JP2002189297A - パターン形成材料及びパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成材料及びパターン形成方法Info
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- Materials For Photolithography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 矩形状の断面を持つ良好なパターン形状と良
好なエッチング耐性とを有するレジストパターンが得ら
れるようにする。 【解決手段】 半導体基板１０の上に形成された反射防
止膜１１の上に、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノ
ルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合された
ベースポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジ
ストを塗布してレジスト膜１２を形成する。レジスト膜
１２に対してパターン露光及び現像を行なって、レジス
ト膜１２からなるレジストパターン１２Ａを形成する。
好なエッチング耐性とを有するレジストパターンが得ら
れるようにする。 【解決手段】 半導体基板１０の上に形成された反射防
止膜１１の上に、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノ
ルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合された
ベースポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジ
ストを塗布してレジスト膜１２を形成する。レジスト膜
１２に対してパターン露光及び現像を行なって、レジス
ト膜１２からなるレジストパターン１２Ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
ス等に用いられるパターン形成材料及びこれを用いたパ
ターン形成方法に関するものである。
ス等に用いられるパターン形成材料及びこれを用いたパ
ターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置等の製造プロセスにお
いては、半導体素子の微細化に伴って、リソグラフィに
より形成されるレジストパターンの微細化が必須となっ
ている。
いては、半導体素子の微細化に伴って、リソグラフィに
より形成されるレジストパターンの微細化が必須となっ
ている。
【０００３】レジストパターンの微細化の要求に応じる
ため、露光光の短波長化が進められており、最近では、
露光光として、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎ
ｍ）よりも短波長のＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９
３ｎｍ）を用いるパターン形成方法が有望視されてい
る。このように、露光光としてＡｒＦエキシマレーザを
用いると、０．１３μｍ以下のライン・アンド・スペー
スのレジストパターンを形成することが可能になる。
ため、露光光の短波長化が進められており、最近では、
露光光として、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎ
ｍ）よりも短波長のＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９
３ｎｍ）を用いるパターン形成方法が有望視されてい
る。このように、露光光としてＡｒＦエキシマレーザを
用いると、０．１３μｍ以下のライン・アンド・スペー
スのレジストパターンを形成することが可能になる。
【０００４】そこで、露光光としてＡｒＦエキシマレー
ザを用いるリソグラフィに適したパターン形成材料とし
て、例えば特表２０００−５０８０８０号公報において
は、ポリノルボルネンを主成分とする化学増幅型レジス
ト、及びポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）（共重
合体）を主成分とする化学増幅型レジストが提案されて
いる。
ザを用いるリソグラフィに適したパターン形成材料とし
て、例えば特表２０００−５０８０８０号公報において
は、ポリノルボルネンを主成分とする化学増幅型レジス
ト、及びポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）（共重
合体）を主成分とする化学増幅型レジストが提案されて
いる。
【０００５】以下、前記の化学増幅型レジストを用いて
レジストパターンを形成する方法について、図２（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら説明する。
レジストパターンを形成する方法について、図２（ａ）
〜（ｄ）を参照しながら説明する。
【０００６】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基
板１の上に有機化合物からなる反射防止膜２を形成した
後、該反射防止膜２の上に、下記の成分を有しポリノル
ボルネンの誘導体を主成分とする化学増幅型レジストを
塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜３を形
成する。
板１の上に有機化合物からなる反射防止膜２を形成した
後、該反射防止膜２の上に、下記の成分を有しポリノル
ボルネンの誘導体を主成分とする化学増幅型レジストを
塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜３を形
成する。
