JP2002195961A - Ｘ線撮像装置 - Google Patents
Ｘ線撮像装置Info
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線発生装置を交換することなく、１つのＸ
線発生装置のままで簡単にＸ線のスペクトルを切り換え
ることができ、従来の装置に比して差分像を容易に画像
化することができ、また、実質的にリアルタイムの差分
像を得ることのできるＸ線撮像装置を提供する。 【解決手段】 集束された電子線の照射によりＸ線を発
生するターゲットとして、異なる元素を含む複数のター
ゲット材料を互いに接近させて配置した構造のものを用
い、その各ターゲット材料に対して電子線を選択的に照
射するべく当該電子線を偏向させる偏向手段を設けるこ
とで、電子線の偏向だけで異なるスペクトルのＸ線の発
生を可能とし、Ｘ線発生装置の取り換えを不要とすると
同時に、Ｘ線の切り換えのための時間を極めて短くする
ことを可能とする。
線発生装置のままで簡単にＸ線のスペクトルを切り換え
ることができ、従来の装置に比して差分像を容易に画像
化することができ、また、実質的にリアルタイムの差分
像を得ることのできるＸ線撮像装置を提供する。 【解決手段】 集束された電子線の照射によりＸ線を発
生するターゲットとして、異なる元素を含む複数のター
ゲット材料を互いに接近させて配置した構造のものを用
い、その各ターゲット材料に対して電子線を選択的に照
射するべく当該電子線を偏向させる偏向手段を設けるこ
とで、電子線の偏向だけで異なるスペクトルのＸ線の発
生を可能とし、Ｘ線発生装置の取り換えを不要とすると
同時に、Ｘ線の切り換えのための時間を極めて短くする
ことを可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線透視装置およ
びＸ線ＣＴ装置などのＸ線撮像装置に関する。
びＸ線ＣＴ装置などのＸ線撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】試料のＸ線透過像を得るに当たって、試
料に照射するＸ線のエネルギを適当に選択することによ
って、特定の物質の透過像のみを画像化できることが知
られている。
料に照射するＸ線のエネルギを適当に選択することによ
って、特定の物質の透過像のみを画像化できることが知
られている。
【０００３】また、２種類のスペクトルを持つＸ線をそ
れぞれ試料に照射して得られる各Ｘ線透過像の差分をと
れば、スペクトルの差に応じたエネルギのＸ線を照射し
たときに得られる透過像と等価な画像が得られることも
知られている。
れぞれ試料に照射して得られる各Ｘ線透過像の差分をと
れば、スペクトルの差に応じたエネルギのＸ線を照射し
たときに得られる透過像と等価な画像が得られることも
知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、互いに異な
るスペクトルのＸ線を発生するためには、互いに異なる
材質からなるターゲットに電子線を照射する必要があ
る。従って、試料に対して２種類のスペクトルを持つＸ
線を照射してそれぞれの透過像を得るためには、互いに
異なる材質からなるターゲットを備えた２種類のＸ線発
生装置を用意しておき、各スペクトルのＸ線を照射する
ごとにＸ線発生装置を交換してＸ線を発生させる必要が
ある。これは大変な手間と労力がかかる作業であった。
るスペクトルのＸ線を発生するためには、互いに異なる
材質からなるターゲットに電子線を照射する必要があ
る。従って、試料に対して２種類のスペクトルを持つＸ
線を照射してそれぞれの透過像を得るためには、互いに
異なる材質からなるターゲットを備えた２種類のＸ線発
生装置を用意しておき、各スペクトルのＸ線を照射する
ごとにＸ線発生装置を交換してＸ線を発生させる必要が
ある。これは大変な手間と労力がかかる作業であった。
【０００５】本発明の目的は、Ｘ線発生装置を交換する
