JP2002191932A

JP2002191932A - 気液接触装置及び気液接触方法

Info

Publication number: JP2002191932A
Application number: JP2000395956A
Authority: JP
Inventors: Kenji Hayashi; 賢二林
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2000-12-26
Filing date: 2000-12-26
Publication date: 2002-07-10

Abstract

(57)【要約】【課題】補給水量を削減し、溶剤吸収効率を維持する
と共に最終的に排出される水の溶剤濃度を高濃度とする
気液接触装置を得る。【解決手段】処理塔２０には、処理槽２２Ａから水が
供給され、処理槽２２Ａへ水が還流される。ガスを処理
塔２０へ導入してガス中の溶剤を連続的に回収している
間に、処理槽２２Ａの水の溶剤濃度が高くなると、処理
槽２２Ｂに切替え、溶剤濃度が低い水を処理塔２０へ供
給し、処理槽２２Ｂへ水を還流させる。このとき、溶剤
濃度が高くなった処理槽２２Ａの水は、排水管１１２Ａ
によって排水されると共に、下流側の処理槽１８から溶
剤を殆ど含まない水に入れ替られる。以上のような操
作を交互に行なうことにより、少量の処理液でガス中の
溶剤の除去率を向上させることができ、また、高濃度の
処理液を排水することができるので、水／溶剤分離装置
をコンパクトに設計できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラント等より大
気へ排出される、例えば揮発性有機化合物のＶＯＣガス
を回収する気液接触装置及び気液接触方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３に示すように、プラント等より大気
へ排出されるＶＯＣガスを吸収処理する散水型気液接触
装置５８で使用される水等の処理液は、処理塔６０、６
２、６４内において、ガスと接触することで溶剤濃度が
徐々に上昇してくる。この溶剤を吸収した処理液がその
まま処理槽６６、６８、７０へ還流されると、処理槽全
体の処理液の溶剤濃度が上昇し、この処理液を処理塔へ
供給しても、連続的に良好な状態で溶剤を吸収できない
（溶剤の捕集効率が低下する）。

【０００３】このため、溶剤吸収効率を維持するために
は、新鮮処理水Ｗを導水管７２から処理槽７０へ連続的
に給水する必要があり、補給水量の削減を図ることがで
きない。

【０００４】また、散水型気液接触装置５８の処理槽６
６の排水管７４から最終的に排出される処理液の溶剤濃
度を如何に高濃度とし、蒸留して再利用するかがランニ
ングコストを削減する上で大きなポイントとなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事実を考
慮して、補給水量を削減し、溶剤吸収効率を維持すると
共に最終的に排出される処理液の溶剤濃度を高濃度とす
ることを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、複数の処理塔を順次通過するガスと処理塔へ供給さ
れる処理液とを接触させ、ガス中の溶剤を処理液に吸収
させる気液接触装置において、ガス発生源からガスが導
入される第１処理塔と、この第１処理塔へ処理液を供給
可能な複数の第１処理槽と、前記複数の第１処理槽の何
れか１つから前記第１処理塔へ処理液を供給させると共
に第１処理塔から処理液を還流させる処理槽切替え手段
と、前記第１処理塔で処理されたガスが順次通過する下
流側の処理塔と、前記下流側の処理塔へ処理水を供給す
る下流側の処理槽と、前記下流側の処理槽の処理水を前
記複数の第１処理槽へ選択的に送水する送水切替え手段
と、前記複数の第１処理槽にそれぞれ設けられ、処理液
を選択的に排水する排水手段と、を有することを特徴と
している。

【０００７】上記構成の発明では、第１処理塔へ導入さ
れたガスは、処理液と接触してガス中の溶剤が処理液に
吸収される。この第１処理塔には、処理槽切替え手段に
よって複数の第１処理槽から選択された一の第１処理槽
から処理液が供給され、一の第１処理槽へ処理液が還流
される。

【０００８】そして、ガスを第１処理塔へ導入してガス
中の溶剤を連続的に回収している間に、選択された一の
第１処理槽の処理液の溶剤濃度が高くなると、処理槽切
替え手段によって他の第１処理槽に切替え、溶剤濃度が
低い処理液を第１処理塔へ供給し、他の第１処理槽へ処
理液を還流させる。

