JP2002196361A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】外部から水分が塩等の不純物とともに枠状のシ
ール材や液晶注入口の封止材を透過して侵入することに
よるゲート配線や対向電極の腐食を抑制し、書込み不能
や光漏れ欠陥の発生が無い良好な表示品質を長く維持す
ることができるアクティブマトリックス型液晶表示素子
を提供する。 【解決手段】ゲート配線３１の端子部３１ａとは反対側
の端部の表面に、耐アルカリ性物質からなる保護膜３２
を設けて、前記ゲート配線３１と対向電極３４との間に
生じる強い電界による塩と水との電気化学反応により発
生するアルカリに前記ゲート配線３１の端部が曝される
のを前記耐アルカリ性物質からなる保護膜３２により防
止し、前記アルカリによる前記ゲート配線の腐食を抑制
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ（以下、ＴＦＴと記す）を能動素子とするアクティブ
マトリックス型の液晶表示素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＴＦＴを能動素子とするアクティブマト
リックス型液晶表示素子は、従来、次のような構成とな
っている。

【０００３】図５は従来のアクティブマトリックス型液
晶表示素子のゲート配線に沿った一端部の液晶注入口部
分における断面図である。

【０００４】この液晶表示素子は、枠状のシール材１１
を介して接合された前後一対の透明基板１，２のうち、
一方の基板、例えば後側基板（図５において下側の基
板）２の内面に、行方向および列方向にマトリックス状
に配列する複数の画素電極３と、前記複数の画素電極３
にそれぞれ接続された複数のＴＦＴ（図示せず）と、各
行のＴＦＴにそれぞれゲート信号を供給する複数のゲー
ト配線４と、各列のＴＦＴにそれぞれデータ信号を供給
する複数のデータ配線（図示せず）が設けられ、他方の
基板である前側基板（図５において上側の基板）１の内
面に、前記複数の画素電極３に対向する一枚膜状の対向
電極６が設けられ、前記一対の基板１，２間の前記シー
ル材１１により囲まれた領域に液晶層１３が設けられた
構成となっている。

【０００５】この液晶表示素子において、前記画素電極
３と対向電極６は、透明導電材であるＩＴＯにより形成
されており、前記ゲート配線４と図示しないデータ配線
は、低抵抗金属であるＡｌ（アルミニウム）系合金によ
り形成されている。

【０００６】前記ゲート配線４は、後側基板２の内面上
に設けられており、前記枠状のシール材１１の外側に導
出された端子部（図示せず）を除いて前記ＴＦＴのゲー
ト絶縁膜５により覆われている。また、前記画素電極３
とデータ配線は、前記ゲート絶縁膜５の上に設けられて
おり、その上に、前記シール材１１により囲まれた領域
のほぼ全域にわたって配向膜９が設けられている。

【０００７】また、前側基板１の内面上には、前記複数
の画素電極３と対向電極６とが互いに対向する複数の画
素領域を除く領域に対応する遮光膜７と、前記複数の画
素領域にそれぞれ対応する複数の色、例えば赤、緑、青
の３色のカラーフィルタ８が設けられており、その上に
前記対向電極６が設けられ、この対向電極６の上に、前
記シール材１１により囲まれた領域のほぼ全域にわたっ
て配向膜１０が設けられている。

【０００８】なお、前記遮光膜７は、一般に、前側基板
１の内面上に形成されたＣｒＯ_２（酸化クロム）層とそ
の上に形成されたＣｒ（クロム）層との積層膜からなっ
ている。

【０００９】一方、前記枠状のシール材１１には、この
シール材の一部を欠落させることにより形成された液晶
注入口１２が設けられている。この液晶注入口１２は、
従来、前記シール材１１の各辺のうち、前記ゲート配線
３の端子部とは反対側の端部に対向する辺に設けられて
いる。