ことなく、１つのＸ線発生装置のままで簡単にＸ線のス
ペクトルを切り換えることができ、もって従来の装置に
比して、特定の物質のＸ線透過像のみを容易に画像化す
ることのできるＸ線撮像装置を提供することにある。
ことなく、１つのＸ線発生装置のままで簡単にＸ線のス
ペクトルを切り換えることができ、もって従来の装置に
比して、特定の物質のＸ線透過像のみを容易に画像化す
ることのできるＸ線撮像装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＸ線撮像装置は、集束させた電子線をター
ゲットに照射してＸ線を発生させるＸ線発生手段を備え
たＸ線撮像装置において、上記ターゲットは、異なる元
素を含む複数の材料を互いに接近させて並べた構造を有
するとともに、そのターゲットの各材料に対して選択的
に電子線が照射されるように当該電子線を偏向させる偏
向手段と、上記各材料に電子線を照射することにより発
生する各Ｘ線を用いて得られる各Ｘ線透過像をそれぞれ
記憶する映像記憶手段と、その映像記憶手段に記憶され
た複数の映像から差分の映像を演算する差分演算手段を
備えていることによって特徴づけられる。
め、本発明のＸ線撮像装置は、集束させた電子線をター
ゲットに照射してＸ線を発生させるＸ線発生手段を備え
たＸ線撮像装置において、上記ターゲットは、異なる元
素を含む複数の材料を互いに接近させて並べた構造を有
するとともに、そのターゲットの各材料に対して選択的
に電子線が照射されるように当該電子線を偏向させる偏
向手段と、上記各材料に電子線を照射することにより発
生する各Ｘ線を用いて得られる各Ｘ線透過像をそれぞれ
記憶する映像記憶手段と、その映像記憶手段に記憶され
た複数の映像から差分の映像を演算する差分演算手段を
備えていることによって特徴づけられる。
【０００７】本発明は、１つのＸ線発生手段に互いに異
なる元素を含む複数の材料からなるターゲットを配置す
るとともに、電子線を偏向させる手段を設けて、ターゲ
ットの各材料に対して電子線を選択的に照射することに
よって複数種類のスペクトルのＸ線を発生させ、所期の
目的を達成しようとするものである。
なる元素を含む複数の材料からなるターゲットを配置す
るとともに、電子線を偏向させる手段を設けて、ターゲ
ットの各材料に対して電子線を選択的に照射することに
よって複数種類のスペクトルのＸ線を発生させ、所期の
目的を達成しようとするものである。
【０００８】すなわち、Ｘ線発生手段のターゲットとし
て、電子線の照射により互いに異なるスペクトルのＸ線
を発生する複数の材料を互いに近接して配置したものを
用いるとともに、電子線の偏向により各材料に電子線を
照射できるようにすれば、１つのＸ線発生手段を用い
て、電子線を偏向させるだけで互いに異なるスペクトル
のＸ線を発生することが可能となる。このようにして発
生させた各スペクトルのＸ線を用いて撮像した試料のＸ
線透過像を映像記憶手段に個々に記憶し、その各透過像
の差分を演算することにより、特定のエネルギのＸ線透
過像を得ることができる。
て、電子線の照射により互いに異なるスペクトルのＸ線
を発生する複数の材料を互いに近接して配置したものを
用いるとともに、電子線の偏向により各材料に電子線を
照射できるようにすれば、１つのＸ線発生手段を用い
て、電子線を偏向させるだけで互いに異なるスペクトル
のＸ線を発生することが可能となる。このようにして発
生させた各スペクトルのＸ線を用いて撮像した試料のＸ
線透過像を映像記憶手段に個々に記憶し、その各透過像
の差分を演算することにより、特定のエネルギのＸ線透
過像を得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明の実施の形
態の全体構成図で、Ｘ線光学系の構成を表す模式図と電
気的構成を表すブロック図とを併記して示す図であり、
図２はそのＸ線発生装置１内のターゲット１３の構造を
