰囲気中で上記加工済みＳｉ基板１１を室温
から１０５０℃まで約２時間かけて加熱した。このと
き、アセチレンの供給量は１０sccmとした。この炭化工
程の後に温度をｌ０５０℃で保持したままジクロルシラ
ンとアセチレンをそれぞれ２０sccmで１０秒ずつ、各ガ
ス供給のインターバルを５秒として交互に基板表面に暴
露して、ｎ+ 型の３Ｃ−ＳｉＣ層２１の成長を行った。
このとき、炉内圧力は最低で２．７Ｐａ、最大で２７Ｐ
ａであった。
と、原料ガスの交互供給によるＳｉＣ成長工程とに分け
られる。まず炭化工程では、炉内圧力２．７Ｐａの減圧
アセチレン雰囲気中で上記加工済みＳｉ基板１１を室温
から１０５０℃まで約２時間かけて加熱した。このと
き、アセチレンの供給量は１０sccmとした。この炭化工
程の後に温度をｌ０５０℃で保持したままジクロルシラ
ンとアセチレンをそれぞれ２０sccmで１０秒ずつ、各ガ
ス供給のインターバルを５秒として交互に基板表面に暴
露して、ｎ+ 型の３Ｃ−ＳｉＣ層２１の成長を行った。
このとき、炉内圧力は最低で２．７Ｐａ、最大で２７Ｐ
ａであった。
【００２７】原料ガスの供給サイクル数を増やすことに
より３Ｃ−ＳｉＣ層２１の膜厚を増加させ、２００μｍ
まで成長させた。なお、３Ｃ−ＳｉＣ層２１の膜厚は適
宜変更可能であるが、欠陥の少ない良好な結晶を得るた
めには５０μｍ以上が望ましい。
より３Ｃ−ＳｉＣ層２１の膜厚を増加させ、２００μｍ
まで成長させた。なお、３Ｃ−ＳｉＣ層２１の膜厚は適
宜変更可能であるが、欠陥の少ない良好な結晶を得るた
めには５０μｍ以上が望ましい。
【００２８】次いで、上記の試料を室温まで冷却した後
に取り出し、ＨＦとＨＮＯ3 の混酸（ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝
７：１）に浸すことにより、図３（ｂ）に示すように、
３Ｃ−ＳｉＣ層２１からＳｉ基板１１を除去した。ここ
で、Ｓｉ基板１１が厚い場合は、その途中まで機械研磨
で削った後に、上記の混酸を用いてエッチングすればよ
い。
に取り出し、ＨＦとＨＮＯ3 の混酸（ＨＦ：ＨＮＯ3 ＝
７：１）に浸すことにより、図３（ｂ）に示すように、
３Ｃ−ＳｉＣ層２１からＳｉ基板１１を除去した。ここ
で、Ｓｉ基板１１が厚い場合は、その途中まで機械研磨
で削った後に、上記の混酸を用いてエッチングすればよ
い。
【００２９】次いで、このようにして得られた３Ｃ−Ｓ
ｉＣ層２１を基板として用い、該基板を容器内に収容
し、ｎ- 型の３Ｃ−ＳｉＣ層（第２のＳｉＣ層）２２の
成長を行った。この段階でのＳｉＣの成長は、ホモエピ
タキシーになるので炭化工程は当然省略して良い。炉内
圧力は２．７Ｐａの減圧アセチレン雰囲気中で上記３Ｃ
−ＳｉＣ層２１を室温から１０５０℃まで約５分で加熱
した。このとき、アセチレンの供給量は１０sccmとし
た。この炭化工程の後に、温度は１０５０℃で保持した
ままジクロルシランとアセチレンをそれぞれ２０sccmで
１０秒ずつ、各ガス供給のインターバルを５秒として交
互に基板表面に暴露して、３Ｃ−ＳｉＣの成長を実施し
た。このとき、炉内圧力は最低で２．７Ｐａ、最大で２
７Ｐａであった。
ｉＣ層２１を基板として用い、該基板を容器内に収容
し、ｎ- 型の３Ｃ−ＳｉＣ層（第２のＳｉＣ層）２２の
成長を行った。この段階でのＳｉＣの成長は、ホモエピ
タキシーになるので炭化工程は当然省略して良い。炉内
圧力は２．７Ｐａの減圧アセチレン雰囲気中で上記３Ｃ
−ＳｉＣ層２１を室温から１０５０℃まで約５分で加熱
した。このとき、アセチレンの供給量は１０sccmとし
た。この炭化工程の後に、温度は１０５０℃で保持した
ままジクロルシランとアセチレンをそれぞれ２０sccmで
１０秒ずつ、各ガス供給のインターバルを５秒として交
互に基板表面に暴露して、３Ｃ−ＳｉＣの成長を実施し
た。このとき、炉内圧力は最低で２．７Ｐａ、最大で２
７Ｐａであった。
【００３０】そして、原料ガスの供給サイクル数を増や
すことにより３Ｃ−ＳｉＣ層２２の膜厚を増加させ、１
５μｍ成長させたところで、原料供給流量をそれぞれ５
sccmまで減らしてほぼ成長速度を１／４にした状態で最
後の５μｍを成長した。
すことにより３Ｃ−ＳｉＣ層２２の膜厚を増加させ、１
５μｍ成長させたところで、原料供給流量をそれぞれ５
sccmまで減らしてほぼ成長速度を１／４にした状態で最
後の５μｍを成長した。
【００３１】かくして本実施形態によれば、総厚２２０
μｍの３Ｃ−ＳｉＣ基板を得ることができた。このよう
にして成長した基板表面に対し、ＡＦＭ観察することに