【０００９】このとき、溶剤濃度が高くなった一の第１
処理槽の処理液は、排水手段によって排水されると共
に、送水切替え手段により、下流側の処理槽から溶剤を
殆ど含まない処理液に入れ替られる。

【００１０】以上のような操作を交互に行なうことによ
り、少量の処理液でガス中の溶剤の除去率を向上させる
ことができる。また、複数の第１処理槽からそれぞれ高
濃度の処理液を排水することができるので、水／溶剤分
離装置をコンパクトに設計でき、且つ設備のランニング
コストを削減することができる。

【００１１】なお、第１処理塔で処理されたガスは、下
流側の処理塔を順次通過して、最終的には大気に放出さ
れる。また、下流側の処理塔へ送られたガスは、下流側
の処理槽から供給された処理水と接触して、ガス中の溶
剤が吸収される。溶剤を吸収した還流処理液と混合され
た処理液の一部は、上述したように、複数の第１処理槽
へ送られる。この処理液は、ガス中に含まれる溶剤濃度
は低い。

【００１２】請求項２に記載の発明では、複数の前記第
１処理槽へそれぞれ設けられ処理液濃度を検出する濃度
検出手段と、前記濃度検出手段の検出結果に基づき、前
記処理槽切替え手段、前記送水切替え手段、及び前記排
水手段を操作して、一の前記第１処理槽から前記第１処
理塔へ処理水を送って還流させているときは、他の前記
第１処理槽の処理液を入れ替え、他の前記第１処理槽か
ら前記第１処理塔へ処理水を送って還流させているとき
は、一の前記第１処理槽の処理液を入れ替える制御手段
と、を有することを特徴としている。

【００１３】上記構成の発明では、複数の第１処理槽に
濃度検出手段がそれぞれ設けられており、各第１処理槽
の処理液濃度を検出する。この濃度検出手段の検出結果
に基づき、制御手段が、処理槽切替え手段、送水切替え
手段、及び排水手段を操作して、下記のように気液接触
装置を制御する。

【００１４】すなわち、複数の第１処理槽の１つから第
１処理塔へ処理液を供給しているときは、残りの第１処
理槽内の処理液を入れ替える。また、使用している第１
処理槽の処理液濃度が所定値以上になると、この処理槽
からの処理液の供給を停止し、残りの第１処理槽の１つ
を選択して処理液を供給することで、ガス中の溶剤の回
収を連続して続ける。このとき、最初に使用した第１処
理槽内へ下流側の処理槽から処理液を送り、第１処理槽
内の処理液を入れ替える。

【００１５】このような制御を交互に行なうことで、ガ
ス中の溶剤を高効率で捕集することができ、また、排水
される処理液も高濃度となる。

【００１６】請求項３に記載の発明では、複数の処理塔
を順次通過するガスと処理塔へ供給される処理液とを接
触させ、ガス中の溶剤を処理液に吸収させる気液接触方
法において、ガス発生源からガスが導入される第１処理
塔と、この第１処理塔へ処理液を送る第１処理槽を複数
設け、複数の前記第１処理槽から前記第１処理塔へ処理
水を選択的に送り、ガス中の溶剤を処理液に吸収させる
ことを特徴としている。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。

【００１８】図１及び図２に示すように、本形態に係る
気液接触装置１０は、処理塔２０と２つの処理槽２２
Ａ、２２Ｂで構成される第１気液接触ユニット５０、処
理塔１６と処理槽１８で構成される第２気液接触ユニッ
ト８０、処理塔１２と処理槽１４で構成される第３気液
接触ユニット８２を備えている。

【００１９】処理槽１４には、導水管２４から処理水と
して新鮮な水が補給されている。また、処理槽１４の側
壁に接続された給水管２６には送液ポンプ２８が設けら
れており、送液ポンプ２８で処理塔１２の頂部へ揚水さ
れた水は散水装置３２によって、下方へ向けて散水され
る。

【００２０】一方の処理塔２０の外周壁には、プラント
５２から排出された揮発性有機化合物であるＭＥＫガス
Ｇが取り込まれるガス管３４が接続されている。このガ
ス管３４から処理塔２０へ取り込まれたＭＥＫガスＧは
上昇しながら散水装置３２で散水された水と接触して含
有する溶剤の濃度が低下される。