模式的に示す斜視図である。
実施の形態について説明する。図１は本発明の実施の形
態の全体構成図で、Ｘ線光学系の構成を表す模式図と電
気的構成を表すブロック図とを併記して示す図であり、
図２はそのＸ線発生装置１内のターゲット１３の構造を
模式的に示す斜視図である。
【００１０】Ｘ線発生装置１はマイクロフォーカスＸ線
管であり、電子銃１１からの電子線を集束させる集束コ
イル１２と、集束された電子線が照射されるターゲット
１３のほかに、集束後の電子線を偏向させる偏向コイル
１４を内蔵している。このＸ線発生装置１は、Ｘ線駆動
回路５から供給される管電圧・管電流によって駆動制御
される。
管であり、電子銃１１からの電子線を集束させる集束コ
イル１２と、集束された電子線が照射されるターゲット
１３のほかに、集束後の電子線を偏向させる偏向コイル
１４を内蔵している。このＸ線発生装置１は、Ｘ線駆動
回路５から供給される管電圧・管電流によって駆動制御
される。
【００１１】ターゲット１３は、下地１３ａ上に２種類
のターゲット材料からなるパターン１３ｂ，１３ｃを互
いに近接して形成したものであり、この例は、ＩＣ内部
の銅配線を強調して映像化する場合のターゲットの構成
例を示すものであり、下地１３ａとしてアルミニウム
（Ａｌ）を用い、その表面に、製膜装置を用いてそれぞ
れストライプ状の銅（Ｃｕ）パターン１３ｂとタングス
テン（Ｗ）パターン１３ｃを形成している。各パターン
１３ｂ，１３ｃの線幅はそれぞれ２〜５μｍとし、相互
の間隔も同寸法程度としている。
のターゲット材料からなるパターン１３ｂ，１３ｃを互
いに近接して形成したものであり、この例は、ＩＣ内部
の銅配線を強調して映像化する場合のターゲットの構成
例を示すものであり、下地１３ａとしてアルミニウム
（Ａｌ）を用い、その表面に、製膜装置を用いてそれぞ
れストライプ状の銅（Ｃｕ）パターン１３ｂとタングス
テン（Ｗ）パターン１３ｃを形成している。各パターン
１３ｂ，１３ｃの線幅はそれぞれ２〜５μｍとし、相互
の間隔も同寸法程度としている。
【００１２】偏向コイル１４は、偏向制御回路６により
駆動制御され、ターゲット１３の銅パターン１３ｂおよ
びタングステンパターン１３ｃのうちのいずれか一方に
対して選択的に電子線を導く。電子線は集束コイル１２
によって１μｍ程度にまで絞られるので、偏向コイル１
４の駆動によって電子線を銅パターン１３ｂとタングス
テンパターン１３ｃのいずれかにのみ照射することがで
きる。電子線を銅パターン１３ｂに照射すると、銅に固
有のスペクトルを有するＸ線が発生し、また、タングス
テンパターン１３ｃに電子線を照射した場合には、タン
グステンに固有のスペクトルを有するＸ線が発生する。
なお、この偏向制御回路６および前記したＸ線駆動回路
５は、後述する制御部４１の制御下に置かれている。
駆動制御され、ターゲット１３の銅パターン１３ｂおよ
びタングステンパターン１３ｃのうちのいずれか一方に
対して選択的に電子線を導く。電子線は集束コイル１２
によって１μｍ程度にまで絞られるので、偏向コイル１
４の駆動によって電子線を銅パターン１３ｂとタングス
テンパターン１３ｃのいずれかにのみ照射することがで
きる。電子線を銅パターン１３ｂに照射すると、銅に固
有のスペクトルを有するＸ線が発生し、また、タングス
テンパターン１３ｃに電子線を照射した場合には、タン
グステンに固有のスペクトルを有するＸ線が発生する。
なお、この偏向制御回路６および前記したＸ線駆動回路
５は、後述する制御部４１の制御下に置かれている。
【００１３】Ｘ線発生装置１に対向してＸ線カメラ２が
設けられている。また、これらのＸ線発生装置１とＸ線
カメラ２の間には、透視すべき試料Ｗを保持または載置
するための試料台３が配置されている。
設けられている。また、これらのＸ線発生装置１とＸ線
カメラ２の間には、透視すべき試料Ｗを保持または載置
するための試料台３が配置されている。