【０００７】 ベースポリマー：ポリ（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレー ト−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート）…………………１．０ｇ 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート………………０．０３ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート………４．０ｇ
【０００８】次に、図２（ｂ）に示すように、レジスト
膜３に対してフォトマスク４を介してＡｒＦエキシマレ
ーザ５を照射してパターン露光を行なった後、半導体基
板１を１０５℃の温度下で９０秒間加熱する露光後加熱
（ＰＥＢ）を行なう。
膜３に対してフォトマスク４を介してＡｒＦエキシマレ
ーザ５を照射してパターン露光を行なった後、半導体基
板１を１０５℃の温度下で９０秒間加熱する露光後加熱
（ＰＥＢ）を行なう。
【０００９】次に、レジスト膜３を例えば２．３８ｗｔ
％のアルカリ現像液を用いて６０秒間の現像行なって、
図２（ｄ）に示すように、０．１４μｍのライン・アン
ド・スペースのレジストパターン３Ａを形成する。
％のアルカリ現像液を用いて６０秒間の現像行なって、
図２（ｄ）に示すように、０．１４μｍのライン・アン
ド・スペースのレジストパターン３Ａを形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、レジストパ
ターン３Ａは、矩形状の断面を有しない劣化した形状に
なってしまった。
ターン３Ａは、矩形状の断面を有しない劣化した形状に
なってしまった。
【００１１】また、ポリノルボルネンを主成分とする化
学増幅型レジストに代えて、ポリ（ノルボルネン−無水
マレイン酸）の誘導体を主成分とする化学増幅型レジス
ト（クラリアント社製：ＡＺ−ＥＸＰ−ＡＸ２０００
Ｐ）を用いてレジストパターン３Ａを形成したが、この
場合には、レジストパターンのエッチング耐性が不良に
なってしまった。
学増幅型レジストに代えて、ポリ（ノルボルネン−無水
マレイン酸）の誘導体を主成分とする化学増幅型レジス
ト（クラリアント社製：ＡＺ−ＥＸＰ−ＡＸ２０００
Ｐ）を用いてレジストパターン３Ａを形成したが、この
場合には、レジストパターンのエッチング耐性が不良に
なってしまった。
【００１２】前記に鑑み、本発明は、矩形状の断面を有
する良好なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有
するレジストパターンが得られるようにすることを目的
とする。
する良好なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有
するレジストパターンが得られるようにすることを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、ポリノ
ルボルネンの誘導体を主成分とする化学増幅型レジス
ト、又はポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導
体を主成分とする化学増幅型レジストを用いてレジスト
パターンを形成すると、パターン形状が劣化する原因に
ついて検討を加えた結果、ポリノルボルネンの誘導体を
主成分とする化学増幅型レジストは解像性に問題があ
り、ポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体を
主成分とする化学増幅型レジストは耐エッチング性に問
題があることを見出した。
ルボルネンの誘導体を主成分とする化学増幅型レジス
ト、又はポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導
体を主成分とする化学増幅型レジストを用いてレジスト
パターンを形成すると、パターン形状が劣化する原因に
ついて検討を加えた結果、ポリノルボルネンの誘導体を
主成分とする化学増幅型レジストは解像性に問題があ
り、ポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体を
主成分とする化学増幅型レジストは耐エッチング性に問
題があることを見出した。
【００１４】そこで、ポリノルボルネンの誘導体とポリ
（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合さ
れたベースポリマーを有する化学増幅型レジストを用い
てレジストパターンを形成したところ、ベースポリマー
としてポリノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネ
ン−無水マレイン酸）の誘導体をそれぞれ単独で用いた
場合に比べて、解像性及び耐エッチング性の両方の点に
おいて改善されることを見出した。
（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合さ
れたベースポリマーを有する化学増幅型レジストを用い
てレジストパターンを形成したところ、ベースポリマー
としてポリノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネ
ン−無水マレイン酸）の誘導体をそれぞれ単独で用いた
場合に比べて、解像性及び耐エッチング性の両方の点に
おいて改善されることを見出した。
【００１５】本発明は、前記の知見に基づいてなされた
ものであり、具体的には、本発明に係るパターン形成材
料は、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン
−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベースポリ
マーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジストよりな
る。
ものであり、具体的には、本発明に係るパターン形成材
料は、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン
−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベースポリ
マーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジストよりな
る。
【００１６】また、本発明に係るパターン形成方法は、
基板上に、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボル
ネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベース
ポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジストを
塗布して、レジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に
対してパターン露光及び現像を行なって、レジスト膜か
らなるレジストパターンを形成する工程とを備えてい
る。
基板上に、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボル
ネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベース
ポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジストを
塗布して、レジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に
対してパターン露光及び現像を行なって、レジスト膜か
らなるレジストパターンを形成する工程とを備えてい
る。
【００１７】本発明に係るパターン形成材料又はパター
ン形成方法により形成されるレジストパターンは、ポリ
ノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネン−無水マ
レイン酸）の誘導体を主成分とする化学増幅型レジスト
に比べて解像性及び耐エッチング性の点で優れている。
このため、本発明に係る化学増幅型レジストを用いて形
成されるレジストパターンは、矩形状の断面を持つ良好
なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有する。
ン形成方法により形成されるレジストパターンは、ポリ
ノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネン−無水マ
レイン酸）の誘導体を主成分とする化学増幅型レジスト
に比べて解像性及び耐エッチング性の点で優れている。
このため、本発明に係る化学増幅型レジストを用いて形
成されるレジストパターンは、矩形状の断面を持つ良好
なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有する。
【００１８】このように、ポリノルボルネンの誘導体と
ポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混
合されたベースポリマーを有する化学増幅型レジストを
用いると、各誘導体を単独で用いる場合に比べて、レジ
スト膜の溶解特性が向上するために解像度が向上し、ま
た、ポリマー同士の相互作用によりドライエッチング耐
性が向上するものと考えられる。
ポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混
合されたベースポリマーを有する化学増幅型レジストを
用いると、各誘導体を単独で用いる場合に比べて、レジ
スト膜の溶解特性が向上するために解像度が向上し、ま
た、ポリマー同士の相互作用によりドライエッチング耐
性が向上するものと考えられる。
【００１９】本発明に係るパターン形成材料又はパター
ン形成方法におけるベースポリマーにおいては、ポリノ
ルボルネンの誘導体及びポリ（ノルボルネン−無水マレ
イン酸）の誘導体のうちの一方は他方に対して重量比で
１／２以上混合されていることが好ましい。
ン形成方法におけるベースポリマーにおいては、ポリノ
ルボルネンの誘導体及びポリ（ノルボルネン−無水マレ
イン酸）の誘導体のうちの一方は他方に対して重量比で
１／２以上混合されていることが好ましい。
【００２０】このようにすると、ベースポリマーとして
ポリノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネン−無
水マレイン酸）の誘導体を単独で用いる場合に比べて、
解像性及び耐エッチング性の両方の点で確実に向上す
る。
ポリノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネン−無
水マレイン酸）の誘導体を単独で用いる場合に比べて、
解像性及び耐エッチング性の両方の点で確実に向上す
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
パターン形成材料について説明する。
パターン形成材料について説明する。
【００２２】パターン形成材料としては以下の組成のも
のを用いる。
のを用いる。
【００２３】 ベースポリマー：ポリノルボルネンの誘導体（１．０ｇ）と、ポリ（ｔ−ブチ ル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−無水マレイン酸）（０．５ ｇ）との混合物 酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムトリフレート………………０．０３ｇ 溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート………４．０ｇ
【００２４】尚、ポリノルボルネンと、ポリ（ノルボル
ネン−無水マレイン酸）との混合割合としては、前記の
割合でなくてもよいが、一方の誘導体は他方の誘導体に
対して重量比で１／２以上の割合で混合されていること
が好ましい。
ネン−無水マレイン酸）との混合割合としては、前記の
割合でなくてもよいが、一方の誘導体は他方の誘導体に
対して重量比で１／２以上の割合で混合されていること
が好ましい。
【００２５】２つの誘導体がこのような割合で混合され
たベースポリマーを用いると、ベースポリマーとしてポ
リノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネン−無水