よって反位相領域境界面密度を測定した結果、観察領域
内では反位相領域境界面の存在は認められなかった。ま
た、積層欠陥の発生状況を調べるために、成長した基板
を（１１０）面でへき開し、断面の透過電子顕微鏡観察
を行ったが、起伏のパターンを付けておいた付近に若干
の積層欠陥らしきものは観察されたが、それは成長方向
に沿って伝播しておらず、特に起伏から５μｍ以上離れ
ると積層欠陥は全く観察されなかった。また、表面モフ
ォロジーは鏡面であり、特定方向に沿って伸びる筋や線
は観察されなかった。
μｍの３Ｃ−ＳｉＣ基板を得ることができた。このよう
にして成長した基板表面に対し、ＡＦＭ観察することに
よって反位相領域境界面密度を測定した結果、観察領域
内では反位相領域境界面の存在は認められなかった。ま
た、積層欠陥の発生状況を調べるために、成長した基板
を（１１０）面でへき開し、断面の透過電子顕微鏡観察
を行ったが、起伏のパターンを付けておいた付近に若干
の積層欠陥らしきものは観察されたが、それは成長方向
に沿って伝播しておらず、特に起伏から５μｍ以上離れ
ると積層欠陥は全く観察されなかった。また、表面モフ
ォロジーは鏡面であり、特定方向に沿って伸びる筋や線
は観察されなかった。
【００３２】このように本実施形態によれば、Ｓｉ基板
１１の表面に、２つのラインアンドスペースを直交させ
たような格子状の起伏１３を設けておき、その上に第１
の３Ｃ−ＳｉＣ層２１をエピタキシャル成長することに
より、双晶，反位相領域境界面，積層欠陥などが成長方
向に伝播するのを有効に防止できる。特に本実施形態で
は、結晶基板上に形成する起伏を一方向のみならずこれ
と直交する方向にも形成しているので、各々の起伏で形
成されるステップフローが互いに垂直な関係で競合する
成長様式となり、表面モフォロジーとして片方のステッ
プフローを引きずったようなモフォロジーは消滅し、ア
ズグロウンの状態で平坦な表面が得られる。
１１の表面に、２つのラインアンドスペースを直交させ
たような格子状の起伏１３を設けておき、その上に第１
の３Ｃ−ＳｉＣ層２１をエピタキシャル成長することに
より、双晶，反位相領域境界面，積層欠陥などが成長方
向に伝播するのを有効に防止できる。特に本実施形態で
は、結晶基板上に形成する起伏を一方向のみならずこれ
と直交する方向にも形成しているので、各々の起伏で形
成されるステップフローが互いに垂直な関係で競合する
成長様式となり、表面モフォロジーとして片方のステッ
プフローを引きずったようなモフォロジーは消滅し、ア
ズグロウンの状態で平坦な表面が得られる。
【００３３】しかも、Ｓｉ基板１１が除去された状態で
第２の３Ｃ−ＳｉＣ層２２を成長するため、ＳｉＣとＳ
ｉとの格子不整合の違いによる歪みが残らない状態で成
長を行うことができ、これによっても格子不整合に起因
する積層欠陥の発生を防止することができる。そして、
このようなＳｉＣ基板を用いることにより表面でのリー
クパスを大幅に低減することが可能となり、所望の電気
的特性が得られるようになる。さらに、ＳｉＣ層の表面
状態が良好であるため、機械研磨による加工の必要が無
く、再現性良く優れた特性のＳｉＣ基板を製造すること
が可能となる。
第２の３Ｃ−ＳｉＣ層２２を成長するため、ＳｉＣとＳ
ｉとの格子不整合の違いによる歪みが残らない状態で成
長を行うことができ、これによっても格子不整合に起因
する積層欠陥の発生を防止することができる。そして、
このようなＳｉＣ基板を用いることにより表面でのリー
クパスを大幅に低減することが可能となり、所望の電気
的特性が得られるようになる。さらに、ＳｉＣ層の表面
状態が良好であるため、機械研磨による加工の必要が無
く、再現性良く優れた特性のＳｉＣ基板を製造すること
が可能となる。
【００３４】（第２の実施形態）図４は、本発明の第２
の実施形態に係わるショットキーダイオードの素子構造
を示す断面図である。なお、図３と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。
の実施形態に係わるショットキーダイオードの素子構造
を示す断面図である。なお、図３と同一部分には同一符
号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３５】まず、第１の実施形態と同様にして、図１
（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程によ
り、３Ｃ−ＳｉＣ基板を作成した。このとき、ＳｉＣ基
板は高濃度のｎ型（ｎ+ 型）とした。