【００１４】Ｘ線カメラ２は、イメージインテンシファ
イアとＣＣＤを組み合わせてなる公知の２次元Ｘ線カメ
ラであり、その各画素出力は、制御部４１の制御下にあ
るキャプチャーボードなどの画像取り込み回路４２を介
して映像記憶部４３に格納される。この映像記憶部４３
では、複数のフレーム分の画像を個別に記憶することが
でき、制御部４１からの指令に基づき、銅パターン１３
ｂに電子線を照射することにより発生したＸ線を用いて
得た試料ＷのＸ線透過像と、タングステンパターン１３
ｃに電子線を照射することにより発生したＸ線を用いて
得た同じ試料ＷのＸ線透過像をそれぞれ個別に記憶す
る。
イアとＣＣＤを組み合わせてなる公知の２次元Ｘ線カメ
ラであり、その各画素出力は、制御部４１の制御下にあ
るキャプチャーボードなどの画像取り込み回路４２を介
して映像記憶部４３に格納される。この映像記憶部４３
では、複数のフレーム分の画像を個別に記憶することが
でき、制御部４１からの指令に基づき、銅パターン１３
ｂに電子線を照射することにより発生したＸ線を用いて
得た試料ＷのＸ線透過像と、タングステンパターン１３
ｃに電子線を照射することにより発生したＸ線を用いて
得た同じ試料ＷのＸ線透過像をそれぞれ個別に記憶す
る。
【００１５】差分演算部４４は、制御部４１からの指令
に基づき、映像記憶部４３に記憶されている上記した同
じ試料Ｗの異なるＸ線による２種のＸ線透過像の、互い
に対応する各画素の濃淡情報の差を算出して、画像処理
部４５に供給する。画像処理部４５では、差分演算後の
画素情報を用いて試料ＷのＸ線透過像を構築し、表示器
４６の画面上に表示する。
に基づき、映像記憶部４３に記憶されている上記した同
じ試料Ｗの異なるＸ線による２種のＸ線透過像の、互い
に対応する各画素の濃淡情報の差を算出して、画像処理
部４５に供給する。画像処理部４５では、差分演算後の
画素情報を用いて試料ＷのＸ線透過像を構築し、表示器
４６の画面上に表示する。
【００１６】なお、以上の制御部４１、画像取り込み回
路４２、映像記憶部４３、差分演算部４４、画像処理部
４５および表示器４６は、実際にはコンピュータおよび
その汎用的な周辺機器によって構成され、コンピュータ
にインストールされているプログラムにより上記した各
種機能を実行するものである。
路４２、映像記憶部４３、差分演算部４４、画像処理部
４５および表示器４６は、実際にはコンピュータおよび
その汎用的な周辺機器によって構成され、コンピュータ
にインストールされているプログラムにより上記した各
種機能を実行するものである。
【００１７】さて、以上の実施の形態を用いて、前記し
たようにＩＣ内部の銅配線を強調したＸ線透過像を得る
場合を例にとって、その作用を詳細に述べる。ＣｕのＸ
線吸収係数は、図３（Ａ）に示す通りであって、そのＫ
吸収端は８．９９ｋｅＶ（波長１．３８Å）である。ま
た、Ｃｕに対して電子線を照射することによって発生す
るＸ線のスペクトルは、同図（Ｂ）に示す通り、ＣｕＫ
αを主体とするものであって、このＣｕＫαのエネルギ
は８．０５ｋｅＶ（波長１．５４Å）で、ＣｕのＫ吸収
端よりも少し小さいエネルギである。更に、Ｗに対して
電子線を照射することによって発生するＸ線のスペクト
ルは、同図（Ｃ）に示す通りであって、ＣｕのＫ吸収端
付近では連続的な強度を有している。
たようにＩＣ内部の銅配線を強調したＸ線透過像を得る
場合を例にとって、その作用を詳細に述べる。ＣｕのＸ
線吸収係数は、図３（Ａ）に示す通りであって、そのＫ
吸収端は８．９９ｋｅＶ（波長１．３８Å）である。ま
た、Ｃｕに対して電子線を照射することによって発生す
るＸ線のスペクトルは、同図（Ｂ）に示す通り、ＣｕＫ
αを主体とするものであって、このＣｕＫαのエネルギ
は８．０５ｋｅＶ（波長１．５４Å）で、ＣｕのＫ吸収
端よりも少し小さいエネルギである。更に、Ｗに対して
電子線を照射することによって発生するＸ線のスペクト