マレイン酸）の誘導体を単独で用いる場合に比べて、解
像性及び耐エッチング性の両方の点で確実に向上する。
たベースポリマーを用いると、ベースポリマーとしてポ
リノルボルネンの誘導体又はポリ（ノルボルネン−無水
マレイン酸）の誘導体を単独で用いる場合に比べて、解
像性及び耐エッチング性の両方の点で確実に向上する。
【００２６】以下、本発明の一実施形態に係るパターン
形成方法について、図１（ａ）〜（ｄ）を参照しながら
説明する。
形成方法について、図１（ａ）〜（ｄ）を参照しながら
説明する。
【００２７】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１０の上に有機化合物からなる反射防止膜１１（例え
ば、シプレイファーイースト社製：ＡＲ１９）を形成し
た後、該反射防止膜１１の上に、前記の組成を有する化
学増幅型レジストを塗布して、０．４μｍの厚さを有す
るレジスト膜１２を形成する。
板１０の上に有機化合物からなる反射防止膜１１（例え
ば、シプレイファーイースト社製：ＡＲ１９）を形成し
た後、該反射防止膜１１の上に、前記の組成を有する化
学増幅型レジストを塗布して、０．４μｍの厚さを有す
るレジスト膜１２を形成する。
【００２８】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
膜１２に対してフォトマスク１３を介してＡｒＦエキシ
マレーザ１４を開口率（ＮＡ）：０．６０で照射してパ
ターン露光を行なった後、半導体基板１０を１０５℃の
温度下で９０秒間加熱する露光後加熱（ＰＥＢ）を行な
う。
膜１２に対してフォトマスク１３を介してＡｒＦエキシ
マレーザ１４を開口率（ＮＡ）：０．６０で照射してパ
ターン露光を行なった後、半導体基板１０を１０５℃の
温度下で９０秒間加熱する露光後加熱（ＰＥＢ）を行な
う。
【００２９】次に、レジスト膜１２を例えば２．３８ｗ
ｔ％のアルカリ現像液を用いて６０秒間の現像行なう
と、図１（ｄ）に示すように、矩形状の断面を有する
０．１１μｍのライン・アンド・スペースのレジストパ
ターン１２Ａが得られる。
ｔ％のアルカリ現像液を用いて６０秒間の現像行なう
と、図１（ｄ）に示すように、矩形状の断面を有する
０．１１μｍのライン・アンド・スペースのレジストパ
ターン１２Ａが得られる。
【００３０】以下、本実施形態を評価するために行なっ
た実験結果について［表１］に基づいて説明する。
た実験結果について［表１］に基づいて説明する。
【００３１】
【表１】
【００３２】［表１］は、ベースポリマーとして、ポリ
ノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレ
イン酸）の誘導体との混合物、ポリノルボルネンの誘導
体（単独）又はポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）
の誘導体（単独）を用いたときの、解像性とノボラック
樹脂に対するエッチングレートとを対比したデータを示
している。
ノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレ
イン酸）の誘導体との混合物、ポリノルボルネンの誘導
体（単独）又はポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）
の誘導体（単独）を用いたときの、解像性とノボラック
樹脂に対するエッチングレートとを対比したデータを示
している。
【００３３】［表１］から分かるように、ベースポリマ
ーとしてポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネ
ン−無水マレイン酸）の誘導体との混合物を用いると、
ベースポリマーとしてポリノルボルネン又はポリ（ノル
ボルネン−無水マレイン酸）を単独で用いる場合に比べ
て、解像性及び耐エッチング性の点で優れることが分か
る。すなわち、フッ素を主成分とするエッチングガスを
用いたときのノボラック樹脂に対するエッチングレート
比は、１．０であって、ベースポリマーとしてポリノル
ボルネンを単独で用いた場合の１．２及びポリ（ノルボ
ルネン−無水マレイン酸）を単独で用いる場合の１．５
よりも小さいので、耐エッチング性の点で向上すること
が分かる。
ーとしてポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネ
ン−無水マレイン酸）の誘導体との混合物を用いると、
ベースポリマーとしてポリノルボルネン又はポリ（ノル
ボルネン−無水マレイン酸）を単独で用いる場合に比べ
て、解像性及び耐エッチング性の点で優れることが分か
る。すなわち、フッ素を主成分とするエッチングガスを
用いたときのノボラック樹脂に対するエッチングレート
比は、１．０であって、ベースポリマーとしてポリノル
ボルネンを単独で用いた場合の１．２及びポリ（ノルボ
ルネン−無水マレイン酸）を単独で用いる場合の１．５
よりも小さいので、耐エッチング性の点で向上すること
が分かる。
【００３４】従って、ベースポリマーとしてポリノルボ
ルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレイン
酸）の誘導体との混合物を用いると、得られるレジスト
パターン１２Ａは、矩形状の断面を持つ良好なパターン
形状と良好なエッチング耐性とを有する。
ルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレイン
酸）の誘導体との混合物を用いると、得られるレジスト
パターン１２Ａは、矩形状の断面を持つ良好なパターン
形状と良好なエッチング耐性とを有する。
【００３５】尚、本発明においては、酸により感応する
酸不安定基（保護基）は、ポリノルボルネンの誘導体又
はポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体の一
方又は両方に結合していてもよいし、これら両者とは異
なる他のポリマーユニットに付与されていてもよい。
酸不安定基（保護基）は、ポリノルボルネンの誘導体又
はポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体の一