【００１０】そして、液晶層１３は、前記一対の基板
１，２間の前記シール材１１により囲まれた領域に前記
液晶注入口１２から真空注入法により液晶を注入するこ
とにより形成されており、前記液晶注入口１２は、液晶
の注入後に封止材１４により封止されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記アクティブマトリ
ックス型液晶表示素子は、複数のゲート配線４にそれぞ
れその端子部からゲート信号を印加し、複数のデータ配
線にそれぞれその端子部からデータ信号を印加すること
により表示駆動されるが、前記ゲート配線４に印加され
るゲート信号は、前記データ配線に印加されるデータ信
号に比べて非常に高い電位の信号であるため、前記ゲー
ト配線４と対向電極６との間に強い電界が発生する。

【００１２】一方、前記一対の基板１，２を接合してい
る枠状のシール材１１および液晶注入口１２の封止材１
４は耐吸湿性があまり高くないため、長時間のうちに、
外部から水分が塩等の不純物とともに前記シール材１１
や注入口封止材１４を透過して侵入し、前記シール材１
１の近傍の液晶中に溶け込む。

【００１３】なお、前記シール材１１にはエポキシ系樹
脂が用いられ、液晶注入口の封止材１４には紫外線硬化
樹脂等が用いられているが、紫外線硬化樹脂はエポキシ
系樹脂よりもさらに耐吸湿性が低いため、液晶中への水
分や不純物の溶け込みは、前記液晶注入口１２に近い領
域ほど多い。

【００１４】また、前記ゲート配線４は、ＳｉＮ（窒化
珪素）等からなるゲート絶縁膜５により覆われており、
さらに前記ゲート絶縁膜５の上にはポリイミド等からな
る配向膜９が設けられているが、前記配向膜９は耐吸湿
性が低いため、前記ゲート絶縁膜５にピンホールやクラ
ック等の欠陥があると、液晶中に溶け込んだ水分や不純
物が、前記配向膜９とゲート絶縁膜５の欠陥部分を浸透
してゲート配線４に達する。

【００１５】そして、液晶表示素子の駆動中は、上述し
たようにゲート配線４と対向電極６との間に強い電界が
発生するため、シール材１１の近傍の液晶中に溶け込ん
だ水分や不純物が配向膜９とゲート絶縁膜５の欠陥部分
を浸透してゲート配線４に達すると、その影響により前
記ゲート配線４がその端部（シール材１１の外側に導出
された図示しない端子部とは反対側の端部）から腐食
し、このゲート配線４の腐食が引き金となって対向電極
６も、前記ゲート配線４の腐食部に対応する領域から腐
食する。

【００１６】前記ゲート配線４と対向電極６の腐食のメ
カニズムを説明すると、水分とともに前記シール材１１
や注入口封止材１４を透過して液晶中に溶け込む不純物
には、例えば汗に含まれているＮａＣｌ（塩化ナトリウ
ム）等の塩がある。

【００１７】そして、例えばゲート配線４に印加される
ゲート信号が、対向電極６の電位に対して−（マイナ
ス）の電位の信号であるとすると、まず第一段階とし
て、前記ゲート配線４と対向電極６との間に生じる強い
電界によるＮａＣｌ等の塩と水（Ｈ_２Ｏ）との電気化学
反応により、Ａｌ系合金からなるゲート配線４（−極）
側でアルカリ（ＮａＯＨ）と水素ガス（Ｈ_２）が発生
し、ＩＴＯからなる対向電極６（＋極）側で塩素ガス
（Ｃｌ_２）が発生する。

【００１８】これにより、第二段階として、耐アルカリ
性の低いＡｌ系合金からなるゲート配線４が、前記第一
段階で発生したアルカリ（ＮａＯＨ）と反応して表面か
ら腐食し始め、その腐食にともなってＮａＡｌＯ_２と水
素ガス（Ｈ_２）を発生する。

【００１９】一方、ＩＴＯからなる対向電極６は耐アル
カリ性を有しているため、前記第一段階で発生したアル
カリ（ＮａＯＨ）による対向電極６の腐食はほとんど生
じない。