ルは、同図（Ｃ）に示す通りであって、ＣｕのＫ吸収端
付近では連続的な強度を有している。
【００１８】以上のことから、本発明の実施の形態によ
りＩＣ内部の銅配線を強調したＸ線透過像を得るに当た
っては、まず、例えば銅パターン１３ｂに電子線を照射
して発生したＸ線により試料Ｗの透過像を撮像し、映像
記憶部４３に格納する。このときに得られる像は、８．
０５ｋｅＶの透過像ということができる。次に、タング
ステンパターン１３ｃに電子線を照射してＸ線により試
料の透過像を撮像し、同じく映像記憶部４３に格納す
る。このタングステンターゲット１３ｃに電子線を照射
して発生したＸ線は、前記のようにそのエネルギ分布は
ＣｕのＫ吸収端の付近において略フラットであるため
に、ＣｕのＫ吸収端前後のエネルギが混合された状態で
試料Ｗに吸収される。
りＩＣ内部の銅配線を強調したＸ線透過像を得るに当た
っては、まず、例えば銅パターン１３ｂに電子線を照射
して発生したＸ線により試料Ｗの透過像を撮像し、映像
記憶部４３に格納する。このときに得られる像は、８．
０５ｋｅＶの透過像ということができる。次に、タング
ステンパターン１３ｃに電子線を照射してＸ線により試
料の透過像を撮像し、同じく映像記憶部４３に格納す
る。このタングステンターゲット１３ｃに電子線を照射
して発生したＸ線は、前記のようにそのエネルギ分布は
ＣｕのＫ吸収端の付近において略フラットであるため
に、ＣｕのＫ吸収端前後のエネルギが混合された状態で
試料Ｗに吸収される。
【００１９】以上の２種類のＸ線の透過像が得られた
後、２つの透過像を構成する各画素について、差分演算
部４４において互いに対応する画素どうしの濃淡情報の
差分を演算し、画像処理部４５によりその演算後の画素
によって画像を構築して表示器４６に表示すると、その
画像はＣｕのＫ吸収端の影響が強調された画像、従って
ＩＣ内部の銅配線が強調された画像となる。
後、２つの透過像を構成する各画素について、差分演算
部４４において互いに対応する画素どうしの濃淡情報の
差分を演算し、画像処理部４５によりその演算後の画素
によって画像を構築して表示器４６に表示すると、その
画像はＣｕのＫ吸収端の影響が強調された画像、従って
ＩＣ内部の銅配線が強調された画像となる。
【００２０】ここで、以上の実施の形態においては、タ
ーゲット１３として、下地１３ａの表面にＣｕとＷの２
種類のパターン１３ｂおよび１３ｃをそれぞれ１つずつ
形成した例を示したが、図４に例示するように、銅パタ
ーン１３ｂとタングステンパターン１３ｃを複数組にわ
たって形成した方が、Ｘ線の発生点の調整の容易さや、
寿命などの点を考慮した場合、各組のパターンを予備と
して用いることができるが故に、むしろ好ましい。ま
た、ターゲットパターンはストライプ状だけでなく、点
状であってもよい。
ーゲット１３として、下地１３ａの表面にＣｕとＷの２
種類のパターン１３ｂおよび１３ｃをそれぞれ１つずつ
形成した例を示したが、図４に例示するように、銅パタ
ーン１３ｂとタングステンパターン１３ｃを複数組にわ
たって形成した方が、Ｘ線の発生点の調整の容易さや、
寿命などの点を考慮した場合、各組のパターンを予備と
して用いることができるが故に、むしろ好ましい。ま
た、ターゲットパターンはストライプ状だけでなく、点
状であってもよい。
【００２１】また、下地１３ａの材質については、特に
アルミニウムに限定されるものではなく、任意の材質と
することができるが、この下地１３ａの材質としては、
あまりＸ線を発生しない材料またはターゲット物質で発
生したＸ線をあまり吸収しない材料とすることが望まし
い。
アルミニウムに限定されるものではなく、任意の材質と
することができるが、この下地１３ａの材質としては、
あまりＸ線を発生しない材料またはターゲット物質で発
生したＸ線をあまり吸収しない材料とすることが望まし
い。
【００２２】更にまた、以上の実施の形態においては、
銅配線を強調したＸ線透視像を得るために、ターゲット