方又は両方に結合していてもよいし、これら両者とは異
なる他のポリマーユニットに付与されていてもよい。
【００３６】また、パターン露光に用いる露光光として
は、ＡｒＦ若しくはＫｒＦ光などの遠紫外光、Ｆ2 光な
どの真空紫外光、１３．５ｎｍ光などの極紫外光、又は
電子線などが挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。
は、ＡｒＦ若しくはＫｒＦ光などの遠紫外光、Ｆ2 光な
どの真空紫外光、１３．５ｎｍ光などの極紫外光、又は
電子線などが挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係るパターン形成材料又はパタ
ーン形成方法によると、レジストパターンは、ベースポ
リマーとしてポリノルボルネンの誘導体又はポリ（ノル
ボルネン−無水マレイン酸）の誘導体を単独で用いる場
合に比べて、解像性及び耐エッチング性の点で優れてい
る。このため、本発明に係る化学増幅型レジストを用い
て形成されるレジストパターンは、矩形状の断面を持つ
良好なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有す
る。
ーン形成方法によると、レジストパターンは、ベースポ
リマーとしてポリノルボルネンの誘導体又はポリ（ノル
ボルネン−無水マレイン酸）の誘導体を単独で用いる場
合に比べて、解像性及び耐エッチング性の点で優れてい
る。このため、本発明に係る化学増幅型レジストを用い
て形成されるレジストパターンは、矩形状の断面を持つ
良好なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有す
る。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施形態に係るパ
ターン形成材料を用いるパターン形成方法の各工程を示
す断面図である。
ターン形成材料を用いるパターン形成方法の各工程を示
す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は従来のパターン形成材料を用
いるパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
いるパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
１０ 半導体基板 １１ 反射防止膜 １２ レジスト膜 １２Ａ レジストパターン １３ フォトマスク １４ ＡｒＦエキシマレーザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB10 CB41 DA34 FA17 FA41 4J002 BH02X BK00W BK00X EV296 FD156 GP03
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノル
ボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベ
ースポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジス
トよりなることを特徴とするパターン形成材料。 - 【請求項２】 前記ベースポリマーにおいて、ポリノル
ボルネンの誘導体及びポリ（ノルボルネン−無水マレイ
ン酸）の誘導体のうちの一方は他方に対して重量比で１
／２以上混合されていることを特徴とする請求項１に記
載のパターン形成材料。 - 【請求項３】 基板上に、ポリノルボルネンの誘導体と
ポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混
合されたベースポリマーと、酸発生剤とを有する化学増
幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像を行なっ
て、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成す
る工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方
法。 - 【請求項４】 前記ベースポリマーにおいて、ポリノル
ボルネンの誘導体及びポリ（ノルボルネン−無水マレイ
ン酸）の誘導体のうちの一方は他方に対して重量比で１
／２以上混合されていることを特徴とする請求項３に記
載のパターン形成方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385468A JP2002189297A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385468A JP2002189297A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002189297A true JP2002189297A (ja) | 2002-07-05 |
| JP2002189297A5 JP2002189297A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=18852727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000385468A Pending JP2002189297A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006503335A (ja) * | 2002-10-16 | 2006-01-26 | ジョージア テック リサーチ コーポレイション | ポリマー、その使用方法、およびその分解方法 |
-
2000
- 2000-12-19 JP JP2000385468A patent/JP2002189297A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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