【００２０】しかし、前記第一段階および第二段階でゲ
ート配線４側に発生した水素ガス（Ｈ_２）が気泡となっ
て液晶中に入り込み、その水素ガスが前記第一段階で対
向電極６側に発生した塩素ガス（Ｃｌ_２）と反応して塩
化水素（ＨＣｌ）が合成されるため、その塩化水素（Ｈ
Ｃｌ）がＩＴＯからなる対向電極６中のＩｎ（インジウ
ム）と反応し、前記対向電極６がその表面から腐食し始
め、その腐食にともなってＩｎＣｌと水素ガス（Ｈ_２）
を発生する。

【００２１】なお、前記第一段階で発生する水素ガス量
は微量であるが、前記第二段階で発生する水素ガス量
は、第一段階で発生する水素ガス量に比べて格段に多く
（単純計算で約３倍）、したがって、前記第二段階での
ゲート配線４の腐食が、対向電極６の腐食の引き金にな
る。

【００２２】また、前記前側基板１の内面に設けられた
遮光膜７は、上述したように、ＣｒＯ_２層とＣｒ層との
積層膜からなっており、この遮光膜７も耐アルカリ性を
有しているが、前記対向電極６の腐食が進み、その下の
遮光膜７が露出すると、この遮光膜７中のＣｒが前記塩
化水素（ＨＣｌ）と反応して遮光膜７もその表面から腐
食し始め、その腐食にともなってＣｒＣｌ_３と水素ガス
（Ｈ_２）を発生する。

【００２３】この反応は、水（Ｈ_２Ｏ）の存在により繰
り返し起こる反応であり、外部から前記シール材１１や
注入口封止材１４を透過して水分が侵入し続ける限り、
前記ゲート配線４と対向電極６および遮光膜７の腐食が
進行する。

【００２４】図６は従来のアクティブマトリックス型液
晶表示素子のゲート配線４と対向電極６および遮光膜７
の腐食状態を示す模式図であり、（ａ）はゲート配線４
の端部に腐食が生じた状態、（ｂ）は対向電極６および
遮光膜７にも腐食が生じた状態を示している。なお、図
６では便宜上、ゲート絶縁膜５と配向膜９，１０を仮想
線（二点鎖線）で示している。

【００２５】このように、従来のアクティブマトリック
ス型液晶表示素子は、外部から水分が不純物とともにシ
ール材１１や注入口封止材１４を透過して侵入すること
により、まずゲート配線４がその端部から腐食し初める
とともに、それが引き金となって対向電極６および遮光
膜７が腐食し始め、これらの腐食が、外部から水分が侵
入し続ける限り進行して行く。

【００２６】そして、前記ゲート配線４や対向電極６お
よび遮光膜７が腐食すると、その腐食にともなって発生
する水素ガスが液晶中に気泡となって入り込み、その気
泡による光漏れ欠陥が発生する。

【００２７】また、前記ゲート配線４の腐食は、その腐
食により断線状態となるため、このゲート配線４の腐食
がＴＦＴにつながる領域まで進行すると、そのＴＦＴに
ゲート信号が供給されなくなり、前記ＴＦＴに接続され
た画素電極３に対応する画素領域が書込み不能となって
表示欠陥が発生する。

【００２８】なお、上述したように、液晶中への水分や
不純物の溶け込みは、液晶注入口１２に近い領域ほど多
いため、前記液晶注入口１２に近い領域のゲート配線４
ほど腐食が早く進み、したがって、前記液晶注入口１２
に近い画素領域から順に書込み不能となって行く。

【００２９】一方、対向電極６は一枚膜状の電極である
ため、この対向電極６が部分的に腐食しても対向電極６
が断線状態となることはないが、前記画素電極６が腐食
すると、その部分の電気抵抗が極端に高くなるか、ある
いは孔の開いた状態になり、その部分が電極として機能
しなくなるため、この対向電極６の腐食が画素領域に達
すると、その画素領域が書込み不能となって表示欠陥が
発生する。