（ａ）〜（ｃ）及び図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程によ
り、３Ｃ−ＳｉＣ基板を作成した。このとき、ＳｉＣ基
板は高濃度のｎ型（ｎ+ 型）とした。
【００３６】次いで、図４に示すように、３Ｃ−ＳｉＣ
基板２０の上層である３Ｃ−ＳｉＣ層２２の表面層にＡ
ｒのイオン注入によりイオン注入層２６を形成し、該層
２６上にＴｉＡｌからなる電極２７を形成した。また、
ＳｉＣ基板２０の裏面側にはＰｔやＡｕからなる電極を
設けた。
基板２０の上層である３Ｃ−ＳｉＣ層２２の表面層にＡ
ｒのイオン注入によりイオン注入層２６を形成し、該層
２６上にＴｉＡｌからなる電極２７を形成した。また、
ＳｉＣ基板２０の裏面側にはＰｔやＡｕからなる電極を
設けた。
【００３７】かくして形成されたショットキーダイオー
ドにおいては、３Ｃ−ＳｉＣ基板２０が欠陥のない良質
な結晶であるため、素子特性の向上を図ることができ
る。また、基板裏面側のオーミックコンタクトは、基板
裏面が凹凸加工されているので接触面積が大きくなり、
コンタクト抵抗の低減を図り得るという利点もある。
ドにおいては、３Ｃ−ＳｉＣ基板２０が欠陥のない良質
な結晶であるため、素子特性の向上を図ることができ
る。また、基板裏面側のオーミックコンタクトは、基板
裏面が凹凸加工されているので接触面積が大きくなり、
コンタクト抵抗の低減を図り得るという利点もある。
【００３８】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。３ＣのＳｉＣの成長温度は上記実
施形態に限らず、８００〜１２００℃の範囲で実施する
ことが可能である。特に、良好な結晶を得る上で９００
〜１１００℃の範囲の温度が好ましい。実施形態では、
バルク基板結晶としてＳｉ基板を用いているが、これに
限らずＧｅやＳｉＧｅの単結晶基板を用いることも可能
である。また、実施形態では、バルク基板結晶の表面の
全体に起伏を設けたが、素子形成する領域が全体でない
場合などは、表面の一部に起伏を設けるようにしてもよ
い。さらに、起伏の形状や起伏を形成するための方法等
は、仕様に応じて適宜変更可能である。
されるものではない。３ＣのＳｉＣの成長温度は上記実
施形態に限らず、８００〜１２００℃の範囲で実施する
ことが可能である。特に、良好な結晶を得る上で９００
〜１１００℃の範囲の温度が好ましい。実施形態では、
バルク基板結晶としてＳｉ基板を用いているが、これに
限らずＧｅやＳｉＧｅの単結晶基板を用いることも可能
である。また、実施形態では、バルク基板結晶の表面の
全体に起伏を設けたが、素子形成する領域が全体でない
場合などは、表面の一部に起伏を設けるようにしてもよ
い。さらに、起伏の形状や起伏を形成するための方法等
は、仕様に応じて適宜変更可能である。
【００３９】また、本発明のＳｉＣ単結晶基板を用いた
半導体装置の製造においては、第１のＳｉＣ層２１をｎ
+ 型、第２のＳｉＣ層２２をｎ- 型とし、第２のＳｉＣ
層２２に素子を形成したが、これらの導電型は適宜変更
可能である。さらに、これらの上に別のＳｉＣ層を形成
するようにしてもよい。また、ショットキーダイオード
に限らず、各種の素子の製造に適用できるのも勿論のこ
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。
半導体装置の製造においては、第１のＳｉＣ層２１をｎ
+ 型、第２のＳｉＣ層２２をｎ- 型とし、第２のＳｉＣ
層２２に素子を形成したが、これらの導電型は適宜変更
可能である。さらに、これらの上に別のＳｉＣ層を形成
するようにしてもよい。また、ショットキーダイオード
に限らず、各種の素子の製造に適用できるのも勿論のこ
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、素
子形成基板として用いるＳｉＣ結晶基板の製造に際し
て、バルク結晶基板の表面に複数の起伏を形成し、その
上に第１の３Ｃ−ＳｉＣ層をエピタキシャル成長するよ
うにしているので、反位相領域境界面や積層欠陥の著し
く低減された結晶の完全性が高いＳｉＣ単結晶基板を得
ることができる。しかも、バルク結晶基板の表面に形成
する起伏を一方向のみならずこれと直交する方向に設け
ているので、表面モフォロジーとして片方のステップフ
ローを引きずったようなモフォロジーを消滅させてアズ
グロウンの状態で平坦な表面が得られるため、表面での
リークパスを大幅に低減することができる。
子形成基板として用いるＳｉＣ結晶基板の製造に際し