【００２１】そして、水と接触したＭＥＫガスＧは、処
理塔２０の頂部に接続されたガス管３６を通じて、側面
から上流側の処理塔１６内へ取り込まれる。処理塔１６
内のＭＥＫガスは、水と接触して溶剤がさらに回収さ
れ、ガス管３８を通じて、側面から上流側の処理塔１２
内へ取り込まれる。ここで、また、水と接触して溶剤が
回収され、排気管４０から環境に影響を与えないガスと
して大気に放出される。

【００２２】一方、処理塔１２内でＭＥＫガスと接触し
た水は、処理槽１４の液面に口部が水没した還流管４２
を通じて処理槽１４内へ還流する。ここで、還流水は貯
留水と混合され、上述したように、給水管２６を通じて
散水装置３２へ送られる。

【００２３】また、処理槽１４には、処理槽１８へ水を
送る送水管４４が設けられており、処理塔１６でＭＥＫ
ガスと接触して溶剤を含む還流水と貯留水の混合水が処
理槽１８へ送られる。

【００２４】処理槽１８と処理槽２２Ａ，及び処理槽１
８と処理槽２２Ｂとは、送水管４６、５４で接続されて
いる。送水管４６と送水管５４の合流部には電磁弁９４
が配設されており、送液ポンプ１１０で送られる処理槽
１８の水の行き先を選択できる。

【００２５】なお、処理槽１４に導水管２４から補給さ
れる水量と処理槽１４から処理槽１８へ送水される水量
はほぼ同じであり、また、処理槽１８から処理槽２２Ａ
或は処理槽２２Ｂへ送水される水と、処理槽２２Ａ或は
処理槽２２Ｂから排水される排水量はほぼ同じである。

【００２６】また、処理槽２２Ａの側壁に接続された給
水管５６には送液ポンプ８４が設けられており、送液ポ
ンプ８４で処理塔２０の頂部へ揚水された水は散水装置
３２によって、下方へ向けて散水される。

【００２７】同様に、処理槽２２Ｂの側壁に接続された
給水管９２には送液ポンプ８８が設けられており、送液
ポンプ８８で処理塔２０の頂部へ揚水された水は散水装
置３２によって、下方へ向けて散水される。

【００２８】また、処理塔２０の下方には、処理塔２０
内に散水された水を処理槽２２Ａ、２２Ｂへ還流させる
分岐管１０４、１０６が配置されている。この分岐管１
０４、１０６の分岐部には、電磁弁１０８が設けられて
おり、処理槽２２Ａへ還流させるか処理槽２２Ｂへ還流
させるか選択できる。

【００２９】また、処理槽２２Ａ、２２Ｂには、それぞ
れ排水管１１２Ａ、１１２Ｂが接続されており、水／溶
剤分離装置１１４に溶剤が濃縮された水を排水する。さ
らに、排水管１１２Ａ、１１２Ｂは、電磁弁１１６、１
１８が配置されており、処理槽２２Ａ、２２Ｂの水を選
択的に排水できる構成である。

【００３０】一方、処理槽２２Ａ及び処理槽２２Ｂに濃
度センサ９８、１００が設けられており、各処理槽の処
理液濃度を検出して、制御部１０２へ信号を送る。制御
部１０２は、電磁弁９４、１０８、１１６、１１８、及
び送液ポンプ８４、８８、１１０と接続されており、濃
度センサ９８、１００の検出結果に基づき、使用する処
理槽の選択と処理水の行き先を切替える。

【００３１】この制御方法では、ＭＥＫガスを処理塔２
０へ連続して導入し、先ず、処理槽２２Ａから給水管５
６を通じて処理塔２０へ水を送りＭＥＫガス中の溶剤を
捕集する。処理塔２０で処理されたＭＥＫガスは、ガス
管３６を通じて処理塔１６へ送られる。