【００３０】さらに、前記遮光膜７が上述したようにＣ
ｒＯ_２層とＣｒ層との積層膜からなっている場合は、前
記対向電極６の腐食の進行にともなって前記遮光膜７も
腐食するため、この遮光膜７の腐食部分の膜厚が極端に
薄くなるか、あるいは孔の開いた状態になり、その部分
の遮光機能が無くなるため、光漏れ欠陥が発生する。

【００３１】この発明は、外部から水分が塩等の不純物
とともに枠状のシール材や液晶注入口の封止材を透過し
て侵入することによるゲート配線や対向電極の腐食を抑
制し、書込み不能や光漏れ欠陥の発生が無い良好な表示
品質を長く維持することができるアクティブマトリック
ス型の液晶表示素子を提供することを目的としたもので
ある。

【００３２】

【課題を解決するための手段】この発明の液晶表示素子
は、液晶注入口を有する枠状のシール材を介して接合さ
れた一対の基板間の前記シール材により囲まれた領域に
液晶層が設けられ、前記液晶注入口が封止材により封止
されるとともに、前記一対の基板のうちの一方の基板の
内面に、行方向および列方向にマトリックス状に配列す
る複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそれぞれ接
続された複数のＴＦＴと、各行の前記ＴＦＴにそれぞれ
ゲート信号を供給する複数のゲート配線と、各列の前記
ＴＦＴにそれぞれデータ信号を供給する複数のデータ配
線が設けられ、他方の基板の内面に、前記複数の画素電
極に対向する対向電極が設けられ、さらに前記ゲート配
線の前記シール材の外側に導出された端子部とは反対側
の端部の表面に、耐アルカリ性物質からなる保護膜が設
けられていることを特徴とするものである。

【００３３】この発明の液晶表示素子は、ゲート配線の
端子部とは反対側の端部の表面に、耐アルカリ性物質か
らなる保護膜を設けたものであるため、前記ゲート配線
と対向電極との間に生じる強い電界による塩が解けた水
分の電気化学反応により発生するアルカリに前記ゲート
配線の端部が曝されるのを前記耐アルカリ性物質からな
る保護膜により防止して、前記アルカリによる前記ゲー
ト配線の腐食を抑制することができ、したがって、前記
ゲート配線の腐食が引き金となって発生する対向電極の
腐食も抑制することができる。

【００３４】そのため、この液晶表示素子によれば、外
部から水分が塩等の不純物とともに前記シール材や注入
口封止材を透過して侵入することによるゲート配線や対
向電極の腐食を抑制し、書込み不能や光漏れ欠陥の発生
が無い良好な表示品質を長く維持することができる。

【００３５】

【発明の実施の形態】この発明の液晶表示素子は、上記
のように、ゲート配線の端子部とは反対側の端部の表面
に、耐アルカリ性物質からなる保護膜を設けることによ
り、外部から水分が塩等の不純物とともに前記シール材
や注入口封止材を透過して侵入することによるゲート配
線や対向電極の腐食を抑制し、書込み不能や光漏れ欠陥
の発生が無い良好な表示品質を長く維持することができ
るようにしたものである。

【００３６】この発明の液晶表示素子において、前記保
護膜は、クロムとＩＴＯのいずれか一方あるいはクロム
とＩＴＯの積層膜が好ましい。

【００３７】また、前記液晶注入口は、枠状のシール材
の各辺のうち、ゲート配線の端子部とは反対側の端部に
対向する辺以外の辺に設けるのが好ましい。

【００３８】

【実施例】図１〜図３はこの発明の第１の実施例を示し
ており、図１はアクティブマトリックス型液晶表示素子
の一方の基板に設けられた画素電極とＴＦＴとゲート配
線およびデータ配線の等価回路的平面図、図２は前記液
晶表示素子の１つの画素領域の断面図、図３は前記液晶
表示素子のゲート配線に沿った一端部の液晶注入口部分
における断面図である。