材料としてＣｕとＷの２種類を設けた例を示したが、強
調すべき材料のＫ吸収端に対応して、その少し小さいエ
ネルギ位置にピークを有するＸ線を発生するターゲット
材料と、それよりも大きいエネルギ位置にピークを有す
るＸ線を発生するターゲット材料とからなる、最適の２
種類のターゲット材料を設けることが望ましい。また、
一つのターゲット１３に設けるターゲット材料は２種類
に限らず、３種類以上として、そのなかから任意のもの
に対して電子線を照射し得るように構成してもよいこと
は勿論である。
銅配線を強調したＸ線透視像を得るために、ターゲット
材料としてＣｕとＷの２種類を設けた例を示したが、強
調すべき材料のＫ吸収端に対応して、その少し小さいエ
ネルギ位置にピークを有するＸ線を発生するターゲット
材料と、それよりも大きいエネルギ位置にピークを有す
るＸ線を発生するターゲット材料とからなる、最適の２
種類のターゲット材料を設けることが望ましい。また、
一つのターゲット１３に設けるターゲット材料は２種類
に限らず、３種類以上として、そのなかから任意のもの
に対して電子線を照射し得るように構成してもよいこと
は勿論である。
【００２３】そして、以上の実施の形態においては、Ｘ
線透視装置に本発明を適用した例を示したが、Ｘ線ＣＴ
装置にも本発明を等しく適用することができる。この場
合、Ｘ線光軸に直交する軸（図１においては鉛直方向の
軸）の回りに試料Ｗを回転させる必要があるが、その回
転軸の方向とターゲット材料を切り換える際の電子線の
移動方向を合致させておくことが好ましい。これは、断
層像を計算するときに、２種のＸ線の発生点が試料Ｗの
回転軸に対して直交する方向にずれると分解能の点で原
理的に望ましくなく、Ｘ線発生点が試料Ｗの回転軸に沿
って移動する場合には、その影響が少なくなるからであ
る。
線透視装置に本発明を適用した例を示したが、Ｘ線ＣＴ
装置にも本発明を等しく適用することができる。この場
合、Ｘ線光軸に直交する軸（図１においては鉛直方向の
軸）の回りに試料Ｗを回転させる必要があるが、その回
転軸の方向とターゲット材料を切り換える際の電子線の
移動方向を合致させておくことが好ましい。これは、断
層像を計算するときに、２種のＸ線の発生点が試料Ｗの
回転軸に対して直交する方向にずれると分解能の点で原
理的に望ましくなく、Ｘ線発生点が試料Ｗの回転軸に沿
って移動する場合には、その影響が少なくなるからであ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｘ線管
等のＸ線発生手段内に配置され、集束された電子線の照
射によりＸ線を発生するターゲットに、互いに異なる元
素を含む複数種類のターゲット材料を互いに近接は位置
した構造のものを用いるとともに、その各ターゲット材
料に対して選択的に電子線を照射する偏向手段を設けて
いるので、Ｘ線発生手段を取り換えることなく照射Ｘ線
のエネルギを切り換えることが可能となり、手間をかけ
ずに容易に注目する物質に対応したエネルギ差分像を得
ることができる。
等のＸ線発生手段内に配置され、集束された電子線の照
射によりＸ線を発生するターゲットに、互いに異なる元
素を含む複数種類のターゲット材料を互いに近接は位置
した構造のものを用いるとともに、その各ターゲット材
料に対して選択的に電子線を照射する偏向手段を設けて
いるので、Ｘ線発生手段を取り換えることなく照射Ｘ線
のエネルギを切り換えることが可能となり、手間をかけ
ずに容易に注目する物質に対応したエネルギ差分像を得
ることができる。
【００２５】また、Ｘ線の切り換えは電子線を偏向させ
るだけで行われ、その切り換えに要する時間は極めて短
時間であるため、差分像をほぼリアルタイムで得ること
ができ、例えば試料が経時的に変化するようなものであ
っても、その変化の様子をリアルタイムで差分像で見る
ことができる。
るだけで行われ、その切り換えに要する時間は極めて短