て、バルク結晶基板の表面に複数の起伏を形成し、その
上に第１の３Ｃ−ＳｉＣ層をエピタキシャル成長するよ
うにしているので、反位相領域境界面や積層欠陥の著し
く低減された結晶の完全性が高いＳｉＣ単結晶基板を得
ることができる。しかも、バルク結晶基板の表面に形成
する起伏を一方向のみならずこれと直交する方向に設け
ているので、表面モフォロジーとして片方のステップフ
ローを引きずったようなモフォロジーを消滅させてアズ
グロウンの状態で平坦な表面が得られるため、表面での
リークパスを大幅に低減することができる。
【図１】第１の実施形態に係わるＳｉＣ単結晶基板の製
造方法を説明するためのもので、バルク結晶基板の表面
に起伏を形成する工程を示す断面図。
造方法を説明するためのもので、バルク結晶基板の表面
に起伏を形成する工程を示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係わるＳｉＣ単結晶基板の製
造方法を説明するためのもので、バルク結晶基板上に形
成するレジストパターンを示す平面図。
造方法を説明するためのもので、バルク結晶基板上に形
成するレジストパターンを示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係わるＳｉＣ単結晶基板の製
造方法を説明するためのもので、ＳｉＣ層の成長工程を
示す断面図。
造方法を説明するためのもので、ＳｉＣ層の成長工程を
示す断面図。
【図４】第２の実施形態に係わるショットキーダイオー
ドの製造工程を示す断面図。
ドの製造工程を示す断面図。
１１…Ｓｉ基板（バルク結晶基板） １２…レジストパターン １３…起伏 ２０…３Ｃ−ＳｉＣ単結晶基板 ２１…第１の３Ｃ−ＳｉＣ層 ２２…第２の３Ｃ−ＳｉＣ層 ２５…ｎ- 型ＳｉＣ層 ２６…イオン注入層 ２７，２８…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 四戸 孝 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE08 DB13 ED04 ED06 EE07 TC12 TK04 5F045 AA03 AB06 AC03 AC09 AD14 AE17 AF02 AF03 BB12 DA63
Claims (3)
- 【請求項１】バルク結晶基板の表面の全体又は一部に、
一方向に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一方向
に平行に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記起伏
が形成された結晶基板の表面上に立方晶系のＳｉＣ層を
エピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とする
炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 【請求項２】バルク結晶基板の表面の全体又は一部に、
一方向に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一方向
に平行に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記起伏
が形成された結晶基板の表面上に立方晶系の第１のＳｉ
Ｃ層をエピタキシャル成長する工程と、第１のＳｉＣ層
から前記結晶基板を除去する工程と、第１のＳｉＣ層の
前記結晶基板を除去した面と反対側の面上に立方晶系の
第２のＳｉＣ層をエピタキシャル成長する工程とを含む
ことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 【請求項３】バルク結晶基板の表面の全体又は一部に、
一方向に平行に伸びる複数の起伏とこれとは別の一方向
に平行に伸びる複数の起伏を形成する工程と、前記起伏
が形成された結晶基板の表面上に立方晶系のｎ+ 型Ｓｉ
Ｃ層をエピタキシャル成長する工程と、前記ｎ+ 型Ｓｉ
Ｃ層から前記結晶基板を除去する工程と、次いで前記ｎ
+ 型ＳｉＣ層の前記結晶基板を除去した面と反対側の面
上に立方晶系のｎ- 型ＳｉＣ層をエピタキシャル成長す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401634A JP2002201099A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401634A JP2002201099A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002201099A true JP2002201099A (ja) | 2002-07-16 |