【００３９】この実施例の液晶表示素子は、図１〜図３
に示すように、エポキシ系樹脂等からなる枠状のシール
材３９を介して接合された前後一対の透明基板（例えば
ガラス基板）２１，２２のうち、一方の基板、例えば後
側基板（図２および図３において下側の基板）２２の内
面に、行方向（図１において左右方向）および列方向
（図１において上下方向）にマトリックス状に配列する
複数の画素電極２３と、前記複数の画素電極２３にそれ
ぞれ接続された複数のＴＦＴ２４と、各行のＴＦＴ２４
にそれぞれゲート信号を供給する複数のゲート配線３１
と、各列のＴＦＴ２４にそれぞれデータ信号を供給する
複数のデータ配線３３が設けられ、他方の基板である前
側基板（図２および図３において上側の基板）２１の内
面に、前記複数の画素電極２３に対向する一枚膜状の対
向電極３４が設けられ、前記一対の基板２１，２２間の
前記シール材３９により囲まれた領域に液晶層４２が設
けられた構成となっている。

【００４０】なお、前記画素電極２３と対向電極３４
は、透明導電材であるＩＴＯにより形成されており、前
記ゲート配線３１とデータ配線３３は、低抵抗金属であ
るＡｌ（アルミニウム）系合金により形成されている。

【００４１】前記ＴＦＴ２４は、後側基板２２上に形成
されたゲート電極２５と、このゲート電極２５を覆って
設けられたゲート絶縁膜２６と、前記ゲート絶縁膜２６
の上に前記ゲート電極２５と対向させて形成されたｉ型
半導体膜２７と、このｉ型半導体膜２７の両側部の上に
図示しないｎ型半導体膜を介して形成されたソース電極
２８およびドレイン電極２９とからなっている。

【００４２】また、前記ゲート配線３１は、前記後側基
板２２上に前記ＴＦＴ２４のゲート電極２５と一体に形
成されており、その端子部３１ａは、後側基板２２のシ
ール材３９の外側に突出する一端縁部に導出されてい
る。このゲート配線３１は、シール材１１の外側に導出
された前記端子部３１ａを除いて前記ＴＦＴ２４のゲー
ト絶縁膜２６により覆われている。

【００４３】前記ゲート配線３１は、その端子部３１ａ
とは反対側の端部が前記シール材３９のゲート配線端子
部３１ａの導出側とは反対側の辺の内側面に近接対向す
る長さに形成されており、このゲート配線３１の端子部
３１ａとは反対側の端部の表面には、図３に示したよう
に、耐アルカリ性物質、例えば高い耐アルカリ性を有す
るＣｒ（クロム）からなる保護膜３２が設けられてい
る。

【００４４】また、前記ゲート絶縁膜２６の上には、前
記ＴＦＴ２４を覆って、前記複数の画素電極２３にそれ
ぞれ対応する領域に開口を有する保護絶縁膜３０が設け
られており、前記データ配線３３は、前記保護絶縁膜３
０の上に設けられ、前記保護絶縁膜３０に設けられたコ
ンタクト孔において前記ＴＦＴ２４のドレイン電極２９
に接続されている。このデータ配線３３の端子部３３ａ
は、後側基板２２のシール材３９の外側に突出する一側
縁部に導出されている。

【００４５】さらに、前記画素電極２３は、前記ゲート
絶縁膜２６の上に形成されており、その一側縁の端部に
おいて前記ＴＦＴ２４のソース電極２８に接続されてい
る。

【００４６】そして、前記後側基板２２の内面の最も内
面には、前記シール材３９により囲まれた領域のほぼ全
域にわたって配向膜３７が設けられている。

【００４７】また、前側基板２１の内面には、前記複数
の画素電極２３と対向電極３４とが互いに対向する複数
の画素領域にそれぞれ対応する複数の色、例えば赤、
緑、青の３色のカラーフィルタ３５と、前記複数の画素
領域を除く領域にそれぞれ対応する遮光膜３６が設けら
れており、その上に前記対向電極３４が設けられ、この
対向電極３４の上に、前記シール材３９により囲まれた
領域のほぼ全域にわたって配向膜３８が設けられてい
る。