時間であるため、差分像をほぼリアルタイムで得ること
ができ、例えば試料が経時的に変化するようなものであ
っても、その変化の様子をリアルタイムで差分像で見る
ことができる。
【図１】本発明の実施の形態の全体構成図で、Ｘ線光学
系の構成を表す模式図と電気的構成を表すブロック図と
を併記して示す図である。
系の構成を表す模式図と電気的構成を表すブロック図と
を併記して示す図である。
【図２】図１におけるＸ線発生装置１内のターゲット１
３の構造を模式的に示す斜視図である。
３の構造を模式的に示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態の作用説明図で、（Ａ）は
Ｃｕの吸収係数を示すグラフで、（Ｂ）はＣｕに電子線
を照射したときに発生するＸ線のスペクトルを示すグラ
フ、（Ｃ）はＷに電子線を照射したときに発生するＸ線
のスペクトルを示すグラフである。
Ｃｕの吸収係数を示すグラフで、（Ｂ）はＣｕに電子線
を照射したときに発生するＸ線のスペクトルを示すグラ
フ、（Ｃ）はＷに電子線を照射したときに発生するＸ線
のスペクトルを示すグラフである。
【図４】本発明の他の実施の形態において用いられるタ
ーゲット１３の構造を模式的に示す斜視図である。
ーゲット１３の構造を模式的に示す斜視図である。
１ Ｘ線発生装置 １１ 電子銃 １２ 集束コイル １３ ターゲット １３ａ 下地 １３ｂ 銅パターン １３ｃ タングステンパターン １４ 偏向コイル ２ Ｘ線カメラ ３ 試料台 ４１ 制御部 ４２ 画像取り込み回路 ４３ 映像記憶部 ４４ 差分演算部 ４５ 画像処理部 ４６ 表示器 ５ Ｘ線駆動回路 ６ 偏向制御回路 Ｗ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 5/08 Ｈ０１Ｊ 35/08 Ｆ Ｈ０１Ｊ 35/08 Ｃ 35/30 35/30 Ａ６１Ｂ 6/00 ３５０Ｓ
Claims (1)
- 【請求項１】 集束させた電子線をターゲットに照射し
てＸ線を発生させるＸ線発生手段を備えたＸ線撮像装置
において、 上記ターゲットは、異なる元素を含む複数の材料を互い
に接近させて並べた構造を有するとともに、そのターゲ
ットの各材料に対して選択的に電子線が照射されるよう
に当該電子線を偏向させる偏向手段と、上記各材料に電
子線を照射することにより発生する各Ｘ線を用いて得ら
れる各Ｘ線透過像をそれぞれ記憶する映像記憶手段と、
その映像記憶手段に記憶された複数の映像から差分の映
像を演算する差分演算手段を備えていることを特徴とす
るＸ線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000391883A JP2002195961A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | Ｘ線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000391883A JP2002195961A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | Ｘ線撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002195961A true JP2002195961A (ja) | 2002-07-10 |
Family
ID=18857961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000391883A Pending JP2002195961A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | Ｘ線撮像装置 |
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