【００３２】そして、水中の溶剤成分濃度が高くなるに
従い、ＭＥＫガス中の溶剤の捕集効率が落ちてくるが、
濃度センサ９８が検出した処理槽２２Ａ内の水の溶剤濃
度が所定値以上になると、送液ポンプ８４を停止し送液
ポンプ８８を駆動して、処理槽２２Ｂから水を処理塔２
０へ給水する。これにより、溶剤濃度が低い水が処理塔
２０へ供給され、効率良くＭＥＫガス中の溶剤の捕集さ
れる。

【００３３】このとき、電磁弁９４が切替えられ、処理
槽１８から送水管５４を通じて処理槽２２Ａへ水を送
り、電磁弁１１６を開放して排水管１１２Ａから溶剤濃
度が高い水を水／溶剤分離装置１１４へ排水して、処理
槽２２Ａの中を低濃度の水に置き換える。

【００３４】また、処理槽２２Ｂ内の水の溶剤濃度が所
定濃度になると、上述した操作を行ない、最初の処理槽
２２Ａに切替える。

【００３５】以上のような操作を繰り返すことにより、
ＭＥＫガス中の溶剤を高効率で捕集することができ、ま
た、排水される水の溶剤濃度も高濃度となる。このた
め、次工程の回収効率が上がり、設備コスト及びランニ
ングコストが削減できる。

【００３６】なお、気液接触方式としては、散水方式、
充填方式が知られているが、方式についてば特定されな
い。また、処理槽の数は、本形態のように２つに特定さ
れるものでなく、３つでもよい。

【００３７】さらに、処理対象となる揮発性有機化合物
ガス濃度は、１００ｐｐｍ以上が好ましく、１０００ｐ
ｐｍ以上が効果が顕著に現れる。また、溶剤ガスの種類
として、水との溶解度パラメータの差が１９（ｃａｌ・
ｃｍ^-3）^1/2以内が好ましく、１５（ｃａｌ・ｃｍ^-3）
^1/2以内がより好ましい（溶解度パラメータ：Ｈｉｌｄ
ｅｂｒａｎｄの溶解パラメータ）。

【００３８】さらに、揮発性有機化合物の溶剤は水溶性
であればよく、メチルエチルケトンに限定されず、メタ
ノール、エタノール、及びｎ−プロパノール等のアルコ
ール類、エチレングリコール等の多価アルコール類、ア
セトン、メチルアセトン、及びシクロヘキサン等のケト
ン類、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、及び乳酸エチル等のエステル類でもよい。さらに、
混合溶剤ガスでも処理可能である。

【００３９】また、上流側と下流側の処理塔及び処理槽
の容量比率差（気液接触時間差）は、要求される処理条
件によって設定されるものであり、限定される訳ではな
い。

【００４０】さらに、補給される水の温度は３０℃以下
が好ましく、１５℃以下がより好ましい。また、補給さ
れる水の溶剤濃度は５００ｐｐｍ以下が好ましい。さら
に、本例では、ＭＥＫガス中の溶剤を回収する処理水と
して水を使用したが、汚泥水や微生物を含む活性汚泥で
も同様な効果を得ることができる。

【００４１】ここで、ＭＥＫガスを発生する製造工程の
１つであるＰＳ版の製造工程を簡単に説明しておく。

【００４２】ＰＳ版は、９９．５重量％アルミニウム
に、銅を０．０１重量％、チタンを０．０３重量％、鉄
を０．３重量％、ケイ素を０．１重量％含有するＪＩＳ
―Ａ１０５０アルミニウム材の厚み０．３０ｍｍ圧延板
を、４００メッシュのパミストン（共立窯業製）の２０
重量％水性懸濁液と、回転ナイロンブラシ（６，１０−
ナイロン）とを用いてその表面を砂目立てした後、よく
水で洗浄した。

【００４３】これを１５重量％水酸化ナトリウム水溶液
（アルミニウム４．５重量％含有）に浸漬してアルミニ
ウムの溶解量が５ｇ／ｍ² になるようにエッチングした
後、流水で水洗した。さらに、１重量％硝酸で中和し、
次に０．７重量％硝酸水溶液（アルミニウム０．５重量
％含有）中で、陽極時電圧１０．５ボルト、陰極時電圧
９．３ボルトの矩形波交番波形電圧（電流比ｒ＝０．９
０、特公昭５８−５７９６号公報実施例に記載されてい
る電流波形）を用いて１６０クーロン／ｄｍ²の陽極時
電気量で電解粗面化処理を行った。水洗後、３５℃の１
０重量％水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬して、アルミ
ニウム溶解量が１ｇ／ｍ² になるようにエッチングした
後、水洗した。次に、５０℃３０重量％の硫酸水溶液中
に浸漬し、デスマットした後、水洗した。