【００４８】なお、前記遮光膜３６は、前側基板２１の
内面上に形成されたＣｒＯ_２（酸化クロム）層とその上
に形成されたＣｒ（クロム）層との積層膜からなってい
る。

【００４９】一方、前記枠状のシール材３９は、このシ
ール材３９を部分的に欠落させることにより形成された
液晶注入口４０が設けられている。この実施例におい
て、前記液晶注入口４０は、前記シール材３９の各辺の
うち、前記ゲート配線３１の端子部３１ａとは反対側の
端部に対向する辺に設けられている。

【００５０】そして、液晶層４２は、前記一対の基板２
１，２２の前記シール材３９により囲まれた領域に前記
液晶注入口４０から真空注入法により液晶を注入するこ
とにより形成されており、前記液晶注入口４０は、液晶
の注入後に紫外線硬化樹脂からなる封止材４１により封
止されている。

【００５１】この液晶表示素子は、図３に示したよう
に、ゲート配線３１の端子部３１ａとは反対側の端部の
表面に、耐アルカリ性物質からなる保護膜３２を設けた
ものであるため、前記ゲート配線３１と対向電極３４と
の間に生じる強い電界による塩と水との電気化学反応に
より発生するアルカリに前記ゲート配線３１の端部が曝
されるのを前記耐アルカリ性物質からなる保護膜３２に
より防止して、前記アルカリによる前記ゲート配線３１
の腐食を抑制することができ、したがって、前記ゲート
配線３１の腐食が引き金となって発生する対向電極３４
の腐食も抑制することができる。

【００５２】すなわち、［発明が解決しようとする課
題］の項で説明したように、水分とともに前記シール材
３９や液晶注入口４０の封止材４１を透過して液晶中に
溶け込む不純物には、例えば汗に含まれているＮａＣｌ
（塩化ナトリウム）等の塩がある。

【００５３】そして、例えばゲート配線３１に印加され
るゲート信号が、対向電極３９の電位に対して−（マイ
ナス）の電位の信号であるとすると、前記ゲート配線３
１と対向電極３４との間に生じる強い電界によるＮａＣ
ｌ等の塩と水（Ｈ_２Ｏ）との電気化学反応により、Ａｌ
系合金からなるゲート配線３１（−極）側でアルカリ
（ＮａＯＨ）と水素ガス（Ｈ_２）が発生し、ＩＴＯから
なる対向電極３４（＋極）側で塩素ガス（Ｃｌ_２）が発
生する。

【００５４】そのため、前記ゲート配線３１の端部の表
面に前記保護膜３２が無い場合は、耐アルカリ性の低い
Ａｌ系合金からなるゲート配線３１が、前記ＮａＣｌ等
の塩と水（Ｈ_２Ｏ）との電気化学反応によりゲート配線
３１側に発生したアルカリ（ＮａＯＨ）と反応して表面
から腐食し始め、その腐食にともなってＮａＡｌＯ_２と
水素ガス（Ｈ_２）を発生する。

【００５５】一方、ＩＴＯからなる対向電極３４は耐ア
ルカリ性を有しているため、前記アルカリ（ＮａＯＨ）
による対向電極３４の腐食はほとんど生じないが、前記
ゲート配線４側に発生した水素ガス（Ｈ_２）が気泡とな
って液晶中に入り込み、その水素ガスが前記ＮａＣｌ等
の塩と水（Ｈ_２Ｏ）との電気化学反応により対向電極３
４側に発生した塩素ガス（Ｃｌ_２）と反応して塩化水素
（ＨＣｌ）が合成されるため、その塩化水素（ＨＣｌ）
がＩＴＯからなる対向電極３４中のＩｎ（インジウム）
と反応し、前記対向電極３４がその表面から腐食し始め
る。

【００５６】しかし、この実施例の液晶表示素子では、
ゲート配線３１の端子部とは反対側の端部の表面が耐ア
ルカリ性物質からなる保護膜３２により覆われているた
め、前記塩と水との電気化学反応により発生したアルカ
リが前記保護膜３２により遮られ、前記アルカリによる
前記ゲート配線３１の腐食が抑制される。