Family
ID=18866036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401634A Pending JP2002201099A (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002201099A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011084435A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Hoya Corp | 化合物単結晶およびその製造方法 |
| US8890170B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-11-18 | Hoya Corporation | Silicon carbide substrate, semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide substrate |
| WO2019009181A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 単結晶基板および炭化ケイ素基板 |
| WO2021060515A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 東海カーボン株式会社 | 多結晶ＳｉＣ成形体及びその製造方法 |
| CN114430782A (zh) * | 2019-09-27 | 2022-05-03 | 东海炭素株式会社 | 一种多晶SiC成型体 |
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2000401634A patent/JP2002201099A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP2312023A3 (en) * | 2009-10-15 | 2012-10-03 | Hoya Corporation | Compound single crystal and method for producing the same |
| US8890170B2 (en) | 2010-11-15 | 2014-11-18 | Hoya Corporation | Silicon carbide substrate, semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide substrate |
| WO2019009181A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 単結晶基板および炭化ケイ素基板 |
| JP2019014627A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 単結晶基板および炭化ケイ素基板 |
| US11404269B2 (en) | 2017-07-07 | 2022-08-02 | Seiko Epson Corporation | Single crystal substrate with undulating ridges and silicon carbide substrate |
| WO2021060515A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 東海カーボン株式会社 | 多結晶ＳｉＣ成形体及びその製造方法 |
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| CN114430782A (zh) * | 2019-09-27 | 2022-05-03 | 东海炭素株式会社 | 一种多晶SiC成型体 |
| JP7239432B2 (ja) | 2019-09-27 | 2023-03-14 | 東海カーボン株式会社 | 多結晶ＳｉＣ成形体の製造方法 |
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