【００４４】さらに、３５℃の硫酸２０重量％水溶液
（アルミニウム０．８重量％含有）中で直流電流を用い
て、多孔性陽極酸化皮膜形成処理を行った。すなわち電
流密度１３Ａ／ｄｍ² で電解を行い、電解時間の調節に
より陽極酸化皮膜重量２．７ｇ／ｍ² とした。ジアゾ樹
脂と結合剤を用いたネガ型感光性平版印刷版を作成する
為に、この支持体を水洗後、７０℃のケイ酸ナトリウム
の３重量％水溶液に３０秒間浸漬処理し、水洗乾燥し
た。

【００４５】以上のようにして得られたアルミニウム支
持体は、マクベスＲＤ９２０反射濃度計で測定した反射
濃度は０．３０で、ＪＩＳＢ００６０１に規定する中
心線平均粗さＲ_aは０．５８μｍであった。

【００４６】次に上記支持体にメチルメタクリレート／
エチルアクリレート／２−アクリルアミド−２−メチル
プロパンスルホン酸ナトリウム共重合体（平均分子量約
６万）（モル比５０／３０／２０）の１．０重量％水溶
液をロールコーターにより乾燥後の塗布量が０．０５ｇ
／ｍ² になるように塗布した。

【００４７】さらに、塗布液として下記感光液−１を、
本形態で用いたバーコーターを用いて塗布し、１１０℃
で４５秒間乾燥させた。乾燥塗布量は２．０ｇ／ｍ² で
あった。感光液−１ジアゾ樹脂−１０．５０ｇ結合剤−１５．００ｇスチライトＨＳ−２（大同工業(株)製）０．１０ｇビクトリアピュアブルーＢＯＨ０．１５ｇトリクレジルホスフェート０．５０ｇジピコリン酸０．２０ｇＦＣ−４３０（３Ｍ社製界面活性剤）０．０５ｇ溶剤１−メトキシ−２−プロパノール２５．００ｇ乳酸メチル１２．００ｇメタノール３０．００ｇメチルエチルケトン３０．００ｇ水３．００ｇ

【００４８】上記のジアゾ樹脂―１は、次ぎのようにし
て得たものである。まず、４−ジアゾジフェニルアミン
硫酸塩（純度９９．５％）２９．４ｇを２５℃にて、９
６％硫酸７０ｍｌに徐々に添加し、かつ２０分間攪拌し
た。これに、パラホルムアルデヒド（純度９２％）３．
２６ｇを約１０分かけて徐々に添加し、該混合物を３０
℃にて、４時間攪拌し、縮合反応を進行させた。なお、
上記ジアゾ化合物とホルムアルデヒドとの縮合モル比は
１：１である。この反応生成物を攪拌しつつ氷水２リッ
トル中に注ぎ込み、塩化ナトリウム１３０ｇを溶解した
冷濃厚水溶液で処理した。この沈澱物を吸引濾過により
回収し、部分的に乾燥した固体を１リットルの水に溶解
し、濾過し、氷で冷却し、かつ、ヘキサフルオロリン酸
カリ２３ｇを溶解した水溶液で処理した。最後に、この
沈澱物を濾過して回収し、かつ風乾して、ジアゾ樹脂−
１ｇを得た。

【００４９】結合剤−１は、２−ヒドロキシエチルメタ
クリレート／アクリロニトリル／メチルメタクリレート
／メタクリル酸共重合体（重量比５０／２０／２６／
４、平均分子量７５，０００、酸含量０．４ｍｅｑ／
ｇ）の水不溶性、アルカリ水可溶性の皮膜形成性高分子
である。