【００５７】そして、前記ゲート配線３１の腐食が抑制
されると、このゲート配線３１の腐食によるＮａＡｌＯ
_２と水素ガス（Ｈ_２）の発生が無くなくため、気泡とな
って液晶中に入り込む水素ガスは、前記電気化学反応に
よりゲート配線３１側に発生した微量の水素ガスだけで
あり、したがって、水素ガスと前記電気化学反応により
対向電極３４側に発生した塩素ガスとの反応により合成
される塩化水素の量も僅かであるため、前記ゲート配線
３１の腐食が引き金となって発生する対向電極３４の腐
食も抑制され、そのために、前記対向電極３４の下のＣ
ｒＯ_２層とＣｒ層との積層膜からなる遮光膜３６の腐食
も抑制される。

【００５８】そして、前記ゲート配線３１や対向電極３
４の腐食が抑制されると、その腐食により水素ガスの発
生がほとんど無くなるため、液晶中に気泡が生じること
による光漏れ欠陥の発生を防ぐことができる。

【００５９】さらに、前記ゲート配線３１やゲート配線
３１の腐食が抑制されれば、ＴＦＴ２４にゲート信号が
供給されなくなったり、対向電極３４が部分的に電極と
して機能しなくなることはないため、画素領域が書込み
不能となって表示欠陥が発生することはなく、また、前
記遮光膜３６の腐食が抑制されれば、この遮光膜３６の
遮光機能が部分的に無くなって光漏れ欠陥を発生するこ
とも無い。

【００６０】そのため、この液晶表示素子によれば、外
部から水分が塩等の不純物とともに前記シール材３９や
液晶注入口４０の封止材４１を透過して侵入することに
よるゲート配線３１や対向電極３４の腐食を抑制し、書
込み不能や光漏れ欠陥の発生が無い良好な表示品質を長
く維持することができる。

【００６１】なお、外部からシール材３９や液晶注入口
４０の封止材１４を透過して侵入した水分や不純物の液
晶中への溶け込みは、前記シール材３９の近傍において
生じるため、前記保護膜３６は、図３に示したようにゲ
ート配線３１の端部の表面にあれば充分である。

【００６２】また、上記実施例では、前記保護膜３２を
Ｃｒにより形成しているが、前記保護膜３２は、Ｃｒと
同程度の高い耐アルカリ性を有するＩＴＯで形成しても
よく、さらには、ＣｒとＩＴＯの積層膜としてもよい。

【００６３】図４はこの発明の第２の実施例を示すアク
ティブマトリックス型液晶表示素子の一方の基板に設け
られた画素電極とＴＦＴとゲート配線およびデータ配線
の等価回路的平面図である。

【００６４】この実施例の液晶表示素子は、液晶注入口
４０を、枠状のシール材３９の各辺のうち、ゲート配線
３１の端子部３１ａとは反対側の端部に対向する辺以外
の辺に設けたものであり、他の構成は上記第１の実施例
の液晶表示素子と同じである。

【００６５】この実施例の液晶表示素子によれば、外部
から水分や不純物が侵入しやすい液晶注入口４０を、ゲ
ート配線３１の端子部３１ａとは反対側の端部に対向す
る辺以外の辺に設けているため、ゲート配線３１の端部
が位置する領域における液晶中への水分や不純物の溶け
込み量を少なくし、ゲート配線３１や対向電極３４の腐
食をより効果的に抑制して、書込み不能や光漏れ欠陥の
発生が無い良好な表示品質をさらに長く維持することが
できる。

【００６６】なお、この実施例において、前記液晶注入
口４０は、ゲート配線３１の端子部３１ａとは反対側の
端部に対向する辺以外の辺であればどの辺に設けてもよ
いが、ゲート配線３１の端子部３１ａおよびデータ配線
３３の端子部３３ａが導出された辺から液晶を注入する
のは好ましくないため、前記液晶注入口４０は、図４に
示したように、データ配線３３の端子部３３ａとは反対
側の端部に対向する辺の中央部付近に設けるのが望まし
い。

