JP2002189297A5 - - Google Patents
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- DMZTWZZWIPUVMA-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.1]hept-2-ene;furan-2,5-dione Chemical class C1C2CCC1C=C2.O=C1OC(=O)C=C1 DMZTWZZWIPUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
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Claims (6)
- ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベースポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジストよりなることを特徴とするパターン形成材料。
- 前記ベースポリマーにおいて、ポリノルボルネンの誘導体及びポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体のうちの一方は他方に対して重量比で１／２以上混合されていることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成材料。
- 基板上に、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベースポリマーと、酸発生剤とを有する化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像を行なって、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記ベースポリマーにおいて、ポリノルボルネンの誘導体及びポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体のうちの一方は他方に対して重量比で１／２以上混合されていることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
- 絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、ポリノルボルネンの誘導体とポリ（ノルボルネン−無水マレイン酸）の誘導体とが混合されたベースポリマーと酸発生剤とを有する化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像を行なって、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして且つフッ素を主成分とするガスを用いて前記絶縁膜に対してエッチングを行う工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジストパターンのパターン幅は０．１１μｍ程度であることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000385468A JP2002189297A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000385468A JP2002189297A (ja) | 2000-12-19 | 2000-12-19 | パターン形成材料及びパターン形成方法 |
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| JP2002189297A JP2002189297A (ja) | 2002-07-05 |
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| JP4814522B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2011-11-16 | ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション | ポリマーの使用方法 |
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- 2000-12-19 JP JP2000385468A patent/JP2002189297A/ja active Pending
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