【００５０】スチライトＨＳ−２（大同工業(株)製）
は、結合剤よりも感脂性の高い高分子化合物であって、
スチレン／マレイン酸モノ−４−メチル−２−ペンチル
エステル＝５０／５０（モル比）の共重合体であり、平
均分子量は約１００，０００であった。このようにして
作成した感光層の表面に下記の様にしてマット層形成用
樹脂液を吹き付けてマット層を設けた。

【００５１】マット層形成用樹脂液としてメチルメタク
リレート／エチルアクリレート／２−アクリルアミド−
２−メチルプロパンスルホン酸（仕込重量比６５：２
０：１５）共重合体の一部をナトリウム塩とした１２％
水溶液を準備し、回転霧化静電塗装機で霧化頭回転数２
５，０００ｒｐｍ、樹脂液の送液量は４．０ｍｌ／分、
霧化頭への印加電圧は−９０ｋＶ、塗布時の周囲温度は
２５℃、相対湿度は５０％とし、塗布液２．５秒で塗布
面に蒸気を吹き付けて湿潤させ、ついで湿潤した３秒後
に温度６０℃、湿度１０％の温風を５秒間吹き付けて乾
燥させた。マットの高さは平均約６μｍ、大きさは平均
約３０μｍ、塗布量は１５０ｍｇ／ｍ² であった。

【００５２】

【発明の効果】本発明は上記構成としたので、補給水量
を削減し、溶剤吸収効率を維持すると共に最終的に排出
される処理液の溶剤濃度を高濃度とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本形態に係る気液接触装置を示す斜視図であ
る。

【図２】本形態に係る気液接触装置を示す側面図であ
る。

【図３】従来の気液接触装置を示す側面図である。

【符号の説明】

１２処理塔（下流側の処理塔）１４処理槽（下流側の処理槽）１６処理塔（下流側の処理塔）１８処理槽（下流側の処理槽）２０処理塔（第１処理塔）２２Ａ処理槽（第１処理槽）２２Ｂ処理槽（第１処理槽）８４送水ポンプ（処理槽切替え手段）８８送水ポンプ（処理槽切替え手段）９４電磁弁（送水切替え手段）９８濃度センサ（濃度検出手段）１００濃度センサ（濃度検出手段）１０２制御部（制御手段）１１０送水ポンプ（処理槽切替え手段）１１２Ａ電磁弁（排水手段）１１２Ｂ電磁弁（排水手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の処理塔を順次通過するガスと処理
塔へ供給される処理液とを接触させ、ガス中の溶剤を処
理液に吸収させる気液接触装置において、ガス発生源からガスが導入される第１処理塔と、この第
１処理塔へ処理液を供給可能な複数の第１処理槽と、前記複数の第１処理槽の何れか１つから前記第１処理塔
へ処理液を供給させると共に第１処理塔から処理液を還
流させる処理槽切替え手段と、前記第１処理塔で処理されたガスが順次通過する下流側
の処理塔と、前記下流側の処理塔へ処理水を供給する下流側の処理槽
と、前記下流側の処理槽の処理水を前記複数の第１処理槽へ
選択的に送水する送水切替え手段と、前記複数の第１処理槽にそれぞれ設けられ、処理液を選
択的に排水する排水手段と、を有することを特徴とする気液接触装置。
【請求項２】複数の前記第１処理槽へそれぞれ設けら
れ処理液濃度を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段の検出結果に基づき、前記処理槽切替
え手段、前記送水切替え手段、及び前記排水手段を操作
して、一の前記第１処理槽から前記第１処理塔へ処理水を送っ
て還流させているときは、他の前記第１処理槽の処理液
を入れ替え、他の前記第１処理槽から前記第１処理塔へ
処理水を送って還流させているときは、一の前記第１処
理槽の処理液を入れ替える、制御手段と、を有することを特徴とする請求項１に記載の気液接触装
置。
【請求項３】複数の処理塔を順次通過するガスと処理
塔へ供給される処理液とを接触させ、ガス中の溶剤を処
理液に吸収させる気液接触方法において、ガス発生源からガスが導入される第１処理塔と、この第
１処理塔へ処理液を送る第１処理槽を複数設け、複数の
前記第１処理槽から前記第１処理塔へ処理水を選択的に
送り、ガス中の溶剤を処理液に吸収させることを特徴と
する気液接触方法。