【００６７】

【発明の効果】この発明の液晶表示素子は、ゲート配線
の端子部とは反対側の端部の表面に、耐アルカリ性物質
からなる保護膜を設けたものであるため、前記ゲート配
線と対向電極との間に生じる強い電界による塩と水との
電気化学反応により発生するアルカリに前記ゲート配線
の端部が曝されるのを前記耐アルカリ性物質からなる保
護膜により防止して、前記アルカリによる前記ゲート配
線の腐食を抑制することができ、したがって、前記ゲー
ト配線の腐食が引き金となって発生する対向電極の腐食
も抑制することができる。

【００６８】この発明の液晶表示素子において、前記保
護膜は、クロムとＩＴＯのいずれか一方あるいはクロム
とＩＴＯの積層膜が好ましく、このようにすることによ
り、前記ゲート配線の端部がアルカリに曝されるのを効
果的に防ぐことができる。

【００６９】また、前記液晶注入口は、枠状のシール材
の各辺のうち、ゲート配線の端子部とは反対側の端部に
対向する辺以外の辺に設けることが好ましく、このよう
にすることにより、ゲート配線の端部が位置する領域に
おける液晶中への水分や不純物の溶け込み量を少なく
し、ゲート配線や対向電極の腐食をより効果的に抑制し
て、書込み不能や光漏れ欠陥の発生が無い良好な表示品
質をさらに長く維持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例を示す液晶表示素子の
一方の基板に設けられた画素電極とＴＦＴとゲート配線
およびデータ配線の等価回路的平面図。

【図２】前記液晶表示素子の１つの画素領域の断面図。

【図３】前記液晶表示素子のゲート配線に沿った一端部
の液晶注入口部分における断面図。

【図４】この発明の第２の施例を示す液晶表示素子の一
方の基板に設けられた画素電極とＴＦＴとゲート配線お
よびデータ配線の等価回路的平面図。

【図５】従来の液晶表示素子のゲート配線に沿った一端
部の液晶注入口部分における断面図。

【図６】従来の液晶表示素子のゲート配線と対向電極お
よび遮光膜の腐食状態を示す模式図。

【符号の説明】

２３…画素電極 ２４…ＴＦＴ ２６…ゲート絶縁膜 ２７…遮光膜 ３１…ゲート配線 ３２…保護膜 ３４…対向電極 ３６…遮光膜 ３７，３８…配向膜 ３９…シール材 ４０…液晶注入口 ４１…封止材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB06X 2H092 HA19 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 KA07 MA05 MA08 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA27 NA29 PA04 5C094 AA16 AA38 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA07 FB15

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】液晶注入口を有する枠状のシール材を介し
   て接合された一対の基板間の前記シール材により囲まれ
   た領域に液晶層が設けられ、前記液晶注入口が封止材に
   より封止されるとともに、前記一対の基板のうちの一方
   の基板の内面に、行方向および列方向にマトリックス状
   に配列する複数の画素電極と、前記複数の画素電極にそ
   れぞれ接続された複数の薄膜トランジスタと、各行の前
   記薄膜トランジスタにそれぞれゲート信号を供給する複
   数のゲート配線と、各列の前記薄膜トランジスタにそれ
   ぞれデータ信号を供給する複数のデータ配線が設けら
   れ、他方の基板の内面に、前記複数の画素電極に対向す
   る対向電極が設けられ、さらに前記ゲート配線の前記シ
   ール材の外側に導出された端子部とは反対側の端部の表
   面に、耐アルカリ性物質からなる保護膜が設けられてい
   ることを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】保護膜は、クロムとＩＴＯのいずれか一方
   あるいはクロムとＩＴＯの積層膜からなっていることを
   特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 【請求項３】液晶注入口は、枠状のシール材の各辺のう
   ち、ゲート配線の端子部とは反対側の端部に対向する辺
   以外の辺に設けられていることを特徴とする請求項１ま
   たは２に記載の液晶表示素子。